TW201007230A

TW201007230A - Wire grid-type polarizing element and manufacturing method thereof

Info

Publication number: TW201007230A
Application number: TW098123435A
Authority: TW
Inventors: Yuriko Kaida; Hiroshi Sakamoto; Takahira Miyagi; Kosuke Takayama; Hiromi Sakurai; Eiji Shidoji
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Priority date: 2008-07-10
Filing date: 2009-07-10
Publication date: 2010-02-16
Also published as: JP5459210B2; JPWO2010005059A1; US20110096396A1; EP2299299A1; EP2299299A4; CN102084275A; TWI479206B; WO2010005059A1; KR20110031440A; CN102084275B

Description

201007230 六、發明說明： c發明戶斤屬之技術領域3 技術領域本發明係有關於一種線柵型偏光元件及其製造方法。 I：先前技術3 背景技術液晶顯示裝置、背投式投影電視、前投式投影機等影像顯示裝置所使用的在可見光區域顯示出偏光分離能力的偏光元件（亦稱為偏光分離元件）包括：吸收型偏光元件及反射型偏光元件。吸收型偏光元件係可使例如碘等二色性色素 (dichroism pigment)定向於樹脂薄膜中的偏光元件。可是，由於吸收型偏光元件會吸收一邊的偏光，故光的利用效率很低。另一方面，由於反射型偏光元件會使未射入偏光元件並反射的光再次射入偏光元件，故可提高光的利用效率。因此，以液晶顯示裝置等的高亮度化為目的，對反射型偏光元件的要求業已提高。反射型偏光元件包括：由雙折射樹脂積層體所構成之直線偏光元件、由膽固醇型液晶所構成之圓偏光元件、線柵型偏光元件。可是，直線偏光元件及圓偏光元件的偏光分離能力很低。因此，顯示出高偏光分離能力的線柵型偏光元件正備受注目。 3 201007230 線柵型偏光元件具有在透光性基板上互相平行地配置排列有多數金屬細線的構造。金屬細線的間距遠短於入射光之波長時，入射光當中，具有與金屬細線垂直之電場向量的成分（即，P偏光）會透射，而具有與金屬細線平行之電場向量的成分（即，s偏光)則會反射。在可見光區域顯示出偏光分離能力的線柵型偏光元件已知有下述者。 (1) 在透光性基板上以預定間距形成有金屬細線的線栅型偏光元件（專利文獻1)。 (2) 以預定間距形成於透光性基板之表面的多數凸條之上面或側面，被由金屬或金屬化合物所構成之材料膜覆蓋而構成金屬細線的線柵型偏光元件（專利文獻2)。可是，（1)、（2)之線栅型偏光元件的偏光分離能力仍不夠充分。又，改善了亮處對比的線柵型偏光元件已知有下述者。 (3)在透光性基板上以預定間距形成有金屬細線及低反射率構件(Si02等）的線柵型偏光元件（專利文獻3)。可是，（3)之線柵型偏光元件在短波長區域的透射率不夠充分。先行技術文獻專利文獻專利文獻1 :特開2005-070456號公報專利文獻2 :特開2006-003447號公報專利文獻3 :特開2〇〇8-046637號公報 201007230 t明内溶11 發明揭示發明欲解決之課題本發明提供一種在可見光區域中顯示出高偏光分離能力，且短波長區域之透射率提高的線栅型偏光元件、及一 . 種可輕易製造該線柵型偏光元件的方法。解決課題之手段本發明之線柵型偏光元件之特徵在於包含有：透光性 ^ 基板，係表面形成有互相平行且具預定間距之多數凸條者；基底層’係由金屬氧化物所構成者，存在於前述凸條 - 之至少頂部；及金屬細線，係由金屬層所構成者，存在於兩述基底層之表面上’且存在於凸條之至少頂部。前述金屬層更可存在於凸條側面之至少一部分。又，金屬層更可存在於凸條側面之全面。則述基底層更可存在於凸條側面之全面。又，基底層 ^ 更可存在於凸條間之透光性基板表面。前述金屬氧化物宜為Si〇2或Ti〇2。前述基底層於凸條之頂部上的高度宜為。前述金屬層於凸條之頂部上的高度宜為3〇nm以上。此外’金屬細線的間距(Pa)宜為50〜2〇〇nm，且，金屬細線的寬度(Da)與間距(Pa)的比(Da/Pa)宜為〇」〜〇 6。本發明之線柵型偏光元件的製造方法的特徵在於：在表面形成有互相平行且具預定間距之多數凸條的透光性基板之凸條之至少頂部蒸鍍金屬氧化物來形成由金屬氧化物 5 201007230 所構成之基底層’接著’在前述基底層之表面上，且在凸條之至少頂部蒸鍍金屬來形成金屬層，而作成金屬細線。前述基底層宜藉由使用了真空蒸鍍法的斜向蒸鍍法，形成於凸條之至少頂部。又，前述基底層宜形成於凸條之全表面及凸條間之透光性基板表面，此時，藉由濺鑛法來形成基底層係為更佳。刖述金屬層宜形成於凸條側面之至少一部分及凸條之頂部。此外，金屬層宜形成地形成於凸條側面之全面及凸條之頂部。又，前述金屬層宜藉由使用了真空蒸鍍法的斜向蒸鍍法來形成。前述金屬層係藉由使用了真空蒸鍍法的斜向蒸鍍法來形成時’宜藉由下述條件來形成。 (A) 從對凸條之長度方向大略垂直，且對凸條之高度方向形成角度Θ11的方向來蒸鍍金屬。 (B) 從對凸條之長度方向大略垂直，且於前述角度妒之相反側對凸條之高度方向形成角度的方向來蒸鍍金屬。 (c)交互進行依前述條件(A)之蒸鍍及依前述條件之蒸鍍，且，依前述條件(A)之蒸鍍進行(惟，瓜為丨以上），依前述條件(B)之蒸鍍進行n次(惟，叫以上），合計(m+n) 為3次以上。 (D)依則述條件次蒸鍍中之第1次蒸鍍的角度π 滿足下式(IV)，且，依前述條件⑻之喊蒸射之^次蒸鑛的角度01滿足下式(v)。 201007230 15°$eRS45。. . ·（IV) 15°S0LS45。· · ·（V) (E)前述m為2以上時，第i次（惟，i=2〜m)的θ'與第（i-1) 次的θ%_υ滿足下式(VI)，且，前述η為2以上時，第j次（惟， j =2〜η)的0Lj與第(j -1)次的Θ V!)滿足下式(VII)。 e'seV丨）· · .（vi) θ^θ^.!)· · -(VII) 發明效果本發明之線柵型偏光元件可在可見光區域中顯示出高偏光分離能力，且短波長區域之透射率提高。根據本發明之線栅型偏光元件的方法，可輕易製造出在可見光區域中顯示出高偏光分離能力，且短波長區域之透射率提高的線柵型偏光元件。圖式簡單說明第1圖係顯示本發明之線柵型偏光元件之第1實施形態的立體圖。第2圖係顯示本發明之線柵型偏光元件之第2實施形態的立體圖。第3圖係顯示本發明之線柵型偏光元件之第3實施形態的立體圖。第4圖係顯示透光性基板之一例的立體圖。 I：實施方式3 實施發明之最佳形態 <線柵型偏光元件> 7 201007230 本發明之線柵型偏光元件係具有：透光性基板、基底層及金屬細線者，該透光性基板係表面形成有互相平行且具預定間距之多數凸條者，且該基底層係由金屬氧化物所構成者，存在於凸條之至少頂部，而該金屬細線係由金屬層所構成者，存在於基底層之表面上，且存在於凸條之至少頂部。存在於凸條之至少頂部的金屬層由於係作成朝凸條之長度方向延伸的線狀，故相當於構成線栅型偏光元件的金屬細線。另外，本發明中的凸條、基底層及金屬層的各尺寸係指，在線柵型偏光元件之截面的掃描式電子顯微鏡像或穿透式電子顯微鏡像中測出者。 (透光性基板）透光性基板係在線栅型偏光元件的使用波長範圍中，具有透光性的基板。透光性係指令光透射之意，使用波長範圍具體而言係400nm〜800nm的範圍。在本發明中，凸條係指自透光性基板之表面直立，且該直立物係朝一方向延伸的部分。凸條係與透光性基板之表面呈一體，且可由與透光性基板之表面部分相同的材料所構成，亦可由與透光性基板之表面部分相異的透光性材料所構成。凸條係以與透光性基板之表面呈一體，且由與透光性基板之表面部分相同的材料所構成為佳，且宜為透過形成透光性基板之至少表面部分所形成的凸條。凸條的垂直於其長度方向及透光性基板之主表面的方向之截面形狀在跨長度方向上大致—定，且在複數凸條 201007230 中，該等讀面形狀亦轉大致—定練。前述截面形狀宜為自透級基板之表面朝高度方向麟大致—定而直立的形狀，或宜為自透光性基板之表面朝高度方向Γ 面減少寬度—面直立的形狀。亦可為自透光性基板之表面朝高度方向具有大致之寬度而直立，，然後，-面減少寬度-面直立的形狀。具體的截面形狀可舉例如：矩形、梯形、三角形、半圓形、半橢圓形、矩形上部形成半圓形的形狀等。在本發明中，凸條之頂部係指前述截面形狀之最高部分在長度方向上連續的部分。凸條之頂部可為面亦可為線。例如’截面形狀為矩形或梯科，1部會形成面，截面形狀為三角形或半圓形時，頂部會形成線。在本發明中，將凸條之頂部以外的表面稱為（凸條之)側面。另外，鄰接的 2個凸狀__鄰接的2個凸條所形成的槽之底面）不被視為凸條之表面’而是視為（凸條間之)透光性基板表面。透光性基板的原料或材料可舉例如：光硬化樹脂、熱可塑性樹脂、玻璃等’就可藉由後述之壓印法來形成凸條的觀點來看，係以光硬化樹脂或熱可塑性樹脂為佳，就可藉由光壓印法來形成凸條的觀點、以及耐熱性與耐久性優異的觀點來看，特別係以光硬化樹脂為佳。就生產性的觀點來看，光硬化樹脂宜為將得以藉由光自由基聚合進行光硬化的光硬化性組成物予以光硬化而可製得的光硬化樹脂。光硬化性組成物宜為光硬化後之硬化膜的對水之接觸 9 201007230 角成為9G°以上者。該硬化膜的對水之接觸角若為9〇。以上，則藉由光壓印絲形成凸條時，_具的賴性會變好’且可高精確性轉印，所製得之線柵型偏光元件可充分發揮目標性H即使該接觸角很高’亦不會對基底層的附著造成阻礙。在具有凸條的區域中，透光性基板的厚度(含凸條高度) 係以0.5〜ΙΟΟΟμπι為佳，且以1〜40μιη為較佳。又，在具有凸條的區域中，去掉凸條高度的透光性基板的厚度係以〇加以上為佳，且以〇.一以上為較佳。具有凸條的區域以外的透光性基板的厚度宜為與前述具有凸條的區域中的透光性基板的厚度（含凸條高度）幾乎相同的厚度即 0.5〜ΙΟΟΟμιη ’且以1〜4〇μπι為較佳。凸條高度係以30〜500nm為佳，且以5〇〜3〇〇nm為較佳。藉由令該咼度為30nm以上，對凸條之表面的基底層之選擇性形成將變得容易。藉由令該高度為5〇〇nm以下，線拇型偏光元件的偏光度之入射角相依性（incidence如咖 dependence)將會變小。又，就藉由蒸鍍易於形成金屬層的觀點來看，凸條高度特別是以80〜27〇nm為佳。 (基底層）基底層係由金屬氧化物所構成的層。由於金屬層必須存在於基底層的表面上，故基底層係存在於凸條之至少頂部’此外’金屬層除了凸條之頂部以外更存在於凸條之侧面時，基底層亦存在於存在有該金屬層的側面。又，基底層亦可存在於不存在金屬層的凸條之側面，還可存在於凸 201007230 條間之透光性基板之表ι基底層宜存在於凸條之全面，且以更存在於凸條之全面與凸條間之透光性基板之表面為权佳。即’基底層存在於存在有凸條的透光性基板表面之全面係為較佳。金屬氧化物可舉例如：Si〇2、Al2〇3、Ti〇2、Zr〇2、Sn〇2 等。尤其，就線柵型偏光元件可在短波長區域顯示出高透射率的觀點來看，_似Si(«™2為佳。又，由Al2〇3、

TiC^'ZrO2等高折射率材料構成基底層時，在未受到金屬層覆蓋的基底層之表面與空氣錢紐基板材料的界面的折射率差會變大’可更進—步提高短波長區域的透射率。基底層之厚度可為實質上均勻之厚度，亦可部分具有相異的厚纟。例如，凸條之頂部、凸條之側面及凸條間之透光性基板之表面的厚度分別可有所不同。例如，可令凸條之頂部的基底層厚度比其他表面的基底層厚度厚。另外，基底層於凸條之頂部上的厚度稱為凸條之高度方向的厚度，以下，亦有將基底層於凸條之頂部上的厚度稱為高度的情形。基底層於凸條之頂部上的高度（凸條之高度方向的厚度）宜為1〜20mn，且特別係以2〜15nm為佳。該高度若為inm 以上，則會提岗金屬細線的膜質，而提高線柵型偏光元件的p偏光透射率。該鬲度若為2〇nm以下，則可抑制與透光性基板之干涉所造成的波長分散，而提高線栅型偏光元件的p 偏光透射率。基底層於凸條之側面上的厚度通常係為與基底層於凸條之頂部上的高度相同的厚度或為該高度以下的 11 201007230 厚度。基底層於凸條之側面上的厚度可從頂部朝下方慢慢變薄。凸條之頂部以外的基底層之厚度與凸條之頂部的基底層之高度相同或為該高度以下，以不管何處均具有幾乎均勻之厚度為較佳，且其厚度宜為lmn以上。基底層宜藉由蒸鍍法來形成。蒸鍍法可舉物理蒸鍍法 (PVD)或化學蒸鍍法(CVD)，其中係以真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鑛法等蒸鑛法為佳。尤其，係以真空蒸鍵法或賤鍵法為佳。真空蒸鑛法可輕易控制附著之微粒子對透光性基板的射入方向，而容易進行後述之斜向蒸鍍法。另一方面，濺鍍法可輕易令微粒子的射入方向隨機化，適合作為在具有凹凸之表面上形成均勻厚度之薄膜的方法。因此，僅在凸條之頂部或在凸條之頂部與側面選擇性形成基底層時，宜使用真空蒸鍍法，在存在有凸條的透光性基板表面之全面形成基底層時，宜使用濺鑛法。另外，滅鑛法亦可使用反應濺鑛法(例如，使用金屬乾材，在含氧氣體中進行錢鑛來形成金屬氧化物層等方法）。又，賤錄法當中，尤其是使用尚真空環境的藏鍍法（例如，磁控濺鑛法等）可較輕易地控制射入方向，故亦可取代前述真空蒸鍍法使用在基底層之形成。另外，以下說明中，只要未特別提及，濺鍍法均係指通用的直流濺鍍法或高頻濺鍍法。濺鍍法等生成高能量微粒子且使該微粒子附著於凸條之表面的方法中，會有凸條之表面因高能量微粒子之衝突而受到侵钱的情形。例如，截面形狀為矩形的凸條中，會有其角部受到侵蝕而變圓的情形。此外，還有凸條之寬度 201007230 減少、凸條之高度減低等情形。尤其，凸條之材料為樹脂等較軟質的材料時，容易產生此種侵蝕。又，認為越是高能量微粒子之衝突报多的凸條之上部就越容易產生此種侵蝕。因此，藉由濺鍍法等來形成基底層的結果，會有凸條之形狀變成與形成基底層前的形狀不同的形狀的情形。可疋’其开>狀變化只要不是很極端的話都可容許。這是因為線拇型偏光元件基本上係藉由其金屬細線的寬度與間距來

發揮其機能者’只要可形成具有預定寬度與間距的金屬細線，則透光性基板的凸條形狀對機能造成的影響就會很少的緣故。 (金屬細線）本發明之_型偏光元件巾，金屬細線係由凸條之表面上的金屬層所構成。金屬層存在於基底層之表面上，且存在於凸狀至少卿。金制亦可存在於⑽之頂部與凸條之侧面，此時，存在於凸條之頂部與凸條之側面的金屬層呈連續不騎-事係為慣例。金屬層存在於側面時，可存在於-邊_面’村存在於兩邊的側面。&條之側面的金屬層可存在於較凸條之預定高度更為上方之處，亦 :存在於麻之全面。金屬層縣存在於凸_之透光性基板表面，但金屬層存在於_之全 ^ ^ ^ ^ ^ . 側面的金屬層袖微溢出至透級基板之表面與凸條之 (凸條的直立部）。闕的部为元件的機能。再加上藉由令金制存在㈣條之頂部，可發_栅型偏光猎由令金屬層存在於凸條之側面， 13 201007230 可吸收從透光性基板之内面（不存在金屬細線的主表面）射入的S偏光，令線柵型偏光元件對從内面側射入的光顯示出低S偏光反射率。此外，藉由令金屬層存在於側面之全面’ 可效率良好地反射從透光性基板之表面射入的S偏光’令線栅型偏光元件顯示出高偏光分離能力。

又’藉由令金屬層形成於基底層之表面，巧'抑制金屬材料在形成金屬層時因結晶化而生成微小金屬粒子。藉此，可減少起因於微小金屬粒子之存在所造成的光線吸收，而提高線柵型偏光元件的透射率。

金屬層於凸條之頂部上的高度（凸條之高度方向的厚度）宜為30nm以上。該高度若為30nm以上，則可抑制s偏光透射（尤其在短波長區域），令線柵型偏光元件充分顯示出高偏光分離能力。金屬層於凸條之頂部上的高度若過高，則恐有產生繞射現象與金屬層之結晶化而令線栅型偏光元件的透射率降低之虞，又，由於會變得難以形成金屬層，故其上限宜為200nm。金屬層於凸條之頂部上的高度特別係以 40〜150nm為佳。金屬層於凸條之側面上的厚度（自基底層之表面算起的厚度）通常係為與金屬層於凸條之頂部上的高度相同的厚度或為該南度以下的厚度。金屬層於凸條之側面上的厚度可從頂部朝下方慢慢變薄。覆蓋凸條之側面的金屬層係以存在於凸條側面之面積的50%以上為佳’且以60%以上為較佳，並以7〇%以上為更佳，特別係以100%為最佳。覆蓋側面的金屬層面積變^ 14 201007230 可效率良好地吸收從線栅型偏光it件之内面側射入的S偏光’故可對從内面側射人的細示出更低的S偏光反射率。又金屬層佔凸條側面之面積的1〇〇%時，可效率良好地反射從透光性基板之表面射人的8偏光，令線柵型偏光元件顯示出高偏光分離能力。線栅型偏光元件的基本機能取決於金屬細線的寬度與間距（金屬細線之寬度方向的重複距離（repetition distance))。金屬㈣線的寬度(朝金屬細線之長度方向直線行進的方向的寬度)係從光的射人方向（與透光性基板之主表面垂直的方向）所見的金屬層的寬度，比起透光性基板之凸條的寬度會有較窄或較寬的情形。例如，凸條之頂部為平面時了开》成寬度比其頂部的寬度寬的金屬層，凸條之頂部為線狀時，可在其頂部與側面形成金屬層，作成具有寬度的金屬層。凸條之頂部為平面時，通常係以與其平面的寬度相同的寬度或比其平面的寬度稍微寬一點的寬度的金屬層為佳。另外，金屬細線的間距與凸條的間距相同。以Da表示金屬細線的寬度，且以Pa表示間距時，〇3與 Pa的比(Da/Pa)係以0.1〜0.6為佳，且以〇·2〜〇·5為較佳。藉由令Da/Pa為〇.1以上，可令線柵型偏光元件對從表面（形成有金屬細線的面）側射入的光顯示出更高的偏光度。藉由令 Da/Pa為0.6以下，可令p偏光透射率變得更高。間距(Pa)係以300nm以下為佳，且以50〜2〇〇nm為較佳。藉由令Pa為300nm以下，可令線拇型偏光元件充分顯示出高反射率’以及在400nm附近的短波長區域中亦可充分顯示出 15 201007230 高偏光分離能力。又，可抑制繞射所造成的著色現象 (coloration phenomenon)。金屬細線的寬度(Da)係以10〜120nm為更佳，若進考量到經由蒸鍍來形成金屬層的容易性，則係以 u 〜lOOnm 為特佳。另外，含基底層的凸條的最大寬度宜與金屬細、線的寬度(Da)相同或為該寬度(Da)以下。

金屬層的材料只要是具有充分導電性的金屬材料即可，但宜為除了導電性以外亦考量到耐腐蝕性等特性的材料。金屬材料可舉金屬單體、合金、含有摻雜物或預定量以下之雜質的金屬等。可舉例如：鋁、銀、鉻、錢、銘系合金、銀系合金等。又，亦可使用含碳等非金屬元素作為摻雜物等的金屬。就對可見Μ反射率高、可見光的吸收少、且具有高導電率的觀點來看，宜為紹、銘系合金、銀、鉻、鎂，且特別係以鋁或鋁系合金為佳。生屬層宜藉由蒸鍍法來形成 ^ …叹成"』举物理蒸金 (PVD)或化學蒸鑛法(CVD)，其中係以真空蒸錄法、琪

法、離子舰等⑽法為佳。金屬層句㈣別係以^ 蒸鑛去為佳。真空蒸鍍法可輕綠制附著之微粒子對髮 =板的射人方向，而容易進行後迷之斜向蒸鍵法。^ 屬層之形成係必須僅在凸條之頂Μ在凸條之頂㈣斜Si選擇性蒸链金屬來形成，故使用了真空蒸· 中”續法係最理想的金屬層之形成方法。又，賤则 ’尤其是❹高真空環境的舰法( 二可較輕易地控制射入方向，故可使用在金屬:= 16 201007230

由於金屬細線的寬度或厚度非常微細，故使稱微受損亦會影響線柵型偏光元件的性能。又，、、P 屬細線的導電率因氧化等化學變化(生鱗等）而降低== 型偏光兀件的性能降低的情形。因此，為了抑制金屬細線的相傷及化學變化等，可雜護層魏金屬細線。保嘆層並非只覆蓋金屬層之表面，此外’還可覆蓋露出的（即复上面沒有金屬層）基底層之表面或露出的（即，其上面沒有基 =)透先性^板之表面。再者，亦可形成保護層來填補凸 U曰的槽，令存在有金屬細線的面呈平坦。、保護層的材料可舉例如：樹脂、金屬氧化物、玻璃等。保護層的材料可為不具透光性的不透明材、覆盖其他表面的保護層的材料則使用得以形成性保護層的材料。即使材料本身的透光性低，但只要是層厚相當薄的倾層，料作歧光性賴層。X，保護層的材料宜為耐熱性或化學耐久性高的材料。另外，亦可使金屬層之表面自然地或積極地產生化學變化而形成保護層例如，使用銘作為金屬層的材料時，會在空氣中氧化而在表面形魏化㉟薄膜’該金屬氧化物薄膜可發揮作金屬細線之保護層的機能。保°蔓層亦覆蓋基底層表面或透光性基板表面時，恐有使在㈣層與該等表面之界面的Ρ偏光反射減低之虞Γ因 b且使保5蒦層的折射率與基底層或透光性基板的折射率實質上呈-致。又，就可在整個寬頻帶得到高偏光分離能 17 201007230 力的觀點來看，由折射率低的材料來構成係為較佳。由於保護層係存在於線栅型偏光元件的最表面具有鉛筆硬度Η以上的硬度，且宜亦具有防污且。又，可在保護層之表面設置防反射構造(例如，防反射膜等另夕亦可在透光性基板之内面設置硬質表面層或防反射構造’ <線栅型偏光元件的製造方法> °

線栅型偏光元件可藉由下述方法，即，製作出表成有互相平行且具預疋間距之多數凸條的透光性基板後形成基底層，接著形成金屬層的方法來製造。 (透光性基板的製作）透光性基板的製作方法可舉例如：壓印法（光壓印法熱壓印法）、微影法等，就可高生產性地形成凸條的觀點以及可將透光性基板大面積化的觀點來看，係以壓印法為佳’且就可更咼生產性地形成凸條的觀點以及可高精確卜生地轉印模具的槽的觀點來看，特別係以光壓印法為佳。

光壓印法係一種藉由例如電子束描繪與蝕刻的組人，來製作形成有互相平行且具預定間距之多數槽的模具並將該模具的槽轉印於塗佈在任意基材之表面的光硬化性組成物，同時使該光硬化性組成物光硬化的方法。經由光壓印法進行之透光性基板的製作，具體而古，宜經由下述步驟⑴〜(iv)來進行。 (0將光硬化性組成物塗佈於基材之表面的步驟。 (ii)令形成有互相平行且具預定間距之多數槽的模具按壓於光硬化性組成物，使槽接觸光硬化性組成物的步驟。 18 201007230 (iii) 在令模具按壓於光硬化性組成物的狀態下，照射放射線（紫外線、電子束等）’使光硬化性組成物硬化，製作出具有對應模具之槽的多數凸條的透光性基板的步驟。 (iv) 將模具從透光性基板分離的步驟。另外，所製得之基材上的透光性基板可在與基材呈一體的狀態下進行後述之基底層及金屬層的形成。又，依需要可在金屬層形成後，將透光性基板與基材分離。此外，還可在將於基材上所製成之透光性基板從基材分離後，進行後述之基底層及金屬層的形成。經由熱壓印法進行之透光性基板的製作，具體而言，且經由下述步驟(i)~(iii)來進行。 ⑴在基材之表面形成熱可塑性樹脂之被轉印膜的步驟’或製作熱可塑性樹脂之被轉印薄膜的步驟。 (u)令形成有互相平行且具一定間距之多數槽的模具按壓於已加熱至熱可塑性樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)或熔點 (Tm)以上的被轉印膜或被轉印薄膜，使槽接觸被轉印膜或被轉印薄膜’製作出具有對應模具之槽的多數凸條的透光性基板的步驟。 (出)將透光性基板冷卻至低於Tg或Tm的溫度，然後將模具從透光性基板分離的步驟。另外’所製得之基材上的透光性基板可在與基材呈一體的狀態下進行後述之基底層及金屬層的形成。又，依需要可在金屬層形成後，將透光性基板與基材分離。此外，還可在將於基材上所製成之透光性基板從基材分離後，進 19 201007230 行後述之基底層及金屬層的形成。 (基底層及金屬層的形成）本發明之線柵型偏光元件宜藉由下述方法來製造，即，在表面形成有互相平行且具預定間距之多數凸條的透光性基板的凸條之表面蒸鍍金屬氧化物以在該凸條之至少頂部形成由金屬氧化物所構成的基底層，接著，在前述基底層之表面上且在凸條之至少頂部蒸鍍金屬來形成金屬層而作成金屬細線。如前述，基底層宜藉由使用了真空蒸鍍法的斜向蒸鍍法形成在凸條之至少頂部。又，在凸條之全表面及凸條間之透光性基板表面形成基底層時，宜藉由濺鍍法來形成基底層。金屬層係以形成在凸條側面之至少一部分及凸條之頂部為佳，且以形成在侧面之全部及凸條之頂部為較佳。為了在此種特定表面選擇性形成金屬層，宜藉由使用了真空蒸鍍法的斜向蒸鍍法來形成金屬層。經由斜向蒸鍍法進行之基底層及金屬層的形成中，可藉由交互進行下述兩步驟，即，從對凸條之長度方向大略垂直，且對凸條之高度方向形成角度的方向進行蒸鍍的步驟、與從對凸條之長度方向大略垂直，且於前述角度之相反側對凸條之高度方向形成角度的方向進行蒸鍍的步驟各 1次以上，來形成目的之基底層或金屬層。另外，本說明書中，「大略垂直」係指對凸條之長度方向與凸條之高度方向形成某角度的方向的形成角度在85〜95度的範圍之意。以經由斜向蒸鍍法進行之金屬層的形成為例，來進一步說明斜向蒸鍍法。金屬層之形成宜藉由下述條件來進 201007230 行。該方法係一種適用於製造後述之第3實施形態的線柵型偏光元件時的方法。 (A) 從對凸條之長度方向大略垂直，且對凸條之高度方向形成角度0R的方向來蒸鑛金屬。 (B) 從對凸條之長度方向大略垂直，且於前述角度#之相反侧對凸條之高度方向形成角度eL的方向來蒸鑛金屬。 (c)交互進行依前述條件之蒸鍍及依前述條件之蒸鍍’且’依前述條件(A)之蒸鐘進行m次（惟，ηχ為1以上），依前述條件(B)之蒸鐘進行n次（惟，η為1以上）’合計(m+n) 為3次以上’以6次以下為佳，且以4〜5次為更佳。 (D) 依前述條件(A)之m次蒸鍍中之第1次蒸鍍的角度妒滿足下式(IV)，且，依前述條件(B)之η次蒸錢中之第丨次蒸鍍的角度01滿足下式(V)。 15°S0rS45。· · ·（IV) 15°$eLS45° · · · (V) (E) 前述m為2以上時，第i次(惟，i=2〜m)的θ'與第（i_i) 次的0R(i-i}滿足下式(VI) ’且，前述η為2以上時，第j次（惟， j=2〜n)的eLj與第(j-i)次的θ\η)滿足下式(vii)， 0Ri^0R(i.i)· · -(VI) θ^θνυ. . -(VII) 製造後述之第1或第2實施形態的線柵型偏光元件時，可藉由改變前述條件的蒸鍍方向之角度或蒸鍍次數，來同樣地形成金屬層。例如，在第1實施形態中，可令條件(D) 的蒸鍍角度更小，在第2實施形態中’可令兩方向第1次的 21 201007230 蒸鍍為更大的蒸鍍角度，且令第2次以後的蒸鍍角度與前述同樣為40°以下。藉由斜向蒸鍍法來形成基底層時，基底層必須形成在與金屬層之形成範圍同等以上的範圍。為了在凸條之頂部或凸條間之透光性基板表面形成基底層，宜採用比15°更小的角度。採用斜向蒸鍍法時，即使蒸鍍角度很大，亦會產生某種程度的垂直方向之蒸鍍，故通常係以採用很大的蒸鍍角度為佳。因此，藉由斜向蒸鍍法來形成基底層時，角度011與角度0^各採用比45°大的角度，其角度係以60°以上、小於90°為適當。其角度係以65〜85°為佳，且以70〜80 °為較佳。另外，藉由斜向蒸鍍法來形成基底層時，前述(m+η) 可為2，又，前述條件(D)的採用並非必要。滅鍍法的蒸鍍方向是隨機的，形成基底層時，藉由採用濺鍍法，不論凹凸均可在透光性基板表面上形成厚度幾乎均勻的基底層。因此，藉由濺鍍法來進行基底層之形成係為更佳。 <各實施形態的線栅型偏光元件> 以下，利用圖式來說明本發明之線栅型偏光元件。以下的圖式為示意圖，實際的線柵型偏光元件並非如圖所示之具有理論性且理想性形狀者。例如，凸條等的形狀不完整、基底層或金屬層的厚度不均勻的情形並不少見。圖示之透光性基板之表面的凸條雖具有矩形的截面形狀，但如前述般，實際上製成的線柵型偏光元件中，頂部為圓形或寬度為上窄形狀的情形並不少見。 22 201007230 [第1實施形態] 第1圖係顯示本發明之線栅型偏光元件之第丨實施形態的立體圖。線栅型偏光元件10包含有：透光性基板14，係表面形成有互相平行且具預定間距之多數凸條12者；基底層22，係覆蓋該凸條12之上面16、及朝凸條12之長度方向延伸的2個側面之側面18與側面2〇的上緣部者；金屬層 24 ’係由金屬材料所構成者’形成於基底層22之上面。金屬層24會朝凸條之長度方向延伸而構成金屬細線。以下，將凸條間之透光性基板表面稱為槽26。

Pp係凸條12之寬度Dp與形成於凸條12間的槽26之寬度的合計。Pp係以50〜200nm為佳。

Dp與Pp的比(Dp/Pp)宜為〇. ，且以0.25〜0.45為佳。又’就藉由蒸鑛易於形成金屬層的觀點來看，Dp係以 30〜80nm為佳。凸條12之高度Hp係以50〜300nm為佳。透光性基板14之厚度Hs係以1〜40μιη為佳。基底層22於凸條之頂部上的高度Ηχ係被覆凸條12之上面16的部分的基底層之厚度。Ηχ係以2〜15nm為佳。第1實施形態中的Dxl及Dx2係基底層22較凸條12之側面18或側面20更朝外側突出的部分之寬度，Dal及Da2係金屬層24較凸條12之側面18或側面20更朝外側突出的部分之寬度。金屬層24之寬度Da、凸條12之間距Pp及凸條12之寬度 Dp係以滿足下式(5)為佳。 23 201007230

Da-Dp S 0.4x(Pp-Dp)· · .(5)

Da-Dp若為0.4x(Pp-Dp)以下’則可確保槽26的開口，而提高線栅型偏光元件10的P偏光透射率。 [第2實施形態] 第2圖係顯示本發明之線栅型偏光元件之第2實施形態的立體圖。柵型偏光元件10包含有：透光性基板14 ’係表面形成有互相平行且具預定間距(PP)之多數凸條12者；基底層22，係覆蓋該凸條12之上面16、朝凸條12之長度方向延伸的2個側面之側面18與側面20的表面、及槽26之底面者；金屬層24，係形成於基底層22之上面者。第2實施形態中，對於與第1實施形態之線柵型偏光元件10相同的構造，省略其說明。第2實施形態中的Dxl及Dx2既是基底層22較凸條12之側面18或側面20更朝外側突出的部分之寬度，也是覆蓋凸條12之側面18或侧面20的基底層22之厚度。 [第3實施形態] 第3圖係顯示本發明之線柵型偏光元件之第3實施形態的立體圖。線栅型偏光元件1〇包含有：透光性基板14，係表面形成有互相平行且具預定間距(PP)之多數凸條12者；基底層22，係覆蓋該凸條12之上面16、朝凸條12之長度方向延伸的2個侧面之側面18與側面20的表面、及槽26之底面者；金屬層24，係覆蓋該凸條12之上面16、側面18及側面 20的基底層22表面者。第3實施形態中’對於與第1實施形態或第2實施形態之 24 201007230 栅型偏光元件10相同的構造’省略其說明。第3實施形態中的Dal及Da2既是金屬層24較凸條12之側面18或側面20更朝外側突出的部分之寬度’也是覆蓋凸條12之侧面18或側面20的基底層22之表面上所形成的金屬層24之厚度。

覆蓋凸條12之側面丨8的金屬層24之寬度（從凸條12之上面16朝槽的深度方向之長度)Hal、覆蓋凸條12之側面2〇的金屬層24之寬度（從凸條12之上面16朝槽的深度方向之長度)Ha2、及凸條12之高度Hp分別係以滿足下式(6-1)、（74) 為佳，且以滿足下式（6-2)、（7-2)為較佳，並以滿足下式

(6-3)、（7-3)為更佳。 Hal ^ 0.5xHp · · • (6-1) Ha2^0.5xHp· · • (7-1) Hal ^ Ο.όχΗρ · · • (6-2) Ha2^0.6xHp · · • (7-2)

Hal=Hp · · · (6-3)

Ha2=Hp · · · (7-3) 若Hal及Ha2各為Hp的5〇%以上’則覆蓋側面18的金屬層24及覆蓋側面20的金屬層24的面積會變廣，可效率良好地吸收從線柵型偏光元件10之内面側射入的s偏光，故可對從内面側射入的光顯示出更低的s偏光反射率。Ha 1及Ha2 相同於Hp時，可效率良好地反射從透光性基板1〇之表面侧射入的S偏光，令線栅型偏光元件10顯示出高偏光分離能力。 25 201007230 另外，凸條12之上面16、側面18、側面20及槽26之底面分別可為平面亦可為曲面。 <各實施形態之線柵型偏光元件的製造方法> [第1實施形態之線柵型偏光元件的製造方法] 第1實施形態之線栅型偏光元件10可藉由下述方法，即’以滿足下述條件(A1)〜(J1)的蒸鍍法形成覆蓋透光性基板14之凸條12之上面16的基底層22、與該基底層22之上面所形成的金屬層24的方法來製造。 (基底層的形成方法）基底層22可藉由使金屬氧化物從透光性基板14之形成有凸條12之面的斜上方蒸鍍的斜向蒸鍍法來形成。具體而言，基底層22宜藉由滿足下述條件(A1)〜(E1)的斜向蒸鍍法來形成。 (A1)如第4圖所示，從對凸條12之長度方向L大略垂直，且對凸條12之高度方向Η在側面18之側形成角度0R的方向VI，將金屬氧化物蒸鍍在凸條12之上面16或在藉由下述條件(B1)之蒸鍍所形成的基底層22之上面。 (B1)如第4圖所示，從對凸條12之長度方向l大略垂直，且對凸條12之高度方向Η在側面20之侧形成角度妒的方向V2 ’將金屬氧化物蒸銀在凸條12之上面16或在藉由前述條件(A1)之蒸鍍所形成的基底層22之上面。 (C1)進行1次依前述條件(A1)之蒸鍍，並進行1次依前述條件(B1)之蒸鍍。 (D1)前述條件(A1)之蒸鍍的角度0R係以滿足下式（M) 26 201007230 為佳，且前述條件(B1)之蒸鍍的角度沪係以滿足下式（1_„) 為佳。 45°^0r<9O° . . . (i_!) 45°^9l<90° . . . (El)依前述條件(A1)之蒸鍍所形成的基底層22之高度及依前述條件(B1)之蒸鍍所形成的基底層22之高度係以滿足下式（1-III)為佳。 0.5nm$Hx’<15nm. . · (ι_ιιι) 惟，Hx’係於凸條之頂部上的藉由丨次蒸鍍所形成的基底層22之高度。條件(A1)〜(C1):未滿足條件(A1)〜(C1)時，不會形成基底層22較凸條12之侧面18或側面20更朝外側突出的部分，故形成金屬層24時’會變得金屬易於蒸鍍在側面18及側面 20。又，會變得金屬氧化物易於蒸鑛在槽26之底面。條件(D1):對間距為光之波長以下的凸條12進·行蒸鍍時，基底層22的形狀會依蒸鑛的角度0&(或0L)而變化，故會有因角度㊀11(或0L)而無法形成適當形狀之基底層22的情形。角度Θ11(或0L)小於45°時，不會形成基底層22較側面18 或側面20更朝外側突出的部分。或，各寬度Dxl及Dx2會不足。或，形成基底層22較側面18或側面20更朝外侧突出的部分時，金屬氧化物會蒸鍍在側面18或側面20。角度0R(或 0巧為9〇°時，難以形成基底層22。因此，形成第1圖所示之比凸條12之上面16寬的基底層時，角度#(或0L)係以65〜85 。為佳。 27 201007230 條件(El):藉由1次蒸鍍所形成的基底層22之高度Hx’ 小於0.5nm時，無法充分形成基底層22較凸條12之側面18 或側面20更朝外側突出的部分，故形成金屬層24時，會變得金屬易於蒸鍍在側面18及侧面20。Hx’若大於l〇nm，貝|J 基底層22之厚度會變大，故線柵型偏光元件1〇的波長分散會變大，短波長側的透射率降低。Hx’係以2〜10nm為佳。 (金屬層的形成方法）金屬層24可藉由從透光性基板14之形成有凸條12之面的斜上方蒸鍍金屬來形成。具體而言’金屬層24宜藉由滿足下述條件(F1)〜(J1)的斜向蒸鑛法來形成。 (F1)從對凸條12之長度方向L大略垂直，且對凸條12之高度方向Η在側面18之侧形成角度0R的方向VI，將金屬蒸鍵在基底層22之上面或藉由下述條件(gi)之蒸鑛所形成的金屬層24之上面。 (G1)從對凸條12之長度方向L大略垂直，且對凸條12之高度方向Η在側面20之側形成角度eL的方向V2，將金屬蒸鑛在基底層22之上面或藉由前述條件(F1)之蒸鍍所形成的金屬層24之上面。 (H1)交互進行依前述條件(F1)之蒸鍍及依前述條件(Gl) 之蒸鍍，且，依前述條件(F1)之蒸鍍進行爪次（惟，爪為1以上）’依岫述條件(G1)之蒸鍍進行^欠(惟，11為1以上），合計 (m+n)為3次以上。 (II)依前述條件(F1)之m次蒸鍍中之第丨次蒸鍍的角度 201007230 足下式（l-IV)，且，依前述條件(G1)之η次蒸鍍中之第1 次蒸鍍的角度0^滿足下式（i-v) ° io°seR$45° · · · 〇IV) urseL$45。· · ·（i-v) (Jl)前述m為2以上時，第i次(惟，i=2〜m)的0Ri與第（i-l) 次的㊀^叫滿足下式（1-VI)’且，前述η為2以上時，第j次(惟， j=2〜η)的eLj與第(j-i)次的eVw;足下式（ι·νΐΙ)。 0Ri^eVi)· · *(i-vi)

QLj^0L(j_i) · · · (1-VII) 條件(FI)、（Gl):未滿足條件(FI)、（G1)時， I變得金屬易於蒸鐘在槽26之底面。條件(H1):交互分別進行依條件(F1)之蒸錢及

(G1)之蒸鍍合計3次以上，藉此令金屬不會偏斜蒸铲，、牛形成均勻的金屬層24。而~T 蒸鍍條件(II):對間距為光之波長以下的凸條12進行日夺，金屬層24的形狀會依蒸鍍的角度#(或妒)而變化_ 有因角度θ'或沪)而無法形成適當形狀之金屬層故會形。m次蒸鏡中之第i次蒸錢的角度^次蒸錢中=的情蒸鑛的角度…、於1G。時，金屬亦會縫在凸條第1:欠之底面。m次蒸鑛中之第1次蒸錢的角度妒及n次^槽26 1次蒸錄的角度&若大於45。’則金屬會偏斜蒸錢，之第斜傾的金屬層24。 X而形成難以形成高度也為3〇nm 條件(J1):未滿足條件(J1)時，以上的金屬層24。 29 201007230 [第2實施形態之線栅型偏光元件的製造方法] 第2實施形態之線柵型偏光元件10可藉由下述方法，即，以濺鍍法形成覆蓋透光性基板14之凸條12之上面16、側面18、側面20及槽26之底面的基底層22，且以滿足下述條件(A2)〜(H2)的蒸鍍法形成覆蓋凸條12之上面16的基底層22之上面所形成的金屬層24的方法來製造。 (基底層的形成方法）基底層22可藉由使金屬氧化物附著於透光性基板14之形成有凸條12之面之全面的濺鍍法來形成。 (金屬層的形成方法）金屬層24可藉由使金屬從透光性基板14之形成有凸條 12之面的斜上方蒸鍍來形成。以濺鍍法所形成之基底層22 由於無法充分形成較凸條丨2之側面18或側面2 0更朝外側突出的部分’故形成金屬層24時，會變得金屬易於蒸鍍在側面18及侧面2〇。因此，為了不令金屬層24存在於側面，且形成金屬層24之寬度比凸條12之上面16寬的金屬層24,具體而言’宜藉由滿足下述條件(A2)〜(H2)的斜向蒸鍍法來形成。 (A2)如第4圖所示，從對凸條12之長度方向[大略垂直’且對凸條12之高度方向η在側面18之側形成角度的方向vi ’將金屬蒸鍍在基底層22之表面及/或藉由下述條件 (Β2)之蒸鍍所形成的金屬層24之表面至少1次。作2>如第4圖所示，從對凸條12之長度方向L大略垂直’且對凸條12之高度方向Η在側面20之側形成角度eL的方 30 201007230 向V2，將金屬蒸鍍在基底層22之表面及/或藉由前述條件 (A2)之蒸鍍所形成的金屬層24之表面至少〖次。 (C2)交互進行依前述條件(A2)之蒸鍍及依前述條件(b幻之蒸鍍，且，依前述條件(A2)之蒸鍍進行(惟，瓜為2以上）’依前述條件(B2)之蒸鍍進行n次(惟，福2以上），合計 (m+n)為5次以上。 (D2)依前述條件(A2)2m次蒸鍍中之第丨次蒸鍍的角度足下式(2-1)，且，依前述條件(B2)in次蒸鍍中之第i 次蒸鍍的角度01滿足下式(2-II)。 45°^θκ<90° . . . (2-1) 45〇^9l<90° . . - (2-II) (E2)依前述條件(A2)之m次蒸鍍中之第丨次蒸鍍所形成的金屬層24之高度及依前述條件(Β2)2η次蒸鍍中之第^欠蒸鍍所形成的金屬層24之高度滿足下式(2_m)。 0.5nmSHa’$ l〇nm · · · (2-III) 惟，Ha’係藉由1次蒸鍍所形成的金屬層24之高度。 (F2)依前述條件(A2)之m次蒸鍍中之第2次蒸鍍的角度足下式(2-IV)，且，依前述條件⑴2)in次蒸鍍中之第2 次蒸鍍的角度0^滿足下式(2-V)。 1O〇^0r^45〇 · · · (2-IV) 1〇°S0LS45。. · .（2-V) (G2)依前述條件(A2)之m次蒸鍍中之第2次蒸鍍所形成的金屬層24之高度及依前述條件(B2)之n次蒸鍍中之第2次蒸鍍所形成的金屬層24之高度滿足下式(2—ΙΙΙ)。 31 201007230 lnm^Ha’S 15nm · · . (2-III) 惟，Ha，係藉由1次蒸鍍所形成的金屬層24之高度。 (H2)前述m為3以上時，第i次(惟，i=3〜m)的θ%與第（i-1) 次的Θ'μ)滿足下式(2-VI)，且，前述η為3以上時’第j次(惟， j=3〜η)的Θ%與第G-1)次的θ\Η)滿足下式(2-VII)。 eRi^eVi)· · · (2-vi) eLj^eL (j-i) · · · (2-VII) 條件(A2)、（B2):未滿足條件(A2)、（B2)時，無法形成

金屬層24較凸條12之側面18或側面2〇更朝外侧突出的部分’故會變得金屬易於蒸鍍錢蓋侧面18及側㈣的基底層22。又，會變得金屬易於蒸鍍在槽26之底面。條件(C2)··交互分別崎依條件(A2)之錢及依條件㈣之練合計5扣上，觀令金衫錢斜細，而可形成均勻的金屬層24。 '、.’ S為光之波長以下的凸條12進行時，金屬層24的形狀會依蒸鍍的角帥靜)而變化，

有因角度θ_而無法形成適當形。角度eR(或eL)小於45。時，^。i屬廣24 不會形成金屬層24較凸之側面18或側面20更朝外侧突出的部及㈣从。或，形成金屬層24較凸條12之側面贱 20更朝外側突㈣部分時’金屬會級面20的基底層22。角度0R(或0L 盖側面 24。角度心或妒)宜為60、上1 ’難以形成金。為佳。以下，且特別係以65 32 201007230 條件(E2):於凸條12之頂部上的藉心欠蒸鑛所形成的金屬層24之高度Ha’小於0.5nm時’無法充分形成金屬層24 較凸條12之側面18或側面20更朝外側突出的部分，故會變得金屬易於蒸鍍在覆蓋側面18及側面20的基底層22。Ha，若大於10nm，則金屬層24之厚度會變大。條件(F2):對間距為光之波長以下的凸條12進行蒸鑛時’金屬層24的形狀會依蒸鍵的角度0*^(或0L)而變化，故會有因角度0R(或0L)而無法形成適當形狀之金屬層24的情形。m次蒸鍍中之第2次蒸鍍的角度0R&n次蒸鍍中之第2次蒸鍍的角度Θ1"小於10°時，金屬亦會蒸鍍在凸條12間之槽26 之底面。m次蒸鍍中之第2次蒸鍍的角度6*"及11次蒸鍍中之第 2次蒸鍍的角度eL若大於45。，則金屬會偏斜蒸鍍’而形成斜傾的金屬層24。條件(G2):藉由1次蒸鍍所形成的金屬層24之高度Ha’ 小於lnm時，難以形成高度Ha為30nm以上的金屬層24。Ha 若大於15nm，則金屬層24之厚度會變大。條件(H2):未滿足條件(H2)時，難以形成高度&為3 〇nm 以上的金屬層24。 [第3實施形態之線栅型偏光元件的製造方法] 第3實施形態之線柵型偏光元件10宣藉由下述方法’ 即，以濺鍍法形成覆蓋透光性基板14之公條12之上面16 側面18、側面20及槽26之底面的基底層22 ^ 條件(A3)〜(E3)的斜向蒸鑛法形成覆蓋凸條12之上Φ16 ' 面18及侧®2G的基底層22之表面所形糾Μ層24的方法 33 201007230 來製造。 (基底層的形成方法）基底層22可藉由使金屬氧化物附著於透光性基板14之形成有凸條12之面之全面的激链法來形成。 (金屬層的形成方法）金屬層24可藉由使金屬從透光性基板14之形成有凸條 12之面的斜上方蒸鍍來形成。具體而言，金屬層24係藉由滿足下述條件(Α3)〜(Ε3)的斜向蒸鍍法來形成。 ® (A3)如第4圖所示，從對凸條12之長度方向l大略垂直’且對凸條12之高度方向η在側面18之側形成角度eR的方向VI，將金屬蒸鑛在基底層22之表面及/或藉由下述條件 (B3)之蒸鑛所形成的金屬層24之表面至少1次。 (B3)如第4圖所示，從對凸條12之長度方向L大略垂直，且對凸條12之高度方向η在側面20之側形成角度qL的方向V2，將金屬蒸鍍在基底層22之表面及/或藉由前述條件 (A3)之蒸鑛所形成的金屬層24之表面至少1次。 ❹ (C3)交互進行依前述條件(A3)之蒸鍍及依前述條件之蒸鍍，且，依前述條件(A3)之蒸鍍進行爪次（惟，市為1以上）’依前述條件(B3)之蒸鍍進行^欠(惟，11為1以上），合計 (m+n)為3次以上，以6次以下為佳，且以4〜5次為更佳。 & (D3)依前述條件㈣之瓜次蒸鑛中之第丄次蒸鑛的角度 0¾足下式(3·ΐν)，且，依前述條件阳如次蒸鍍中之第1 次蒸鍍的角度θ1^足下式(3_v)。 34 201007230 15°^θκ^45° . 15〇^01^45° . (E3)前述爪為2以上時，第i次(惟，i=2〜m)的θ'與第(i-1) 次的θ (N”滿足下式(3_VI)，且，前述n為2以上時，第』次(惟， j=2〜η)的θ%與第(j -1)次的〜i)滿足下式(3 _νπ)。 0Ri^0R(i.i)· * * (3-Vi) 0Lj = 0L(j-J)· * * (3-Vii)

^條件(A3)、（B3):未滿足條件(A3)、㈣時，無法在覆蓋凸條12之上面16、側面18及側面2()的基底層22之表面形成金屬層24。條件(C3):未滿足條件(C3)時，覆蓋凸條12之上面16 :基底層22之上面所形成的金屬層24之高度Ha會變低。屬層^條件(A3)、（B3)各自的1次蒸鍍巾，若要蒸鑛成令金 =較凸條12之側面丨8或側面2 Q更朝外側突出的部分具

* · (3-IV) • · (3-V) 习厚度，則必須増加角度0R及角度0L，其結果，蒸鍍上面的金屬量會變少。 35 1 t Ή#依條件(A3)之祕及依條件(B3)之蒸鍛’ 2 18或7金屬不會偏斜蒸鑛’且’金屬層24較凸條12之側面 3 丨面20更朝外側突出的部分之厚度1^1及〇&2會變得邊乎相同。時条件(D3).對間距為光之波長以下的凸條㈣行蒸鑛有因金屬層24的形狀會依蒸鍵的角度心或㊀ L)而變化，故會角度θ (或eL)而無法形成適當形狀之金屬層24的情〇 ΙΤΐ -Λ» 今人蒸鑛中之第1次蒸鍍的角度θΐ η次蒸鍍中之第1次 201007230 蒸鍵的角度0L小於]5°時，金屬亦會蒸鍍在槽26之底面。m 次蒸鍍中之第1次蒸鍍的角度次蒸鍍中之第1次蒸鍍的角度若大於45°，則金屬會偏斜蒸鍍，而形成斜傾的金屬層24。條件(E3):未滿足條件(E3)時，在令金屬層24較凸條12 之侧面18或側面20更朝外側突出的部分為預定厚度時，覆蓋凸條12之上面16的基底層22之上面所形成的金屬層24之高度Ha會變得過低。又，令被覆凸條12之上面16的基底層 22之上面的金屬層24之高度Ha為30nm以上時，金屬層24較參側面18或側面20更朝外側突出的部分之厚度會變得過厚。條件(F3):蒸鍍法宜更滿足下述條件(F3)e (F3)依前述條件(A3)之m次蒸鑛中之第1次蒸鍍所形成的金屬層24之高度及依前述條件(B3)之η次蒸鍍中之第丨次蒸鍍所形成的金屬層24之高度滿足下式(3-ΙΙΙ)。 0.5nm^Ha,^ l〇nm · · · (3-III) 惟’ Ha’係於凸條之頂部上的藉由1次蒸鍍所形成的金屬層24之高度。 _ 在初期之蒸鑛中，若降低金屬層24之高度Ha’，則會有金屬層24較凸條12之側面18或側面20更朝外側突出的部分變得過厚的情形。 [第1〜3實施形態的製造方法的共通處] 角度Θ (或ql)可藉由例如，使用下述蒸鍍裝置來調整。可變更與蒸鍍源相對配置的透光性基板14之傾斜度，以令蒸鍍源位於對凸條12之長度方向L大略垂直，且對凸條 36 201007230 12之高度方向η在側面18之側形成角度eR的方向VI，或對凸條12之高度方向Η在側面20之側形成角度eL的方向V2的廷長線上的蒸錢裝置。以上說明的線栅型偏光元件10的製造方法中，由於藉由滿足前述條件的蒸鍍法來形成金屬層24、或基底層22及金屬層24，故可輕易製造線柵型偏光元件10。實施例以下，藉由實施例更進一步詳細說明本發明，但本發明不受限於該等實施例。例1〜13為實施例，例14-16為比較例。 (基底層及金屬細線的各尺寸）基底層及金屬層（金屬細線）的各尺寸係在線栅型偏光元件之截面的穿透式電子顯微鏡像或掃描式電子顯微鏡像中’測疋5處的基底層及金屬層的各尺寸之最大值，並將5 處的該值予以平均而求出的。 (透射率）從線栅型偏光元件之表面側（形成有金屬層的面側）對線栅型偏光元件之表面垂直射入波長405nm的固體雷射光及波長635nm的半導體雷射光’來測定p偏光透射率及s偏光透射率。波長400nm或700nm的p偏光透射率在78%以上判定為 S ’ 75%以上且小於78%判定為a，小於75%判定為x。 (反射率）從線栅型偏光元件之表面侧或内面側（未形成有金屬 37 201007230 細線的面側）對線柵型偏光元件之表面或内面以5。之角度射入波長405nm的固體雷射光及波長635nm的半導體雷射光’來測定s偏光反射率。表面側之波長400nm或700nm的s偏光反射率在82%以上判定為S，80%以上且小於82%判定為A，小於80%判定為 X ° 内面側之波長400nm或700nm的s偏光反射率小於40% 判定為A，40%以上判定為X。 (偏光度）偏光度係從下式計算出來的。偏光度=((Tp-Ts)/(Tp+Ts))0·5 惟，Tp係p偏光透射率，Ts係s偏光透射率。波長400nm或700nm的偏光度在99.7%以上判定為S， 99.5%以上且小於99.7%判定為A，小於99.5%判定為X。 (光硬化性組成物的調製）在安裝有擾拌機及冷卻管的l〇〇〇mL之4頸燒瓶倒入單體1(新中村化學工業社製、NK Ester A-DPH、二新戊四醇六丙烯酸酯）60g、單體2(新中村化學工業社製、NK Ester A-NPG、新戊二醇二丙烯酸酯)40g、光聚合起始劑（Ciba Specialty Chemicals社製、 IRGACURE907)4.0g、含氟界面活性劑（旭硝子社製、氟丙烯酸酯 (CH2=CHCO〇(CH2)2(CF2)8F)與丙烯酸丁酯的共低聚物、含 201007230 氟里·約30質ϊ%、質量平均分子量：約3刪)〇 ^、聚口抑制劑(和光純藥社製、Q1301)1.0g及環己酮65.〇g。在令燒瓶内部為常溫及遮光的狀態下，料1小時進行句勻化接著，邊授拌燒瓶内部邊慢慢添加膠狀二氧化石夕 g(固體含量·· 3Gg)，然後在令舰㈣為常溫及遮光的狀態下，再授拌1小時進行均勻化。接著，添加環己酮340g，然後在令燒瓶内部為常溫《光的狀態下，料1小時而製得光硬化性組成物丨的溶液。 [例1] (透光性基板的製作）藉由旋轉塗佈法在厚度ΙΟΟμπι之高透光聚對苯二曱酸乙二醋(PET)薄膜(Teijin Dupont社製、Teijin Tetoron 03、 lOOmmxlOOrrmi)之表面塗佈光硬化性組成物1，形成厚度 Ιμιη之光硬化性組成物丨的塗膜。令形成有互相平行且具預定間距之多數槽的石英製模具（50mmx50mm、槽的間距：i5〇nm、槽的寬度：50nm、槽的深度：1 〇〇nm、槽的長度：50mm、槽的截面形狀：矩形）在25°C、〇.5MPa(計示壓）下，按壓於光硬化性組成物1 的塗膜，使槽接觸光硬化性組成物1的塗膜。在保持該狀態的情況下’從石英製模具側照射高壓水銀燈（周波數.1.5kHz〜2.0kHz，主波長光：255nm、315nm 及365nm ;於365nm下的照射能量：i〇〇〇mj)的光15秒，使光硬化性組成物1硬化，製作出具有對應石英製模具之槽的 39 201007230 多數凸條的透光性基板（凸條的間距Pp: 150nm、凸條的寬度Dp : 5〇nm、凸條的高度Hp : 1〇〇nm)。將石英製模具從透光性基板慢慢分離。 (基底層及金屬層的形成）使用可變更與蒸鍍源相面對的透光性基板之傾斜度的真空蒸鍍裝置（昭和真空社製、SEC-16CM)，使金屬氧化物及金屬蒸鍍在透光性基板之凸條，形成如第1圖所示之基底層及金屬層，而製得内面貼附有PET薄膜的線柵型偏光元件。此時’交互進行來自對凸條之長度方向L大略垂直，且對凸條之尚度方向Η在一側面之侧形成角度的方向 VI(即’侧面18之側）之蒸鑛、與來自對凸條之長度方向l大略垂直，且對凸條之面度方向Η在另一側面之側形成角度qL 的方向V2(即，側面20之側）之蒸鍍，且令每次蒸鍍的蒸鍍源、角度011或01^、及藉由1次蒸鍍所形成的基底層之高度Ηχ，或金屬層之咼度Ha’為表1 ' 2所示之材料、角度及高度。另外，Hx’及Ha’係藉由以晶體振盪器作為膜厚感測器的膜厚檢測裝置來測定的。對所製得之線柵型偏光元件測定基底層及金屬層的各尺寸。結果顯示於表3。又，對所製得之線柵型偏光元件測定透射率、反射率、偏光度。結果顯示於表4。 [例2] (透光性基板的製作）與例1同樣地製作透光性基板》 201007230 (基底層的形成）使用具有承載機構的插入型賤錢裝置（日真精機社製），使金屬氧化物蒸鑛在透光性基板之形成有凸條的面之全面，形成如第2圖所示之基底層。令金屬氧化物的種類、藉由濺錢法所形成的基底層之高度Hx’為表1所示之材料及高度。 (金屬層的形成） _ 纟用可變更與蒸鑛源相面對的透光性基板之傾斜度的真空蒸鍍裝置（昭和真空社製、SEC_16CM)，使金屬蒸鍍在透光性基板之凸條，形成如第2圖所示之金屬層，而製得内 ' 面貼附有PET薄膜的線栅型偏光元件。此時，將來自對凸條 " 之長度方向L大略垂直，且對凸條之高度方向Η在一側面之側形成角度θκ的方向VI(即，側面18之側）之蒸鍍、與來自對凸條之長度方向L大略垂直，且對凸條之高度方向η在另 —側面之側形成角度0L的方向V2(即，側面20之側）之蒸鍍 • 交互進行，且令每次蒸鍍的蒸鍍源、角度、及藉由1 次蒸鍍所形成的金屬層之高度Ha’為表2所示之材料、角度及高度。對所製得之線柵型偏光元件測定基底層及金屬層的各尺寸。結果顯示於表3。又，對所製得之線栅型偏光元件測定透射率、反射率、偏光度。結果顯示於表4。 [例3] 與例1同樣地製作透光性基板後，令金屬氧化物的種 41 201007230 類、藉由濺鍍法所形成的基底層之高度Hx’為表1所示之材料及高度，除此之外均與例2相同，形成如第3圖所示之基底層。接著，令蒸鍍次數、每次蒸鍍的蒸鍍源、角度θκ4θΐ、及藉由1次蒸鍍所形成的金屬層之高度Ha’為表2所示之材料、角度及高度，除此之外均與例2相同，形成如第3圖所示之金屬層，而製得線拇型偏光元件。對所製得之線栅型偏光元件測定基底層及金屬層的各尺寸。結果顯示於表3。又，對所製得之線柵型偏光元件測定透射率、反射率、偏光度。結果顯示於表4。 [例4] 與例1同樣地製作透光性基板後，令蒸鍍次數、每次蒸鍍的蒸鍍源、角度及藉由1次蒸鍍所形成的基底層之高度Hx’或金屬層之高度Ha’為表1、2所示之材料、角度及高度，除此之外均與例1相同，形成如第1圖所示之基底層及金屬層，而製得線桃型偏光元件。對所製得之線柵型偏光元件測定基底層及金屬層的各尺寸。結果顯示於表3。又，對所製得之線栅型偏光元件測定透射率、反射率、偏光度。結果顯示於表4。 [例5] 與例1同樣地製作透光性基板後，令金屬氧化物的種類、藉由濺鑛法所形成的基底層之高度Hx’為表1所示之材 201007230 料及高度，除此之外均與例2相同，形成如第2圖所示之基底層。接著，令蒸鍍次數、每次蒸鍍的蒸鍍源、角度ΘΚ4Θ^、及藉由1次蒸鍍所形成的金屬層之高度Ha’為表2所示之材料、角度及高度，除此之外均與例2相同，形成如第2圖所示之金屬層，而製得線栅型偏光元件。對所製得之線栅型偏光元件測定基底層及金屬層的各尺寸。結果顯示於表3。又，對所製得之線柵型偏光元件測定透射率、反射率、偏光度。結果顯示於表4。 [例6〜13] 與例1同樣地製作透光性基板後，令金屬氧化物的種類、藉由濺鍍法所形成的基底層之高度Hx’為表1所示之材料及高度，除此之外均與例2相同，形成如第3圖所示之基底層。接著，令蒸鍍次數、每次蒸鍍的蒸鍍源、角度、及藉由1次蒸鍍所形成的金屬層之高度Ha’為表2所示之材料、角度及高度，除此之外均與例2相同，形成如第3圖所示之金屬層，而製得線栅型偏光元件。對所製得之線柵型偏光元件測定基底層及金屬層的各尺寸。結果顯示於表3。又，對所製得之線柵型偏光元件測定透射率、反射率、偏光度。結果顯示於表4。 [例 14] 43 201007230 與例1同樣地製作透光性基板後，令蒸鍍次數、每次蒸鍍的蒸鍍源、角度、及藉由1次蒸鍍所形成的金屬層之高度Ha，為表2所示之材料、角度及高度，除此之外均與例1相同，而製得無基底層的線柵型偏光元件。對所製得之線柵蜇偏光元件測定基底層及金屬廣的各尺寸。結果顯示於表3。又，對所製得之線柵型偏光元件測定透射率、反射率、偏光度。結果顯示於表4。 [例 15] (透光性基板的製作）使用形成有互相平行且具預定間距之多數槽的矽製模具(20mmx20mm、槽的間距：200nm、槽的寬度：60nm、槽的深度：100nm、槽的長度：l〇mm、槽的戴面形狀：矩形)作為模具，除此之外均與例1相同，製作出具有對應矽製模具之槽的多數凸條的透光性基板（凸條的間距Pp : 200nm、凸條的寬度Dp : 60nm、凸條的高度Hp : lOOnm)。 (金屬層的形成）令蒸鍍次數、每次蒸鍍的蒸鍍源、角度妒或妒、及藉由1次蒸鍍所形成的金屬層之高度1^，為表2所示之材料、角度及兩度，除此之外岣與例丨相同，而製得無基底層的線栅型偏光元件。對所製得之線柵型偏光元件測定基底層及金屬層的各尺寸。結果顯示於表3。又對所製付之線拇型偏光元件測定透射率、反射率、 44 201007230 偏光度。結果顯示於表4。 [例 16] 藉由錢鐘法在厚度1〇〇μίη之高透光聚對苯二甲酸乙二醋（PET)薄膜（Teijin Dupont社製、Teijin Tetoron 03、100mm xlOOmm)之表面’形成厚度1〇〇nn^Si〇2膜。接著’藉由濺鍍法在Si〇2膜上形成厚度100nn^A1膜，製作出在PET薄臈上積層有Si〇2膜、A1膜的多層膜。 _ 藉由旋轉塗佈法在A1膜上塗佈厚度1〇〇11111之光阻劑（曰本ΖΕΟΝ社製、ZEP52〇A)。使用電子束掃描裝置（日立 mgh-Technolog社製、HL8〇〇D(5〇keV))進行EB曝光顯像，、- 來形成光阻膜’該光阻膜係形成有互相平行且具預定間距 (20〇nm)之多數槽（寬度：1〇〇nm)者。接著’使用電漿蝕刻裝置（SAMCO社製、RiE-140iPC)，藉由SF6進行餘刻，製作出如專利文獻3的第3圖所示之線栅型偏光元件。 φ 對所製得之線栅型偏光元件測定金屬層的各尺寸。結果顯示於表3。又，對所製得之線柵型偏光元件測定透射率、反射率、偏光度。結果顯示於表4。 45 201007230 [表l] 基底層第1次第2次材料方法方向 Ηχ’ 材料方法方向 Hx’ (。） (nm) 〇 (nm) 例1 A1203 蒸鍍 VI 80 5 A1203 蒸鍍 V2 70 5 例2 A1203 濺鍍 5 - - - - - 例3 Al2〇3 濺鍍 5 - - - - - 例4 Si02 蒸鍍 VI 80 5 Si02 蒸鍍 V2 70 5 例5 Si02 濺鍍 5 - - - - - 例6 Si02 濺鍍 5 - - - - - 例7 Si02 濺鍍 10 - - - - - 例8 Si02 濺鍍 15 - - - - - 例9 T1O2 濺鍍 5 - - - 讎 - 例10 Ti02 濺鍍 10 - - - - - 例11 Zr02 濺鍍 5 - - - - - 例12 Si02 濺鍍 5 - - - - - 例13 Si02 濺鍍 5 - - - - - 例14 - - - - - - - - - - 例15 - - - - - - - - - - 例16 Si02 濺鍍 100 - - - - - 46 201007230 2 金屬細線第5次蒸鍍 Λ X (nm) 〇 1 Ο 1 1 1 • 1 o 1 藉由濺鍍形成A1膜lOOnm Bi CD 1 tr> 1 V) 1 1 1 1 1 1 1 »rj 1 方向 1 > 1 t > 1 t 1 t 1 1 < > t 材料 1 < 1 < « 1 ' 1 1 < • 第4次蒸鍍 i (β X (nm) 1 o 寸 1 ο 寸寸甘寸寸对 in irj o 1 -J Φ 1 ir> Ο ν> 〇 m 〇 Ο 〇 m ο Γ〇〇 ΙΛ o 1 方向 1 > <N > 1 <Ν > (N > <N > (Ν > fS > fS > <N > <N > (N > (N > 1 材料 1 C < 1 < < < < < < < < < < 1 第3次蒸鍍 X (nm) «Λ o *T) Vi Ο «τ> m m l/*» >n m 〇 1 αί Φ 匕 VI 〇 m *τ> Ο o Ο m o m ο r〇 ο m VJ <N (N m 1 方向 > > > > > > > > > > > > > > 1 材料 < < < < < < < < < < < < < < 第2次蒸鍍 CQ X (nm) Ο (N 00 ν> 00 00 00 oo 00 oo 00 OO 卜 -1 ① »r> Vi Ό m CO «Λ Ό m m in n*i irj m V) m m o 〇卜〇 00 方向 (N > <N > is > <N > rs > (N > <S > (N > <N > (Ν > «Ν > <N > fS > (N > <N > 材料 < < < < < < < < < < < < < < < 第1次蒸鍍 CQ X! (nm) »r> 00 tr> 00 oo 00 00 00 OO OO oo •T) 00 OL, <Χ> 7 v> o 卜 V) m Ο r- V) V) m U-) m w> o m 〇〇 00 o o 方向 > > > > > > > > > > > > > > > 材料 _1 < < < < < < < < < < < < < < < cs rn 寸 tn Ό 卜 00 o 例10 例11 例12 例13 例14 例15 例16 47 201007230 [表3] α. X 100 100 i loo 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 ο α. Q o o ο u-j o ο Ό ο m o »〇〇 »Ti ο in ο ι/Ί ο ο ο ο ο Ό ο ι/Ί CU α- 1 150 1 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 1 150 150 200 150 Ha2 1 1 % I 1 ο 00 in 卜 ο 卜 ο 00 «η 卜 ο 00 loo 1 1 ο ο Hal 1 1 § 1 1 ο οο 卜 ο 卜 ο οο 卜 ο 00 100 100 1 100 ο ¢0 X o o 寸〇 ο 勺· *η 寸 *n in 寸 V) 寸 wo 对 υη 寸 V) 寸 *Τ) ο iTi ΓΠ 100 Da2 O 1^1 ο »—Η ο ο ο Ο ο ο ο ο 寸 ο Dal O o m Ο ο ο ο Ο ο ο Ο m ο 寸 ο a Q O VO CA VO o 卜〇 ^sO rs ο 卜 Ο 卜 ο 卜 ο 卜 ο 卜 ο 卜 m ν〇 Ο 卜 ο 00 140 X X o i〇 o ο «ο 1/1 ο ν-> >Τ) 100 Dx2 寸寸 <N m cn 寸寸寸寸寸 • Ο Dxl m 寸 <N m 对寸寸寸寸寸寸 I 1 Ο X Q \〇 00 </Ί 00 寸 ν〇 m v〇 m 00 U~) 00 Vi 00 οο 00 00 νΊ 00 «η I 1 (nm) ><· 5 (N 5 cn 寸 5 VO 卜 οο 5 例10 例11 例12 例13 例14 例15 例16 1

48 201007230 [表4]

400nm r 70〇nm P透射率 S反射率偏光度 p透射率 __1反射率偏光度表面側内面側表面側内面側例1 S A 1 _ A H A A - A 例2 S A • A A A - A 例3 S A A A A ~~A1 A A 例4 A A _ A A A A 例5 A A A A A - A 例6 A A A A A A A A 例7 A A A A A A A A 例8 A A A A A A A A 例9 S A〜 A A A A A A 例10 s A A A A A A A 例11 s A A A A A A A 例12 Γ s S A S S S A S 例13 s s A S s S A S 例14 X A • X X ~ A A 例15 X A X X X A X A 例16 X A A A A A A A

例1〜13在凸條之上面形成有由金屬氧化物構成的基底層，故顯示出很高的偏光度、P偏光透射率及s偏光反射率。例14由於沒有基底層，故p偏光的透射率降低。例15係相當於專利文獻2的實施例1的例子，由於沒有基底層，故p偏光的透射率降低。

例16係相當於專利文獻3的例子，由於沒有樹脂栅，故短波長的p偏光透射率降低。產業上利用之可能性本發明之線栅型偏光元件作為液晶顯示裝置、背投式投影電視、前投式投影機等影像顯示裝置的偏光元件很有用。另外，在此沿用2008年7月10日申請的日本專利申請案 2画-刪儀的專利制書、_請專圍、圖式及發明摘要的所有内容’作為本發明之專利說明書的揭示，納入本發明。_ 49 201007230 r:圖式簡單說明3 第1圖係顯示本發明之線柵型偏光元件之第1實施形態的立體圖。第2圖係顯示本發明之線柵型偏光元件之第2實施形態的立體圖。第3圖係顯示本發明之線栅型偏光元件之第3實施形態的立體圖。第4圖係顯示透光性基板之一例的立體圖。【主要元件符號說明】 10 線柵型偏光元件 Dx2 寬度 12 凸條 Ha 1¾度 14 透光性基板 Hal 寬度 16 上面 Ha2 寬度 18 側面 Hp 高度 20 側面 Hs 厚度 22 基底層 Hx 高度 24 金屬層 H 高度方向 26 槽 L 長度方向 Da 寬度 Pp 間距 Dal 寬度 VI 方向 Da2 寬度 V2 方向 Dp 寬度 eR 角度 Dx 寬度 eL 角度 Dxl 寬度 50

Claims

201007230 七、申請專利範園：一種線柵型偏光元件，包含有·· 互相平行且具預定間距成者，存在於前述凸透光性基板，係表面形成有之多數凸條者；基底層，係由金屬氧化物所構條之至少頂部；及

金屬細線’係由金屬層所構成者，該金屬層存在於前述基底狀表面上，且存在於凸狀至対部。、 2·如申請專利範圍第1項之線柵型偏光元件，其中，金屬層更存在於凸條側面之至少一部分。 3.如申請專利範圍第⑷項之線拇型偏光元件，其中，金屬層更存在於凸條側面之全面。如申凊專利範圍第1〜3項中任-項之線柵型偏光元件，其中，基底層更存在於凸條側面之全面。 5.如申請專職®第1〜4項t任-項之線栅型偏光元件，其中’金屬氧化物係8丨〇2或丁丨〇2。 6·如申請專利範圍第1〜5項中任一項之線柵型偏光元件，其中’基底層於凸條之頂部上的高度為bSOnm。 7.如申請專利範圍第1〜6項中任一項之線柵型偏光元件，其中’金屬層於凸條之頂部上的高度為30nm以上。 8·如申請專利範圍第1〜7項中任一項之線栅型偏光元件，其中’金屬細線的間距(Pa)為50〜200nm，且，金屬細線的寬度(Da)與間距(pa)的比(Da/Pa)為0.1〜〇. 6。 9· ~種線栅型偏光元件的製造方法，係製造線柵型偏光元 51 201007230 件的方法，其特徵在於：在表面形成有互相平行且具預定間距之多數凸條的透光性基板之凸條之至少頂部蒸鍍金屬氧化物來形成由金屬氧化物所構成之基底層，接著，在前述基底層之表面上，且在凸條之至少頂部蒸鍍金屬來形成金屬層，而作成金屬細線。 10. 如申請專利範圍第9項之製造方法，其係藉由使用了真空蒸鍍法的斜向蒸鍍法，在凸條之至少頂部形成基底層。 11. 如申請專利範圍第9項之製造方法，其係在凸條之全表面及凸條間之透光性基板表面形成基底層。 12. 如申請專利範圍第11項之製造方法，其係藉由濺鍍法來形成基底層。 13. 如申請專利範圍第9〜12項中任一項之製造方法，其係在凸條側面之至少一部分及凸條之頂部形成金屬層。 14. 如申請專利範圍第9〜13項中任一項之製造方法，其係在凸條側面之全面及凸條之頂部形成金屬層。 15. 如申請專利範圍第9〜14項中任一項之製造方法，其係藉由使用了真空蒸鍍法的斜向蒸鍍法來形成金屬層。 16. 如申請專利範圍第15項之製造方法，其係藉由下述條件來形成使用斜向蒸鍍法而成的金屬層， (A) 從對凸條之長度方向大略垂直，且對凸條之高度方向形成角度011的方向來蒸鍍金屬； (B) 從對凸條之長度方向大略垂直，且於前述角度 201007230 eR之相反側對凸條之高度方向形成角度㊀1^的方向來蒸鍍金屬； (c)交互進行依前述條件（A)之蒸鍍及依前述條件 (B)之蒸鑛，且，依前述條件(A)之蒸嫂進行m次（惟，m 為1以上），依前述條件(B)之蒸鐘進行η次（惟，η為1以上），合計(m+n)為3次以上； (D) 依前述條件(A)之m次蒸鍍中之第1次蒸鍍的角度足下式(IV)，且，依前述條件(B)之η次蒸鍍中之第1次蒸鍍的角度0^滿足下式(V)， 15。—€45。· · ·（IV)， 15。化$45° · · · (V); (E) 前述m為2以上時，第i次（惟，i=2〜m)的θ1^與第 (i-Ι)次的eR(M)滿足下式(VI)，且，前述η為2以上時，第 j次（惟，j=2〜η)的與第G-1)次的θ1^)滿足下式(VII)， e'seV”· · .（Vi)’ θ'^θ1^)· · .(νπ)。 53