TW201006886A - Resin composition and molded article using the same - Google Patents
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Description
201006886 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於可提供具有極佳介電特性和尺寸安定性 的成型物件之樹脂組成物,及係關於自彼得到之成型物件 【先前技術】 φ 由於以行動通訊(如,衛星通訊設備、行動電話、 PHS、無線LAN系統)或汽車通訊(如,高速公路用的 ETC系統和GPS )爲代表之無線資訊通訊網絡的發展,對 於用於資訊通訊設備的天線的需求迅速提高。由於對於降 低該天線的尺寸、重量和成本的需求,自熱塑性樹脂得到 的成型物件作爲天線的基底(下文中,稱爲“天線基底”) 〇 用於製造天線,須形成導電層充當天線基底的上的電 極。由於使用焊接、金屬電鍍之類作爲形成電極的手段, 所以天線基底須具有耐久性以防止其性質因電極形成手段 而受損。欲滿足該特性,目標曾著眼於液晶聚酯作爲用以 製造天線基底的熱塑性樹脂。由於液晶聚酯兼具高度耐熱 性和加工性及低度吸水性二者,所以液晶聚酯不僅改良與 天線製造有關的耐久性,也改良天線短暫使用期間內的耐 久性。 另一方面,前述資訊通訊設備中,因爲達到較高的資 訊密度,曾考慮較高頻率的電磁波於資訊通訊的適用性, -5- 201006886 且因爲該考量,對於介電特性優良的天線基底之需求提高 〇 隨著用於天線基底所須的介電特性,相關於電磁波於 較高頻率帶的高介電常數(高介電特性)和低介電耗損正 切有其重要性。高度介電的天線基底的天線特性未明顯降 低,即使天線相對小亦然,且低介電耗損正切天線基底具 有天線增益提高的趨勢。欲得到高度介電天線基底,曾使 用高介電材料作爲塡料(下文中,稱爲“高介電材料塡料” )及自含有高介電材料塡料和液晶聚酯的樹脂組成物得到 天線基底的方法。例如,提出含有液晶聚酯和陶瓷粉末的 樹脂組成物作爲可提供具有高介電特性和低介電耗損正切 的成型物件之樹脂組成物(請參考,JP-A-2 006-2331 18) 【發明內容】 附帶地,雖然液晶聚合物當在其剛性分子鏈的方向與 流動方向(下文中有時稱爲“MD方向”)平行時顯示出極 佳流動性,相反地,液晶聚合物具有在垂直於指向方向的 方向(下文中有時稱爲“TD方向”)的成型收縮因子提高 的特性。在熔融成型液晶聚合物時,TD方向的收縮因子 較大的情況中,待得到的成型物件輕易產生MD方向和 TD方向之間的性質差異。在藉由在該成型物件上提供金 屬層而製造零組件的情況中,曾有因爲金屬層和液晶聚合 物製造的成型物件間的熱膨脹差異而在零組件上形成大的 -6- 201006886 翹曲的趨勢,並有著樹脂組成物在TD方向 因子特別大的問題,此頗難以得到具有所欲 件,且因此其尺寸安定性較差。 JP-A-2 006-23 3 1 1 8中揭示的樹脂組成物 極佳(包括明顯小的介電耗損正切)但不一 型時之TD中的成型收縮因子降低的成型物 自成型物件製造天線時產生的翹曲及所得的 φ 所欲尺寸之觀點,需要改良尺寸安定性。 此外,也已經知道藉將包含芳族液晶聚 溶液澆鑄在基板上及之後移除溶劑可得到各 膜(請參考JP-A-2002-1 1 4894 ),但該膜仍 特性及更增進尺寸安定性。 據此,本發明的目的之一係提供一種樹 可提供具有極佳介電特性(特別是,極小的 )和極佳尺寸安定性的成型物件,及使用該 φ 成型物件。 本發明者致力於硏究以完成此發明。 本發明提出一種樹脂組成物,其包含 (A ) 液晶聚合物,和 (B ) 包含含有Ba、Sm和Ti之複 料。同樣地,本發明提供成型物件和膜,此 樹脂組成物。此外,本發明提供包含電極和 的天線。 根據本發明,可得到具有極佳介電特性 中的成型收縮 尺寸的成型物 提供介電特性 定能滿足在成 件,且就抑制 成型物件具有 合物和溶劑之 向異性降低的 要求改良介電 脂組成物,其 介電耗損正切 樹脂組成物之 合氧化物的塡 二者皆得自此 成型物件或膜 (特別地,明 201006886 顯小的介電耗損正切)的成型物件(包括膜)° 件的尺寸安定性極佳。 由於小的得自樹脂組成物之熔融成型物件在 具有小的成型收縮因子,所以該成型物件的尺寸 佳。此外,該樹脂組成物具有優點,使得該樹脂 提供具有所欲尺寸的成型物件。此外,藉由將成 包括膜)置於金屬層上而製造零組件時’可充份 件的翹曲。此外,自該樹脂組成物和溶劑製得的 物能提供膜,該膜的尺寸安定性與在藉由將該液 塗佈在基板上及移除溶劑而得之成型物件一樣優 ,本發明之樹脂組成物在製造天線基底時特別有 【實施方式】 較佳具系的詳述 下文中,將描述本發明的較佳體系。 <組分(A)液晶聚合物> 作爲組分(A)的液晶聚合物係所謂的熱塑 合物,其具有於450°C或更低溫度形成顯示光學 之熔融物件的性質。其特定例子包括: (1) 可藉由令芳族羥基羧酸、芳族二 族二醇之組合聚合而得的液晶聚合物; (2) 可藉由令多種類型的芳族羥基羧 得的液晶聚合物; 該成型物 TD方向 安定性極 組成物易 型物件( 抑制零組 液態組成 態組成物 良。因此 用。 性液晶聚 各向異性 殘酸和芳 酸聚合而 201006886 (3) 可藉由令芳族二羧酸和芳族二醇之組合聚 合而得的液晶聚合物; (4) 可藉由令晶狀聚酯(如對聚酞酸乙二酯) 與芳族羥基羧酸反應而得的液晶聚合物;等。前述(1) 至(4)中,也可以使用可藉由令一部分的芳族羥基羧酸 以芳族胺基羧酸替代而得的聚酯醯胺、可藉由令一部分的 芳族二醇以芳族胺和/或具有酚系羥基的芳族二胺替代而 0 得的聚酯醯胺作爲組分(A)。 於液晶聚合物(1)至(4)中各者之製造中,芳族羥 基羧酸、芳族二羧酸或芳族二胺之形成酯的衍生物可用以 代替芳族羥基羧酸、芳族二羧酸或芳族二醇。當使用此形 成酯的衍生物時,有助於液晶聚合物之製造。在一部分的 芳族羥基羧酸以芳族胺基羧酸替代的情況中,藉由將芳族 醯胺羧酸製成形成酯/形成醯胺的衍生物,可製造此液晶 聚合物。類似地,一部分的芳族二醇以具有酚系羥基的芳 φ 族胺和/或芳族二胺替代的情況中,藉由將具有酚系羥基 的芳族胺和/或芳族二胺製成形成酯/形成醯胺的衍生物’ 可製造該液晶聚合物。 此處,將簡要描述形成酯的衍生物和形成醯胺的衍生 物。當使用芳族羥基羧酸、芳族胺基羧酸和芳族二羧酸( 各者分子中具有羧基)時,形成酯的衍生物的例子包括藉 由將羧酸轉化成具高度反應性之基團而得的化合物(如醯 鹵和酸酐),所得者藉羧基與如醇或乙二醇之反應而形成 酯,以便藉酯交換反應或醯胺交換反應等產生聚醋或聚®1 -9- 201006886 胺。 在芳族羥基羧酸和分子中具有酚系羥基的芳族二醇的 情況中,形成酯的衍生物的例子包括其中的酚系羥基與低 羧酸形成酯’使得酚系羥基藉酯交換反應等產生聚酯者。 類似地,在分子中具有胺基(特別是以-NH2表示的 基團)之芳族胺基羧酸具有酚系羥基之芳族胺和芳族二胺 的情況中,形成醯胺的衍生物的例子包括藉由將胺基轉化 成易形成醯胺鍵結之反應基者。 @ 此外,關於未抑制形成酯的性質和形成醯胺的性質之 程度,如前述之芳族羥基羧酸、芳族二羧酸或芳族二醇可 具有氯原子、鹵素原子(如氟原子)、烷基(如甲基和乙 基)或芳基(如芳環中的苯基)作爲取代基。類似地,芳 族胺基羧酸和具有酚系羥基的芳族胺或芳族二胺可以在芳 環中具有鹵素原子、烷基或芳基作爲取代基。類似地’關 於未抑制形成酯的性質和形成醯胺的性質之程度’芳族胺 基羧酸和具有酚系羥基的芳族胺和芳族二胺亦可在芳環中 © 具有鹵素原子、烷基或芳基作爲取代基。 形成液晶聚合物的結構單元的例子包括下列者。 衍生自芳族羥基羧酸的結構單元: -10- 201006886 ❹
前述結構單元可具有鹵素原子、烷基或芳基作爲取代 基。 衍生自芳族二羧酸的結構單元·· -11 - 201006886
前述結構單元可具有鹵素原子、烷基或芳基作爲取代 基。 ❿ 衍生自芳族二醇的結構單元: -12- 201006886
•οΌ^-Ο"0.
前述結構單元可具有鹵素原子、烷基或芳基作爲取代 基。 在液晶聚合物是聚酯醯胺的情況中,含有下文所述之 衍生自芳族胺基羧酸的結構單元、衍生自含有酚系羥基的 芳族胺的結構單元或衍生自芳族二胺的結構單元。含有此 結構單元的液晶聚酯醯胺具有當維持足夠的液晶性質時對 於溶劑的溶解性仍極優異之傾向。 衍生自芳族胺基羧酸的結構單元: -13- 201006886
H-
前述結構單元可具有鹵素原子、烷基或芳基作爲取代 基。 衍生自具有酚系羥基的芳族胺之結構單元:
前述結構單元可具有鹵素原子、烷基或芳基作爲取代 基。 衍生自芳族二胺的結構單元: -14- 201006886
a- H-
前述結構單元可具有鹵素原子、烷基或芳基作爲取β 基。 待作爲組分(Α)之液晶聚合物的開始流動溫度& 27〇°C至4〇(TC爲佳,300°C至3 80°C更佳。當具有開始流 動溫度低於270 °C之液晶聚合物作爲組分(A )時,待胃 到的成型物件易於高溫環境下變形,或在一些情況中,$ 易因爲焊接加工.·等而起泡(不正常膨脹)。另一方面, 在液晶聚合物的開始流動溫度超過400°C的情況中,熔融 加工溫度提高,使製造成型物件相當難。此外,當於400 °C或更高的熔融加工溫度進行加工時,具有液晶聚合物本 身容易因熱而受損之缺點。 如文中所使用的,“開始流動溫度,,是指當熱熔物件自 配備內徑1毫米且長10毫米的噴嘴之毛細管流變計的噴 嘴(連接至模具)擠出且於4°C /分鐘的加熱速率於9.8 MPa荷量下加熱時,熔黏度變成4800 Pa.see時的溫度’ -15- 201006886 且開始流動溫度在此技藝中習知爲液晶聚酯之分子量的指 標(請參考 “Liquid Crystalline Polymer Synthesis, Molding,and Applilcation” ’ Naoyuki Koide 編輯 ’ 95 至 105頁,CMC於1987年6月5日發行)。 本發明者已發現含有特定量或更多的2,6 -伸萘二基作 爲芳族基團的液晶聚合物藉由與高度介電塡料之協同效應 ’有效地達到極佳的介電特性,特別地,低介電耗損正切 。即,含有30莫耳%或更多的2,6-伸萘二基的液晶聚合 物作爲組分(A )的情況中,當所有形成液晶聚合物的二 價芳基總和爲1 〇 0莫耳%時,該液晶聚合物於降低介電耗 損正切方面特別有效。含有40莫耳%或更多的2,6-伸萘 二基的液晶聚合物更佳,且含有50莫耳%或更多的2,6-伸萘二基的液晶聚合物又更佳。 待作爲組分(A)之液晶聚合物的例子包括二價芳基 藉酯鍵結而予以鍵結的聚酯;及二價芳基藉酯鍵結和醯胺 鍵結而予以鍵結的聚酯醯胺。就進一步改良欲得到的成型 物件之尺寸安定性的觀點,適用二價芳基藉酯鍵結而予以 鍵結的聚酯。如前述者,較佳地,使用具有2,6·伸萘二基 作爲二價芳基的聚酯,且更佳地,使用液晶聚酯,該液晶 聚酯具有式(i)所示之結構單元(下文中稱爲“結構單元 (i) ”)、式(Π)所示之結構單元(下文中稱爲“結構單 兀(Π) ”)、和式(iii)所示之結構單元(下文中稱爲“ 結構單元(iii ) ”)且當Ari代表的二價芳基' Αγ2代表的 —價芳基和ΑΓ3代表的二價芳基的總和爲1〇〇莫耳%時, -16- 201006886 含有30莫耳%或更多的2,6_伸萘二基。 Ο -〇—Αγ·ι 一 〇 ⑼ -X Αγ3-Y * * * »(111) 〇 前式中,AriR表選自2,6-伸萘二基、1,4-伸苯基和 4,4’-伸聯苯基的二價芳基。Ar2和Ar3各自獨立地代表選 自2,6-伸萘二基、i,4-伸苯基、1,3-伸苯基和4,4,-伸聯苯 基的二價芳基,而X和Y各自獨立地代表〇或NH。在 ΑΓι、Ar2和Ar3代表的每一芳基中,鍵結至芳環的一部分 氫原子可經鹵素原子、具1至10個碳原子的烷基或具6 ❹ 至20個碳原子的芳基取代。 液晶聚合物中,較佳地,當形成液晶聚合物的結構單 元(i)、結構單元(ii)和結構單元(iii)的總和(下文 中有時稱爲“整體結構單元總和”)是100莫耳%時’結構 單元(i)的和是30至80莫耳%,而結構單元(Π)的和 是10至35莫耳%,和結構單元(iii)的和是1〇至35莫 耳%。 該液晶聚酯中,結構單元(i)、結構單元(Π)和結 構單元(iii)相對於整體結構單元總和的莫耳比(共聚反 -17- 201006886 應比)以在前文指定的範圍內爲佳,此因其除了可降低介 電耗損正切以外’顯示出高液晶度且進一步可於實際溫度 熔化,藉此有助於熔融成型之故。 就達到較高耐熱性的觀點,該液晶聚合物以完全芳族 液晶聚合物爲佳。因此,以不具有結構單元(〇 、結構 單元(ii)和結構單元(iii)以外之結構單元者爲佳,且 以整體結構單元總和爲基礎,結構單元(ii)總和的莫耳 比和結構單元(iii )總合的莫耳比彼此實質上相等。 以整體結構單元總和爲基準,結構單元(i)總和的 莫耳比以40至70莫耳%更佳,且以45至65莫耳%特別 佳。 另一方面,以整體結構單元總和爲基準,結構單元( ii )總和的莫耳比和結構單元(iii )總和的莫耳比以15 至30莫耳%更佳,且以1 7· 5至27.5莫耳%特別佳。 結構單元(i)係衍生自芳族羥基羧酸的結構單元, 衍生出結構單元(i)的單體的例子包括2 -經基-6-萘甲酸 、對-羥基苯甲酸和4· (4-羥基苯基)苯甲酸。此外,亦 以使用可藉以鹵素原子、具1至10個碳原子的烷基或具 6至20個碳原子的芳基取代鍵結至前述每一單體中之苯 環或萘環的一部分氫原子而得到的單體。於其中,衍生出 具有2,6-伸萘二基之結構單元的單體係2-羥基-6-萘甲酸 〇 結構單元(ii)係衍生自芳族二羧酸的結構單元,衍 生出結構單元(ii)的單體的例子包括2,6 -萘二羧酸、對 201006886 酞酸、異酞酸和聯苯基-4,4,-二羧酸。此外,可以使用可 藉以鹵素原子、具1至10個碳原子的烷基或具6至20個 碳原子的芳基取代鍵結至前述每一單體中之苯環或萘環的 —部分氫原子而得到的單體。於其中,衍生出具有2,6-伸 萘二基之結構單元的單體係2,6-萘二羧酸。 結構單元(iii)係衍生自芳族二醇的結構單元,衍& 出結構單元(iii)的單體的例子包括2,6-萘二醇、氫醌、 φ 間苯二酚和4,4,-二羥基聯苯。此外,亦可以使用可藉以 鹵素原子、具1至10個碳原子的烷基或具6至20個碳原 子的芳基取代鍵結至前述每一單體中之苯環或萘環的一部 分氫原子而得到的單體。於其中,衍生出具有2,6-伸萘二 基之結構單元的單體係2,6-萘二醇。 各種已知方法可用以製造液晶聚合物,且JP-A-2004-2 5 66 73中揭示的製法因操作簡單而適用。 作爲該文件中揭示的製法之簡單描述,醯化的物質( ❹ 芳族羥基羧酸醯化物質和芳族二醇醯化物質)係藉由使芳 族羥基羧酸、芳族二醇和芳族二羧酸之混合物與脂肪酸酐 混合,和在氮氣下、於130t至180°c之反應以脂肪酸酐 ,利用醯化芳族羥基羧酸和芳族二醇的酚系羥基而得到的 。之後,藉由提高溫度,將反應副產物蒸出反應系統之外 ,以此方式進行聚縮合反應,以引發醯化物質的醯基與芳 族羥基羧酸醯化物質的羧基和芳族二羧酸的羧基之酯交換 ,藉此得到液晶聚酯。 芳族羥基羧酸、芳族二醇和芳族二羧酸之混合物中的 -19- 201006886 酚系羥基和羧基之間的比以0.9至1 · 1爲佳。 以芳族二醇中的酚系羥基和芳族羥基羧酸的總|Π計’ 脂肪酸酐的用量以0.95至1.20當量爲佳’ 1.00至115當 量更佳。 脂肪酸用量小時,待得之液晶聚合物之著色有受抑制 之傾向,但,當用量過小時,有著未反應的芳族二醇或芳 族二羧酸易在聚縮合反應期間內易昇華而堵塞反應器 的趨勢。另一方面,於脂肪酸酐用量超過1.2當量的情況 中,待得到的液晶聚合物之著色明顯,且有著成型物件的 色調受損的風險。 脂肪酸酐的例子包括,但不限於:乙酸酐、丙酸酐、 丁酸酐、異丁酸酐、戊酸酐、三甲基乙酸酐、2-乙基己酸 酐、一氯乙酸酐、二氯乙酸酐、三氯乙酸酐、一溴乙酸酐 、二溴乙酸酐、三溴乙酸酐、一氟乙酸酐、二氟乙酸酐、 三氟乙酸酐、戊二酸酐、順丁烯二酸酐、丁二酸酐、yS-溴丙酸酐..等。這些脂肪酸酐中的二或更多者可以混合使 用。就經濟效益和操作性質的觀點,使用乙酸酐、丙酸酐 、丁酸酐和異丁酸酐較佳,使用乙酸酐更佳。 酯交換(聚縮合)反應以在130°C至400°C的範圍內 進行且以〇.l°C/分鐘至50°C/分鐘的速率升溫爲佳,且在 150°C至350°C的範圍內進行且以〇_3°C/分鐘至5°C/分鐘 的速率升溫更佳。 欲更平順地進行酯交換(聚縮合)反應,較佳地,反; 應副產物被蒸出系統之外。 -20- 201006886 液晶聚合物之製法可以在具有二或多個氮原子的雜環 狀有機鹼化合物存在時進行。使用雜環狀有機鹼化合物, 容易平順地完成酯交換(聚縮合)反應,且有著充分抑制 液晶聚合物著色的優點。 具有二或多個氮原子的雜環狀有機鹼化合物的例子包 括咪唑化合物、三唑化合物、二吡啶基化合物、菲啉化合 物、二氮菲化合物等。於其中,就醯化反應和對於聚縮合 φ 反應之反應性的觀點,以咪唑化合物爲佳,且就易取得性 的觀點,1-甲基咪唑和1-乙基咪唑更佳。 用於藉促進酯交換(聚縮合)反應提高聚縮合反應速 率之目的,雜環狀有機鹼化合物以外的觸媒可以倂用。但 是,使用金屬鹽之類作爲觸媒時,該金屬鹽以雜質形式留 在液晶聚合物中,且有時會對電子零組件(如,天線)之 產製造成負面影響。就此觀點,使用雜環狀有機鹼化合物 爲製造用於組分(A)之液晶聚合物之特別佳的體系。 • 用以進一步改良液晶聚合物之聚合度的方法的例子包 括在酯交換(聚縮合)反應期間內降低反應器內部壓力( 於低壓下聚合)的方法,在酯交換(聚縮合)反應之後冷 卻和固化反應產物,將反應產物粉碎成粉末,接著在250 °C至3 50°C爲時固相聚合藉此而得的粉末達2至20小時 之方法等。藉聚合法改良液晶聚合物的聚合度,容易製造 具有較佳開始流動溫度的液晶聚合物。就簡單設備觀之, 使用固相聚合反應較佳。 如前述者,在酯交換(聚縮合)反應之後進行固相聚 -21 - 201006886 合反應的情況中,使用粉末,該粉末係得自冷卻和固化具 有相當低分子量之’而該聚合物係得自聚合物酯交換(聚 縮合反應)(下文稱爲預聚合物)和之後以各種已知的粉 碎手段將聚合物予以粉碎。該粉末的平均粒徑以在約〇.〇5 或更高至3毫米或更低的範圍內爲佳,在約0.5或更高至 1.5毫米或更低的範圍內更佳。由於更能夠增進液晶聚酯 的高聚合度,所以粉末的粒徑以該範圍爲佳,且0.1或更 高至1.0毫米或更低的範圍更佳,此因可提高液晶聚合物 的聚合度且粉末粒子之間未燒結之故。 該固相聚合反應可提供液晶聚合物較高分子量及在相 當短的時間內得到具有較佳開始流動溫度( 270 °C至400 °C )的液晶聚合物。 醯化反應和藉酯交換反應之聚縮合反應以在惰性氣體 環境(如氮)下進行爲佳。' 可藉由在用以製造液晶聚合物的單體中,適當地使得 可引入2,6-伸萘二基的單體(選自2-羥基-6·萘甲酸、2,6-萘二羧酸和2,6-萘二醇)的用量比相對於整體單體最適化 ’而將特定量或更多的2,6-伸萘二基引至液晶聚合物中。 <組分(B)之複合氧化物製成的塡料> 本發明欲使用的組分(B )係含有Ba、Sm和Ti之複 合氧化物製成的塡料,且含有其他金屬元素的固態溶液可 作爲塡料,只要該固態溶液含有這三種元素作爲主要組分 即可。此情況中,其他金屬元素的例子包括La (鑭)、 -22- 201006886
Bi (鉍)、Nd (鉸)、pr (鐯)等。 此處’將簡要地描述製造用於組分(B)之複合氧化 物的方法。 用於製造複合氧化物,例示製法如固相法和化學合成 法(如,氣相法和液相法)),且固相法因操作簡單且有 助於簡單地提供具有標的組成的複合氧化物,所以有利。 作爲固相法的簡單描述,該方法包括混合分別包含Ba、 φ Sm和Ti的氧化物或碳酸鹽,及使此混合物於高溫下反應 。該方法的更特定實例包括分別製造含有Ba、Sm和Ti 的氧化物[氧化鋇(BaO )、氧化釤(Sm203 )和氧化鈦( Ti02 )],混合該氧化物,和燒結該混合物的方法,及釤 (Sm203 )與能夠生成 BaTi03之碳酸鋇(BaC03 )和氧 化鈦的混合物混合及燒結該混合物之方法。在複合氧化物 中添加其他金屬元素的情況中,少量的氧化鑭(La203 ) 、氧化銨(Nd203 )、氧化鈮(Nb205 )和/或氧化鐯( φ PhOn )可以氧化物[氧化鋇(BaO )、氧化釤(Sm203 ) 和氧化鈦(Ti02)]混合,然後燒結。燒結溫度是80CTC至 1 2 00 °C且可取決於原料類型(如,使用的氧化物)地予以 最適化。根據固相法的固相反應中,該複合氧化物易因爲 高溫和長時間燒結加工而形成粗質凝聚物,且該凝聚物經 粉碎而得到粉末形式的複合氧化物。最適粉碎法取決於所 得複合氧化物類型地選自已知的粉碎裝置。 藉由將前述得到的複合氧化物予以粒化或粉碎及,需 要時,分粒,可得到作爲本發明之組分(B )的塡料,其 -23- 201006886 所具有的平均粒徑得以與液晶混合物良好地互溶。該塡料 可較佳地爲平均粒徑爲0.1至1〇〇微米的填料,該平均粒 徑係藉,例如,雷射分光鏡粒徑測量測得。使用該塡料作 爲組分(B)時,該塡料可具有微粒狀、片狀、針狀等之 任一者,且最適塡料形狀可取決於欲使用的液晶聚合物類 型地選擇。然而,就容易製造塡料的觀點,塡料形狀以微 粒狀爲佳。 欲進一步降低所得成型物件的介電耗損正切,複合氧 化物中之Ba和Sm之間的含量當量比(Ba/Sm)以滿足 0<Ba/Sm<l 爲佳,且 0.4<Ba/Sm<l 更佳。 就達到所得物件的高介電性而言,用於組分(B )的 塡料可較佳地製自介電常數爲50或更高至200或更低( 且更佳地爲1〇〇或更高至200或更低)的複合氧化物,此 係在23 °C的測量溫度和 1 GHz的測量頻率條件下測得。 介電常數低於50時,無法預期成型物件的介電常數可大 幅改良,而,當該成型物件作爲天線基底時,會有天線基 底尺寸難降低的趨勢。就實用觀點,介電常數的上限以 2 00或更低爲佳。介電常數係以阻抗分析儀測定。 可以使用含有Ba、Sm和Ti作爲主要組分的複合氧 化物製得且介電常數爲50至2 00的市售塡料。市售塡料 的特定實例包括 KCM Corporation Co.,Ltd.生產的“11?-1 2 0 D ’,。 本發明之樹脂組成物中,可以使得組分(A )和組分 (B )之間的混合比最適化,以使得得到的成型物件具有 -24- 201006886 所欲的介電常數。取決於其他性質(如,耐熱性、機械強 度..等),根據成型物件用量,可進一步調整該混合比, 且較佳混合物將述於下文中。可以分別自組分(A)液晶 聚合物和組分(B )塡料的用量和比重計算混合比。 使用塡料作爲組分(B)時,該塡料可經表面處理以 增進塡料在液晶聚合物中之分散性。常使用表面處理劑進 行表面處理。可以使用已知的表面處理劑作爲表面處理劑 ,其例子包括偶合劑,如,以鈦酸鹽爲基礎的偶合劑、以 鋁爲基礎的偶合劑、以矽烷爲基礎的偶合劑。 <其他組分> 取決於所欲性質,在不損及本發明之目的的前提下, 本發明之樹脂組成物可含有添加劑(如,強化劑)。 添加劑的例子包括纖維強化材料,如,玻璃纖維、氧 化矽-氧化鋁纖維、氧化鋁纖維、碳纖維;針狀強化材料 φ ,如,硼酸鋁鬚晶和鈦酸鉀鬚晶;無機塡料,如,玻璃珠 、滑石、雲母、石墨、矽灰石和白雲石;脫模性改良劑, 如,氟樹脂和金屬皂;著色劑’如,染料和顏料;抗氧化 劑;熱安定劑;UV吸收劑;抗靜電劑;界面活性劑等。 <樹脂組成物> 本發明之樹脂組成物可藉混合組分(A )、組分(B )和其他組份(如所須的前述添加劑)而得到。 如前述者,須將本發明之樹脂組成物中之組分(A ) -25- 201006886 和組分(B)之間的混合比,設定在滿足地具有所欲介電 特性且不損及用途所欲性質的範圍內。用於作爲天線基底 之類,以欲混合的組分(A )和組分(B )共1 〇〇體積%計 ,組分(A)以50至90體積%爲佳,50至80體積%更佳 〇 下文中,將描述製造本發明之樹脂組成物之方法。 用以得到本發明之樹脂組成物之製法中,未特別限制 混合方式,只要混合方式可熔融捏和原料組分各者即可。 方法的特定例子包括施用組分(A)、組分(B)和欲視 須要地添加至熔融混合機中的其他組份之方法,在原料組 分先在硏缽、henschel混合機、球磨機、複帶摻合機之類 之中初步混合之後,將原料組分施用至熔融混合機的方法 。藉此熔融捏和(熱捏和),樹脂組成物製成熱融物件。 可藉由將組分(A)液晶聚合物的開始流動溫度Tp[ °C]設定爲基礎點,可適當地使熔融捏和的溫度條件最適 化。該溫度條件以在Tp-10[°C]或更高至Tp+100[°C]或更 低的範圍內爲佳,在Tp-l〇[°C]或更高至Τρ + 70[Χ:]或更 低的範圍內更佳,在Tp-10[°C]或更高至Tp + 50[°C]或更 低的範圍內特別佳。使用二或更多種類型的液晶聚合物作 爲組分(A)時’藉前述方法測定二或更多種液晶聚合物 之混合物的開始流動溫度Tp [°C],並使用此開始流動溫 度Tp [C]作爲基礎點。 可藉由以一系列的操作(藉細繩形式以單軸或多軸擠 壓機(以雙軸擠壓機爲佳)、班伯里混合機、滾筒混合機 -26- 201006886 之類擠壓,將熱熔物件製成繩股,冷卻和固化該繩股以便 切割),將得到的樹脂組成物熔融捏和成複合粒(繩股法 ),藉此而將所得的樹脂組成物製成熱熔物件。也可以使 用熱切法,其中,前述得到的繩股經切割以在繩股自擠壓 機的模具射出之後,在繩股未冷卻和固化的情況下,立刻 藉切片機將繩股加工製成粒。但是,當比較繩股法和熱切 法時,就產能觀點,繩股法達到良好產能,因此爲有利者 ❹ 如前述者,使用單軸或雙軸擠壓機,複合粒之製法易 於操作,此由於該方法有助於自熔融捏和至製粒的連續操 作之故。 <液態組成物> 本發明之液態組成物可藉由將組分(A)溶解於溶劑 中的步驟和將組分(B)和所須其他組份(如,添加劑) φ 分散至溶液中的步驟而得到。 未特別限制用於本發明之液態組成物的溶劑,只要該 溶劑溶解液晶聚合物即可,而且,在溶解具有前述結構單 元的芳族液晶聚酯的情況中,較佳地,所用溶劑含有30 重量%或更多以下列通式(I)表示之經鹵素取代的酚化合 物,此因該溶劑能夠於相當低的溫度於常溫或在加熱下, 溶解芳族液晶聚酯之故。 就能夠於相當低溫溶解芳族液晶聚酯的觀點,溶劑含 有60重量%或更多經鹵素取代的酚化合物(I )更佳,且 -27- 201006886 溶劑含有100重量%或更多經鹵素取代的酚化合物(I)又 更佳,此因溶劑不須與其他組分混合之故。
OH
式中,A代表鹵素原子或三鹵化的甲基;而i代表1 至5的整數;且當i是2或更大的整數時,多個A可彼此 相同或不同,以多個A以相同爲佳。 鹵素原子的例子包括氟原子、溴原子和碘原子,其中 以氟原子和氯原子爲佳。 其中的鹵素原子係氟原子之式(I)表示的化合物的 例子包括五氟酚、四氟酚等。 其中的鹵素原子係氯原子之式(I)表示的化合物的 例子包括鄰-氯酚和對-氯酚,就溶解度的觀點,以對-氯 酚爲佳。 液晶聚合物是含前述結構單元的液晶聚酯醯胺時,由 於液晶聚酯醯胺在不含鹵素原子的非質子溶劑中具有足夠 的溶解度,所以適當地使用此非質子溶劑。 不含鹵素原子的非質子溶劑的例子包括以醚爲基礎的 溶劑,如,二乙醚、四氫呋喃和1,4-二噚卩山;以酮爲基礎 的溶劑,如,丙酮和環己酮;以酯爲基礎的溶劑,如,乙 酸乙酯;以內酯爲基礎的溶劑,如,丁內酯;以碳酸 酯爲基礎的溶劑,如,碳酸乙二酯和碳酸丙二酯;以胺爲 基礎的溶劑,如’三乙胺和吡啶;以腈爲基礎的溶劑,如 -28- 201006886 ’乙腈和丁二腈;以醯胺爲基礎的溶劑,如,N,N-二甲基 甲醯胺、N,N -二甲基乙酿胺、四甲基脲和Ν·甲基吡咯陡 酮;以硝基爲基礎的溶劑,如,硝基甲院和硝基苯;以硫 爲基礎的溶劑’如’二甲亞颯和環丁颯;和以磷爲基礎的 溶劑,如,六甲基磷醯胺和磷酸三正丁酯。液晶聚酯可溶 於前述溶劑是指液晶聚酯溶解於選自前列非質子溶劑中之 至少一者。 就液晶聚酯醯胺的較佳溶劑溶解度和液態組成物易於 製造的觀點,較佳地,使用在前列溶劑中的非質子極性溶 劑’其偶極矩爲3或更高至5或更低。其中,以醯胺爲基 礎的溶劑和以內酯爲基礎的溶劑較佳,且N,N ’ -二甲基甲 醯胺(DMF) 、:N,N’-二甲基乙醯胺(DMAc )和N-甲基-吡咯啶酮(NMP )更佳。此外,較佳地,溶劑係在一大氣 壓下的沸點爲1 80 °C或更低的高揮發性溶劑,此因該溶劑 有助於下文所述的成型物件之製造之故,且就特性觀點, 使用DMF和DMAc特別佳。 經鹵素取代的酚化合物以外的組分可含於本發明欲使 用的溶劑中,只要該化合物不會使得芳族液晶聚酯在下文 所述的溶液儲存或澆鑄期間內沉澱即可。 可含組份的例子包括,但不限於,以氯爲基礎的化合 物,如,氯仿、二氯甲烷和四氯乙烷。 相對於I 〇〇重量份的溶劑,芳族液晶聚酯組分(A ) 爲0.5至100重量份。芳族液晶聚酯組分(A)低於0.5 重量份時,溶液黏度過低,有時無法均勻塗佈。就操作性 -29- 201006886 或經濟效益的觀點,以1至5 0重量份爲佳,2至10重量 份更佳。 前述得到的芳族液晶聚酯溶液可視需要地以濾器進行 過濾步驟,以移除溶液中所含之非常小的污染物。 如前述者,須將本發明之液態組成物中之組分(A ) 和組分(B )之間的混合比,設定在滿足地具有所欲介電 特性且不損及用途所欲性質的範圍內。用於作爲天線基底 之類,以欲混合的組分(A )和組分(B )共1 00體積%計 ,組分(A)以50至90體積%爲佳,50至80體積%更佳 <成型物件和天線基底> 藉此得到的樹脂組成物施用於各式各樣的成型法和澆 鑄法,以提供成型物件,包括膜。成型法的例子包括熔融 成型,如,射出成型和加壓成型,且以射出成型爲佳。射 出成型的特定例子包括一般射出成型、射出擠壓成型、雙 色成型、夾芯模成型,且,其中,以一般射出成型和射出 擠壓成型爲佳。該樹脂組成物具有特別能夠抑制成型期間 內在TD方向之成型收縮因子的特性。因此,該樹脂組成 物有助於簡便地提供具有所欲尺寸的成型物件及,在藉提 供所得成型物件金屬層以製造零組件的情況中,能夠有利 地抑制零組件產生翹曲。 作爲使用本發明之液態組成物製造膜之方法,可以藉 由將該液態組成物均句地澆鑄在金屬箔片上,藉手段(如 -30- 201006886 ,滾筒塗佈法、浸塗法、噴塗法、旋塗法、縫隙塗佈法和 篩網塗佈法)形成扁平表面,然後移除有機溶劑,而得到 膜。 使用本發明之樹脂組成物得到的成型物件反映組分( B)所具有的高介電性並具有達到極小的介電耗損正切之 極佳的介電特性。特別地,自本發明之樹脂組成物得到的 成型物件之介電耗損正切爲0.01或更低,該介電耗損正 φ 切係於測定溫度爲2 3 °C和測定頻率爲1 ΜΗz的條件下測 得。 由於前述特性,本發明之樹脂組成物於製造天線基底 特別有用。 下文中’將簡要地描述使用本發明之樹脂組成物得到 的天線基底。 有須要時’藉進行蝕刻..等,可使用本發明之樹脂組 成物製成電極(射極、接地電極等),以其得到天線基底 以製造天線。使用已知方法,如,金屬電鍍、噴鍍、離子 電鍍、真空蒸鍍、焊接等,作爲用以形成作爲電極的導電 層之方式。製成所欲電極形狀的金屬箔片可以使用黏著劑 之類黏著或加壓黏合,或金屬箔片可以黏著或加壓黏合至 成型物件表面’然後黏著或加壓黏合的金屬箔片形成圖案 以具有所欲形狀。 由於天線基底極佳的介電特性,所以,相較於慣用的 天線’藉此得到的天線更容易降低尺寸。自該天線基底得 到的天線特別適合用於無線LAN,如,藍芽、行動電話 -31 - 201006886 和PHS或行動設備、GPS (全球定位系統)、ETC (電子 通行費收集系統)、衛星通訊等。 由於藉由使用本發明之樹脂組成物得到的天線令人滿 意地保留液晶聚合物的性質(如,高機械強度和高耐熱性 ),所以其對外在環境的耐久性極佳。因此,其適合作爲 戶外設備的天線。此外,由於極佳的介電特性所達到之降 低尺寸的效果,所以該天線亦極佳地作爲汽車天線和行動 電話天線。 已藉此描述本發明,顯然其可以許多方式改變。應將 該變體視爲屬本發明之精神和範圍內,且意欲將嫻於此技 術者顯見的所有的修飾含括於下列申請專利範圍的範圍內 實例 將藉下列實例更詳細地描述本發明,其不構成本發明 範圍之限制。 測定方法(用以測定開始流動溫度之方法) 使用流動測試機 (CFT-500 型,Shimadzu Corporation),約2克的樣品引至配備有內徑i毫米、長 10毫米之模具的毛細管型流變計中。於荷重9.8MPa ( 1〇〇 公斤/平方公分)和4°C /分鐘的升溫速率下,熔融物件自 噴嘴擠出時,將測得之熔黏度爲4800Pa . s ( 48 000泊) 時的溫度視爲開始流動溫度。 -32- 201006886 合成例ι(液晶聚酯之製造) 在配備攪拌器、扭矩計、氡氣輪·^ & 輸入管、溫度計和迴餾 冷凝管的反應器中’添加1034.99克(5·5莫耳)的2_經 基-6-萘甲酸、272.52克(2.475莫耳,投料超過〇.225莫 耳)的氫醌、3 78.3 3克(1.75莫耳)的2,6_萘二羧酸、 83_07克(0.5莫耳)的對酞酸、1226.87克(12.0莫耳) 的乙酸酐和0.17克的1·甲基咪π坐(觸媒),然後於室溫 0 攪拌15分鐘’然後於攪拌時升溫。當內部溫度達到145 °C時,於攪拌時維持於此溫度1小時。 然後,以3小時又30分鐘,溫度自145。(:提高至310 t,同時蒸除餾出的副產物乙酸和未反應的乙酸酐。維持 於3 1 0 °C 3小時以得到液晶聚酯。所得的液晶聚酯冷卻至 室溫並藉粉碎機粉碎以得到粒徑約0·1至1毫米的液晶聚 酯粉末(預聚物)。使用流動試驗機,測得預聚物的開始 流動溫度是267°C。 φ 藉粉碎預聚物得到粉末之後,此粉末預聚物以1小時 自25t加熱至25(TC,之後以5小時自250°c加熱至293 。(:,然後藉由維持於293 °c 5小時地進行固相聚合反應。 藉冷卻得到液晶聚醋,使用流動試驗機’測f守液晶聚醋的 開始流動溫度是以液晶聚醋中的所有芳基總和計 ,2,6-伸萘二基含量是72.5莫耳% ° 實例1 KCM Corporation 藉合成例1得到的液晶聚醋和 -33- 201006886
Co·,Ltd.生產的 “HF-120D”(Ba和 Sm含量當量比, Ba/Sm = 0.8至0.9)以表1中所示的比例混合並使用雙軸 擠壓機(“PCM-30”,Ikegai Iron Works Co., Ltd.,生產) 於熔融溫度340 °C藉繩股法製成顆粒,藉此得到複合粒。 介電特性之評估: 所得顆粒於120 °C乾燥3小時之後,藉由使用射出成 型機(型號 PS40E5ASE,Nissei Plastic Industries Co., Ltd.生產),於圓筒溫度3 50 °C和金屬模具溫度130°C得 到尺寸爲64毫米x64毫米xl毫米的樹脂基板作爲樣品, 藉由使用 HP阻抗分析儀,在測定溫度爲23°C和測定頻 率爲1 GHz的條件下評估介電特性。其結果示於表1。 尺寸安定性之評估: 所得的顆粒在1 20°C乾燥3小時之後,藉由使用射出 成型機(型號 PS40E5ASE,Nissei Plastic Industrial Co., Ltd·生產),於圓筒溫度35(TC和金靥模具溫度130°C得 到尺寸爲64毫米x64毫米X3毫米的平板試片,並測定各 邊的尺寸。由金屬模具尺寸,計算在熔融成型時,樹脂的 指向方向(MD方向)和垂直於MD方向之每一邊的平均 値’分別計算在MD方向和TD方向的收縮量。收縮量係 以金屬模具尺寸爲基礎的改變量%表示。其結果示於表1 比較例1 -34- 201006886 以與實例1中相同的方式評估多種特性,但此處使用 Fuji Titanium Industry, Co., Ltd.生產的 “NPO-S”(含有 Ba、Nd和Ti作爲主要組份的複合氧化物)代替 “HF-120D”。其結果示於表1。 表1 實例1 比較例1 組分(A)液晶聚酯 合成例1 合成例1 組分(A)粉末開始流動溫度(°C ) 317 322 使用的塡料 HF-120D NPO-S 組成物中的液晶聚酯含量(體積% ) 81 81 組成物中的塡料組分含量(體積%) 19 19 組成物中的塡料組分含量(重量%) 50 50 粒化溫度(t) 340 340 成型 rc) 345 350 成型收縮因子MD (%) 0.14 0.42 成型收縮因子TD (%) 1.17 1.42 介電耗損正切(1 GHz) 0.009 0.009 ❹ 合成例2 在配備攪拌器、扭矩計、氮氣輸入管、溫度計和迴餾 冷凝管的反應器中,添加94 1克(5.0莫耳)的2-羥基-6-萘甲酸、466克(2.5莫耳)的4,4-二羥基聯苯、415克( 2.5莫耳)的異酞酸和1123克(11.0莫耳)的乙酸酐。 反應器內部以氮氣充份取代之後,在氮流下’以15分鐘 將溫度提高至150°C,然後於維持於此溫度時迴餾3小時 -35- 201006886 然後,以170分鐘將溫度提高至320°C,同時蒸除蒸 餾副產物乙酸和未反應的乙酸酐,將觀察到扭矩提高的時 間點視爲反應終點,然後排放內容物。內容物冷卻至室溫 並藉粉碎機粉碎以得到粉末。該粉末的開始流動溫度是 229°C。該粉末在氮環境中於264°C熱處理3小時以進行 固相聚合反應。因此,得到液晶聚酯。該液晶聚酯的開始 流動溫度是3 03 °C。 藉此得到的液晶聚酯(27克)加至273克的對-氯酚 (PCP)中,之後於120°C加熱8小時以得到樹脂溶液1 。該樹脂溶液的溶液黏度是7 00 0 cP。此溶液黏度係使用 B 型黏度計(型號 “TVL-20”,Toki Sangyo Co·,Ltd.生產 ),23號轉軸(轉速:10 rpm)於測定溫度爲50°C測得 的値。 實例2 得到的樹脂溶液1和 KCM Corporation Co.,Ltd.生 產的“HF-120D”(Ba和Sm含量當量比,Ba/Sm = 0.8至0.9 )以表2中所示的比例(體積比)混合以得到溶液組成物 1。此溶液組成物1以桿塗佈(bar coarting )塗佈在銅箔 [3EC-VLP ( 18 微米),Mitsui Mining & Smelting Co·, Ltd.生產]上,並於100°C 1小時和320°C 3小時進行熱處 理以在銅箔上形成膜。之後使用氯化鐵溶液移除整個銅箔 (Baume : 40°,Kida Co., Ltd.生產)而得到膜。藉此得 到的膜厚度是20微米。 -36- 201006886 介電特性之評估: 在所得的樹脂膜上進行金蒸汽沉積以形成電極,藉由 使用Agilent生產的LCR計,在測定溫度爲23°C和測定 頻率爲20Hz至1 MHz的條件下評估介電特性。 尺寸安定性之評估: 根據 JIS C6481 “Method for Testing Copper Clad Laminate for Printed Wiring Board”,使用 TMA 裝置( SII生產),在100°c至150°c的溫度範圍內,測定所得膜 的線性膨脹係數。單位是pp<m/°C。 比較例2 以與實例2中相同的方式評估多種特性,但此處使用 Fuji Titanium Industry, Co.,Ltd.生產的 “NPO-S”(含有 Ba、Nd和Ti作爲主要組份的複合氧化物)代替 “HF-φ 120D”。其結果示於表2。 -37- 201006886 表2 實例2 比較例2 組分(A)液晶聚酯 合成例2 合成例2 組分(A)粉末開始流動溫度(。C ) 317 322 使用的塡料 HF-120D NPO-S 溶液組成物中的液晶聚酯含量(體積%) 7.5 7.5 溶液組成物中的溶劑含量(重量%) 85 85 溶液組成物中的塡料組分含量(體毛 1%) 7.5 7.5 線性膨脹係數(100。。至15(TC) MD 0.58x 10'5 Ι.ΠχΙΟ5 TD 0.47X10·5 1.09x 10'5 介電耗損正切(1 MHz) <0.001 <0.001
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Claims (1)
- 201006886 七、申請專利範圍: i一種樹脂組成物,包含 (A) 液晶聚合物,和 (B) 包含含有Ba、Sm和Ti之複合氧化物的塡 料。 2_如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中該組分 (B)係包含介電常數爲50至200 (其在23 °C的測定溫度 0 和1 GHz的測定頻率條件下測定)之複合氧化物的塡料。 3 ·如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中該組分 (A)係液晶聚酯,該聚酯中,二價芳基藉酯鍵結而予以 鍵結且當形成聚酯的所有二價芳基總和爲100莫耳%時, 其含有30莫耳%或更多的2,6-伸萘二基。 4 _如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中該組分 (A)係聚酯隨胺’該聚酯醯胺中,二價芳基藉酯鍵結和 醯胺鍵結而予以鍵結且當形成聚酯醯胺的所有二價芳基總 Φ 和爲100莫耳%時,其含有30莫耳%或更多的2,6 -伸萘二 基。 5.如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中該組分 (A)係具有分別如下所示之式(i)表示之結構單元、式 (Π)表示之結構單元、和式(iii)表示之結構單元的液 晶聚酯’且當以Ari表示的二價芳基、以AG表示的二價 芳基和以An表示的二價芳基的總和爲100莫耳。/。時 該 液晶聚酯含有30莫耳%或更多的2,6 -伸萘二基: -39- 201006886 -Ο—Ar-ι—C- ····(】)其中An代表選自2,6-伸萘二基、1,4_伸苯基和4 4,_ 伸聯苯基的二價芳基;Ar2和Αι*3各自獨立地代表選自 H 2,6-伸萘二基、1,4-伸苯基、1,3-伸苯基和4,4’ -伸聯苯基 的二價芳基;X和Y各自獨立地代表〇或NH;且,在 An、Αι*2和ΑΓ3代表的每一芳基中’鍵結至芳環的一部分 氫原子可經鹵素原子、具1至10個碳原子的院基或具6 至20個碳原子的芳基取代。 6. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物,其中以組分 (Α)和組分(Β)的總和爲1〇〇體積%計,組分(Α)含 量是50至80體積%。 Θ 7. —種液態組成物,包含如申請專利範圍第1項之樹 脂組成物和溶劑。 8·—種成型物件,其得自如申請專利範圍第1項之樹 脂組成物。 9.如申請專利範圍第8項之成型物件,其中在測定溫 度爲23 °C和測定頻率爲1 MHz的條件下,該成型物件測得 的介電損耗正切(dielectric loss tangent)爲〇·〇1或更低 -40 - 201006886 10.—種膜,其可藉由將申請專利範圍第7項之液態 組成物塗佈在基板上及移除該組成物之溶劑而得。 1 1.如申請專利範圍第1 0項之膜,其中在測定溫度爲 23 t和測定頻率爲1MHz的條件下’該膜測得的介電損耗 正切爲0.01或更低。 12. 一種夭線,包含申請專利範圍第8項之成型物件 和電極。 13. —種天線,包含申請專利範圍第10項之膜和電極-41 - 201006886 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:無。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明:無201006886 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
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