TW201009401A - Polarizing diffuser film and fabricating method thereof and liquid crystal display device including polarizing diffuser film - Google Patents

Description

201009401 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種偏光性擴散膜、偏光性擴散膜的製 造方法以及包含偏光性擴散膜的液晶顯示裝置，特別是有 關於一種適合於液晶顯示裝置的偏光性擴散膜等。 【先剛技術】 液晶顯示裝置廣泛用作電腦、電視機以及行動電話等 的顯示裝置，要求顯示特性進一步提昇、以及希望減少電 力肩耗。針對這些要求的方法有使來自光源的光適度擴 散、使光源的光利用效率提昇。若使來自光源的光適度擴 散，則可擴大液晶顯示裝置的視角，或者可提高亮度等的 面内均勻性。另外，若光源的光利用效率提高，則可提高 液晶顯示裝置的整體亮度而獲得明亮的晝質，並且可減少 電力消耗。 已揭示有：一方面穿透偏光a、另一方面反射與偏光 a正交的偏光b的反射偏光元件，以及包含此反射偏光元 件的液晶顯示裝置（參照專利文獻1)。此液晶顯示裝置自 顯示面侧開始依序具備液晶胞、反射偏光元件、背光源 (backlight)以及擴散反射板。 自此液晶顯示裝置的背光源發出的光中，偏光a穿透 反射偏光元件而成為顯示光，另一方面，偏光b被反射偏 光元件反射而成為反射光。被反射偏光元件反射的偏光b 被擴散反射板反射，同時偏光狀態經隨機化而成為包含偏 光a與偏光b的光。經隨機化的光中，偏光a穿透反射偏 201009401 ,

JlOJJpU 光元件而成為顯示光，偏光b再次成為反射光。如此，可 提高自背光源發出的光的利用效率。此反射偏光元件是由 聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate)所構成的膜 A、與由使用萘二曱酸以及對苯二曱酸（terephthalicadd) 等作為酸成分而得的共聚g旨（C〇P〇lyester )所構成的膜B， 重疊多層而成的多層膜。 其他的反射偏光元件揭示有第2透明樹脂在由第i透 明樹脂構成的連續相中分散成粒子狀或者特定形狀的片 談材，此片材穿透偏光a且反射與偏光a正交的偏光b (參 照專利文獻2及專利文獻9)。此片材是將兩種不同樹脂的 混合物進行擠出成形而獲得的。 另外’揭示有賦予了霧度（haze)異向性的光導（light guide)用膜或片材（參照專利文獻3〜5)。自此膜的端面 入射的非偏光中，僅特定偏光會散射出射，因此可提高自 膜端面照射的光的利用效率。此膜是將含有填料（flller)、 或者不含填料的聚萘二甲酸乙二酯等的膜進行單軸延伸而 0 獲得的。 此外’記載有對經結晶化的未配向樹脂（聚對苯二甲 酸乙一醋（polyethylene terephthalate )樹脂等）進行雙轴 延伸配向而獲得容器用途的樹脂物品的方法（參照專利文 獻6)。 另一方面，對於液晶顯示裝置而言，重要特性之一是 具有正面亮度。提昇正面亮度的方法已知有：將光學膜（例 如反射偏光元件）的表面形狀製成稜鏡（prisrn)形狀，由 201009401 31853pit 此調整自膜表面的岀射角度（參照專利文獻7及專利文獻 8)。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特表平9·506985號公報 [專利文獻2]日本專利特開2003_075643號公報 [專利文獻3]日本專利特開11281975號公報 [專利文獻4]日本專利特開2〇〇1 264539號公報 [專利文獻5]日本專利特開2〇〇149〇〇8號公報 [專利文獻6]曰本專利特開2〇〇5 531445號公報 [專利文獻7]曰本專利特開2〇〇7 272〇52號公報 [專利文獻8]日本專利特開2007_2〇6569號公報 [專利文獻9]曰本專利特表2〇〇〇_5〇6989號公報 專利文獻1中所記載的反射偏光元件是膜Α、化學結 構與膜Α不同的膜Β重疊多層而成的積層體，因此製造方 法複雜，難以降低成本。另外，為了賦予擴散性能，必需 利用貼合或塗裝等來進一步形成具有擴散功能的構件或者 層。此外，專利文獻2及9中所記載的片材是由聚合物合 金（polymer alloy)製造的，因此製造方法複雜，二且^ 以周密地控制偏光特性或擴散性能。 專利文獻3〜5中所記載的膜或者片材可利用比較容 易控制光學特性的方法來製造，是用以對自膜或者片^二 端面入射的光進行導光的構件。因此，專利文獻3〜5中所 §己載的片材不具有使自片材表面入射的光中的特定偏光穿 201009401 透的性能’亦不具有使此穿透光擴散的功能。其原因可能 在於，延伸前的膜的結晶度較小，並且穿透霧度亦較小。 專利文獻6中’將結晶化樹脂延伸而提高其透明性， 但偏光性或擴散性並不充分。 專利文獻7及8中所記载的膜是由兩種不同的樹脂而 獲得’因此製造方法複雜，並且難以周密地控制偏光特性 或擴散性能。 即，先前期望一種使自膜表面入射的光中的特定方向 ® 的直線偏光穿透，另一方面使與此特定方向的直線偏光正 交的直線偏光有效率地反射（即具有「偏光選擇性」），且 具有擴散性的膜。但是’尚未提供可滿足性能及製造容易 性兩方面的膜。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種具有偏光選擇性以及擴 散性的膜、以及容易製造此膜的方法。此外，本發明之目 的在於提供一種提高液晶顯示裝置的正面亮度的膜。 φ 本發明的第1發明是關於以下的偏光性擴散膜。 [1] 一種偏光性擴散膜’其實質上是由一種固有雙折射 大於專於0.1的結晶性樹脂所構成，並且此偏光性擴散膜 對可見光線的總光線穿透率為50%〜90%，對可見光線的 穿透霧度為15%〜90%，且對可見光線的穿透偏光度為 20%〜90%。 [2] 如上述[1]所述之偏光性擴散膜，其中上述偏光性擴 散膜的結晶度為8%〜40%’於對上述偏光性擴散膜照射多 7 201009401 jiwjpu 又偏光鏡(crosse“ic°ls)下的偏光顯微鏡觀 部，上述明部與暗部實質上由相同的 構成，上述明部具有長轴且各明部的上述長軸互相 述明部具有比上述暗部更高的結晶度以及更 [3]如上述⑴或[2]所述之偏光性擴散膜，其中上述偏 昭：晶度為8%〜4〇%’於對上述偏光性擴散膜 又偏光鏡下的偏光顯微鏡觀察中觀察到 ^與暗部’上述明部與暗部實質上由相同的組成所構 f ’上述明部具有長軸且各明部的上述長轴互相大致平 打’在上述偏光性擴散膜的與上述明部的長轴方向大致平 行的切斷面巾，氬離子雷餘曼分絲料（Won-laser Raman spectroph〇t〇meter )，對與上述明部的長 大致垂直、且通過明部與暗部的5㈣的線上，照射具有 514.5 nm波長的光並以0.5㈣間隔進行掃描，將所得拉 曼光譜（Raman spectrum)的173〇咖]附近的拉曼帶 (Raman band)的半寬值相對於測定位置而進行作圖 (plot)，此時相鄰的極大峰值（peak)與極小峰值之差的 至少-個為大於等於〇·2 ^ ’並且在上述偏紐擴散膜 的與上述明部的長轴方向大致平行的切斷面中，利用氬離 子雷射拉曼分光光度計，對與上述明部的長軸方向大致垂 直、且通過明部與暗部的5 _的線上，照射與上述明部 的長轴方向平行以及垂直的偏光並以〇·5 _間隔進行掃 描，將所得拉曼光譜的當照射與上述明部的長軸方向平行 201009401 的偏光時的1615 cm·1附近的拉曼帶強度Ip、與當照射與 上述明部的長軸方向垂直的偏光時的1615 cm·1附近的拉 曼帶強度Iv之強度比（ip/iv)相對於測定位置而進行作 圖’此時相鄰的極大峰值與極小峰值之差的至少一個為大 於等於0.03。 [4] 如上述[1]至[3]中任一項所述之偏光性擴散膜，其 中上述偏光性擴散膜的結晶度為8%〜40%，上述偏光性擴 散膜由上述固有雙折射大於等於0.1的結晶性樹脂的單軸 © 延伸樹脂膜所構成’上述單轴延伸樹脂膜在將膜厚度設為 100 時的對可見光線的穿透霧度為20%〜90%，上述 單轴延伸樹脂膜的與延伸方向垂直的切斷面的穿透式電子 顯微鏡（transmission electron microscope，TEM)像（攝 像範圍的膜厚度方向的距離為0.1 且攝像面積為45 ym2)中觀察到明暗結構，並且上述明暗結構的明部與暗 部實質上由相同的組成所構成。 [5] 如上述[1]至[4]中任一項所述之偏光性擴散膜，其 ❹ 中利用微波（microwave)穿透型分子配向計所測定的上述 偏光性擴散膜的當將基準厚度設為1〇〇 時的標準化 分子配向MOR-c為1.2〜7。 [6] 如上述[4]所述之偏光性擴散膜，其中上述明暗結構 的二值化圖像中的明部的面積分率為6%〜80%。 [7] 如上述[1]至[6]中任一項所述之偏光性擴散膜，其 中將膜厚度設為1〇〇 //m時的穿透偏光度為30%〜9〇〇/0。 [8] 如上述[2]至[7]中任一項所述之偏光性擴散膜，其 201009401 318>ipit 中上述結晶度為8%〜30%。 [9] 如上述[1]至[8]中任一項所述之偏光性擴散膜，其 中上述結晶性樹脂為聚酯（polyester)系樹脂、芳香族聚 醚酮（polyether ketone)樹脂、或者液晶性樹脂。 [10] 如上述[1]至[9]中任一項所述之偏光性擴散膜，其 中上述結晶性樹脂為聚對苯二曱酸乙二酯樹脂。 [11] 如上述[1]至[10]中任一項所述之偏光性擴散膜， 其中上述偏光性擴散膜的至少一方的表面具有具備聚光功 能的表面形狀。 [12]如上述[11]所述之偏光性擴散膜，其中上述具備聚 光功能的表面形狀為上述偏光性擴散膜的表面形狀、或者 與上述偏光性擴散膜的表面接觸的樹脂層的形狀。 Π3]如上述[11]或[丨2]所述之偏光擴散膜，其中上述具備聚 光功能的表面形狀為一維稜鏡、二維稜鏡、或者微透鏡 (microlens ) 〇 方法 本發明的第2發明是關於以下的偏光性擴散膜的製 造 [14]-種偏光性擴散膜的製造方〉去，其是用於製造如 上述[1]至[13]中任-項所述之偏紐擴散賴方法， =包括：對由©有贿射大於等於Q1的結晶性樹脂所構 成的非晶狀態的片材進行加熱而獲得結晶化片材的步驟. 以上述結晶化片材為主而朝單軸方向延伸的步驟。’ Π5]如上述[I4]所述之偏光性擴散膜的製造方法，其 件上述結晶化片材的步驟中，在下述式⑴所示的溫度 201009401 OIOJOpll T下’將上述非晶狀態的片材加熱至結晶度達到大於等於 3%為止：

Tc-30°C^T<Tm-10°C (1) (式（1)中，Tc表示上述結晶性樹脂的結晶溫度 (crystallization temperature)，Tm 表示上述結晶性樹脂的 熔點）。 [16]如上述[14]或[15]所述之偏光性擴散膜的製造方 法’其中上述結晶化片材的可見光線的穿透霧度為7〇/0〜 70% ’且結晶度為3%〜20%。 本發明的第3發明是關於使用偏光性擴散膜的液晶顯 示裝置。 [Π]—種液晶顯示裝置，其包括：（a)液晶背光源用 面光源、（B)至少一個光學元件及/或氣隙（airgap)、（c) 如上述[1]至[13]中任一項所述之偏光性擴散膜、以及（〇) 用兩片或兩片以上的偏光板夾持液晶胞而成的液晶面板， 並且上述（A)液晶背光源用面光源至（d)液晶面板的各 ® 構件按上述順序配置。 [18] 如上述[17]所述之液晶顯示裝置，其中上述（c) 偏光性擴散膜與上述（D)液晶面板鄰接配置。 [19] 如上述[17]或[18]所述之液晶顯示裝置，其中上述 (C)偏光性擴散膜兼作構成上述液晶面板的偏光板 的光源侧保護膜。 [20] 如上述[17]至[19]中任一項所述之液晶顯示裝 置’其中上述（C)偏光性擴散膜的反射轴、與構成上述 11 201009401 31853pit (D)液晶面板且配置於上述光源側的偏光板的吸收軸方 向大致相同。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種具有偏光選擇性以及擴散性 的膜以及谷易製造此膜的方法。此外，可提供一種液晶 顯不裝置的正面亮度更高的偏光性擴散膜。由此，可提供 種具有偏光性擴散膜、高亮度且寬視角、亮度不均較少 的液晶顯示裝置。 e 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉實施例’並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 在以下的說明中，使用「〜」來規定數值範圍，但本 發明的「〜」包括邊界值。例如「1〇〜1〇〇」是指大於等於 10且小於等於100。 1.偏光性擴散膜 偏光性擴散膜是兼具「偏光選擇性」與「擴散性」的 ❹ ，。偏光選雜是指特定方向的錢偏光穿透得比與此特 疋方向的直線偏光正交的直線偏光多，並且 特定方向的直線航正㈣直線偏光的特性。t方面與 2性是減穿透鎌散的懸。即，偏光,㈣散膜可使 2方向職光㈣雜散，叫此狀方向的直線 偏光正交的直線偏光則被反射而回到光入射側 ，光性擴散膜具有-定以上的對可見光線的總光線 穿透率。本發明福紐擴賴的對可絲_總光線穿 12 201009401

透率較好的是大於等於5〇%，更好 述總光線穿透率越高越好，由於在臈兩面 射’故通常為小於等於90%。但是，、 產生表· 膜等來進-步提高總光線穿透率。、错由設置抗反射 藉由使上述總光線穿透率大於等於5〇%，可利用偏光 選擇性（偏光反射性）以及擴散性的效果 損及包含本發明之偏光性擴散膜的表：

h ^中凊案中的對可見光線的總光線穿透率是總光線 穿透率的視感平均值，可按以下順序求出。 U在刀光光度计的積分球（integrating sphere)的光 線入射口侧的試驗片設置部的近前設置消偏光 (depolarization)板，以使可自消偏光板表面的法線方向 入射光。藉此，使得可自試驗片即膜表面的法線方向入射 未偏振的光。使穿透了消偏光板的波長範圍為38〇 nm〜 780nm的光入射至膜表面，並每隔⑺加^測定總光線穿透

上 面反 率。 2) 根據上述1)所得的總光線穿透資料’且依據JIS R-3106來算出視感平均值的總光線穿透率Tt〇tal。 3) 可將具出的總光線穿透率Tt〇tai轉換成將膜厚度t 设為100 /zm時的值（Tt〇tal@l〇〇 #m)。具體而言，代 入以下式子即可。 [數1] 13 201009401 31853pit

Ttotal @100/um=i〇〇x exp

100 r Ttotal γ~--- Ln t 100 L J • · ·式（1 ) 八光ίίίΪ 光板，_便分枝度計的 二的偏光，亦可對偏光進行修正’並評 知膜^來的特i或者’當不使用消偏光板時，亦可以如 下方式測定總光線穿透率Tt〇ta卜 1)—使波長範圍為380 nm〜·脑的光照射至膜表 面，並每隔10 nm測定總光線穿透率。 2) 使上述1)的膜在包括膜表面的平面内旋轉9〇度， 並以與1)相同的方式測定總光線穿透率。 3) 求出上述1)與2 )中所測定的總光線穿透率資料 在各波長下的平均值，而獲得平均總光線穿透資料。根據 平均的總光線穿透資料，算出視感平均值的總光線穿透率 Ttotal。 表示偏光性擴散膜的偏光選擇性的指標之一例為「穿 透偏光度」。膜的穿透偏光度是表示選擇性穿透偏光v、與 偏光V正交的偏光p中任一種偏光的性質的指標。即本發 明之偏光性擴散膜如後所述般包含單轴延伸樹脂膜，具有 將與此早轴延伸樹脂膜的延伸方向（延伸轴）垂直的偏光 V比與延伸方向（延伸軸）平行的偏光P更選擇性地穿透 的性質。「反射轴」是指將與此轴平行的偏光比與此軸垂直 的偏光更選擇性地反射的軸。 穿透偏光度以如下式子表示。下述式中，「Tv」表示 201009401

Jioj^pu 膜對上述與延伸㈣直的料V的總級穿透率⑼）。 [數2]

1/2 穿透偏光度（％)：=

Tv -Tp

Tv +TP

x 100 …式（2)

本發明之偏級擴制的對可見光_穿透偏光度 較好的是大於等於20%，更好的是大於等於规，尤其好 的是大於等於4G%。另外’就與擴散性的平衡方面而言， 上述穿透偏光度為小於等於9〇〇/0。

對於本發明之偏光性擴散膜而言，「每單位厚度的膜 的穿透偏光度」亦為重要參數（parameter)。若每單位厚 度的膜的穿透偏光度過低，則為了確保偏光性擴散膜的性 能，而必需使膜達到極厚。因此，就膜的操作性或樹脂必 需量的觀點而言，欠佳。因此，將膜厚度設為100 時 的穿透偏光度（穿透偏光度@100 em)較好的是大於等 於30%，更好的疋大於等於40%。將膜厚度t設為100 # m時的穿透偏光度，是根據式與式（4)來算出將膜 厚度t設為100 /zm時的Tv以及Tp(Tv@1〇〇以瓜以及 Tp@100 /zm)’ 再將算出的 Tv@1〇〇 以及 ym代入式（5)中求出即可。 [數3] 15 201009401 31853pit

Tv@1〇〇//m=ioo χ exp

Tp@10〇Aim = i〇〇〆 exp 100

Ln 100 式（3) 100 r

Ln

Tp …式（4) 100 1/2 穿透偏光度@100 Jtim (%)：

Tv@100^m一 Τρ@100//πι Τν@100//ιη + Τρ@1〇〇//ηΓ :100 …式（5)

特別是當將偏光性擴散膜應用於液晶顯示裝置時’較 好的是使膜對偏光V的總光線穿透率Tv比膜對偏光p的 總光線穿透率南10%或10%以上。藉此，可對液晶顯示裝 置賦予更優異的顯示特性。 穿透偏光度的測定根據以下順序進行即可。 1)在分光光度計的積分球的試驗片設置部的近前設 置偏光板’以使可自經設置的偏光板表面的法線方向入射 光。藉此’可使與偏光板的吸收轴垂直的直線偏光入射至 試驗片。

2) 使試驗片即膜與偏光板密接而設置，並測定對1 光線的總光線穿透率^ 3) 首先，使試驗片即膜的延伸軸與入射的直線偏; 的偏光方向平行。照射波長範圍為38〇 nm〜78〇 nm的] 線偏光，每隔波長10細測定總光線穿透率。將測定值丨 以偏光板的總光線穿透率，且依據JIS R 3i〇6，求 伸轴平行的偏光的總光線穿透率Tp。可將所求 、 換成 Tp®100 vm。 j 16 201009401 ^χο^^μιχ 4) 接著，使試驗片即膜在包括膜表面的平面内旋轉 90度，使試驗片即膜的延伸軸與入射的直線偏光的偏光方 向垂直。以與3 )相同的方式照射波長範圍為38〇 nm〜78〇 nm的直線偏光，並每隔波長1〇 nm測定總光線穿透率。 以與3)洲的方式，㈣定值除以偏光板的總光線穿透 率，且依# JIS R-3106，求出與延伸轴垂直的偏光的總光 線穿透率Tv。可將所求出的Tv轉換成Tv@1〇() ym。

5) 將所得的總光線穿透率Tp以及Tv、或者Tp⑥1〇〇 /zm以及Tv@l〇〇 代入上述式（2)或式（5)中，從 而算出穿透偏光度。 另一方面，表示偏光性擴散膜的擴散性的指標之一例 為穿透霧度」。本發明之偏光性擴散膜的對可見光線的穿 透霧度較好的是大於等於15%，更好的是大於等於25%。 其原因在於’當將此偏紐擴散朗祕液晶顯示裝置的 光擴散膜時，可給裝置帶來不觸減少以及均勻的亮度。 另外’上it穿透霧度較好的是小於等於9〇%。其原因在於， 穿透霧度過高__具有高擴散性，但由於光線損失等 而使液晶顯示裝置的亮度下降。 介對於本發明之偏紐贿膜而言，「每單位厚度的膜 =牙透霧度」亦為重要參數。若每單位厚度的膜的穿透霧 度過低’則為了確保偏光性擴散膜的性能，而必需使 2厚。因此’就朗操作性或樹脂必需量的觀點而言， 方面，若每單位厚度的膜的穿透霧度過高，則 所需厚度的_穿透霧錢得過高，亦會有由於光線損^ 17 201009401 31853pif 等而使液晶顯示裝置的亮度下降的情況。因此，將膜厚度 設為100 //m時的穿透霧度（穿透霧度@1〇〇 ，較 好的是20%〜90%，更好的是3〇%〜8〇%。 穿透霧度以及穿透霧度®l〇〇 //m的測定按以下順 序進行即可。 1) 在分光光度計的光線入射口的試驗片設置部的近 前設置消偏光板，以使可自消偏光板表面的法線方向入射 光。藉此，使得可自試驗片即膜表面的法線方向入射未偏 振的光。使波長範圍為380 nm〜780 nm的光照射至膜表 面，並每隔波長10 nm測定平行光線穿透率。 2) 根據上述1)中所得的平行光線穿透資料，且依據 JIS R-3106，算出視感平均值的平行光線穿透率Tpara。 3) 根據上述2)所算出的平行光線穿透率Tpara、以 及上述的總光線穿透率Ttotal，由以下式（6)算出穿透霧 度。 4) 將上述2)中所算出的平行光線穿透率Tpara轉換 成將膜厚度t設為100 時的值（Tpara@i〇〇 ym)。 具趙而言，代入以下式（7)中即可。 5) 根據上述4)中所算出的將膜厚度t設為1〇〇以m 時的平行光線穿透率（Tpara@100 //m)、以及上述的將 膜厚度t設為100 //m時的總光線穿透率（Tt〇tal@1〇〇 # m)’由以下式（8)鼻出將膜厚度t設為1〇〇 時的穿 透霧度（穿透霧度@100 //m)。 »4] 18 201009401 式⑹ 穿透霧度=100 x (1 — Tpaca/Ttotal)

Tpara@100|/>n = 1〇〇 x exp·] |_η

Tpara Τδο^ 式(7) …式(8) 穿透霧度 @1〇〇#πι = 1〇〇x(i—Tpara^lOOjUm/Ttota^lOOKm) 如以上所述，本發明之偏光性擴散膜在光學特性上， 主要是對可見光線的「總光線穿透率」、「穿透偏光度」以 及「穿透霧度」的三種光學特性上可賦予特徵。即，本發 明之偏光性擴散膜中，三種光學特性在高維上取得平衡 (balance)。特別是「每單位厚度的穿透霧度」與「穿透 偏光度」的並存具有優點。可認為此優點是藉由後述的膜 的結晶度或「結晶性相對較高、且分子配向相對較強的部 分」與「結晶性相對較低、且分子配向相對較弱的部分」 的混合存在狀態而實現的。 上述的穿透偏光度、穿透霧度、以及總光線穿透率的 測定’例如使用曰立高新技術（Hitachi High-Technologies) β 公司製造的分光光度計U-4100、以及視需要的150Φ積分 球附屬裝置即可。 本發明之偏光性擴散膜包含結晶性樹脂的樹脂膜，較 好的是包含結晶性樹脂的單軸延伸樹脂膜。本發明之偏光 性擴散膜更好的是實質上包含一種結晶性樹脂的單轴延伸 樹脂膜。其原因在於’若單轴延伸樹脂膜是由多種不同的 樹脂所構成的樹脂合金，則在種類不同的樹脂彼此間容易 產生界面而發生相分離。特別是若多種樹脂彼此的相容性 19 201009401 31853pn 較低’則界面的黏接力較弱’因此延伸時界面容易剝離而 產生空隙（V〇id)。若產生空隙，則空隙的光線散射變得過 強而導致光線損失，從而難以控制光擴散性。 結晶性樹脂是指包含結晶性高分子的樹脂，是結晶質 區域形成較多的樹脂材料。此處’結晶性樹脂的固有雙折 射較好的是一定以上的值。 固有雙折射是指「表示高分子的分子配向性的高度的 參數」’以如下式子表示。在下述式中’ Δη。表示固有雙折 射，η表示平均折射率，Να表示亞佛加厥數（Av〇gadr〇 ❹ number) ’ p表示密度，μ表示分子量，丨表示分子鏈方 向的極化率（p〇larizabiiity); 表示與分子鏈垂直方向的 極化率。 [數5] Δη°= (2^/9) {(η2+2)2/η} (ΝΑ·ρ/Μ)(αι-α2) 固有雙折射較高的樹脂在利用延伸或其他方法進行 加工時表現出分子配向而其雙折射變大的特性。 各種樹脂的固有雙折射例如記載於日本專利特開 2^)04-35347號公報等中。本發明之偏光性紐膜中所含❺ 單轴延伸樹脂膜的結晶性樹脂的固有雙折射較好的是大於 等於0.1。固有雙折射大於等於〇1的結晶性樹脂的例子包 括聚醋系樹脂、芳香族聚趟_樹脂以及液晶性樹脂。 固有雙折射大於等於01的聚醋系樹脂的具體例中包 20 201009401 J l O^JUkL 括：聚對苯二甲酸乙二函旨、聚2,6蔡二甲酸乙二醋 苯二甲酸丙二醋、聚對苯二f酸丁二酿等，較好的是聚對 苯二甲酸乙二醋或者聚2,6_萘二甲酸乙二醋。固有雙折射 大於等於0.1的聚醋系樹脂的具體例中亦更包括：上 酯樹脂的共聚物，或者在上述聚醋樹脂中含有大於等於 莫耳百分比（mol%)的間苯二甲酸、環己烷二子醇、對苯 二曱酸二甲酯等作為共聚單體而得的共聚物。 固有雙折射大於等於（U的芳香族聚醚酮樹脂的具體 例中包括聚醚醚酮。固有雙折射大於等於〇1的液晶性樹 脂的具體例中包括對苯二甲酸乙二酯與對羥基苯甲酸的聚 縮合物。 固有雙折射大於等於0.1的結晶性樹脂的主成分較好 的是聚對苯二甲酸乙二酯。聚對苯二曱酸乙二酯的例子包 括：將對苯二甲酸與乙二醇作為單體成分的聚縮合物（均 聚物（homopolymer));更包含對苯二曱酸與乙二醇以外 的共聚單體成分的共聚物（共聚物）。 Φ 聚對苯二甲酸乙二酯的共聚物中的共聚單體成分的 例子包括：二乙二醇、新戊二醇、聚烷二醇、1，3_丙二醇、 I4-丁二醇、1，4-環己烷二曱醇等二醇成分；己二酸（adipic acid)、癸二酸（sebacic acid)、鄰苯二曱酸、間苯二甲酸、 2,6·萘二甲酸等羧酸成分；以及對苯二甲酸二甲酯等酯成 分等。 聚對笨二曱酸乙二酯的共聚物中的共聚單體成分的 含量較好的是小於等於5重量百分比（wt%)。其原因在 21 201009401 31853pit 於常共聚單體成分具有阻礙結晶化的傾向，但是若此 共t單體成分的含量為上述範圍，則不會阻礙後述明暗結 構的形成。由於共聚單體成分具有阻礙結晶化的傾向因 此可在結晶性較低的暗部含有比較多的共聚單體成分。此 外，暗部與^部各自所含的共聚單體成分等的含量可不同。 聚對苯二甲酸乙二醋的例子中亦包括：作為同種樹脂 的混合物的上述均聚物與上述共聚物的混合物；分子量不 同的上述均聚物彼此的混合物；分子量不同的上述共 彼此的混合物等。 帽 聚對苯二甲酸乙二酯可在不損及本發明效果的範圍 内含有與此聚對苯二情乙二8旨相容的不同種類的樹脂。 此種不同種類的樹脂的例子包括：聚萘二曱酸乙二酯或聚 =苯二甲酸丁二醋等。其中，若添加過多的不同種類的樹 脂，則會發生相分離。因此，不同種類的樹脂的含量較好 的疋相對於聚對苯二甲酸乙二酯而小於等於5 wt%。為了 確實地抑制因不同種類的樹脂與聚對苯二甲酸乙二酯的混 合所引起的相分離，較好的是將萘二甲酸等作為共聚單體 成分而使其少量共聚合。 〇 聚對苯二甲酸乙二酯可在不損及本發明之效果的範 圍内3有低分子董蠛（wax)、塑化劑（plasticizer)、高級 脂肪酸以及其金屬鹽等其他成分。聚對苯二曱酸乙二酯在 聚合階段或者聚合後可含有結晶成核劑、熱穩定劑、抗氧 化劑（antioxidant)、抗靜電劑（antistatic agent)、满滑劑、 耐光劑、抗結塊劑（anti_bl〇cking agent)、增稠劑、紫外線 22 201009401

Jlojjpu 吸收劑、螢光增白劑、顏料、_料各種添加劑。 結晶成核齡要可控制__ 結，者結晶尺寸㈣。即，聚對苯二甲 的結S曰度基本上取決於樹脂的_，而不會受解 =等各種添加劑的較大影響。結晶成核劑的例子^括 酸、亞雜及其等義以及二氡切（siliea)、高嶺土 (kaoHn)、碳酸舞、二酸化鈦、硫酸鋇、滑石（⑽）

化铭（alumina)等無機粒子；各種右嬙 χ f他成分以及各種添加劑的添加量較好的是相對於 聚對苯二甲酸乙二自旨而小於等於5㈣。在僅含有例如 ppm級（〇—)等少量的其他成分以衫種添加劑時，此 其他成分以及各種添加劑不必與聚對笨二甲酸乙二酽 相容性。 θ、有

本發明之偏光性擴散膜包含上述的單軸延伸樹月t 膜·，此單軸延伸樹脂膜中可含有適量的用以削減紫外線= 公知紫外線吸收劑、用以提昇阻燃性的公知阻燃劑、用以 提昇耐光性的公知耐光劑、以及用以調整顯示裝 的色劑等。 —W 關於本發明之偏光性擴散膜中所含的由結晶性樹浐 所構成的單轴延伸樹脂膜的結晶度，為了優先獲得膜的^ 寸穩定性，較好的是8%〜40% ;為了優先獲得較高的穿透 偏光度，較好的是8%〜30%。即原因在於，經熱固定（延 种後用以使延伸狀態固定的熱處理）的上述單軸延伸樹= 膜雖然結晶度變高，穿透偏光度稍有降低，但具有高严^ 23 201009401 31853pif 存後的光學特性的降低或尺寸變化較少的優點。 由結晶性樹脂所構成的單軸延伸樹脂膜的結晶度更 好的是11%〜29%。其原因在於，可獲得上述所需的總光 線穿透率、穿透霧度、偏光選擇性。 結晶度可與延伸前的由結晶性樹脂所構成的片材的 結晶度同樣地，根據使用密度法的測定或使用X射線繞射 法的測定而求出。密度法是指根據樹脂的密度而求出結晶 度的方法。基準樹脂的密度例如記載於以下的文獻中。 R. de. P. Daubeny, C. W. Bunn, C. J. Brrown, Proc. Roy. Soc., A226, 531 (1954) 樹脂密度測定的較好例子包括使用密度梯度管 (density gradient tube )法的測定。密度梯度管法在 JIS-7112中有規定，除測定溶液的製備以外，可依據 JIS-7112來進行。使用密度梯度管法的密度測定，例如使 用饮度梯度管法比重測定用水槽（OMD-6/池田理化工業股 份有限公司）進行即可。 另外’在藉由對由結晶性樹脂所構成的結晶化片材進 行單軸延伸而獲得的膜内，結晶相與非晶相混合存在。本 發明之偏光性擴散膜中，「結晶性相對較高的部分」與「非 晶性相對較高且結晶性相對較低的部分」的混合存在狀 態’可利用將膜切成薄片而觀察到的穿透型電子顯微鏡 (γΕΜ)圖像來進行觀察。此混合存在狀態可利用將膜切 成薄片而觀察到的ΤΕΜ圖像來觀察到「明暗結構」。 利用ΤΕΜ觀察到的明暗結構是指在ΤΕΜ圖像中「明 201009401 部」與「暗部」混合存在的結構，具體而言是指「明部」 與「暗部」形成海島的結構。在後述圖1A以及圖1B所示 的本發明之偏光性擴散膜的TEM圖像中，一般認為「明 部」是結晶性相對較高的部分，「暗部」是結晶性相對較低 的部分。關於TEM像中的「明部」與「暗部」的結晶性 的比較，可在後述的顯微拉曼分析（解析度為1以瓜）中 ❹

以橫切明部與暗部兩者的方式進行掃描，對拉曼光譜進行 分析而確認。 /3°丨”咁砟貫貿上疋由相同組成的樹脂（高分子）所 構成。所謂「明部與暗部實質上由相同組成的樹脂所構 成」’並非是指「構成明部的樹脂」中有「構成暗部的不同 ί且成的樹絲子或填料等」的狀態，而是指構成明部與暗 ㈣兩者的成分實質上為相同組成的樹脂成分。 j 1Α^挺伸㈣平行的糾自簡 向垂直的膜剖面TEM像。圖ia以及圖ib‘ 3Si厚度方向的距離為°，1 _，且攝像面積為45 ί方白方向平行的膜剖面Τ·像中可看到朝延 =、)或者朝與膜表面平行的方向賴嫌的= 郝的與延伸方向垂直的祺剖面ΤΕΜ射的島壯明 部的長軸的大小並無特別限二狀明 言，較好的是大於望μ 1ΛΛ 洗實現先學效果的觀點而 大於等於1〇〇職，特別好的是廳細〜2〇 “ 25 201009401 31«53pit m。此外，小於1〇〇nm的島相亦可同時存在。 而且，本發明之偏光性擴散膜在與延伸方向垂直之剖 面的TEM像（參照圖1B)的二值化處理圖像（參照圖ic: 將圖1B的TEM像進行二值化處理而

部的面積分率」，較好的是6%〜8〇%，更好象的)是U 75%’尤其好的是3〇%〜6〇%。 ^ TEM像中的「明部」與「暗部」未必是明確的，而是 為此。卩刀的樹脂绝、度或結晶性不同。由於密度或結晶性 不同，故涊為其折射率、配向性、或雙折射亦不同。 ❿ 在膜的剖面TEM像中，當明部分散於暗部中時，由 於構成明部與暗部的樹脂的折射率不同，而產生膜的界面 反射或光散射。因此，在膜的剖面TEM像中，若分散有 適度量的明部’則可將膜的穿透霧度調整至適宜的範圍内。 TEM像中的「明部」與「暗部」由於各自樹脂的密度、 結晶度不同，而導致配向性不同，且延伸後的雙折射產生 差異。雙折射產生差異的結果是，會在與延伸方向平行的 方向與垂直的方向上產生不同的折射率差。因此，對與延 ❹ 伸方向平行的偏光的反射率或光散射、及對與延伸方向垂 直的偏光的反射率或光散射產生差異。如聚對苯二甲酸乙 二酯般具有正雙折射的結晶性樹脂中，與延伸方向平行的 方向的折射率差大於垂直方向的折射率差，因此與延伸方 向平行的偏光更容易被反射、散射。 膜的剖面TEM像中的明部與暗部的界面越多，則與 延伸方向平行的偏光與垂直的偏光的反射量或散射量之差 26 201009401 變得越大，膜的穿透偏光度變得越大。若各明部的面積過 大、或明部連接而互不分離，則與暗部的界面會變少。另 一方面，若明部與暗部的界面過多’則會過度散射而使光 線損失增加或偏光發生散射。因此，重要的是膜的剖面 TEM像中的明部以適度量、適度形狀分散。

為了獲得單軸延伸樹脂膜的剖面的TEM圖像，首先 將單軸延伸樹脂膜切割而獲得薄切片試料。使上述切斷面 與單轴延伸樹脂膜的延伸方向垂直、且與膜的厚度方向平 行。薄切片試料可利用一般方法而獲得，例如可藉由如下 方式獲件·將嵌入有樹脂的膜樣品（Sample)固定於超薄 切片機（ultmmicrotome)的試料固定器（h〇lder)上，接 著使用刺刀刃進行修整（trimming)，使用玻璃刀（giass knife)或者人工藍寶石刀（sapphire knife)切割出面然 後使用超薄切片機的鑽石刀（diam〇ndknife)切出 m〜1 厚度的薄切片。 二所得的薄切片試料可任意地進行染色。例如可將切 試料投人至放人了四氧化釕結晶的染色容^中 蒸汽染色約2小時。 仕^ 皿下 使用穿透式電子顯微鏡裝置對經染色、或者未經 的薄切片試料的切斷面進行攝像，獲視 像）°穿透式電子顯微鏡裝置的例子二2 =新技術公㈣造的H_7伽較好的是將加 l=v〜IGkv左右。將觀察倍率例如料約議2 倍，且較好的是將觀察視野_設為5 Am2〜1〇〇〇〇 27 201009401 31S53pii β 1000 /z m2。以約 5000 倍 ，更好的是設為1〇以心 〜50000倍的倍率輸出圖像。 獲得經輸㈣TEM圖像的每悔 體明亮度的平均明亮度。、將比平均明亮度^ =」爾素數相對於總像素數的比率作為「明部的面積 圖=理可使用通常所利用的圖像分析軟體“列如 yne as and 製作的 ImageJ i J2s)來進 ， ❹ 等—般的圖像數位槽（d;gitaif；) 階，256灰階）；對每個像素求出灰 =::r階;將平均灰階糊值二二= i理將大於等於閾值的灰階（明亮）的像素設為卜且 值的灰階（暗）的像素設為G;紐算出與總像 素數相對的值1的像素數，作為明部的面積分率。 此外，由於TEM觀察狀態或者圖像輸出的主要因素， ❹ 管實際上具有相同的明亮度’但在經輸出賴像中是以 不同的明亮度輸$的。例如，在圖像的左舰域與右侧區 域儘g實際上具有相同的明亮度，但是以不同的明亮度 輸出；或者隨著自圖像的左侧至右侧，儘管實際上具有相 同的明亮度，但是以緩慢變亮的結果輸出。此種情況下， 較好的是在進行背景（background)修正後，再谁彳千亩方 圖化以及算出平均灰階、二值化處理，從而算出明部的面 積分率。 28 201009401 oiojjpu 本發明之偏光性擴散膜中，「結晶性相對較高的部分」 與「非晶性相對較高且結晶性相對較低的部分」的混合存1 在狀態，亦可利用偏光性擴散膜在交叉偏光鏡下的偏光顯 微鏡圖像，作為「明暗結構」而被觀察到。後述圖2A所 示的交叉偏光鏡下的偏光顯微鏡圖像中，「明部」是結晶性 相對較尚的部分；「暗部」是結晶性相對較低的部分。關於 交叉偏光鏡下的偏光顯微鏡圖像中的「明部」與「暗部」 ❹ 的結晶性以及配向性的比較，可在後述顯微拉曼分析（解 析度為1 /zm)中以橫切明部與暗部兩者的方式進行掃 描，再對拉曼光譜進行分析而確認。 一，部與暗部與上述同樣地，實質上由相同組成的樹脂 (尚分子）所構成。即，所謂「明部與暗部實質上由相同 組成的樹脂所構成」，是指構成明部的成分、與構成暗部的 成分實質上為相同組成的樹脂成分。 、圖2A疋對結晶性樹脂的單轴延伸樹脂膜的與延伸方 向平行的切斷面照射多色光時的在正交偏光鏡下的偏光顯 ❹ 微鏡照片（觀察範圍約200 /zm2)。如圖2Α所示，與延 伸^向平行的膜剖面的偏光顯微鏡像中 ，可觀察到相對較 1月党的「明部」、以及相對較暗的「暗部」。「明部」與「暗 部」可形成海島結構。明部可為具有主要朝延伸方向伸長 的長軸的島狀。 交又偏光（包括正交偏光鏡）下的偏光顯微鏡照片 古’相對明亮的部分（明部）具有結晶度以及配向度均較 @的傾向’相對較暗的部分（暗部）具有結晶度以及配向 29 201009401 31853pif 度均較低的傾向。即，明部的結晶度以及配向度高於暗部 的結晶度以及配向度。若結晶度較大，則易於配向；若配 向度較大，則雙折射變大。因此，所謂「明部的結晶度以 及配向度大於暗部的結晶度以及配向度」，是指「明部的雙 折射大於暗部的雙折射」。 如此可認為，圖1B的TEM像中的「明部」與圖2A 的偏光顯微鏡像中的「明部」相對應；圖1B的TEM像中 的「暗部」與圖2A的偏光顯微鏡像中的「暗部」大致相

對應。 偏光顯微鏡圖像是使用在穿透像的入射光側、觀察光 侧分別配置有偏光元件（偏光膜）的裝置：nik〇n OPTIPHOT-2來觀察的。偏光像是使用攝影裝置：canon POWERSHOT A650 ’ 設定物鏡：χΙΟΟ、觀察倍率：1〇〇〇 倍來攝影的。 ❹ 則 單轴延伸樹脂膜的偏光顯微鏡圖像是藉由對膜表面 進行直接觀察而獲得的，但是為了獲得分析精度較高的偏 光顯微鏡圖像，較好的是將單轴延伸樹脂膜切斷而獲得薄 切片試料。使上述切斷面與單轴延伸樹脂膜的延伸方向平 行、且與膜的厚度方向平行。薄切片試料可利用與上述相 同的一般方法獲得。關於單轴延伸樹脂膜的具有與延伸方 向平行之切斷面的切片的厚度，就容綠察到明暗結構的 觀點而言’較好的是0.5 "m〜2 ，若進一步考 拉曼分析的空間解析度（Spatial res〇luti〇n)為^以m， 切片的厚度更好的是1 "m〜2 ，尤其好的是i私 30 201009401 、一本發明的交又偏光鏡狀態是指夾持膜樣品的兩個偏 光兀f的偏光轴所成的角互相交叉的狀態（非平行偏光鏡 的狀I)較好的是在兩個偏光元件的偏光軸交又的狀態 下’改變這些偏光軸交叉的角度以尋找明暗對比度 (contrast)達到最高的角度’然後在此角度（例如9〇。等） 下觀察明暗像。 ▲本發明之偏光性擴散膜的結晶度以及配向度的分佈 參 狀態例如圖2B所示般，可藉由使用雷射拉曼分光光度計， 在與延伸方向垂直的方向（與明部的長軸方向大致垂直的 ，白）上進行線分析而測定。具體而言，結晶度的分佈狀 態疋利用照射具有514 5 nm波長的光而得的氯離子雷射 拉曼光譜而較的。配向度的分佈狀態是棚分別照射盘 延伸方向平行的偏光以及垂直的偏絲得的氬離子雷射^ 曼光譜而測定的。 所謂線分析，是指-邊將雷射拉曼分光光度計進行線 掃描’-邊每隔—定間隔測定雷射拉曼光譜。所掃描的線 只要是與延伸方向大致垂直的方向（與明部的長軸方向大 致垂直的方向）、且至少包含明部與暗部的線即可。因此， 較好的是利用偏光顯微鏡確認明暗結構後，設 譜進行掃描測定的線。 人九 圖2B的偏光顯微鏡照片的線a〜線c上，距 開始位置G /iin〜1.5㈣附近的位置是相對明 = β(明部）；距離測定開始位置3雖〜4 _附近的^ 疋相對較暗的部分（暗部）。線Α〜線c是將掃描線朝延 31 201009401 318^3pil 伸方向各移動1而得的線。 首先’對結晶度的分佈狀態的測定方法進行說明。圖 3之（A)表不照射具有514.5 nm波長的光時圖2B的線A 上距離測定開始地點05 的位置的拉曼光譜圖3之 (B)表示距離測定開始地點3 5 的位置的拉曼光譜。 如圖3之（^)以及圖3之（B)所示，可確認到^5 附近的來自笨（benzene)環的碳-碳雙鍵的峰值、以及173〇 cm·1附近的來自酯羰基的峰值。 一結晶度可藉由1730 cm·1附近的來自酯羰基的譜帶的 半寬值進行評價。其原因在於，在1730 cm·1附近的譜帶的 半寬值與結晶度之間可看到明確的反比侧係。所謂半寬 值，是指譜帶的峰值強度的最大值的1/2強度下的譜帶寬 度。結晶度變得越高，則會形成譜帶寬度越狹窄、越尖銳 ，波峰形狀，半寬值亦越小。一邊每隔一定間隔採集拉曼 光譜資料，一邊對與延伸方向垂直的線上進行掃描分析， 藉此可測定結晶度的分佈狀態。 圖4是將分別以〇.5 //m間隔對圖2B的線A〜線C 亡進行線分析時的1730 cm-1附近的譜帶的半寬值相對於 每個測定位置進行作圖而得的圖。此圖齡，半寬值越小 則結晶度越高，半寬值越大則結晶度越低。 如圖4所示教示著，若著眼於線a及線B，則在〇以 一 1.5 /zm附近的測定位置，各半寬值較小且結晶度較 尚若耆眼於線C ’則在〇从m〜1 y m附近的測定位置， 半寬值較小且結晶度較高。另一方面教示著，於線A〜線 32 201009401 C中任一線上均在3 μιη〜4 附近的測定位置半寬 值較大且結晶度較低。而且顯示出，在〇 #m〜5 的 測定範圍中’1730 cm·1附近的譜帶的半寬值的相鄰極大峰 值與極小峰值之差大於等於〇 9 cnrl。關於極大峰值以及 極小峰值’例如於圖4所示的線C的半寬值作圖中，以箭 頭（1〜4)表示。分別求出這些極大峰值與極小峰值中的 相鄰極大峰值與極小峰值間之差，即極小峰值丨與極大峰 值2之差、極大峰值2與極小峰值3之差、極小峰值3與 極大峰值4之差。如此，本發明中所謂「存在明部與暗部」， 是指1730 cnf1附近的譜帶的半寬值的相鄰極大/峰值 小峰值之差的至少一個大於等於0.2 cm_i，較好的是大於 等於0.5 cm·1 ’更好的是大於等於！ 5 cm-i，尤其好的是大 於等於2 cm-1。 接者，對配向度的分佈狀態的測定方法進行說明。圖 5之（A)表示照射與延伸方向平行以及垂直的偏光時圖 2B的線A上距離測定開始地點〇 5 v m的測定位置的拉 參 曼光譜；圖5之（B)表示距離測定開始地點3 5 的 測定位置的拉曼光譜。 配向度可藉由1615 cm·1附近的來自笨環之碳_碳雙鍵 的譜帶強度的異向性進行評價。其原因在於，1615 cm」附 近的譜帶在對苯二甲酸單元（unit)的長軸方向具有躍遷 矩（transition moment)。所謂譜帶強度的異向性，是指照 射與延伸方向平行的偏光時的譜帶強度Ip、與照射與延伸 方向垂直的偏光時的譜帶強度IV之強度比Ip/Iv (所謂譜 33 201009401 31853pit 帶強度’是指1615 cm·1附近的譜帶強度的最大值）。配向 度越高，則譜帶強度比（Ip/Iv)變得越大。一邊每隔一定 間隔採集拉曼光譜資料，一邊對與延伸方向垂直的線上進 行掃描分析，藉此可測定配向度的分佈狀態。 圖6是將分別以〇.5以瓜間隔對圖2B的線a〜線c 上進行線分析時1615 cm·1附近的譜帶強度比（Ip/Iv)相對 於每個測定位置進行作圖而得的圖。此圖顯示，譜帶強度 比越低則配向度越低，譜帶強度比越高則配向度越高。 如圖6所示教示著，若著眼於線A及線B，則在0从 m〜1·5 附近的測定位置，譜帶強度比相對較高且配 向度較高’若著眼於線C，則在0 //m〜1 附近的測 定位置’譜帶強度比相對較高且配向度較高。另一方面教 示著’於線A〜線C中任一線上均在3 /zm〜4 附近 的測定位置’譜帶強度比相對較小且配向度較低。而且顯 示出，在0 μπι〜5 /zm的測定範圍中，1615 cm.1附近的 譜帶強度比的相鄰極大峰值與極小峰值之差大於等於 〇·〇9。關於極大峰值以及極小峰值，例如於圖6所示的線 C的強度比作圖中，以箭頭（1〜6)表示。分別求出這些 極大峰值與極小峰值中的相鄰極大峰值與極小峰值間之 差’即極大峰值1與極小峰值2之差、極小峰值2與極大 峰值3之差、極大峰值3與極小峰值4之差、極小峰值4 與極大峰值5之差、極大峰值5與極小峰值6之差。如此， 所謂「存在明部與暗部」，是指1615 cm·1附近的譜帶強度 比（Ip/Iv)的相鄰極大峰值與極小峰值之差的至少一個大 34 201009401

JlOOjpir ==^等於_，更好的是大· 附近的譜帶::寬存值在 =-=於等於().2(^，且1615(^附近的譜帶強度比 P V)的相鄰極大峰值與極小峰值之錢至少—個大於 等於0.03。 、 ❹

如此，在圖2B的偏光顯微鏡照片中可確認，相對明 亮的明部（測定位置為〜1.5 或者〇 _〜！ /zm附近）中’結晶度以及配向度均較高；相對較暗的暗 «Ρ (測疋位置為3 ym〜4 /zm附近）中，結晶度以及配 向度均較低。 拉曼光譜可使用公知的雷射拉曼分光法、例如

RamanorT-64000 (JobinYvon/愛宕物產）進行測定。試料 是使用以平行於延伸方向的方式將偏光性擴散膜切斷而得 的厚度為1 /zm的試料片。在束（beam)徑：1 、十 字狹縫（cross slit) : 100 "in〜200 ym、光源：氬離子 雷射/514.5 nm)、雷射功率：5 mW〜30 mW的條件下測定 此試料片即可。 除了上述微結構的配向度以外，表示單軸延伸膜整體 配向性的指標有「分子配向度MOR」。分子配向度MOR (Molecular Orientation Ratio)是表示分子配向程度的值， 可利用如以下所示的微波測定法進行測定。 即，在眾所周知的微波分子配向度測定裝置的微波共 35 201009401 31853pif 振導波管中，以上述試料面（膜面）垂直於微波的行進方 向的方式配置試料（膜）。然後，在將振盪方向偏向一個方 向的微波連績地照射至試料的狀態下，使試料在與微波的 行進方向垂直的面内旋轉0°〜360°，測定穿透試料的微波 強度，藉此求出分子配向度MOR。 本發明中的標準化分子配向MOR-c，是指將基準厚度 tc設為100 時的MOR值，可利用下述式求出。 [數6] MOR-c = tc/t ( MOR — 1) +1 (tc :欲修正的基準厚度，t :試料厚度） 標準化分子配向MOR-c可利用公知的分子配向計、 例如王子計測機器股份有限公司製造的微波方式分子配向 計 MOA-2012A 或 MOA-6000 等，以 12.54〜12.56 的共振 頻率進行測定。 圖7是表示結晶性樹脂的單轴延伸膜的標準化分子配 ❹ 向MOR-c與每1〇〇 μιη厚度的穿透偏光度之關係的一例 的圖。如圖7所示，為了使結晶性樹脂的單軸延伸膜的穿 透偏光度大於等於30%，則固定端延伸的膜的標準化分子 配向M〇R-C較好的是1.5〜5.1，且自由端延伸的膜的標準 化分子配向M〇R-c較好的是j 2〜7。若標準化分子配向 MOR-c過低’則膜整體的配向不充分，因此無法獲得充分 的穿透偏光度。若標準化配向度M〇R_c過高，則結晶性 36 結晶性樹脂的單軸延伸膜例如可藉由包括以下步驟 的流程：（1)準備由結晶性樹脂所構成的結晶化片材的步 驟’（2)以由結晶性樹脂所構成的結晶化片材為主而朝單 軸方向延伸的步驟。為了控制標準化分子配向MOR-c，重 要的是調整（1)步驟中的「加熱處理時間以及加熱處理溫 度」、以及（2)步驟中的「延伸速度以及延伸溫度」。

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OlOJJpli 較低的部分亦發生配向，因此在延伸後無法獲得暗部與明 部的配向度差，進而無法獲得雙折射差，難以獲得所需的 穿透偏光度。 標準化分子配向MOR-C如後所述，主要可利用單軸 延伸膜的延伸前的加熱處理條件（加熱溫度以及加熱時間） 或延伸條件（延伸溫度以及延伸速度）等來控制。 2·偏光性擴散膜的製造方法 如上所述，結晶性樹脂較好的是其固有雙折射大於等 於〇.1的結晶性樹脂。聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸 乙二酯由於加工性、光學特性優異，且低成本而較好。由 結晶性樹脂所構成的片材可自市場上獲得，亦可利用擠出 ，形等公知_獻彡方絲製作。岭紐触所構成的 片材可為單層，亦可為多層。 由結晶性樹脂所構成的結晶化片材只要且有一定的 (例如3%〜20%)即可。具有過高結晶度的片材中 ^在3有較大的結晶粒的情況。因此，無法對使上述結晶 需單軸延伸:得的膜賦予作為偏光性擴散膜的所 予寺性’或者結晶度過高而使得延伸本身變得困難。 37 201009401 31853pit 匕由結晶性樹脂所構成的結晶化片材可對非晶狀態的 樹月θ片材進行加熱處理以使其結晶化而獲得。1 )可將利用 加熱處理使非晶狀態的樹脂片材結晶化而成的片材設置於 延伸裝置巾，再實施延伸加卫（離線（()ff_line)的加熱處 理）’或者2)可將利用加熱處理而未結晶化的非晶狀態的 樹脂片材設置於延伸襞置中，利用延伸裝置進行加熱處 理，然後立即實施延伸加工（線上（inline)的加熱處理）。 用以使非晶狀態的樹脂片材結晶化的加熱處理溫度 (T)並無特別限定，較好的是設定為玻璃轉移溫度Tg與 結晶性樹脂的熔解溫度Tm之間的溫度範圍，或者滿足以 下式子的關係。在下述式中，Tc為結晶性樹脂的結晶溫

度’ Tm為結晶性樹脂的熔解溫度。 [數7]

Tc-30°C^T<Tm-10°C 結晶性樹脂的結晶溫度（Tc)較好的是藉由片材或者 未結晶化狀態的（處於過冷卻狀態）結晶性樹脂的示差掃 描熱量分析（differential scanning calorimeter，DSC )而求 出。示差掃描熱量分析（DSC)依據JIS K7122來進行即 可。結晶性樹脂的溶解溫度（Tm)亦較好的是依據JIS K7122且藉由示差掃描熱量分析而求出。 加熱處理時間調整為滿足所需的結晶度（3%〜 20%)、且延伸後的標準化分子配向MOR-c滿足1.5〜5 1 38 201009401 jiojjpu (固定端延伸時）或者1.2〜7 (自由端延伸時）即可。若 加熱處理時間變長，則延伸前的結晶度變高，延伸後的標 準化分子配向MOR-c亦變高。若加熱處理時間變短，則 結晶度變低’延伸後的標準化分子配向m〇r_c亦變低。 若延伸前的結晶度過高，則膜變硬而需要更大的延伸 應力，因此認為不僅是結晶性比較高的部分，而且結晶性 比較低的部分的配向亦變強，並且延伸後的標準化分子配 向MOR-c亦變得過高。若延伸前的結晶度過低，則配向 的結晶較少而不太需要延伸應力，因此認為結晶性比較高 的部分亦變得難以配向，並且延伸後的標準化分子配向 MOR-c亦變低。 加熱處理時間會根據溫度以及膜厚度、構成膜的樹脂 的分子量、添加劑或共聚物的種類或者量而有所不同。另 外，使膜結晶化的實質性加熱處理時間相當於預熱前的加 熱處理時間與即將延伸前的預熱時間之和。非晶狀態的片 材的加熱處理時間通常為5秒〜20分鐘，較好的是1〇秒 參 〜10分鐘。例如在12〇。(：下對由聚對苯二甲酸乙二酯所構 成的結晶化片材進行加熱處理時，加熱處理時間較好的是 1.5分鐘〜1〇分鐘左右，更好的是丨5分鐘〜7分鐘左右。 為了對延伸後的膜有效地賦予偏光性與擴散性此兩 者，重要的是預先調整延伸前的膜的結晶度以及穿透霧 度。即，亦可認為，藉由延伸使結晶化樹脂的透明性提昇 的原因在於’因延伸而引起的應力集巾於球晶（spheruUte ) 上，並破壞球晶直至對可見光線不起感應的大小。一般認 39 201009401 31853pit 為，若使經結晶化的樹脂延伸，則利用延伸條件可降低樹 脂的透明性，由此可提高偏光性或擴散性。 由結晶性樹脂所構成的結晶化片材在即將延伸前的 樹脂膜的結晶度，較好的是以延伸處理後的樹脂膜的結晶 度成為8%〜40%，較好的是8%〜30%的方式進行設定。 因此，通常即將延伸前的結晶度為大於等於3%，較好的 是3%〜30% ’更好的是3%〜20%。 由結晶性樹脂所構成的結晶化片材的結晶度可藉由 使用密度法的測定或使用X射線繞射法的測定而求出。結 晶粒的大小可藉由使用偏光顯微鏡的觀察而求出。具體而 言，以與後述單軸延伸膜的結晶度的測定相同的方式進行 即可。 由結晶性樹脂所構成的結晶化片材的穿透霧度，在即 將延伸前較好的是7%〜70%，更好的是15%〜60%。其原 因在於，對延伸後的穿透霧度進行適當地調整，獲得實用 的偏光度。在進行離線的加熱處理時，為了在其後的延伸 裝置中的即將延伸前的預熱階段進一步增加穿透霧度，必 需考慮預熱條件而調整為較低的穿透霧度。 結晶化片材的穿透霧度能夠以與上述偏光性擴散膜 的穿透霧度相同的方式進行測定。但是，由於延伸前的結 晶化片材不具有光學異向性’故其穿透霧度的測定無需改 變偏光性擴散膜的向性而求出平均值。 由結晶性樹脂所構成的延伸前的片材的厚度主要取 決於欲藉由（2)步驟的延伸而獲得的偏光性擴散膜的厚度 201009401 以及延伸倍率’較好的是5G "m〜2_㈣， 80 //m〜1500 //m左右。 的疋 將由結晶性樹脂所構成的結晶化片材進 的方法並無特別岐。所謂「單轴延伸」，雖然是指 ί二:不本發明效果的程度上亦可朝與此 早軸方向不同的方向延伸。根據所使用的延伸設備 在即便欲朝單軸方向延伸，實質上_與此單軸方向不^ ❹ 的方向上延伸的情況。一般理解為上述「單軸延 包括此種延伸。 」 处 例如有在與所需的延伸方向垂直的方向上片材亦延 伸的情況。通常，純粹的單軸延伸是指僅將延伸前的片材 素材4邊中相對的2邊固定，使與延伸方向垂直的方向的 兩端成自由狀態而延伸（亦稱為「橫向自由單軸延伸」）。 在検向自由單軸延伸中，隨著延伸，與延伸方向垂直的方 向由於泊松（P〇isson)變形而收縮。因此，在與延伸方向 垂直的方向上未延伸。 φ 另一方面，在使用批量式延伸機進行延伸時，將素材 的4邊固定（夾鉗（eiamp))。因此，即便僅在一個方向上 對素材進行延伸，但與延伸方向垂直的方向的端部由於被 固定（亦稱為「橫向固定單轴延伸」）而無法收縮，從而在 與延伸方向垂直的方向上亦實質上進行了延伸，雖然僅稍 有延伸。 上述「單軸延伸」包括橫向自由單轴延伸以及橫向固 定單轴延伸。在橫向自由單轴延伸的例子包括親延伸法 201009401 31853ρχί 等，在橫向蚊單軸延伸中除了上述以外包括使用拉幅 (tenter)法的橫向單軸延伸。 在即將進行單軸延伸前可對由結晶性樹脂所構成的 片材進行預m熱溫度通常可在朗轉移溫度Tg〜溶點 =的溫度中任意選擇’但為了以上述方式調整上述延伸 刖的片材的穿透霧度以及結晶度、亦即將結晶度調整為8% 〜30% ’較好的是在Tc — 3〇ΐ $ τ < Tm —邮下進行。例 如’在由聚對苯二甲酸乙二醋所構成的片材的情況下，將 預熱溫度設為l〇〇°C〜240。(：。 _ 預熱時間只要為對於可將（丨）中所得的結晶化片材 加熱至特定溫度為止而言充分的時間或此時間以上即可。 另-方面’長時_賴會過度提高結晶度（例如超過 30/。）’從而導致難以延伸。因此預熱時間是以達到所需結 晶度的方式進行適當調整。例如，在由聚對苯二甲酸乙: 酯所構成的片材的情況下，預熱時間較好的是〇1分鐘〜 10分鐘。

單軸延伸的延伸速度並無特別限定，較好的是設為 5%/秒〜500%/秒，更好的是9%/秒〜5〇〇%秒，尤其好的^ Q 9%/秒〜3〇〇%/秒’特別好的是2〇%/秒〜3〇〇%/秒。所謂延 伸速度，是將初始的樣品長度設為L〇、且將時間t後的經 延伸的樣品長度設為LB夺，以如下式子表示的。若延伸迷 度過快，則延伸應力增大而導致對設備的負擔變大，結果 難以均勻地延伸。另一方面，若延伸速度過慢，則生產 度變得極慢，而導致生產性降低。 42 201009401 [數8] 延伸速度（％/sec) = (L-Lo) /Lo/txl00 延伸速度調整為延伸後的標準化分子配向MOR-c滿 足1.5〜5.1 (固定端延伸時）或者1.2〜7 (自由端延伸時） 即可。延伸速度越大，則延伸時對結晶化片材施加的應力 ©越大，因此延伸後的標準化分子配向m〇r_c亦變高。延 伸速度越小’則延伸時對結晶化片材施加的應力越小，因 此延伸後的標準化分子配向MOR-c亦變低。此外，最佳 的延伸速度可根據延伸前的結晶度而變化。結晶度變得越 高，則膜變得越硬而延伸應力變得越大，因此最佳的延伸 速度有變低的傾向。 例如’在約12(TC下將由聚對苯二曱酸乙二酯所構成 的結晶化片材延伸時’延伸速度較好的是5%/sec〜 220%/sec。此外，在延伸步驟的初期開始直至後期，延伸 參 速度未必固定，例如’初期可為25%/sec，整體可為 10%/sec。 延伸溫度調整為延伸後的標準化分子配向M〇R-c滿 足1.5〜5.1 (固定端延伸時）或者j 2〜7 (自由端延伸時） 即可。若延伸溫度較高，則延伸時對結晶化片材施加的應 力較小，因此並非結晶性比較高的部分而是結晶性比較低 的部分會未充分配向而伸長，因此延伸後的標準化分子配 向MOR-c變低。若延伸溫度較低，則延伸時對結晶化片 43 201009401

Mh^pn 材施加的應力較大’因此不僅結晶性比較高的部分發生配 向而且結晶性比較低的部分亦發生配向，因此延伸後的標 準化分子配向MOR-c變高。例如，在將由聚對苯二甲酸 乙一醋所構成的結晶化片材延伸的情況下，延伸溫度較好 的是 105°C 〜135°C。 延伸溫度與預熱溫度可相同亦可不同。在使用雙槽式 的批量式延伸機時，可將預熱槽與延伸槽設定為不同的溫 度，因此延伸溫度可設定為與預熱溫度不同的溫度。在使 用單槽式的批量式延伸機時，由於預熱槽與延伸槽為相同 纛 的槽’故延伸溫度經設定為與預熱溫度相同的溫度。 延伸倍率亦可根據所選擇的樹脂進行選擇，並無特別 限疋。於聚醋系樹脂的情況下，此延伸倍率較好的是2倍 二10倍。若延伸倍率過大，則產生延伸碎片的可能性變 高，若延伸倍率過小’則無法獲得充分的分子配向狀態。

本發明之偏光性擴散膜的厚度為20 〜500 A m’、較好的是3〇 vm〜300从瓜。過薄的偏光性擴散膜存 在以下情況：不具有充分的剛性，難以保持平面性，操作 |生或組入至液晶顯示裝置變得困難。另一方面過厚的偏 光性擴散膜存在以下情況：難以捲成輥形態，必需樹脂量 增加而使生產性降低。 在先膜製造條件下對結晶性樹脂的素材或結晶 由居材進行單軸延伸時，素材階段所存在的微結晶（通常 f狀（lamellar)結晶構成的球晶）或結晶化片材的球晶 的大部分被解體’且分子鏈同樣地被拉伸的情況較多。因 44 201009401 此’所得的延伸樹脂膜具有大致均勻的配向結構，透明性 亦較尚。相對於此，本發明之單軸延伸樹脂膜是在如上所 述的特殊條件下對結晶性樹脂的結晶化片材進行單轴延伸 而獲得的，因此具有如上所述的明暗結構。由此，可獲得 表現出所需光學特性的延伸樹脂膜。 3.偏光性擴散膜的用途 本發明之偏光性擴散膜較好的是用作液晶顯示裝置 的構件。將本發明之偏光性擴散膜配設於液晶顯示裝置内 時，為了提高液晶顯示裝置的亮度、特別是正面亮度，較 好的是本發明之偏光性擴散膜的一側面、或者兩側面具有 具備聚光功能的表面形狀。通常，更好的是僅一側面具有 具備聚光功能的形狀。例如，在將偏光性擴散膜用作液晶 顯不裝置的構件時，較好的是「與偏光板接觸之侧的表面」 具有具備聚光功能的表面形狀。 藉由使偏光性擴散膜的表面形狀成為具備聚光功能 的表面形狀，可將因偏光選擇性而選擇性地穿透、且因擴 φ 散性而朝傾斜方向出射的偏光聚集於正面方向，因此正面 亮度進一步提昇。如此，兼具聚光功能與偏光反射特性的 偏光性擴散膜，與「使先前以來所使用的棱鏡膜或微透鏡 膜、與偏光性擴散膜相組合」的情況相比，可以低成本進 一步提昇正面亮度。 作為先前以來所使用的稜鏡膜或微透鏡膜的—般性 膜是對雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯（pET)膜進行表面 加工而得的膜。即便使這些膜與具有偏光選擇性的偏光性 45 201009401 31853pit 擴散膜相組合，雙軸延伸PET _她差亦較大，因此經 選擇的偏光穿透雙轴延伸PET膜時，偏光會散射。因此， 偏光反射的絲受損。另外，與__級透鏡膜與偏 光杜擴散膜組合岐用的情況減，本發明之偏光性擴散 膜亦可實現成本減少、且減錢晶顯示裝置的厚度。 具備聚光功能的表面形狀的例子包括：一維稜鏡狀 (參照圖8 )、二維稜鏡狀（參照圖9)、微透鏡形狀（參照 圖1〇)、波紋（wave)狀等，但並無特別限定。

所明-維稜鏡，是指多個三角柱配置成行狀的狀態 (參照圖8)。圖8表示具有—維稜鏡狀的表面形狀的偏光 性擴散膜的與稜鏡的稜線垂直的觸圖。稜制距ρι可 為等間距亦可為*制距，較好的是約〗"

^稜鏡頂角0 i較好的是約85度〜95度，稜鏡的高度M ―好的疋約G.4 //m〜110㈣。稜鏡賴線較好的是沿 者與偏光性擴散膜的單軸延伸樹脂膜的延伸方向平行的方 向、或者與上述延伸方向正交。其原因在於，在製造偏光 性擴散膜時，可提高單㈣伸樹脂賴取片效率。 所謂二維稜鏡’是衫個四角錐配置成矩陣（matrix) 參照圖9)。圖9表示具有二維稜鏡狀的表面形 此的距離p2可為等間距亦可為不等間距，較好的二Γ: m〜200 "m;距離四角錐的底面的高度以較好的是〇4 ㈣〜no "m。稜鏡頂角為約％度〜％度即可。 所謂微透鏡形狀，是指多個凸透鏡配置於膜表面的狀 46 201009401 & (參照圖10)。凸透鏡可規則性地配置，亦可隨機配置。 所謂規則性的配置，是指以最密填充的方式進行配置等。 透鏡形^並未特別限定於球面、非球面中的任一種，形狀 及大小疋根據所需的聚光性能以及擴散性能進行適當選 擇°圖10之CA)表示具有微透鏡形狀的表面形狀的偏光 性擴散膜的俯視圖；圖1〇之⑻表示膜的剖面圖。各微 透鏡的透鏡徑D較好的是約4，透鏡的高 ❹ 度h'較好的是約2 。 本發明之具有具備聚光功能的表面雜的偏光性擴 散膜的厚度’亦加上具備聚光功能的表面形狀的厚度，較 好的是20 em〜650 am。 如上所述，本發明之偏光性擴散膜的表面可具有具備 聚光功能的表面形狀，此表面形狀可為上述單軸延伸樹脂 膜本身的表面形狀；亦可為在單軸延伸樹脂膜的表面另行 配置的層的形狀。另行配置的層較好的是與單轴延伸樹脂 膜直接接觸的層，即，較好的是不經由黏接層等而直接配 ❹ 置。 形成具備聚光功能的表面形狀的方法並無特別限 定，可利用慣用的方法。例如，為了使單軸延伸樹脂膜本 身的表面形狀成為具備聚光功能的表面形狀，例如可藉由 在大於等讀脂的朗轉移溫度Tg、小於等於結晶溫度 Tc的溫度條件下，賴具滅（prcss)於單軸延伸樹脂膜 的表面，在冷卻硬化後將模具剝離而形成。熱壓時，除了 平板積層壓製外’可利用使用賦形輕的輥壓製、雙帶壓製 47 201009401 31853pif (double belt press )等的方法進行。 另外’為了使在單轴延伸樹脂膜的表面另行配置的層 的形狀成為具備聚光功能的表面形狀，在單轴延伸樹脂膜 的表面重疊注入有活性能量（energy)線硬化樹脂的模具 使其成為密接狀態’對其照射活性能量線而進行樹脂硬 化，再將模具剝離即可。活性能量線硬化樹脂的例子包括 紫外線硬化樹脂、電子束硬化樹脂等。 可對本發明之偏光性擴散膜的表面實施公知的易黏 接處理或易滑處理。此外’對於偏光性擴散膜的表面，亦 可利用公知的處理方法來實施抗反射處理或抗牛頓環 (anti-Newton ring)處理、抗靜電處理、硬塗處理。 4.液晶顯示裝置 本發明之偏光性擴散膜較好的是在液晶顯示裝置中 用作一構件。具體而言，本發明之液晶顯示裝置包含彳A) 液晶背光源用面光源、（B)至少一個光學元件及/或氣隙、 (C)本發明之偏光性擴散膜、以及（d)用兩片或兩片以 上的偏光板夾持液晶胞而成的液晶面板。此處，上述（A) 面光源〜（D)液晶面板的各構件是按上述順序配設的。 (A)液晶背光源用面光源 液晶背光源用面光源可為將公知的光源配設在導光 板侧面的侧光（side light)(端面照光（edge light》型面 光源、或者在擴散板下排列公知光源而成的正下方型面光 源等。公知光源的例子包括：冷陰極管（冷陰極螢光燈管，

Cold Cadiode Fluorescent Lamp，CCFL)或熱陰極管（熱 201009401

J lOJJplL 陰極螢光燈管，Hot Cathode Fluorescent Lamp，HCFL)、 外部電極榮光燈管（External Electrode Fluorescent Lamp， EEFL)、平面勞光燈管（FiatFiuorescentLamp，FFL)、發 光二極體元件（Light-Emitting Diode，LED)、有機電激發 光元件（Organic Electro-Luminescence Device，OLED)。 (B)光學元件及/或氣隙 所謂光學元件，是指使來自液晶背光源用面光源的光 ©擴散的元件。上述光學元件的例子包括：塗裝有含填料或 者珠粒的黏合劑（binder)的擴散膜、稜鏡片材、以及微 透鏡片材。 所謂氣隙’是指在液晶背光源用面光源與本發明之偏 光性擴散膜之間設置的空氣層。此空氣層成為液晶背光源 用面光源與偏光性反射膜之間的反射界面，且可使來自液 晶背光源用面光源的光擴散。氣隙的例子包括在稜鏡片材 的凹部所形成的空氣層。 (D)用兩片或兩片以上的偏光板夾持液晶胞而成的 ^ 液晶面板 液晶胞是在兩片基板間包含經密封（seal)的液晶的 裝置。基板由公知材料構成即可，此基板的例子包括玻璃 板、塑勝（plastic)膜。偏光板亦由公知材料構成即可， 此偏光板的例子包括：使用二色性色素的二色性偏光板。 下邛偏光板配置於（A)面光源側，上部偏光板配置於顯 示畫面侧。下部偏光板的吸收轴與上部偏光板的吸收轴互 相正交。 49 201009401 在具有大型顯示晝面（例如大於等於2〇英吋（比比）） 的液晶顯示裝置中，通常偏光板的吸收軸與顯示畫面的橫 方向一致的情況較多。另一方面，在具有中小型顯示畫二 (例如小於20英吋）的液晶顯示裝置中，通常將偏光&的 吸收軸相對於顯示晝面的縱橫而傾斜45。來配置的情況較 多。 a上述（A)面光源〜（D)液晶面板的各構件較好的 疋按（A)面光源、（B)至少一個光學元件及/或氣隙、 _ 偏光性擴散膜、（D)液晶面板液晶面板的順序配置。圖“ 是表示本發明之液晶顯示裝置的—例的分解圖。圖丨丨中 (Α)侧光型液晶背光源用面光源是由導光板、反射片 材60以及光源70構成。圖11中表示出（c)偏光性擴散 膜30、以及珠粒塗佈型擴散膜等的（B)光學元件牝。此 外，圖11中可存在配置多片光學元件4〇的祕，亦可存 在未配置光學元件40的態樣。（D)液晶面板由液晶胞1〇、 上部偏光板20以及下部偏光板21構成。 ❹ 圖I2是表不本發明之液晶顯示裝置的其他例子的分 =。除了配置（A)正下方型面光源、以及擴散板來代 替⑷側光型液晶背光源用面光源以夕卜，以與圖u的液 =示裝置大致相_方式構成。⑷正下方型面光源由 _絲、70、以及反㈣材6Q構成。擴散板8〇 ^ Γ方型面光源_散膜、稜鏡片材、微透 ，片材4的⑻光學元件4〇之間。此外，圖12中可 存在配置多片絲元件4〇的祕，亦可存在絲置光學元 50 201009401 件40的態樣。 圖^ ιΓφ疋說明本發明之液晶顯示裝置的顯示機制的 平的署偏光性擴散膜3〇的延伸軸是以達到紙面水 ^式置。偏光性擴散膜3〇具有以下性能：使與其延 偏光偏转透、並反射與延伸財行的偏光。下部 偏先板21以靴_到紙面水平的方式配置。

、自光源發出的非偏光100具有偏光ρ以及偏光V，上 述偏光Ρ具有與偏紐錄膜3Q的延伸軸平行的偏光方 向，，上述偏光V具有與偏光性擴散膜3〇的延伸軸垂直的 偏光方向。非偏光咖所包含的偏光V大多穿透偏光性擴 散膜30而成為偏光V 101。偏光v 1〇1不被下部偏光板21 及收而疋穿透此下部偏光板21，成為顯示光。偏光v 1〇1 的大部分以維持偏光的狀態朝光線出射方向擴散，因此在 廣視角中成為顯示光。 另一方面，非偏光100所包含的偏光ρ的一部分穿透 偏光性擴散膜30而擴散，成為偏光P 102 ^偏光ρ 1〇2被 下部偏光板21吸收。另外，非偏光1〇〇所包含的偏光p 其餘部分大多被反射，被反射的光大多成為偏光ρ 103。 偏光P 103進一步被光學元件或反射片材（均未圖示;) 反射，並且偏光被消除而成為反射光104。反射光1〇4可 再利用作非偏光1〇(^本發明之液晶顯示裝置藉由此種機 制，可將光再利用，因此可擴大視角並且提高亮度。 在圖13所示的裝置中，偏光性擴散膜30較好的是以 此偏光性擴散膜30的反射轴（以單轴延伸而製作時為延伸 51 201009401 31853pu 下部偏紐21的吸收轴大致平行的方式設置。其原 可增加顯示光的量且可提高光_用效率。 本發明之液晶顯示裝置中，（C)偏光性擴散膜較好的 t、上述（D)液晶面板鄰接配置。若形成此種構成則 ^的液晶顯示裝置中（B)至少—個光學元件及/或氣隙 、D)液晶面板之間所配置的「上擴散膜」等可去除。 即，本發明之液晶用㈣裝置由於具備具有優異偏光擴散 性的（C)偏光性擴散膜，故即便不具有上擴散膜等構件， 免度不均亦較少，且亮度亦會提昇。 當然’在（C)偏光性擴散膜與（D)液晶面板之間可 配置其他膜，此時’此其他膜較好的是不太散射、反射或

吸收自（C)偏光性擴散膜穿透的偏光v的膜。

如上所述，當在（C)偏光性擴散膜的表面形成一維 稜鏡時，較好的是此稜鏡的稜線與單轴延伸樹脂膜的延伸 方向平行或者垂直配置。另一方面，與單轴延伸樹脂膜的 延伸方向平行配置的下侧偏光板的吸收軸如上所述，通常 與具有大型顯示晝面（例如大於等於20英吋）的液晶顯示 裝置（例如液晶電視機）的顯示晝面的縱方向平行配置的 情況較多。 因此，當一維稜鏡的稜線與單轴延伸樹脂膜的延伸方 向平行配置時，與顯示畫面的縱方向平行的情況較多。若 一維稜鏡的稜線與延伸樹脂膜的延伸方向平行，則可預料 偏光選擇性的提昇。 另一方面，當一維棱鏡的棱線與延伸樹脂膜的延伸方 52 201009401

JlOJJplI 向垂直配置時，與顯示畫面的橫方向平行的情況較多。若 一維稜鏡的稜線與顯示畫面的橫方向平行，則可減少斜方 向的亮度降低。 當將偏光板的吸收軸相對於顯示畫面的縱橫而傾斜 45。來配置時，與使本發明之偏光性擴散膜的表面成為一維 稜鏡相比，較好的是使此表面成為微透鏡形狀。 另外，通常偏光板具有膜以保護其表面。但是，在本 鲁發明之液晶顯示裝置中，可使（c)偏光性擴散膜具有作 為構成液晶面板、且配置於光源側的偏光板（下部偏光板） 的保護膜的作用。即，本發明之（c)偏光性擴散膜可與 偏光板一體化而形成「附有偏光性擴散功能的偏光板」。 通常，偏光板的偏光元件是藉由單轴延伸而製造，其 延伸方向成為吸收轴。因此，若使用捲對捲（r〇llt〇r〇u) 來貼合（C)藉由縱向單轴輥延伸而製造的偏光性擴散膜 與偏光元件，則可容易製造「附有偏光性擴散功能的偏光 板」。 I 根據以上所述，若使用本發明之（c)偏光性擴散膜， 則可省略用作先前液晶顯示裝置的構成構件的構件。省略 了構件的液晶用顯示裝置具有低成本、且薄型的優點。 先别的液晶顯示裝置為了達成亮度提昇、亮度不均減 少、視角提昇中的任一種目的或者上述所有目的，而在⑷ 面光源與（D)液晶面板之間包含如下構件： 一片或多片擴散膜；一片或多片擴散膜、以及一片或 >片稜鏡片材；或者-片或多片擴散膜、—片或多片棱鏡 53 201009401 31853pif 片材、以及一片上擴散膜。 另外’先前的液晶顯示裝置亦有具備微透鏡膜來代替 擴散膜的情況，還有具備與（D)液晶面板鄰接的偏光反 射膜（3M住友公司製造的DBEF等）的情況。 另一方面，本發明之液晶顯示裝置由於具備具有優異 偏光擴散性的膜，故即便不具備稜鏡片材或上擴散膜、 DBEF等構件’亦可成為亮度高且視角廣、亮度不均較少 的液晶用顯示裝置。並且裝置的成本低。 [實施例] 1.膜的光學特性與亮度特性之關係 (實施例1) 將帝人化成公司製造的A-PET片材FR (未經表面處 理’厚度為330 //m)裁斷成70x70 mm的大小，而獲得 單軸延伸用素材。接著，以此素材的！^!)方向成為延伸方 向的方式，將素材的4邊用夾鉗夾持而設置於高分子膜雙 軸延伸裝置（岩本製作所公司製造的ΒΙχ_7〇3型）中。 將所設置的膜以預熱溫度為116〇c、預熱時間為8 5 分鐘的條件進行預熱，然後以延伸速度24 mm/sec、延伸 倍率5倍進行單軸延伸。延伸是將與膜的延伸方向垂直的 端部固定而進行的所謂橫向固定延伸。所得的偏光性擴散 膜的厚度為66 #m。由於採用較長為8 5分鐘的預熱時 間’使得即將延伸前的素材發白。 (實施例2) 將實施例1中用作原料的A_PET片材裁斷成8〇χ8〇 201009401 mm的大小。對被裁斷的片材用固定夾具夾持（夾持部分 為5 mm) 4邊以使此片材不會因加熱而收縮。接著，將此 經固定的膜裝入至吉爾烘箱（Geer oven) (ISUZU製作所 公司製造的Soy〇kazeSSR-113S)中，在溫度12(TC下加熱 5分鐘’獲得延伸前的素材。加熱後的素材發白，並且^ 用曰本電色工業公司製造的霧度計NDZ 2000來測定素材 的穿透霧度，結果為21%。 μ 將此素材的上述夾持部分裁斷成70x7〇 mm的大小 後，以與實施例1相同的方式進行單轴延伸。此時，將預 熱溫度設為119°C，預熱時間設為2分鐘，延伸迷度設為 48 mm/sec，延伸倍率設為5倍。所得的偏光性擴散膜的厚 度為82 // m。 (實施例3) 將實施例1中用作原料的A-PET片材裁斷成8〇χ8〇 mm的大小。對被裁斷的片材用固定夹具夹持（失持部分 為5 mm) 4邊以使此片材不會因加熱而收縮。接著，以與 ® 實施例2相同的方式，將此經固定的膜裝入至吉爾烘箱 中，在溫度118°C下加熱5分鐘，獲得延伸前階段的素材。 加熱後的素材發白，並且以與實施例2相同的方式測定穿 透霧度’結果為27%。 以與實施例2相同的方式將上述素材進行單軸延伸。 ，是在本例中，將預熱溫度設為117t，預熱時間設為2 分鐘，延伸速度設為48 mm/sec，延伸倍率設為5倍，並 且上述延伸是未將與膜的延伸方向垂直的端部固定而進行 55 201009401 的所明橫向自由延伸。所得的偏光性擴散膜的厚度為⑹ fjL ΤΆ。 (實施例4) 除了將利用吉爾供箱的加熱時間設為2分25秒以 外’以與實施例3相同的方式獲得厚度為137㈣的偏光 性擴散膜。彻吉爾烘箱加熱後的素材的穿透霧度為8%。 (實施例5) 參 將帝人化成公司製造的聚萘二甲酸乙二醚（PEN)樹 脂（Tecmex TN8065S )作為原料’使用具備全螺紋螺桿㈤！ flft screw)的L/D = 32的4〇賴〇單軸擠出機來進行了 模製膜。將擠出溫度設為32(rc，所得的 片材的厚度為300 em。 8； 將此片材裁斷成7〇x70mm的大小，獲得單轴延伸用 素材。接著，將此素材的MD方向作為延伸方向，並以與 ❹ 相_方式進行單軸延伸。其中，將賴溫度設 為150C，預熱時間設為8.5分鐘，延伸速度設為％ ^n/sec、延伸倍率設為5倍。所得的偏光性擴散膜的厚度 為60㈣。由於採用較長為8.5分鐘的預熱時間使得即 將延伸前的素材發白。 (比較例1) 除了將單軸延伸的預熱時間設為4分鐘以外，以盘實 施例1相同的方式獲得厚㈣64 。即將延伸前 的素材幾乎未發白。 (比較例2) 56 201009401 除了將延伸倍率設為2倍以外，以與實施例1相同的 方式獲得厚度為180 /zm的延伸膜。 分別測定所得延伸樹脂膜的總光線穿透率、穿透偏光 度以及穿透霧度。這些測定是使用日立高新技術公司製造 的分光光度計U-4100、以及150Φ積分球附屬裝置來進行 的。測定結果示於表1。 [表1] 總光線穿透率 (%) 穿透霧度 (%) 穿透偏光度 (%) 實施例1 80.5 27.7 30.4 實施例2 70.8 58.7 40.9 實施例3 59.7 71.3 45.2 實施W 4 62.8 49.4 49.5 實施例5 81.6 25.1 41.6 比較例1 88.1 —6.4 13.0 比較你1 2 80.1 34.9 16.7 可知，實施例1〜5的偏光性擴散膜具有大於等於30% 的較高穿透偏光度，相對於此，比較例1及2的延伸膜僅 有小於20%的穿透偏光度。 接著，使用實施例1〜5以及比較例1〜2中所得‘的偏 光性擴散膜，來製作液晶顯示裝置。 (實施例6) 首先準備10.4型垂直配向（Vertical Alignment，VA ) 方式的薄膜電晶體（thin film transistor，TFT )液晶顯示裝 置（京瓷（Kyocera)公司製造）。以如下方式變更此裝置 的背光源單元（冷陰極管2燈侧光型）的導光板主面上的 57 201009401 31853pif 構成。 1) 在導光板侧上配置珠粒塗佈型擴散膜（將與光擴 散面相反的面作為光入射側時的總光線穿透率為58%，穿 透霧度為91%)。 2) 在珠粒塗佈型擴散膜的上側的中央部，將實施例1 的偏光性擴散膜配置成此偏光性擴散膜的延伸軸（反射軸） 與液晶面板的下部偏光板的吸收轴大致平行。 3) 使用黑色片材對珠粒塗佈型擴散膜的配置有偏光 性擴散膜的部位以外的部位進行遮罩遮光。 ❹ (實施例7〜1〇) 除了分別使用實施例2〜5的偏光性擴散膜來代替實 施例1的偏光性擴散膜以外，以與實施例6相同的方式準 備液晶顯示裝置。 (實施例11) 首先準備10.4型VA方式的TFT液晶顯示裝置（京瓷 公司製造）。以如下方式變更此裝置的一部分。 1) 將液晶顯示裝置面板的下部偏光板的光 膜剝離。 ❹ 2) 在露出的下部偏光板的中央部，經由丙烯酸系透 明黏著材片材（厚度為15聽附實施例2的料 性擴散膜。將偏光性擴散膜配置成此偏光性擴散臈的延伸 轴（反射轴）與下部偏光板的吸收軸大致平行。 3) 使用黑色>|材對下部偏光板的貼附有偏光性擴散 膜的部位以外的部位進行遮罩遮光。 58 201009401 4) Γ - * *

58% ’穿透霧度為 主面上， 面作為光入射侧時的總光線穿透率為58〇/。 91%) = ° (比較例3〜5) 或者珠粒塗佈型擴 除了使用比較例1〜2的延伸膜、 散膜（將與光擴散面相反的面作為光入射侧時 參料為87%，穿祕度為48%)，來储實齡^的偏光 性擴散臈以外，以與實施例6相同的方式準備液晶顯示裝 置。 對如此準備的液晶顯示裝置的正面相對亮度以及斜 方向相對亮度進行評價。具體而言，將各實施例=及各比 較例中所得的液晶顯示裝置設置於色彩亮度計（T〇pc〇n Technohouse 公司製造的 BM-7)的 Χ·γ.0 載物台（stage) 上。接著，以視角1。來測定配置有偏光性擴散膜的顯示面 中央部的亮度。此時，測定：使顯示面的法線方向與色彩 β 亮度計的測定軸一致時的正面亮度、使液晶顯示裝置的顯 示面的法線方向與色彩亮度計的測定軸成40。的40。方向 凴度、以及使液晶顯示裝置的顯示面的法線方向與色彩亮 度計的測定轴成60。的60。方向亮度。 另一方面’在實施例6的液晶顯示裝置中，準備去除 了偏光性擴散膜的基準用液晶顯示裝置。此基準用液晶顯 示裝置是將與各實施例中所得的液晶顯示裝置相同的開口 仅置、開口尺寸的黑色片材製遮光罩配置於珠粒塗佈型擴 59 201009401 31853pif 散膜上而獲得的。對於此基準用液晶顯示裝置，以與上述 相同的方式測定正面亮度、40。方向亮度、以及6〇。方向亮 度。算出將這些亮度設為100時的各實施例以及各比較例 中所得的液晶顯示裝置的各亮度的相對值。這些亮度的相 對值結果示於表2。 [表2] 膜樣品 3對亮度（將無檄品時設為100Ί 40°方向 60°方向 實施例6 實施例1 105.6 105.8 107.4 實施例7 女施例2 110.5 103.7 108.1 實施例8 實施例3 110.0 99.6 110.2 實施例9 ★施例4 115.2 111.6 123.1 實施刼10 實施例5 112.1 106.9 109.2 實施;列11 實&例2 110.7 104.2 108.7 _比較例3 比較例1 101.8 104.2 109.8 比&例4 比較例2 102.1 100.3 104.3 比較例5 珠粒塗佈型擴散膜 110.4 96.7 79.4 實施例6的液晶顯示裝置與比較例5的使用珠粒塗佈 型擴散膜的液晶顯示裝置相比，正面亮度的降低小於5〇/0， 斜方向相對亮度亦較高’且視角得到大幅改善^相對於此， 比較例3以及比較例4的液晶顯示裝置與比較例5的液晶 顯不裝置相比’雖然斜方向相對亮度較高，但正面亮度小 於等於5%而較低，作為擴散膜的效果較小。 實施例7〜11的液晶顯示裝置與比較例5的液晶顯示 裝置相比，正面相對亮度、4〇。方向相對亮度、60。方向相 對壳度均較高。特別是實施例7、9〜11的液晶顯示裝置與 未設置擴散膜的基準用液晶顯示裝置相比，正面相對亮 201009401

JIOJjpiI 度、40°方向相對亮度、60。方向相對亮度均獲得較高的值， 並且確認亮度上升以及視角改善。 2·膜製造條件與膜的光學特性之關係 對延伸前的結晶化片材的結晶度以及穿透霧度、與延 伸後的樹脂膜的光學特性之關係進行研究。 (實施例12) 將帝人化成公司製造的A-PET片材FR (未經表面處 理，厚度為330 裁斷成80χ8〇 mm的大小。對被裁 斷的片材用固定夾具夾持（夾持部分為5mm)4邊以使此 片材不會因加熱而收縮。接著，將經固定的膜裝入至吉爾 烘箱（ISUZU製作所公司製造的soy〇kazeSSR_113S)中， 在溫度120°C下加熱4分20秒而獲得素材。加熱後的素材 發白’並且使用日本電色工業公司製造的霧度計NDH2〇⑻ 來測定素材的穿透霧度，結果為7 7〇/〇。 將此加熱後的素材的上述夾持部分裁斷成7〇χ7〇 mm 的大小，獲，單軸延伸用素材。將此素材的4邊用夾鉗夾 〇 持而設置於高分子膜雙轴延伸裝置（岩本製作所公司製造 的BIX-703型）巾，以預熱溫度為116。〇、預熱時間為2 分鐘的條件對所設置的膜進行預熱。然後，將素材的MD 方向作為延伸方向，以延伸倍率5倍、延伸速度24 mm/sec 進行單軸延伸而獲得延伸樹脂膜。延伸是將與膜的延伸方 向垂直的端部加以固定而進行的所謂橫向固定延伸。所得 的延伸樹脂膜的厚度為72 /zm。 分別測定所得的延伸樹脂膜的總光線穿透率、穿透偏 61 201009401 3lS53pif 光度以及穿透霧度。這些測定是使用日立高新技術公司製 造的分光光度計U-4100、以及150Φ積分球附屬裝置來進 行的。測定結果示於表3。 另外，求出所得的延伸樹脂膜的結晶度。具體而言， 使用进度梯度官法比重測定用水槽（OMD-6/池田理化工業 股份有限公司）’依據密度梯度管法求出密度，並根據所求 出的密度來算出結晶度。結果示於表3。 另一方面，使用吉爾烘箱將帝人化成公司製造的 A-PET片材FR在溫度120°C下加熱4分20秒後，再設置 於高分子雙轴延伸裝置中，然後在預熱溫度116。(：下進行2 分鐘處理。即’以與上述完全相同的方式進行直至預熱， 然後將素材不延伸而自裝置中取出。測定此延伸前的素材 (延伸前的結晶化片材）的穿透霧度以及結晶度。測定方 法與上述相同。 (實施例13) 除了將使用吉爾烘箱的加熱時間設為4分50秒以 外’以與實施例12相同的方式獲得延伸樹脂膜。使用吉爾 烘箱加熱後的素材的穿透霧度為19.4%。所得的延伸樹脂 膜的厚度為72 μ m。以與實施例12相同的方式，求出延 伸樹脂膜的總光線穿透率、穿透偏光度及穿透霧度、以及 結晶度。測定結果示於表3。 另一方面，使用吉爾烘箱將帝人化成公司製造的 A-PET片材FR在溫度120°C下加熱4分50秒後，再設置 於高分子雙軸延伸裝置中，然後在預熱溫度116°C下進行2 62 201009401 jiojjpir 分鐘處理。即’以與上述完全相同的方式進 然後將素材不延料自裝置巾取出。以與實施例^的 方式，測定此延伸前的素材（延伸前的、纟 j = 透霧度以及結晶度。 乃何）的穿 (實施例14) 將三井化學公司製造的聚對苯二甲酸乙 樹脂（三井PETJ125)作為原料，使用具 二二

L/D = 32的40 一單軸擠出機，進行τ膜:= 鑄片材。將擠出溫度設為縱C。所得的鱗片 為300 e m。 又 將所得的麟片材裁斷成8嶋mm的大小而獲 材。接著’使时爾烘箱在12(rc下加熱2分5()秒此 以外，以與實關12相關方式獲得加熱 素 的穿透霧度為9.3%。 … 將此素材的擠出時MD方向作為延伸方向，以盘實施 例12相同的方式進行單軸延伸而獲得延伸細旨膜（/其中， 將延伸速度設為48 mm/Sec)。所得的延伸樹脂膜的厚度為 63 _。以與實施例12相同的方式，求出延伸樹脂膜的 總光線穿透率、？透偏歧及穿透霧度、収結晶度。測 疋結果不於表3。 另方面，使用吉爾烘箱將上述洗鑄片材在溫度120 C下加熱2分50秒後，再設置於高分子雙軸延伸裝置中， 然後在預熱溫度116。(：下進行2分鐘處理。即，以與上述 完全相同的方式進行直至預熱，然後將素材不延伸而自裝 63 201009401 31853ρΐί 置中取出。以與實施例12相同的方式，測定此延伸前的素 材（延伸前的結晶化片材）的穿透霧度以及結晶度。 (實施例15) 將使用吉爾焕箱的加熱時間設為4分40秒，並進行 所謂的「橫向自由延伸（未將與膜的延伸方向垂直的端部 固定而延伸）」，除此以外，以與實施例12相同的方式獲得 延伸樹脂膜。使用吉爾烘箱加熱後的素材的穿透霧度為 8.9%。所得的延伸樹脂膜的厚度為134 “爪。以與實施例 12相同的方式，求出延伸樹脂膜的總光線穿透率、穿透偏 鑤 光度及穿透霧度、以及結晶度。測定結果示於表3。 另一方面’使用吉爾烘箱將帝人化成公司製造的 A-PET片材FR在溫度120°C下加熱4分40秒後，再設置 於高分子雙軸延伸裝置中，然後在預熱溫度n6t：下進行2 分鐘處理。即，以與上述完全相同的方式進行直至預熱， 然後將素材不延伸而自裝置中取出。以與實施例12相同的 方式，測定此延伸前的素材（延伸前的結晶化片材）的穿 透霧度以及結晶度。 (比較例6) 〇 將帝人化成公司製造的A_PET片材FR (未經表面處 理，厚度為330 "m)裁斷成70x70 mm的大小，獲得單 轴延伸用素材。將此素材的4邊用夾钳夾持而設置於高分 子膜雙轴延伸裝置（岩本製作所公司製造的ΒΙχ_7〇3型） 中，以預熱溫度為116X：、預熱時間為2分鐘的條件對所 設置的膜進行預熱。未能以目視確認到即將延伸前的素材 64 201009401 ^iSD^pir 發白。錢，將素材的MD方向作為延伸方向，以延伸倍 率4.5倍、延伸速度48 mm/see進行單軸㈣祕得延伸 樹脂膜。延伸是將與膜的延伸方向垂直的端部加以固定而 進行的所謂橫向固定延伸。所得的膜的厚度為7〇 另外，直至將素材設置於高分子雙軸延伸裝置中並在 預熱溫度124C下預熱2分鐘為止是與上述完全相同的， 然後不進行延伸而將素材自裝置中取出。將此素材作為延 伸前的素材（延伸前的結晶化片材），測定穿透霧度以及結 晶度。測定結果示於表3。 ° 如表3所示，若適當控制延伸前的結晶化片材的穿透 霧度或結晶度，則可對所得的延伸樹脂膜平衡性良好地賦 予所需的光學特性即穿透偏光度與穿透霧度此兩者。 3.膜的光學特性與微結構之關係 對延伸後的樹脂膜的標準化分子配向與光學特性之 關係、以及延伸後的樹脂膜的微結構與光學特性之關係進 行研究。 (實施例16) 將帝人化成公司製造的Α_ΡΕΤ片材FR (未經表面處 理，厚度為330 /zm，表1中稱為「樹脂Α」）裁斷成7〇χ 70 mm的大小，獲得單轴延伸用素材。將此素材的4邊用 夾射夾持而設置於高分子膜雙軸延伸裝置（岩本製作所公 司製造的BIX-703型）中。將素材的MD方向作為延伸方 向。對所設置的膜進行預熱。將預熱溫度設為118°c，且 將預熱時間設為8分鐘。即將延伸前的素材發白。然後， 65 201009401 31853pif 以延伸倍率5倍、延伸速度48 mm/see進行單軸延伸而獲 得偏光性擴散膜。延伸是將與膜的延伸方向垂直的端部加 以固定而進行的所謂橫向固定延伸。所得的膜的厚度為乃 fim。 (實施例17) 將實施例16中用作原料的A_PET諸裁斷成8_ mm的大小。對被裁斷的片材用固定夾具夾持（夾持部分 為5 mm) 4邊以使此片材不會因加熱而收縮。接著，將經 固定的膜裝入至吉爾烘箱（ISUZU製作所公司製造的 ⑩ S:kaZe!SR_113S)巾’在溫度贼下加熱2.8分鐘， 獲知·延伸剛的素材。加熱後的素材發白，並且使用日本電 色工業公司製造的霧度計NDH 2000來測定素材的穿透霧 度，結果為22%。 將此素材的上述夾持部分裁斷成7〇χ7〇 mm的大小 後，以與實施例16相同的方式進行單軸延伸。此時，將預 熱溫度設為116°C，且將預熱時間設為2分鐘。所得的偏 光性擴散膜的厚度為76 jt/m。 (實施例18〜26以及29〜30) © 以表4所示的方式分別變更延伸前的吉爾烘箱中的加 熱處理條件（加熱溫度與加熱時間）、預熱溫度與預熱時間 以及延伸條件（延伸速度及延伸溫度除此以外，以與實 施例17相同的方式獲得偏光性擴散膜。 (實施例27〜28以及31) 進行「橫向自由延伸（未將與膜的延伸方向垂直的端 66 201009401 j固疋而延伸）」，並且變更成表4所示的延伸前的吉爾烘 箱中的加熱處理條件（加熱溫度與加熱時間）、 預熱時間以及延伸條件（延伸速度及延伸溫度） 外，以與實施例17相同的方式獲得偏光性擴散膜。 (實施例32〜36) ' 使用大阪樹脂化工製造的Α-ΡΕΤ片材（pet 26Ρ，未 經表面處理，厚度為2〇〇 Am)(表5中稱為「樹脂b」） 〇 作為素材，來代替實施例π中所用的素材。並且，以表5 所示的方式分別變更延伸前的吉爾烘箱中的加熱處理條件 (加熱溫度與加熱時間）、預熱溫度與預熱時間以及延伸條 件（延伸速度及延伸溫度），除此以外，以與實施例17相 同的方式獲得偏光性擴散膜。 (實施例37〜38) 將二井化學公司製造的聚對苯二曱酸乙二g旨（PET) ;W'月曰（二井PET SA135)作為原料，使用具備全螺紋螺桿 的L/D = 32的40mm0>單轴播出機，進行τ模製膜而將澆 檮片材製成素材（表5中稱為「樹脂C」），使用此素材代 替實施例17中所使用的素材。將擠出溫度設為27〇°c。所 得的澆鑄片材的厚度為300 /zm。 並且，以表5所示的方式分別變更延伸前的吉爾烘箱 中的加熱處理條件（加熱溫度與加熱時間）、預熱溫度與預 熱時間以及延伸條件（延伸速度以及延伸溫度），除此以 外’以與實施例Π相同的方式獲得偏光性擴散膜。 (實施例39〜40) 67 201009401 31853pif 將三井化學公司製造的聚對苯二甲酸乙二自旨（ρΕτ) 樹脂—（三井PETm5)作為原料，使用具備全螺紋螺桿的 L/D = 32 $ 40 ππηφ單轴擠出機，進行τ模製膜而將洗鑄 j製成素材（表5中稱為「樹脂D」），使用此素材來代 y施例17中所使用的素材。將掩出溫度設為270〇C。所 得的澆鑄片材的厚度為300 am。 並且，以表5所示的方式分別變更延伸前的吉爾洪箱 中的加熱處理條件（加熱溫度與加熱時間）、預熱溫度與預 熱時間以及延伸條件（延伸速度以及延伸溫度），除此以 參 外，以與實施例17相同的方式獲得偏光性擴散膜。 (比較例7〜13) 以表4所示的方式分別變更延伸前的吉爾烘箱中的加 熱處理條件（加熱溫度與加熱時間）、預熱溫度與預熱時間 以及延伸條件（延伸速度以及延伸溫度），除此以外以與 實施例16或17相同的方式獲得偏光性擴散膜。 、 (比較例14〜15) 以表5所示的方式分別變更延伸前的吉爾烘箱中的加 熱處理條件（加熱溫度與加熱時間；)、預熱溫度與預熱時間 © 以及延伸條件（延伸速度以及延伸溫度），除此以外，以與 實施例32相同的方式獲得偏光性擴散膜。 、 (比較例16〜19) 以表5所示的方式分別變更延伸前的吉爾烘箱中的加 熱處理條件（加熱溫度與加熱時間）、預熱溫度與預熱時間 以及延伸條件（延伸速度以及延伸溫度），除此以外，以與 68 201009401

實施例37或39相同的方式獲得偏光性擴散膜。 1)光學特性的測定 對上述實施例以及比較例中所得的延伸樹脂膜分別 測定：總光線穿透率（Ttotal)以及將膜厚度設為100 時的總光線穿透率（Tt〇tal@100 em);穿透偏光度以及 將膜厚度設為100 時的穿透偏光度；穿透霧度以及將 膜厚度設為100 //m時的穿透霧度。這些測定是以與上述 相同的方式’使用日立高新技術公司製造的分光光度計 U-4100、以及150Φ積分球附屬裝置來進行。 2 )結晶度的測定 對延伸樹脂膜求出結晶度。具體而言，使用密度梯度 管法比重測定用水槽（〇MD_6/池田理化工業股份有限公 司），依據密度梯度管法求出密度，再根據所求出的密度算 出結晶度。 3)標準化分子配向m〇R-c的測定 標準化分子配向MOR-c是利用王子計測機器股份有 ® 限公司製造的微波方式分子配向計MOA-6000來測定的。 基準厚度tc設定為1〇〇 # m。測定結果示於表6及表7。 可知：實施例16〜40的延伸樹脂膜滿足對可見光線 的總光線穿透率為50%〜90%、對可見光線的穿透霧度為 15%〜90%、且對可見光線的穿透偏光度為20%〜9〇%，相 對於此，比較例7〜13中所得的延伸樹脂膜不滿足上述中 的任一種。 其中可知，為了使穿透偏光度大於等於30%，較好的 69 201009401 31853pif 是對延伸前的加熱處理時間、延伸速度或者延伸溫度進行 調整’以使標準化分子配向MOR-c為1.5〜5 (固定端延 伸時）或者1.5〜7 (自由端延伸時）。 具體而言，根據表7的實施例37〜38以及實施例39 〜40可知，若加熱處理時間變長，則預熱前霧度亦變高； 若加熱處理時間變短，則預熱前霧度亦變低。另外可知， 預熱前霧度越高，則標準化分子配向MOR-c亦變得越高； 預熱則霧度越低，則標準化分子配向MOR-c亦越低。作 是可知’若預熱前霧度過高，為大於等於40%，則延伸後 的標準化分子配向MOR-c亦變得過大，為5〜6 (固定端 延伸時），因此穿透偏光度亦稍稍變低（成為小於3〇0/(〇。 根據表6的實施例18〜19及實施例29、以及表7的 實施例32〜33及比較例14的對比可知，延伸速度越小， 則標準化分子配向MOR-c亦越小，延伸速度變得越大， 則標準化分子配向MOR-c亦變得越大。但是，若延伸速 度過大’為200 m/sec，則會過度配向。因此可知，標準化 分子配向MOR_c亦變得過大，為4.8〜5.3 (固定端延伸 時）’而穿透偏光度稍稍變低（成為小於30%)。同樣，根 據實施例27〜28及31的對比亦可知，若延伸速度過大， 為173 m/sec，則標準化分子配向MOR-c亦過大，為67 左右（自由端延伸時），因此穿透偏光度稍稍變低（成為小 於 30%)。 根據實施例24〜25以及比較例12〜13的對比可知， 若延伸溫度較高’則延伸後的標準化分子配向m〇R_c較 201009401 oiojjpn 低，若延伸溫度較低，則延伸後的標準化分子配向m〇R c 較高。但是，若延伸溫度過低，則會過度配向。因此可知， ，準化分子配向MOR-c亦超過5.1 (固定端延伸時）而變 得過大’而穿透偏光度變低（成為小於3〇%)。 4)偏光顯微鏡觀察、拉曼分析 進一步對實施例17以及實施例35的延伸樹脂膜測定 與延伸方向平行的剖面的偏光顯微鏡照片以及拉曼光譜。 試料是使用將延伸樹脂膜以與延伸方向平行的方式進行切 斷而得的厚度為1的試料片。 偏光顯微鏡圖像是利用以下條件觀察的。 裝置名：NIKON OPTIPHOT-2 觀察條件：物鏡為χΙΟΟ 觀察倍率（ 1000倍） 攝影裝置：CANON POWERSHOTA650 觀察偏光像的條件：在穿透像的入射光侧、觀察光侧 配置偏光膜 # 拉曼光譜是利用以下條件測定的。 裝置名· Ramanor T-64000 ( Jobin Yvon/ 愛君物產） 測定模式：顯微拉曼 測定條件：束徑為1 //m 十字狹縫為100 /zm〜200 /zm

光源為氬離子雷射/5145A

雷射功率為5 mW〜30 mW 在實施例17以及實施例35的延伸樹脂膜中均確認到 71 201009401 31853pif 存在與延伸方向平行的明部的明暗結構（其中，實施例35 的延伸樹脂膜的偏光顯微鏡照片是上述的圖2A)。 進而，以與上述相同的方式，對實施例17的延伸樹 月曰膜測定母個測定位置的結晶度以及配向度。其結果示於 圖19。以與圖4以及圖ό相同的方式確認到，1730 cirT1 附近的譜帶的半寬值的相鄰極大峰值與極小峰值之差的至 少-個大於等於0.2⑽-1 ; 1615 cm]附近的譜帶強度比 (Ip/Iv)的相鄰極大峰值與極小峰值之差的至少一個大於 等於0.03。 ' 5) TEM觀察 進一步對所得的延伸樹脂膜_的一部分測定與延伸 方向垂直之剖面的TEM圖像中的明部的面積分率。、tem 觀察是使用日立高新技術公司製造的Η 765〇進行觀察 的。測定結果與上述D〜3)的測定結果一併示於表8以 及表9。 可知，在表8的實施例中，在延伸樹脂膜的與延伸方 向垂直的切斷面的ΤΕΜ觀察中觀察到明暗結構，相對於 此，在表9的比較例中，大部分未觀察到明暗結構。、 4.膜的表面形狀與亮度特性之關係 聚光；偏光性擴散膜的表峨而引起的對 (實施例41 ) 將三井化學公司製造騎對苯二甲酸乙二§旨（ρ 樹脂（MPETJU5)作為原料，使用具備全螺紋螺桿的 72 201009401 = 單=機，進行丁模製膜而獲得洗 為帽^度一 27GC。所得的_材的厚度 將所得的鱗片材裁斷成漏Gm =用固定夹具夫持(夹持部分為5mm):邊= 辨收縮。接著’將經固定的膜裝入至吉爾 丈、相(ISUZU製作所公司製造的s〇y〇kazeSsR ii⑹中， ❹ 在溫度120t下加熱4分鐘’獲得延伸前的加熱素材。加 熱後的素材發白，並且使用日本電色I業公司製造的霧度 計NDH2000來測定素材的穿透霧度，結果為9 7%。^ 將此加熱素材的上述夾持部分裁斷成70X70 mm的大 小，獲得單軸延伸用素材。將此單軸延伸用素材的4邊用 夾鉗夹持而設置於高分子膜雙軸延伸裝置（岩本製作所公 司製造的BIX-703型）中，將經設置的膜在預熱溫度115 °C下預熱1分30秒。然後，將素材的擠出時MD方向作 為延伸方向，以延伸倍率5倍、延伸速度24 mm/see進行 早轴延伸而獲得早轴延伸樹脂膜。延伸是未將與膜延伸方 向垂直的端部固定而進行的所謂橫向自由延伸。 所得的單軸延伸樹脂膜的厚度為285 //m。使用日立 高新技術公司製造的分光光度計U-4100以及ΐ5〇φ積分j東 附屬裝置，以已述的方式測定且算出此膜的光學特性。總 光線穿透率為57.7%，穿透霧度為46.8%，穿透偏光度^ 58.1%。 準備具有稜鏡間距為50 /zm、頂稜的角度為9〇度、 73 201009401 31853pif 深度為25 的刮面形狀的稜鏡行（一維稜鏡）且厚度 為0.3 mm的鎳電鎿片材。將鎳電鑄片材以上述單軸延伸 樹脂膜的延伸方向與稜鏡的稜線互相垂直的方式重叠於單 轴延伸樹脂膜上。用具有平坦面的不鏽鋼（stainless)板夾 入所得的積層體。 將壓製模具溫度設為15〇。〇，且將施加於片材的壓力 言曼為lOMPa ’投入述樣品，以預熱2〇秒、加壓1〇秒、冷

卻20秒的方式進行加壓壓製。冷卻後取出樣品，自鎳電鑄 片材上剝雜’從喊得在表面卿有—賴鏡的偏光性 擴散膜。所得的偏光性擴散膜的厚度為279 ym。 (實施例42 ) 藉=與實闕41相同_序製作單轴延伸樹脂膜 接著’準備具有球面的直徑為6〇 _、球面的高度為： 二相對真充率為G 8 (自片材上面觀察時的凹部總 鎳電鎢片材是==〇球面凹部的鎳電鑄片材

日本專利號申請專;;範圍= 轴延財式，㈣輯重疊於 的積層體n /方向為任意），用残鋼板夾入所: 光性擴散膜。：的形有微透鏡的 (實施例43) 散膜的厚度為282 gm。 藉由與實施例41 準備實施例41 ，同的順序製作單軸延伸樹脂膜。 所使用的具有稜鏡行的鎳電鑄片 74

201009401 ^is^pir 材。在玻璃板上放置鎳電鑄片材。一邊注意不讓氣泡進入， 一邊將紫外線硬化樹脂（東洋合成工業製造的PAK_〇2)塗 佈於鎳電鑄片材上。在經塗佈的樹脂上，以延伸方向與稜 鏡的頂稜互相垂直的方式重疊單轴延伸樹脂膜，再將另外 的玻璃板（上部玻璃）重疊於上部使其密接。 將上述積層體的周圍用夾具（clip)固定，並在按廢 狀態下自上部玻璃面照射10 mJ/cm2的紫外線而使樹脂硬 化。硬化完畢後’自鎳電鑄片材上剝離膜。由此，可獲得 在表面具有賦形有稜鏡的硬化樹脂層的偏光性擴散膜。所 得的偏光性擴散膜的厚度加上硬化樹脂層的厚度共為310 // m。 (實施例44) 除了使用實施例42中所使用的具有球面凹部的錄電 鑄片材以外，藉由與實施例4 3相同的順序，獲得在表面具 有賦形有微透鏡的硬化樹脂層的偏光性擴散膜。所得的^ 光性擴散膜的厚度包括紫外線硬化樹脂層的厚度在内為 312 // m。 (實施例45) 未在實施例41的單轴延伸樹脂膜的表面形成棱鏡 部，而製成偏光性擴散膜。 & (實施例46) 在帝人化成公司製造的聚碳酸酯樹脂膜（panlite膜， 厚度為125 em)的表面，以與實施例41相同的方式喊 形稜鏡而製成偏光性擴散膜。其中’將壓製模具溫度^為 75 201009401 31853pif 21〇C。所得的偏光性擴散膜的厚度為123 (實施例47) 搜，度!*人化成公司製造的A_PET片材FR (未經表面處 切二為33G㈣）的表面，以與實施例41相同的方 成賦形有微透鏡的魏樹脂層而製成偏紐擴散膜。 所得的偏紐贿賴厚度包括料線硬化_層的厚度 在内為353 // m。 (實施例48)

在實施例41的單袖延伸樹脂膜的主面上，經由丙稀 酸系透明黏著劑（厚度為25㈣）而貼合以雙軸延伸ρΕτ 膜為基材的3Μ飼製造的稜鏡膜（BEFII)的非稜鏡面， 製成偏光性擴韻。使偏紐擴㈣的延伸方向與棱鏡的 了頁棱互相垂直。所得的偏光性擴散膜的厚度為458 1)亮度測定

使用實施例41〜48巾所得的偏光性擴散膜，來製作 液晶顯不裝置。首先’準備1〇.4型VA方式的TFT液晶顯 不裝置（d公司製造）。本裝置的液晶面板的下部偏光板 的吸收軸設定成與顯示畫面縱方向平行。 以如下方式變更本裝置的背光源單元（冷陰極管2燈 侧光型）的導光板主面上的構成。 1) 在導光板上配置珠粒塗佈型擴散膜（將與光擴散 面相反的面設為光入射側時的總光線穿透率為58%，穿透 霧度為91%)。 2) 在珠粒塗佈型擴散膜的上侧（液晶面板侧）的中 76 201009401 央部配置實施例或者比較例的偏光性擴散膜（評價膜）。評 價膜的大小設定成顯示畫面縱方向為3.5 cm、橫方向為2.5 3)使用黑色片材對珠粒塗佈型擴散膜的配置有評價 膜的部位以外的部位進行遮罩遮光。 實施例41〜44、實施例45以及實施例48的偏光性擴 散膜：以單軸延伸樹脂膜的延伸軸（反射轴）與液晶面板 的下部偏光板的吸收軸大致平行、即與顯示畫面縱方向平 行的方式進行配置。 實施例46以及實施例47的偏光性擴散膜：以稜鏡的 頂稜與顯示畫面橫方向平行的方式進行配置。 實施例49 :未配置偏光性擴散膜。即在珠粒塗佈型擴 散膜與液晶面板間僅配設用以進行遮罩遮光的黑色片材。 BM-7)，測定液晶顯示裝置的顯示 ❹ 積分值。 將如此準備的液晶顯示裝置設置於Χ.Υ. 0載物台 上。使用色彩亮度計（Topcon Technohcmse公司製造二 示面的正面亮度以及亮度 ，液晶顯示裝㈣__法線方向與色彩亮度計

的測定^ - 方向上； 價膜的 度，將I 為亮度： [表 10] 77 201009401 31853pif 正面亮度 (cd/πί) 亮度積分值 (cd/iri) 實施例41 192 3429 實施例42 164 3086 實施例43 201 3466 實施例44 171 2967 實施例45 120 2780 實施例46 162 2928 實施例47 143 2509 實施例48 119 2562 實施例49 101 2383 實施例41〜44的偏光性擴散膜與實施例45 (雖為單 轴延伸樹脂片材，但不具有稜鏡形狀）、實施例46 (#延 伸樹脂片材上具有稜鏡形狀）、實施例47 (非延伸樹脂片 材上具有微透鏡形狀）相比較，在正面亮度以及亮度積分 值方面獲得較高的值。實施例48 (為單轴延伸樹脂片材， 且貼附有稜鏡膜）中，由於雙轴延伸PET膜基材的較大相 位差，偏光稍有散射，與實施例45相比則亮度稍低。

本申請案主張基於2008年7月4日申請的日本專^ 特願2〇〇8_175942、2〇〇8年11月11日申請的日本專利与 願2008_288868、2008年12月11日申請的日本專利特及 2008-315926、2008年12月26日申請的日本專利铜 2008- 333997以及2009年5月15日申請的日本_ 2009- U9085的優先權。此申請說明#以及圖 ^ 内容全部被引用至本案說明書中。 [產業上之可利用性] 根據本發明，可提供—概自職面讀的光中的特 78 201009401

JiOJjpil 定偏光有效率地穿透及擴散、並且將與上述特定偏光正交 的偏光有效率地反射的膜。使用此膜的液晶顯示裝置成= 高亮度且廣視角、亮度不均較少的液晶用顯示裝置。而且， 本發明之偏光性擴散膜亦可提高液晶顯示裝置的正面亮 度。 儿 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明’任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 ❻ 本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，故本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1A是本發明之偏光性擴散膜的與延伸方向平行的 剖面TEM像的一例。 圖1B是本發明之偏光性擴散膜的與延伸方向垂直的 剖面TEM像的一例。 圖1C是圖1B所示的TEM像的二值化圖像。 圖2A是本發明之偏光性擴散膜的與延伸方向平行的 β 剖面的偏光顯微鏡像的一例。 圖2Β是表示圖2Α中利用拉曼分光光度計進行線分析 的部位的圖。 圖3之（Α)、（Β)是表示圖2Β所具有的測定位置的 拉曼光譜的一例的圖。 圖4是將圖2Β的每個測定位置的173〇 cm·1附近的譜 帶的半寬值進行作圖而得的圖。 圖5之（A)、（B)是表示圖2B所具有的測定位置的 79 201009401 拉曼光譜的一例的圖。 圖6是將圖2B的每個測定位置的丨615 cm-1附近的譜 帶的強度比相對於測定位置進行作圖而得的圖。 圖7是表示標準化分子配向M〇R_e與穿透偏光度之 關係的一例的圖。 圖8是表示本發明之偏光性擴散膜的表面形狀的第i 例的包含膜剖面的立體圖。 圖9是表示本發明之偏光性擴散膜的表面形狀的第2 例的包含膜剖面的立體圖。 圖W之（A)、（B)是表示本發明之偏光性擴散膜的 表面形狀的第3例的俯視圖以及剖面圖。 圖11疋表不液晶顯不裝置的構成的一例的圖。 2疋表不液晶顯不裝置的構成的其他例的圖。 圖13是說明液晶顯示裝置的顯示機制的圖。 圖14是表示實施例/比較例的測定結果的表。 圖15是表示實施例/比較例的偏光性擴散膜的製造條 件的表。 圖16是表示實施例/比較例的偏光性擴散膜的製造條 件的表。 圖17是表示實施例/比較例的偏光性擴散膜的光學特 性的測定結果的表。 圖18是表示實施例/比較例的偏光性擴散瞑的光學特 性的測定結果的表。 圖19之（a)、（B)是表示實施例的偏先性擴散膜的 201009401 每個測定位置的結晶度以及配向度的圖。 圖20是表示實施例的測定結果的表。 圖21是表示比較例的測定結果的表。 【主要元件符號說明】 10 .液晶胞 20:上部偏光板 21 :下部偏光板 30 :偏光性擴散膜 ® 40:光學元件 50 :導光板 60 :反射片材 70 :光源 80 :擴散板 100 :來自光源的非偏光

101 :偏光V

102 :偏光P

φ 1〇3 :偏光P 104 :反射光 P1 :稜鏡間距 θ 1、Θ 2 :棱鏡頂角 hi :稜鏡高度 P2 :四角錐的頂點彼此的距離 h2 :距離四角錐的底面的高度 D:球面的透鏡徑 81 201009401 J)103jpil h':球面高度

Claims (1)

1. 201009401 七、申請專利範圍： 1_ 一種偏光性擴散膜’其實質上是由一種固有雙折射 大於等於0.1的結晶性樹脂所構成，並且 此偏光性擴散膜對可見光線的總光線穿透率為5〇% 〜90%， 對可見光線的穿透霧度為15%〜90%，且 對可見光線的穿透偏光度為2〇%〜9〇〇/〇。 ❿ 2.如申請專利範圍第1項所述之偏光性擴散膜，其中 上述偏光性擴散膜的結晶度為8%〜40〇/〇， 於對上述偏紐擴散膜照射多色光時的交叉偏光鏡 下的偏光顯微鏡觀察中觀察到明部與暗部， 上述明部與暗部實質上由相同的組成所構成， 上述明部具有長軸，且各明部的上述長軸互相大致平 行，並且 上述明部具有比上述暗部更高的結晶度以及更高的 配向度。 ❿ 3·如中請專利範圍第1項所述之偏光性擴散膜，其中 上述偏光性擴散膜的結晶度為8%〜4〇% , 於對上述偏紐擴散膜照射多色光時的交叉偏光鏡 下的偏光顯微鏡觀察中觀察到明部與暗部， 上述明部與暗部實質上由相同的組成所構成， 上述明部具有長軸且各明部的上述長轴互相大致平 行， 在上述偏光性擴散膜的與上述明部的長轴方向大致 83 201009401 切斷面中’ 氬離子雷射拉曼分絲度計，對與 ’L月部的長軸方向大致垂直、且通過明部與暗部的5以 照射具有514 5nm波長的光並以W _間隔 仃田’將所得拉曼光譜的1730 cm-1附近的拉曼帶的半 寬值相對於測定位置而進行作圖，此時相鄰的極大峰值與 玉小峰值之差的至少一個為大於等於0.2 cm-1，並且、

   在上述偏光性擴散膜的與上述明部的長轴方向大致 平订的斷面中，湘氬離子雷射拉曼分光光度計，對與 上述明部的長軸方向大致垂直、且通過明部與暗部的5 “ m的線上’照射與上述明部的長軸方向平行以及垂直的偏 光並以〇.5以m間隔進行掃描，將所得拉曼光譜的當照射 與上述明部的長軸方向平行的偏光時的 1615 cm-1 二 ^的 拉曼帶強度Ip、與當照射與上述明部的長軸方向垂直的偏 光時的1615 cm·1附近的拉曼帶強度1¥之強度比（Ip/Iv) 相對於測定位置而進行作圖，此時相鄰的極大峰值與極小 峰值之差的至少一個為大於等於〇 〇3。

   4.如申請專利範圍第1項所述之偏光性擴散膜，其中 上述偏光性擴散膜的結晶度為8%〜40%， 上述偏光性擴散膜是由上述固有雙折射大於等於〇1 的結晶性樹脂的單轴延伸樹脂膜所構成， 上述單軸延伸樹脂膜在將膜厚度設為1〇〇 Am時的 對可見光線的穿透霧度為20%〜90〇/〇， 上述單軸延伸樹脂膜的與延伸方向垂直的切斷面的 TEM像（攝像範圍的膜厚度方向的距離為〇 1 ，且攝 84 201009401 像面積為45 em1 2 3 4 5 6)中觀察到明暗結構，並且 上述明暗結構的明部與暗部實質上由相同的組成所 構成。 5_如申請專利範圍第2項所述之偏光性擴散膜，其中 利用微波穿透型分子配向計所測定的上述偏光性擴散膜的 當將基準厚度設為1〇〇 時的標準化分子配向MOR-c 為1.2〜7 〇 6_如申請專利範圍第3項所述之偏光性擴散膜，其中 利用微波穿透型分子配向計所測定的上述偏光性擴散膜的 當將基準厚度設為1〇〇時的標準化分子配向MOR-c 為1.2〜7。 7. 如申請專利範圍第4項所述之偏光性擴散膜，其中 上述明暗結構的二值化圖像中的明部的面積分率為6%〜 80%。 8. 如申請專利範圍第1項所述之偏光性擴散膜，其中 將膜厚度設為100 時的穿透偏光度為30%〜90〇/〇。 ® 9·如申請專利範圍第2項所述之偏光性擴散膜，其中 上述結晶度為8%〜3〇%。 85 1 〇.如申請專利範圍第1項所述之偏光性擴散膜，其 2 中上述結晶性樹脂為聚酯系樹脂、芳香族聚醚酮樹脂、戋 3 者液晶性樹脂。 / 4 11. 如申請專利範圍第1〇項所述之偏光性擴散膜，其 5 中上述結晶性樹脂為聚對笨二曱酸乙二酯樹脂。 6 12. 如中請專利範圍第1項所述之偏紐擴散膜，其 201009401 中上述偏光性擴散膜的至少-方的表面具有具備聚光功能 的表面形狀。 13. 如申請專利範圍帛12項所述之偏光性擴散膜，其 中 上述具備聚光功能的表面形狀為： 上述偏光性擴散膜的表面形狀、或者 與上述偏光性擴散朗表面接觸的麵層的形狀。 14. 如中請專利賴第12項所述之偏光性擴散膜，其 上述具備聚光功能的表面形狀為—維稜鏡、二維棱鏡、 或者微透鏡。 I5· 一種偏光性擴散膜的製造方法，其是用於製造如 :請專利範圍第1項所述之偏紐擴散朗方法，此製造 方法包括： 對由固有雙折射大於等於Q1的結騷_所構成的 ^狀態的片材騎加熱喊得結晶片材的步驟；以及 以上述結晶片材為主而朝單轴方向延伸的步驟。 ❹ 絮、生1\如!請專利範㈣15項所述之偏紐擴散膜的 k方法，其中於獲得上述結晶片材的步驟中，在下述式 所表示的溫度τ τ，將上述非晶狀態的 結晶度達到大於等於3%為止： Tc-30°C ^T<Tm_10°c ( 〇 (-式（1)中，Tc表示上述結晶性樹脂的結晶溫度， 111表不上述結晶性樹脂的熔點）。 17.如中請專利顧第15項所述之偏光性擴散膜的 86 201009401 製造方法，其中上述結晶片材對可見光線的？透霧度為7% 〜70%，且結晶度為3%〜20%。 18. -種液晶顯不裝置，其包括：（A)液晶背光源用 面光源、⑻至少-個光學元件及/或氣隙、（c)如申請 專利圍第1項所述之偏光性擴散膜、以及⑼用兩片 或兩片以上的偏光板夾持液晶胞而成的液晶面板；並且 上述（A)面光源至（D)液晶面板的各構件按上述 順序配置。 ® 19.如申請專利範圍第18項所述之液晶顯示裝置，其 中上述（C)偏光性擴散膜與上述（〇)液晶面板鄰接配置。 20_如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示裝置，其 中上述（C)偏光性擴散膜兼作構成上述（d)液晶面板的 偏光板的光源侧保護膜。 21.如申請專利範圍第18項所述之液晶顯示裝置’其 中上述（C)偏光性擴散膜的反射軸、 與構成上述（D)液晶面板且配置於上述光源侧的偏 〇 光板的吸收軸方向大致相同。 87