TW201005564A - A method for OPC correction - Google Patents

Description

201005564 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種光學鄰近效應修正法，特別是關 於一種光學鄰近效應修正法之修正步驟（〇PC correction recipe) ° 【先前技術】 為了防止在製作光罩圖案轉移時的關鍵尺寸偏差 ❺（Critical Dimension Variation，CD Variation)現象，通常在 製作光罩時’都會進行光學鄰近效應修正法(〇PC)，亦即是 將欲曝光在晶片之半導體基底上的原始圖案，利用資料電 腦和軟體運算加以計算修正，得到與原始圖案不同之結果 圖形，再將此結果圖形輸入電腦存檔《根據光學鄰近效應 修正(OPC)所得到的結果圖形製作於光罩上，光束透過此光 罩投影在半導體基底上的圖案可與原始圖案相當接近。 • 第1A圖和第1B圖顯示一種習知的光學鄰近效應修正 法之修正步驟，請參照第1A圖，在建立光學鄰近效應修 正之模型（OPC model)後’再以此〇pc model為基礎去執行 佈局圖案修正步驟。首先將光罩圖案上之邊緣分割成複數 個片段(segment) ’並在每個片段定義出該片段的目標點， 當作執行佈局圖案修正時的比對參考，根據上述比對之結 果決定該片段校正向外突出或向内退縮。在分割片段的過 程中，一般會於光罩圖案上之邊緣定義出目標點1〇1、 102、103(target point)和切點 1〇4、105(dissection point)， 96040/ 0516-A41604TW/Final 201005564 每個片段根據其目標點以OPC model為基礎去計算，並且 校正該片段需突出或内縮之大小。如第1B圖所示，上述 之步驟係使目標點101、102、103通過顯影後檢查（after development inspection ’ ADI)之圖案輪廓11〇。值得注意的 是’此習知的光學鄰近效應修正法之修正步驟，在建立危 險之區域1〇6(例如多邊形圖案中的邊角區或線段的尾端） 之第一目標點102和第一切點104時，係根據經驗法則決 參 定’且其著重的地方為佈局之精確度(fidelity)。易言之， 在定義片段時，頂點108至第一切點104之距離為一固定 值’且片段對應到的第一目標點1〇2的位置亦固定。因此， 爲了讓顯影後檢查之圖案輪廓11〇通過目標點1〇2，該校 正片^又（108至104之片段）向内縮或向外凸之大小亦為固 定。 此習知技術之方法雖然可以使曝出之圖案得到良好的 精確度’但其並沒有考慮到製程窗(pr〇cess wind〇w)，因此 • 不一定是最佳的光罩佈局。 【發明内容】 根據上述問題’本發明提出一種光學鄰近效應修正 法’包括以下步驟：建立光學鄰近效應修正法之模型，並 在執行接下來的佈局圖案片段修正步驟時，先設定複數個 預定目標點或預定切點，並依據哪一個預定目標點或預定 切點所產生出之修正圖案具有較佳的影像品質（image quahty)，於複數個預定目標點或預定切點中選定作為片段 96040/ 0516-A41604TW/Final 6 201005564 修正之目標點與切點。 【實施方式】 以下根據第2圖詳細說明本發明之流程’其中並會以 第3圖輔助說明之。首先，進行步驟S102，輸入佈局資料 庫（layout data base)及初版經〇PC光學鄰近效應校正之佈 局資料。接著，進行步驟S104 ’光學鄰近效應後確認 籲 (Post-OPC verification)，審視佈局並找出熱點區（hot-spot location)。熱點區即微_影成像之危險區域（dangerous layout) ’為微影製程窗（process window)之瓶頸。接著對 於熱點區進行步驟S106’以建立之光學鄰近效應修正模型 (OPC model)和本發明之光學鄰近效應校正修正程式 (OPC correction recipe)，校正佈局和模擬影像品質。進行 步驟S1G8，比較影像品f。進行步驟S11Q，輸 品質之佈局。 步驟S106至步驟SU〇係為本發明之重要 以第3圖輔助說明此部份。請參照第3 _ 卜下 多邊形圖案302(圖式中係顯示 尤皁上之 夕、息拟可盔乂工h廿 1一奉發明不限於此， 少邊1了為任何其它形狀），進行鮮鄰近致 正，根據多邊形圖案3〇2邊 4正法之修 音的县，：^日“+ 輯刀出複數個片段，值得注 意的疋，本發明特別有關熱點區324附 ^左 之目標點和切點位置之定義。在沿X軸方向=!正時 點3〇8時’可設定出複數個預定目標點 ^二切 -第-預定目標點304和一第二預定目如圖式=示 卞點306，而即使 96040/ 0516-A41604TW/Final 7 201005564 切點308相同，不同目標點也會使得校正片段突出或内縮 之距離不同，例如圖式中的第一預定目標點304造成第一 校正片段316，第二預定目標點306造成第二校正片段 318，而不同的校正片段會造成曝光後圖案之影像品質 (image quality)不同。又例如在沿Y軸方向，當選定一目標 點310時，可設定出複數個預定切點，例如圖式中顯示一 第一預定切點314和一第二預定切點312，而即使目標點 A 310相同，不同的切點也會使得校正片段突出或内縮之大 響 小不同，例如圖式中的第一預定切點314造成第三校正片 段322,第二預定切點312造成第四校正片段320,而此不 同的校正片段亦會造成曝光後圖案之影像品質不同。根據 上述，第一預定目標點304、第二預定目標點306、第一預 定切點314和第二預定切點312即會造成四種不同的校正 片段組合（第一校正片段316、第二校正片段318、第三校 正片段322和第四校正片段320)。本實施例於此四種不同 φ 的校正片段組合，找出哪一種具有最大的製程窗和最佳的 影像品質，進一步決定採用哪一個切點和哪一個目標點。 易言之，本發明在決定熱點區324鄰近頂點326之第一個 目標點和第一個切點之位置時，係依據最大的製程窗和最 佳的影像品質而決定。值得注意的是，本說明書雖然舉兩 個預定切點314、312和兩個預定目標點304、306組成之 四個校正片段排列組合為範例，但本發明不限於預定目標 點和/或預定切點的數目，預定目標點和/或預定切點的數目 越多，可得到越佳的影像品質，但所花的時間相對增加。 96040/ 0516-A41604TW/Final 8 201005564 例如，右S另一實施例有三個預定切點和三個 點，其將組成之九個校正片段排列組合，若當又實:: 例有四個預定切點和四個預定目標點，其將組成之十六個 校正片段排列組合，以此類推。 以1Γ詳細_有關影像品質之參數’影像對比(image contrast)係為影像品f之重要參數之一，而影像對比一般 係以;^準影像對數斜率(n〇rmalized ⑽y〇pe，nILS) ❹定義之。請參照第4圖，光罩開口間影像強度的斜率越陡 峭，則影像對比越佳，標準影像對數斜率(NILS0〖可以下 公式表示： = ’其中|係為光罩開口的寬度，1係為影像 強度’ X係為位置。標準影像對數斜率(NILS)越大，影像 對比越佳。 另一個定義影像品質之重要參數之一係為光罩誤差增 ❸ 進係數（mask error enhancement factor，MEEF)，光罩誤差 增進係數(MEEF)可用以下公式表示： ，3CDmask係為光罩之線寬尺寸，3CDresist 係為曝出之光阻的線寬尺寸，當光罩誤差增進係數(MEEF) 越小時，光阻的線寬尺寸較不會隨著光罩之線寬尺寸誤差 而變化，亦即光阻的線寬尺寸越穩定，影像品質越佳（1.0 為最佳）。 因此，本發明實施例在根據複數個的預定目標點和預 定切點決定目標點和切點之位置（特別是鄰近熱點區頂點 96040/ 0516-A41604TW/Final 9 201005564 ^第一個目標點和第一個切點）時，即可根據哪一個預定目 ‘點和/或預定切點得到較大的標準影像對數斜率 和/或較小的鮮誤差增進錄(MEEF)，決定目標點和切點 之位置。 ❹ 局 因此，在本發明一較佳實施例中，可根據上述實施例 ^最佳影像品質之佈局，亦即，具有最大的標準影像 局斜率(NILS)和/或最小的光罩誤差增進係數⑽ef)之佈 根據上述，本發明在進行光學鄰近 步驟時，所定義之目標點和切點並非固定=4= 段具有-定的彈性，不僅可考慮到設計饰局確片 考量到製程窗，因此可定義出較佳的影像‘質。又’亦 以上提供之實施例係用以描述本發明 參 概念，其可包括或運用：更廣泛ΐ: 置組成、製造和使用之特定方法，並 1裴 任何熟習此技藝者，在不脫離本發明 、發明’ 可作些許之更動與潤飾。因此，本發明=内’當 後附之申請專利範圍所界定者為準。’、濩靶圍，當視 96040/ 0516-Α41604TW/Final 201005564 【圖式簡單說明】 第1A圖和第1B圖顯示一種習知的光學鄰近效應修正 法之修正步驟。 第2圖說明本發明一實施例光學鄰近效應修正法之流 程。 第3圖顯示一光罩佈局之平面圖，用以說明本發明一實 施例光學鄰近效應修正法之修正步驟。 第4圖係顯示影像強度相對於位置之曲線圖。

主要元件符號說明】 102〜第一目標點； 104〜第一切點； 106〜危險之區域； 110〜圖案輪廓； 3 04〜第一預定目標點； 308〜切點； 312〜第二預定切點； 316〜第一校正片段； 320〜第四校正片段； 3 24〜熱點區； 101〜線段的尾端目標點； 103〜標點； 105〜切點； 108〜頂點； 302〜多邊形圖案； 306〜第二預定目標點； 310〜目標點；

314〜第一預定切點； 318〜第二校正片段； 322〜第三校正片段； 3 26〜頂點。 96040/ 0516-A41604TW/Final 11

Claims (1)

1. 201005564 十、申請專利範圍： i 一種光學鄰近效應修正法，包括： 建立光學鄰近效應修正法之模型； 進行一佈局圖案片段之修正步驟，包括： 於一光罩上鄰近熱點區附近之佈局圖案的邊緣上 定義出一目標點與一切點，包括以下步驟： 設定複數個預定目標點與複數個預定切點，並 φ 依據該些預定目標點與預定切點所產生出之修正圖案 的影像品質（image quality)，於該些預定目標點與預定 切點中選定作為佈局圖案片段修正之目標點與切點。 2. 如申請專利範圍第1項所述之光學鄰近效應修正 法’其中在設定該些預定目標點或預定切點時，會造成複^ 數個不同的校正片段組合，並依據該些校正片段所定義出 之圖案的影像品質’於該些預定目標點或預定切點中選定 目標點或切點。 3. 如申請專利範圍第1項所述之光學鄰近效應修正 法’其中判斷該修正圖案之影像品質係依據影像對比 (image contrast) 〇 4. 如申請專利範圍第3項所述之光學鄰近效應修正 法’其中該影像對比（image contrast)係以標準影像對數斜 率（normalized image log sl〇pe，NILS)定義，胤， dx 其中w係為光罩開口的寬度’ 1係為影像強度，x係為位置， 影像對比越大標準影像對數斜率(Nils)越大。 96040/ 0516-A41604TW/Final 12 201005564 5. 如申請專利範圍帛4項所述之光學鄰近效應修正 法，其中判斷該修正圖案之影像品質係依據標$影像對數 斜率(NILS)是否為最大。 6. 如申請專利範圍帛1賴述之光學鄰近效應修正 法，其巾雜佳㈣像品質㈣鮮縣增進係數㈣化 error enhancement factor，MEEF)定義，ΜΕΕρ^^ ’ / dCDmask 3CDmask係為光罩之線寬尺寸，3叫‘係為曝出之光阻的 ❹線寬尺寸，光罩誤差增進係數(MEEF)越小影像品質越佳。 7. 如申請專利範圍帛6項所述之光學鄰近效應修正 法，其中判斷該修正圖案之影像品質係依據光罩誤差增進 係數(MEEF)是否為最小。 、曰 8. 如申請專利第！項所述之光學鄰近效應修正 法，其中判斷該影像品質係依據標準影像對數斜率(nils) 是否為最大且光罩誤差增進係數(MEEF)是否為最小。 ❷9·如中請專利第丨項所狀料鄰近效應修正 法’其中鄰近熱點區附近之佈局圖案係指和熱點區中心點 距離約lum〜2um内之佈局圖案。 10·如中請專利範圍第丨項所述之光學鄰近效應修正 法，尚包括將該些複數個片段凸出或内縮，以進行校正佈 局。 11. 一種光學鄰近效應修正法，包括： 建立光學鄰近效應修正法之模型； 96040/ 0516-A41604TW/Final 13 201005564 進行一校正係局和模擬影像品質伽喂㈣脚)之步 複數侧定目標點和狀切點，並依據該些 傻標點和預定切點所產生出之修正圖案的標準影 =數斜率(肌S)’和光罩誤差增進係數(MEEF)，於該 ^定目標點或預定切點中選定作為佈局圖案片段修 之目標點和切點；及 根據該修正圖案輸出一佈局。 ❹/2盆如申請專利範圍第u項所述之光學鄰近效應修正 ㈣在設定該些預定目標點或預定切點時，會造成複 校正片段組合’並依據該些校正片段所定義出 =了是否具有最大標準影像對數斜率(NILS)和最小光罩 二差、a進係數(MEEF)，於該些預定目標點或預定切點中選 疋目標點或切點。 、13^如申請專利範圍第u項所述之光學鄰近效應修正 φ =其中該影像對比(image contrast)係以標準影像對數斜 罕（normalized image log slope，NILS)定義’厕= 其 dx ’、 2 w係為光罩開口的寬度’ 1係為影像強度，X係為位置， 影像對比越大標準影像對數斜率(NILS)越大。 14.如申請專利範圍第n項所述之光學鄰近效應修正 法·其中s亥影像品質係由光罩誤差增進係數(mask error enhancement factor，MEEF)定義，，3CDmask dCD麵k 係為光罩之線寬尺寸，3CDresist係為曝出之光阻的線寬尺 寸’光罩誤差增進係數(MEEF)越小影像品質越佳。 96040/ 0516-A41604TW/Final 14