TW201026817A - Organic electroluminescence device - Google Patents

Description

201026817 32/JOpif.doc 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種有機電場發光元件（〇rganic

Electroluminescence Device，以下有時稱為有機el元件）， 其可有效用於全彩顯示器（full color display )、背光（back light)、照明光源等的面光源或印表機（printer )等的光源 陣列（array)等。 【先前技術】 有機EL元件是由發光層或包含發光層的多層有機化 合物層、與夾持著有機化合物層的對向電極所構成。有機 EL元件是用以獲得利用下述發光中的至少一者的發光的 元件：來自於自陰極注入的電子與自陽極注入的電洞在有 機化合物層進行再結合而生成的激子的發光；以及來自於 自上述激子進行能量轉移（energy transfer)而生成的其他 分子的激子的發光。 迄今^止，有機EL元件使用將功能分離的積層結 構，藉此亮度及元件效率得到較大改善而得以發展。例如 經常使用：積層著電洞傳輸層與發光兼電子傳^層的兩芦 積層型元件；積層著電洞傳輸層、發光層以及電子傳輸^ 的三層積層型元件；以及積層著電洞傳輸層、發光層、ς 洞阻擔層以及電子傳輸層的四層積層型元件。 ，而’在有機EL元件的實用化巾尚存提高發光效 及提南驅_久性等較多的課題。尤其提高發光效率可 低電力消耗’並且在鶴敎財面亦有利，@此迄今= 201026817 / ^^pif.doc 止揭示有較多的改良方法。然而，使自陰極注入的電子與 自陽極注入的電洞在發光層内有效地再結合並不容易，而 存在電洞或電子不進行再結合而洩漏至陰極侧或陽極侧的 無效率情況。該無利於再結合的電洞或電子的茂漏不僅導 致效率下降，而且存在洩漏的電洞或電子對電子傳輸層或 電洞傳輸層產生影響而使驅動耐久性惡化的問題。例如揭 示有在發光層的面朝陰極的界面設置掺雜著雙(2_甲基_8_ 經基喹啉）冰苯基苯酚鋁（Aluminum(III) ® bis(2-methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate，BAlq)或三 (8-¾基喹琳)銘（Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum，Alq) 等電子供應性金屬錯合物的電洞阻擋層的構成，且認為可 以低驅動電壓獲得高亮度的發光（例如參照專利文獻〇。 另外，當將鈒錯合物（iridium complex)用於發光材料時， 揭不有具有電子傳輸層、與在該電子傳輸層與陰極之間的 含有電子傳輸層的電子傳輸材料與電子供應性材料的混合 層的構成’且認為發光效率會提高（例如參照專利文獻2)。 ⑩ [專利文獻〗]曰本專利特開2007-96066號公報 [專利文獻2]曰本專利特開2006-352102號公報 【發明内容】 本發明的課題在⑨提供—種高發光效率、低驅動電 壓、且驅動耐久性優異的有機元件。 本發明是蓉於上述課題而完成，且藉由下述手段來達 成。 <1>-種有機電場發光元件，在—對電極間夹持著 201026817 jz/^opn.doc 有機化合物層，該有機化人物届 發光層的陰極側界面接觸；置的層、與上= ίΐ第層的陰極侧界面接觸設置的專 輸層’上錢光層至少含有町述通式⑴所表示的發光 材料與電洞傳輸性主體材料（h〇st material)，上述第2電 子傳輸層至少含有以下述通式（ET)所表示的電子傳輸性 材料與選自由鹼金屬、鹼金屬鹽、鹼土金屬以及鹼土^屬 鹽所組成的組群中的至少一種： 通式（1) AC7

A^cs

^N, aAC4

A'。, a切〆 (通式（1)中，AC1〜AC14分別獨立地表示C-R或 R表示氫原子或取代基；LC1表示單鍵或二價的連結基）； 通式（ET)

(通式（ET)中，R1表示氫原子、或者選自由碳數j 201026817% 〜κ)的絲及絲錢未經取代的碳數6 成的組群中的取代基，η表示〇〜8的整數;當 於2的整數時，多個Ri相互可相同亦可不同； <2>如<1〉所述之有機電場發光元件，其中上 通式⑴所表示的化合物為以下述通式⑺所表示=化 合物· 通式（2)

(通式（2)中，AC15、AC16分別獨立地表示C-R或N; R表示氫原子或取代基；RCI〜RC16表示氫原子或取代基）。 <3>如<1>或<2>所述之有機電場發光元件，其 中上述選自由鹼金屬、鹼金屬鹽、鹼土金屬以及鹼土金屬 鹽所組成的組群中的至少一種是選自Li、Cs、Ca、LiF、 NaF、KF、RbF、CsF、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、LiCn、 NaCl、KC卜 RbCl、Csa、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、 LiHC03、NaHC03、KHC03、RbHC03、CsHC03、Li2C03、 7 201026817 jopn.doc

Na2C03、K2C03、Rb2C〇3、Cs2c〇3、MgC〇3、CaC〇3 SrC〇3 以及BaC03中。 —<4>如<1>至<3>中任—項所述之有機電場發光 兀件其中上述第2電子傳輸層巾，相對於以上述通式(Ετ) 所表示的電子傳輸㈣料，驗金屬、驗金職、驗土金屬 以及驗土金«_㈣比率為大鱗於Q1魂（重量 百分比）且小於等於2.0wt%。 -放<5^如<1：>至<4>巾任—項所述之有機電場發光

兀牛’，、中上述電洞傳輪性主體材料為十坐衍生物 (carbazole derivative ) ° [發明之效果] 種具有高發光效率與低驅動電壓 EL元件。 根據本發明，提供一 且驅動耐久性優異的有機 本Γ明之上述特徵和優職更明㈣懂，下文朱 舉實施例’並配合所附圖式作詳細說明如 【實施方式】 ❹ =下’對本發明的有機電場發光元件加以詳細說明£ =發明的有機EL元件為如下有機電場發光元件：^ 夾持著有機化合物層，該有機化合物層至少自 、與上述發光層的陰極侧界面接缺置的第1 1 與上述第1電子傳輸層的陰極側界面接箱 輸層’上述發光層至少含有以下述通^ 示的發純料與電洞傳輸性主體材料，上述第 電子傳輸層結含有以下述通式（Ετ)所表示的電子削 8 201026817 性材料與選自由鹼金屬、鹼金屬鹽、鹼土金屬以及鹼土金 屬鹽所組成的組群中的至少一種。

通式（〇

通式⑴中，AC1〜ACM分別竭立地表示C^N R表示氫原子或取代基。表示單_二㈣連結基。 通式（ET)

Mm 通式（ET)巾，表示氫料 的燒基及經取代絲經取代的動^選自由奴數1〜 的組群中的取代基，n表示G〜 ^〜30料基所組成 2的整數時，多個Rl相互可相同亦當n為大於等於 白發光元件的性質考慮，較好的=極 少一個電極為透明或半透明。 城及㊁極中的至 本發明中财魏合物層㈣樣較好的是自陽極側 201026817 jz/jopn.doc 起依序積層著電洞傳輸層、發光層、帛丨電 2電子傳輸層的態樣。而且，亦可在t 1 第 之間、或者在發光層與電子傳輸發光層 等。亦可在陽極與電洞傳輸層之叫有物有電:阻擒層 可在陰極與電子傳輸層之間具有電子注入層^ = s，且亦 將各層分為多層次級層。 外，亦可 〇 1.以通式（1)所表示的化合物的說明 通式（1)

CaVlVaV

A-1 ^N, ,N>. ^aC4

气cif12 ❹ C-R中〜A4分別獨立地表示以或1^。 子上的取代基。成原子，R ^氫原子或該碳原 一 A分別獨立地表示C-R或n°R表 = = 以〜表示的取代基可舉出：燒基（較 磁數'〜3〇，更好的是碳數為1〜20,尤其好的是 碳數為1〜10，你丨‘飞咖 ^ …、町刃疋 基、正辛基、正癸:2甲基' 乙1' _基、第三丁 、土正十六烷基、5衣丙基、環戊基、環 201026817 jz/jopif.doc 己基等）、烯基（較好的是碳數為2〜3q β 二r是魏=== 例如可舉出炔丙基、3_戊 疋厌數為2〜1〇， 6〜3。，^是碳數為6二尤其方好的4好數的是碳數為 例如可舉出苯基、對甲笑 町疋石厌數為ό〜12, 參 =碳數為。〜30,更好的是碳“二等)尤(較好 數為〇〜10 ’例如可舉出胺基、甲胺基、j的是碳 胺基、二节基胺基、二笨基胺基、二甲笨^ 基、二乙 基（較好的是碳數為^，更等）、燒氧 好的是碳數為1〜10,例如可舉出甲氧\、為乙t0,尤其 基、2-乙基己氧基等）、芳氧基（較m乙乳基、丁氧 為6〜20，尤其好的是碳數為 ===，基等)、雜環氧基(= ;二:可更舉:=為 (pyrazyloxy )、嘧咬氧土 . Py時1〇巧）、吡噪氧基 (quinolyloxy)等）、酿基%較)、喹啉氧基 的是碳數為1〜20，尤1 數為1〜30，更好 乙酿基、苯甲酿基、甲^A=為1〜12 ’例如可舉出 好的是碳數為2〜3〇,更等）、燒氧基縣（較 破數為，例如可r出;==尤*好的* 芳氧基幾基（較好的是碳數為二‘更 201026817 JOpil.doc 〜20 ’尤其好的是絲為7〜】 等）、酿氧基（較料是魏為\可舉㈣氧基幾基 二20 ’ j：其好的是韻為2〜;’更好的是碳數為2 苯甲酿氧基等）、醯基胺基 二可舉出乙酿氧基、 的是碳數為2〜2〇，尤苴拉# =好的是碳數為2〜30，更好 乙醯基胺基、苯胺=碳數為2〜10，例如可舉 --73〇, (-: 為12，例如可舉出f氧其雜Α Λ 尤其好的是碳數 基（較好的是破數為7〜3〇广二胺基等）、芳氧基幾基胺 2是碳數為7〜12，例如4=數為7〜2。，尤其 酿基胺基（較好的是碳J舉出本氧基縣胺基等）、磺 如，尤其好的是碳數為！〜12，了3〇，更好的是碳數為1〜 未,酿基胺基等彡$如可舉出，續醯基 好的是硬數為:」：=(較好的是碳數為二:基更 :::越基、甲基物基好的二是碳數為。〜12’例如可舉 0 :為〗，，尤其好的二f為1〜3〇,更好的是碳 =甲基胺甲酿基、二乙c列如可舉出胺㈣ 尤其好的是碳數為4广3G，更好的是碳數為〗二， 等）、芳硫基（較好的是例如可舉出曱硫基、乙炉其 :尤其好的是錢〜3。’更好的是魏 雜讀基（較好的是錢 2，例如可舉出笨硫基等）、 20 ’尤其好的是碳數為】〜30 ’更好的是竣數為卜 〜12 ’例如可舉出呢嘴硫基 12 201026817

/ ^upif.d〇C (pyridykhio)、2_苯幷咪唑硫基（2_benzimidaz〇iyithi^、 2_苯幷4㈣基（2_benzGxazGlylthiQ)、2_苯幷嗟嗤硫基 (2-benzthiazolylthio)等）、磺醯基（較好的是碳數為工〜卯， 更好的是碳數為1〜20,尤其好的是碳數為卜12，例如可 舉出甲_基、曱苯顧基等）、亞雜基（較好的是碳數 為1〜30，更好的是碳數為卜加，尤其好的是碳數為卜 12 ’例如可舉出甲亞續醯基、苯亞俩基等）、服基（較好

^魏為1〜3G，更好狀碳數為1〜1尤其好的是碳 ^ 如可舉出脲基、甲基絲以及苯基腺基 巧磷=基（較好的是碳數為㈣，更好的是碳數為 脸〜其ϋ好的是碳數41〜12，例如可舉出二乙基雜 基等)，基、縣、齒素原子(例如氟 r、:=?原子、蛾原子)、氰基、續基，基、硝 胺酸基（hydrGxamie add _p)、亞績 3 較好的是碳數為1〜3G，更好的是碳數 其子例如可舉出氮原子、氧原子、硫原子， 該雜％基具體可舉出咪唑基（imidazoIyl) 美 p_y〇、啥琳基（quinolyl)"夫喃基（_)、嗟吩基 cthleny,) . (piperidyl> (m〇rph〇lin ^ 基=幷味哇基、苯幷嗟哇基"卡唾基以及氮雜 更好irr )等）、残基（較好岐碳數為3〜40， 尤其好的是碳數為3〜&例如可 舉出一甲基石夕炫基、三苯基石夕燒基等）、石夕 是碳數為3〜40’更好的是碳數為3〜3〇，尤其^的是碳數 13 201026817 jz/jopn.doc 為3〜24’例如可舉出三甲基錄氧基、 等）等。該些取代基亦可經進一步取代。土凡土 R較好的是氫原子、絲、芳基 基，更好的是氫原子、隐。 祕者胺

Aei〜AC6較好的是C_R。 奸A 較=的是C_R ’且R彼此亦可相互連結而形 =為C_R時，AC2、AC^r較好的是氫 原子、絲、方基、胺基、絲基、

基，更好的錢原子、胺某、m /㈣者亂 的是氫原子、絲、芳基、胺基、綠基 或者氰基，更好的是齑盾旱吐直„ 氣邊 氣基，尤其好的=胺基、烧氧基、芳胸 尤其好的_子、氟、=3者敗基， H，A 、Α 、’^入以的尺較好

Ac/〜Α。14 中，AC7, A⑽與〜acm中的n (表六 C11 ，、—— “ T tr、J 1N 氮原子）的數量分別較好岐〇〜2，更好岐〇〜卜作# N的話，其較好的是選自ac8〜Αα〇與aC12〜aC14 , C8 i C9 * C12 中，Jf 好的是選自ΑΆΑα2'Α⑶中，尤其好的是選自aC8 AC12 中

當 A ^AC"表+ p A C8 aC12 广 衣不C_R時，a 、A 2的r較好的是 氫原子、絲、氣燒基、芳基、胺基、烧氧基、芳氧基、 氟基或者氰基’更好的是氫原子、氟絲、絲、芳基、 氟基或者氰基，尤其好的是氳原子、多氟烷美 (polyfluoroalkyl)、氰基。aC7、Ac9、AC11 或者 aC1 ^ 示的R較好的是氫原子、絲、減基、芳基、胺基、燒 14 201026817 / jupif.doc 氧基、芳氧基、氟基或者氰基，更好的是氫原子、氟烷基、 氟基或者氰基’尤其好的是氫原子、氟基。 A 、A 所表示的R較好的是氫原子、氟基，更好 的是氫原子。當AC7〜AC9、AC11〜AC13巾的任一者表示C_R 時，R彼此亦可相互連結而形成環。LC〗表示單鍵或二價的 連結基。以LC1所表示的二價連結基可舉出：伸烷基（亞

❹ 甲基、伸乙基、伸丙基等）、亞芳基（伸苯基、萘二基 (naphthalenediyl))、雜亞芳基（吡啶二基（pyridinediyl)、 0塞吩二基（thiophenediyl)等）、亞胺基（_nr_)(苯基亞 胺基等）、氧基（-〇)、硫基（_§_)、亞膦基（phosphinidene， -PR-)(苯基亞膦基等）、亞矽烷基（_SiRR，_)(二曱基亞矽 烧基、二苯基亞矽烷基等）、或者將該些基團組合而成的連 ，基。該些連結基亦可進一步具有取代基。[cl較好的是 單鍵、伸烷基、亞芳基、雜亞芳基、亞胺基、氧基、硫基 或者亞矽烷基，更好的是單鍵、伸烷基、亞芳基、亞胺基， ，而較好的是伸燒基’進而較好的是亞甲基，進而較好的 疋雙取代的亞曱基’進而較好的是二曱基亞甲基、二乙基 亞甲基、二異丁基亞曱基、二苄基亞甲基、乙基甲基亞甲 基、甲基丙基亞甲基、異丁基甲基亞曱基、二苯基亞甲基、 =苯基亞甲基、環己二基、環戊二基、g二基、或者氣 曱土亞曱基’尤其好的是二曱基亞甲基、二苯基亞甲基、 或者環己二基。 以通式（1)所表示的化合物中，較好的是以下 式（2)所表示的化合物。 15 201026817 ^z/^opii.doc 通式（2)

通式⑵中’ ^、AC16分別獨立地表示C-R或N。 的碳原子表=環構成原子’ r表示氫原子或該碳原 子上的取代基。R 〜RG16麵錢子或取代基。 C R 進行f明。AC15、AC16分別獨立地表示 、Ac16 表示 Μ 時，aC15、A、r較 氧基、氟基、氰基，更基、胺基、院氧基、芳 A、顧其、备f ，更好的疋氣原子、氟烷基、烷基、芳 二Rc< _ 其好的是氫原子、纽基、氰基。RC1 燒基、。RGI〜RC6較好的是氫原子、 的是氫原子、胺基、基、，基、氰基’更好 氫原子、氟A，ΒΊ氧基、氟基’尤其好的是 較好的是氫a子尤=的=子:^ 芳氧基、氟基、氰基，更好方基、胺基、燒氧基、 氰基，尤其好的是氫科、氟巧基、氟基、 '、氟基，更好狀 201026817 •3Z/jopif.doc 子、曱基、乙基、丙基、丁基、氟甲基、氟基、異丁基、 苄基、苯基、Re15與Rei6連結而形成環己烷環的基團、Rei5 與Re16連結而形成環戊烷環的基團、Re15與Re16連結而形 成芴環的基團，更好的是甲基、乙基、異丁基、苄基、苯 基、Re15與Re16連結而形成環己烷環的基團、1^15與Re16 連結而形成環戊烷環的基團、Re15與Re16連結而形成芴環 的基團，進而較好的是甲基、乙基、異丁基、苯基、Re15 與Rei6連結而形成環己烷環的基團，尤其好的是曱基、苯 ⑩ 基。 以下，舉出以通式（1)、通式（2)所表示的化合物 的具體例，但本發明並不限定於該些化合物。

17 201026817 jz/jopii.doc

❹

18 201026817

I jujjif.doC

19

201026817 32/3〇piLd〇C

20 201026817 JZ/JOpif.doc

21 201026817 iZ/3bpif.doc

22 201026817 jz/jopif.doc

23 201026817 ^z/^opn.doc

24 201026817 ^z/^opif.doc

25 201026817 J273Dpif.doc

本發明中’简式⑴或通式⑵所表示的化合物 可使用一種’亦可混合使用多種。 本發明中，在混合使用多種以通式⑴所表示的化 合物的情況下，其混合比率較好的是以重量比計為01 · 99.9〜99.9: (U的範圍’更好的是丨：99〜99: i的範圍·。 2.發光層 26 201026817 發光層為具有如下功能的層，即，當施加電場時，自 陽極、電洞注入層或者電洞傳輸層接收電洞，且自陰極、 電子注入層或者電子傳輸層接收電子，提供電洞與電子的 再結合的場所而使其發光。

參 本發明中的發光層含有以上述通式（1)或通式（2) 所表不的化合物作為發光材料，且含有電洞傳輸主體材料 作為主體材料。除該些材料以外，本發明中的發光層亦可 更含有其酬光發紐料、榮紐光㈣作騎光材料， 或者亦可更含有電子傳輸主體材料作為主體材料。 本發明中的發光層的厚度並無特別限定，通常為i nm 〜500 nm，較好的是2 nm〜2〇〇 nm，更好的是3 nm〜ι〇〇 nm 〇 2·1·發光材料 發光材料是㈣以通式⑴錢式（2)所表示的化 合物’可侧其他螢光發光材料及縣發光材料。 為了促進來自主體材料的能量轉移，亦可抑日本 開2007-290748號公報或日本專利特開·8_〇8984 = 報中所揭示的方法。 7 Α 過渡金屬原子或鑭系 (a)磷光發光材料 磷光發光材料通常可舉出含有 (lanthanoid)原子的金屬錯合物。 過渡金屬原子較好的是可舉出釕、# 乾、把、鶴、Μ、 蛾、銥以及鉑，更好的是銖、銥以及鉑 鉬。 卸進而較好的是銥、 27 201026817 όζ/όορίϊΛοο 鑭系原子例如可舉出鑭、鈽、镨、鈦、釤、銪、釓、 铽、鏑、鈥、餌、铥、镱以及錙。該些鑭系原子中，較好 的是鈥、銪以及釓。 錯合物的配位基例如可舉出：G wilkinson等著，

Comprehensive Coordination Chemistry，Pergamon Press 出 版社 ’ 1987 年發行，h. Yersin 著，「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」，Springer-Verlag 出版社，1987年發行；山本明夫著，「有機金屬化學_基礎 ❹ 與應用-」，裳華房出版社，1982年發行等中記載的配位基 等。 具體的配位基較好的是齒素配位基（較好的是氯配位 基）、芳香族碳環配位基（例如環戊二烯基陰離子 (^yclopentadienyl ani〇n)、苯陰離子或者萘基陰離子等）、 含氮雜環配位基（例如苯基吡啶、苯幷喹啉、羥基喹啉、 聯吡啶（bipyridyl)、或者啡啉（phenanthr〇line)等）、二 =己位基（例如乙丙_ )、賊配位基（例如乙酸配位 ❹ ^化物（—）配位基（例如紛化物（Isolate ) 氧化碳配位基 '異腈配位基' 氰基配位基， 更好的疋含氮雜環配位基。 屬錯合物可於化合物中具有—個過渡金屬原 合物mrlr為具上過渡金屬原子的所謂雙核錯 原子。(bmUelear _plex)。亦可同時含有不同種類的金屬 上述材料中，發光材料的具體例例如可舉出： 28 201026817 J^/Jbpif.doc US6303238B1 號公報、US6〇97147 號公報、w〇〇〇/57676 號公報、WO00/70655號公報、w〇〇l/〇8230號公報、 WO01/39234A2 號公報、W〇〇1/41512A1 號公報、 W002/02714A2 號公報、W〇〇2/15645A1 號公報、 WO02/44189A1號公報、日本專利特開2〇〇1_247859號公 報、日本專利特開2002-302671號公報、曰本專利特開 2002- 117978號公報、日本專利特開2〇〇2 225352號公報、 曰本專利特開2002_235〇76號公報、日本專利特開 2003- 133074、日本專利特開2〇〇2_17〇684號公報、 EP1211257號公報、日本專利特開2〇〇2_226495號公報、 曰本專利特開2002-234894號公報、曰本專利特開 2001- 247859號公報、日本專利特開2〇〇1_29847〇號公報、 曰本專利特開2002-173674號公報、日本專利特開 2002- 203678號公報、日本專利特開2〇〇2_2〇3679號公報、 曰本專利特開2004_357791號公報、日本專利特開 2006-256999號公報等中記載的磷光發光化合物等。 φ (b)螢光發光材料 螢光性的發光性摻雜劑（dopant)通常可舉出：苯幷 噁唑、苯幷咪唑、苯幷噻唑、苯乙烯基苯、聚苯 (polyphenyl)、二苯基丁二烯 '四苯基丁二烯、萘二曱醯 亞胺（naphthalimide )、香豆素（coumarin )、〇比喃（pyran )、 紫環酮（perinone )、噪二 ό坐（oxadiazole )、酸連氣 (aldazine)、吡嗪（pyrazine)、環戊二烯、雙苯乙烯基慧 (bis(styryl)anthracene)、喹吖啶酮（quinacrid〇ne)、n比嘻 29 201026817

32/JOplf.d〇C 幷°比咬 （pyrrolopyridine )、嗟二唾幷n比咬 (thiadiazolopyridine)、環戊二烯、苯乙烯基胺、芳香族二 次曱基（methylidyne)化合物、縮合多環芳香族化合物 (蒽、啡啉、芘（pyrene )、茈（perylene )、紅熒烯（rubrene ) 或者幷五苯（pentacene)等），由8-羥基喹啉（8_quin〇lin〇1) 的金屬錯合物、°比略亞甲基（pyrromethene)錯合物或者 稀土錯合物所代表的各種金屬錯合物，聚噻吩、聚苯 (polyphenylene)、聚苯乙炔（p〇lyphenylenevinyiene)等

的聚合物，有機矽烷，以及該些化合物的衍生物等。 2-2.電洞傳輸性主體材料 明的發光層巾所使用的電洞傳輸性主體材料， 耐久性提高及驅動電壓降低的觀點而言，游離 (iomzation potential) Ip 較好的是大於 等於6.4eV，更好的是大於等於5.4eV且小 eV，進而較好的是大於等於5切且小^等^ 外，就财久性提高及驅動電壓而、*0eV° 力（el_ affinity) Ea較好^^而吕，電子親;

等於3.1 eV，更好的是大於等於\ 4 1於U eV且小) eV，進而較好的是大於等於18 . e且小於等於3, 較好的最低三重態激發能=等於2.8 eV。 T1)較好的是大於等於22〜^e=tedlevel’以下記子 好的是大於等於2.4eV且小於等、、於等於3.7eV，進而幸 等於2.4eV且小於等於34 v於3.7eV，最好的是大方 此種電洞傳輸性主體^料具體可舉出例如以下_ 30 201026817 jz/jopif.doc 料。 可舉出：吡咯（pyrrole )、吲哚（indole)、咔唑、氮 雜,π朵、氣雜味嗤、°比β坐、味°坐、聚芳基烧烴 (polyarylalkane )、》比吐琳（pyrazoline )、11 比唾琳酮 (pyrazolone )、苯二胺（phenylenediamine )、芳基胺 (arylamine)、經胺基取代的查耳酮（chalcone)、苯乙晞 基蒽、芴酮（fluorenone )、脎（hydrazone )、均二苯乙烯

(stilbene )、矽氮烷（siiazane )、芳香族三級胺化合物、苯 乙缔基胺化合物、芳香族二次曱基系化合物、0卜琳 (porphyrin)系化合物、聚矽烷系化合物、聚(N_乙烯基咔 嗤）、苯胺系共聚物、噻吩寡聚物（oligomer)、聚嗟吩等導 電性高分子寡聚物，有機矽烷，碳膜，以及該些化合物的 衍生物等。 其中，較好的是吲哚衍生物、咔唑衍生物、氮雜吲哚 衍生物、氮雜料衍生物、芳香族三級胺化合物、嗟吩衍 =:丨5:2是在分子内具有多個吲哚骨架、咔唑骨架、 =氮雜咔唑骨架、或者芳香族三級胺骨架的 電洞傳輸性主體材料為咔唑衍 本發明中的尤其好的 生物。 我q月甲 全部取代為& 广尺印聆王體材料的氫的一部4 王I5取代為汛的主體材料 2_福3〇號中請說 日本專利杂 號公報）。 曰本專利特表2004-515 31 201026817 jz/^opii.doc 此種電洞傳輸性主體材料的具體化合物例如可舉出 下述化合物，但並不限定於該些化合物。

32 201026817 / jujjif.doc

33 201026817 ^z/^opn.doc

34 201026817 ->z/jopif.doc

H-27 H-2€

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2-3.電子傳輸性主體材料 本發明中所使用的電子傳輸性主體材料，就耐久性提 高及驅動電壓降低的觀點而言，電子親和力Ea較好的是 35 201026817 5Δ / JOplI.doc 大於等於2.5 eV且小於等 -且小於等…，進而較好的==， 小於等於3.3ev。另外，切A… 寺於2.8 eV且 觀點而言’游離電位Ip較：大提二 = 動電璧降低的 等於一更好的 π :較好的是大於等於5.9…且小於等於6 5I Μ 大於等 ❿ 於2·4 eV且小於等於，最好的是 小於等於 3.4 eV。 T、z.4eVa 此種電子傳輸性主體材料具體可舉出：喊 三嗪、咪η坐、吡唑、三唑、噁唑、噁二唑、細、蕙醌二 甲烷（anthraquinodimethane)、蒽酮（anthr〇ne)、^ 笨酿 山(_—_麵〇、噻喃二氧化物（脇办咖仙趣）、 碳二醯亞胺（carbodiimide)、亞苗基甲院（flu〇renyHdene methane)、二苯乙烯基吡嗪、經氟取代的芳香族化合物、 ❹ 萘、茈等的芳香環四綾酸酐，酞菁（phthal〇cyanine)，以 及該些化合物的衍生物（亦可與其他環形成縮合環），8_ 羥基喹啉衍生物的金屬錯合物，金屬酞菁（metal phthalocyanine) ’將笨幷噁唑或苯幷噻唑作為配位基的金 屬錯合物所代表的各種金屬錯合物等。 電子傳輸性主體材料較好的是金屬錯合物、唑（az〇le) 衍生物（苯幷咪嗤衍生物、咪嗤幷T!比咬衍生物等）、唤 (azine)衍生物（吡啶衍生物、嘧啶衍生物、三嗪衍生物 36 201026817

jz,/jijpif.d〇C 等）’其中，本發明中就耐久性方面而言，較好的是金屬錯 合物。金屬錯合物更好的是具有配位在金屬上的含有至少 一個氮原子或氧原子或硫原子的配位基的金屬錯合物。 金屬錯合物中的金屬離子並無特別限定，較好的是鈹 離子、鎂離子、轉子、雜子、鋅離子、銦離子、錫離 子、鉑離子、或者鈀離子，更好的是鈹離子、鋁離子、鎵 ❿ 離子、鋅離子、轉子或者姆子，進雜好的是銘離子、 鋅離子、鉑離子或者纪離子。 上述金屬錯合物中所含的配位基存在各種公知的配 位基，例如可舉出「photochemistry and photophysics π Coordination Compounds」，Springer_Verlag 出版社，H Ye— 著，1987年發行；「有機金屬化學_基礎與應用_」，裳華房 出版社，山本明夫著，簡年發行等中記載的配位基。 上述配位基較好的是含氮雜環配位基（較好的是碳數 η:更好的是碳數為2〜20，尤其好的是碳數為3〜 1曰5，可為早牙配位基，亦可為雙牙以上的配位基。較好的 是雙牙以上且六牙以下的配位基。另外，雙牙以上且 以下的配位基與單牙的混合配位基亦較佳。 配位基例如可舉出：嗪配位基（例如 基:輕編㈣、三聯州 經苯基唑配位基（例如可舉出羥苯基苯 苯基苯幷射陳基、躲基料配錢 更好的疋奴數為Κ20，尤其好的是碳數為U，例 37 201026817 JZ/Jopu'.doc 如可舉出甲氧基、_ 氧基配位基（較二氧基、2-乙基己氧基等）、芳 〜20 ’尤其好的 〜〜3G ’更好的是碳數為6 萘氧基、蔡氧基、2,4^〜甲1f可舉出苯氧基、 等）、雜芳氧級位基（ 基以及4_聯苯氧基 碳數為1〜20，尤其好的是碳數^數^ 1〜3〇，更好的是 氧基、°比°秦氧基、啊氧 ^ 1〜12，如可舉出如定 基（較好的是碳數為K3； 琳氧基等）、燒硫基配位 好的是碳數為M2 好的是碳數為1〜20，尤其 硫基配位基（較好的是碳數為舉6出:硫基、乙硫基等）、芳 〜20 ’尤其好的是碳數為6 ‘、，、 ，更好的是碳數為6 雜芳硫基配位基(較好的是；數為”出苯硫基等)、 為1〜20,尤其好的是碳數為^〜30 ’更好的是碳數 =·苯輪硫基、2·苯幷 ❹ 好的是碳數為ό〜25，尤其3 ’疋碳數為ό〜30，更 出苯基陰料、3，例如可舉 環陰離子配縣（較好的是碳數子朴芳香族雜 為2,，尤其好的是碳數:二是碳數 子”比姆離子、財陰離子、三唾 可舉出吼略陰離 苯幷_子，陰離子、-苯幷：陰:二離二 38 201026817 jz/^opif.doc 離子以及苯幷噻吩陰離子等） 好的是含氮雜環配位基、芳儀其^ >陰離子配位基等，較 烧氧基配位基，進而較好的是位基、雜芳氧基或者石夕 位基、魏氧絲錄、=魏減、芳氧基配 族雜環陰離子配位基。 、'二*離子配位基或者芳香 金屬錯合物電子傳輸性主體材 曰本專利特開2002-235076、日太直各,& Β太奎4丨战ΒΒ。 本專利特開2004-214179、 曰本專利特開2004-221062、日太直士丨处 曰太轰4丨此 本專利特開2004-221065、 日本專利特開2〇〇4_221〇68、 本專利特開2004-327313 糞刹胜明orm，παν ι _ .材#的例子’例如可舉出 等中記載的化合物 此種電子傳輸性主體材料具體 料，但並不限定於該些材料。了舉出例如以下的材 E»1 E-2

_ 39 201026817 jz/^opif.doc E-7 E-8

E-15 E-16

40 201026817

DL· / JUpif.dOC E-1 E~18

E-21

E-22

.… 尚贫无欵罕及提高耐久性白 目的，亦可採用曰本專利特開2〇〇5_233〇37號 專利特開购_號公報、曰本;：特曰 2〇〇7·32587、日本專利特開2刪-⑽謝銳 4 ’ 的方法，混合兩種以上的電洞傳輸性主體材 ^ 性主體材料。另外’本發明中，為了進—步提高發光^ 201026817 n / jopn'.doc 及提高耐久性的目的，可採用日本專利特開2〇〇5_29425〇 號公報中所揭示的方法，有效地添加金剛烷化合物等烴化 合物。 另外，本發明的發光層中，發光材料與主體材料的比 率以重量比計為50 : 50〜0.1 : 99.9，較好的是40 : 60〜1 : 99，進而較好的是30 : 70〜3 : 97。另外，本發明的發光 層中，為了提高發光效率及提高耐久性的目的，可採用日

本專利特願2007-196525、日本專利特願200H96527、日 本專利特願2007-196674、日本專利特願2007496675、日 本專利特願2007-196676中所揭示的方法，使發光材料的 濃度依序或階段性地變化。 另外，本發明中，發光層亦可為兩層以上，且可在其 中-層中含有以通式⑴或通式（2)所表示的化合物， 亦可在多層或财層中含有以通式⑴或通式⑵所表 不的化合物。 3·電子傳輸層

電子傳輸層為具有自陰極或陰極側接收電子並傳輪 至陽極侧的功能的層。本發明的電子注人層、電子傳輸層 2使用的材料並無特別限定，可為低分子化合物，亦可 為而分子化合物。 本發财的電子傳輸層至少具#與發光層的陰極 ^面接觸設置的第！電子傳輸層、及與上述第i電子傳 層，陰極侧界面接觸設置的第2 f子傳騎，並且上述 電子傳輸層含有町述通式（ET)所表示的至少一種 42 201026817 生材料與選自由鹼金屬、驗金屬鹽、驗土金屬以及 鹼土金屬鹽所組成的組群中的至少一種。 通式（ET) ❹ 通式（ET)中’仏表示氫原子或取代基，η表示〇〜8 的整數。當η為大於等於2的整數時，多個&相互可相同 亦可不同。 3-1.第1電子傳輸層 —本發明的第i電子傳輸層中可使用的材料並無特別限 疋，可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。 具體而言’較好的是含有以下化合物的層：吼咬衍生 物、喹啉衍生物、嘧啶衍生物、吼嗪衍生物、酞嗪 衍生物、啡啉衍生物、三嗪衍生物、三唑 =生物、衍生物、喔二唾衍生物ϋ衍生物、細 何生物1該二甲騎生物、蒽崎生物、聯絲衍生物、 嘆喃二氧化物衍生物、碳二酿亞胺衍生物、亞綠甲烧衍 生物、=苯乙稀基吼嗪衍生物、萘、花等的芳香環讀酸 酐*酞菁衍生物、8-羥基喹啉衍生物的金屬錯合物或金屬 醜菁、將苯幷喔唾或苯幷嗟唾作為配位基的金屬錯合物所 代表的各種金屬錯合物、由石夕雜環戊二婦㈤則所代表 的有機矽烷衍生物等。 43 201026817 jz/jopif.doc 本發明中的第1電子傳輸層可含可不含電子供應性摻 雜劑。較好的是本發明中的第丨電子傳輸層不含電子供應 性摻雜劑。

田本發明中的第1電子傳輸層含有電子供應性摻雜劑 時，導入至第1電子傳輸層中的電子供應性摻雜劑只要具 有利用>電子供應性來還原有機化合物的性質即可，適宜使 】Li等，金屬、Mg等鹼土金屬、包括稀土金屬的過渡金 屬或者還原性有機化合物等。金屬尤其可適宜使用功函數 小於等於4.2 eV的金屬，具體可舉出Li、Na、K、Be、 g Ca Sr、Ba、Y、Cs、La、Sm、Gd 以及 Yb 等。另 ^ ’還原性有機化合物例如可舉出含氮化合物、含硫化 物、含磷化合物等。 夕，可使用曰本專利特開平6_212153、日本專 =2〇OG_l96H()、日本專购開篇3·68·、日本專利 二細3·229278、日本專利軸2GG4_342614等中記載的

^電子供應性摻雜射單獨㈣，亦可使用兩種 #電子供應性摻雜劑的使用量㈣㈣_類 =的是相對於電子傳輸層材料，上述使用量為01w 30二，進瞻好的* Q1職〜2。心，尤其好的 u.l wt%〜1〇 wt% 〇 就降低驅動電壓的觀點而古， 較好的是丨nm〜· nm，更好；電子傳輸桃 較好的是H)腿〜議譲。更好的疋5nm〜200麵， 44 201026817 3-2.第2電子傳輸層 本發明中的第2電子傳輸層至少含有以 (ET)所表示的電子傳輸性材料與選自崎 j 鹽、驗土金屬以級土金屬鹽所組成的組群中的至小驗^屬 第2電子傳輸層中，相對於以通 種。 =輸:材料’鹼金屬、鹼土金屬或者該些 ：： 董私合轉較好的是αι wt%〜5 ()感，更好的1 wt%〜2.0wt%，進而較好的是0.1 wt%〜〗.〇wt%。 · 就降低驅動電壓的觀點而言，第2電子傳輸層 較好的是i nm〜刚nm，更好的是2 nm〜3〇 nm，進而ς 好的疋5 nm〜20 nm。 就抑制電壓上升且抑制驗金屬、驗土金屬或者該 屬的鹽擴散的觀點而言，第丨電子傳制與第2電子& 層，的比率(第i電子傳輸層的厚度2電子傳輸層j 的厚度）較好的是G.1〜3，更好的是0.1〜2，進而較好^ 是0.2〜0.5。 疋叩杈野的 參 (乂通式（ΕΤ)所表示的電子傳輸性材料） 通式（ΕΤ)

，(Ri)n 通气（ET )中，心表示氫原子、 ㈣烧基及_代絲錄代的碳^〜㈣ 45 201026817 όΐ /^opu'.doc 的組群中的取代基，η表示0〜8的举叙 ^ 2的整數時，多個R】相互可相同亦可不同:11為大於等於 上述碳數1〜1〇的烷基可舉出： 異丙基、正丁基、2-丁基、第三丁基甲基/上基、正丙基、 I 正戊基、2-戊基、 3- 戊基、新戊基、正己基、2-己基、2 7甘 ^ 己基己基、2-丁基己 基、正庚基、正辛基、2_辛基、正壬基以及正癸基等。 上述經取代或未經取代的碳數6〜3〇的芳基可舉出： 苯基、1_萘基、2·萘基、4_苯基小萘基、、2_祕、 ❹ 9-蒽基、Η)·苯基冬惠基、菲基、2•菲基、3•菲基、4_菲 基、9-菲基、1-芘基、2_芘基、2_茈基、3_茈基、卜丙[二] 烯合蕹基（l-flUOranthenyl )、2_丙[二]烯合蕹基 (2-flUOranthenyl)、3_丙㈡稀合祕（3_flu_thenyi)、

8-丙[二]烯合第基（8_fluoranthenyl)、厶聯伸三苯基、9 9_ 二曱基苗-2·基、9,9-二丁基基、9 9_二己基基、 9,9-二辛基芴-2-基、9,9-二笨基苟-2_基、2_聯苯基、3_聯苯 基、4-聯苯基、對聯三苯·3_基、對聯三苯_4_基、間聯三苯 •3-基、間聯三苯-4-基、鄰聯三苯_3_基、鄰聯三苯_4_基、 4- (1·萘基)-1-萘基、鄰甲苯基、間甲笨基、對曱苯基、4_ 第三丁基苯基、4_甲基-1-萘基、4-苯基-1-萘基、10•曱基-9-蒽基、以及4-苯基_8-丙[二]烯合薙基等。 在經取代或未經取代的碳數6〜3〇的芳基的情況下的 取代基為烷基，較好的是碳數丨〜⑴的烷基，具體可舉出 甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、2_丁基、第三丁 基、正戍基、2-戊基、3_戊基、新戊基、正己基、2_已基、 46

201026817 / j)upif.d〇C 2-乙基己基、2-丁基己基、正庚基、正辛基、2_辛基、正 壬基以及正癸基等。 以通式（ET)所表示的電子傳輸性材料的具體例可舉 出以下化合物，但本申請案並不限定於該些化合物。 (1) (2) (3)

47 (8) 201026817 jopn.doc (7)

❹ ❹ (由驗金屬、鹼金屬鹽、鹼土金屬以及鹼土金屬鹽所 組成的組群） 本發明中所使用的鹼金屬、鹼金屬鹽、鹼土金屬以及 鹼土金屬鹽可舉出：Li、Cs、Ca、LiF、NaF、KF、RbF、 CsF、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、LiC卜 NaQ、KC卜 RbC卜 CsCn、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、LiHC03、NaHC03、 48 201026817 32730pif.doc KHC〇3、RbHC〇3、CsHC〇3、Li2C〇3、Na2C〇3、抓、 Rb2C03、Cs2c〇3、MgC〇3、CaC〇3、SrC〇3 以及 Ba 較好的是Li或Cs。 4.電洞注入層、電洞傳輸層 電洞注入層、電洞傳輸層為具有自陽極或陽極側接收 電洞並傳輸至陰極側的功能的層。本發明的電洞注 ❹ 電洞傳輸層中可使用的材料並無特別限定，可為低分子化 合物，亦可為高分子化合物，亦可為無機材料。 具體而言，較好的是含有以下化合物的層：吼嘻衍生 物、味唾衍生物、輕衍生物、聚芳基烧烴衍生物吻坐 嚇衍生物”比嗤琳酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺 物、經胺基取代的查耳酮衍生物、苯乙烯基葱街生物、努 =二踪衍生物、均二苯乙烯衍生物、石夕氮烧衍生物、 方香族二級胺化合物、苯乙婦基胺化合物、芳香族 基系化合物、敗菁系化合物、外琳系化合物、嗔吩衍生物、 生物’配位基上具有碳、苯基唾、苯基嗪的金 : = 此f電洞注人、傳輸材料的具體化合物例如 舉的化合物，但並不限定於該些化合物。 無機材料可舉出：氧切、二氧切 :鍺::夕，五氧化鈒、三氧化麵、氧化銘、二;： 鐵、二氧化二鐵等。 可入有機a元件的㈣注人層或制傳輸層中 了3有電子較性摻_。本發_元件中，尤1好的是 使電洞注人料含有電子接紐摻_。導人至電洞注入 49 201026817 ^z/^opif.doc 層或電洞傳輸層中的電子接受性摻雜劑只要具有利用電子 接受性來氧化有機化合物的性質，則可使用無機化合物， 亦可使用有機化合物。 具體而言，無機化合物可舉出：氣化鐵、氯化鋁、氯 化鎵、氯化銦、五氯化銻等函化金屬；五氧化釩及三氧化 鉬等金屬氧化物等。 在有機化合物的情況下，可適宜使用含有硝基、鹵 素、氰基、二氟甲基等作為取代基的化合物’醌系化合物、 酸酐系化合物、富勒烯（fullerene)等。有機電子供應體 ❹ 具體可舉出：六氰基丁二稀、六氛基苯、四氛基乙稀、四 氰基對酿i一曱烧（tetracyanoquinodimethane)、四氟四氰基 對Stt 一甲烧、四氟對笨酿（p_f|uoranii )、四氯對笨覼 (p-chloraml)、四溴對笨醌（p br〇manil)、對苯醌、2,6_ 一氯苯醌、2,5_二氣笨靦、四甲基苯醌、my四氰基笨、 鄰-氰，苯、對二氰基苯、1>4.二氰基四氟苯、2,3_二氣_5,6_ -氰基苯酿、對二確基笨、間二破基苯、鄰二麟基笨、對 氰基硝#基苯、間氰基《肖基苯、鄰氰基絲苯、丨，4萘_、 U二氯蔡酿、1_確基萘、2_硝基萘、丨,3·二硝基萘、Θ 肖基$ 9氰基蒽、9_硝基蒽、9，1〇_蒽酉昆、ι，3,6,8-四硝 二味口坐、2,4,7-三硝基斗轴、2,3,5,6_四氰基〇比口定、順丁 —酸酐、鄰苯二曱酸酐、C60以及C70等。 其中’較好的是六氰基丁二烯、六氰基苯、四氰基乙 四氰基對酿二曱燒、四氟四氰基對酿二甲燒、 四氟對 本"四氯對苯酿、四填對笨酿、對雜、2,6_二氯苯酉昆、 50 201026817

JjL / ^upif.doc 2,5-二氯苯醌 基苯、1，4-萘酉昆、2,3_二 本、間二确基本、鄰二石肖 萘、9，10-蒽靦、丨，3 6 8硝咔^二確基萘、以一肖基 2,3,5,6-四氰基、如_三硝基，詞、 六氰基苯、四氰基^ 尤其好的是六氰基丁二缔、 對酿二甲烧、四^對四氟四氰基 ❹ e 二氯笨酿、2,5·二氯苯= =桃、四祕笨親、2,6_ 一资、 ，一'氣萘醒、1,2,4,5-四氰基金 ’_一兮此有基苯m、或者2,3,5,6-四氣基吼咬。、 上。〜有機電子供應體可單獨❹，亦可使用兩種以 日本使用日本專利特開平6_212153號公報、 日本專利特開平㈣1463號公報、日本專利， 3:6^公報、曰本專利特開2〇.196140號公報、： 本專刮特開2_-2_54號公報、曰本專利特 2〇00 3丨558〇號公報、日本專利特開細卜搬丨75號公 日本專利特開.16_3號公報、日本專利 2002- 252085號公報、日本專利特開2〇〇2_56985號公報 曰本專利特開2003_157981號公報、曰本專利特η 2003- 217862號公報、日本專利特開2〇〇3_229278號公報 曰本專利特開2004-3426Μ號公報、日本專利特門 2005-72012號公報、日本專利特開2〇〇5_166637號公報、 曰本專利特開2005_209643號公報等中記載的化合物。' 該些電子接受性摻雜劑可單獨使用，亦可使用兩種以 51 201026817 όζ /^οριί doc 較好雜劑的使用量根據材料的種類而不同， 較 =r上述使用量— 〇」WHG wt%是.G5 Wt%〜2G Wt%，尤其好的是 展的；驅動電屋的觀點而言’電洞注人層、電洞胁 層的厚度分聰好岐持等於· nm。電，Π傳輪 5 nm電後層的厚度較好的是1 nm〜5GG nm，更好的是 5 nm〜300 nm，進而較好的县 疋 〇 洞注入層㈣帅心^疋腹〜200麵。另外’電 )層的厚度較好的是0·1 nm〜500 nm，更好的是〇5 nm〜3〇〇nm，進而較好的是lnm〜200mn。 . 電洞注人層、電洞傳輪層可為由上述材 ==形成的單層結構，亦可為由相同組成或不= 成的多層所形成的多層結構。 撞另外’本發明巾，為了提高發纽率，可制日本專 勝294249號公報等中所揭示的方法，在電洞^ 輸層中添加電惰性的金剛烷化合物等烴化合物。

Q 電洞注入層、電洞傳輸層的T1並無特別限定，為了 抑制激子擴散’較好岐鄰接於發光層的電洞傳輸層的T1 與發光層的T1的差小於等於1 eV。 3·有機EL元件的構成 其次’對本發明的有機EL元件的構成加以詳細說明。 本發明中的有機化合物層自陽極侧起具有發光層、第 1電子傳輸層以及第2電子傳輸層，較好的是依序^層著 電洞傳輸層、發光層、第1電子傳輸層以及第2電子^輸 52 201026817 iz / Jopif.doc 層。而且，亦可在電洞傳輸層與發光層之間、或者在發光 層與電子傳輸層之間具有電荷阻擋層（電子阻擋層、電洞 阻擋層）等。 另外’可在陽極與電洞傳輸層之間具有電洞注入層， 亦可在陰極與電子傳輸層之間具有電子注入層 。此外，亦 可將各層分為多層次級層。 本發明中’為了更有效地將電荷注入至發光層，可採 用曰本專利特開2006-279014號公報、日本專利特開 200^-35觸號公報中所揭示的方法，有效地設置階段層。 階段層具體而言為如下有機電場發光元件：電洞傳輸層由 包含=接於發光層之層的多層所形成，當將發光層的游離 ，位认為IP1，將鄰接於發光層的電洞傳輸層的游離電位 «又為Ip2 ’且將其他電洞傳輸層的游離電位設為职時，滿 议P2>IP3的關係；並且電子傳輸層由包含鄰接於 F 多層所形成，#將發光層的電子親和力設為 二，，1=於發光層的電子傳輸層的電子親和力設為 足E 他電子傳輸層的電子親和力設為Ea3時，滿 足Eal<Ea2<Ea3的關係。 斤曷/、的方法，在陰極與電子傳 另外，本發财，μ之u越有機層。 肀為了進一步改良發光效率，亦可採 53 201026817 ^2/ibpif.d〇c 5 寺開Μ03-272860號公報、日本專利特開平 -329748號公報等中所揭示的方法，設置電荷產生層而 成為多光子（multiphoton)型元件。 另外，本發明中’為了進一步提高發光致率、提高耐 久性、提高色度’可在反射板（或反射電極）與半透明電 極之間設置包含發光層的有機化合物層’採用曰本專利特 開平8-213174號公報、日本專利283〇474號公報、日本專 利特開平11-126691號公報、日本專利特開2〇〇2 36777〇 號公報、曰本專利特開2004_127795號公報等中所揭示的 〇 方法而取得共振器結構。 〈基板> 本發明中所使用的基板較好的是，自發光層發出的光 出射侧的基板較好的是不會使光散射或衰減的基板。該基 板的具體例可舉出：紀穩定氧化結（yttrjum stabiiize(j zircoma，YSZ)、玻璃（glass)等無機材料；聚對苯二曱 酸乙二酯（polyethylene terephthalate )、聚鄰苯二曱酸丁二 酯（polybutylene phthalate )、聚萘二曱酸乙二酯 ❿ (polyethylene naphthalate )等聚醋（polyester )，聚苯乙烯 (polystyrene )、聚碳酸 g旨（polycarbonate )、聚醚石風 (polyether sulfone )、聚芳醋（p〇iyaryiate )、聚醯亞胺 (polyimide)、聚環烯烴（p〇lyCyci〇〇iefin)、降冰片稀樹脂 (norbornene resin ) 以及聚（氯三氟乙烯） (poly(chlorotrifluoroethylene))等有機材料。 例如當使用玻璃作為基板時，為了減少來自破璃的溶 54 201026817.^

/ ^wplI.uOC 出離子，該玻璃的材質較好的是使用無驗玻璃（n〇nalkali glass)。另外，當使用鈉鈣破璃（soda lime glass)時，較 好的是使用實施有二氧化矽（silica )等的阻隔塗佈（barrier coat)的玻璃。當使用有機材料時，較好的是耐熱性、尺 寸穩定性、耐溶劑性、電氣絕緣性以及加工性優^。 基板的形狀、結構、大小等並無特別限制，可根據發 光元件的用途、目的等而進行適當選擇。通常，基板的形 錄好的是板狀。基板的結構可為單層結構，亦可為積層 結構’而且，可由單個構件所形成，亦可由兩個以上 件所形成。 可在基板的表面或背面設置防透濕層（氣體阻隔層 (gas barrier layer ))。 防透濕層（氣體阻隔層）的材料適宜使用氮化石夕 防透濕層（氣體阻隔層)例如可利用高頻 叹緞法（high frequency sputtering)等而形成。 當使賴雜基板時，亦可進—步視需要而設置硬塗 θ (hard coat)、底塗層（un(jer coat)等。 :在製作電極的前後或製作有機化合物層前 ^仃清洗及/或賴理。清洗可使財、純水 板 溶财的任_種進行清洗，亦可浸責後 了使好分解除去，為 而進行預處理。預處理法較好的是使用紫外線-、处（ukravioiei__e ireaimeni)、氧電漿處理（卿卿 55 201026817 i32/ibpn.doc

Plasmatreatment)等，但並無特別限定。 〈)％* 極〉 雷;〃要具有作為對有機化合物層供給電洞的 電極的功能即可，該陽極的形狀 ^ 據:先元件的用途、目的，自公=極= 二上所述’在陽極為光出射側的情況下，將 下，=，，在陽極為與光㈣側減側的情況 下該％極可為透明，亦可為不透明。 導雷料例如適宜舉出：金屬、合金、金屬氧化物、 材料的混合物。上述陽剛^ :體^1舉出.摻雜有録缝等的氧化錫㈤加⑽ me ·Ατ。，flu°nne dGped 如。娜，ft。)、氧化錫、 乳化鋅、氧化麵、氧化銦錫（indium tin oxide，ιτο) =鋅:UndiumzineGxide ’ ΙΖ〇)等導電性金屬氧化物； 麻_、鉻、.錄等金屬’以及該些金屬與導電性金屬氧化 —混合物或積層物；视銅、硫化銅等無機導電性物質； ❹ =〇=物有機導電性材料;以及該些材 甘、ΙΤΟ的積層物等。其中，較好的料電性金屬氧化物， =、，就生產性、高導電性、透明性等方面而言，較好的是 ’亦可與其蹄料積層’ _@_亦可設置輔助電極等。 陽極例如可舰考慮職構賴_材 =自下述方式中適當選擇的方法來形成於上述基板上，上 ’〔方式為：印刷方式、塗佈方式等濕式方式；真空基鑛法 I vacuum evaporati〇n meth〇d )、濺鍍法（叩贈心 56 201026817 jjz, / jupif.doc method)、料f 躲等（iQnplatingmet (chemical vapor deposition，CVD) ^ CVD 法（plasma chemical vap〇r dep〇siti〇n )等 漿 例如當選擇ITO作為陽極的材料時，陽極的形^昭 流或高頻麟法、真轉觀、離子電駭料進行:直 陽極的功函數只要為可對鄰接於陽極的電洞注 或電洞傳輸層注人電_功函數，則並無限定， 曰 ❿

大於等於4.0 eV且小於等於6,〇 eV， 於4.5eV且小於等於5.8eV。 於等 另外，陽軸功函射_uv貞、氧處 理而調整躲t驗。 本發明的有機電場發光元件中，陽極的形成位置並益 ’可根據發光树的用途、目的而進行適當選擇，' 盆的疋喊在上述基板上。此時，陽極可形成在基板的 ”中-表面的整個面上，亦可形成在該表面的—部分上。 外形成陽極時㈣案化（patteming)可藉由利用 =微衫法（photolithography)等的化學蝕刻（etching)而 仃，亦可藉由利用雷射（laser)等的物理蝕刻而進行， 〜且’可重疊鮮（mask)後進行真空級或雜等 仃=可利用剝離法（lift_〇ffmeth〇d)或印刷法而進行。 陽極的厚度可根據構成陽極的材料而進行適當選 s…、法一概規定，通常為1〇nm〜5〇以瓜左右，較好 疋 5〇nm〜2〇 π 陽極的電阻值較好的是小於等於1〇3 Ω/□，更好的是 57 201026817 32/36pii；d〇c 小於等於1G2 Ω/□。在陽極為透明的情況下，可為無色透 明’亦可為有色透明。為了自透明陽極侧出射發光，該陽 =透射率較好的是大於等於60%，更好的是大於等於 另外，關於透明陽極，在澤田豐主編的「透 ==CMC出版⑽9)中有詳述，可將J中= 甘…用於本發明。當使用耐熱性低的塑 較好的是使用IT〇siuz⑽於挪 下的低溫下成膜的透明陽極。 <陰極> 陰極通常只要具有作為對有機化合物層 ^的功断可，該陰極的雜、結構、大小 :制’可根據發光轉_途、目的，自公 材 或::明當陰極側為光麵時，較好： ◎ 構成陰極的材料例如可舉出金屬、合金 勿、導電性化合物、該純料的混合物等 的具體例可舉出：驗金屬（例如極材料 ，屬（例如叫、Q等）、金、銀、錯、銘、鈉=金驗 _鋁合金、鎂-銀合金、銦、以及镱等稀土金 * 材料可單獨使用-種，就同時實現穩定性 =些 :點而言，可將兩種以上的材料共蒸鑛或積 陰極的功函數只要為可對鄰接的有機化合物層注入 58 201026817. jz, / jupif.doc 電子的功函數，則並無特別限定， 且小於等於4·5 eV，進而較好的等於2·5 W 等於43eV。 W疋大於等於2.5 eV且小於 上述材料中，構成陰極的材料 言，較好的級金屬或驗土麵，就 注人性方面而 =言’較好的是以紹為主體的材料= 性金屬氧化物積層而形成積層結構。 ΆΟ專導電 ❹ 所謂赌為主體的材料，是指料獨、錄_ t〇/ 〜10 wt%驗金屬或驗土觸的合金 t _ wt/。 合物（例如鐘-紹合金、鎮_銘合金等）/者5边材料的混 另外，關於陰極的材料，在日 =公報、日本專利特開平5_121172號公報 二公報中記載的材料亦可應用於本發明。 4述〜 了。例如可依照考慮到與上述構成陰極的材料的進 c式中適當選擇的方法來形成 二應 ® 方式、塗佈方式等濕式方式；直H土 I式為_ 電鍍法等物理方式;CVD、電漿苫J等化子 例如當選擇金屬等作為陰極的材料時，可^該匕^式等。 或者兩種以上同時或依序伕照濺鍵法等來進^。料的-種 蝕案切藉由·絲影法等的化I ==亦可藉由利用雷射等的物糊而:的化學 離法或印刷法而進行。次雜等而進仃，亦可利用剥 59 201026817 32/J0pit；doc 另外’在陰極與上述有機化合物層之間亦可以〇i細 i所插人祕金屬紐土金屬的氣化物、氧化物 的介電質層（dieleetrie ―)。亦可將該介電質 層視為-種電子注人層。介電f層例 法、贿法、離子電鍍料㈣成。 具二讀 陰極的厚度可根據構成陰極的材料而進行適當選 擇’無法-概規定，通常為5nm〜5 左右，較好的是 lOnn^lym。 另外，陰極可為透明，亦可為不透明。此外，透明的 陰極可藉由使陰極的材料較薄地成膜為lnm〜1()nm的厚 度進而積層ITO或IZO等透明導電性材料而形成。 本發明中，亦可使陽極侧為不透明（反射電極），且 使陰極_透明或半透明而製朗部發％ (tGpemission) ^元件#外’亦可使陽極側為透明’且使陰極側為不透 明（反射電極）而製成底部發光（bottom emission)型元 件。另外，亦可使陽極、陰極均為透明而製成兩侧發光型 元件。 <有機化合物層> 對本發明中的有機化合物層進行說明。 本發明的有機EL元件中，除發光層、電子傳輸層以 外的有機化合物層可舉出電洞傳輸層、電荷阻擋層、電洞 201026817 JZ,/^upif.doc 注入層、電子注入層等的各層。 -有機化合物層的形成- 各層元件中，構成有機化合物層的 法而適當地形成 (lnk-Jet)方式等中的任一方 ㈣主要採用蒸鍍法。有機化合物層的利用蒸 ❹是、.二=好：t 分解的溫度範圍，則並無2。’加熱溫度只要為材料不會 較好的是〜。-9 (bak! iZtv\lllt ❿ 除去驗槽_水分1氧。_ (ge㈣等進行加熱而 行冷卻或卜加製膜中藉由對基板進 膜的膜質。 、者的水分等，或者控制有機 另外，當蒸鍍成膜為發井居 材料加入至不同的塞鑛 層時’可將主體材料與發光 蒸鍍源令進行蒸鍍成膜。 仃共蒸鍍，亦可混合至一個 另外，為了使蒸鑛源的加熱均勾，亦可在蒸鑛源中設 201026817 i27ibpil.doc 置熱球（thermo-ball)等。 另外，亦可在製膜後進行熱處理。熱處理的溫度並無 制限定’可為大於等於或小於等於構成材料的玻璃轉移 點，可任意設定。 此外’亦可進-步在製膜、密封後進行熱處理。熱處 理的溫度並無特別限定’可為大於等於或小於等於構成材 料的玻璃轉移點，可任意設定。 <保護層> 本發明中，有機EL元件整體可由保護層來保護。 n 保護層中所含的材料只要具有抑制水分或氧等促進 元件劣化的成分進入至元件内的功能即可。 該材料的具體例可舉出：In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、 A卜 Ti、Ni 等金屬；MgO、SiO、Si02、Al2〇3、Ge〇、Ni〇、

CaO、BaO、Fe2〇3、Y2〇3、Ti〇2 等金屬氧化物；、siNx〇y 等金屬氮化物；MgF2、LiF、A1F3、CaF2等金屬氟化物； 聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺、聚脲、 聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙 浠與一氯一氟乙烯的共聚物、使含有四氟乙稀與至少一種 共聚單體的單體混合物進行共聚合而獲得的共聚物、在共 聚合主鏈上具有環狀結構的含氟共聚物、吸水率大於等於 1%的吸水性物質、吸水率小於等於〇1%的防濕性物質等。 對保護層的形成方法並無特別限定，例如可使用真空 蒸鍵法、濺鍍法、反應性濺鍍法、分子束磊晶（m〇lecular beam epitaxy，MBE)法、簇型離子束（ciusteri〇nbeam) 62 201026817 / ^opif.doc ΐ乂離電鑛法、電裝聚合法（高頻激發離子電鐘法）、電 法、雷射CVD法、熱CVD法、氣源（gas source) CVD法、塗佈法、印刷法、轉印法。 <密封> 另1卜本發明的有機電場發光元件可使用密封容器來 =兀件整體。亦可藉由SiN或Si〇N等的無機膜來密封。 ❹ 參 ，亦可採用日本專利特開2〇〇5_294249等中所揭示的 方法進行固體密封。 八π 、可在岔封容器與發光元件之間的空間内封入水 ^劑或惰性液體。水分吸收劑並無特別限定，例如可 2 ί化鋇:氧化納、氧化鉀、氧倾、硫義、硫_、 =化r λΐ乳㈣、、氯蝴、氯化鎮、氯化銅、氣化絶、 、t* /、1匕舞、漠化鈒、分子篩（m〇lecular 、沸 如可rTe)以及氧化料。惰性㈣並無制限定，例 (puffin) ϋ . (liquidparaffm} 或全氣胺、全氟趟等氟系溶劑，氣系溶劑以 及 ^ 油（silicone oil)類。 <驅動> 間施力本ίΓ财機電場發光元件可藉由對陽極與陰極之 伏要亦可包含交流成分）電壓（通常為2 5伏）或直流電流，而獲得發光。 專利= 月的有機電場發光元件的驅動方法可使用曰本 寻利特開平2_148687號、日 曰本專利特開平5 29〇8 、汗、’-301355號、 寻開千5-29080 ▲、日本專利特開平7_134558 63 201026817 32/it)pn；doc 號、日本專利特開平8-234685號、日本專利特開平 8-241047號的各公報，日本專利第2784615號、美國專利 5828429號、美國專利6〇233〇8號的各說明書等中所 的驅動方法。 ° 另外，為了在元件製作後更穩定地驅動，本發明的元 =可採用日本專利特願2008-48630等中所揭示的方法進 行熱處理。此外’亦可採用日本專利特開平8-185979等中 所揭示的方法進行電流處理。 ◎ 在利用薄膜電晶體（thin film transistor TFT )進行主 動式（active )驅動的情況下，TFT可採用非晶石夕（麵响⑽ silicon)、低溫多晶矽、氧化物半導體中的任一種。 本發月的發光元件可藉由各種公知的方法而提高光 ^效率。例如’可藉由對基板表面形狀進行加工（例如 細的凹凸圖案），對基板、IT〇層、有機化合物層的 控Γ，對基板、ΙΤ〇層、有機化合物層的膜厚 订控制等，來提南光的出射效率，且提高外部量子效率。 〇 榦拖f 1卜，可藉由設置彩色濾、光片（咖他如）或使用色 轉換材料，而進一步提高色度。 ^外’亦可在本發_元件巾添加其他顏色發光的發 m再現以白色為主的其他顏色。此時，可為單層 發先層，亦可為多層航層，且亦可成為多光子型元件。 另外，本發明的元件可在面板（panel)巾錢他 行多種色再現。此時，亦可組合紅、綠:藍^色 的:人畫素(SUbPixel)，與哪種顏色組合可根據目的而決定。 64 201026817

Mopif.doc 面板的驅動方法可採取主動式驅動、被動式（passive) 驅動中的任一種。而且，亦可採取電流驅動、電壓驅動中 的任一種。 (本發明的用途） 本發明的有機電場發光元件可適宜用於顯示元件、顯 示器（display)、背光裝置、電子照相、照明光源、記錄光

源、曝光光源、讀取光源、標識、廣告牌、室内裝飾 (interior)、光通信等。 [實驗例] 使用實驗例對本發明加以具體說明，但本發明並不限 定於該些實驗例。 實驗例1 1.有機EL元件的製作 1 )本發明的元件1 mmX(>·7 mm 的玻璃基板上以 100 nm 祐二鐘=銦錫（之後省略記作IT〇)而製膜成的基 板（東眾二谷真空（股）製造） 透明支縣板進魏刻、清洗。W域基板對該 透明鍍法，以製膜速度為1埃7秒的速度在上述 月支縣板上依序設置下述有機化合物層。 :將4,4，,4”_三㈣基苯;基)三苯基胺 二甲俨ATA)及2,3,5,6,氣_7,7,8,8_四氰基對覼 轉附CNQ“咐⑽相對於 A而相進料驗。厚度為12〇 65 201026817 32736pif.doc nm 基 nm。 ’略記作α-NPD)。厚度為10 電伟料：將下耻合物❻鍍成厚度為3nm。

G 發光層.將作為主體材料的1，3·雙(n_吟唾_9_基）苯 (l，3-bis(N-carbazol-9-yl)benzene ’ 省略記作 mCP)與作為 〇 發光材料的鉑錯合物Pt-Ι，以mCP與Pt_i的重量比成為 85 : 15的方式進行共蒸鍍。厚度為3〇nm。

66 201026817 ^z/^〇pif.doc 第1電子傳輸層：將雙(2-甲基_8_羥基喹啉)_4_苯基苯 紛銘 ( Aluminum(III) biS(2-methyl-8-qUin〇lat〇H-phenylphen〇late，省略記作 BAlq)蒸鍍成厚度為10nm。 第2電子傳輸層：將作為以通式（ET)所表示之化合 物的以下所示的2,9-二曱基_4,7_聯苯_u〇_啡啉 (Bathocuproin，省略記作 BCP)與 Li，以 u 對於 Bcp 的摻雜量為〇.4wt%的方式進行共蒸鍍。厚度為2〇nm。 ❹ 接著’將LiF蒸鍵成厚度為1 nm來作為電子注入層 後，利用遮罩（shadow mask)進行圖案化，再藉由真空蒸 鐘法設置厚度為100 nm的A1作為陰極。 … 將所製作的積層體放入經氮氣置換的套手工作箱 (glove box)内，使用玻璃製密封罐及紫外線硬化型= 劑（XNR5516HV，Nagase-Ciba 製造）進行密封。

2)本發明的元件2 與本發明的元件1同樣地進行，其中將發光層中的 mCP變更為下述電洞傳輸性主體材料a，除此以外7以與 本發明的元件1相同的組成來製作本發明的元件2。 、 67 201026817 32V3bpif.doc

Φ 3) 本發明的元件3、元件 與本發明的元们同樣地二元件6 番 輸層中對於BCP的U摻雜晷仃’其中改變第欲妒 :=:元:3，_=:二。 Θ •3= U的摻雜量為 4Λ:件6:U的摻雜量為1W， 4) 本發明的元件7〜1〇 “與本發明的姑丨同樣地進行，其中使用 (bathoph^^ bcp 電子傳輸層中的以通式（ET)所表示的化合物 米 變對於4,7-二笨基_1，10_啡#的；Li摻雜量，除此_ >改 與本發明的元件丨姉雜成來製作本發明的元件7〜以 件10。 元 •本發明的元件7 : Li的摻雜量為0.1 wt%。 •本發明的元件8 : Li的摻雜量為0.4 wt%。 68 201026817 51 /^opif.doc 本發明的元件9 : Li的摻雜 本發明的元件 J修雜ϊ為1 wt% 〇

5) 本發明的元件11〜14 與本發明的元件1同樣地進 輸層中的BCP摻雜CS，並且改變/、中對於第2電子' 除此以外，以與本發明的元件摻雜量 的元件11〜元件14。 同的組成來製作本發i :=元=?的椿雜量為。域。 牛U.CS的摻 ❿ ·=明的元件⑴Cs的摻雜量 •本發:的元件14:cs的摻雜量為lwt%。 6) 本發明的元件15〜18 與本發明的元件2同樣地進行， 輪層中的BCP摻雜Cs，並且改_ ^對於第2電子1 :此’以與本發明的元件2 的π*件15〜元件18。 取取表忏本發ε ·=明的締⑴CS的摻雜量為⑹福。 •本發明的元件16:CS的摻雜量為G.4wt%。 69 201026817 32736pif.doc •本發明的元件17 : Cs的摻 •本發明的元件18:Cs的摻雜量為，，。 7) 本發明的元件19推雜里為lwt%。 與本發明的元件！同樣地進行，其 f層中的BCP換雜0.4糾％的Cs2〇V除此^ 2電子傳 發明的=相同的組成來製作本發以與本 8) 本發明的元件2〇 9。 與本發明的元件1同樣地進行， 輸層中的BCP摻雜0.4 w_ Ca，除/此以^於第2電子傳 的元件1相_組成來製作本發明的元件2g’/與本發明 9) 本發明的元件21 與本發明的元件！同樣地進行，其 =中的⑽摻雜〇域的CaF2，除此以外第 明的元件！相同的組成來製作本發明的元件Μ。讀本發 10) 本發明的元件22

本發明的元件1的調製中，將PW 〇 26,外，以與本發明的元件1的調襄== 調製本發明的元件22。以與本發明的元件 ，來 評價所獲㈣it件。 们听㈣方式來 11) 本發明的元件23 本發明的元件1的調製中，將Pt-1更換 29 ’除此以外，以與本發明的元件1的調製同樣 調製本發明的元件23。以與本發明的元件=方，來 評價所獲得的元件。 件4樣的方式來 70 201026817. jz,/jupif.doc 12)比較用的元件的製作 <比較用的元件1> 與本發明的元件1同樣地進行，其中將第2電子傳輸 層變更為BCP單獨，除此以外，以與本發明的元件1相同 的組成來製作比較用的元件1。 <比較用的元件2>

與本發明的元件2同樣地進行，其中將第2電子傳輸 層變更為BCP單獨，除此以外，以與本發明的元件2相同 的組成來製作比較用的元件2。 <比較用的元件3> 與本發明的元件1同樣地進行，其中對發光層進行如 下變更，除此以外，以與本發明的元件1相同的組成來製 作比較用的元件3。 發光層：使用作為主體材料的mCP及作為發光材料 的三（2-苯基》比啶）銥（tris(2_phenyipyridine)iridium，

Ir(PPy)3) ’以mCP與Ir(ppy)3的重量比成為85:15的方式 進行共蒸鍍。 f <比較用的元件4> 與本發明的元件2同樣地進行，其中對 下變更，除此以外，以與本發明的元件:3進仃如 作比較用的元件4。 千的組成來製 發光層：使用作為主體材料的電洞 及作為發光材料的Ir(ppy)3，以電洞傳 I 體材料A Ir(ppy)3的重量比成為8S : 15的方式進材料A與 71 201026817 32/Jdpii.doc <比較用的元件5> 與比較用的元件3同樣地進行，其中將摻雜在第2電 子傳輸層中的材料由Li變更為Cs，除此以外，以與比較 用的元件3相同的組成來製作比較用的元件5。 ” <比較用的元件6> 與比較用的元件4同樣地進行，其中將摻雜在第2電 子傳輸層中的材料由Li變更為Cs/O3，除此以外，以與 比較用的元件4相同的組成來製作比較用的元件6。 ^ <比較用的元件7> 與本發明的元件1同樣地進行，其中對第2電子傳輸 層進行如下變更，除此以外，以與本發明的元件丨相同的 組成來製作比較用的元件7。 第2電子傳輸層：將三(8-經基啥琳)銘（省略記作Α0) 與Li來代替BCP ’以Li對於Alq的摻雜量成為0.4 wt% 的方式進行共蒸鍍。厚度為 20 nm ° <有機EL元件的性能評價> 1)外部量子效率 使用東陽技術（股）製造的電源量測單元（source Measure Unit) 2400，對各元件施加直流電壓，使各元件發 光。使用Topcon公司製造的亮度計BM-8來測定發光的亮 度。發光光譜（emission spectrum)與發光波長是使用浜 权光子學（股）製造的頻譜分析儀（Spectrum anaiyZer ) PMA-11來測定。根據該些數值，利用亮度換算法來算出 亮度為1000 cd/m2時的外部量子效率。 72 201026817 jz/jopif.doc 2) 驅動電壓 使用東陽技術（股）製造的電源量測單元24〇〇，對各 元件施加錢電壓，使各元件發光。岐元射流動的電 流值達到10 mA/cm2時的電壓作為驅動電壓。 3) 驅動耐久性：亮度半衰時間 壓，=

時間。將該亮度半衰時間作為驅動耐久性的指標。， 將所獲得的結果總結在下述表〖中。 73 201026817 32736pit.doc [表1] 元件的編號 外部量子效率 驅動電壓 骧動耐久性 (將比較用的 元件1設為1.00 進行相對比較） (將比較用的 元件1設為l.oo 進行相對比較） (將比較用的 元件1設為1.00 進行相對比較） 本發明的元件1 1.60 0.55 1.90 本發明的元件2 1.50 0.75 2.00 本發明的元件3 1.30 0.70 1.80 本發明的元件5 130 0.75 1.70 本發明的元件6 1.20 0.80 1.30 本發明的尤件7 1.40 0.75 1.55 本發明的元件8 1.50 0.70 1.65 本發明的元件9 1.20 0.85 1.25 本發明的元件10 1.10 0.80 1.20 本發明的元件U 本發明的元件12 1.40 0.70 r 1.90 1.65 0.65 2.10 本發明的元件13 1.40 0.80 1.75 本發明的元件14 1.25 0.85 1.40 本發明的元件15 1.30 0.75 1.60 本發明的元件16 1.55 0.72 1.70 本發明的疋件17 「1.22 0.80 1.30 本發明的70仵18 1.18 0.82 1.10 本發明的疋仵19 1.35 0.80 1.60 本發明的元件20 1.27 0.88 1.40 尽發明的疋仵21 本發明的元件22 本發明的元件23% 比較用的元ίΤ^ 私 ffi AA ;从 Ο 1.20 0.91 1.30 --1.40 0.65 1.50 --L25_ 1.00 0.60 1.00 1.70 — Γοο β τυττ ^ 比較用的元件3 __0.90 1.10 2.20 fc匕較用的元侔4 s0.80 1.40 0.70 4松田从1 乂生 < 〜·〜 ___0.85 1.30 0.85 PC.^5C/Tj 9ν 7υΐψ 〇 比較用的元件f'*' ___1.10 1.00 0.90 比較用的元件7 ___1.10 0.95 0.95 —___〇.70 1.50 0.75

根據上述結果可知，藉由在以通式（ET)所表示的化 合物中掺雜選自由驗金屬、驗金屬鹽、鹼土金屬以及驗土 金屬鹽所組成的組群中的至少-種，ELit件的外部量子效 率、驅動電壓、耐久性會提高。尤其當摻雜 0.4wt%>〇6wt% B#右钕。 · m/〇 74 201026817 jopif.doc 2008 年"n 的全部内容 月21日申請的日本專利特願2008-298212 ^ 乍為參照而併入本說明書申。 本發明，、、任例揭露如上，然其並非用以限定 本發明之積神和軸内具有通常知識者，在不脫離 發明之保護範圍當視後’當可作些許之更動與潤飾，故本 【圖式簡單說明】寸之申請專利範圍所界定者為準。 _ 【主要元件符號說明】 無 參 75

Claims (1)

1. 201026817 όζ /^opif.doc 七、申請專利範圍： 1.一種有機電場發光元件，包括：

   在一對電極間夾持著有機化合物層，上述有機化合物 層至少包含發光層、與上述發光層的陰極侧界面接觸設置 的第1電子傳輸層、以及與上述第丨電子傳輸層的陰極侧 界面接觸S置的第2電子傳輸層，上述發光層至少含有以 :^式（1)所表㈣發光材料與電洞傳輸性主體材料， 電電子傳輸層至少含有以下述通式(ET)所表示的 材料與選自由驗金屬、驗金屬鹽、驗土金屬以 及鹼土金屬鹽所組成的組群中的至少一種·· !fVW

   Α^9Α-〇 Α^αΓ2 通式（1)

   R表示氫原子或取代基;LCI表;：

   通式（ΕΤ) 76 201026817 jz/^opif.doc (通式（ET)中，R!表示氫原子、或者選自由妒 〜10的览基及經取代或未經取代的碳數6〜3〇的芳^ 1 成的組群中的取代基，η表示0〜8的整數；當n 斤組 於2的整數時，多個心相互可相同亦可不同；等 Λ 2.如申請專利範圍第1項所述之有機電場發光元件 其中上述以通式（1)所表示的化合物為以下述通式 所表示的化合物：

   PC15 pCIi

   通式（2) (通式（2)中，AC15、AC16分別獨立地表示C-R或N; R表示氫原子或取代基；RC1〜RC16表示氫原子或取代基）。 3.如申請專利範圍第1項所述之有機電場發光元件， 其中上述選自由鹼金屬、驗金屬鹽、驗土金屬以及驗土金 屬鹽所組成的組群中的至少一種是選自Li、Cs、Ca、LiF、 NaF、KF、RbF、CsF、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、LiQ、 NaC卜 KC卜 RbC卜 CsC卜 MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、 LiHC03、NaHC03、KHC03、RbHC03、CsHC03、Li2C03、 77 201026817 32736pif.doc 、ΜΑ、CS2C〇;、_ 其中項所述之有機電場發光元件， 及給土㈣Γ輪 驗金屬、驗金屬鹽、驗土金屬以 及鹼土金屬鹽的總量的比率 屬以 小於等於2.0重4百分比。W料於G.1重里百分比且 5.如申請專利_第}項所述之 其中上述電洞傳輸性主體材料為十峻生物讀九疋件， 78 201026817 ^z/^opif.doc 四、指定代表圖： (一） 本案之指定代表圖：無。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明： 無。 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式： ⑩ 無。

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