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TWI388002B - 用於離子植入系統之離子束角度測量系統及方法 - Google Patents

用於離子植入系統之離子束角度測量系統及方法 Download PDF

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TWI388002B
TWI388002B TW095146642A TW95146642A TWI388002B TW I388002 B TWI388002 B TW I388002B TW 095146642 A TW095146642 A TW 095146642A TW 95146642 A TW95146642 A TW 95146642A TW I388002 B TWI388002 B TW I388002B
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ion
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弗瑞 布萊恩Ｓ
普瑞爾 亞歷山大Ｓ
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艾克塞利斯科技公司
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Description

用於離子植入系統之離子束角度測量系統及方法
本發明一般係關於半導體裝置製造以及離子植入；更明確地說，係關於在裝設期間或是於現場以有向性的方式來校正、偵測、及/或修正一離子束入射角度。
離子植入係運用於半導體裝置製造的物理製程，用以將摻雜物選擇性地植入半導體及/或晶圓材料之中。因此，植入的動作和一摻雜物與半導體材料之間的化學作用並不相關。對離子植入來說，摻雜物原子/分子會被離子化、加速、形成一離子束、分析、掃過一晶圓上或是該晶圓會透過該離子束被掃過。該等摻雜物離子實際上會撞擊該晶圓，進入其表面並且停止在該表面的下方，其深度則和它們的能量有關。
一離子植入系統係一群精密的子系統，每一個子系統均會對該等摻雜物離子實施一項特定動作。具有氣體或固體形式的摻雜物元素係被設置在一離子化反應室的內部，並且會被一合宜的離子化製程離子化。於一示範的製程中，該反應室係維持在低壓狀況(真空)。一燈絲會被設置在該反應室內，並且會被加熱至可從該燈絲源處創造出電子的溫度。帶負電的電子會被吸引至同樣位於該反應室內具有相反電性的陽極處。於從該燈絲行進至該陽極期間，該等電子會碰撞該等摻雜物源元素(舉例來說，分子或原子)，並且從該等分子元素中創造出大量帶正電的離子。
一般來說，除了所希望的摻雜物離子之外，還會創造出其它的正電離子。該等所希望的摻雜物離子係由一被稱為分析、質量分析、選擇、或是離子分離的製程從該等離子之中被選出的。選擇的作用可利用一質量分析器來達成，該質量分析器會創造一磁場，讓源自該離子化反應室的離子移動穿過該磁場。該等離子會以非常高的速度離開該離子化反應室並且會被該磁場彎折成一弧線。該弧線的半徑係由個別離子的質量、速度、以及該磁場的強度來表示。該分析器的出口僅允許一粒子種類(該等所希望的摻雜物離子)離開該質量分析器。
一加速系統會被用來將該等所希望的摻雜物離子加速或減速至一預設動量(舉例來說，一摻雜物離子的質量乘以其速度)，以便穿入該晶圓表面。對加速來說，該系統通常具有線性設計，於其軸線上則具有複數個環狀的被供電電極。當該等摻雜物離子進入其中時，它們便會於該處被加速。
然而，於離子植入程序期間可能會出現數種潛在問題，其可能會破壞及/或損壞正在製造中的半導體裝置。於離子植入期間會遇到的一項潛在問題便係該晶圓表面之無法接受的電氣放電(晶圓放電)。舉例來說，一離子束可能會攜載過多的正電量，該等正電量會對一晶圓表面進行充電或是累積於一晶圓表面上。該正電量可能會從該表面處、本體部處、該射束處、各結構處、各層處、以及類似的位置處拉引中和電子，並且會損及或是損壞此等組件。此外，過多的電量累積亦可能會導致無法以可控制的方式將電壓及/或電流施加至半導體裝置組件上，從而會破壞該等裝置組件。
於離子植入期間會遇到的另一項潛在問題則係不正確的植入角度。一般來說，實施離子植入時會和一晶圓表面形成一特定的角度。倘若出現校正誤差或是角度誤差的話(舉例來說，製程設備未經過正確校正)，便可能會在一和預期不同的角度、位置、及/或深度處來實施該離子植入。此等誤差則可能會以非所希望的方式來修正該植入輪廓、無法摻雜特定的區域、將摻雜物植入非所預期的區域之中、破壞裝置結構、摻雜至不正確的深度、以及造成類似的錯誤。
下文將對本發明的內容進行簡單的摘要說明，以便能夠對本發明的一或多項觀點產生基本的瞭解。本發明內容之摘要說明並未廣泛地論述本發明，而且其目的亦不在於確認本發明的關鍵或重要元素，或是描繪本發明的範疇。更確切地說，本發明內容之摘要說明的主要目的在於以簡單的形式來提出本發明的特定概念，用以作為稍後提出之更詳細說明的前文。
本發明藉由偵測或量測入射離子束的入射角度數值並且在進行離子植入程序之前及/或在進行離子植入程序期間視情況來修正角度誤差來幫助進行半導體裝置製造。本發明運用到複數個狹縫陣列，它們係由具有界定於其中的一或多個狹縫的複數個結構所構成。該等狹縫陣列會選擇一入射離子束的正部份與負部份，接著，它們便會被量測以取得正角度射束電流量測值以及負角度射束電流量測值。一入射角度數值(例如入射角度平均值或是中間值)可取決於該等所獲得之正角度射束電流量測值以及負角度射束電流量測值。或者，亦可於該離子植入製程或系統中進行調整，用以平衡該等正角度射束電流量測值以及負角度射束電流量測值，俾使它們約略均等。
該狹縫陣列內之該等狹縫的形狀會經過設計，俾使可阻隔小於約零度的角度，同時又會於一特殊方向中允許一選定角度範圍通過。接著，一離子束的一部份便會通過該等狹縫，並且會被量測，以便取得該特殊方向中的射束電流。其它的狹縫陣列所具有的狹縫同樣可阻隔小於約零度的角度，同時又會於一和該特殊方向相反的方向中允許該選定角度範圍通過。接著，該離子束的另一部份則會通過該等其它狹縫陣列，並且會被量測，以便取得一相反方向中的射束電流。此作法可於相反方向中取得射束電流量測值並且可決定一經測得的入射角度。
根據本發明的一項觀點，可藉由運用正狹縫結構與負狹縫結構來取得沿著一離子植入軸線的入射角度量測值。該等正狹縫結構具有：入口開口；出口開口；以及介於其間的狹縫輪廓，用以取得一離子束於一正方向中具有一選定角度範圍的一(或多個)部份。該等負狹縫結構具有：入口開口；出口開口；以及介於其間的狹縫輪廓，用以取得該離子束中於一負方向中具有一選定角度範圍的一(或多個)部份。一第一射束量測機制會量測該正部份的射束電流，用以取得一正角度射束電流量測值。一第二射束量測機制會量測該負部份的射束電流，用以取得一負角度射束電流量測值。或者，由單一射束量測機制便可於不同的時間處取得複數個量測值。一分析器組件會運用該正角度射束電流量測值與該負角度射束電流量測值來決定一經測得的入射角度。本發明還揭示其它系統、方法、以及偵測器。
為達成前面以及相關目的，本發明包括下文完整說明以及申請專利範圍中特別提出的所有特點。下文說明以及圖式詳細提出本發明的特定解釋性觀點以及實施方式。不過，它們僅代表可運用本發明原理的各種方式中的其中數種。配合圖式來閱讀本發明下文中的詳細說明時，將會更明白本發明的其它目的、優點、以及新穎特點。
現在將參考圖式來說明本發明，其中，於所有圖式中會使用相同的元件符號來表示相同的元件。熟習本技術的人士將會明白，本發明並不僅限於下文所示與所述之示範施行方式與觀點。
本發明藉由偵測或量測入射離子束的入射角度數值並且在進行離子植入程序之前及/或在進行離子植入程序期間視情況來修正角度誤差來幫助進行半導體裝置製造與離子植入。本發明運用到狹縫陣列，它們係由具有界定於其中的一或多個狹縫的結構所構成。該等狹縫陣列會選擇一入射離子束的正部份與負部份，接著，它們便會被量測以取得正角度射束電流量測值以及負角度射束電流量測值。一入射角度數值(例如入射角度平均值或是中間值)可取決於該等所獲得之正角度射束電流量測值以及負角度射束電流量測值。或者，亦可於該離子植入製程或系統中進行調整，用以平衡該等正角度射束電流量測值以及負角度射束電流量測值，俾使它們約略均等。
圖1A與1B所示的係根據本發明一項觀點的離子束入射角度偵測器100的示意圖。該角度偵測器100可運作用以於一第一與第二方向中量測與決定一入射離子束的入射角度數值。該角度偵測器100可同時運用於單一離子植入系統以及批次離子植入系統之中。另外，該角度偵測器100可運用於本身的角度偵測器中或是配合額外的角度偵測器來使用。此外，該角度偵測器100還可用以進行調試、校正、及/或用以於離子植入期間來修正及/或選擇合宜的離子植入角度。
圖1A所示的係根據本發明一項觀點的角度偵測器100的俯視圖。該圖式係供作解釋性用途且其目的並非係用來限制本發明。根據本發明亦允許使用其它的角度偵測器配置。
角度偵測器100包括一結構102，其中界定著一第一狹縫104以及一第二狹縫106。該第一狹縫104以及該第二狹縫106通常不具對稱性，且該第一狹縫104亦可被稱為或是作為一第一非對稱遮罩的一部份，而該第二狹縫106亦可被稱為或是作為一第二非對稱遮罩的一部份。該第一狹縫104僅會於一入射離子束的第一方向中通過一第一部份，而該第二狹縫106僅會於該入射離子束的第二方向中通過一第二部份。該第二方向和該第一方向相反。
結構102通常係由一導體材料(例如，金屬(舉例來說，鋁))所構成，並且會被連接至接地。或者，同樣根據本發明，該結構102亦可能會被偏壓至特定的其它電壓。
該第一狹縫104以及該第二狹縫106具有一長度110以及一寬度112。一般來說，長度110足以完全包含一入射離子束。或者，長度110亦可能較短，但是必須透過該等狹縫104與106來掃過該射束、透過該射束來掃過該等狹縫104與106、或是可能需要一狹縫陣列(圖中未顯示)，以便量測該射束的入射角度。該第一狹縫104具有一阻隔部份116，其會限制或阻止該離子束的一部份通過其中。一具有寬度114的開放部份則允許讓位於一選定入射角度範圍內的離子通過其中。同樣地，該第二狹縫106具有一阻隔部份118，其會限制或阻止該離子束的另一部份通過其中。一具有相同寬度114的開放部份則允許讓位於一選定入射角度範圍內之離子束中的離子通過其中。
該偵測器100通常會於兩個維度中來取樣整條射束，用以合宜地代表整條射束。不過，應該明白的係，舉例來說，替代觀點亦可能僅會量測整條射束中的一子集，以便決定一射束之一中心的角度。該等狹縫104與106可能具有各種合宜的形狀與尺寸。該等狹縫104與106於其中一個維度中可能非常長，用以覆蓋一射束的一完整高度，不過卻會掃過該射束的一寬度。或者，該等狹縫104與106於兩個維度中亦可能會小於一離子束，其必須於兩個維度中掃過該射束或該等狹縫。於本發明的替代觀點中亦可運用其它不同的狹縫尺寸以及狹縫數量。
圖1B所示的係根據本發明一項觀點的離子束角度偵測器100的剖面側視圖。此圖中所示的一入射離子束128正在通過該角度偵測器100。
圖中所示的第一狹縫104具有一入口開口或孔隙120以及一出口開口122。該第一狹縫104在該入口開口120以及該出口開口122之間界定一狹縫輪廓並且具有高度113。該入口開口120的尺寸與形狀、該出口開口122的尺寸與形狀、以及位於其間的狹縫的輪廓會決定出一第一選定角度範圍，讓該離子束128中的離子可通過其中。一般來說，小於零度的角度會被阻隔。不過，亦可運用其它的阻隔角度，例如＋3度或是－5度。舉例來說，圖1B中所示的第一狹縫104從該入口開口120至該出口開口122具有一直線或筆直的狹縫輪廓。圖中所示的第一狹縫104的高度為113。
圖中還顯示出第二狹縫106，其具有一入口開口121以及一出口開口123。該第二狹縫106在該入口開口121以及該出口開口123之間界定一狹縫輪廓並且具有高度113。該入口開口121的尺寸與形狀、該出口開口123的尺寸與形狀、以及位於其間的狹縫的輪廓會決定出一第二選定角度範圍，讓該離子束128中的離子可通過其中。舉例來說，圖1B中所示的第二狹縫106從該入口開口121至該出口開口123具有一直線或筆直的狹縫輪廓。圖中還顯示出，該第二狹縫106的高度為113。
應該注意的係，角度的範圍以及後續的量測值會被稱為正角度以及負角度，以便幫助瞭解本發明。不過，應該注意的係，此術語並不僅限於正角度或負角度。
一第一電量量測裝置124(例如法拉第杯、具有偏壓的拾取器、以及類似的裝置)會根據該第一選定角度範圍來量測離子束128中第一部份130的射束電流。該第一電量量測裝置124係被設置在第一狹縫104之出口開口122附近或是被設置在其下游而與其相隔一距離處。
一第二電量量測裝置126會根據該第二選定角度範圍來量測離子束128中第二部份132的射束電流。該第二電量量測裝置126係被設置在第二狹縫106之出口開口123附近或是被設置在其下游而與其相隔一距離處。應該注意的係，於本發明的替代觀點中，亦可運用單一電量量測裝置在略為不同的時間處進行量測以取得兩種量測值。
由第一電量量測裝置124所取得之第一量測值係表示或代表第一方向中的射束電流。由第二電量量測裝置126所取得之第二量測值係表示或代表第二方向中的射束電流，其中，該第二方向和該第一方向相反。
一分析器組件(圖中未顯示)能夠根據該等第一量測值與第二量測值來決定入射離子束128的入射角度數值的平均值或中間值。舉例來說，該分析器組件(圖中未顯示)可能係由一以處理器為主的系統或邏輯電路所構成，其會接收該等第一射束電流量測值與第二射束電流量測值並且決定該入射角度數值。該分析器組件(圖中未顯示)能夠運用該等入口開口120與121的尺寸與形狀、該等出口開口122與123的尺寸與形狀、該等第一狹縫104與第二狹縫106的狹縫輪廓、該等狹縫輪廓的高度113、以及類似的參數來決定該(等)入射角度數值。
此外，於一範例中，該分析器組件還能夠決定第一射束電流量測值扣除第二射束電流量測值之類的數值，並且將其除以經測得的總射束電流，然後再將所決定的數值和一入射角度數值產生關聯。就另一範例來說，該分析器組件還能夠決定第一射束電流量測值扣除第二射束電流量測值之類的數值，然後便將所決定的數值和一入射角度數值產生關聯。就又一範例來說，該分析器組件還能夠決定第一射束電流量測值扣除第二射束電流量測值之類的數值，並且將其除以該第一射束電流量測值與該第二射束電流量測值的總和，然後便將所決定的數值和一入射角度數值產生關聯。
接著便可以該(等)入射角度數值作為回授並且用來修正及/或調整該離子束128。舉例來說，可以一目標裝置為基準來調整該射束128，可以該射束128為基準來調整該目標裝置，或是上述兩者，以便取得該離子束128相對於該目標裝置的一所希望入射角度。
圖2所示的係根據本發明一項觀點的一種依照一選定角度範圍來選擇一入射離子束中之一部份的示範狹縫結構200的剖面圖。
結構200之中會形成一狹縫202，其具有一入口開口212以及一出口開口214。該狹縫202可能包括一不對稱遮罩本身或是會結合其它狹縫。於運作中，該入射離子束中被選定的部份會進入該入口開口212，接著便會經由該出口開口214離開該狹縫202。而後，一射束電流量測裝置(圖中未顯示)便會量測該離子束中該被選定部份的射束電流。該射束電流量測裝置(圖中未顯示)係被設置在該狹縫202的下游處。應該注意的係，同樣地，根據本發明，傳導方向亦可倒置，取而代之的便係進入該出口開口214並且經由該入口開口212離開。
狹縫202具有一最小寬度204與一高度206。一般來說，高寬比(其為高度/寬度)應該要大於1並且產生一接受角度phi 210，該角度等於arctan(高度/寬度)。該接受角度phi 210通常不會遠大於一入射離子束的最大預期擴展角度，其與一適當的信號雜訊比相符。該接受角度係一遮光角(cutoff angle)，其中，倘若該射束為平行並且以大於該狹縫開口之直角的角度進入時，便不會有任何射束通過該狹縫。該角度phi 210亦可能小於或是約等於該入射離子束的擴展角度。舉例來說，一高寬比為13.3比1的狹縫會具有約＋/－4.3度的遮光角。一不對稱的角度theta 208通常會大於或是約等於該離子束與該偵測器(圖中未顯示)之間的最大角度而且還會大於該接受角度phi 210。
圖3所示的係根據本發明一項觀點之狹縫對的一射束電流差異的圖形。正狹縫(例如圖2以及圖1A至1B中所示者)會選擇一入射離子束中具有一正角度範圍的第一部份。負狹縫則會選擇該入射離子束中具有一負角度範圍的第二部份。正角度射束電流係針對該(等)正狹縫所測得者，而負角度射束電流係針對該(等)負狹縫所測得者。舉例來說，可利用一或多個法拉第杯來量測。
該等正狹縫與負狹縫的高寬比(高度除以寬度)均約為10比1。該些狹縫能夠量測角度偏移，針對一假定的擴展角度來說，可測得高達5度甚至更大的角度偏移。不過，一射束的擴展角度通常係未知的。舉例來說，對一從0.2至3度的擴展角度來說，從圖3中可以看出，倘若(pos－neg)/total＝0.5的話，那麼便可預測該角度為3度＋/－0.2度。
圖300的x軸所繪的係射束平均角度，其單位為度；而y軸所繪的則係一經測得的電流比。於本範例中，該經測得的電流比等於該等經測得的正射束電流與負射束電流之間的差異除以入射於正狹縫與負狹縫上的總射束電流。
第一關係線304繪製的係一具有約0.20度之射束擴展角度的一入射離子束的射束平均角度。第二關係線306繪製的係一具有約0.70度之射束擴展角度的另一入射離子束的射束平均角度。第三關係線308繪製的係一具有約1.50度之射束擴展角度的一入射離子束的射束平均角度。第四關係線310繪製的係一具有約2.00度之射束擴展角度的又一入射離子束的射束平均角度。第五關係線312繪製的係一具有約3.00度之射束擴展角度的另一入射離子束的射束平均角度。第六關係線314繪製的係一具有約5.00度之射束擴展角度的另一入射離子束的射束平均角度。
於本範例中，圖300證實10.0比1的高寬比可針對高達2度的射束擴展角度，在0.2度內測得高達3度的射束角度。應該明白的係，本發明亦涵蓋其它的高寬比，並且可配合具有上面所述以外之其它射束擴展角度的離子束來運用。
繼續參考圖4，圖中所示的係根據本發明一項觀點用於一離子植入裝置的一示範末端站400的立體圖。根據本發明，該末端站400可運作用以於現場進行校正與調整。該末端站400允許且可於其中實施非常精確的離子植入程序，從而幫助進行半導體裝置製造。
末端站400通常包含一處理反應室402以及一反應室底座401，該反應室底座會支撐該處理反應室402。該處理反應室402包括一處理圓盤404，其會固持數個晶圓406，而彈性不鏽鋼風箱408則可讓該末端站以該離子束為基準繞著一或多條軸線來旋轉。該等晶圓406係被設置在一掃描/處理區域內的處理圓盤上，其中，一離子束可於一植入程序期間進入該掃描/處理區域。該處理圓盤404可繞著正交軸線410、412(一阿爾法軸線以及一貝它軸線)旋轉，該等軸線和處理圓盤傾斜與扭轉有關。於一典型的離子植入製程期間，該處理圓盤會繞著一旋轉軸線414旋轉，其旋轉速度會隨著要被製作的特殊裝置以及要實施的離子植入而改變。一示範的旋轉速度係每分鐘1200轉，不過，根據本發明，亦可運用其它合宜的旋轉速度。於一離子植入製程期間，一離子束420會於垂直方向410中被掃描過該處理圓盤404。因此，該離子束420便會被掃過該等晶圓406，其中，該等晶圓係被設置在會被該離子束掃描的區域之中。
此外，該處理圓盤404還包含一或多個狹縫陣列422，它們亦被稱為不對稱遮罩，用以讓該離子束420中的小束線依照一選定角度範圍與一方向通過其中。一(或多個)射束電流量測裝置(圖中未顯示)(例如，法拉第杯)會量測通過該等一或多個狹縫陣列422的該等小束線的射束電流。該(等)射束電流量測裝置配合該等狹縫陣列422會共同充當有向性的角度偵測器。該經測得的射束電流或電量和該離子束420於一正方向或負方向中與該處理圓盤所形成的角度具有函數關係。
該等狹縫陣列422可被設置在該掃描區域內；或者，亦可被設置在該離子束420可抵達但卻係位於該典型掃描/處理區域外面的區域之中。一般來說，但並非必要條件，該等狹縫陣列422中的一部份會被指定為正，而且可量測一正方向中該等選定角度的電量或射束電流。同樣地，該等狹縫陣列422中的另一部份會被指定為負，而且可量測一負方向中該等選定角度的電量或射束電流。因此，該等負量測值與正量測值便可相互比較或是被分析，以便決定該離子束420的方向。
半導體裝置製造過程通常包含必須在特定角度施行的工作/植入作業的離子植入程序。如上所述，該處理圓盤404會繞著一阿爾法軸線410與貝它軸線412旋轉，該等軸線可能分別和該晶圓的扭轉與傾斜相關。此項特性可藉由修正阿爾法角度與貝它角度而以受控的角度來植入一晶圓，其中，阿爾法角度與貝它角度分別和阿爾法軸線410與貝它軸線412相關聯。於實施一離子植入製程之前，可先校正該處理圓盤404，其通常係針對零度(其代表的係一垂直於該工作器件的射束)的阿爾法角度與貝它角度來進行。可以運用數種合宜的機制來實施該項校正。
一種合宜的機制便係於一組測試晶圓上實施數次離子植入，並且將該等真實植入與預期植入作比較。於該測試晶圓上會在數個不同的阿爾法角度與貝它角度處來實施一連串的植入，用以確認及/或校正角度誤差。該等測試晶圓係針對測試而特別開發出來的特殊等級晶圓(舉例來說，從相同的晶體梨晶中開發出來的)，而且稍後並無法用來製作半導體裝置。因此，此種校正機制可能比較耗時且材料成本亦較高。植入的深度以及會隨著植入深度與特徵圖形的位置而改變的其它特性及/或特徵圖形(例如穿隧特徵圖形)均可量測及/或取得。一旦針對該等不同的阿爾法角度與貝它角度取得該些量測值之後，便可針對該些量測值進行相互比較以及與預期/所希望的結果進行比較，以便判斷是否存在校正及/或角度誤差。可以運用數種合宜的量測技術來量測該些特徵圖形。其中一種技術便係透過掃描電子顯微鏡、散射儀、橢圓儀、反射儀、以及類似的設備來直接量測。另一種技術則係量測片阻，針對一假定劑量來說，其會隨著植入深度而改變。其它合宜的技術亦可運用。該等經取得的量測值會與預期的結果進行比較，以便判斷是否存在校正誤差(其亦稱為角度誤差)；若是的話，便要決定出阿爾法校正係數與貝它校正係數，以便用來校正零阿爾法數值與零貝它數值。而後，便可實施一驗證測試，以便驗證該次校正是否正確。倘若該次校正失敗的話，接著便會實施另一次校正，直到達到令人滿意的校正結果為止。
另一種合宜的機制則係運用該等狹縫陣列422，用以校正該處理圓盤404。該等狹縫陣列422具有一經過選擇的高寬比，用以幫助提高精確性以及信號雜訊比。
於進行校正之後，便可實施一離子植入製程。倘若運用測試晶圓來進行校正的話，現在便必須將處理晶圓置入在該處理圓盤404之上；否則，該等處理晶圓便已經位於正確的位置處。一旦開始實施離子植入製程之後，源自該等狹縫陣列422的量測值便會提供回授資料。從此回授資料中，便可以運用經測得的正方向電量/電流以及經測得的負方向電量/電流來決定一軸線(例如420)中的入射角度。接著，便可將該經測得的入射角度數值與一預期或所希望的入射角度數值作比較。倘若出現差異的話，便可於離子植入期間實施調整及/或修正，而不需要暫止該植入製程。
圖5所示的係根據本發明一項觀點用於一離子植入系統的一末端站500的立體圖。該末端站500允許且可於其中實施非常精確的離子植入程序，從而幫助進行半導體裝置製造。
末端站500包含一處理圓盤502以及一法拉第圓盤504。該處理圓盤502會固持複數個晶圓(舉例來說，測試晶圓、處理晶圓、以及類似的晶圓)並且會以一選定旋轉速度來旋轉。該處理圓盤502包含數個狹縫陣列或是不對稱遮罩(舉例來說，如上面所述者)，用以讓來自離子束506中具有一選定角度範圍以及方向的小束線通過其中。該法拉第圓盤504(例如三表面的法拉第圓盤)係被設置在該處理圓盤502後面並且會量測該等小束線的射束電流。如上面所述，經測得的射束電流係以通過該等狹縫陣列的帶電離子為主。
該法拉第圓盤504係靜止，或者亦可能會配合該處理圓盤來旋轉，並且可用以於實施一離子植入程序期間或是之前來進行劑量控制。此外，根據本發明，該法拉第圓盤504還可用以經由一或多個角度偵測器來量測射束電流。應該注意的係，除了使用法拉第圓盤504之外，本發明的觀點還可能包含其它的電量量測裝置，或者用以取代該法拉第圓盤504。
接著現在參考圖6，圖中所示的係根據本發明一項觀點位於一處理圓盤600上之狹縫陣列的配置的平面圖。該等狹縫陣列亦被稱為不對稱遮罩，可以讓一入射離子束中的一部份依照角度組成與方向通過其中並且進行量測。
於圖中所示的配置中，一第一狹縫陣列602、一第二狹縫陣列604、一第三狹縫陣列606、以及一第四狹縫陣列608係被設置在一處理圓盤610上處理晶圓的一離子植入區域的一可掃描範圍內。舉例來說，第一狹縫陣列602與第三狹縫陣列606可能會被指定為正，此意謂著它們可讓該離子束中位於一正方向中的一選定角度範圍內的部份通過其中。繼續參考該範例，第二狹縫陣列604與第四狹縫陣列608可能會被指定為負，此意謂著它們可讓該離子束中位於一負方向中的一選定角度範圍內的部份通過其中。
可以取得該離子束中通過該等狹縫陣列的部份的射束電流量測值，以便取得有向性的射束電流量測值。於上面的範例中，第一狹縫陣列602與第三狹縫陣列606會提供正角度射束電流量測值，而第二狹縫陣列604與第四狹縫陣列608則會提供負角度射束電流量測值。
接著，便可比較該等射束電流量測值，用以決定一真實的入射角度數值以及該角度的方向。倘若該離子束垂直於該處理圓盤600的話，那麼該等負角度射束電流量測值與正角度射束電流量測值便應該實質上相等。倘若它們不相等的話，那麼如果正角度射束電流高於負角度射束電流的話，該角度偏移的方向便為正；否則，如果負角度射束電流高於正角度射束電流的話，該角度偏移的方向便為負。
應該注意的係，圖6中所示之配置的目的僅在於提供根據本發明觀點之眾多可能配置的其中一種範例。舉例來說，其它合宜的配置可能僅運用單一狹縫陣列來取得正角度射束電流並且僅運用單一狹縫陣列來取得負角度射束電流。此外，本發明的其它觀點還可能會在水平與垂直(阿爾法與貝它)兩個方向中運用多個狹縫來偵測正角度射束電流與負角度射束電流。
圖7A與圖7B所示的係根據本發明一項觀點的一示範狹縫陣列結構700的示意圖。狹縫陣列700亦被稱為不對稱遮罩，其會根據正方向中的一選定角度範圍來產生一入射離子束的小束線。該狹縫陣列700可運用於單件式離子植入系統之中或是批次式離子植入系統之中。
圖7A所示的係根據本發明一項觀點的示範狹縫陣列700的俯視圖。該狹縫陣列700係從一入射離子束的方向看去所獲得者。該狹縫陣列700包含數條個別狹縫702，它們均係形成於該狹縫陣列700之中。雖然圖中顯示出四條狹縫，不過，本發明亦可於一狹縫陣列設計任何數量的狹縫。圖中運用陰影來表示該等狹縫702中會阻隔離子通過的部份。
圖7B所示的係沿著圖7A中的A－A直線所獲得的示範狹縫陣列700的剖面圖。此圖中同樣顯示出，該狹縫陣列700會於其中形成數條狹縫702。該等狹縫702一部份係由一射束區分結構704來界定，而且具有一入口開口706與一出口開口708，用以讓該離子束中的一部份或小束線通過其中。
量測裝置710會被設置在該狹縫陣列700的下方或下游處。該等量測裝置710會量測於正方向中具有該選定角度範圍且會通過該等狹縫702的小束線的電量或射束電流。舉例來說，接著，便可運用該經測得的射束電流來決定該入射離子束的入射角度，其包含入射角度平均值在內。
圖8A與圖8B所示的係根據本發明一項觀點的一示範狹縫陣列結構800的示意圖，不過係於一負方向中。狹縫陣列800亦被稱為不對稱遮罩，其會根據負方向中的一選定角度範圍來產生一入射離子束的小束線，該負方向和上面針對圖7A與7B所述的正方向相反。該狹縫陣列800可運用於單件式離子植入系統之中或是批次式離子植入系統之中。
圖8A所示的係根據本發明一項觀點的示範狹縫陣列800的俯視圖。該狹縫陣列800係從一入射離子束的方向看去所獲得者。該狹縫陣列800包含數條個別狹縫802，它們均係形成於該狹縫陣列800之中。雖然圖中顯示出四條狹縫，不過，本發明亦可於一狹縫陣列設計任何數量的狹縫，其包含於該陣列800內設計單一狹縫在內。圖中運用陰影來表示該等狹縫802中會阻隔離子通過的部份。
圖8B所示的係沿著圖8A中的A－A直線所獲得的示範狹縫陣列800的剖面圖。此圖中同樣顯示出，該狹縫陣列800會於其中形成數條狹縫802。該等狹縫802一部份係由一射束區分結構804來界定，而且具有一入口開口806與一出口開口808，用以讓該離子束中的一部份或小束線通過其中。
量測裝置810會被設置在該狹縫陣列800的下方或下游處。該等量測裝置810會量測於負方向中具有該選定角度範圍且會通過該等狹縫802的小束線的電量或射束電流。舉例來說，接著，便可運用該經測得的射束電流來決定該入射離子束的入射角度，其包含入射角度平均值在內。
圖9A與圖9B所示的係根據本發明一項觀點的又一示範狹縫陣列結構900的示意圖。狹縫陣列900亦被稱為不對稱遮罩，其會根據正方向中的一選定角度範圍來產生一入射離子束的小束線。該狹縫陣列900可運用於單件式離子植入系統之中或是批次式離子植入系統之中。該狹縫陣列900會提供和圖7A與7B之狹縫陣列700相同的正角度選擇，不過，卻具有一不同的結構。
圖9A所示的係根據本發明一項觀點的示範狹縫陣列900的俯視圖。該狹縫陣列900係從一入射離子束的方向看去所獲得者。該狹縫陣列900包含數條個別狹縫902，它們均係形成於該狹縫陣列900之中。雖然圖中顯示出四條狹縫，不過，本發明亦可於一狹縫陣列設計任何數量的狹縫。圖中運用陰影來表示該等狹縫902中會阻隔離子通過的部份。
圖9B所示的係沿著圖9A中的A－A直線所獲得的示範狹縫陣列900的剖面圖。此圖中同樣顯示出，該狹縫陣列900會於其中形成數條狹縫902。該等狹縫902一部份係由一射束區分結構904來界定，而且具有一入口開口906與一出口開口908，用以讓該離子束中的一部份或小束線通過其中。該射束區分結構904會為該狹縫902界定一不同的形狀。不過，該入口開口906與該出口開口908卻會產生和圖7A與7B之狹縫702相同的角度區分特性。量測裝置910會被設置在該狹縫陣列900的下方或下游處。
圖10所示的係根據本發明一項觀點的一種用以獲得入射角度數值的方法1000的流程圖。該方法1000可用於校正與測試，或是用以於離子植入製程期間來實施修正性調整。本發明雖然針對用以決定相對於單一軸線或方向的入射角度數值來說明方法1000，不過，該方法亦可擴充至多條軸線。舉例來說，可運用該方法1000來取得一快速掃描軸線及/或一慢速掃描軸線中的入射角度數值。此外，該方法1000還可運用於單件式離子植入系統之中及/或批次式離子植入系統之中。
該方法始於方塊1002處，於該方塊中會啟動一離子植入製程，其中，一具有一選擇入射角度數值的離子束會被導引至一目標物。該離子植入製程包含可運用於離子植入製程中之任何數量的合宜離子或摻雜物。舉例來說，該離子束在根據一特殊製程產生之後會具有一選定能量與摻雜物濃度。該選定入射角度通常係落在所運用之離子植入系統的一操作範圍之內。舉例來說，該選定入射角度可根據一特殊的製程或是一校正程序來選擇。該目標物可能係一目標晶圓，例如一晶圓產品或是測試晶圓，或是供作校正用途的其它目標物。
於方塊1004處，該方法會提供一正狹縫陣列或是正不對稱遮罩，其係座落於該入射離子束的路徑之中，通常係位於該目標物附近。該正狹縫陣列會於方塊1004處取得該離子束中於一正方向(例如於一快速掃描軸線中的正方向中)中具有一選定角度範圍的一(或多個)部份。該正狹縫陣列包括一或多條狹縫(例如在上面圖式中所述者)，它們均具有入口開口、出口開口、狹縫輪廓、以及高寬比。
於方塊1006處，該方法會提供一負狹縫陣列或是負不對稱遮罩，其係座落於該入射離子束的路徑之中，通常係位於該目標物附近。該負狹縫陣列會於方塊1006處取得該離子束中於一負方向(例如於一快速掃描軸線中的負方向中)中具有一選定角度範圍的一(或多個)部份。該負狹縫陣列包括一或多條狹縫(例如在上面圖式中所述者)，它們均具有入口開口、出口開口、狹縫輪廓、以及高寬比。
於方塊1008處會從該離子束的正部份處取得一正射束量測值。該正射束量測值係藉由一位於該正狹縫陣列下游處的射束量測裝置(例如一法拉第杯)所獲得的。該正射束量測值可能包含一或多個個別量測值。
同樣地，於方塊1010處會從該離子束的負部份處取得一負射束量測值。該負射束量測值係藉由一位於該負狹縫陣列下游處的該射束量測裝置或是另一射束量測裝置所獲得的。該負射束量測值可能包含一或多個個別量測值。
於方塊1012處會運用該等正射束量測值與負射束量測值來決定一經測得的入射角度。該正射束量測值會產生正方向中的射束電流而該負射束量測值則會產生負方向中的射束電流。因此，比較兩者之後便可表示一離子束的方向為何(正或負)。藉由運用該等正狹縫陣列與負狹縫陣列的各項特性(例如高寬比、接受角度、以及類似的特性)，便可決定出一經測得的入射角度數值。舉例來說，該經測得的入射角度可能係一平均數值或中間數值。
一旦決定出該平均角度之後，藉由審視一狹縫中的電流除以總電流便可預測出該擴展角度。倘若加總流經該等正狹縫的所有電流並且同樣加總該等入射電流的話，那麼一旦決定出整體的射束平均角度之後，便可預測出該射束擴展角度。
於方塊1014處會將該經測得的入射角度與該選定入射角度作比較，用以於必要時為該離子植入製程來源氣體決定一或多個修正性調整。舉例來說，倘若該經測得的入射角度為1.5度而該經選定入射角度為2.5度的話，那麼便可於一批次式製程系統的傾斜軸線及/或扭轉軸線之中進行調整。此外，該經測得的擴展角度亦可與合宜的擴展角度數值進行比較或分析，用以針對該擴展角度來決定該離子束的修正性調整。
於方塊1016處會運用該等經過修正的調整。此可能包含進行調整，舉例來說，一處理圓盤的一傾斜角度會調整一離子植入系統的向外角度(outgoing angle)。此外，藉由如上述般地再度量測該等正方向射束電流與負方向射束電流來決定一新的經測得的入射角度並且判斷其是否夠接近該經選定入射角度，便可驗證該等調整結果。同樣地，亦可於該離子束上針對擴展角度來實施修正性調整。
應該明白的係，參考本發明的其它圖式便可更明白方法1000及其變化例。此外，方法1000及其說明亦可有助於更瞭解上面所述之本發明的其它觀點。
雖然，為達簡化解釋的目的，方法1000係以序列執行的方式來進行繪製以及說明，不過，應該瞭解且明白的係，本發明並不僅限於圖中所示之順序；因為根據本發明的特定觀點可以異於圖中所示與所述的順序來進行及/或亦可以和圖中所示與所述的其它觀點同時進行。舉例來說，方塊1010處所獲得的負射束量測值便可發生在方塊1008處所獲得的正射束量測值前面。再者，並非需要圖中所示之所有特徵圖形方能實施根據本發明一項觀點的方法。
雖然上文已經針對一或多種施行方式來闡述與說明過本發明，不過，熟習本技術的人士於閱讀且瞭解本說明書及圖式之後將可對本發明進行變更與修正。尤其是針對上述組件(組件、裝置、電路、系統、...等)所實施的各項功能來說，除非特別提及，否則用來說明此等組件的詞語(包含「構件」相關詞在內)均希望涵蓋能夠實施所述組件之指定功能的任何組件(也就是，具有均等功能的組件)，即使結構上不等同於本文中所圖解之本發明示範實行方式中用來實施該項功能的揭示結構亦無妨。此外，雖然於數種實施例的每一實施例中均僅揭示本發明的某項特殊特點，不過此項特點卻可結合其它實施方式中的一或多項其它特點，此為任何假定或特殊應用所期望達成且相當有利者。另外，應該注意的係，本文中所使用之「示範」一詞應該僅能夠被解釋成係一範例。再者，詳細說明以及申請專利範圍中均用到「包含」、「具有」等詞語，甚至其變化詞語，此等詞語均與「包括」一詞類似，具有包容之意。
100．．．角度偵測器
102．．．結構
104．．．狹縫
106．．．狹縫
110．．．狹縫長度
112．．．狹縫寬度
113．．．狹縫高度
114．．．開放部份寬度
116．．．阻隔部份
118．．．阻隔部份
120．．．入口開口
121．．．入口開口
122．．．出口開口
123．．．出口開口
124．．．電量量測裝置
126．．．電量量測裝置
128．．．離子束
130．．．離子束中的第一部份
132．．．離子束中的第二部份
200．．．狹縫結構
202．．．狹縫
204．．．狹縫寬度
206．．．狹縫高度
208．．．角度
210．．．接受角度
400．．．末端站
401．．．反應室底座
402．．．處理反應室
404．．．處理圓盤
406．．．晶圓
408．．．風箱
410．．．正交軸線
412．．．正交軸線
414．．．旋轉軸線
420．．．離子束
422．．．狹縫陣列
500．．．末端站
502．．．處理圓盤
504．．．法拉第圓盤
506．．．離子束
600．．．處理圓盤
602．．．狹縫陣列
604．．．狹縫陣列
606．．．狹縫陣列
608．．．狹縫陣列
610．．．處理圓盤
700．．．狹縫陣列
702．．．狹縫
704．．．射束區分結構
706．．．入口開口
708．．．出口開口
710．．．量測裝置
800．．．狹縫陣列
802．．．狹縫
804．．．射束區分結構
806．．．入口開口
808．．．出口開口
810．．．量測裝置
900．．．狹縫陣列
902．．．狹縫
904．．．射束區分結構
906．．．入口開口
908．．．出口開口
910．．．量測裝置
圖1A所示的係根據本發明一項觀點的角度偵測器的俯視圖。
圖1B所示的係根據本發明一項觀點的離子束角度偵測器的剖面側視圖。
圖2所示的係根據本發明一項觀點的一種依照一選定角度範圍來選擇一入射離子束中之一部份的示範狹縫結構的剖面圖。
圖3所示的係根據本發明一項觀點之狹縫對的一射束電流差異的圖形。
圖4所示的係根據本發明一項觀點用於一離子植入裝置的一示範末端站的立體圖。
圖5所示的係根據本發明一項觀點用於一離子植入系統的一末端站的立體圖。
圖6所示的係根據本發明一項觀點位於一處理圓盤上之狹縫陣列的配置的平面圖。
圖7A所示的係根據本發明一項觀點的一示範狹縫陣列的俯視圖。
圖7B所示的係沿著圖7A中的A－A直線所獲得的一示範狹縫陣列的剖面圖。
圖8A所示的係根據本發明一項觀點的一示範狹縫陣列的俯視圖。
圖8B所示的係沿著圖8A中的A－A直線所獲得的一示範狹縫陣列的剖面圖。
圖9A所示的係根據本發明一項觀點的一示範狹縫陣列的俯視圖。
圖9B所示的係沿著圖9A中的A－A直線所獲得的一示範狹縫陣列的剖面圖。
圖10所示的係根據本發明一項觀點的一種用以獲得入射角度數值的方法的流程圖。
100．．．角度偵測器
102．．．結構
104．．．狹縫
106．．．狹縫
112．．．狹縫寬度
113．．．狹縫高度
120．．．入口開口
121．．．入口開口
122．．．出口開口
123．．．出口開口
124．．．電量量測裝置
126．．．電量量測裝置
128．．．離子束
130．．．離子束中的第一部份
132．．．離子束中的第二部份

Claims (39)

  1. 一種離子植入系統，其包括：一離子源，其會產生一離子束；一束線組件，其會從該離子源中接收該離子束並且會處理該離子束；一角度偵測器，其會從該束線組件中接收該離子束，其包括：一結構，其中貫穿著一狹縫，該狹縫包括一入口開口、一出口開口、以及一介於該入口開口與該出口開口之間的狹縫輪廓，其中，該入口開口與該出口開口具有不同的形狀及/或該狹縫輪廓具有一根據一第一方向中之一選定角度範圍的形狀，其中，該狹縫會根據該第一方向中之該選定角度範圍而選擇性地通過該離子束中的一部份；以及一感測器機制，其會接收該離子束中的該部份並且取得該部份的一射束電流量測值；以及一目標位置，其會從該束線組件中接收該離子束。
  2. 如申請專利範圍第1項之系統，其進一步包括一被設置在該束線組件下游處的末端站，其會固持一目標晶圓作為該目標位置。
  3. 如申請專利範圍第2項之系統，其中，該末端站進一步包括一處理圓盤，其上安置著該角度偵測器的結構。
  4. 如申請專利範圍第2項之系統，其中，該末端站係一單晶圓末端站。
  5. 如申請專利範圍第1項之系統，其中，該狹縫輪廓的形狀為三角形。
  6. 如申請專利範圍第1項之系統，其中，該入口開口大於該出口開口。
  7. 如申請專利範圍第1項之系統，其中，該出口開口大於該入口開口。
  8. 如申請專利範圍第1項之系統，其中，該角度偵測器進一步包括：一第二結構，其中貫穿著一第二狹縫，該第二狹縫包括一入口開口、一出口開口、以及一介於該入口開口與該出口開口之間的狹縫輪廓，其中，該入口開口與該出口開口具有不同的形狀及/或該狹縫輪廓具有一根據和該第一方向相反的第二方向中之一選定角度範圍的形狀，其中，該第二狹縫會根據該第二方向中之該選定角度範圍而選擇性地通過該離子束中的一第二部份；以及一第二感測器機制，其會接收該離子束中的該第二部份並且取得該離子束中該第二部份的一第二射束電流量測值。
  9. 如申請專利範圍第8項之系統，其進一步包括一分析器組件，其會從該感測器機制中取得該射束電流量測值並且從該第二感測器機制中取得該第二射束電流量測值，並且至少部份從該第一射束電流量測值與該第二射束電流量測值中來決定該入射離子束的一經測得的入射角度。
  10. 如申請專利範圍第9項之系統，其中，該束線組件會根據一選定入射角度來調整該離子束相對於該目標位置的一入射角度。
  11. 如申請專利範圍第10項之系統，其中，該經測得的入射角度約等於該經選定入射角度。
  12. 一種離子植入系統，其包括：一離子源，其會產生一離子束；一束線組件，其會從該離子源中接收該離子束並且會處理該離子束；一角度偵測器，其會從該束線組件中接收該離子束，其包括：一第一不對稱遮罩，其會界定一狹縫，用以根據一第一角度範圍來選擇性通過該離子束中的一部份；以及一感測器機制，其會接收該離子束的該部份並且會取得該部份的一射束電流量測值；以及一目標位置，其會從該束線組件中接收該離子束。
  13. 如申請專利範圍第12項之系統，其中，該角度偵測器進一步包括一第二不對稱遮罩，其會界定一狹縫，用以根據一第二角度範圍來選擇性通過該離子束中的一第二部份。
  14. 如申請專利範圍第13項之系統，其進一步包括一第二感測器機制，其會接收該離子束的該第二部份並且會取得該第二部份的一第二射束電流量測值。
  15. 如申請專利範圍第13項之系統，其中，該第二角度範圍係位於和該第一角度範圍之方向相反的方向之中。
  16. 如申請專利範圍第12項之系統，其進一步包括一被設置在該束線組件下游處的末端站，其會固持一目標晶圓作為該目標位置。
  17. 如申請專利範圍第16項之系統，其中，該末端站包括一目標裝置處置系統，用以於一單批次中將多個目標裝置傳送至該離子束。
  18. 如申請專利範圍第16項之系統，其中，該末端站包括一目標裝置處置系統，用以將單一目標裝置傳送至該離子束。
  19. 一種用於離子植入系統的離子束角度偵測器，其包括：一結構，其中貫穿著一狹縫，該狹縫包括一入口開口、一出口開口、以及一介於該入口開口與該出口開口之間的狹縫輪廓，其中，該入口開口與該出口開口具有不同的形狀及/或該狹縫輪廓具有一根據一第一方向中之一選定角度範圍的形狀，其中，該狹縫會根據該第一方向中之該選定角度範圍而選擇性地通過該離子束中的一部份；以及一感測器機制，其會被配置成用以接收該離子束中該通過的部份並且量測該離子束中該部份的射束電流。
  20. 如申請專利範圍第19項之角度偵測器，其中，該感測器機制包括一電量收集器。
  21. 如申請專利範圍第19項之角度偵測器，其中，該結構係由一導體材料所構成並且會被連接至接地。
  22. 如申請專利範圍第19項之角度偵測器，其中，該結構係選自由下面組成之群中的材料所構成：鋁、塗佈著矽的鋁、石墨、以及經過電鍍的鋁。
  23. 如申請專利範圍第19項之角度偵測器，其中，狹縫的高寬比可產生一合宜的信號雜訊比。
  24. 如申請專利範圍第19項之角度偵測器，其進一步包括：一第二結構，其中貫穿著一第二狹縫，該第二狹縫包括一入口開口、一出口開口、以及一介於該入口開口與該出口開口之間的狹縫輪廓，其中，該入口開口與該出口開口具有不同的形狀及/或該狹縫輪廓具有一根據和該第一方向相反的第二方向中之一選定角度範圍的形狀，其中，該第二狹縫會根據該第二方向中之該選定角度範圍而選擇性地通過該離子束中的一第二部份；以及一第二感測器機制，其會被配置成用以接收並且量測該離子束中該第二部份的射束電流。
  25. 一種離子植入系統的末端站，其包括：一處理反應室；一處理支撐結構，其係位於該處理反應室內並且可以一或多條軸線為基準來進行調整，其包括一多晶圓處理圓盤，用於支撐一或多片晶圓而且其中還具有一或多個正狹縫陣列以及一或多個負狹縫陣列；以及一射束電流量測裝置，其係被設置在該處理支撐結構的下游處，用以量測來自該等一或多個正狹縫陣列的正角度射束電流以及來自該等一或多個負狹縫陣列的負角度射束電流。
  26. 如申請專利範圍第25項之末端站，其進一步包括一反應室底座，其會支撐該處理反應室並且支援以該一或多條軸線為基準來調整該處理支撐結構。
  27. 如申請專利範圍第25項之末端站，其中，該一或多條軸線包括一阿爾法軸線與一貝它軸線。
  28. 如申請專利範圍第25項之末端站，其進一步包括一分析器組件，其會從該正角度射束電流與該負角度射束電流中來決定沿著該一或多條軸線中一選定軸線之經測得的入射角度。
  29. 如申請專利範圍第28項之末端站，其中，該分析器組件會進一步根據該經測得的入射角度以及一所希望的入射角度來決定修正性調整。
  30. 如申請專利範圍第25項之末端站，其中，該一或多個負狹縫陣列包括形成於一狹縫結構內的複數個狹縫，該等狹縫具有根據沿著該一或多條軸線中其中一條軸線的負方向中的一選定角度範圍的一出口開口、一入口開口、以及一狹縫輪廓。
  31. 如申請專利範圍第30項之末端站，其中，該狹縫輪廓係由一具有三角形狀的射束區分結構所界定。
  32. 如申請專利範圍第30項之末端站，其中，該狹縫輪廓係由一具有「L」形狀的射束區分結構所界定。
  33. 如申請專利範圍第25項之末端站，其中，該一或多個正狹縫陣列包括形成於一狹縫結構內的複數個狹縫，該狹縫具有根據一快速掃描方向的正方向中的一選定角度範圍的一出口開口、一入口開口、以及一狹縫輪廓。
  34. 一種用以取得一經測得之入射角度的方法，該方法包括：取得一入射離子束中沿離子植入的一第一軸線的一正方向中具有一選定角度範圍的一正部份；取得該入射離子束中沿該第一軸線的一負方向中具有該選定角度範圍的一負部份；量測該正部份，用以取得一正角度射束電流量測值；量測該負部份，用以取得一負角度射束電流量測值；以及根據該正角度射束電流量測值與該負角度射束電流量測值來決定該經測得的入射角度。
  35. 如申請專利範圍第34項之方法，其中，取得該入射離子束的該正部份包括提供一正狹縫陣列，其係沿著該入射離子束的一路徑並且包括一或多個狹縫，該一或多個狹縫具有根據該正方向中的該選定角度範圍的入口開口以及出口開口。
  36. 如申請專利範圍第34項之方法，其進一步包括根據該經測得的入射角度以及一所希望的入射角度來決定修正性調整。
  37. 如申請專利範圍第34項之方法，其進一步包括，取得該入射離子束中沿著該離子植入的一第二軸線的一正方向中具有一第二選定角度範圍的一第二正部份；取得該入射離子束中沿著該第二軸線的一負方向中具有該第二選定角度範圍的一第二負部份；量測該第二正部份，用以取得一第二正角度射束電流量測值；量測該第二負部份，用以取得一第二負角度射束電流量測值；以及根據該第二正角度射束電流量測值與該第二負角度射束電流量測值來決定一第二經測得的入射角度。
  38. 如申請專利範圍第34項之方法，其進一步包括根據該經測得的入射角度來決定該入射離子束的一經測得擴展角度。
  39. 如申請專利範圍第38項之方法，其進一步包括根據該經測得的擴展角度來改變該入射離子束的一擴展角度。
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