TW200909814A - Method of positioning an anisotropic conductive connector, method of positioning the anisotropic conductive connector and a circuit board for inspection, anisotropic conductive connector, and probe card - Google Patents

Description

200909814 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明，例如係有關於在對電子構件等之電路元件相 互間的電性連接或是印刷基板的檢查裝置中作爲連接器而 適於被使用的向異導電性連接器之定位方法、此向異導電 性連接器與檢查用電路基板間之定位方法、以及向異導電 性連接器、以及探針卡。 【先前技術】 作爲向異導電性薄片，例如，係週知有：僅於厚度方 向展現有導電性者；又或是具備有僅於在厚度方向被加壓 時而僅於厚度方向展現有導電性的加壓導電性導電部者。 此些向異導電性薄片，係具備有：不需使用焊接或是機械 性之嵌合等的手段，即可達成緊緻（compact)之電性連 接、和當薄片材料係爲彈性體等之具有彈性者的情況時， 係可對機械性之衝擊或是歪曲作吸收，而可進行柔軟之連 接等的特徵。 因此，利用此種特徵，例如，係在電子計算機、電子 式數位時鐘、電子攝像機、電腦鍵盤等之領域中，作爲用 以將電路元件作連接、例如用以達成印刷電路基板與無導 線晶片載體、液晶面板等的相互間之電性連接的連接器， 而被廣泛使用。 又，在印刷基板等之電路基板的電性檢查中，用了達 成被形成於身爲檢查對象之電路基板的其中一面處之被檢 -6- 200909814 查電極和被形成於檢查用電路基板之表面處的連接用電極 間之電性連接，係進行有：在電路基板之被檢查電極區域 與檢查用電路基板之連接用電極區域之間，作爲連接器而 使向異導電性薄片介於存在。 例如，如圖22所示一般，在身爲檢查對象之電路基 板91與檢查用電路基板92之間配置向異導電性連接器 93，並藉由對電路基板91加壓，而使此電路基板91抵接 於向異導電性連接器93，同時，在此狀態下’對檢査用 電路基板92供給電性訊號，並從檢查用電路基板92之檢 查用電極而送至向異導電性連接器93以及電路基板91之 電極94，而後，藉由再度使該電性訊號通過向異導電性 連接器而回到檢查用電路基板92處，來檢測出電路基板 9 1之電路。 於先前技術中，作爲此種使用於電性檢查中之向異導 電性薄片，係週知有各種之構造者，例如，在專利文獻 1 (日本特開昭5 1 - 9 3 3 9 3號公報）等之中，係揭示有在彈性 體中將金屬粒子均勻地分散所得到的向異導電性薄片（以 下，將此稱爲「分散型向異導電性薄片」），又’在專利 文獻2(日本特開昭5 3 - 1 47772號公報）等中，係揭示有： 藉由在彈性體中使導電性磁性體粒子作不均勻的分佈’而 形成在厚度方向延伸之多數的導電路形成部、和將此些相 互作絕緣之絕緣部，所得到的向異導電性薄片（以下’將 此稱爲「偏在型向異導電性薄片」），進而，在專利文獻 3(日本特開昭61-250606號公報）等之中，係揭示有在導 200909814 電路形成部之表面與絕緣部之間被形成有階段差之偏在型 向異導電性薄片。 在專利文獻4(日本特開200 5 -20 1 8 92號公報）等中， 係揭示有將周邊藉由由金屬等所成之支持體來作支持的偏 在型向異導電性薄片。 而，偏在型向異導電性薄片，由於係依據與電路基板 等之電極圖案相對向的圖案而被形成有導電路形成部，因 此，相較於分散型向異導電性薄片，就算是對於應連接之 電極係以小間距而被配置之電路基板，亦能夠以高信賴性 而達成電極間之電性連接，於此點上，係爲有利。 然而，近年，在表面安裝LSI或是電子電路基板中， 電極尺寸與電極間尺寸係更進而細微化、高密度化，對應 於此，對於向異導電性薄片，亦開始要求有導電部之形成 等的細微化。由於此種細微化之進行，在向異導電性薄片 中，彈性體之面積與導通部之面積比係變小，相對於歪斜 之彈性體所支撐的單位面積之荷重負荷係變大，而彈力性 係降低。 又，與向異性導電薄片相接觸之電子電路基板的突塊 形狀，在高度方向上亦有某種程度的誤差。故而，由於突 塊之形狀，而會部分性產生受到有高度歪斜之部分，在向 異導電性薄片中，係以具備有可充分吸收該突塊形狀之高 度誤差的彈性爲理想。 進而，先前技術之偏在型向異導電性薄片，係將矽橡 媵等作爲基材’而柔軟的形成，但是，與此作連接之電路 -8- 200909814 基板或半導體元件等，係由含有玻璃纖維之環氧樹脂、銅 等之金屬板、或是矽等之具備某種程度之剛性的材質所形 成。故而，當欲將柔軟之向異導電性薄片與此些之對象物 作正確的對位時，由於兩者之硬度或熱膨脹係數係爲相 異’因此，由於溫度之變化，兩者之電極位置會產生偏 差’而有無法得到電性導通之情況。此種問題，當電極間 隔越狹窄、成爲越細微之電極圖案時，係越爲顯著。 爲了解決此種問題，藉由本申請人，例如，在專利文 獻5(日本特開平1 0-200242號公報之圖8)、或者是專利 文獻6(日本特開平1 1 -273 772號公報之圖1)、專利文獻 7(日本特開2004-22:7 828號公報）中所揭示一般，例如係 提供有3層構造之層積體。亦即是，在專利文獻5' 6、7 中’係於表背面被配置有由彈性體所成之向異導電性橡膠 薄片，同時’在此些之向異導電性橡膠薄片之間，係作爲 中間層，而被配置有可取得電性導通且具備適度剛性之電 路基板。 [專利文獻Π日本特開昭5 1 -93 3 93號公報 [專利文獻2]日本特開昭53-147772號公報 [專利文獻3 ]日本特開昭6 1 - 2 5 0 9 0 6號公報 [專利文獻4]曰本特開2005-201892號公報 [專利文獻5]曰本特開平10 — 200242號公報 [專利文獻6]日本特開平u_273772號公報 [專利文獻7]日本特開2004-227828號公報 200909814 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 然而，就算是此種具備有較爲硬質之中間層的3層構 造之向異導電性連接器，亦需要將從第1層起至第3層爲 止之定位更正確地來進行。若是此定位並不正確，則係無 法對成爲檢查對象之晶圓等進行正確的電性檢查。又，在 製造向異導電性連接器時，係要求能夠更低價的來製造。 本發明，係有鑑於此種先前技術中之實情，而以提供 一種’ ·可將柔軟之向異導電性薄片對於對象物而確實地且 容易地並更進而低價地進行對位之向異導電性薄片之定位 方法爲目的。 又，本發明，係以提供一種：就算是對於例如3層構 造之向異導電性連接器，亦可將各薄片之定位確實地且容 易地進行之向異導電性連接器之定位方法爲目的。 又’本發明，係以提供一種：能夠將此3層構造之向 異導電性連接器與檢查用電路基板間之定位確實地且容易 地進行之向異導電性連接器與檢查用電路基板間之定位方 法爲目的。 進而’本發明，係以提供一種：在與身爲被檢查體之 晶圓等的電路基板之間、或者是在與檢查用電路基板之 間’難以產生電極位置之偏差，而能夠進行正確的定位， 並進而能夠以更低價來製造的3層構造之向異導電性連接 器爲目的。 而後’本發明’係以提供一種：使用有將向異導電性 -10- 200909814 薄片之導電部與中央基板之電極作了正確的定位之向異導 電性連接器，而能夠對於細微、高密度之被檢查物，以高 精確度來進行檢查之探針卡爲目的。 [用以解決課題之手段] 本發明之向異導電性薄片之定位方法，其特徵爲：在 將柔軟之向異導電性薄片對於對象物而進行定位時，於前 述向異導電性薄片處，形成半透明之突起，同時，在前述 對象物處形成記號，再經由被形成於前述向異導電性薄片 處之前述半透明之突起，來識別前述記號，藉此，而進行 前述向異導電性薄片之對於前述對象物的定位。 若藉由此種定位方法，則能夠將柔軟之向異導電性薄 片對於對象物而正確地進行定位。 於此，在本發明中，在將柔軟之向異導電性薄片對於 對象物而進行定位時，亦可爲如同下述一般，於前述向異 導電性薄片處，形成半透明之突起，同時，在前述對象物 處形成貫通孔，再經由被形成於前述向異導電性薄片處之 前述半透明之突起’來識別前述貫通孔，藉此，而進行前 述向異導電性薄片之對於前述對象物的定位。 進而’在本發明中，在將柔軟之向異導電性薄片對於 對象物而進行定位時，亦可爲如同下述一般，於前述向異 導電性薄片處’形成至少2個的半透明之突起，同時，在 前述對象物處’形成至少1個的記號與至少1個的貫通 孔’再經由被形成於前述向異導電性薄片處之1個的半透 -11 - 200909814 明之突起，來識別前述記號，同時，經由另外之1個的半 透明之突起，來識別前述貫通孔，藉此，而進行前述向異 導電性薄片之對於前述對象物的定位。 就算是藉由此種定位方法，亦能夠將柔軟之向異導電 性薄片對於對象物而正確且容易地進行定位。 又’在本發明中，亦可如同下述一般，在被形成於前 述向異導電性薄片處之前述半透明之突起的週邊部處，預 先形成非透明之對位用標記，並在對前述向異導電性薄片 與前述對象物進行定位時，首先，使此對位用標記接近前 述對象物之前述記號，而後，將前述半透明之突起與前述 記號之中央相對合，來進行定位之微調整。 進而，在本發明中，亦可如同下述一般，在被形成於 前述向異導電性薄片處之前述半透明之突起的週邊部處， 預先形成非透明之對位用標記，並在對前述向異導電性薄 片與前述對象物進行定位時，首先，使此對位用標記接近 前述對象物之前述貫通孔，而後，將前述半透明之突起與 前述貫通孔之中央相對合，來進行定位之微調整。 又，在本發明中，亦可如同下述一般，在被形成於前 述向異導電性薄片處之2個的前述半透明之突起的週邊部 處’預先形成非透明之對位用標記，並在對前述向異導電 性薄片與前述對象物進行定位時，首先，使被形成於前述 之1個的半透明之突起之週邊部處的對位用標記，接近前 述對象物之前述記號，且使被形成於前述之另外1個的前 述半透明之突起之週邊部處的對位用標記，接近前述貫通 -12- 200909814 孔，而後，將前述1個的半透明之突起與前述記號之中央 相對合，且將前述另外1個的半透明之突起與前述貫通孔 之中央相對合，來進行定位之微調整。 如此這般，藉由在被形成於向異導電性薄片處之半透 明之突起的週邊部處，預先形成非透明之對位用標記，由 於被形成於向異導電性薄片處之半透明之突起，在視覺上 係成爲明顯，因此，成爲易於搜尋此半透明之突起。其結 果，成爲能夠更快速的進行定位。 進而，在本發明中，被形成於前述對象物處之記號， 係以在將電路形成於該當對象物處時同時作形成者爲理 想。又，在本發明中，被形成於前述對象物處之貫通孔， 係以在將電路形成於該當對象物處時同時作形成者爲理 想。 進而，在本發明中，被配設於前述向異導電性薄片處 之半透明之突起，係以將包含有具備磁性之導電性粒子的 成形材料，注入至模具之成形空間內並形成成形材料層， 並使磁場作用於此，而在進行硬化處理時同時被形成者爲 理想。 若是如此這般地形成記號、貫通孔或是半透明之突 起，則係可低價地作形成。 又，在本發明中，前述向異導電性薄片與前述對象物 之定位，係亦可在相互平行之二邊部來進行。 若如此這般地至少在二邊部來進行定位，則能夠將向 異導電性薄片對於對象物而正確地進行定位。 -13- 200909814 進而，在本發明中，前述向異導電性薄片與前述對象 物之定位，係以在相互平行之2組的二邊部來進行爲理 想。 若是如此這般而在相互平行之2組的二邊部來進行定 位，則係可進行更爲確實之定位。 又，在本發明中，前述對象物，係亦可爲硬質之中央 基板。 如此這般，若是定位之對象物係爲硬質之中央基板， 則在構成3層構造之向異導電性連接器的情況中，係可理 想地作適用。 本發明之向異導電性連接器之定位方法，係爲將第1 向異導電性薄片、中央基板、以及第2向異導電性薄片依 序作配置的向異導電性連接器之定位方法，其特徵爲：在 前述第1向異導電性薄片與第2向異導電性薄片處，分別 被形成有半透明之突起，在前述中央基板之上下面，形成 記號，並藉由被配置於前述第1向異導電性薄片處之檢測 裝置、以及被配置於前述第2向異導電性薄片處之檢測裝 置，來經由被形成於前述第1、第2向異性導電薄片處之 前述半透明之突起，而從兩側來識別被形成於前述中央基 板處之前述記號，藉此，而進行前述第1向異導電性薄片 與前述中央基板以及前述第2向異導電性薄片間之定位。 若藉由此種定位方法，則係能夠將第1向異導電性薄 片、中央基板、以及第2向異導電性薄片之3層作正確的 疋位。 -14 - 200909814 又，在本發明中，係以下述一般爲理想：在被形成於 前述第1向異導電性薄片以及前述第2向異導電性薄片處 之前述半透明之突起的週邊部處，分別形成非透明之對位 用標記，並在經由前述第1向異導電性薄片的半透明之突 起以及前述第2半透明之突起而對前述中央基板之上下面 的前述記號作識別時，首先，識別出使前述非透明之對位 用標記與前述記號相對向一事，接下來，識別出使前述半 透明之突起與前述記號之中央相對合而進行定位之微調整 —•事。 若藉由此種構成，則由於被形成於第1向異導電性薄 片以及第2向異導電性薄片處之半透明之突起在視覺上係 成爲明顯，因此，係成爲易於搜尋此半透明之突起。其結 果，成爲能夠更快速的進行定位。 於此，在本發明之向異導電性連接器之定位方法中’ 係以下述一般爲理想：將前述第1向異導電性薄片與前述 中央基板以及前述第2向異導電性薄片間之定位’在相互 平行之二邊部而進行。 若如此這般地至少在二邊部來進行定位’則能夠正確 地進行定位。 又，在本發明之向異導電性連接器之定位方法中’係 以下述一般爲理想：將前述第1向異導電性薄片與前述中 央基板以及前述第2向異導電性薄片間之定位’在相互平 行之2組的二邊部而進行。 如此這般’若是在四邊部來進行定位’則可對以細微 -15- 200909814 間距而高密度地形成有導電部之向異導電性薄片與對象 物，進行更爲高精確度之定位。 又，在本發明中，係以下述一般爲理想：在前述第1 向異導電性薄片之進行定位的四邊部、和前述第2向異導 電性薄片之進行定位的四邊部處，對於每一邊，係分別形 成有至少2個的半透明之突起與至少1個的貫通孔，同 時，在前述中央基板之進行定位的四邊部處，對於每一 邊，係至少形成有2個的貫通孔與在上下兩面處至少各形 成有1個的記號，在前述第1向異導電性薄片與前述中央 基板間之定位中’係使被形成於前述第1向異導電性薄片 處之1個的半透明之突起與被形成於前述中央基板處之i 個的貫通孔相對合，且使被形成前述第1向異導電性薄片 處之另外1個的半透明之突起與被形成於前述中央基板處 之上面側的記號相對合，而進行定位，在前述第2向異導 電性薄片與前述中央基板間之定位中，係使被形成於前述 第2向異導電性薄片處之1個的半透明之突起與被形成於 前述中央基板處之1個的貫通孔相對合，且使被形成前述 第2向異導電性薄片處之另外1個的半透明之突起與被形 成於前述中央基板處之下面側的記號相對合，而進行定 位。 若是如此這般而進行定位’則係可對記號之形狀與半 透明之突起之形狀以及貫通孔之形狀作有效利用而進行定 位。 又’本發明之向異導電性連接器與檢查用電路基板間 -16- 200909814 之定位方法中，該向異導電性連接器’係爲將於矩形框狀 之四邊部處對於每一邊而分別形成有至少2個的半透明之 突起與至少1個的貫通孔之第1向異導電性薄片、和於矩 形框狀之四邊部處對於每一邊而分別形成有至少2個的半 透明之突起與至少1個的貫通孔之第2向異導電性薄片、 和於矩形框狀之四邊部處對於一邊而至少形成有2個的貫 通孔與在上下兩面處至少各形成有1個的記號之中央基 板，作一體化組裝之3層構造的矩形框狀之向異導電性連 接器，其特徵爲：當將該向異導電性連接器定位在檢查用 電路基板之時，在前述檢查用電路基板之矩形框狀的四邊 部處，對於一邊係至少形成有2個的記號，同時，將存在 於與前述中央基板之四邊部的一邊處之1個的貫通孔相對 應之位置的前述第1向異導電性薄片又或是前述第2向異 導電性薄片之任一者的前述半透明之突起，與前述檢查用 電路基板之1個的記號相對合，並進而將存在於與前述中 央基板之四邊部的一邊處之另外1個的貫通孔相對應之位 置的前述第1向異導電性薄片又或是前述第2向異導電性 薄片之任一者的則述另外一方之半透明之突起’與則述檢 查用電路基板之另外1個的記號相對合，而進行定位，並 在四邊部處，分別進行此些之定位。 若藉由此種方法，則在將檢查用電路基板重疊於被一 體化組裝之3層構造的向異導電性連接器後，能夠藉由檢 測裝置而容易的檢測出此些之定位。 又，本發明之向異導電性連接器，係爲將被形成有半 -17- 200909814 透明之突起與貫通孔之第1向異導電性薄片、和被形成有 記號與貫通孔之中央基板、和被形成有半透明之突起貫通 孔之第2向異導電性薄片依序作配置之3層構造的矩形框 狀之向異導電性連接器，其特徵爲：使前述第1向異導電 性薄片的半透明之突起與前述中央基板之記號相對合，並 使被形成於前述第2向異導電性薄片處的半透明之前述突 起與前述記號相對合，藉此，前述中央基板與前述第1向 異導電性薄片以及前述第2向異導電性薄片係被作定位。 藉由此種向異導電性連接器，能夠正確地進行3層之 定位。 於此，本發明之向異導電性連接器中，被配設於前述 第1向異導電性薄片處以及前述第2向異導電性薄片處之 半透明之突起’係以將包含有具備磁性之導電性粒子的成 形材料’注入至模具之成形空間內並形成成形材料層，並 使磁場作用於此，而在進行硬化處理時同時被形成者爲理 想。 若藉由此種向異導電性連接器，則當藉由導電性粒子 而形成偏在型之導電部時，由於係可同時形成半透明之突 起，因此，能夠低價地作製造。 於此，被形成於前述中央基板處之記號以及貫通孔， 係以在將電路形成於該當中央基板處時同時作形成者爲理 想。 若藉由此種構成，則能夠低價地製造向異導電性連接 器。 -18- 200909814 又，本發明之探針卡’其特徵爲：係爲由如同上述一 般之以3層構造而被一體化之矩形框狀的向異導電性連接 器、和檢查用電路基板所成。 進而，本發明之探針卡，其特徵爲：係由向異導電性 連接器與檢查用電路基板所成，該向異導電性連接器，係 爲將被形成有半透明之突起與貫通孔之第1向異導電性薄 片 '和被形成有記號與貫通孔之中央基板、和被形成有半 透明之突起貫通孔之第2向異導電性薄片依序作一體化組 裝之3層構造的矩形框狀之向異導電性連接器，該檢查用 電路基板，係被形成有記號，當對前述被一體化組裝之3 層構造的向異導電性連接器與前述檢查用電路基板在特定 位置處進行定位時，係將被形成於前述第1又或是第2向 異導電性薄片處的半透明之突起，對於被形成於前述檢查 用電路基板處之記號而進行定位，同時，將另外之被形成 於前述第1又或是第2向異導電性薄片處的半透明之突 起，對於被形成於前述檢查用電路基板處之記號而進行定 位，藉此，而進行定位。 若是將此種構成之探針卡使用於成爲檢查對象之晶圓 等的電路基板之電性檢查中，則係能夠將細微、高密度之 晶圓等的電路基板之電性檢查，以高精確度而容易地進 行。 於此，本發明之向異導電性薄片，其特徵爲：被形成 有導電部之向異導電膜’係被配置於金屬框之開口部內， 在與前述向異導電膜所被配置之前述金屬框的開口部相異 -19- 200909814 之開口部處，係具備有：半透明之突起；和彈性膜，其係 具備有被配置在此半透明之突起的周邊部處之非透明之對 位用的對位用標記。 進而，本發明之向異導電性薄片，其特徵爲：被形成 有導電部之向異導電膜，係被配置於金屬框之開口部內， 前述向異導電膜，係具備有：半透明之突起；和被配置在 此半透明之突起的周邊部處之非透明之對位用的對位用標 記。 藉由此種向異導電性薄片，能夠對於對象物而容易地 進行定位。 [發明效果] 若藉由本發明之向異導電性連接器之定位方法，則能 夠將柔軟之向異導電性薄片對於對象物而正確地進行定 位。 又，藉由在被形成於向異導電性薄片處之半透明之突 起的週邊部處，預先形成非透明之對位用標記，由於被形 成於向異導電性薄片處之半透明之突起，在視覺上係成爲 明顯，因此，成爲易於搜尋此半透明之突起。其結果，成 爲能夠更快速的進行定位。 又，藉由在被形成於向異導電性薄片處之半透明之突 起的週邊部處，形成非透明之對位用標記，由於係可使用 此對位用標記與對象物之記號等，來使向異導電性薄片與 對象物接近於特定之位置，並於其後使用被形成於向異導 -20- 200909814 電性薄片處之該半透明之突起與對象物之記號等來進行爲 調整’而對向異導電性薄片與對象物進行定位，因此，係 能夠有效率地進行正確的定位。 又’在向異導電性薄片與對象物間之定位中，只要至 少在二邊部而進行即可，進而’若是在相互平行之2組的 二邊部來進行，則可進行更爲正確之定位。 又，若藉由本發明’則能夠將構成向異導電性連接器 之3層的薄片進行更爲正確之定位。又，若藉由此向異導 電性連接器與檢查用電路基板間之定位方法，則能夠將向 異導電性連接器與檢查用電路基板進行更正確且容易之定 位。 進而，若藉由本發明之向異導電性連接器，則由於係 可將被使用於定位中之半透明之突起的形成，與藉由導電 性粒子而形成偏在型之導電路的工程同時進行，因此，導 電路與半透明之突起間的位置精確度係爲高，而製造成本 係爲低價。 又，中央基板之定位用貫通孔與記號，由於係在中央 基板之電路區域的形成時而同時被形成者，故而，電路區 域和定位用貫通孔以及記號間之位置精確度係爲高，因 此，藉由使用此定位用貫通孔以及記號來對向異導電性薄 片進行定位，由於係能夠將具備有細微、高密度之導電部 的向異導電性薄片對於中央基板之電極而進行定位，因 此，對於其他導電路之位置精確度係爲高’而能夠製造細 微、高密度之向異導電性連接器。 -21 - 200909814 使用有如此這般而被製造之向異導電性連接器的探針 卡以及檢查裝置，由於向異導電性薄片之導電部與中央基 板之電極係被作了正確的定位，因此，對於細微、高密度 之被檢查物，能夠以高精確度來進行檢查。 【實施方式】 以下，一面參考圖面，一面對本發明之向異導電性連 接器之定位方法、此向異導電性連接器與檢查用電路基板 間之定位方法、以及向異導電性連接器、以及探針卡的理 想形態作說明。 另外，在本說明書中，「上面」以及「下面」係爲了 說明上之方便而隨意使用者，例如，在圖1 8中，係以中 央基板1 6爲中心而將第1向異導電性薄片1 8側作爲上或 是上側，並以中央基板1 6爲中心而將第2向異導電性薄 片20側作爲下或是下側。亦即是，中央基板16之記號 76係被形成於中央基板16之上面，而記號77係被形成 爲中央基板16之下面。又，於圖1所示之向異導電性薄 片1中，亦有將表示X-X之側作爲上側的情況，於該情 形，未表示X-X線之相反側係爲「下」。又，由於向異 導電性薄片係爲極薄之薄膜，因此，厚度之比例等，係藉 由與實際之厚度相異的尺度來作表記。 圖1之（A)、（ B)，係展示本發明之其中一種實施例所 致的向異導電性薄片，圖1(A)係爲該平面圖，圖1(B)係 爲圖1 (A)之X-X方向的剖面圖。 -22- 200909814 此向異導電性薄片1，係在框狀部分爲由金屬所形成 之金屬框3 0的開口部73處’具備有由絕緣性之材料形成 且在略中央部之電路區域A處被形成有導電部41的向異 導電膜42。 導電部4 1，係在彈性高分子物質中含有導電性粒子 而被構成，較理想，在彈性高分子物質中，導電性粒子係 以並排於厚度方向之狀態而被配向，藉由此導電性粒子， 而形成在厚度方向作電性導通之導電部4 1。此導電部 41，係亦可被形成有以當在厚度方向被加壓而壓縮時則其 電阻値會減少的導電性粒子所致之導電路，而作爲加壓導 電路兀件。 包含有導電部41之絕緣構件，係對在當被硬化則會 成爲彈性商分子物質之筒分子物質形成材料中被分散有導 電性粒子而成的流動性之成形用材料，進行硬化處理所形 成。 構成向異導電膜42之彈性高分子物質的形成材料， 係以身爲與包含有導電部41之絕緣構件爲同質者爲理 想。作爲構成向異導電膜42之彈性高分子物質以及包含 有導電部4 1之絕緣構件的形成材料，係可使用各種物 質’作爲其具體例’例如係可列舉出：聚丁二儲橡膠、天 然橡膠、聚異戊二烯橡膠、苯乙烯- 丁二烯共聚物橡膠、 丙烯腈一丁二烯共聚物橡膠等之共軛二烯系橡膠及該些之 氫添加物、苯乙烯-丁二烯-二烯嵌段共聚物橡膝、苯乙 烯-異戊二烯嵌段共聚物等之嵌段共聚物橡膠及該些之氣 -23- 200909814 添加物、氯丁二烯、氨酯橡膠、聚酯系橡膠、環氧氯丙氨 橡膠、矽橡膠' 乙丙二元共聚物橡膠、乙丙三元共聚物橡 膠等。於以上，當對所得到之向異導電性薄片要求有耐候 性的情況時，係以使用共軛二烯系橡膠以外者爲理想，特 別是，從成形加工性以及電性特定的觀點來看，係以使用 矽橡膠爲理想。 作爲導電性粒子，從能夠容易地使該當粒子作配向的 觀點而言，係以使用導電性磁性體粒子爲理想。作爲此導 電性磁性體粒子之具體例，係可列舉有：鐵、鈷、鎳等之 顯示有磁性的金屬粒子、或是此些的合金之粒子、又或是 含有此些之金屬的粒子、又或是將此些之粒子作爲芯粒 子’並在該當芯粒子之表面處施加有金、銀、鈀、铑等之 導電性良好的金屬之電鍍者、或者是將非磁性金屬粒子或 是玻璃珠等之無機物質粒子又或是聚合物粒子作爲芯粒 子’並在該當芯粒子之表面處施加有鎳、鈷等之導電性磁 性體之電鍍者、或者是在芯粒子處被覆有導電性磁性體以 及導電性良好之金屬的雙方者等。在此些之中，係以使用 以鎳粒子作爲芯粒子’並在其表面施加有金或銀等之導電 性良好的金屬之電鍍者爲理想。作爲在芯粒子之表面處被 覆導電性金屬的手段’雖並未特別限定，但是，例如係可 藉由化學電鍍又或是無電解電鍍、濺鍍等之手法來進行。 另一方面’在此種向異導電性薄片1處，於包圍電路 區域A之四邊中的二邊部處’係分別對一邊而形成有1 個的半透明之突起3。另外，被形成有此半透明之突起3 -24 - 200909814 的二邊，例如係爲χ-χ線所通過之上邊部、和相反側 下邊部。與導電部4 1之距離，係爲任意。 半透明之突起3，係可被形成於被形成有導電部 之向異導電膜42處，或是亦可在金屬框30處，形成與 配置有向異導電膜4 2之開口部7 3相異的開口部4 3， 在此開口部43內，形成有絕緣性之柔軟材料所形成的 性膜4 5，而將半透明之突起3形成於此彈性膜4 5處 又’向異導電膜42與彈性膜45，係可爲1枚之薄片， 可爲相異之薄片。不論該些之向異導電膜42與彈性膜 係爲一體化之薄片或是相異之薄片，均係經由相同之模 框，而以相同之模具來一括性成形。 當與向異導電膜4 2獨立地而形成彈性膜4 5的情 時’形成該彈性膜4 5之若是硬化則會成爲彈性高分子 質之高分子物質形成材料，係以與形成向異導電膜42 材料相同爲理想。 爲了形成該些之半透明之突起3，係可當如同後述 般而在模具內形成電路區域A時，同時地來形成。 此半透明之突起3，係如圖1(B)所示一般，爲於表 面處突出之略圓柱狀。又，在將此圓柱狀之突起3包圔 環狀部分處，係以被形成有非透明之對位用標記5爲 想。 於圖2中作擴大展示之非透明的對位用標記5 , 藉由：將著色後之樹脂板埋入至彈性高分子物質中、 異導電膜42或彈性膜45之表面處形成凹部並在凹部 之 4 1 被 並 彈 〇 亦 4 5 具 況 物 之 背 的 理 可 向 塗 -25- 200909814 布著色劑、在向異導電膜42或彈性膜45之表面處形成細 微之凹凸、將複數之導電性粒子5 a在彈性高分子物質局 部性的配列於厚度方向等’而形成之。 如此這般，藉由以非透明之對位用標記5來包圍圓柱 狀的半透明之突起3，能夠使半透明之突起3的位置從外 部視之而在視覺上成爲顯著。 另一方面，與此種向異導電性薄片1作定位之對象 物，例如，係爲被層積於向異導電性薄片1之略同形狀之 中央基板。 在此種對象物係爲中央基板的情況時，於該中央基板 處，係如圖3(A)所示一般與向異導電性薄片1之電路區 域 A同樣的而具備有電路區域 A，。而，在該對象物7 處，爲了與圖1中所示之向異導電性薄片1作定位，係預 先在特定位置處形成有記號8。此記號8之形成位置，係 爲與在圖1中所示之向異導電性薄片1處的上下之半透明 之突起3相對應的位置。藉由將此些作正確的定位，向異 導電性薄片1之導電部41與對象物之導電部，係成爲被 正確地作定位。 當對象物7係爲中央基板的情況時之使用法，係在此 中央基板之上下兩面（表背面）處，分別被層積有向異導電 性薄片1’而成爲挾持中央基板之3層構造。故而，在本 實施例之對象物7中，係如同身爲圖3(A)之X-X剖面的 圖3 (B )中所例示—般，於兩側被形成有記號8。 當將圖1中所示之向異導電性薄片1與圖中所示之對 -26- 200909814 象物7作正確之定位的情況時’只要如同圖4中所示一般 地來進行即可。 亦即是，係成爲將於金屬框3 0處而使向異導電膜4 2 被平面性固定的向異導電性薄片1 ’對於對象物7而進行 定位。於此情況，首先，係使向異導電性薄片1對於對象 物7而作相對性移動，並使半透明之突起3接近記號8。 於此，由於半透明之突起3在視覺上係並不顯眼，因此， 係先將存在於突起3之周圍的對位用標記5作爲標記來進 行對位。如此這般，利用非透明之對位用標記5，而一面 使向異導電性薄片1大幅移動，一面槪略地接近記號8。 而後，若是如圖4所示一般而藉由檢測裝置1 1檢測 出了對位用標記5係槪略地成爲與記號8 —致，則進而一 面藉由檢測裝置1 1來作確認，一面使向異導電性薄片1 在水平方向緩慢移動以對位置作微調整，並藉由檢測裝置 1 1來投影半透明之突起3，而識別存在於該突起3之背面 側的對象物7之記號8。 此時’如圖5 (A)所示一般，例如，係以將半透明之 突起3的輪廓與記號8之中央對合的方式來進行最終之微 調整爲理想。 於此’雖然亦可爲如圖5(A)中所示一般，記號8之 口徑爲較突起3更大’但是’亦可如同圖5(B)所示一 般’記號8之口徑爲較突起3更小’記號8與半透明之突 起3間的大小關係’係並未被限定。如此這般，而進行向 異導電性薄片1與對象物7間之對位。 -27- 200909814 另外，此種對位，只要在圖1中所示之上邊部與下邊 部的最低二邊部，且對於一邊而在一場所進行，則可進行 對位。 又，在上述實施例中，雖係展示在被層積於向異導電 性薄片1處之對象物上預先形成記號8的例子作了說明， 但是，亦可如圖6所示一般，代替此記號，而在對象物7 之特定位置處形成貫通孔1 3。於此情況時，係成爲使向 異導電性薄片1之半透明之突起3對合於貫通孔1 3 ,並 藉由檢測裝置11來檢測出此事。 於此情況中，亦同樣的，首先，藉由檢測裝置丨〗來 槪略識別出非透明之對位用標記5，接下來，投影半透明 之突起3，並對存在於該突起之背面側的對象物7之貫通 孔1 3作識別即可。 圖7，係爲展示另外之實施例。 在此另外實施例中，係如圖7(A)所示一般，在向異 導電性薄片1之上邊部與下邊部處，分別形成1個的半透 明之突起3。亦即是，向異導電性薄片丨之構造，係與圖 1者爲相同。另一方面，被層積於此處之對象物7，係如 圖7(B)所示一般’在上邊部被形成有記號8,在下邊部被 形成有貫通孔1 3。亦即是，在對象物7處，一方之邊部 係被形成有記號8 ’另一方之邊部係被形成有貫通孔丨3。 當在圖7(B)之對象物7處，將圖7(A)之向異導電性 薄片1作定位的情況時，係如同圖7 ( C ) —般而進行。 亦即是’將圖7(A) ' (B)重合，在X-X線處，半透明 -28- 200909814 之突起3與記號8係對合，而在γ_γ線處，半透明之突 起3與貫通孔1 3係對合。如此這般，在藉由χ_χ線所示 之上邊部處，突起3與記號8係對合，而在藉由γ-γ線 所致之下邊部處’突起3與貫通孔1 3係對合。於此情 況’與上述實施例相同的，最低係在二邊部來作定位。 就算是於圖（A)、（Β)、（〇中所示一般之定位方法，亦 可將向異導電性薄片1與對象物7相互正確地進行定位。 如此這般’在本發明中，導電性薄片1與對象物7間 之定位’係只要在相互平行或是相鄰之2個的邊來進行即 可 ° 在本發明中，當以更高精確度來進行定位的情況時， 係以不僅是如上述一般地在二邊部來進行，而例如除了上 邊部與下邊部之外，亦包含左右之側邊部，而在四邊部來 進行爲理想。 又，亦可對於一邊而不僅是在1場所來進行，而亦可 對一邊而在2場所以上來進行定位。當對於一邊而在2場 所來進行定位的情況時’若是將此在上下二邊來進行’則 係成爲合計4場所’若是在上下左右之四邊來進行’則係 成爲在8場所來進行定位。若是如此這般而對於各邊在2 場所來進行，並將此在四邊部來進行’則係可進行更爲正 確之定位。 圖8係爲本發明之向異導電性連接器1 0的模式平面 圖。 此向異導電性連接器1〇，係爲由3層之層積體所成 -29- 200909814 者，於俯視時，係爲正方形狀，並由在厚度方向被形成有 適宜之導電部4 1的電性之電路區域、和將此電路區域作 支持之框狀部分而構成。 此向異導電性連接器10，係如同圖以及圖10(A)、 (B)、（C)中所示一般，由具備有適宜之剛性的中央基板 16、和被層積於該中央基板16之其中一面的第1向異導 電性薄片1 8、和被層積於中央基板1 6之另外一面的第2 向異導電性薄片20而構成。 如同圖9以及圖10(B)所示一般，中央基板16，係被 形成爲薄的方形之平板形狀。於本實施例中，此中央基板 16，電路區域C以及框狀之部分D係由1枚的矽所形 成。於此中央基板16(係基板16)處，例如係如圖9所示 一般，在電路區域C內被形成有垂直貫通上下面之複數的 通電路1 9。此各通電路1 9，例如，係以和身爲被檢查物 之晶圓上的複數之電極墊作一對一之對應的方式而被形 成。在通電路1 9之上端部，係被形成有上部連接端子 1 9a，在通電路1 9之下端部，係被形成有下部連接端子 1 9 b。另外，在例如由矽所成之中央基板1 6的加工中，例 如係藉由使用有光微影技術之蝕刻加工來進行。此中央基 板1 6，係亦可代替矽基板而使用陶瓷基板或是由樹脂材 料所成的基板。 另一方面，第1向異導電性薄片18以及第2向異導 電性薄片20，係爲具備有框狀部分B爲由金屬所形成之 金屬框30的向異導電性薄片。又，被形成於第1向異導 -30- 200909814 電性薄片1 8以及第2向異導電性薄片2 0之電路區域a 處的導電部4 1，係突出於兩側而被形成。 於此，第1向異導電性薄片1 8以及第2向異導電性 薄片2 0之金屬框3 0，例如，係亦可變更爲藉由樹脂所形 成之支持體。又，被形成於第1向異導電性薄片18以及 第2向異導電性薄片20之電路區域A處的導電部41，係 亦可不爲突出於兩側而被形成，而成爲其片面又或是兩面 爲與周圍之絕緣部4 0相同平面之平坦狀。 亦即是，如同圖9以及圖10(A)所示一般，在被配置 於中央基板1 6之其中一面的第1向異導電性薄片1 8處， 於對應於前述中央基板16之通電路9的位置處，係被形 成有在厚度方向處作了電性導通的導電性粒子所致之導電 部41。 而，各個的導電部4 1，係藉由絕緣部4 0而被相互地 絕緣。 導電部4 1，係在彈性高分子物質中含有導電性粒子 而被構成，較理想，在彈性高分子物質中，導電性粒子係 以並排於厚度方向之狀態而被配向，藉由此導電性粒子， 而形成在厚度方向作電性導通之導電部41。此導電部 4 1，係亦可被形成有以當在厚度方向被加壓而壓縮時則其 電阻値會減少的導電性粒子所致之導電路，而作爲加壓導 電路元件。 包含有導電部4 1之絕緣構件，係對在當被硬化則會 成爲彈性高分子物質之高分子物質形成材料中被分散有導 -31 - 200909814 電性粒子而成的流動性之成形用材料，進行硬化處理所形 成。而’構成絕緣部4 0之彈性尚分子、與包含有導電部 4 1之絕緣構件，係爲同質者。 在第1向異導電性薄片1 8處’係於電路區域a內被 形成有此種導電部4 1。 作爲構成第1向異導電性薄片18之金屬框30的具體 例，係可列舉有：鐵、鎳、鈦、鋁等之金屬，又或是將此 些作2種以上組合所成之合金或者是合金鋼等。 又’作爲構成金屬框3 0之材料，其線熱膨脹係數係 爲3xl05/K以下’特別係以ιχι〇-8〜8χι〇-6/κ爲理 想。 作爲此種材料之具體例，係可列舉有：恆範鋼（invar) 等之恒範鋼型合金、彈性垣範鋼（e Π n v a r)等之彈性恒範鋼 合金、超級恒範鋼、科瓦合金（kovac)、42合金又或是合 金鋼等。 在第2向異導電性薄片2 0的情況，亦係與上述第1 向異導電性薄片1 8略同樣地形成。第1向異導電性薄片 1 8以及第2向異導電性薄片2 〇，例如，係可藉由下述— 般之方法來製造。 亦即是，此些之第1、第2向異導電性薄片18、20, 係如同圖1 1(A)、（B)中所示—般，預先準備於中央被形成 有矩形之開口部7 3的金屬框3 〇。而，係爲在被設置於金 屬框3 0處之開口部7 3內，形成有電路區域A者。而 後’在本實施例中’係將此金屬框3 〇，配置在如圖1 2所 -32- 200909814 不一般之模具內。 此模具，係由上模5 0與下模5 5所構成，在此些之 間，係被形成有成形空間5 9。 在上模5 0處，於強磁性體基板5 1之表面處，係依據 作爲目的之向異導電性薄片18、20處的導電部41之圖 案，而被形成有強磁性體層52，在此強磁性體層52以外 之場所，係被形成有具備與該當強磁性體層5 2實質上相 同之厚度的非磁性體層5 3。 另一方面，在下模55處，於強磁性體基板56之表面 處’係依據作爲目的之向異導電性薄片18、20處的導電 部4 1之圖案，而被形成有強磁性體層5 7，在此強磁性體 層5 7以外之場所，係被形成有具備較該當強磁性體層5 7 之厚度爲更大之厚度的非磁性體層5 8。 作爲構成在上模5 0以及下模5 5之各處的強磁性體基 板5 1、5 6之材料，係可使用鐵、鐵-鎳合金、鐵-鈷合 金、鎳、鈷等之強磁性金屬。此強磁性體基板5 1、5 6， 其厚度係以 0 · 1〜5 0m m爲理想，並以表面爲平滑、被進 行了化學性之脫脂處理、又或是被進行了機械性的硏磨處 理者爲理想。 又’作爲構成在上模5 0以及下模5 5之各處的強磁性 體層52、57之材料，係可使用鐵、鐵-鎳合金、鐵-鈷合 金、鎳、鈷等之強磁性金屬。此強磁性體層5 2、5 7，其 厚度係以1 0 # m以上爲理想。當此厚度未滿丨〇 # m的情 況時’對於在模具內所形成之成形材料層而施加具備充分 -33- 200909814 之強度分佈的磁場一事係成爲困難，其結果，在該當成形 材料層處之應成爲導電部4 1的部分，使導電性粒子以高 密度來集合一事係成爲困難，因此，會有無法得到良好的 向異導電性薄片1 8、2 0之情形。 又’作爲構成在上模5 0以及下模5 5之各處的非磁性 體層5 3、5 8之材料，係可使用銅等之非磁性金屬、具有 耐熱性之高分子物質等，但是，由能夠藉由光微影之手法 來容易地形成非磁性體層5 3、5 8之觀點來看，係以使用 經由放射線而被硬化之高分子物質爲理想，作爲此種材 料’係可使用例如丙烯系之乾薄膜光阻劑、環氧系之液狀 光阻劑、聚醯亞胺系之液狀光阻劑等的光阻劑。 使用上述之模具，例如如同下述一般地而製造第1向 異導電性薄片1 8以及第2向異導電性薄片2 0。 首先，如圖1 3所示一般，準備框狀之間隔物54a、 5 4b ’和於圖1 ι()、（B)所示一般之具備有開口部73的支 持體用之金屬框3 0，並將此金屬框3 0隔著間隔物5 4b來 固定於下模55之特定位置處而配置，再進而在上模50處 配置間隔物5 4 a。 另一方面，在矽橡膠等之硬化性的高分子物質形成材 料中’藉由此展現磁性之導電性粒子分散，而調製糊狀之 成形材料。 接下來，如圖14所示一般’在藉由間隔物54a而於 上模5 0之成形面上所形成之空間內，將成形材料作塡 充，藉此，而形成第1成形材料層61 a，另一方面，在經 -34- 200909814 由下模55、間隔物54b以及金屬框30所形成之空間內， 塡充成形材料，藉由此來形成第2成形材料層6 1 b。 而後’如圖1 5所示一般，藉由將上模5 0在金屬框 3〇上作定位並配置，而在第2成形材料層61b上層積第1 成形材料層6 1 a。 接下來，藉由使被配置在上模5 0處之強磁性體基板 51之上面以及在下模5 5處之強磁性體基板5 6之下面的 電磁石（未圖示）動作，來使具備有強度分佈之平行磁場、 亦即是在上模5 0之強磁性體層5 2與對應於此的下模5 5 之強磁性體層5 7之間具備有大的強度之平行磁場，作用 於第1成形材料層61a以及第2成形材料層61b之厚度方 向。其結果’在第1成形材料層61a以及第2成形材料層 6 1 b處’被分散於各成形材料層中之導電性粒子，係在位 置於上模5 0之各強磁性體層5 2與對應於此之下模5 5之 強磁性體層5 7間的應成爲導電路4 1之部分處集合，同 時，以在各成形材料層之厚度方向並排的方式而被配向。 而後’在此狀態下，藉由對各成形材料層作硬化處 理，如圖I 6所示一般，具備有在於彈性高分子物質中將 導電性粒子並排於厚度方向而配向後的狀態下密集塡充後 之導電部41、和以包圍此些之導電部41之周圍的方式而 被形成的幾乎不存在有導電性粒子之絕緣性的彈性高分子 物質所成之絕緣部40的第1向異導電性薄片1 8或是第2 向異導電性薄片2 0，係被形成。 而後，從上下之模具50、55來將成形後之第1向異 -35- 200909814 導電性薄片1 8或是第2向異導電性薄片2 0取出，而能夠 得到圖17中所示之第1向異導電性薄片18或是第2向異 導電性薄片20。另外，導電部4 1，係亦可於上下突出。 在構成3層構造之向異導電性薄片的情況時，係有必 要將各3層相互作正確的定位。因此，在第1向異導電性 薄片1 8、中央基板丨6以及第2向異導電性薄片20處， {乍爲定位用，係具備有下述一般之機構。 以下，針對在本發明之3層構造的層積體中所具備之 $ &進行定位的機構，在特別對圖1 0作參考的同時而作 說明。 在第1向異導電性薄片1 8以及第2向異導電性薄片 2〇處之略中央部之電路區域A，係藉由金屬製之框狀的 部分B之四邊而被支持。於此，對各四邊部，依在圖 ' (B)、（c)之狀態下所見，而將上下左右之邊，分 別稱爲上邊部、下邊部、左邊部、右邊部。以下，雖針對 下邊部之構造作說明，但是，其他之邊，係亦同樣地被形 成。圖18，係爲展示圖10之（八）、（8)、（〇的丫-丫剖 面。 於以下所說明之定位機構，係在第1向異導電性薄片 W、中央基板16以及第2向異導電性薄片20處，在形成 電路區域A之工程中而问時被形成。亦即是，在向異導 電性薄片1 8、2 0處，定位機構之形成，係在圖1 2〜圖1 7 所示之工程中被進行。又，在中央基板16處，定位用之 貫通孔7 4 ' 7 5，係當在電路區域A中形成通電路時同時 -36- 200909814 地形成。被形成於中央基板1 6處之記號76，係當在電路 區域A處形成連接端子1 9 a、1 9 b時同時作形成。 如圖1 8以及圖1 0 (A)所示一般，在第1向異導電性 薄片1 8處’於Y-Y線中之中央部處，係被形成有貫通孔 70 ’而於其兩側’係被形成有之後會被閉塞之閉塞孔 69 = 而，在此些之閉塞孔69處，藉由塡充糊狀之矽橡膠 等，在模具50、55內，係被形成有半透明之第1突起71 與半透明之第2突起72。另外，半透明之突起71、72 等，係爲突出於表背面之略圓柱狀，在將此圓柱狀之突起 7 1、72包圍的環狀部分處，係以被形成有非透明之對位 用標記爲理想。此對位用標記，係如前述一般，例如，係 藉由分散導電性粒子並使其混入而被形成。 藉由如此這般而形成非透明之對位用標記，而成爲易 於識別圓柱狀之突起7 1、72，若是首先識別出此對位用 標記，而後再識別半透明之突起，則可進行正確之定位。 故而，在本實施例中之第1向異導電性薄片18處， 於Y-Y剖面之從左至右，係分別依序被形成有突起7 1、 貫通孔70、突起72。另外，第丨向異導電性薄片18之其 他的三邊部，亦與此相同的依序被形成有突起71、貫通 孔70、突起72。亦即是，在第1向異導電性薄片1 8處， 對於各邊，係分別相隔出有特定間隔地而被形成有至少2 個的突起71、72 ’與至少一個的貫通孔70。 另一方面’在中央基板16處，於Y-Y剖面之中央 -37- 200909814 部，係被形成有貫通孔74，於其右側，係被形成有 孔7 5。亦即是，在中央基板16處，對於一邊，係被 有2個的貫通孔74、75。又，在中央之貫通孔74 方’係被形成有可從外部作識別之記號76。此記號 係以被形成爲較突起71之外形爲些許大的有色之略 爲理想。進而，在中央基板1 6之背面側，對應於表 之記號76，而被形成有相同的記號77。此種記號5 於係可從外部作辨識，因此，利用此記號7 6，亦可 貫通孔74、75之位置。 故而，在本實施例之中央基板1 6處，於Y - Y線 從左至右，係分別依序被形成有記號76、貫通孔74 通孔7 5。 進而，在第2向異導電性薄片2 0處，於Y - Y線 央部，係被形成有半透明之突起78，在突起78之左 係被形成有半透明之突起49、在中央之突起78的右 係被形成有貫通孔8 0。其他之三邊部，亦爲相同。 故而，在本實施例中之第2向異導電性薄片20 於Y-Y線上，從左至右，係分別依序被形成有突起 突起78、貫通孔80。 此種各3層之定位，係只要如同下述一般來進 可。 亦即是，首先，在3層中，先將第1向異導電性 18與中央基板16槪略重合，而後，藉由被配置於第 異導電性薄片1 8側之第1檢測裝置8 1 A，來投影第 貫通 形成 的左 76， 圓形 面側 ，由 確認 上， 、貫 之中 方， 方， 處， 49、 行即 薄片 1向 1突 -38 - 200909814 起7 1，並識別存在於該突起71之背面側的中央基板1 6 之記號76。 此時，第〗向異導電性薄片1 8之半透明之突起71， 從外部係難以辨識，但是，只要在其周圍預先形成非透明 之對位用標記，則利用此對位用標記，係成爲易於搜尋半 透明之突起71。又，中央基板16之記號76，通常，由於 係藉由與上下接觸端子相同之素材而形成，因此，亮度係 高，而易於視認。 接下來，藉由被配置在第1向異導電性薄片1 8側之 第2檢測裝置8 1 B，來經由半透明之第2突起72而識別 中央基板1 6之貫通孔75。於此情況，亦只要使用被形成 於半透明之第2突起72周圍的非透明之對位用標記，來 進行槪略之定位即可。在進行此種定位時，如圖1 9(A)所 示一般，例如，係以將第1突起71的輪廓與記號76之中 央對合的方式、又或是以將第2突起72與貫通孔75之中 央位置對合的方式，來進行微調整爲理想。於此，例如， 如圖19(B)所示一般，亦可將記號76之口徑設爲較突起 7 1之口徑爲更小，並將記號76對合於突起7 1之中央。 當此些之定位並非爲完全的情況時，係使第1向異導 電性薄片1 8作相對性移動。如此這般，而結束第1向異 導電性薄片1 8與中央基板1 6間之定位。若是第1向異導 電性薄片1 8與中央基板1 6間之定位係結束，則接下來， 係在此些之層積體的下方，配置第2向異導電性薄片 20 〇 -39- 200909814 藉由與上述相同之要領，藉由被配置於第2向異導電 性薄片20側之第3檢測裝置82A，來投影第2向異導電 丨生薄片20之第i突起49’並識別存在於該突起49之背 面側的中央基板1 6之記號77。進而，藉由被配置於第2 向異導電性薄片2 0側之第4檢測裝置8 2 B，來投影第2 向異導電性薄片20之第2突起78，並識別存在於該突起 7 8之背面側的中央基板丨6之貫通孔7 4。此時，係以藉由 與圖19(A)、（B)相同之要領來進行微調整爲理想。 另外’亦可除了第1檢測裝置8 i之外，更藉由被配 置在第1向異導電性薄片〗8處之第5檢測裝置8 3，來經 由貫通孔7 0、貫通孔7 4而檢測出第2向異導電性薄片2 0 之第2突起7 8 ’並藉由此來進行定位之確認。另外，此 第5檢測裝置8 3，係亦可藉由將第2檢測裝置8 1 B又或 是第1檢測裝置81A作平行移動，而兼用之。 如此這般，而將第1向異導電性薄片18、中央基板 16以及第2向異導電性薄片20作正確的定位。而後，在 2層或者是3層之定位結束後，若是例如藉由矽製之接著 劑來將3層相互作固定，則可以得到3層構造之向異導電 性連接器1 〇。 另外，在第1向異導電性薄片18、中央基板16以及 第2向異導電性薄片2 0之3層的定位中，例如，在將第 1向異導電性薄片〗8與中央基板1 6之2個的層作定位 時，係以在上下左右之四邊來進行’並合計在8場所處來 進行爲理想。如此這般’藉由將第】向異導電性薄片18 -40- 200909814 與中央基板1 6的定位，針對一般至少以2場所進行，並 在四邊合計以8場所來進行，能夠進行更爲高精確度之定 位。 另外，第2向異導電性薄片2 0與中央基板1 6間之定 位亦爲相同，以針對一邊而在2場所進行，並將其在四邊 處作實行爲理想。 藉由進行此種對位，對於高密度之被檢查物，能夠以 局精確度來進行檢查。 又，當將3層構造之向異導電性連接器10作爲實際 檢查用之連接器而使用的情況時，如圖2 0所示一般，在 被層積後之向異導電性連接器1 〇處的第2向異導電性薄 片2 0側，係有必要連接檢查用電路基板8 5。 於此情況，亦如同將向異導電性連接器1 〇相互作定 位時一般，需要將檢查用電路基板作正確的定位。 因此，在檢查用電路基板8 5處，係有必要對於每一 邊而預先形成可從外部作識別之2個的記號8 6、8 7。如 此這般，藉由在檢查用電路基板85處，預先對於每一邊 而至少形成2個的記號86、87，並在四邊而合計形成8 個的記號，能夠將檢查用電路基板8 5之導電部與向異導 電性連接器1 〇之電極作正確的對位。 而後，將檢查用電路基板85如圖20所示一般而配置 於被層積之向異導電性連接器1 0的下側，並一面進行相 對性移動，一面藉由第6檢測裝置8 8來經由第2突起 72、貫通孔75、貫通孔80而識別出記號86，同時，藉由 -41 - 200909814 第7檢測裝置8 9，而識別出第2向異導電性薄片20之第 2突起7 8與檢查用電路基板8 5之記號8 7。於此情況，亦 係以如圖19(A)、（B)所示一般來進行微調整爲理想。 又，第6檢測裝置88以及第7檢測裝置89，係亦可 將第1檢測裝置8 1A、第2檢測裝置8 1 B或是第5檢測裝 置8 3等作兼用。亦即是，在本實施例中，被配置於第1 向異導電性薄片1 8側的檢測裝置，雖然係只要至少有1 個即可，但是，在實際上，係以配置2個並將此些作平行 移動而使用爲較實際。 如此這般，而結束被層積之向異導電性連接器1 0與 檢查用電路基板8 5間之定位。進而，若是在兩者之間藉 由矽製之接著劑來作接著，則能夠將向異導電性連接器 10與檢查用電路基板85以正確之位置而一體化地固定。 藉此，係可構成本發明之探針卡90。 若是進行此種定位固定，則如圖2 1所示一般，能夠 正確地檢測出晶圓等之電路基板1 〇〇的電性電路。 亦即是，係將被組裝爲3層之向異導電性連接器1 0 與檢查用電路基板85作正確的定位，並進而配置身爲檢 查對象之電路基板1〇〇，而構成探針卡90。而後，藉由對 電路基板1 00加壓，而使此電路基板1 00抵接於上面側之 第1向異導電性薄片1 8，同時，在此狀態下，對檢查用 電路基板85供給電性訊號，並從檢查用電路基板85之檢 查用電極而送至電路基板1〇〇之電極102處，之後，再度 使該訊號回到檢查用電路基板8 5，藉由此而檢測出電路 -42- 200909814 基板1 〇 〇之電路。 另外，在圖21中，係針對將身爲檢查對象之 的電路基板100，配置於向異導電性連接器10之 行檢查的例子作了展示，但是’不用說，係亦可上 而將電路基板1 〇〇配置於下方來作檢查。 又，在本發明中，第1、第2向異導電性薄片 之定位用突起的形成，由於係可與在模具5 0、5 5 電部4 1之形成同時地進行，因此，製造成本係爲 而導電部41與定位用之突起係以高位置精確度 成。中央基板1 6之定位用之記號，由於亦係在電 之形成時同時地被進行，因此，係以高位置精確度 成。 而後，由於對此種以高位置精確度所形成之向 性薄片的定位用突起、和以高位置精確度所形成之 板的定位用記號進行定位，藉由本發明所得到之向 性連接器係以高位置精確度而使向異導電性薄片與 板被作定位，因此，係可對細微而高密度之晶圓等 基板以高檢查精確度而實施電性檢查。 以上，雖係針對本發明之其中一實施例作了說 是，本發明係並不被上述實施例作任何限定。 例如，在圖1〜圖7之實施例中，雖係在向異 薄片之金屬框30處，形成了半透明之突起3以及 標記5 ’但是，亦可將此些之突起3以及對位用標 置在電路區域Α處之向異導電膜42內。 晶圓等 上而進 下相反 1 8、20 內的導 低價， 而被形 路區域 而被形 異導電 中央基 S導電 /、 ▼·/ ,-tSi 中央基 的電路 明，但 導電性 對位用 記5設 -43- 200909814 又，在圖1 〇所示之實施例中，雖係將貫通孔70、和 半透明之突起71、72之兩者’設置在金屬框30之框狀的 部分Β處，但是’代替此’亦可將貫通孔7 〇、半透明之 突起71、72，設置在電路區域Α處。 【圖式簡單說明】 [圖1]圖1(A)係爲本發明之其中一種實施例所致的向 異導電性薄片之槪略平面圖’圖1(B)係爲圖1(A)之X-X 方向的剖面圖。 [圖2]圖2係爲圖1所示之向異導電性薄片的擴大剖 面圖。 [圖3]圖3(A)係爲作爲在向異導電性薄片處被進行定 位之對象物的中央基板之槪略平面圖，圖3 ( B )係爲圖3 (A ) 之X - X方向的剖面圖。 [圖4]圖4係爲在圖1所示之向異導電性薄片處，將 圖3中所示之作爲對象物的中央基板作定位時之槪略剖面 圖。 [圖5]圖5(A)、（B)，係爲當進行圖4中所示之半透明 之突起與記號間的定位之微調整時，作爲顯微鏡照片所見 之近接的平面圖。 [圖6]圖6係爲當代替圖4所示之對象物的記號，而 形成貫通孔來進行定位時之剖面圖。 [圖7]圖7’係爲展不另外之實施例者，圖7(A)，係 爲在上邊部與下邊部分別各形成有1個的半透明之突起的 -44- 200909814 向異導電性薄片之槪略平面圖；圖7(B)係爲展示作爲與 圖7(A)之向異導電性薄片進行定位之對象物的中央基板 者’而係爲在其中一邊部被形成有記號、在另外一邊部被 形成有貫通孔的中央基板之槪略平面圖；圖7(C)係爲當 將圖7(A)之向異導電性薄片與圖7(B)之中央基板作定位 時之槪略剖面圖。 [圖8]圖8係爲本發明之其中一實施例所致之向異導 電性連接器的槪略平面圖。 [圖9]圖9係爲圖8所示之向異導電性連接器的擴大 剖面圖。 [圖1 0]圖1 0係爲圖8中所示之向異導電性連接器的 各構成要素之槪略平面圖，圖10(A)，係爲第1向異導電 性薄片之槪略平面圖；圖1 0(B)，係爲中央基板之槪略平 面圖；圖10(C)，係爲第2向異導電性薄片之槪略平面 圖。 [圖11]圖11(A)係爲框體之平面圖，圖11(B)係爲該 框體之剖面圖。 [圖12]圖12係爲在第1向異導電性薄片或者是第2 向異導電性薄片之製造中所使用的模具之剖面圖。 [圖13]圖13，係爲在圖12之模具內配置了框體之狀 態的剖面圖。 [圖14]圖14’係爲在圖13之模具內配置了成形材料 時之剖面圖。 [圖1 5 ]圖1 5，係爲將圖1 4之模具作了型閉時之剖面 -45 - 200909814 圖。 [圖16]圖16，係爲在圖15之模具內使磁場作用時之 剖面圖。 [圖17]圖17，係爲從圖16之模具而取出了第1向異 導電性薄片或者是第2向異導電性薄片時之剖面圖。 [圖18]圖18，係爲展示用以將於圖10(A)、（B)、（C) 中所示之各構成要素作定位的機構者，特別是係爲Y-Y 線方向之剖面圖。 [圖19]圖19(A)、（B)，係爲當進行半透明之突起與記 號間的定位之微調整時，作爲顯微鏡照片所見之近接的平 面圖。 [圖20]圖20係爲對在進行被層積爲3層之向異導電 性連接器和檢查用電路基板間之定位時的機構作展示之剖 面圖。 [圖21]圖21，係爲使用本發明之其中一實施例所致 之向異導電性連接器來構成探針卡，並使用此探針卡而對 電路基板作檢查時之槪略剖面圖。 [圖22]圖22係爲將先前之向異導電性連接器組入了 檢查裝置中時之槪略剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :向異導電性薄片 3 :半透明之突起 5 :對位用標記 -46- 200909814 5 a :導電性粒子 7 :對象物（中央基 8、 7 6、7 7 :冒己號 10、93 :向異導賃 1 1 :檢測裝置 13 、 70 、 74 、 75 、 1 6 :中央基板 18 :第1向異導胃 1 9 :通電路 1 9 a :上部連接端 19b :下部連接端 20 :第2向異導| 3 0 :金屬框 4 0 :絕緣部 41 :導電部 42 :向異導電膜 4 3 :另外之開口宕 4 5 :彈性膜 49 :第2向異導1 A :電路區域 B :金屬框之框狀 C :中央基板之電 D :中央基板之框 5 0 :上模 ;板） I性連接器 8 0 :貫通孔 I性薄片 子 子 I性薄片 :性薄片之第1突起 的部分 路區域 狀的部分 -47 - 200909814 5 1、5 6 :強磁性體基板 5 2、5 7 :強磁性體層 5 3 :非磁性體層 5 4 a、5 4 b :間隔物 5 5 :下模 5 8 :非磁性體層 5 9 :成形空間 6 1 a、6 1 b :成形材料層 6 9 :閉塞孔 71:第1向異導電性薄片之第1突起 72 :第1向異導電性薄片之第2突起 7 3 :開口部 78:第2向異導電性薄片之第2突起 8 1 A :第1檢測裝置 8 1 B :第2檢測裝置 82A :第3檢測裝置 82B :第4檢測裝置 8 3 :第5檢測裝置 85、 92 :檢查用電路基板 86、 87 :檢查用電路基板之記號 8 8 :第6檢測裝置 8 9 :第7檢測裝置 9 〇 :探針卡 91、100 :電路基板 -48- 200909814 94、 102 :電極 -49

Claims (1)

1. 200909814 十、申請專利範圍 1. 一種向異導電性薄片之定位方法，其特 將柔軟之向異導電性薄片對於對象物而進行定位 述向異導電性薄片處，形成半透明之突起，同時 對象物處形成記號，再經由形成於前述向異導電 之前述半透明之突起，來識別前述記號，藉此， 述向異導電性薄片之對於前述對象物的定位。 2. 一種向異導電性薄片之定位方法，其特 將柔軟之向異導電性薄片對於對象物而進行定位 述向異導電性薄片處，形成半透明之突起，同時 對象物處形成貫通孔，再經由形成於前述向異導 處之前述半透明之突起，來識別前述貫通孔，藉 行前述向異導電性薄片之對於前述對象物的定位 3. 一種向異導電性薄片之定位方法，其特 將柔軟之向異導電性薄片對於對象物而進行定位 述向異導電性薄片處，形成至少2個半透明之 時，在前述對象物處，形成至少1個記號與至少 孔，再經由形成於前述向異導電性薄片處之1個 突起，來識別前述記號，同時，經由另外之1個 突起，來識別前述貫通孔，藉此，而進行前述向 薄片之對於前述對象物的定位。 4. 如申請專利範圍第1項所記載之向異導 之定位方法，其中，在形成於前述向異導電性薄 述半透明之突起的週邊部處，預先形成非透明之 徵爲：在 時，於前 ，在前述 性薄片處 而進行前 徵爲：在 時，於前 ，在前述 電性薄片 此，而進 〇 徵爲：在 時，於前 突起，同 1個貫通 半透明之 半透明之 異導電性 電性薄片 片處之前 對位用標 -50- 200909814 記’並在對前述向異導電性薄片與前述對象物進行 時’首先’使此對位用標記接近前述對象物之前述記 而後’將前述半透明之突起與前述記號之中央相對合 進行定位之微調整。 5 ·如申請專利範圍第2項所記載之向異導電性 之定位方法，其中’在形成於前述向異導電性薄片處 述半透明之突起的週邊部處’預先形成非透明之對位 記，並在對前述向異導電性薄片與前述對象物進行 時，首先’使此對位用標記接近前述對象物之前述 孔’而後’將即述半透明之突起與前述貫通孔之中央 合，來進行定位之微調整。 6. 如申請專利範圍第3項所記載之向異導電性 之定位方法’其中，在形成於前述向異導電性薄片處 個前述半透明之突起的週邊部處，預先形成非透明之 用標記，並在對前述向異導電性薄片與前述對象物進 位時，首先，使形成於前述之1個半透明之突起之週 處的對位用標記，接近前述對象物之前述記號，且使 於前述之另外1個前述半透明之突起之週邊部處的對 標記，接近前述貫通孔，而後，將前述1個半透明之 與前述記號之中央相對合，且將前述另外1個半透明 起與前述貫通孔之中央相對合，來進行定位之微調整 7. 如申請專利範圍第1、3、4、6項中之任一項 載之向異導電性薄片之定位方法，其中，形成於前述 物處之記號，係在將電路形成於該當對象物時而同時 定位 號， ，來 薄片 之前 用標 定位 貫通 相對 薄片 之2 對位 行定 邊部 形成 位用 突起 之突 〇 所記 對象 地被 -51 - 200909814 形成者 ¥中之任一項所記 ’形成於前述對象 8 ·如申請專利範圍第2、3、5、6 載之向異導電性薄片之定位方法，其中 物處之貫通？L，㈣將電路形成於該當$帛物時而同時地 被形成者。 9·如申請專利範圍第1〜6項中之任〜項所記載之向 異導電性薄片之定位方法’其中，前述向異導電性薄片與

   1 〇 ·如申請專利範圍第丨〜6項中之任一項所記載之 向異導電性薄片之定位方法，其中，前述向異導電性薄片 與前述對象物處之定位，係在相互平行之2組的二邊部而 進行。 1 1 .如申請專利範圍第1〜6項中之任一項所記載之 向異導電性薄片之定位方法，其中，前述對象物，係爲硬 質之中央基板。 I 2. —種向異導電性連接器之定位方法，係爲將第j 向異導電性薄片、中央基板、以及第2向異導電性薄片依 序作配置的向異導電性連接器之定位方法，其特徵爲： 在前述第1向異導電性薄片與前述第2向異導電性薄 片處，分別被形成有半透明之突起，在前述中央基板之上 下面，形成記號，並藉由配置於前述第1向異導電性薄片 處之檢測裝置、以及配置於前述第2向異導電性薄片處之 檢測裝置，來經由形成於前述第1、第2向異導電性薄片 處之前述半透明之突起，而從兩側來識別形成於前述中央 -52 - 200909814 基板處之前述記號，藉此，而進行前述第1 片與前述中央基板以及前述第2向異導電 位。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所記載之 接器之定位方法，其中，在形成於前述第1 片以及前述第2向異導電性薄片處之前述半 週邊部處，分別形成非透明之對位用標記， 第1向異導電性薄片的半透明之突起以及前 之突起而對前述中央基板之上下面的前述記 首先，識別出使前述非透明之對位用標記與 向一事，接下來，識別出使前述半透明之突 之中央相對合而進行定位之微調整一事。 1 4 .如申請專利範圍第1 2或第1 3項所 電性連接器之定位方法，其中，將前述第1 片與前述中央基板以及前述第2向異導電 位，在相互平行之二邊部而進行。 1 5 .如申請專利範圍第1 2或第1 3項所 電性連接器之定位方法，其中，將前述第1 片與前述中央基板以及前述第2向異導電 位，在相互平行之2組的二邊部而進行。 1 6 .如申請專利範圍第1 2或1 3項所記 性連接器之定位方法，其中，在前述第1向 之進行定位的四邊部、和前述第2向異導電 定位的四邊部處，對於每一邊係分別形成有 向異導電性薄 性薄片間之定 向異導電性連 向異導電性薄 透明之突起的 並在經由前述 述第2半透明 號作識別時， 前述記號相對 起與前述記號 記載之向異導 向異導電性薄 性薄片間之定 記載之向異導 向異導電性薄 性薄片間之定 載之向異導電 異導電性薄片 性薄片之進行 至少2個半透 -53- 200909814 至少1個貫 邊部處，對 面處至少各 與前述中央 電性薄片處 之1個貫通 片處之另外 上面側的記 性薄片與前 向異導電性 基板處之1 電性薄片處 板處之下面 種向異導電 向異導電性 一邊而分別 孔之第1向 每一邊而分 通孔之第2 於一邊而至 成有1個記 形框狀之向 性連接器定 基板之矩形 ，在前述中 至少形成有 記號，在前 位中，係使 明之突起與 且使被形成 之突起與形 而進行定位 間之定位中 個半透明之 對合，且使 半透明之突 對合，而進 檢查用電路 爲將於矩形 2個半透明 片、和於矩 少2個半透 薄片、和於 個貫通孔與 板，作一體 接器，其特 電路基板之 部處，對於 明之突起與 行定位的四 與在上下兩 導電性薄片 第1向異導 中央基板處 異導電性薄 央基板處之 2向異導電 於前述第2 於前述中央 第2向異導 前述中央基 17.— 位方法，該 部處對於每 少1個貫通 邊部處對於 至少1個貫 四邊部處對 處至少各形 層構造的矩 該向異導電 檢查用電路 通孔，同時 於一邊，係 形成有1個 基板間之定 之1個半透 孔相對合， 1個半透明 號相對合， 述中央基板 薄片處之1 個貫通孔相 之另外1個 側的記號相 性連接器與 連接器，係 形成有至少 異導電性薄 別形成有至 向異導電性 少形成有2 號之中央基 異導電性連 位在檢查用 框狀的四邊 央基板之進 2個貫通孔 述第1向異 形成於前述 形成於前述 前述第1向 成於前述中 ，在前述第 ，係使形成 突起與形成 被形成前述 起與形成於 行定位。 基板間之定 框狀之四邊 之突起與至 形框狀之四 明之突起與 矩形框狀之 在上下兩面 化組裝之3 徵爲：當將 時，在前述 一邊係至少 -54- 200909814 形成有2個記號，同時，將存在於與前述中央基板之 部的一邊處之1個貫通孔相對應之位置的前述第1向 電性薄片或是前述第2向異導電性薄片之任一者的前 透明之突起，與前述檢查用電路基板之1個記號相對 並進而將存在於與前述中央基板之四邊部的一邊處之 1個貫通孔相對應之位置的前述第1向異導電性薄片 前述第2向異導電性薄片之任一者的前述另外一方之 明之突起，與前述檢查用電路基板之另外1個記號 合，而進行定位，並在四邊部處，分別進行此些之定 18. —種向異導電性連接器，係爲將被形成有半 之突起與貫通孔之第1向異導電性薄片、和被形成有 與貫通孔之中央基板、和被形成有半透明之突起與貫 之第2向異導電性薄片依序作配置之3層構造的矩形 之向異導電性連接器，其特徵爲： 使前述第1向異導電性薄片的半透明之突起與前 央基板之記號相對合，並使形成於前述第2向異導電 片處的半透明之前述突起與前述記號相對合，藉此， 中央基板與前述第1向異導電性薄片以及前述第2向 電性薄片係被作定位。 1 9.如申請專利範圍第〗8項所記載之向異導電 接器’其中’形成於前述中央基板處之記號以及貫通 係在將電路形成於該當中央基板時而同時地被形成者 2 〇 _ —種探針卡，其特徵爲·係爲由如同申請專 圍第1 8項所記載之以3層構造而被一體化之矩形框 四邊 異導 述半 合， 另外 或是 半透 相對 位。 透明 記號 通孔 框狀 述中 性薄 前述 異導 性連 孔， 〇 利範 狀的 -55- 200909814 向異導電性連接器、和檢查用電路基板所成。 21. —種探針卡，其特徵爲： 係由向異導電性連接器與檢查用電路基板所成，該向 異導電性連接器，係爲將被形成有半透明之突起與貫通孔 之第1向異導電性薄片、和被形成有記號與貫通孔之中央 基板、和被形成有半透明之突起與貫通孔之第2向異導電 性薄片依序作一體化組裝之3層構造的矩形框狀之向異導 電性連接器：該檢查用電路基板，係被形成有記號， 當對被一體化組裝之3層構造的向異導電性連接器與 檢查用電路基板在特定位置處進行定位時，係將形成於前' 述第1或是第2向異導電性薄片處的半透明之突起，對於 形成於前述檢查用電路基板處之記號而進行定位，同時， 將另外之形成於前述第1或是第2向異導電性薄片處的半 透明之突起，對於形成於前述檢查用電路基板處之記號而 進行定位，藉此，而進行定位。 2 2. —種向異導電性薄片，其特徵爲： 被形成有導電部之向異導電膜，係配置於金屬框之開 口部內，在與前述向異導電膜所被配置之前述金屬框的開 口部相異之開口部處，係具備有：半透明之突起；和彈性 膜，其係具備有被配置在此半透明之突起的周邊部處之非 透明之對位用的對位用標記。 2 3 .—種向異導電性薄片，其特徵爲： 被形成有導電部之向異導電膜’係配置於金屬框之開 口部內，前述向異導電膜’係具備有：半透明之突起；和 -56- 200909814 被配置在此半透明之突起的周邊部處之非透明之對位用的 對位用標記。 -57-