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TW201031703A - Positive photosensitive resin composition - Google Patents

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TW201031703A
TW201031703A TW99101537A TW99101537A TW201031703A TW 201031703 A TW201031703 A TW 201031703A TW 99101537 A TW99101537 A TW 99101537A TW 99101537 A TW99101537 A TW 99101537A TW 201031703 A TW201031703 A TW 201031703A
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TW
Taiwan
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mass
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group
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Prior art date
Application number
TW99101537A
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TWI455980B (zh
Inventor
Hiroyuki Taguchi
Yoshinori Nito
Yukihiro Kato
Shuichi Takahashi
Toshiya Okamura
Original Assignee
Nof Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Publication of TW201031703A publication Critical patent/TW201031703A/zh
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Description

.201031703 % • 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於感光性樹脂組成物,尤其是關於正型 感光性樹脂組成物。進而詳言之,係藉由使用光微影法 技術而可形成圖型膜的感光性樹脂組成物,進一步係關 於平面顯示器(FPD)或半導體裝置,其具備使用該感光 性樹脂組成物所形成的層間絕緣膜或平坦化膜。 【先前技術】 ❹ 在以LSI等半導體積體電路之製造,或fpd顯示面 之製造、熱頭等電路基板之製造等為始的廣泛領域中, 為了進行微細元件之形成或微細加工,以往係利用光微 影法技術。在該光微影法技術中,為形成光阻圖型,則 使用感光性樹脂組成物。近年來於該等感光性樹脂組成 物之新穎用途方面,半導體積體電路或FPD等層間絕緣 臈或平坦化膜之形成技術廣受到矚目。尤其是,對於FpD 顯示面的高精細化或TFT等所代表的半導體元件之製 造過程的縮短,市場之期望甚高。 φ 為達成該FpD顯示面之高精細化,重要的是在電路 内抑制傳遞損失,對此具有低介電特性優異的微細圖型 的層間絕緣膜或平坦化膜被視作必需材料。又,關於半 導體元件之製造過程的縮短,在目的為保護源電極戋閘 - 電極,以真空蒸鍍法所形成的SiNx等無機層間絕緣膜, 來替代以於濕製程可容易形成的有機層間絕緣膜為所 期望。因此,在有機層間絕緣膜,必須是與SiNx同等 的絕緣性,介電率低於3·〇的低介電特性之層間絕緣膜 被視為必要。而為了獲得具有該低介電特性的層間絕緣 膜或平坦化膜,在感光性樹脂組成物中,鹼可溶性樹脂 之角色極為重要,而關於使用於此種用途的感光性樹脂 3 201031703 組成物則做了極多的研究。 . 例如在專利文獻1中有揭示,藉由混合於層間絕 . 膜或平坦化膜用之感光性樹脂組成物的驗可溶性 脂,使用具有不飽和羧酸與環氧基的自由基聚合性化合 物,而感光性樹脂組成物具有良好的顯影性且可形成^ 解像度之圖型膜。但是,一般所知是含於該鹼可溶性樹 脂的構成單位因係以(甲基)丙烯醯基所構成,故無法獲 得具有充分的低介電特性的感光性樹脂組成物。 在專利文獻2有揭示,混合於層間絕緣膜或平坦化 膜用之感光性樹脂組成物的驗可溶性樹脂,係使用含有 苯乙烯類、(甲基)丙烯酸及羥烷酯作為構成單位的共聚⑩ 物,而使感光性樹脂組成物之低介電特性變為良好。但 疋,在將苯乙烯類多量導入於樹脂中的情形,由於樹脂 之疏水性變高,雖可高度維持顯影時之殘膜率,但是顯 影殘渣變多,而無法獲得具有充分顯影性的感光性樹脂 組成物,這些問題被本發明人察覺。 又,在專利文獻3有揭示,為了形成濾色片用保護 膜、RGB用像素、黑色矩陣或間隔件,藉由使用含有具 有反丁烯二酸二酯的驗可溶性樹脂、光聚合性多官能(甲 基)丙稀酸酯化合物及光聚合引發劑的負型感光性樹脂 組成物,而可得良好的顯影性。但是,由於含於該負型© 感光性樹脂組成物中的光聚合性多官能(甲基)丙烯酸酯 之介電率咼,故無法獲得具有充分低介電特性的感光性 樹脂組成物,這些問題被本發明人所察覺。 鑑於此等情事,在使用於FPD或半導體裝置等層間 絕緣膜或平坦化膜的感光性樹脂組成物中,吾人期望形 成一種高解像度之圖型膜,其可照樣維持高殘膜率、無 顯影殘渣、顯影性良好、且低介電特性優異。 【先行技術文獻】 【專利文獻1】曰本特開平7-248629號公報(第2 201031703 頁、第3頁及第4頁) 【專利文獻2】日本特開2〇〇4_4233號公報 第4頁及第34頁) 、乐負 號公報(第2 【專利文獻3】曰本特開2007-137947 頁、第3頁及第5頁) 【發明内容】
本發明之第一之目的係提供一種感光性樹脂組 物,在形成圖型膜的顯影步驟中,可照樣維持高 率、無顯影殘渣、即使在高溫烘烤後,在不損及平坦性、 光透過率、耐溶劑性等之塗膜物性下,可形成低介 性優異的高解像度之圖型模。 本發明之第二之目的係提供一種FPD或半導體裝 置,其具有由該優異感光性樹脂組成物所形成之平坦化 膜或層間絕緣膜。 本發明之第二目的係提供一種FPD或半導體裝 置,其並不藉由该優異感光性樹脂組成物而形成SiNx 等無機層間絕緣膜,而是在濕製程可容易形成的有機層 間絕緣膜。 θ 根據本發明的感光性樹脂組成物,係由下述所示成 分(Α)、⑻及(C)所組成,相對於成分(α)ι〇〇質量份,成 分(B)及(C)之構成比率各自為:(B)為5至50質量份及(C) 為1至40質量份。 成分(A)係由下述構成單位所組成的共聚物:由下述 式(1)所示之反丁烯二酸二酯單體所衍生的構成單位 (al);由下述式(¾所示之芳香族乙烯單體所衍生的構成 单位(a2),由下述式(3)所示之α, β-不飽和幾酸單體所衍 生的構成單位(a3);及由下述式(4)所示之(甲基)丙烯酸 酯單體所衍生的構成單位(a4),共聚物中構成單位(ai) 與構成單位(a2)之合計量在該成分(a)中為40至85質量 201031703 %,構成單位(a3)與構成單位(a4)之質量比(a4)/(a3)為0.2 至 7.0。 COOR1 • · ·⑴
I COOR2 :H—CH- (式中,R1及R2係各自為碳數3至8之分支烷基、 碳數4至12之環烷基或經取代的分支環烷基)
(式中,R3為氫原子或甲基;R4為碳數6至12之芳 香族烴基) R5
OH • ••⑶ (式中之R5為氫原子、甲基或羧曱基) R6
c=o I 7 OR7 (式中之R6為氫原子或甲基;R7為碳數6至12之芳 香族烴基、碳數1至12之烷基、碳數1至12之分支烷 基、碳數2至12之經烧基或主環(principle ring)構成碳 數為5至12之脂環式烴基) .201031703 % 成分(B)係具有醌二疊氮基的感光劑,其係將具有羥 基的酚性化合物與醌二疊氮化合物予以酯化反應所得。 成分(C)係具有2個以上環氧基的硬化劑。 第二發明之平面顯示器係具有使第一發明之感光 性樹脂組成物硬化的層。 第三發明之半導體裝置係具有使第一發明之感光 性樹脂組成物硬化的層。 【發明效果】 本發明可發揮下列之效果。 ,根據第一發明之感光性樹脂組成物,在形成使用到 罾 光微影法技術的圖型膜的顯影步驟中,可照樣維持高殘 膜率,無顯影殘渣,即使在後烘烤等高溫烘烤後,不致 損及平坦性、光透過率、耐溶劑性等塗膜物性,並可形 成低介電特性優異的高解像度圖型膜。而且可提供一種 FPD及半導體裝置,其藉由使用該感光性樹脂組成物, 而具有優異特性。 【實施方式】 以下’根據本發明實施形態予以詳細說明。 φ 本實施形態之感光性樹脂組成物係由成分(A)、(B) 及(C)所組成,相對於成分(a)i〇〇質量份,成分及(〇 之構成比率各自設定於(B)為5至50質量份及(C)為1至 40質量份。 成分(A):說明於下的特定共聚物。 成分(B):具有醌二疊氮基的感光劑。 成分(C):具有2個以上環氧基的硬化劑。 以下就各成分依順序說明。 <成分(A):共聚物> 成分(A)之共聚物係由下述所組成的共聚物:下述式 (1)所示,由反丁烯二酸二酯單體所衍生的構成單位 201031703 (al) ; r述式(2)所示,由芳香族乙烯單體所衍生的構成 單位(a2);下述式(3)所示,由α. P-不飽和羧酸單體所衍 生的構成單位(a3);及下述式(4)所示,由(甲基)丙婦酸 酯單體所衍生的構成單位(a4) ’構成單位(ai)與構成單位 (a2)之合計量在該成分(A)中為40至85質量%,構成單 位(幻)與構成單位(⑷之質量比(a4)/(a3)為〇 2至7 〇。 COOR1 iH+ · * * (1) COOR2 (式中’ R1及R2係各自為碳數3至8之分支烷基、 碳數4至12之環烷基或經取代的分支環烷基)
.· ·⑵. (式中,R3為氫原子或甲基;R4為碳數6至12之芳 香族烴基) R5
C=0 in (式中之R5為氫原子、甲基或羧曱基) R6 ⑷ ~~ ~όη2—C--
8 201031703 (式中之R6為氫原子或甲基;R7為碳數6至12之芳 香族烴基、碳數1至12之烷基、碳數1至12之分支烷 基、碳數2至12之羥烷基或主環構成碳數為5至12之 脂環式烴基)。 該式(1)至(4)所示之構成單位係各自由下述式(5)至 (8)所示之單體(各構成單位用單體)所衍生的。 COOR1 _I · · · (5)
CH=CH COOR2
(式中,R1及R2各與式⑴中之物相同。式(5)之單體 稱為反丁烯二酸二酯單體) R3 CH^-C · · · (6) (式中,R3及R4與式(2)中之物相同。式(6)之單體稱 為芳香族乙烯單體)。 R5 CH2=C . . (7) c=o
I
OH (式中之R5與式(3)中之物相同。式(7)之單體稱為α, β-不飽和羧酸單體)。 201031703 R8 * I . .⑻ ch2=c c=o OR7 (式中之R6、R7與式(4)中之物相同。式⑻之單體稱 為(甲基)丙烯酸酯單體)。 〔由反丁烯二酸二酯單體所衍生的構成單位(al)〕 由反丁烯二酸二酯單體所衍生的構成單位(al),藉 由在成為主鏈構造的部分並無亞甲基,而在主鏈之碳上 鍵結取代基(式(1)中的COOR1、COOR2),而以反丁浠二 酸一醋所構成的聚合物具有剛性的(rigid)主鍵構造。由 於是剛性的主鏈構造,故可抑制主鏈之分子鏈熱運動 (thermal motion)性,可抑制對特定頻率帶域中熱能量之 損失,並獲得良好的低介電特性。 … 在該式(1)中R1及R2係各自為碳數3至8之分支燒 基、碳數4至12之環烧基或經取代之分支環烧基。Rl 及R較佳為碳數3至6之分支烧基、碳數6至之環 烷基或經取代之分支環烷基。更佳為3至5之分支烷美 或碳數6至8之環烷基。 土 分支烧基之碳數超過8時,造成聚合性降低,會產 生不便利之情形。又,環烧基或經取代之分支環燒基之 碳數产過12時,會有顯影性不充分的問題。在該^ 中R及R可互為相同的取代基,亦可互為相異的取 基。由獲,的容易性而言,較佳是…及尺2互為相同。 〔由芳香族乙烯單體所衍生的構成單位(a2)〕 使構成單位(a2)衍生的芳香族乙烯單體,可提 合時與使構成單位(al)衍生的反丁烯二酸二酯單體之1 聚反應性。反丁烯二酸二酯單體因係電子受體性強的^ 201031703 體,故與如(甲基)丙烯酸酯或丙烯腈般的具極性單體的 ^聚反應性低,但是與給電子性之單體的共聚性則較 咼。使構成單位(a2)衍生的芳香族乙烯單體,由於與反 丁烯t酸二酯單體、α,β_不飽和羧酸單體及(甲基)丙烯 酸酯單體三者之任一者之單體共聚性均良好,故可在聚 合反應時將由共聚性不同的單體所衍生的各構成單位 圓滑地導入於聚合物中,可無共聚組成分布之不勻,而 獲得具有均一性質的共聚物。 5亥式(2)中R3為氫原子或甲基;r4為碳數6至12之 芳香族烴基。較佳地,R3為氫原子;R4為碳數6至1〇 ❿之芳香族烴基。R4之碳數超過12時,感光性樹脂組成 物之顯影性並不充分。 〔(al)+(a2)之合計量〕 自該反丁稀二酸二醋單體所衍生的構成單位(al)與 自芳香族乙烯單體所衍生的構成單位(a2)之合計量,在 成分(A)中為40至85質量%、較佳為45至80質量%, 更佳為50至75質量%。(al)與(a2)之合計量低於40質 量%時,由於缺乏與自α,β-不飽和羧酸單體所衍生的構 成單位(a3)及自(甲基)丙烯酸酯單體所衍生的構成單位 ❿ (a4)之共聚性,且在共聚物中剛性鏈段變少,而無法獲 得具有充分低介電特性的感光性樹脂組成物。另一方 面’當超出85質量%時,由於共聚物之疏水性變高,而 使感光性樹脂組成物之顯影性變的不充分,在圖型上產 生顯影殘渣。 在成分(A)之(al)+(a2)合計量中,(al)及(a2)的恰當 組成比率以莫耳分率為(al) : (a2)=80 : 20至1〇 : 9〇較 佳’更佳為70 : 30至15 : 85。(al)超過80莫耳%,(〇 低於20莫耳%時,在聚合反應中(al)之聚合性會降低, 會有共聚性的問題。一方面,(a2)超過90莫耳%,(al) 低於10莫耳%時,由於在成分(A)中自芳香族乙稀單體 201031703 二共聚物之疏水性變高,恐有 激樹細組成物之顯影性不充分之虞。 ^由(X,β-不飽和羧酸單體所衍生的構成單位(a3)〕 古抽不飽和賊單體所衍生的構成單位⑹,係 步射相對於顯影液之溶解性的成分。該 i(m為氫原子、甲基或㈣基,較㈣氫原子或 2構:單位時,會有無法獲得與 可藉由自該α,β-不飽和羧酸單體所衍生的構成單 „含量來織成分(Α)之#聚物酸價。調節構成單 ,(a3)之比率,以使酸價範圍宜在5〇至2〇〇毫克κ〇η/ ,更宜在70至150毫克ΚΟΗ/克。該酸價過低時,恐 會對顯影液溶解性不充分,一方面,酸價過高時,恐會 使顯影時的殘膜率降低。 〔由(甲基)丙烯酸酯單體所衍生的構成單位(a4)〕 由(甲基)丙烯酸酯單體所衍生的構成單位(a4),係有 助於顯影性之調整的成分,尤其是有助於顯影時殘膜率 ,解像度調整。該式(4)中R6為氫原子或甲基、R7為碳 數6至12之芳香族烴基、碳數丨至12之烷基、碳數i ^ U之分支烷基、碳數2至12之羥烷基或主環構成碳 數為5至12之脂環式烴基。前述主環構成碳數為5至 12之脂環式烴基係加成的構造,例如亦可含有環内雙 鍵、烴基側鍵、螺旋環侧鏈、環内交聯烴基等。R6宜為 甲基、R7宜為碳數1至6之烷基或者分支烷基、碳數‘6 至之芳香族烴基、碳數2至4之羥烷基或環己基、 二環戊基。R7之碳數超過12時,會造成聚合性降低的 不便。使構成單位(a4)衍生的該等(甲基)丙烯酸酯單體, 以調整顯影性為目的,可使用一種或二種以上的組合。 〔質量比(a4)/(a3)〕 由α,β-不飽和羧酸單體所衍生的構成單位(a3)與由 12 201031703 (甲基)丙烯酸酯單體所衍生的構成單位(a4)之質量比 (a4)/(a3)為0.2至7.0,較佳為〇.3至6.0,更宜為〇 6至 4-〇。質量比(a4)/(a3)之值低於〇·2時,因在共聚物中由α Ρ-不飽和羧酸單體所衍生的構成單位變多,而降低顯影’ 時的殘膜率。一方面,質量比(a4)/(a3)之值高於7 〇時= 因由(甲基)丙烯酸酯單體所衍生的構成單位變多,造成 顯影性不充分,招致顯影殘渣產生或解像度降低。 為獲得成分(A)之共聚物所使用之聚合用溶劑方 面,可使用一般周知的溶劑。此種溶劑之具體例示有, 醇單曱醚、乙二醇單乙醚等乙二醇單烷醚類;乙二 罾 醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯等乙二醇單烷醚 乙酸®曰類,一乙*一醇—甲鍵、二乙二醇二乙趟、二乙'-醇甲乙鱗等一乙·一醇二烧謎類;丙二醇單甲鱗、丙二醇 單乙醚等丙二醇單烷醚類;丙二醇單曱醚乙酸酯、丙二 醇單乙醚乙酸酯等丙二醇單烷醚乙酸酯類;乳酸甲酯、 乳酸乙酯等乳酸酯類;甲苯、二甲苯等芳香族烴類;甲 乙酮、2-庚酮、環己酮等酮類;N,N_:曱基乙醯胺、 N-曱基吡咯啶酮等醯胺類;γ_丁内酯等内酯類等。該等 聚合溶劑,可單獨使用,或混合2種以上使用。 φ 為獲得成分(Α)之共聚物所使用之聚合引發劑方 面,一般可使用周知作為自由基聚合引發劑之物。其具 體例:可使用偶氮系聚合引發劑、不具氰基的偶氮系聚 合引發劑或有機過氧化物及過氧化氫等。在使用過氧化 物作為自由基聚合引發劑之情形,亦可將該過氧化物與 還原劑組合’製成氧化還原型聚合引發劑使用。 為了調節得到成分(Α)之共聚物時的重量平均分子 量,可使用分子量調節劑。分子量調節劑方面,可舉例 如正己硫醇、正辛硫醇、正十二硫醇、第三十二硫醇 (tert-dodecylmercaptan)、乙二硫醇酸(thioglycol acid)、 氫硫基丙酸(mercaptopropionic acid)等硫醇類;二甲黃原 13 201031703 酸二硫化物、二異丙基黃原酸二硫化物等黃原酸類;莊 -品油婦(tei*pinolene)、α-曱基苯乙稀二聚物等。 成分(Α)之共聚物的重量平均分子量宜為5,〇〇〇至 60,000、更宜為 5,000 至 30,000、特宜為 8,000 至 25,000。 重量平均分子量未達5,000時’在後烘烤時會產生圖型 流動’恐有圖型膜之解像度不充分之情形’在超過60,000 之情形’則缺乏對顯影液之溶解性,恐無法獲得可滿足 的顯影性。 <成分(Β):具有醌二疊氮基的感光劑> 成么(Β)之具有酿一叠氮基的感光劑,在光微影法之 曝光步驟中,透過光罩予以曝光之際,藉由在曝光部產❹ 生具有醌二疊氮基的感光劑之光異性化反應,而生成羧 基,可在其後的顯影步驟中,使其對顯影液溶解。另一 方面,由於未曝光部對顯影液具有溶解禁止能,故可形 成膜。,亦即,具有酿二疊氮基的感光劑,係藉由透過光 罩曝光,而可在其後的顯影步冑,使相對於顯影液的溶 解性分級(fractionation),故可獲得圖型膜。 成/刀(B)之具有醌二疊氮基的感光劑,可將 ’與駆二叠氮基化合物予以』= ffi合物方面’可使用以萘醌二疊氮基 概或苯酿二叠氣基續酿氯般之艇二叠氣 基的Λ性化合物無二疊氮 =物之調整具有經基的紛性 :的;;ηί中可=二 合物。因此’ Sl化率仙該等混合物之平均υ 201031703 * 表示。又’該等反應生成物可單獨使用一種,亦可併用 2種以上° 具有酿二疊氮基的感光劑之酯化率宜為2〇至95莫 耳%,更宜為35至90莫耳%。酯化率低於2〇莫耳 恐招致感度降低’若超出95莫耳%時,相對於共聚物之 感光劑的相容性惡化,使得圖型臈呈相分離,‘有混濁 (cloudiness)之虞。 在具有羥基的酚性化合物’其可使用於且右酿一蟲 氮基的感光劑方面’宜為下述式(9)或(10)所示之#化^
(式中,R8、R9、R10及R11係各自為氫原子或碳數j 至2之烷基;R12及R13係各自為碳數丨至2之烷基)
\(R15)/n==/ R18 / \ / m •…⑼ * > · (10) (式中,R14、R15、R16、R17、、Ri9 及 R2〇 係各自 為氫原子、碳數1至4之炫基或下述式(11),
* · (11) 15 201031703 式中R21表示氫原子或碳數1至4之烷基;m及η 各自為0至2之整數;已、1)、〇、(1、6、£、吕及11係滿足 a+b$5、c+d^5、e+f^5、g+h$5 的 0 至 5 之整數;i 為0至2之整數) 該式(9)所示之紛性化合物方面,可舉例如下述般的 化合物。
又,該式(10)所示之酚性化合物方面,可舉鄰曱酚、 間甲酚、對甲酚、2,4-二甲苯酚、2,5-二曱苯酚、2,6-二 甲苯酚、雙酚八、6、0丑、戸及0、4,4’,4’’-次甲基參 酚、2,6-雙[(2-羥基-5-甲苯基)曱基]-4-甲酚、 16 201031703 ' 4,4’-[l-[4-[l-(4-羥苯基)-1•甲基乙基]苯基]亞乙基]雙 酚、4,4’-[1-[4-[2-(4-羥苯基)-2-丙基]苯基]亞乙基]雙酚、 4,4’,4’’-次乙基參酚、4-[雙(4-羥苯基)甲基]-2-乙氧酚、 4,4’-[(2-羥苯基)亞甲基]雙|;2,3-二,酚]、4,4’_[(3-經苯基) 亞甲基]雙[2,6-二甲酚]、4,4’-[(4-羥苯基)亞甲基]雙[2,6_ 二甲酚]、2,2’-[(2-羥苯基)亞甲基]雙[3,5-二甲酚]、 2,2’-[(4-羥苯基)亞甲基]雙[3,5_二甲酚]、4,4’-[(3,4-二羥 苯基)亞曱基]雙[2,3,6-三甲酚]、4-[雙(3-環己基-4-羥基 -6-甲基苯基)甲基]-1,2-苯二醇、4,6-雙[(3,5-二曱基-4-羥 苯基)甲基]-1,2,3-苯三醇、4,4’-[(2-羥苯基)亞曱基]雙[3-❿ 甲酚]、4,4’,4’’-(3-甲基-1-次丙-3-基)參酚、 4,4’,4”,4”’-(1,4-伸苯二次甲基)肆酚、2,4,6-參[(3,5-二甲 基-4-羥苯基)甲基]-1,3-苯二醇、2,4,6-參[(3,5-二甲基-2-羥苯基)甲基]-1,3-苯二醇、4,4’-[1-[4-[1-[4-羥基-3,5-雙 [(羥基-3-曱苯基)甲基]苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基] 雙[2,6-雙(羥基_3_曱苯基)甲基]酚等。該等化合物中,宜 為4,4’,4”-次甲基參酚、2,6-雙[(2-羥基-5-甲苯基)甲 基>4-甲酚、4,4’-[1-[4-[1-(4-羥苯基)-1-甲基乙基]苯基] 亞乙基]雙酚、4,4’-[1-[4_[2-(4-羥苯基)-2·丙基]苯基]亞乙 ❹ 基]雙酚、4,4’,4”-次乙基參酚等。 在一般式(10)所示該等酚性化合物中,特宜為下述 式(15)或下述式(16)所示之化合物。
17 .· · (16) 201031703
在感光性樹脂組成物中,相對於成分(A)之共聚物 100質量份,具有成分(B)之醌二疊氮基的感光劑之構成 比率為5至50質量份,較佳為7至45質量份,更佳為 10至40質量份。當該構成比率低於5質量份時,恐有 感度降低或顯影殘渣發生之虞,當超出5〇質量份時, 相對於共聚物的感光劑之相容性惡化,恐有圖塑膜相分義 離之虞。 切 〈成分(C):具有2個以上環氧基的硬化劑> 粵 本發明之感光性樹脂組成物所使用之硬化劑,係具 ^ 2個以上的環氧基。該硬化劑在共聚物侧鏈之羧^與 ^溫烘烤時產生熱硬化反應,而可形成交聯膜。該硬化 具體例方面,有雙㈣環氧樹脂、f紛或雜祕 漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、環 型環氧樹脂、環氧丙酯型環氧樹脂、環氧丙胺型 脂、雜環式環氧樹脂、魏燒型環氧樹脂、»型 t氧樹脂、四苯基(phenyloi)乙烷型環氧樹脂、Dp 硬個以上環氧基的雙酚型環氧樹脂,而可達成良好 硬化性、高光線透過率及耐關性 j =良好 使用1種輕織料觀樹脂可僅 18 201031703 • 在感光性樹脂組成物中,相對於成分(A)之共聚物 100質量份’成分(C)硬化劑之構成比率為i至4〇質量 份、較佳為5至35質量份、更佳為1〇至3〇質量份。 該構成比率低於1質量份時,則圖型膜(硬化膜)之溶劑 耐性並不充分,若超出40質量份時,則相對於共聚物 的硬化劑相容性惡化,進而產生圖型膜之相分離,恐有 混濁之虞。 <其他添加成分> 在感光性樹脂組成物可添加使用溶劑、硬化促進 劑、對比提高劑、相容劑、密接性提高助劑、界面活性 ® 劑等之添加成分。 (溶劑) 溶劑之具體例方面,可舉乙二醇單子醚、乙二醇單 乙鱗等乙二醇單烧醚類、乙二醇單甲謎乙酸酯、乙二醇 單乙醚乙酸酯等乙二醇單烷醚乙酸酯類、二乙二醇二甲 鱗、一乙一醇一乙謎、二乙二醇甲乙鱗等二乙二醇二燒 醚類、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚等丙二醇單 類、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯等丙二 醇單烷醚乙酸酯類、乳酸曱酯、乳酸乙酯等乳酸酯類、 φ 甲本、一甲苯等芳香族烴類、甲乙鲷、2_庚酮、環己_ 等酮類、N,N-二甲乙醯胺、N_曱基吡咯啶酮等酿 γ-丁内酯等内酯類等。該等溶劑可單獨使用或混合2 以上使用。 (硬化促進劑) 硬化促進劑係可促進該成分(C)之硬化劑與成分(Α) 之共聚物侧鏈之羧基的交聯反應。硬化促進劑方面,可 舉例如 SI-60L、SI-80L、SI-100L、SI-110L〔以上均為 二新化學工業公司製〕等芳香族銃(sulfonium)鹽;U-CA^ SA102、U-CAT SA106、U-CAT SA506、U-CAT SA603、 U-CAT 5002〔以上均為san apro公司製〕等二氮雜二枣 19 201031703 上二烯鹽;U_CAT 5003、U-CAT 18X、cpi_210s〔以上 san叩⑺公司製〕。再者,在咪唑系之硬化促進 方面,可舉Curezol 1B2PZ〔四國化成工業公司製>1。 又,亦可使用藉由光照射而產生鹼的光鹼發生劑 等。該光鹼發生劑係藉由調整在脫色(bleaching)步驟 之條件,而可在光照射時產生胺等的鹼,並在其後之 烘烤步驟中,使用做為交聯促進劑。藉由使該等硬化促 進劑含於感光性樹脂組成物,因而使環氧基與羧基之反 應速度變快,故在後烘烤等的高溫烘烤中,可抑制圖型 膜之熱下陷(heat-saggings) ’並可獲得高解像度之囷型 膜。 ' ❹ 相對於成分(C)之硬化劑1〇〇質量份,硬化促進劑之 構成比率宜為0·1至15質量份,更宜為i至1〇質量份。 (對比提高劑) 在感光性樹脂組成物之目的是提高對比,則可混合 該式(9)或(10)所示之具有羥基的酚性化合物。由於具有 經基的酴性化合物係為是低分子,故在感光性樹脂組成 物中,最適合用於調節溶解速度,或提高感光性樹脂組 成物感度或用於其感度之調節。該等溶解速度或感度之 調節係藉由調節酚性化合物之添加量來進行,在提高溶 解速度及感度之情形’則添加量越多越好,又在相反之❹ 情形,則添加量越少越好。藉由使用該等酚性化合物, 而與不使用之情形相較之,則顯示與感光劑產生偶氮偶 合反應被抑制溶解的樹脂成分中,變成含有低分子化合 物’藉此則可使曝光部與未曝光部之溶解速度差異變大 (對比增大),而使解像度提高。 μ 具有羥基的酚性化合物宜為該式(12)、(13)、(14)、 (15)或(16),通常相對於共聚物100質量份,可使用1 至20質量份之量。 (相容劑) 20 .201031703 、 在感光性樹脂組成物中以提高成分(A)、(B)、(C)之 相容性為目的,可進而混合下述式(17)所示之2個以上 羧基之一部分被高級醇所酯化的聚羧酸酯化合物。 (R^OCOJp一·-R22—(CO〇H)q . . . (17) 在此R22係可為被羥基、鹵素、胺基或磺酸基所取 代的烴基;R23為烴基;p及q各為1以上之整數。R22 宜為飽和烴、不飽和烴或芳香族烴’特宜為不飽和烴。 R23之碳數並無特別限定,宜為3至16,更宜為5至12。 23
進而R可為直鏈烷基或分支烷基。又,p宜為1至2、 q宜為1至3’但p為2以上時,各R23可為相同或相異。 相對於成分(A)之共聚物1〇〇質量份,聚羧酸酯化合 物之含量為0.01至10質量份,較佳為〇 5至5質量份。 聚羧酸酯化合物之含量若多於10質量份時,恐有所形 成的被膜耐熱性劣化之虞。 (雄、接性提尚助劑及界面活性劑) 在感光性樹脂組成物,可因應需要進一步混合密接 性提高助劑及界面活性劑等。密接性提高助劑之例,可 舉烷咪唑、丁酸、烷酸、聚羥苯乙烯、聚乙烯甲醚、第 三丁基酚醛清漆、環氧矽烷、環氧聚合物、矽烷偶合劑 等。界面活性劑之例,有非離子系界面活性劑,例如聚 乙二醇類與其衍生物,亦即聚丙二醇
醚二含氟界面活性劑,例如flu〇rad〔商品名:住友3M 公司製〕、megafuck〔商品名:大日本油墨化學工業公司 製〕、sulphurone〔商品名:旭玻璃公司製〕或有^矽 烷界面活性劑、例如KP341〔商品名:信越化學工業公 司製〕。 〃 <感光性樹脂組成物之調製法> 在調製感光性樹脂組成物或其稀釋物之際,以該 分(A)、(B)及(C)為始的各成分亦可總括地混合,在^各 21 201031703 成分溶解於溶劑後亦可依次混合。 λ 順序或作#條件並無制受到_ f σ之際的投_ 時溶解於溶劑,以調製樹脂组成从 可將全成分同 成分摘官ml製樹成物,亦可因應需要使各 適^作2種以上溶液’在使用 /谷液混σ,調製作為感光性樹脂組成物。 <平面顯示器及半導體裝置> 月匕组半導體裝置’係具有使前述感光性樹 ==膜,間絕樹 ❿ 月曰組今物之基板,可為玻璃、矽等以往FPD用或半導體 巧形成用基板等周知之任—種基板。基板可為裸作㈣ 基板,亦可形成氧化膜、氮化膜、金屬膜等,進而可形 成有電路圖型或半導體裝置等的基板。又,預烘烤之^ 度通常為40至140°C,時間為〇至15分左右。接著酿 在光阻膜中經由設定之光罩進行圖型曝光後,使用鹼顯 影液予以顯影處理,可因應必要進行漂洗處理,並形成 感光性樹脂組成物之膜。如此一來所形成之膜在全^ 光後經後烘烤而形成圖型膜。在全面曝光時之曝光量, 通常若為600mJ/cm2以上則佳。又,後烘烤溫度通常 150至250°C,較佳為180至230°C。後烘烤時間通11 30至90分。 馬 使用感光性樹脂組成物所形成之圖型膜,可利用 為半導體裝置或液晶顯示裝置、電漿顯示器等的fpd 坦化膜或層間絕緣膜等。在此,平坦化膜與層間絕緣 並非完全獨立之物’而藉由感光性樹脂組成物所形^之 圖型膜’可使用作為平坦化膜,亦可使用作為層間絕 膜。而且’在半導體裝置等,此種膜可使用作為層間絕 緣膜’亦可使用作為平坦化膜。 '' 22 201031703
V 在該圖型膜之形成中’感光性樹脂組成物或其稀釋 物之塗佈方法方面,可使用旋轉塗佈法、輥塗佈法、突 緣(land)塗佈法、喷灑法、流鎿(fj〇wcasting)塗佈法、浸 潰塗佈法、狹縫塗佈法等任意方法。又,曝光所使用之 放射線方面,有例如g線、h線、i線等紫外線、KrF準 分子雷射光或ArF準分子雷射光等的遠紫外線、x線、 電子束等。 顯影法方面,有浸置式(puddle)顯影法、浸潰顯影 法、搖動浸潰顯影法、沖洗式顯影法等,可根據以往使 光阻顯影之際所使用的方法。又,顯影劑方面,可使用 攀 將氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉等無機鹼、氨、 乙胺、丙胺、二乙胺、二乙胺乙醇、三乙胺等有機胺、 氫氧化四曱銨等的四級胺等調整所設定之濃度的水溶 液。 【實施例】 以下,試例舉實施例及比較例,進一步具體說明該 實施形態。此外「份」及「%」在無特別說明下則完全 是指質量基準。各實施例及各比較例所用的測定方法及 評價方法表示如下。 ❹ < 酸價〉 酸價(毫克KOH/克)係準照JIS K0070 : 1992「化學 製品之酸價、皂化價、酯價、碘價、羥價及不皂化物之 試驗方法」,在四氫吱喊(THF)溶液使一定量之樹脂溶 解’將酚酞作為指示藥,以氫氧化鉀/乙醇溶液滴定,進 行測定。 <重量平均分子量> 重量平均分子量(Mw)係使用Tosoh公司製凝膠滲透 層析術裝置HLC-8220GPC,與昭和電工公司製柱 SHODEX K801,使THF作為溶離液,藉由使用到校正 曲線的換算來求得,該校正曲線係由以RI檢測器測定 23 201031703 · 分子量已知的聚苯乙烯標準體所得。 ^ ' 〔合成例1 :共聚物Α-1之合成〕 在具備溫度計、攪拌機及冷卻管的1〇〇〇毫升四口 燒瓶’裝入乳酸乙酯(EL)540.〇克,供給氮氣後,以油浴 使液溫升溫至90。(:。 另一方面,將反丁烯二酸雙(4_第三丁基環己 基)(DcHtBF)71.1克、甲基丙烯酸(MAA)38.4克、苯乙烯 (St)18.9克、甲基丙烯酸2-羥乙基(HEMA)71.6克、2,2,-偶氮雙異丁腈〔偶氮系聚合引發劑、和光純藥工業公司 製〕10.0克及EL6〇.0克預先經均一混合的液體(滴下成 分)以滴下漏斗經2小時等速滴下後,以同溫度維持8❹ 小時,獲得共聚物A-1。 〔合成例2至9〕 除了變更表1所記載的裝入種類及量、滴下及聚合 溫度以外,其他則以同於合成例丨之方法,進行共 A-2至A-9之合成。
24 201031703 ❹ 【5 Οϊ 1 C PGMEA 334.3 1 1 MAA 27.6 < ^ \ - A I BN 10.0 PGMEA 37.1 1 1 00 1 C PGMEA 420.0 1 St 120.0 MAA 38.4 HEMA 41.6 Hex-0 20.0 PGMEA 46.7 1 1 t> 1 < PGMEA 420.0 D s AF 85.3 St 34.7 MAA 30.7 MMA /HPMA 10.0/39.3 H e x — 0 20.0 PGMEA 46.7 s vq CD 1 < PGMEA 220.0 D t B F 49.6 St 90.4 MAA 46.0 CHMA 14.0 B u — 0 20.0 PGMEA 24.4 ο m 〇 LO 1 < PGMEA 270.0 D s B F 58.1 St 61.9 MAA 27.6 HEMA 52.4 He x —0 20.0 PGMEA 30.0 s 〇\ 1 < PGMEA 334.3 D i PF 87.8 aM e S t 22.2 AA 12.8 HEMA 77.2 B u — 0 16.0 PGMEA 37.1 〇 CO 1 < PGMEA 540.0 D i P F 89.9 St 70.1 MAA 21.5 HPMA 18.5 H e x — 0 16.0 PGMEA 60.0 § ON o (M 1 c EL 540.0 D c HF 80.2 St 19.8 MAA 21.5 HPMA 78.5 Hex-0 16.0 EL 60.0 卜 t—i 1 < EL 540.0 D c H t B F 71.1 St 18.9 MAA 38.4 HEMA 71.6 A I BN 10.0 EL 60.0 〇\ 合成例 聚合用溶劑 質量(克) (a 1 )用單體 質量(克) (a 2)用單體 質量(克) (a 3 )用單體 質量(克) (a 4)用單體 質量(克) 聚合引發劑 質量(克) 滴下用溶劑 質量(克) (a 1) + (a2) (質量%) 質量比 裝入 種類 及量 201031703 〇 〇 1 cn § o 〇Λ irT in o o vcT jn o o 〇Λ 00 cs »〇 § o o 豸 Ο in o 〇Λ ocT cn s o o <n" § ο o 〇\ (N in 00 ο o ίΝΛ od <s <s CO 03 \ 寸 ca 質量平均分子量 (Mw) 固體成分濃度(質量%) 滴下及聚合溫度(°c) ·ς> HH *® 〇 # 2 ^ S V—/ 201031703 表1中縮寫之意義如下。
DcHtBF :反丁烯二酸雙(4-第三丁基環己基)酯
DcHF :反丁烯二酸二環己酯
DiPF :反丁烯二酸二異丙酯
DsBF :反丁烯二酸二-異丁酯
DtBF:反丁烯二酸二-第三丁酯
DsAF :反丁烯二酸二-異戊酯
St :苯乙烯 aMeSt : a- f基苯乙婦 MAA :曱基丙烯酸 ❿ AA :丙烯酸 HEMA:甲基丙烯酸2-羥乙酯 HPMA:曱基丙烯酸羥丙酯 MMA :甲基丙烯酸甲酯 CHMA :甲基丙烯酸環己酯 .
Hex-Ο :第三己基過氧-2-乙基己酸酯,日本日油公 司製過氧化物系聚合引發劑「perhexyl Ο」
Bu-O:第三丁基過氧-2_乙基己酸酯,日本日油公司 製過氧化物系聚合引發劑「perbutylO」 φ AIBN: 2,2’-偶氮雙異丁腈〔偶氮系聚合引發劑,和 光純藥工業公司製〕 PGMEA:丙二醇單甲醚乙酸酯 EL :乳酸乙酯 〈實施例1> 將合成例1所得共聚物A-1 100克、前述式(15)所 示化合物與1,2-萘醌二疊氮基-5-磺醯氯之酯化物6.25 克,進而為式(15)所示之酴性化合物1.25克、Tecmoa VG 3101L〔 Printech 公司製〕5 克、U-CAT SA102〔 San apro 公司製〕0.1克溶解於丙二醇單甲醚乙酸酯75.2克及乳 27 201031703 酸乙酯0·2克,在旋轉塗佈時,為了防止在光阻臈上產 生的放射線狀縐褶,即所謂的條紋(striati〇n),故進一步 添加氟系界面活性劑、Megafuck R-08〔大日本油墨化學 工業公司製〕〇.〇1克,並攪拌後,以02μιη之濾光 以過濾’來調製感光性樹脂組成物之稀釋物。 (薄膜圖型之形成) 將該感光性樹脂組成物之稀釋物旋轉塗佈於4 矽晶,上,在100°c、90秒的熱板烘烤後,獲得42、 ❹ 厚之薄膜。在該薄膜以佳能公司製g+h+i線光罩 (aligner)(PLA-501F),將線與間隔寬成為i : i的各 寬及接觸孔之測試圖型以最適曝光量曝光,並以質 量%氬氧化四甲銨水溶液進行23〇c、6〇秒顯影,成 與間隔寬為1 : 1之線朗隔圖型及接觸孔圖型。將:亥 ^ ^後’藉由在烤爐中經 220C、60刀鐘加熱,進行後烘烤處理, 厚圖型的薄膜(圖型膜)。 ^ 7 υμ (顯影性之評價) 剂ίϊίΪ製作的圖型中’以_觀察10师之孔圖 ϋϋ整ί觀察到殘渣的情況評價顯影性為x ;僅
Q i 1 m觀察❿m況評價顯影性 ίϋί/Λ,察到殘渣之情況,則評價顯影性 為〇。其、、、口果如表2所不。 (介電率之評價) 除了以PLA-5G1F不使測試圖型曝光财卜,盆他則
2之操作’而在4英_晶圓上獲“圖」 的3.Ομιη厚_。在該薄臈上形成電極,在室溫;ι〇Μζ 之條件’使用自安藤電氣公司製LCR 所得之靜電容量來計算介電率。料43U) (透過率之評價)料心。 除了使用縱7〇mm、橫7〇咖尺寸之石英玻璃基板, 28 .201031703 > 並且不使測試圖型曝光以外,其他則進行同於上述之操 作’而在玻璃基板上獲得無圖型的薄膜。接著,使用^ 外·可視光分光光度計CARY4E(Balian公司製),測定具 有該薄膜的玻璃基板之光波長400nm之透過率。其結果 如表2所示。 (耐溶劑性之評價) 將藉由進行同於透過率評價之操作而獲得的玻璃 基板,在Remover 100〔 AZ電子材料公司製〕中,於 8〇°C、經1分鐘浸潰後,進行純水漂洗,並進行2〇(rc、 15分鐘之再烘烤處理。接著,在溶劑浸潰前之透過率與 再烘烤處理後之透過率差未達3°/❶之情形,評價為〇,透 過率差在3%以上之情形,則評價為X。其結果如表2所 示0 <實施例2> 除了使用以合成例2所得共聚物A-2以外,其他則 藉由同於實施例1之操作,來調製感光性樹脂組成物之 稀釋物。對於該感光性樹脂組成物,評價與實施例1相 同之物性,該等結果如表2所示。 • <實施例3至18> 藉由以表2及表3所示之混合,進行同於實施例1 之操作,來調製實施例3至18之感光性樹脂組成物之 稀释物。對於該等感光性樹脂組成物,評價與實施例1 相同之物性,該等結果如表2及表3所示。 <比較例1及2> 藉由以表3所示之混合,進行同於實施例1之操 作’來調製比較例;I、2之感光性樹脂組成物之稀釋物。 對於該等感光性樹脂組成物,評價同於實施例1之物 性’該等結果如表3所示。 29 201031703 【5 實施例9 A-1 1〇〇質量份 式(15)之平 穩 酯化率 =67% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL 1 _ o 00 (Ν’ 實施例8 A-1 100質量份 式(15)之平 穩 酯化率 =20% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL 〇 ON <si 實施例7 A-7 100質量份 式(丨5)之平 穩 酯化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL 〇 卜 (Μ On 實施例6 A — 6 100質量份 式(15)之平 穩 酯化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL o Ό CS· 實施例5 A — 5 100質量份 式(15)之平 穩 酯化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL o 卜 (N (N ON 實施例4 A —4 100質量份 式(I5)之平 穩 酯化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL 〇 卜 CS cs 實施例3 A-3 100質量份 式(15)之平 穩 酯化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL o v〇 c<i 實施例2 A-2 100質量份 式(15)之平 穩 醋化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL o 卜 cs CN Os 實施例1 A-1 100質量份 式(I5)之平 穩(ballast) 酯化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL o 00 〇\ 實施例 成分(A )之 共聚物 成分(B )之 感光劑 成分(C )之 硬化劑 式(15)之化合 物 U-CAT SA102 R-08 溶劑 顯影性 介電率 透過率 域泰1 Μ 201031703 ο ο ο ο ο ο ο ο 【5 比較伤ο t , \ A-g 100質量份 式(15)之平 穩 酯化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 〇.〇4質量份 PGMEA/EL o cn CO <n ^ 〇\ 比較例1 A —8 100質量份 式(15)之平 穩 酯化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL X 00 c4 實施例1 8 A-1 100質量份 式(15)之平 穩 酯化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 〇 0.04質量份 PGMEA/EL 〇 00 cs_ CO 〇\ 實施例1 7 A-1 100質量份 式(15)之平 穩 酯化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 〇 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL 〇 00 CN <s Os 實施例1 6 A-1 100質量份 式(12)之平 穩 酯化率 =75% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL o Os oi 實施例1 5 A-1 100質量份 式(12)之平 穩 酯化率 =50% 25質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL 〇 ON <N* 實施例1 4 A-1 100質量份 W ^ ^ tte| '―1 am \\ ^ VG3101L 30質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL 〇 ON <si 實施例1 3 A-1 100質量份 ^ ^ Μ in ^ 'τ- ^ ^ § 溜11 ^ VG3101L 5質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL 〇 00 cs 實施例1 2 A-1 100質量份 式(15)之平 穩 酯化率 =50% 35質量份 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL o 卜 (N 實施例1 1 A-1 100質量份 G辦-r-沄械 § - " 2 VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL 〇 00 CN On 實施例1 0 A-1 100質量份 “SIS VG3101L 20質量份 5質量份 0.8質量份 0.04質量份 PGMEA/EL 〇 00 cs SS 實施例 ^ ^ /f> ^ ^ $ PQ蟛蘅 ^ ^ 式(15) 之化合 物 U-CAT SA102 R-08 溶劑 顯影性 介電率 透過率 鉍彳離黩
201031703 ο ο ο ο ο ο ο ο ο 201031703 由表2及表3所示結果可確認,在實施例1至18 中,於形成圖型膜的顯影步驟中,並無顯影殘渣,即使 在高溫烘烤後,亦不致損及光透過率、耐溶劑性等塗膜 物性,顯影性及低介電特性優異。此外,在實施例1至 18中,可充分維持圖型膜之殘膜率,又圖型膜之平坦性 亦良好。 一方面,由表3所示結果可知,因在比較例1中成 分(A)之共聚物不含構成單位(al),故顯影性惡化。而在 比較例2中,由於在共聚物中不含有構成單位(al)及 (a2),故介電率惡化。

Claims (1)

  1. 201031703 ’ , ' 七、申請專利範圍: 1. 一種感光性樹脂組成物,其係由成分(A)、(B)及(c) 所組成,其特徵為, 成分(A)係由下述構成單位所組成的共聚物··由 下述式⑴所示之反丁烯二酸(fumaric acid)二醋單體 所衍生的構成單位(al);由下述式(2)所示之芳^族乙 ^(vinyl)單體所衍生的構成單位(32);由下述式(3')所 示之α,β-不飽和緩酸單體所衍生的構成單位(a3);及 由下述式(4)所示之(甲基)丙烯酸酯單體所衍生的構 • 成單位(a4),該共聚物中,構成單位(al)與構成單位(a2) 之合計量在該成分(A)中為4〇至85質量%,構成 (a3)與構成單位(a4)之質量比(a4)/(a3)為〇 2至7 〇, COOR1 CH—Ιη-- ⑴ COOR2 破it中,R及R2係各自為碳數3至8之分支烷基、 妷數4至12之環烷基或經取代的分支之環烷基
    * * * (2) 芳香美R3為氫原子或甲基;r4為碳數6至12之
    C -......0 OH 35 201031703 式中之R5為氫原子、甲基或羧甲基 R6
    C=0 I 7 OR7
    式中之R6為氫原子或曱基;R7為碳數6至12之 芳香族烴基、碳數1至12之烷基、碳數1至12之分 支院基、碳數2至12之經烧基或主環(prjncipie ring) 構成碳數為5至12之脂環式烴基 成分(B)係將具有羥基的酚性化合物與醌二疊氮 化合物予以酯化反應所得’具有醌二疊氮基 (quinonediazide group)的感光劑, 成分(C)係具有2個以上環氧基的硬化劑, 2. 3. 相對於成分(A)100質量份,成分(B)及(c)之構; $率’ :(B)為5至50質量份及(C)4 j至4〇質量构 面顯不器,其係具有將如申請專利範圍第j〕 之感,性樹脂組成物予以硬化之層。
    36 201031703 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:無。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
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