TW201007806A - Techniques for measuring ion beam emittance - Google Patents

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201007806 31546pif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本揭露案大體是關於離子植入，且更特定言之是關於 測量離子束發射率之技術。 【先前技術】 離子植入機（I〇n implanter)廣泛用於半導體製造中 以選擇性地改變材料的傳導性。在典型的離子植入機中， 引導產生自離子源產生之離子通過一系列射束線組件，所 述射束線組件包含一或多個分析磁鐵（⑽吻麵興加） 以及多個電極。分析磁鐵選擇所要的離子種類遽出污染 種具有不合需要之能量的離子，且調整目標晶圓處 之離子束品質。適當成形之電極可修改離子束之能量以及 形狀。 在生產中，通常以離子束來掃描半導體晶圓。如下文 也：：：如離子束< *描”指代離子束相對於晶圓或基 板表面的相對移動。 ，子束通常為具有大致圓形或_形橫截面之“點 狀射束（spot beam)，，或且右拓取 $具有械截®之帶狀射束 (nbbonbeam)。出於本揭露案之目的，“ 可能指代靜態帶狀射束或掃描之帶狀射束。後—類型之 狀射束可藉W高解使點狀射束來畴描而產生β 在點狀射束之情況下，可藉由在兩個 ==形成射束路徑且藉由同時跨越射束：： 動曰曰圓來達成對晶圓的掃描。或者，可使點狀射束保持為 201007806 3iDwpn 固疋，且可以相對於點狀射束的二維（2_D)圖案 圓。在帶狀射束之情況下，可藉由使帶狀射束保持為t ΐ 移動晶圓來達成對晶圓^ 能使得帶狀射束覆蓋整個晶圓表面。簡單得多的可 使得帶狀射束為單晶圓離子植入生產的所要選擇。為 ❷ 然* ’ Φ狀射紅及點狀射束可能遭受固有非均 問題。舉例而言’帶狀射束可由多個小射束組成，其中^ -小射束可在概念上魏作—她狀射束。雖 =㈣束指向相_總方向，但任兩個小射束可能= ΐ产=向Ξ:方=另外’每一小射束可能具有固有的 角度擴展。因此’在#由帶崎束進行之離子植入期間， 目標晶圓上之不同位置可能經歷不同的離子入射角 在帶狀射束内，小射束可能並不均勻地間隔。帶狀射 束之小射束密集分佈的—部分可統帶狀射束之小射束稀 疏分佈的另—部分傳遞更高_子劑量（ion dose)。因此， 帶狀射束可能缺乏角度均一性及/或劑量均一性。 離子束角度均一性及/或劑量均一性可藉由若干離子 植入組件控制。舉例而言，刊用電氣及/或磁性元件。 圖1展示習知離子植入機100，其包括離子源電源 10卜離子源102、提取電極104、9〇。磁鐵分析器（magnet analyzer) 106、第一減速（D1)級（丘rst decelerati〇n (D1) stage) 108、70。磁鐵分析器11〇以及第二減速（D2)級 乂及D2減速級（亦稱為《減速透鏡（deceierati〇n 201007806 31546pif lens)”）可各包括具有允許離子束10通過的經界定之孔 之多個電極。藉由向多個電極施加電壓電位之不同組合， D1以及D2減速透鏡可操縱離子能量且使離子束ι〇以所 要能量撞擊目標工件114。可使用許多測量裝置ιι6 (例 如’劑量控制法拉第（Faraday)杯、行進法^杯或設定 法拉第杯）來監視以及控制離子束1〇之特性。以上提及之 D1或D2減速透鏡可為靜電三極體（或四極體）減速透鏡。 在靜電減速透鏡中發生的離子能量之顯著改變可能 對於離子束10之形狀具有相當大的影響*例而言空間 charge effec〇 *低能量離子束中比在高 顯f。因此’在使用低能量離子束時，相當 士可能在其到達目標晶圓之前丢失。因此，離 π效劑量以及角朗—性實質上可能減小。 門雷^#試來減小靜電三極體透鏡中之上述空 間電何效應。舉_言，調 空間電荷效應H 鏡之電壓了繁助減小 下，調顧速透叙電準賴雜助的情況 可包含在磁能非常具有挑戰性。另—實例 個磁性it件（例如^及/或出σ區域處使用1多 性。 棒）以改良跨越目標晶圓之岣〜 201007806 31546pif 性’，仍賊生可麟提賴子植人生產之當 以及角度均-性要求之離子束的更有效之解決方案^ 而言’通常要求帶狀射束應在晶圓平面中產生具有小於^ 之變化之劑量均-性連同具有小於Q 5。之變化之角―。 性。此嚴格的均-性要求正變得愈加難以滿足，^ 1之均-性均可能為難於定義的，尤其是在要求相對較 咼專一性（specificity)以及可靠性之半導體製造中 寥於前述内容，可理解存在與當前離子植入技術 聯之顯著問題以及缺陷。 關 【發明内容】 揭露用於測量離子束發射率之技術。根據一項特定例 不性實施例，騎技術可實現為祕測量離子束發射率之 設備。所述設備可包含測量總成，測量總成包括第一遮罩、 第二遮罩以及姉，使制量總朗馳軸旋轉以便使用 第-遮罩或第二遮罩掃鮮子束㈣量離子束發射率，從 而用於提供離子束均一性之測量結果。 根據此特定例示性實施例之其他態樣，離子束均一性 可包含角度均一性以及劑量均一性中之至少一者。 -根據此特定例示性實施例之另外態樣，第一遮罩以及 第二遮罩可缝離間隔開，且其中第—料平行於第二遮 罩。 根據此特定例示性實施例之額外態樣，測量總成可能 可旋轉至暫停位置中，使得在暫停位置中，第一遮罩以及 第二遮罩平行於離子束。 201007806 31546pif 根據此特定例示性實施例之其他態樣，測量 可旋轉至-或多個測量位置中，使得—或多個測=置ς 應於用於測量以及收集離子束發射率以用於提供離子均 一性之測量結果的一或多個組態。 广 ~~ 根據此特定例示性實施例之另外態樣，第一遮罩可包 含平行於Υ-Ζ平面之一或多個第一遮罩狹縫，且其中^ = 遮罩可包含平行於χ_γ平面之-或多個第二遮罩狹縫。一 根據此特定例示性實施例之額外態樣，測量總成可更 包含對應於第一遮罩之一或多個第一遮罩狹縫中=每一者 的一或多個第一遮罩收集器以及對應於第二遮罩之一或多 個第二遮罩狹縫中之每一者的一或多個第二遮罩收集器。 根據此特定例示性實施例之其他態樣，在一或多個測 量位置中，在第一遮罩掃描離子束時，可在至少一或多個 第一遮罩收集器中測量離子束發射率，且在第二遮罩掃描 離子束時，可在至少一或多個第二遮罩收集器中測量離= 束發射率。 根據此特定例示性實施例之另外態樣，設備可更包含 用於調諧離子束均一性之一或多個調諧元件。 根據此特定例示性實施例之額外態樣，一或多個調諸 元件可為靜電調諧元件以及磁性調諧元件中之至少一者。 在另一特定例示性實施例中’所述技術可經實現為用 於測量離子束發射率之方法。所述方法可包含圍繞樞輪旋 轉包括第一遮罩以及第二遮罩之測量總成以測量離子束發 射率，從而用於提供離子束均一性之測量結果。 201007806 )i)wpu ，據此特定例報實施例之其他態樣，旋轉測量總成 二匕含圍繞錄在辦財向上制量總成自暫停位置旋 轉至約90度。 含平外態樣’第二遮㈣ 二遮:收集: 遮罩狹缝中之每-者的-或多個第 總成根施例之額外態樣，藉由旋轉測量 收集器二;=束時’可在一或多個第二遮軍 可包賴祕魏狀其絲樣，旋制量總成 轉至約9G=。妹树針方向謂缝總成自暫停位置旋 含平制雜魏狀糾祕，第—遮罩可包 -遮1夕平面之—或多個第—遮罩狹縫以及對應於第 -遮罩收集=多個第—遮罩狹縫中之每―者的―或多個第 總成根特定例雜實關之額外祕，藉由旋轉測量 i«r隹 一遮罩掃描離子束時，可在一或多個第一遮罩 收集器處測量離子束發射率。 可包特制雜魏狀其他紐，鮮束均一性 角八岣一性以及劑量均一性中之至少一者。 基於败例雜實關之料，方法可更包含 、子束發神_量結果_諧—或㈣調讀元件。 201007806 31546pif 根據此特定例示性實施例之額外態樣，一或多個調諧 元件可為靜電調諳元件以及磁性調諧元件中之至少一者。 現將參看如展示於隨附圖式中的本揭露案之例示性 實施例來較為詳細地描述本揭露案。雖然以下參看例示性 實施例來描述本揭露案，但應理解本揭露案不限於此。能 夠理解本文之教示的一般熟習此項技術者將認識到額外實 施'修改以及實施例以及其他使用領域，其處於如本文中 所描述之本揭露案之範圍内且本揭露案可具有關於其之顯 著效用。 為了促進對本揭露案之更充分理解，現參看隨附圖 式，其中相同元件由相同數字指代。此等圖式不應被解釋 為限制本揭露案，而是意欲僅為例示性的。 【實施方式】 本揭露案之實施例藉由提供測量離子束發射率之技 術而改良上文所述之技術。更具體而言，本揭露案之實施 例藉由使用處於各種組態及/或位置之射束發射率測量總 成而提供測量離子束發射率之技術’使得射束發射率測量 可用以控制以及調譜離子植入操作中之離子束角度以及密 度均一性。 圖2描繪根據本揭露案之實施例之測量總成2〇〇。舉 例而言，測量總成200可為具有“X”遮罩（“χ遮罩” 202以及“Υ”遮罩（“Υ遮罩，，）204之射束發射率測量 總成。在一項實施例中，X遮罩202及/或γ遮罩2〇4可由 石墨材料形成。石墨可作為良性污染物且出於其優良的機 201007806 械以及熱性質而經選擇。在另一實施例中，χ遮罩202及/ 或Y遮罩204可由介電材料（例如，陶瓷或陽極氧化鋁 (anodized aluminum))形成。舉例而言，若測量總成2〇〇 位於諸如電漿泛射搶（plasma fl00dgun)之射束或晶圓中 和裝置之後’則由介電材料製成之測量總成2〇〇可幫助避 免在離子束20中引入可能在測量期間潛在地改變射束形 狀之中和電子。亦可提供各種其他實施例。 φ X遮罩202可具有沿χ遮罩202之短方向擴散的多個 狹缝206,在下文中稱為“χ狹縫”。在一項實施例中χ 狹缝206之寬度可為大致〇 lmm。在另一實施例中，兀狹 縫206可與Y-Z平面成一角度（例如，12。>測量總成2〇〇 亦可包含多個收集器208,下文中稱為“X收集器，，。在一 項實施例中，χ收集器208可平行於χ遮罩202且可對應 於χ狹缝206〇χ收集器208可定位於x狹縫206後方某距 離處，與樞軸（piV0taxis) 5〇相對，接近γ遮罩2〇4。應 瞭解’ χ收集器208可為可充當用於收集通過χ狹縫2〇8 之離子束發射率測量結果之“X軸接受平面”的細導線 (例如，大致〇.1111111厚）。舉例而言，在一項實施例中，X 收集器208可為石墨桿（易碎的）及/或鶴絲。在另一實施 例中’用以形成χ收集器208之材料亦可取決於所要的收 集器尺寸，例如直徑等。亦應瞭解，任何傳導材料均可用 =成X收集器208。亦應瞭解，可向χ收集器2〇8施加 張力以使其保持為實質上直的。 類似於X遮罩202’Υ遮罩204可具有多個狹縫21〇， 11 201007806 31546pif ❹ 下文中稱為“y狹缝。然而，不同於X遮罩202之x狹 縫206，y狹缝210可沿γ遮罩2〇4之長方向擴散。在一 項實施例中，y狭縫210之寬度可為大致〇1111111。在另— 實，例中’y狹缝210可與Χ_γ平面成一角度（例如，12〇)。 測量總成200亦可包含多個收集器212，下文中稱為“y 收集器’’。在一項實施例中，y收集器212可平行於y遮 罩204且可對應於y狹縫21〇。y收集器212可定位於y 狹縫210後方某距離處，與樞軸5〇相對，接近χ遮罩2〇2。 應暸解，y收集器212可為充當用於收集通過y狹缝 之離子束發射率測量結果之“y轴接受平面，，的細導線 (例如，大致0.1 mm厚）。舉例而言，在一項實施例中，y 收集器212可為石墨桿（易碎的）及/或_。在另一實施 例中，用以形成y收集器212之材料亦可取決於所要的收 集器尺寸，例如直徑等。亦應瞭解，任何傳導材料均可用 以形成y收集器2U。亦應瞭解，可向y _欠集器212施加 張力以使其保持為實質上直的。 ❹ 應瞭解’ X收集器208以及y收集器212可用以計算 離子束2G之劑;f、肖度及/或變異量（varianee)之測量社 果中的至少-者。亦應瞭解，測量總成細亦可連接至二 I含(例如)差動放大器、電腦處 各種其他實It 伽進械料算。亦可實現 亦應瞭解，測量總成綱可沿著沿離子植入機之離子 束路徑的各個位置而定I舉例而言，測量總成細可定 12 201007806 =減迷透鏡之前、減速透鏡之後、準直 組合。亦可提供各種其他實施例。 飞其 古亦，瞭解’測量總成可沿樞轴5〇旋轉。舉例而 ς说測量總成2GG可藉由致動器而圍繞其軸旋轉。在一項 一例中，致動器可提供測量總成200之直接旋轉。在另 實施例中’致動11可（例如）藉由使用齒輪馬達驅動器 而間接地提供。在又—實施例中，可使用準確角度測量裝 • 置（例如，旋轉編碼器）來將測量總成200旋轉至可收集 發射率測量結果的預定角位置。此角度接著可用以計算X 以，y射束發射率及/或大小。舉例而言，如圖2中所描繪， 測量總成200可處於“暫停位置，，，使得離子束2〇在無干 擾之情況下通過測量總成200。 圖3描緣根據本揭露案之實施例的處於“暫停位置” 之測量總成200之Y-Z橫截面圖。在此實例中，離子束2〇 可平行於測量總成200之X遮罩202以及γ遮罩2〇4的平 _ 面。然而，在另一實施例中，經由圍繞樞轴5〇之單一旋轉 運動’測量總成200可橫斷離子束2〇以收集離子束發射率 測量結果。應暸解，當測量總成200圍繞樞轴50旋轉時， 測量總成200可以各種角度橫斷離子束2〇及/或基於χ轴 接受平面、y軸接受平面或其組合來收集多個離子束發射 率測量結果。 舉例而言，圖4描繪根據本揭露案之實施例的處於 “測量位置”之測量總成200之γ-ζ橫截面圖。在此實例 中，測量位置可為Y發射率測量位置，其中測量總成2〇〇 13 201007806 31546pif 已自圖3所展示之暫停位置旋轉90。（例如，順時針）。此 處，離子束20可正交於測量總成200之X遮罩2〇2以及 Y遮罩204的平面。離子束20可由測量總成200截取，從 而僅允許離子束20之部分通過y狹缝21〇而在y收集器 212處被收集。 在此實例中，測量總成2〇〇經由y收集器212可收集 射束發射_量結果及/或產生相躺回應曲線（或其他類 似測，格式）。在每—y收集器212處，可測量由傾角設定 之特定^平面（例如，y軸接受平面）巾的電流密度。 舉例而έ ’藉由移動所述傾角，可收集相空間中之#點處 的-系列離子束密度，如圖5Α至圖5Β中所描繪。 击技^ 至圖5Β描、繪根據本揭^案之例示性實施例之射 γ* — 一&測I總成2 G G的電流密度分佈之說雖曲線圖。 $母-，位置處，可計算7故集器212中之每一者 =處=r5A之相空間曲線圖職上二二, ==;電=如’射東崎)可在所要範圍 高線圖，其中存在且有相此Jy(y，y)線圖，可計算等 圖500B中所描繪。應瞭;=〇4,如圖5B之曲線 由b表示，使得接受平面表示且樞轉角可 X，= b * tan〇；)。 轴之X分量可表達為： 返回參看圖 5A ’應瞭解在_定射束之參考框中建 201007806 ^I54〇pu 構yyf密度線502時可考慮y狭縫210之y位置上的小位 移，如曲線圖500A中所說明。此處，可自測量總成200 之幾何尺寸以及與射束線軸之相對角度來計算y狹縫210 以及y收集器212之位置（例如，y位置）。參看圖， 可藉由在圖5A之yy，密度線圖中之每一 丫座標處的所有角 度上進行積分而獲得電流密度分佈。在此實例中，曲線圖 500B描繪圖5A之每一曲線502可如何轉變為恆定密度等 _ 高線504内之相空間中的線502·(例如，接近垂直）。 應瞭解，此等回應曲線可充當用於調諧離子束2〇之 一組基函數。舉例而言，描繪於圖5A至圖5B中之曲線可 用以調諧離子束20之密度分佈。 除了收集呈回應曲線之形式的射束測量結果用於調 諧離子束20之密度分佈外，測量總成2〇〇亦可測量跨越離 子束20之角度。 圖6描繪根據本揭露案之另一實施例的處於測量位置 之射束發射率測量總成200之X-Z橫截面圖。在此實例 ’中，測量總成200可處於X發射率測量位置，其中測量總 成200已自圖3所展示之暫停位置旋轉9〇。（例如，逆時 針）。此處’離子束20可正交於測量總成2〇〇之χ遮罩2〇2 以及Υ遮罩204的平面。離子束20可由測量總成2⑻截 取’從而僅允許通過χ狹縫206之離子束2〇部分在χ收集 器208處被收集。 ' 應暸解’在標稱傾斜位置中（例如，測量總成2〇〇垂 直於離子束20) ’接受平面可以樞轉角b傾斜二樞轉角b 15 201007806 31546plf 可為與垂直方向（y方向）的小角度（例如，i2。）。 平面之相交可平行於z轴。在此位置測量 二χχ，相空間中χ，〇(例如，Χ，=〇)處的密度。 接典Γ成綱傾斜遠離此標稱傾斜位置，_角b在 匕角至X-Z平面上的投影表示對應 η器2〇8)處測量之電流的x，座標（在相空u X-Z平面相交之x t 4度_中可考慮X狹縫206與 細之幾何尺小位移。此處，可自測量總成 ^密處’可類似地藉由在 d，應瞭；所收集之丄 尾”效應的限度可能受成角狹縫206之‘‘拖 之高声d 舉 空間解析度可等於離子束20 維持“狹軸）乘赠縫傾斜度之正切值。因此， 小:度可幫助提供高空間解析度。 狹、_斜度之正切值，=== 範:乘以 射束（例如，在每—空間賴處具有侧容量

201007806 束2G)之背景下可能為可接受的。此等射 測量S定細可（例如）適應於在以下各處被 接典平)在射束平行的射束線之末端處，χ 平仃，或（2)在射束自一點成扇形展開的 位置U面在橫穿彼點之㈣相交。以此方式，可利 用測量總成2GG之小的練圍來獲得精確角測量結果。 本揭露案之實施例可提供用於測量/收集射束發射率 測量結果_於在相雜辦段巾最佳 件（例如，減速透鏡）之調譜且用於保留離子植入機^生 產力的技術。舉勤言’由於對接近目標及/或在射束線中 之中間點處之射束發射率的準確且快速之測量可極大地促 進調諧過程且導致在目標處品質較高強度較大之射束，所 以本揭露案之實施例可提供最佳調諧解決方案。 藉由使用可在射束線中幾乎任一處引入之簡單且緊 密之發射率測量總成，可在利用簡單但精確之旋轉運動的 單一測量總成中實現用於測量及/或收集xy發射率之現場 技術。 使用本揭露案之測量總成200可提供若干額外益處以 及優勢。舉例而言，在利用多個收集器（例如，χ收集器 208或y收集器212)時，離子束電流測量可提供如上文所 述之劑重、角度、變異量及/或其他測量結果。此外，此等 測量結果可具有高解析度。 17 201007806 31546ρίί 另外，藉由利用單一測量總成200而非多個測量總成 來跨越離子束20進行掃描，可取得離子束2〇之可靠且一 致的測量結果。舉例而言，如上所述具有多重收集器之單 一測量總成200可能在設計上相當複雜。將測量總成2〇〇 之確切的複雜性複製至多個測量總成及/或裝置中來掃描 離子束20而無對變化之任何追蹤可為不可能的。因此，利 用一個測量總成200而非在收集器變化上具有明顯（即使 微小）變化的多個測量總成可提供明顯的優勢。同樣存在 若干其他重要的設計準則。 舉例而言，測量總成200可能在大小上為緊密的，具 有以高解析度測量角度以及密度分佈之能力，且經設計用 於靈活且可定製之組態。關於大小，本揭露案之實施例可 提供達大致一（1)吋射束長度之準確的測量，此與可能需 要超過十（10)叶射束長度之“胡椒瓶式（pepperp〇t)，， 方法形成對比。此外，結合“胡椒瓶式”方法之某造型 (profiling)過於麻煩而無法併入生產射束線中。 關於測量益處，本揭露案之測量總成200不採用零發 射率以便產生準確的平均角之事實，可以高度準確性以及 高解析度達成測量。 關於靈活性，若絕對電流測量為所要的’則電氣/磁性 抑制以及其他附加特徵亦可同樣耦接至測量總成組態。此 等可包含使用靜電組件（例如，減速透鏡）及/或磁性組件 (例如’磁性線圈、校正器）。亦可利用各種其他測量/調諧 組件。 201007806 ^uwpii 此可測量肖度分料社㈣丨量分佈。 亦應瞭解’雖然本揭露牵 β =:===r:= 。(例如，電氣及/或:::=== ϋ 愚露案並不限於本文中描述之具體實施例所界定 之 實際上’除了本文中描述之内容外，一般熟習 此項技術者自前述描述錢_圖式賴而易見本揭露案 之其他各種實施例以及對本揭露案之修改。因此，此等^ 他實施例以及修改意欲處於本揭露案之範圍内。此外，雖 然本文中已在特定環境中出於特定目的之特定實施的背景 下描述了本揭露案，但一般熟習此項技術者將認識到其有 用性並不限於此，且本揭露案可出於許多目的而有益地實 施於許多環境中。因此，以下陳述之申請專利範圍應馨於 如本文中所描述的本揭露案之完整廣度以及精神來解釋。 【圖式簡單說明】 圖1描繪習知離子植入機系統。 圖2描繪根據本揭露案之實施例之射束發射率測量總 成。 圖3描繪根據本揭露案之實施例的處於“暫停位置” 之射束發射率測量總成之Υ-Ζ橫截面圖。 19 201007806 31546pit 圖4描繪根據本揭露案之實施例的處於γ發射率 位置之射束發射率測量總成之γ·Ζ橫截面圖。 υ 圖5A至圖5B描繒·根據本揭露案之實施例之射束發射 率測量總成的電流密度分佈之說明性曲線圖。 圖6描繪根據本揭露案之另一實施例的處於x發射率 測量位置之射束發射率測量總成之X_Z橫截面圖。 【主要元件符號說明】 10、20 ·離子束 50 :拖轴 粵 1〇〇 :離子植入機 101 :離子源電源 102 ·離子源 104 :提取電極 106 : 90°磁鐵分析器 108 :第一減速（D1 )級 110 : 70°磁鐵分析器 112 :第二減速（D2)級 〇 114:目標工件 U6 :測量裝置 2〇〇 :測量總成 202 : X遮罩 204 : Y遮罩 206 : X狹缝 208 : X收集器 20 201007806

^IDWpiI 210 : y狹縫 212 : y收集器 500A、500B :曲線圖 502 : yy'密度線、曲線 502丨：線 504 :具有相等密度之線、線恆定密度等高線

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Claims (1)

1. 201007806 31546plt 七、申請專利範圍： L 一種用於測量離子束發射率之設備，所述設備包 括： 測量總成，其包括第一遮罩、第二遮罩以及樞軸’其 中所述測量總成圍繞所述樞軸旋轉以便使用所述第一遮罩 或所述第二遮罩掃描離子束以測量離子束發射率，從而用 於提供離子束均一性之測量結果。 ❹ 2. 如申請專利範圍第1項所述之用於測量離子束發 射率之設備，其中所述離子束均一性包括角度均一性以及 劑量均一性中之至少一者。 3. 如申請專利範圍第1項所述之用於測量離子束發 射率之設備’其中所述第一遮罩以及所述第二遮罩以距離 間隔開’且其中所述第__遮罩平行於所述第二遮罩。 4. 如申請專利範圍第丨項所述之用於測量離子束發 Ϊ率之設備，其中所制量總成可旋轉至暫停位置申，使 得在所述暫停位置中，所述第—以 ❹ 行於所述離子束。 矛尤早 如申明專利範圍第1項所述之用 所r所述測*總成可旋轉至 集所述對應於用於測*以及收 測量結果的-或多個組態。★供所述離子束均一性之所述 射率彳量離子束發 第遮罩包括平行於γ_ζ平面之一 22 201007806 j 1 或多個第一遮罩狹縫，且其中所述第二遮罩包括平行於 Χ-Υ平面之一或多個第二遮罩狹縫。 7.如申請專利範圍第6項所述之用於測量離子束發 射率之設備，其中所述測量總成更包括對應於所述第—遮 罩之所述一或多個第一遮罩狹縫中之每一者的一或多個第 一遮罩收集器以及對應於所述第二遮罩之所述一或多個第 二遮罩狹縫中之每一者的一或多個第二遮罩收集器。 8·如申請專利範圍第7項所述之用於測量離子束發 Φ 射率之設備，其中在所述一或多個測量位置中，在所述第 一遮罩掃描所述離子束時，在至少所述一或多個第一遮 收集器中測量所述離子束發射率，且在所述第二遮罩^打 所述離子束時，在至少所述一或多個第二遮罩收集器中: 耋所述離子束發射率。 、 9.如申請專利範圍第1項所述之用於測量離子束 射率之設備’其更包括用於調諧所述離子束均一性之— 爹個調諧元件。 —或 • 10.如申請專利範圍第9項所述之用於測量離子束 射率之設備，其中所述一或多個調諧元件為靜電調諧元 以及磁性調諸7〇件中之至少一者。 π· —種用於測量離子束發射率之方法，所述方法包 圍繞樞軸旋轉包括第一遮罩以及第二遮罩之測量換 成以測量離子束發射率，從而用於提供離子束均一性之= 耋結果。 “ 23 201007806 31546pif 12 發射率之t中請專利範圍第11項所述之用於測量離子束 在順時方法’其中旋轉所述測量總成包括圍繞所述樞輛 、針方向上將所述測量總成自暫停位置旋轉至約9〇 度 13 y 發射率如申請專利範圍第12項所述之用於測量離子束 二^之方法，其中所述第二遮罩包括平行於X-Y平面之 I夕個第二遮罩狹縫以及對應於所述第二遮罩之所述一 ^。個第〜遮罩狹縫巾之每-者的-或多個第二遮罩收集 發如申請專利範圍第I3項所述之用於測量離子束 讲g率之方法，其中藉由旋轉所述測量總成，在所述第二 虚=描所述離子束時，在所述—或多個第二遮罩 處剛量所述離子束發射率。 B·如申請專利範圍第11項所述之用於測量離子束 射率之方法，其中旋轉所述測量總成包括圍繞所述樞轴 逆時針方向上將所述測量總成自暫停位置旋轉至約90 ❹ 度。 16. 如申請專利範圍第15項所述之用於測量離子束 ，射率之方法，其中所述第一遮罩包括平行於Y-Z平面之 二，多個第一遮罩狹縫以及對應於所述第一遮罩之所述一 或夕個第一遮罩狹縫中之每一者的一或多個第一遮罩枚 器。 〃 17. 如申請專利範圍第16項所述之用於測量離子束 發射率之方法，其中藉由旋轉所述測量總成，在所述第一 24 201007806 J IMOpiI 遮罩掃描所述離子鱗，在所述—或多個第—遮罩收集器 處測量所述離子束發射率。 18·如申頊專利乾圍第11項所述之用於測量離子束 發射率之方法，其中所述離子束均一性包括角度均一性以 及劑量均一性中之至少一者ό

   19·如申請專利範圍第11項所述之用於測量離子 發射率之方法，其更包括基於所述離子束發射 量結果而調It-或多個調諧元^ 的所相 發射逢.如申請專利範圍第19項所述之用於測量離子走 件以及之方法，其中所述一或多個調諧疋件為靜電調諧元 礤性調諧元件中之至少一奢。 β 25