TW200903122A - Fringe field switching mode LCD - Google Patents

Description

200903122 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種邊緣電場切換模式之液晶顯示器 (Fringe Field Switching mode Liquid Crystal Display, FFS-LCD)，且特別是指，一種在最小成本且不需特別的製 造過程下，具增大之穿透率及孔徑率的邊緣電場切換模式 液晶顯不。 【先前技術】 通常，一邊緣電場切換模式液晶顯示器係被建議用於 改善平面切換模式液晶顯示器（In-plane Switching mode Liquid Crystal Display，IPS-LCD )的低孔徑率與穿透 率，其係已揭露於韓國專利第1998-0009243號申請案中。 在邊緣電場切換模式液晶顯示器中，共同電極及晝素 電極係由一透明導體所製成，以增加相較於平面切換模式 液晶顯示器較高之孔徑率與穿透率，且在共同電極與晝素 電極間的空間相較於上下玻璃基板間的空間為窄，以形成 一介於共同電極與晝素電極間的邊緣電場，並驅動所有存 於該電極上部中的液晶分子，因而獲得改善的穿透率。 然而，在邊緣電場切換模式液晶顯示器中，一具有阻 擋光線效果的遮蔽區域通常被形成於資料線上，其係用以 減低孔徑率。 當該遮蔽區域被移除以改善孔徑率時，對比率 (Contrast Ratio, CR)會因為光線之、;贫露而產生惡化。從 6 200903122 而，該遮蔽區域並無法被移除。 【發明内容】 本發明係使電場形成於資料線中而有別於將電場形成 於旦素區域中央’進而可以移除遮蔽區域或減少遮蔽 形成的面積。 巧 本發明亦關於改善孔徑率及防止光線產生茂漏。 本發明係更進—步關於難資料線、透明共同電極及 透明晝素電極的縫隙距離、排列方式等，因此進一步提供 一種在最小成本且不需要特別的製造過程之下，且別、 控率的邊緣電場切換模式液晶顯示器（ffs_lgd)。9 本發明係更進一步關於在開極線與資料線穿過的非開 之透明共同電極上形成—低阻值的金屬線，= =動於金屬線及透明共同電％之間並減少透明共同電極 的城’目純供-鶴明亮㈣緣電場减 不窃，其係能有效地減低液晶顯狄日曰顯 的負载，並有效解決晝質的板上 線（VC〇m) 負載所引起的綠化（greenish)、由增加共同電極線 L 閃爍（flicker)等。 ^發明-方面提供了-種以電場 盗，包含有下基材、上基材、輿>认廿山、、欣日日，、、、員不 電場切換模式液晶顯示器，每、的液曰曰層之邊緣 彼此交錯的閘極線及資料線所定義’、區域係由"亥下基材上 於閑極線及資料線的交叉處，其切㈣置係被安置 晶顯示器包含〆透明晝素電極，&二緣電场切換模式液 一透明共同電極，其係 200903122 藉由介於該透明畫素電極與該透明共同電極間之隔絕層與 該透明晝素電極分開*並措由在液晶層施加電場來調整晝 素區域的穿透率，且於實際平行於該資料線的方向上，該 透明共同電極係具有預先決定寬度的複數個橫桿（bar)，該 透明共同電極具有一形成用以覆蓋資料線的第一橫桿及一 形成鄰接於晝素中央區域第一橫桿的第二橫桿，該第一橫 桿及第二橫桿之間的距離相較於形成於晝素區域中各橫桿 間的距離大，且該透明晝素電極的一端係被安置於該第一 橫桿及其鄰接的該第二橫桿之間。 該第一橫桿的寬度可以用該資料線寬度的一到五倍加 以形成。 該透明晝素電極的一端可以比第二橫桿更加接近第一 橫桿，且可以被置於第一橫桿與第二橫桿的中間。 較佳為，當基於該資料線而具有小於10%的最小穿透 率之非穿透區域係被包含於該資料線寬中時，其係能有效 地遮蔽該資料線的上部，即使該資料線上的遮蔽區域不存 在或顯著地減少。更佳為，一非穿透區域基於該資料線係 被包含於該資料線寬中，具有小於7%的最小穿透率。 該透明晝素電極可為平板狀、條狀或狹缝狀。 當該透明共同電極的個別晝素區域彼此連接，且相同 的電壓被施加於該透明共同電極上時，該透明共同電極可 以減低整體的阻值。 本發明另一方面提供了一種邊緣電場切換模式液晶顯 示器，包含有下基材、上基材及介於其中的液晶層之邊緣 8 200903122 電場切換模式液晶顯示器，每一晝素區域係由下基材上彼 此交錯的閘極線及資料線所定義，且切換裝置係被置於閘 極線及貢料線的父叉處’其中該邊緣電場切換模式液晶顯 示器包含一透明晝素電極，及一透明共同電極，其係藉由 介於該透明晝素電極與該透明共同電極間的一隔絕層與該 透明晝素電極分開，並藉由施加一電場至該液晶層以調整 晝素區域的穿透率，於實際平行於該資料線的方向上，該 透明共同電極係具有預先決定寬度的複數個橫桿（b a r )，且 其中一橫桿係形成用以部分或全部地覆蓋及隔絕該資料 線，及一形成於包含該資料線區域的電場相較於形成於晝 素區中央區域的電場具有較小的垂直電場分量。 同時，當一電壓被施加於該透明晝素電極及該透明共 同電極時，個別電極的排列方式、縫隙距離等係被加以調 整，該資料線及一相鄰區域的穿透率可被顯著地減低。因 此，移除該資料線及相鄰區域上的遮蔽區域或大量地減少 遮蔽區域的形成是可行的，且亦可以防止向錯 (disciination)的產生 ° 本發明的另一方面提供了 一種邊緣電場切換模式液晶 顯示器，包含一下基材、一上基材、一液晶層，其係介於 該上下基材之間，每一晝素區域係由該下基材上彼此交錯 的閘極線及資料線所定義，且切換裝置係被置於該閘極線 及該資料線的交叉處，其中該邊緣電場切換模式液晶顯示 器包含了一透明晝素電極，及一透明共同電極，其位於該 閘極線與該資料線形成的非開口區域，係藉由介於該透明 200903122 晝素電極與該透明共同電極間的一隔絕層與該透明畫素電 極分開，在晝素區域藉由施加電場至該液晶層以調整其穿 透率，且形成一特定厚度的金屬線以電性連接至該透明共 同電極，其係位於該閘極線及該資料線形成的非開口區域 所在的該透明共同電極之上或之下。 【實施方式】 如後所述，本發明中之例示實施方式將詳盡描述。然 而本發明之内容並不僅限於下列揭露之實施方式，其係可 以用不同的型態加以實施。後述的實施方式係依所屬技術 領域中具有通常知識者能夠具體實現及實行本發明的方式 加以描述。 一邊緣電場切換模式液晶顯示器包含有一下基材、一 上基材及介於其基材間的一液晶層，每個晝素區域係由該 下基材上彼此交錯的閘極線及資料線所定義，且切換裝置 係被置於該閘極線及該資料線的交叉處。為了藉由施加一 電場至該液晶層以調整其穿透率，該邊緣電場切換模式液 晶顯示器在該畫素區域具有一透明晝素電極及一透明共同 電極，其係藉由介於該該透明晝素電極與該透明共同電極 間之一隔絕層與該透明畫素電極分開，用以部份重疊於該 透明晝素電極上。 第一 A圖為根據本發明中的一個例示實施方式，形成 邊緣電場切換模式液晶顯示器中下基板上的晝素區域製造 過程的一部份之平面視圖，第一B圖至第一 E圖為顯示依 200903122 序形成與堆疊各層的平面視圖，第二圖為沿著第一 A圖中 I-I /切線的剖面圖，第三圖為沿著第一 A圖中II-II 一切 線的剖面圖。 對照第一 A圖至第一 E圖、第二圖、第三圖，一閘極 線G係由一不透光金屬所製成且與一資料線600以直角交 錯排列於一下基材100上，藉此形成一單元晝素。在此一 單元晝素區域中，一透明共同電極800與一透明晝素電極 400係與一插入該二電極800與400中間之隔絕層700配 置一起。該透明晝素電極4 0 0係以如：平板狀的形狀置於 該資料線600的同一層上，且該透明共同電極800藉由圖 案化置於該隔絕層700上的一透明導電層並部分重疊該透 明晝素電極400以形成複數個橫桿。 在閘極線G中的閘極電極200上，一主動區域圖案500 具有一連續沉積非結晶矽（a-Si)層、n+非結晶矽層及源極 電極600a與汲極電極600b，其係與一置於閘極電極200 與主動區域圖案500之間的一閘極電極隔絕層300配置一 起，從而形成一薄膜電晶體（Thin Film Transi si tor, TFT)，該没極電極600b係電性連接於該透明 晝素電極400以提供一資料信號給該單元晝素。 同時，一彩色濾光片（圖中未示）係對應於形成於該下 基材100上的每一晝素區域且於該上基材中顯示出該顏色 於螢幕上。在該資料線600上的一遮蔽區域，如：黑矩陣， 可以被移除，不同於習知技藝，或相較於習知技藝可以縮 減其範圍。更進一步而言，不同於習知技藝，該遮蔽區域 11 200903122 從該資料線600上移除。此外，該透明共同電極8〇〇在習 知技藝中並未形成於該資料線6〇〇之上，但在本發明之一 例不實施方式中係形成於該資料線6〇〇之上。 一製造邊緣電場切換模式液晶顯示器的方法將參考第 -A圖至第、第二圖、第三圖詳盡地被描述。 根據第一 A圖至第一 E圖、第二圖、第三圖，該閉極 線G包含形成於该下基材1〇〇上的閘極電極獅。更具體 而言’一不透光金屬層係被沉積且圖案化於該下基材1〇〇 上’因此該閘極線G包含了於該下基材刪上形成於該薄 膜電晶體”T”的閘極電極2 〇 〇。

Ik後’5亥閘極電極隔絕層3〇〇係被置於整個下基材 上以覆蓋包含閘極電極的閘極線G，且該平板狀的透 明晝素電極4GG係藉由在該閘極電極隔絕層3⑽上沉積且 圖案化一透明導電層而配置於每一個晝素區域。 在組合的基材上，依序沉積有一非晶矽層及另一 N+非 晶矽層，並在位於閘極電極200之上的閘極電極隔絕層3〇〇 進行圖案化形成主動區域圖案5〇〇。 在沉積一供源極與汲極使用的金屬線後，藉由圖形化 形成包含源極電極60〇a與汲極電極6〇〇b的資料線6〇〇， 從而形成該薄膜電晶體”τ”。在此，該源極電極6〇〇b係以 電性連接於該透明晝素電極4〇〇。 隨後，該隔絕層700係由如氮化矽（siNx)沉積於形成 薄膜電晶體”T”的組合結構上，且隨後具有一橫桿及狹縫形 狀的該透明共同電極800被形成，用以部份或全部覆蓋^ 12 200903122 該透明晝素電極400之上。之後，雖然圖中未示，但一對 f層係被沉積於該透明共同電極8〇〇所形成的組合基材之 最上部，因而完成一矩陣基材的製造。 同時，—彩色濾光片係選擇性地形成於該上基材上， 且該對準層係形成於她合基材上。該上基材及下基材⑽ ，於其間附加一液晶層於基材間，因而完成一根據本發明 實施方式之邊緣電場切換模式液晶顯示器，當然，偏光片 亦~τ以在基材貼合後附加於個別基材外部表面上。 在第一 Α圖中’該透明晝素電極400係以平面形式被 呈現。該透明晝素電極4〇〇可以具有一橫桿及狹縫等形 狀’但平板狀較其他形狀更為有效率。 參考第四圖，該透明共同電極800包含了—複數的橫 棹，其係具有一覆蓋整體部件的結構，除了在薄膜電晶體 形成的區域（見第一 A圖及第二圖）且電性連接於個別晝素 區域而不需内部連接線。 本發明之一實施方式將參照第三圖及第四圖做更進一 步的祥細敛述。 該透明共同電極800含有一具有預先決定寬度且其方 白係實質上平行於該資料線600的複數橫桿。讀透明共同 電極800的一第一橫桿Cl係被形成用以覆蓋該整條資料線 6〇〇’如此依習知技藝所使用在資料線6〇〇上的陰影區域可 以被移除或顯著移除。 換言之，該第一橫桿G是被配置於該資料綠6〇〇上， 因而能夠減少向錯並增加穿透率。在此，將該第—橫桿Ci 13 200903122 所形成的一寬度大於該資料線600的一寬度L3並覆蓋整 條該資料線600是有效的。在此種構造中，該第一橫桿Ci 可用以預防該資料線600的電場。較佳為，該第一橫桿Cl 所形成的寬度L!係為該資料線6〇〇寬度l3的一到五倍大， 且更佳的情況，形成為該資料線600寬度b的2到4. 5倍 大0 在該透明共同電極800裡該第一橫桿Ci與一第二横捍 C2間所形成的一距離D!係大於一晝素裡橫桿之間的距離 D2。於此構造裡，在包含該資料線6〇〇的一區域B中，由 該透明晝素電極400、該透明共同電極800及該資料線6〇〇 所形成的電場，相較於在一晝素區中央區域A中，由該透 明晝素電極400與該透明共同電極8〇〇所形成的電場，具 有一較小的垂直電場分量。而在該第一橫桿Ci及相鄰的該 第一板杯G間形成的距離匕’可比該晝素裡橫桿間的距離 D2 大 〇. 5 至 3 e m。 杈佳地，該第二橫桿的形成寬度L小於該第一橫桿 g至該第二橫桿Cz間的距離Di，且小於在該晝素區域的一 方向上該第二橫桿&與鄰接於該第二橫桿Cz的一第三橫桿 ^間的距離D2。更佳地，該第二橫桿G的形成寬度L2比該 第杈杯Cl至该第二橫桿C2所形成的距離D!小2至4# D1。 此外，該第二横桿G的形成寬度L2比該第二橫桿C2鱼該 第三橫捍匕間的距離D2小1.5至2.5//m。 ，、 从該透明晝素電極彻的一端E係位於該第—横桿Cl與 覆盘該貝料線_的透明共同電極_鄰近的該第二橫桿 14 200903122 C2之間。較佳為，該透明書带 一横裎「pe —素包極400的一端£比起該第 一杈知C2更為接近該第一樺 示 m 4〇〇 /、 Ci。更佳為，該透明晝素電 桿Gl與該第二樺桿匕之 間：中央部位。該「中央部位 2之 =份可以具有一預先決定的誤差(由正中中=及 心。、‘為级5，）’其係相較於實際製造過程中的正中 上的在此結射，—可以御成於該資财_之 區域具有近似於該資料線600的寬度，並能夠 i 錯及防。因此，即使在移除了習 σ技β中所使用的資料線遮蔽區後仍可以阻隔光線。 ▲第五Α圖至第五D圖顯示了根據本發明實施方式中， =明晝素電極彻的-端e置於該第一橫桿㈣該第二 横桿C2間的位置上，其穿透率變化比較的模擬結果。 —山根據第五A圖至第，當該透明晝素電極彻的 端E係被置於比起該第一橫桿Ci更為接近該第二橫桿q 的位置時，穿透率為63. 94%(見第五A圖）。當該透明晝素 電極400的一端E係被置於該第一橫桿Ci與該第二橫桿g 之間的正中央位置時，穿透率為74. 46%(見第五B圖）。當 該透明畫素電極400的一端E係被置於較為接近該第一樺 桿匕的位置時，穿透率為75· 72%(見第五c圖）。當該透明 晝素電極400的一端E係被置於該第一横桿C!的位置時， 穿透率為76. 12%(見第五D圖）。理論上，當添加偏光板的 情況下’第五A圖至第五D圖的穿透率將被除以二。 15 200903122 A 況’ # —區域係對應於最小的 = ，被視為是一非穿透區域，該#穿透區 域的寬度X相對於該¥料線_的寬度L3為大。所以，孔 控率因而減少’且穿透率亦能整體變低。 “在f五D圖顯示了高穿透率’但對應於該資料線600 4的牙透率曲線最小值的地方則高出了⑽。因此，幾 非穿透區域，且發蝴漏。從而，不能移除或 減父該^料線6〇〇上的遮蔽區域。 本發明的發明者發現將該透明晝素電極彻的一端e 置於該第-横桿G及該第二橫桿G之間時，置於接近該第 =松桿Cl的位置纽置於接近該第二横桿C2的位置更有效 率亦或可以置於該第一橫捍Ci及該第二横桿匕間的中央 部位，如同第五β圖及第五C圖的情況。 、 * “、、第五Β圖及第五c圖’當—區域係對應於最小的 穿透率’即小於10%時’被視為是一非穿透區域，該非穿 透區域的寬度X相對於該資料線_的寬度L為相等或更 小。更具體而言，本發明的發明者發現在該非穿透區域中， 可以保持穿透率，防止光錢發生，並形成一類似於該資 料線600的適當非穿透區域。 同時，在第五A圖中，該資料線6〇〇上部的穿透率產 生一由最大值減低的曲線，其係遠低於書素 值’因而穿透率產生全部減低。在第圖中，== 6〇〇上部的最小穿透率係高於第五八圖、第^圖及第五〇 圖中的最小穿透率，因此並未形成非穿透區域。 16 200903122 參照第六圖係有更詳盡的細節描述。 第六圖係顯示基於該資料線600的最小穿透率曲線。 根據第六圖，顯示了拋物線狀的穿透率曲線，其係在該資 料線600的中央具有最小值（參見第五A圖至第五D圖）。 在此，假設一區域中穿透率曲線對應為10%或更低係 被定義為一非穿透區域，本發明之發明者發現本發明之效 應在一非穿透區域被界定為相同或小於該資料線600的寬 度L3為最佳。 換言之，當穿透率曲線（a)到（d)如同第六圖中所示， 該資料線600的寬度L3係與個別穿透率曲線中非穿透區域 的寬度進行比較。而後，該穿透率曲線（a)遠大於該資料線 600的寬度L3，該穿透率曲線（b)具有一近似於該資料線600 寬度1^的一非穿透區域，該穿透率曲線（c)則小於該資料線 600的寬度L3，而該穿透率曲線（d)並不具有非穿透區域。 同時，當一穿透率曲線的一非穿透區域係等於或小於 該資料線600的寬度1^時，該穿透率可以被確保，且光洩 漏可以被預防，並且一適當的非穿透區域係以近似於該資 料線600被形成。因而，有可能不形成一遮蔽區域（通常被 形成於基材之上）或形成一顯著地縮小的遮蔽區域。 在第六圖中，一非穿透區域具有小於10%的穿透率。 較佳的情況下，具有穿透率小於10%的區域係被決定為一 非穿透區域，但該穿透率可以小於5%或小於7%。 第七圖為根據本發明另一個實施方式的邊緣電場切換 模式液晶顯示器平面圖，第八圖為沿著第七圖中I-I /切 17 200903122 線的剖面圖，且第九圖 而网。楚丄 σ者第七圖中11 -11 /切線的剖 的；面圖；：著第七圖之修改實施方式中卜刀線 二:夕十—圓為沿著第七圖之修改實施方式中 、会 很據第七圖至第十一圖，本發明另 t式的邊緣電場切簡式液晶顯4大略包含了 :上：騎1100與一下部基材·，其係彼此面對面地 、固 九且/夜晶層1300填充入由兩基材及間隔物 (圖未示）間預備的一液晶空間中。 在此，該上基材1100通常對應地為一彩色遽光片矩陣 基材，且大致包含了一隔離基材1110，一遮蔽區域1120, 一彩色濾光片1130及其他部份。 該遮蔽區域1120為防止光心關—遮蔽單元且在基 材1110上形成特定間隔。通常，該遮蔽區域1120定義紅 00 、、’彔（G)及藍（B)彩色濾、光片的邊界，且由包含黑色染料 的感光性有機物質所形成。 該彩色濾光片1130包含了紅（R)、綠（G)及藍（B)彩色 濾光片圖案係被配置於各個遮蔽區域112〇之間，且用以對 由背光裝置（圖未示）所放射出的光線給予色彩化並穿透該 液晶層1300。 更具體而言，由不透光材質所形成的閘極線GL與資料 線DL ’係以直角交叉的形式配置於該下基材12〇〇上以形 成一單位晝素。在該單位晝素區域，一透明共同電極丨22〇 及一透明晝素電極1230係與插入於兩電極1220及1230之 間的一隔絕層1240配置一起。該透明晝素電極1230係以 18 200903122 此種方式配置，如：在同一層的一平板做為該資料線DL， 且該透明共同電極1220係藉由圖案化位於該隔絕層124〇 上的一透明導電層而具有複數個橫桿且部分重疊於該透明 晝素電極1230。 在位於該閘極線GL上的一閘極電極125〇，一主動區 域圖案1270包含了 一連續沉積的非晶石夕層及…非晶石夕 層，且源極電極與汲極電極128〇a及128〇b係與介於該閘 極電極1250與該主動區域圖案腳間的一閘極電極隔絕 層1260配置在ϋ而形成—薄膜電晶體。該没極電極 1280b係電性連接於該透明晝素電極123〇以提供一資料訊 號至該單位晝素。 、° 特別疋，用以減低該透明共同電極122〇阻值的一低阻 值金屬線1290係形成在位於非開口區域_透明共同電 極測上，且具有—特定的厚度，即，在—非穿透區域中 形成該_線GL㈣㈣線DL，且錄祕於該透明共 同電極1220。 在此’該低電阻金屬線1290的厚度大約為數百 angStr°mS(A)，所以使得形成在該金屬線湖上的該透 明共同電極1220因落罢而此、土上m Λ 各差而斷連或因研磨落差而引起光洩 漏的情況會降到最低1而隨著LGD的尺寸增加，厚度可 以為1_ Α或更多以減少該透明共同電極的阻值。 該低電阻金屬線129()可以由低阻值金屬物質所形 成’其最少包含-金屬或一合金金屬，如，銅(cu)、鋁⑼、 銘鉞合金⑽d)、_Q)、鈦㈤及减合金（m〇w)。 200903122 如上所述，位於非開口區域裡該透明共同電極之上或 之下作為電性連接的該低阻值金屬線1290，其係由該閘極 線弘與該資料線DL穿越以減低該透明共同電極1220的ft且 f因而，其能夠有效地減低一共同電極線（Vcom)在一液 曰曰面板的負載並有效地解決晝面品質問題，如由增加 負載所5丨起的綠化（Sreenish)、閃爍（flicker)等。 、根據本發明的邊緣電場切換模式液晶顯示器，可以移 除或減y形成於該遮蔽區域間的該資料線上用以阻隔光 線防止光線洩漏及向錯發生的遮蔽區。 本發明調整了一資料線 丨飞、艰、一您明丹问電極與一 旦。電極的寬度、排列等，因而以最少的成本且不 要特別的程序增加了孔徑率。 再者本發料叫㈣應时邊緣電場 晶面板上，使苴且右古古庳而τ太4卓* 、棋式液 從/、八有间冗度而不產生晝素品質問題，如中 尺寸液晶面板的孔徑率減少，綠化㈣題，以及 記型電腦的小尺寸液晶面板。 、筆 當本發明參照所揭露及描述的相關實施方式，可 所屬技術領域巾通常知識者在不麟本發明之精神和發 所界定的中請範圍内，可具有不_形式及細節的變動X。 【圖式簡單說明】 第- A圖至第- E圖為根據本發明之一例示實施方 於下f板上的晝素區域形成邊緣電場减模式液晶顯示^ 的層登構造過程平面視圖。 ° 200903122 =一圖為沿著第—A圖中卜「切線的剖面圖。 f三圖為沿著第一 A圖中切線的剖面圖。 =四圖為顯示第一A圖中各叠層的平面視圖。 式 =A圖至第五D圖為根據本發明之 :明畫素電極的一端置於某_位置所產生“ 化的极擬比較結果圖。 复 第六圖為以資料線作為基準之最小穿透率的圖式。 ^圖為根據本發射的另—麻實财式的邊 舒切換杈式液晶顯示器平面圖。 、 第八圖為沿著第七圖中卜1-切線的剖面圖。 第九圖為沿著第七圖中IHK切線的剖面圖。 剖面^圖為沿著第七圖之修改實施方式巾線的 第十一圖為沿著第七圖之修改實施方式中丨卜 線的剖面圖。 刀 【主要元件符號說明】 100、1210下基材 200閘極電極 300、1260閘極電極隔絕層 400、1230透明畫素電極 500主動圖案 600a源極電極 600b汲極電極 21 200903122 600資料線 700 、1240隔絕層 800、1220透明共同電極 1100隔離基材 1110隔離基材 1120遮蔽區域 1130彩色濾光片 1200下基材 1250閘極電極 1270主動區域圖案 1280a源極電極 1280b汲極電極 12 9 0低阻值金屬線 1300液晶層 E透明晝素電極的一端 C1第一橫桿 C2第二橫桿 C3第三橫桿 X 非穿透區域的寬度 (a) 穿透率曲線 (b) 穿透率曲線 (c) 穿透率曲線 (d) 穿透率曲線 DL資料線 22 200903122 GL閘極線 i. 23

Claims (1)

1. 200903122 十、申請專利範圍： 1. 一種邊緣電場切換模式液晶顯示器，包含一下基材、一 上基材及一液晶層，其係介於該上下基材之間，每一晝 素區域係由該下基材上彼此交錯的閘極線與資料線所定 義而成，且切換裝置係被置於該閘極線與該資料線的交 叉處， 其中該邊緣電場切換模式液晶顯示器包含一透明晝素電 極，及一透明共同電極，其係藉由介於該透明晝素電極 與該透明共同電極間之一隔絕層與該透明晝素電極分 開，在晝素區域藉由施加一電場至該液晶層以調整其穿 透率，該透明共同電極於實際平行於該資料線的方向上 係具有預先決定寬度的複數個橫桿（bar); 該透明共同電極具有一第一横桿形成用以覆蓋該資料線 及一第二橫桿形成於晝素中央區域而鄰接該第一橫桿， 該第一橫桿及該第二橫桿間的距離相較於形成於晝素區 域中各橫桿間的距離大；且 該透明晝素電極的一端係被安置於該第一橫桿及其鄰接 的該第二橫桿之間。 2. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯 示器，其中覆蓋於該資料線上該透明共同電極的該第一 橫桿之寬度大於相鄰該透明共同電極的該第二橫桿之寬 度。 3. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯 示器，其中該透明晝素電極係與該資料線置於同一層上。 24 200903122 4. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯 示器，其中該透明晝素電極及該資料線係與插入其間的 該隔絕層配置在一起。 5. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯 示器，其中該透明晝素電極的一端比該第二橫桿更為接 近該第一橫桿。 6. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯 示器，其中該透明晝素電極的一端係置於該第一橫桿與 該第二橫桿的中央部位。 7. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯 示器，其中，基於該資料線而具有一小於10°/。的最小穿 透率的一非穿透區域係被包含於該資料線寬中。 8. 如申請專利範圍第7項所述之邊緣電場切換模式液晶顯 示器，其中，基於該資料線而具有一小於7%的最小穿透 率的一非穿透區域係被包含於該資料線寬中。 9. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯 示器，其中該透明晝素電極可為平板狀、條狀或狹缝狀。 10. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶 顯示器，其中該透明共同電極的每一畫素區域係彼此連 接且以相同電壓施加於該透明共同電極上。 11. 一種邊緣電場切換模式液晶顯示器，包含一下基材、一 上基材及一液晶層，其係介於該上下基材之間，每一晝 素區域係由該下基材上彼此交錯的閘極線與資料線所 定義而成，且切換裝置係被置於該閘極線與該資料線的 25 200903122 交又處； 其令該邊緣電場切換模式液晶顯示器包含一透明畫素 電極’及-透明共同電極，其係藉由介於該透明晝二帝 $與該透明共同電極間的—隔絕層與該透明晝料極 :開，在晝素區域藉由施加一電場至該液晶層以調整其 穿透率； 、 月共㈣極於實際平行於該資料線的方向上係且 =^決定寬度的複數個橫桿，且—横捍係形成用以部 刀或王部地覆蓋及隔絕該資料線；且 形成於包含該㈣、㈣域的電勒較 12 2中央區域的電場具有較小的垂直電場分量。、旦 11項所述之邊緣電場切換模式液晶 電極具有—第一横桿完全覆蓋 二第%^ 在該晝素區域中鄰接於該第-橫桿之 木子買才于0 13.如申請專利範圍第12項 •顯示器，其中該透明晝素電2邊==切換模式液晶 间蝥把& 于、电嵇的知係被置於該透明乒 電極的該第—橫桿與該第二橫桿之間。 .如申請專利範圍第12 顧示器，射該透明畫素電=邊式液晶 接近該第一横桿。 μ苐一杈桿更為 15.如申請專利範圍第12項所述之邊 顯示器，其中該透明書辛電仙緣W切換模式液晶 偽斗松 一畜茶極的一端係置於嗜篦一护炉 與該第二横桿的中央部位。 、^第秩杯 26 200903122 16. 如申請專利範圍第12項所述之邊緣電場切換模式液晶 顯示器，其中，基於該資料線而具有一小於10%的最小 穿透率的一非穿透區域係被包含於該資料線寬中。 17. —種邊緣電場切換模式液晶顯示器，包含一下基材、一 上基材及一液晶層，其係介於該上下基材之間，每一晝 素區域係由該下基材上彼此交錯的閘極線與資料線所 定義而成，且切換裝置係被置於該閘極線與該資料線的 交又處； 其中該邊緣電場切換模式液晶顯示器包含一透明晝素 電極，及一透明共同電極，該透明共同電極與該透明晝 素電極在該閘極線與該資料線形成的一非開口區域中 係藉由介於該透明晝素電極與該透明共同電極間的一 隔絕層與該透明晝素電極分開，並在晝素區域藉由施加 一電場至該液晶層以調整其穿透率；及 形成一特定厚度的金屬線以電性連接至該透明共同電 極，其係位於該閘極線及該資料線形成的非開口區域裡 該透明共同電極之上或之下。 18. 如申請專利範圍第17項所述之邊緣電場切換模式液晶 顯示器，其中該金屬線係由一低阻值金屬物質所形成， 其中最少包含如銅（Cu)、鋁（A1)、鋁鈥合金（AINd)、鉬 (Mo)、欽（Ti)及錮鎮合金（MoW)之一金屬或一合金。 27