TW201009405A - Structure for pinpointing light guide plate luminance or uniformization - Google Patents

Description

201009405 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本創作涉及-種·於背光模_縣板改良結構。 【先前技術】 背光模組的應用十分普遍，舉凡筆記型電腦、顯示器、手機、 液晶電視、…等顯示器本身不會發光的電子設備都需要背光模組 ❾來提供光源。 -般的絲模組包含有導光板與光源，對於機體厚度要求較 薄的電子產品而言，通常妓用LED做為光源，並將該光源設於 導光板側邊的入光面’導光板的第一側面則設置一反射片，相對 的第二側面做為出光面並設置由擴散片與增光片等所組成的複數 光學膜片。光源所發出的姐由人絲投射進人導歧内傳遞， 部分光線由反射片反射，再依序從出光面通過擴散片與增光片射 ，出。 基於LED所發射的光線具有良好指向性的賴，—般的背光 模組都在導光板的入光面設置複數個光源，使多數光源將光線射 入導光板而能在導光板的出光面呈現出發光效果^惟，由於光源 4曰向f生的因素’導光板在光線直接通過的位置之亮度相對較高^ 未直接通過的位置職度相對較低；又，由於光線的傳導會隨著 距離的延長而衰減’使得導光板距離光源近的位置之亮度相對較 高’而距離光源較遠的位置則亮度相對較低，致使整個導光板的 201009405 党度可能不均勻’因此，習知背光模組的導絲，均會設置用來 t 使導光板發光均勻化的結構。 ，例如台灣補公告第5咖號，是在導歧職於點光源方 向設有數絲形的細微結構，㈣轉細微結構正對應點光源的 入光區為中心作形狀、角度、密度、大小或位置的配置，以取得 點光源入射光均勻化輸出的效果。 台灣專利1242674號’収在導光板之人辆設置多數排列 β之微結構，而多數微結構之排列方向與導光板之出光面係呈斜之 形態，使得光源之光線通過多數傾斜排狀微結構時，會將光源 之光線偏向導向反射面，以增加光線之利用率。 台灣專利Μ317584號，則是在導光板的入光面上設置ν型凹 槽’以讓由人光面人光的光源，朗”凹槽晴射，可快速由 導光板的出光面射出而作為顯示光源，據而減少光源在導光板内 的傳遞路徑，以減少光能的耗損，來降低廢熱之產生，其可節省 ® 能源之消耗，同時降低使用成本。 前述各種習知技術之導光板人光_微結構，讀上 等的節距與相等的深度，此對於導光板的整體發光均勾化固然有 所助益’但對於欲在導光板取得局部發光輝度的增強可能有所不 【發明内容】 本發明社要目的’係針對f知背光之導光板入光面的 201009405 微。構進行？文良’使導光板的出光面除了可以獲得均句化的發光 果卜還可〖X藉由微結構之節距或深度的改變而在導光板的局 部產生不同的輝度效果。 籲 本毛月的特徵’係將設於導光板之人光面的微結構，依導光 板出光面所要表現輝度需要而設為具備不同的節距或/及深度，使 /道穿透轉微結構進人導光板内後，藉由光線的反射與折射而 光板的特定區域提高輝度，或使導光板的發光均勾化。 树日靖於所麵結構峨術手段，係在導光板的入光面成 ^硬數突出該入光面的突出物’兩突出物之間形成一節距，每 :突出物具有一高度’該節距與高度係依導光板所欲獲得之輝度 耘度而配合變化，以產生進入導光板的不同光量。 面對於所述微結構的另一技術手段，係在導光板的入光 —複數低於解光板之人光蝴凹部，_部之間形成一 魯 X輝4度而配合變化，以產生進入導光板的不同光量。 可以種的選擇，本發明微結構之突出物或凹部，其節距 :目’’但各突出物的高度或各凹部的深度不—定相等。 产可麵’本發繼構之娜的高度或凹部的深 又了以均相等，但各節距不一定相等。 :為第三種選擇，本發明微結構之該等突出物的節距與高 ^或凹部的距節與深度，可以均不一定相等。 做為第四種選擇，本發賴結構之如物如部，其在入光 201009405 面的排列’可以從對稱的兩側往中間逐漸減小高度。 做為第五種選擇，本發明微結構之突出物或二部，其在 面的排列，可以從對稱的兩侧往中間逐漸增加高度。 做為第六種選擇，本發明微結構之突出物或二部，並在 面的排列，可以從對稱的兩侧往中間逐漸減小節距。- ❹ 做為第七種選擇，本發明微結構之突出物或凹部，其在 面的排列，可以從對稱的兩侧往中間逐漸增加節距。 =發明之微結構突峨凹部的較佳實施例，係從入 -侧邊延伸到相對的另m述 方向的斷面可以是：_、本_ ^ 晚直於光入射 /疋一角形、+固形、錐形或任何適當的幾何形狀。 述的微結構，當導光板的局部位置需要較高的輝声 二二減小對應該局部位置之入光面的突出物高度或增加二 冰又，也可以擴大突出物或凹部的節距，以增加對應該局部位置 的進先量。相反的，當導光板的局部位置需要較低的輝度時，則 可以增加對應該局部位置之入光面的突出物高度或減小凹部深

度，也可以縮小突出物或凹部的節距，以減少對應該 進光量。 J 【實施方式】 以下配合圖式及元件符麟本發_實財式做更詳細的說 明，俾使熟習朗技藝者在研讀本說料後能據以實施。 第-圖顯示本發明的導光板！，具有一位於側邊的入光面⑴ 201009405 並乂最大的側面做為出光面i2，所述入光面u形成有複數微結 構13並在入光面u處設置複數光源2，光源2可將光線投射通 過微、、"構13進人導光板1⑽遞’光線在通職結構時產生反射 ”折射後再進人導光板，進而由出光面12呈現出較為均勻的發光 效果本發明的特徵，係藉由微結構的特殊設計，以改變光線通 過微結構後的光4 ’ _達_整出光面12輝度的效果。本發明 微、。構13可以有_形態，第—種形態為第—圖至第九圖所示 ©的犬出入光面U表面的突出物版，第二娜態為第十圖至第十 八圖所示的低於入光面11表面的凹部13b。 再參閱第-圖所示’本發明的其中一實施例，係將突出入光 =11的微結構—體成型為複數個垂直於人光面之斷面呈三角形的 突出物13a，兩突出物13a之間的節距p均辦但各突出物的高 度=係由對稱兩侧往中間逐漸減小。第二圖所示的實施例，則是 1犬出物13a之間的節距？均相等，但各突出物的高度η係由對 私兩側往中間逐漸增加。因此，光線通過人光面丨1時，高度Η大 的突出物13a會形成較大絲阻，喊度⑸、的如物產生較小 的光阻’致使從低高度讀的光量較乡，便能在對賴低高度突 出物位置的導光板局部區域產生較高的輝度。 第三圖所示的實施例，為各突出物13a的高度相等，但節距？ 從對稱兩侧往中間逐漸擴大。第四圖所示的實施例，為該等突出 物13a的高度相等，但節距p從對稱兩側往中間逐漸縮小。因此， 光線通過入光面η時，節距p小的突出物13a因為密度高而形成 201009405 較大的光阻’㈣距PA的突出物因密度低而產生較小的光阻， 致使從低密度如物人㈣光量料，便能在對鏡低密度突出 物位置的導光板局部區域產生較高的輝度。 本發明的突出物13a除了可以如第—圖所示之三角形斷面以 外’也可咖第五騎示的呈半_之斷面；所述三角形或半圓 形斷面的突出物13a，可以從入光面的一側邊延伸到相對的另一側 邊(如第八圖所示）。也可以是在入光面u成型的複數單顆形態的 ❹半圓球體(如第六圖所示）或錐形體(如第七圖所示）。 此外’本發明的突出物版，其節距P與高度Η並不限於前述 的排列形態’而是可以依導栊局部輝度或均勻化程度的實際需 要在製痛&做變化’讓導光板的局部區域獲得不同的進光量而 產生特定的輝度。 第九圖係顯示本_設於導光板1之人絲11的另-種形離 微結構13為凹部13b的形態。第九圖所示的實施例，係在入光面 ❹1卜體成财複數個垂直於人絲丨〗之斷面呈三角形的凹部 13b’兩凹部13b之間的節距p均相等，但各凹部既的深度d係 由對稱兩側往中間逐漸減小。第十圖所示的實施例，則是兩凹部 13b之間的節距p均相等’但各凹部的深度d係由對稱兩侧往中間 逐漸增加。因此’光線通過人光面丨丨時深度D大的凹部伽會 形成較小的光阻，而深度D小的突出物產生較大的光阻，致使從 大深度入射的光量較大’便能在對應該大深度凹部位置的導光板 局部區域產生較高的輝度。 8 201009405 第十-圖所示的實施例，為各凹部13b的深度D相等，但節 距P從對稱兩側往中間逐漸擴大。第十二圖所示的實施例，為該 等凹部13b的深度相等，但節距p從對稱兩側往中間逐漸縮小。 因此4線通過入光面u時，節距p小的凹部伽因為密度高而 形成較大的光阻，而節距P大的凹部因密度低而產生較小的光阻， ❹ 致使從健度m卩人射献量财，魏树鏡健度凹部位 置的導光板局部區域產生較高的輝度。 本發明的凹部13b除了可以如第九圖所示之三角形斷面以 外’也可以如第十三圖所示的呈伟形之斷面；所述三角形或半 =形斷面的凹部13b，可以從入光面的一側邊延伸到相對的另一侧 沾i第十/、騎不）。也可以是在人絲U成型的複數 的半圓球形(如第十四圖所示）或錐形體(如第十五圖所示）。〜 獅Z，树明的凹部13b ’其節距p與深度D並不限於前述的 1 4，k可雜導歧局部輝度或㈣化程度的實際需要 2福硫變化，讓導光板的局部區_得不_ 生特定的輝度。 叩座 以上所_僅為用轉釋本伽之較佳實 保護之齡。 飾或變更，皆仍應包括在本發明意圖 201009405 【圖式簡單說明】 第:圖為顯示本翻之微結構為突出物且該等突 意圖。 心謂稱兩侧往中間逐漸減小之實施例示 fa;圖===微結構為突出物，且該等突出物的節距均 意圖。尺、μ度從對稱兩側往中間逐漸增加之實施例示 ❹ =梅綱撕__，麟 對稱兩側往中間逐漸擴大之實輯 等=.、’、員不本發明之微結構為突出物且該等突出物的高户相 第五圖Γ從對稱兩側往中間逐漸縮小之實施例示意圖。又 ❹ 射:向的斷面為半圓形之實施例示意：物垂直於光入 ^圖為顯林剌级賴為如物， 之實施例局部立體圖。 ㈣為+圓球體 峨鳩，簡麵錐恤 結構為突出物，且該突出物係從入光面 κ申到相對的另一侧邊之實施例示意圖。 等，本發明之微結構為凹部，且該相部的節距均相 第十圖的深触對稱關往巾間骑減小之實_示意圖。 圖為顯示本發明之微結構為凹部，且該相部㈣距均相 201009405 等但各凹部的味度從對稱兩側往中間逐漸增加之實施例示意圖。 第十-圖為顯示本發明之微結構為凹部，且該等凹部的深度相 等’但節距從對稱兩侧往中間逐漸擴大之實施例示意圖。 第十二圖為顯示本發明之微結構為凹部，且該等凹部的深度相 但節距從對稱兩側往中間逐漸縮小之實施例示意圖。 第十三圖為顯示本發明之微結構為凹部且該凹部垂直於光入射 方向的斷面為半圓形之實施例示意圖。 ©第十四圖為顯示本發明之微結構為凹部，且該凹部為半圓球形之 實施例局部立體圖。 第十五圖為顯示本發明之微結構為凹部，且該凹部為錐形之實施 例局部立體圖。 第十/、圖為顯不本發明之微結構為凹部，且該凹部係從入光面的 侧邊延伸到相對的另—侧邊之實施例示意圖。 ❹【主要元件符號說明】 1 ......導光板 11 ......入光面 12 ......出光面 13……微結構 13a……突出物 13b......凹部 2 ......光源 11 201009405 P......節距 Η......南度 D……深度

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Claims (1)

1. 201009405 七、申請專利範圍： 1. -種突顯導綠發辨度或均勻化的結構，係在—導光板的入 光面設置複數微結構，使光線穿透微結構進人導光板内 後’藉由光線的反射與折射而在導光板的特定區域提高輝度， 或使導光板的發光均勻化，其特徵在於： 所述微結構是-種突出該導光板之入光面的突出物，兩突出物 之間形成-節距，每-突出物具有一高度，該節距與高度係依 ® 所述導光板所欲獲得之輝度程度而配合變化，以產生進入導光 板的不同光量。 2. 依據申請專利範圍第i項所述的結構，其中，該等突出物的節 距均相等，但各突出物的高度不一定相等。 3·依據申請專利範圍第丨項所述的結構，其中，該等突出物的高 度均相等，但各節距不一定相等。 4·依據申請專利範圍第1項所述的結構，其中，該等突出物的節 β 距與高度均不一定相等。 5·依據申請專利範圍第2項所述的結構，其中，戶斤述突出物在該 光面的排列，係從對稱的兩側往中間逐漸減小鬲度。 6’依據申請專利範圍第2項所述的結構，其中，戶斤述突出物在該 入光面的制，係從對獅兩娜㈣箱妙高度。 7.依據申請專利範圍第3項所述的結構，其t，户祕突出物在該 先面的排列’係從對稱的兩側往中間逐漸減小βθ距 8·依據申請專利範圍第2項所述的結構，其中，户斤述突出物在該 13 201009405 入光面的排列，係從對稱的兩侧往中間逐漸增加節距。 9.依據申請專利範圍第1至8項任一項所述的結構，其中，所述 突出物係從該入光面的一側邊延伸到相對的另一侧邊。 10·依據申請專利範圍第9項所述的結構，所述突出物垂直於光入 射方向的斷面為三角形。 11·依據申請專利範圍第9項所述的結構，所述突出物垂直於光入 射方向的斷面為半圓形。 ❿12.依據申請專利範圍第1至8項任-項所述的結構，其中，所述 突出物係錐形體。 13. 依據申請專利範圍第丨至8項任一項所述的結構，其中，所述 突出物係半圓球體。 14. -種突顯導光板發光輝度或均勻化的結構，係在一導光板的入 光面設置複數微結構，使光線穿透該等微結構進入導光板内 後，藉由光線的反射與折射而在導光板的特定區域提高輝度， _ 或使導光板的發光均勻化，其特徵在於： 所述微結構是一種低於該導光板之入光面的凹部，兩凹部之間 开/成節距，母一凹部具有一洙度，該節距與深度係依所述導 光板所欲獲得之輝度程度而配合變化，以產生進入導光板的不 同光量。 15. 依據申請專利範圍第14項所述的結構，其中，該等凹部的節 距均相等’但各凹部的深度不一定相等。 16. 依據申請專利範圍第14項所述的結構，其中，該等凹部的深 201009405 度均相等，但各節距不一定相等。 該等凹部的節 17.依據申請專利範圍第14項所述的結構，其中 距與深度均不一定相等。 18.依據申請專利範圍第15項所述的結構，其中，所述凹部在該 入光面的排列，係從對稱的兩側往中間逐漸減小深声。 Φ 说依據申請專利範圍第15項所述的結構，其中，所^凹部在該 入光面的排列’係、從對稱的兩侧往巾間逐漸增加深度。 20.依據申睛專利範圍第16項所述的結構，其中，所述凹部在該 入光面的侧’係從對稱的_往巾間逐漸減小節距。 乩依據申請專利範圍第15項所述的結構，其中，所述凹部在該 入光面的制’係從對稱的兩織巾間逐漸增加節距。 22. 依據申請專利範圍第14至21項任一項所述的結構，宜中，所 述凹部係從該入光面的-侧邊延伸到相對的另-側邊。 23. 依據申請專利範圍第22項所述的結構，所述凹部垂直於光入 射方向的斷面為三角形。 %依射請專利範_2項所述的結構，所述凹部垂直於光入 射方向的斷面為半圓形。 25.依據申請專利範圍第14至21項任一項所述的結構，其中，所 述凹部係錐形凹面。 項所述的結構，其中，所 26.依據中請專利範圍f 14至21項任-述凹部係凹入的半圓球面。 15