TW200908166A - Adhesive for electronic component, semiconductor chip stacking method, and semiconductor device - Google Patents

Description

200908166 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 :發明係關於一種能以平行且正確之間隙間距離將一 接人t件與其他電子零件、或一電子零件與支持構件加以 子零件用接著劑。χ，亦關於—種使用該電子零 4用接者劑之半導體晶片之積層方法、及半導體裝置。 【先前技術】

近年來’伴隨對半導體封I之小型化、高度積體化之 、、已逐漸在將複數個半導體晶片加以積層以製成多層 半導體晶片積層體之3次元構裝的方向發展…亦正進 订使該半導體晶片積㈣進_步小型化之研究。 曰^此’彳導體晶片&變成極薄之薄《，並且於半導體 晶片上形成微細之配線。在此種3次元構裝之半導體晶片 積層體，係要求在不損傷各半導體晶片下，且能保持平行 來進行積層。 保持半導體晶片彼此平行並予以積層接合之方法，已 头有種例如使用含有微粒之接著劑，並將接著劑塗布於 +半導體晶片_h ’以形成具有微粒之粒徑以上之厚度的接 著劑層’透過所形成之接著劑層疊合其他半導體晶片，然 後對接著劑層力口Μ，以將接著劑壓入直至接 、 等於微粒之粒徑為止的方法。 孚又 3有忒種微粒之接著劑，例如於專利文獻丨記載有一 種以硬質塑膠微粒為必要成分的接著劑，#中該硬質塑膠 微教具有實質上界定接著劑硬化後之膜厚之粒徑。實施例 5 200908166 中記載有使用摻合有平均粒徑為2G”之硬質塑膠微粒的 接者劑，以與平均粒徑同等厚度之接著劑層，將石夕元件接 著於導線架上。 接 又，專利文獻2亦記載有若使用摻合有平均粒徑為 〜且長寬比在hl以下之樹脂微粒的接著劑 樹脂微粒具有間隙調整材之功能。 、 然而，因近年來對半導體封裝之小型化、高度積體化 之要求’半導體晶片之間隙間曰益變得狹窄，於摻合如專 利文獻！所記載之與硬化後之膜厚大致相等之粒徑的粒子 !:直至粒子本身可發揮間隙材功能之厚度前無法壓入接 者劑’導致有時不能達成所欲之間隙間距離。x，有時 無法將所要接合半導體晶片彼此正確地保持平行。 專利文獻1 :曰本特開平i ^^9765號公報 專利文獻2 :曰本特開2〇〇5_244188號公報 【發明内容】 *本發明之目的在於提供一種能以平行且正確之間隙間 距離’將一電子零件與其他電子零件、或—電子零件與支 持構件加以接合之電子零件用接著劑。又，本發明之 亦在於提供一種使用該電子零件用接著劑之半導體晶片之 積層方法、及半導體裝置。 本發明係一種電子零件用接著劑， 與i他雷早⑥杜+ _將電子零件 、电子令件、或—電子零件與支持構件，以3〇” 下之間隙間距離加以平行積層，係含有硬化性化合物 化劑及間隔粒子；在接合該__電子零件與其他電子零件、 6 200908166 或電子零件與支持構件時之溫度下，使用 l〇rpm所測得的黏度為5 i黏度計以

值為10%以下，且_ a s以下’該間隔粒子，其CV 一電子零件μ持構電子零件與其他電子零件、或該 本發明：等發現=:間距離的4°〜7°%。 電子零件、或—電子零種^有用以接合一電子零件與其他 劑，其具有既定黏度特性〃支持構件之間隔粒子的接著 小，且相對於該一電子*杜所含之間隔粒子具有均勻之大 零件與支持構件之間隙^貞其他電子零件、或該—電子 内，可充分對應近年==未其平均粒徑係在既定範圍 所伴隨之窄間隔化，並能將于：之小型化、高度積體化 或-電子零件與支持 。電子零件與其他電子零件、 接合，從而完成本發明。以平行且正確之間隙間距離加以 件、=電=距離係意指將-電子零件與其他電子零 其他電子零件+或加以接著時’ 一電子零件與 本發明之電子零件用接i與:持構件之距離。 4子零件並無特職制，可 感測-、及Ε!型或ΕΕ型變 广體广 適合使用半導體晶片。 +件之線圈鐵心等。其中， 又 w亥支持構件只| 3 件之構件，則無特丄:二=導體晶片等電子零 J舉例如導線架、樹脂基板、 200908166 及陶究基板等以往公知之構件。 本發明之電子零件用接著劑所 與其他電子零件、或該—電子零=-電子零件 離的上限為、。在間隙間距離之下：二件之間隙間距 1 5 // m a夺特別右田 朴 吸馮5 " m，上限為 寧I: 若以此種間隙間距離來接合該一電子 令件與其他電子零件、或 ^ ° ^电子 可充分對瘅i i ^ 零件與支持構件時，即 了充刀對應近年來半導體封裝之小型化 f 此處，接著劑硬化後之膜厚為：度積體化。 —在以上述窄間隔進= :，=Γ子零件彼此等保持成平行，且難以正確二 相對於此，本發明之電子零件用接著 内，亚配合所欲之電子零件彼此等之間隙間 = 擇所含之間隔粒子之粒徑，以使其在既定範圍内。：：： 發明之電子零件用接著劑，即使在以上述窄間隔來接= 子零件彼此等時’亦可將所要接合之電子零件彼此等2 成平灯，並正確控制該等間隙間距離。 本發明之電子零件用接著劑係含有間隔粒子。 該間隔粒子之cv值之上限為1G%。^ cv值超過咖 時，間隔粒徑之偏差會變大’在接合—電子零件與其他電 子零件、或-電子零件與支持構件時，無法以平行且正確 之間隙間距離將此等加以接合，而不能充分發揮作為間隔 粒子之功能。cv值之較佳上限為6%，更佳上限為4%。w 此外，本說明書中，CV值係指以下述式（1)所求出之 200908166 數值。 U) 值（％)= (σ 2/Dn2)xl〇〇 式（1)中，σ2係表示粒 平均粒徑。 二之钛準差，Dn2則表示數量 該間隔粒子之平均 較佳。 下限以，上限以20_ :::隔粒子之平均粒徑未達一 =零件彼此等之間隙會過窄， ：= 間隙間距離將此等加以。— 卞仃且正確之 過20 /z m時，目,丨齋 °右該間隔粒子之平均粒徑超 法充分對庫近车；子零件彼此等之間隔會大於所須，而血 去充刀對應近年來半導體封裝之小型化、 ’、，、 間隔粒子之平均粒徑之更佳下限為3 I積體化。該 β m 0 限為m，較佳上限為1〇 又’該間隔粒子之平均粒徑，相對 與其他電子跫件、赤μ .+、雨 电于零件 距離，苴… 子零件與支持構件之間隙間 . 為娜，上限為7G%。若該間隔粒子之平均 粒徑未達40%時，則間隔粒子相 -η M 、所欲之電子零件間等 間隙間距離會過小，而難以將所要接合之電子零 γ在平行且正確之間㈣距離。若該間隔粒子之平均粒 Τ寺’則間隔粒子相對於所欲之電子零件間等之 :=距離會過大’而無法充分排除所要接合之電子零件 或支持構件與間隔粒子之間的接著劑，其結果列會變成大 200908166 於所欲之間隙間距離。該間隔粒子之平均粒徑的較佳下限 為45% ’較佳上限為60%。 該間隔粒子之平均粒徑，較佳在所添加之固體成 包：：隔粒子)之平均粒徑的^倍以上。若該間隔粒子 之平均粒控未& ^倍時，則有時會難以將電子零件彼此 寺之間隔設為上述窄間隔。更佳為使該間隔 徑在1.2倍以上。 < 十构粒 之：隔粒子’其粒徑分布之標準差較佳為在間隔粒子 二1:的1〇%以下。藉由使粒徑分布之標準差在1。% 平行接合。 *之接。時，可更穩定地將其 該間隔粒子之材質並益辟％丨UP庄, 無機粒子、有機無機混合可::有機粒子、 或有機無機混合粒子較合適。 有機粒子 亥有機粒子並無特別限制，例如可舉樹脂粒子。 構成該樹脂粒子之樹脂並無特別限制，例如可列舉聚 3嫌聚丙稀、聚甲基戍烯、聚氣乙稀、聚四氣乙稀、聚 =烯、”基丙烯酸甲醋、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對 :::酸丁 —酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚砜、聚苯醚、及 :’广：。其中’由於易於調整間隔粒子之硬度及恢復率， 亦可提升耐熱性，因此以使用交聯樹脂較佳。 騎=聯：？並無特別限制，例如可列舉環氧樹脂、盼 物：一曰二聚鼠胺樹脂、不飽和聚酯樹酯、二乙烯苯聚合 稀苯苯乙稀共聚物、二乙稀苯-丙稀酸酿共聚物、 200908166 η本二甲酸二烯丙酯聚合物、三聚異氰酸三烯丙酯聚合 物及笨代二聚氰胺聚合物等具有網目構造之樹酯。其中， 由於在接合晶片後，對硬化步驟、焊料回焊步驟等熱處理 步驟之耐性優因此以〕乙烯$聚合物、^乙烯苯·笨乙 烯共象物、二乙烯苯_甲基丙烯酸酯共聚物、及鄰苯二甲酸 二烯丙酯聚合物較佳。 構成該無機粒子之材料並無特別限制，可列舉例如氧 化矽、氧化鋁、氮化硼、氮化鋁、氮化石夕、鑽石、氧化鈦、 及氧化鍅等。 石〜頁機無機混合粒子並無特別限制，例如可舉以烷韋 …為主成刀之有機無機混合粒子等。此種以烷氧矽烷# 主成分之有機無機混合粒子，例如可依照曰本特許身 =2號說明書所記載之方法，藉由將烧氧㈣予^ 水分解縮聚來製造。 :間隔粒子’視需要，較佳為施以表面處理。 跫件該間隔粒子施以表面處理’可在本發明之電子 7牛用接者劑，實現後述黏度特性。 該表面處理方法並無特別限制，例如在接著組成物整 益特：=性時，以於表面賦予親水基較佳。此種方法並 舉以且ΓΓ，例如在使用該樹脂粒子作為間隔粒子時，可 水基之偶合劑來處理樹脂粒子表面之方法等。 寬比以球狀較佳…該間隔粒子之長 。電子零件彼此等時，可穩定將此㈣接 200908166 本說明書中，長寬比係指針對粒子之長徑與短徑，其長秤 長度對短徑長度之比（長徑長度除以短徑長度之值）。該長 寬比之值愈接近1，則間隔粒子之形狀愈接近正圓。 該間隔粒子，其以下述式（2)所示之反值的較佳下限為 980N/mm2，較佳上限為 490〇N/mm2。 K=(3//~ 2) * F · S-3/2 · R-l/2 式（2)中，F、S分別表示間隔粒子之1〇%壓縮變形的 荷重值（kgf)、壓縮位移（mm)，R表示該間隔粒子之半徑 (mm)。 該K值可藉由以下測量方法來測量。 首先，將間隔粒子散布於具有平滑表面之鋼板上後， 自其中選# 1個間隔粒子’使用微小壓縮測試機以鑽石製 直徑為5” m之圓柱的平滑端面來壓縮間隔粒子。此時， 以電磁力電檢測出壓縮荷重，以動作變壓器之位移電檢測 出壓縮位移。接著，從所獲得之壓縮位移荷重之關係，分 別求出1 0 /。壓細變形之荷重值、壓縮位移，並從所獲得之 結果算出κ值。 -該間隔粒子’其從2(rc、1()%之壓縮變形狀態釋放時 之堅縮〖灰復率的車又佳下限為20%。在使用具有此種壓縮恢 復率之間隔粒子時’即使間隙間距離左右之較大粒子存在 於所要積層之電子零件間’亦可藉由壓縮變形使形狀恢復 而發揮間隙調整材之作用。因此，能以更穩定之—定間隔 200908166 來平行積層電子零件彼此等。 忒壓縮恢復率可藉由以下測量方法來測量。 藉由與測篁該κ值時之相同方法，以動作變壓器之位 移電檢測出壓縮位移，在壓縮中逐漸減少荷重直至反轉荷 重值為止，測量該情形下荷重與壓縮位移之關係。從所得 之測量結果算出壓縮恢復率。然而，去荷重之終點並非荷 重值為零，而係〇, lg以上之原點荷重值。

该間隔粒子之摻合量的較佳下限為〇.〇1重量％，較佳 上限為10重量％。若該間隔粒子之摻合量未達0.01重量％ 時’則在接合電子零件彼此等時，有時會無法敎將電子 零，彼此之間隔保持_定。㈣間隔粒子之摻合量超過W 重夏％時，則有時會降低作為接著劑之功能。 又’除了該間隔粒子以外，在含有具備該間隔粒子之 :均粒徑以上之直徑的固體成分時，此種固體成分之摻合 里的較佳上限A 1重量％。又，該固體成分之熔點以硬化 溫度以下較佳。 再者，該固體成分之最大粒徑，係以間隔粒子之平均 粒徑的丨‘丨〜以倍較佳，以丨丨〜12倍更佳。 本發明之電子零件用接著劑係含有硬化性化合物。 取入。亥硬化性化合物並無特別限制，例如可使用藉由加成 縮聚、加成lis聚、複加成、加成縮合或開環聚合反 ，所更化之化合物。具體而t，可列舉例如尿素樹脂、三 :氣胺樹脂、酚醛樹脂、間苯二酚樹脂、環氧樹脂、丙； 酸樹脂、聚酯樹酯、聚醯胺樹脂、聚苯並咪唑樹脂、鄰笨 13 200908166 一甲酸二稀丙酷接(_ π ^ 月0、二甲苯樹脂、烷基_苯樹脂、環氧$ 烯酸酯樹脂、矽榭κ ^ 树舳％虱丙 苴中，山 树知、及聚胺酯樹脂等熱硬化性化合物。 ’、 ⑨接合後所製得之半導體裝置的可靠性及接人強 度優異，因此以产J」罪I·生及接合強 胺骨竿d 丙烯酸樹脂較佳’以具有醯亞 月女月朱之％氧樹脂更佳。 X衣氧樹月曰並無特別限制’可列舉例如雙酚A型、雙 =二雙紛AD型、雙紛S型等雙紛型環氧樹脂、盼路 #、甲紛清漆型等㈣型環氧樹脂、三紛甲烧三縮水 等芳香族環氧樹脂、萘型環氧樹脂1型環氧樹脂、 口衣戊-稀型環氧樹脂、間苯二㈣環氧樹脂（間苯二紛縮 X甘油醚）及此等之氫化物等。其中’由於可製得耐埶性 高之電子零件用接著劑，因此以萘型環氧樹脂1型環氧 樹脂、及間笨二酚型環氧樹脂較佳。 该萘型環氧樹脂之中，市售品可列舉例士口 Ηρ·彻2、 HP-4032D、HP_4700、Hp_47〇1(以上，Dainipp〇n 地㈣ V..

Chemicals公司製）等。又，該芴型環氧樹脂之中，市隹品 可列舉例如 EX-1010、101卜 1012、1〇2〇、1〇3〇、1{)4()、1()二了 1051、1060(以上，NAGASE CHEMTEX 公司製）等。又 該間苯二酚型環氧樹脂之中，市售品可舉例如Εχ_2〇ι (NAGASE CHEMTEX 公司製）等。 該萘型環氧樹脂、芴型環氧樹脂、間苯二酚型環氧樹 脂’以使用其軟化點在60°C以下之樹脂較佳。藉由使用軟 化點在60°C以下之樹脂，可減少為了降低電子零件用接著 劑之黏度而使用之稀釋劑等液狀成分的添加份數，而可製 14 200908166 ' 得在硬化時及硬化後揮發成分較少之電子零件用接著劑。 以使用軟化點在4(TC以下之樹脂更佳，再更佳為使用軟化 點在室溫以下之樹脂。該市售品之中，以Hp_4〇32、 4032D、EX-1020、及 EX-201 較佳。 在使用萘型環氧樹脂、芴型環氧樹脂或間苯二酚型環 氧樹脂其中一種或複數種作為該硬化性化合物時，該硬化 性化合物中該萘型環氧樹脂、苗型環氧樹脂或間苯二紛型 「 ^氧樹脂其中一種或複數種之摻合量的較佳下限為重 量％。若該萘型環氧樹脂、荀型環氧樹脂或間苯二齡型環 ㈣脂其t-種或複數種之摻合量未達4()重量％時，則有 時無法製得具有充分耐熱性之電子零件用接著劑。該萃型 環氧樹脂、苟型環氧樹脂或間苯二紛型環氧樹脂其^ 或複數種之摻合量的更佳τ限為6()重量％。又，該 氧樹脂、苟型環氧樹脂或間苯二紛型環氧樹脂里中二： 複數種之摻合量的較佳上限為9〇重量％。 、 或 ，亥環氧樹脂進一步可使用具有馳、咖 ::及丙稀酸橡膠等橡膠成分之橡膠改質環氧樹脂：可： :減合物等環氧化合物。使用此種環氧樹脂時，在： <可賦予柔軟性。又，亦可使用以往公知 該硬化性化合物，其吸濕率之較佳上限為：二 上限…。具有此種吸澡率之硬化性化合物，·;：佳 :蔡型環氧樹脂，環氧樹脂、倍環戊二烯型環氧：例 型環氧樹脂等。甲盼清漆型環氧樹脂、及間苯二盼 15 200908166 本發明之電子零件用接著劑係含有硬化劑。 ρ及硬化劑並無特別限制，可配合該硬化性化合物適當 I擇以往么知之硬化劑。在使用環氧樹脂作為硬化性化合 物時之硬化劑，可列舉例如三烷四氫鄰苯二甲酸酐等加熱 更化5L酉夂酐系硬化劑、⑲系硬化劑、胺系硬化劑、二氰二 胺等潛在性硬化劑、及陽離子系觸媒型硬化劑等。該等硬 化劑可單獨使用，亦可併用2種以上。 該硬化劑之推合量並無特別限制，在使用與該硬化性 化CT物之g此基等1反應的硬化劑時，相對於該該硬化性 化合物之官能基量，以80〜110當量較佳。又，若使用作 為觸媒功能之硬化劑時，相對於該硬化性化合#⑽重量 份，該硬化劑之摻合量的較佳下限為i重量份，較佳上限 為2 0重量份。 本發明之電子零件用接著劑，為了調整硬化速度或硬 化物之物性等’除了該硬化劑以外亦可進一步添加硬化促 進劑。 該硬化促進劑並無特別限制，可列舉例如咪唑系硬化 促進劑、及三級胺系硬化促進劑等。#中，由於易於進行 反應系統的控制（用以調整硬化速度或硬化物之物性），因 此適合使用咪唾系硬化促進劑。該等硬化促進劑可單獨使 用，亦可併用2種以上。 該’唑系硬化促進劑並無特別限制，可列舉例如以氰 乙基保護咪奴i位的L氰乙基_2_苯口米嗤、或以異三 酸保護驗性的㈣系、硬化促進劑（產品名「2ma_〇k， 16 200908166 國化成工業公司製）等。該等咪唑系硬化促進劑可單獨使 用，亦可併用2種以上。 該咪唑系硬化促進劑之摻合量並無特別限制，相對於 該硬化性化合物100重量份，較佳下限為1重量份，較佳 上限為10重量份。 該硬化劑及/或硬化促進劑，其熔點之較佳下限為120 °C。藉由使熔點在120°C以上，在將本發明之電子零件用 接著劑加熱時，可抑制凝膠化而可適當地接合半導體零件 及調整半導體零件間之距離。又，以硬化劑及硬化促進劑 中之任一者為粉體較佳。 該熔點為120°C以上之硬化劑，可列舉例如5-(2,5-二 氧四氫-3-苯基）-3-甲基-3-環己烯-1,2-二羧酸酐、TD-2090 等酚醛清漆樹脂、KH-6021等雙酚醛A清漆樹脂、KA-1165 等鄰曱酚清漆樹脂、EH-3636AS、EH-3842、EH-3780、 EH-43 3 9S、EH-4346S(以上，旭電化工業公司製）等二氰二 胺。 又，亦可適當使用以熔點在120°C以上之材質所被覆 之微膠囊型硬化劑。 該熔點在120°c以上之硬化促進劑，可列舉例如2MZ、 2MZ-P、2PZ、2PZ-PW、2P4MZ、C11Z-CNS、2PZ-CNS、 2PZCNS-PW、2MZ-A、2MZA-PW、C11Z-A、2E4MZ-A、 2MA-OK、2MAOK-PW、2PZ-OK、2MZ-OK、2PHZ、 2PHZ-PW ' 2P4MHZ、2P4MHZ-PW、2E4MZ-BIS、VT、 VT-OK、MAVT、MAVT-OK(以上，四國化成工業公司製） 17 200908166 等。特別是，以至】3(TC為止穩定，135〜2〇〇艽會活性化 之硬化促進劑較佳，該硬化促進劑之中，以2Ma_〇k、 2MAOK-PW較佳。在使用此等硬化促進劑時，可兼顧儲藏 穩定性、製程時對熱之穩定性及快速硬化性。 在使用環氧樹脂作為該硬化性化合物，且併用該硬化 劑與硬化促進劑時，硬化劑之摻合量以相對於環氧基理論 上所欲之當量以下較佳。若該硬化劑之摻合量超過理論上 所欲之當量時’有時會在硬化後因水分而易於使氯離子溶 析。亦即，若硬化劑過剩時，則例如以熱水從本發明之半 導體零件用接著劑之硬化物萃取出溶析成分時，由於萃取 =之pH為4〜5左右’因此有時氯離子會從環氧樹脂大量 洛析出。因此，將本發明之半導料件用接著劑之硬化物 ^、100 C之純水i〇g浸潰2小時後之純水的為6〜8 較t ’ pH為6.5〜7·5更佳。 人，不發明之電子 , ^ J 1文π π ’丨F句各次々无>1匕劑亦可 併用常溫下為固體t 3官能以上之酸肝硬化劑、與常溫下 為液體之2官能酸針硬化劑的電子零件用接著劑。可使本 ^明之電子零件用接著劑之251㈣彈性模數未達3奶， 二0〜。1 8(TC之溫度區域之儲藏彈性模數在麵Pa以上，㈣ c之孤度區域之儲藏彈性模數在丨以上。藉由 有此種'皿度區域之儲藏彈性模數’使用本發明之電子零 ::接者齊卜例如在接合半導體晶片與支持構件時，可使 槿：體3曰片之接著特性優異’可防止因半導體晶片盥支持 延伸率對溫度依存性之差異，而在半導體晶片產生 18 200908166 大的幫曲，此外亦可提高對所製造之 打線處理等的可靠性， +導體晶片積層體之 在併用，：靠f並且亦可確保耐焊料回焊性。 在併用该常溫下為固體之 與常溫下為液體之2w上之酸肝硬化劑、 件用接荖剞 n -硬化劑時，本發明之電子零 件用接者劑之硬化物，會成為具 ：于零 高彈性模數之基 -弹性模數之海成分與 、数之島成分的海島構造。且 .^. 成為高彈性模數且較硬…“ ’ 成分 劑之硬化物，^發明之電子零件用接著 島成刀將尚溫（例如 性模數保持於較高之㈣^ 175 C)之儲滅彈 才％孕乂冋之值（例如，3〇MPa以上 該海成分為低彈性桓| 矛 々见弹性換數且柔軟之部分 用接著劑之硬化物，i ^ ^ ^ # 該海成分將常溫（25。〇之儲藏彈 具==於較低之值(例如’未達_硬化物可藉由 ^ 構化’使該硬化物在常溫及高溫區域具有適度 14 1使半導體晶片等電子零件與支持構件之接著 “ V防止在接合於支持構件之半導體晶片等電子零 件產生大的彎曲。 —硬化物具有該儲藏彈性模數之本發明之電子零件用接 著刎在藉由例如後述方法（1)製作硬化物時，可藉由改變 該：溫下為固體之3官能以上之酸肝硬化劑、與常溫下為 液體之2官能酸酐硬化劑的摻合比來達成。具體而言，例 二適當調整常溫下為固體之3官能以上之酸酐硬化劑、與 下為液體之2官能基酸酐硬化劑的掺合比，即可將常 溫之儲藏彈性模數在1G()MPa〜3GPa之範圍内控制於所欲 之值，可充分緩合因半導體晶片等電子零件與基板之延伸 19 200908166 率對溫度依存性之差異所產生之應力，以防止在半導體叫 月等產生4曲。又’可將175°C以上之儲藏彈性模數在〇」 1 OOMPa之|&圍内控制於所欲之值，以提高在以本發明 之電子零件用接著劑所接著之半導體晶片實施打線處理 時、或焊料回焊過程等的製程可靠性。 在該硬化物具有海島構造時，高彈性模數之島成分之 直控的較佳下限為f) 1 „ * ^ 為0.1"01，較佳上限為ΙΟ/zm。若高彈性 核數之島成刀的直役未達Q i # m時，則該硬化物之島成 分會過小’有時無法確保高溫之彈性模數。若高彈性模數 之島成分的直徑超過10…夺，則有時常溫區域之柔軟性 會不足。高彈性模數之島成分之直徑的更佳下限為0_5" m，更佳上限為5" m。此外，該島成分之直徑，係意指將 本如明之電子零件用接著劑之硬化物切成厚度為Μ·，將 釕木色之後，以透過型電子顯微鏡（「jem2丨〇〇」、 公司製）觀察時’所能觀察之島部分的長邊。又，亦可使用 A™從海部分與島部分之彈性模數之差求得島部分之直 梭。此外’亦可使用紅外線分光，測# 3官能以上之酸酐 的存在部分，藉此測量島部分之直徑。 广在該硬化物中，以該島成分均勻分布於該海成分 中較佳。若該島成分之分布不均勻時，則在使用本發明之 電2零件用接著劑來接著電子零件與支持構件時，有時電 :零件與支持構件之接著會不均句、或硬化物之儲藏彈性 立數s不均勻。此外’該島成分均勻分布於該海成分係 思、指於任意之10/zmXl0"m内皆存在島與海。 20 200908166 在該硬化物具有該海島構造時，以該海成分之25t之 儲藏彈性模數未達1 GPa較佳。若該海成分之2rc之儲藏 彈性杈數超過1 GPa時’則該硬化物在常溫區域之柔軟性 曰不足，在使用本發明之電子零件用接著劑來接著電子零 牛人支持構件時’無法緩合因半導體晶片與支持構件之延 伸率對溫度依存性之差異所產生之應力，有時會在半導體 晶片產生彎曲。該海成分之25t之儲藏彈性模數之更佳上 限為0.8 GPa ’進一步更佳上限為〇 6必。 又，該島成分之25°C之儲藏彈性模數之較佳下限為 咖扛。若該島成分之25ΐ之儲藏彈性模數未達i Gpa時， 則無法將該硬化物纟高溫之彈性模數保持較高，如在使 用本發明之電子零件用接著劑進行半導體晶片與支持構件 之接合時，有時會無法對該半導體晶片進行打線處理。該 島成分之251之儲藏彈性模數之更佳下限為2(}pa，進二 步更佳下限為4GPa。 。此外，在該硬化物具有海島構造時，將該島成分之17〇 °c之儲藏彈性模數之值除以該海成分之17〇t之儲藏彈性 模數之值後之值的較佳下限為2。若該島成分之17〇。〇之 儲藏彈性模數之值除以該海成分t 17(^之儲藏彈性模數 之值後之值未達2時，則有時無法同時確保該硬化物中島 成分之高溫區域之彈性模數、與海成分之常溫區域之低彈 性模數。該島成分t 17(TC之儲藏彈性模數之值除以該海 成分之17CTC之儲藏彈性模數之值後之值的更佳下限為3， 進一步更佳下限為5。 21 200908166 此外，該海成分與島成分之彈性模數比，可使用例如 原子力顯微鏡（AFM)(「SPA-400」、SOUNDPROOF H〇USINC} 公司製）來測量。此外，構成該海成分之低彈性模數樹脂硬 化物，藉由使用IT measurement control公司製之黏彈性測 試機等來測量各樹脂硬化物之彈性模數，即可求出低彈性 模數之海成分與高彈性模數之島成分的彈性模數。 該常溫下為固體之3官能以上之酸酐硬化劑並無特別 /- 限制，3官能之酸酐硬化劑，可列舉例如酸酐苯偏三酸酐 寺，4官能以上之酸酐硬化劑可列舉例如苯均四酸酐、二 笨甲酮四缓酸酐、甲基環己稀四敌酸酐、及聚壬二酸針等： 該常溫下為液體之2官能酸酐硬化職無特別限制， 可列舉例如鄰苯二甲酸奸、六氫醜肝、甲基四氯耿肝、甲 基六氫欧酐、内亞甲四氫酜軒、甲基内亞甲四氫駄酐、及 無水順丁烯二酸等。 製備此種具有海島構造之硬化物的方法，可列舉例 使用含有由硬化性化合物與常溫下為固…官能以上之 酸軒硬化劑所構成之粒子(以下，亦稱為3官能以上之酸肝 硬化劑粒子）' 及硬化促進劑之本IM # 4 +發明之電子零件用接荽 劑’藉由硬化時之加妖，在— Η用接者 … 3 g能以上之酸酐硬化劑粒 子發生熔融擴散之範圍，形丄 ^办成问父聯之硬化物（島成分）， 另一方面藉由該硬化促進劑 W使熔融之3官能以上之酸酐 硬化劑粒子擴散區域以外之 ' 化物（海成分）的方法、及更 % ()使用含有硬化性化合物、硬化 促進名、及與該硬化性化 口物相溶性不佳之高反應性硬化 22 200908166 劑之本發日月之電子零件用 相溶性不佳之高反應性硬化；劑’藉由與該硬化性化合物 以形成高交聯之硬化物（島=僅使該硬化劑周圍高交聯 劑使該高交聯之硬化物周刀，另：方面以該硬化促進 聯之硬化物(海成分)的方去圍乂外之區域硬化’以得到低交 ^ 3 - 法。其中，可適當使用該方法（1)。 為二二==硬化劑粒子，其溶點之較佳下限

合物相溶性::之方達二時，則若不選擇咖 散於本發明之電二用：則會在較低溫成為液態而擴 化時之… 劑中，導致有時難以藉由硬 H亥方法（1)形成所欲之海島構造。此外，在將 3官能基以上之酸酐硬化劑粒子選擇成與該環氧化合物相 洛性不佳時，亦可使用溶點未達8Gn 3官能以上之酸肝 硬化劑粒子。 — 該3官能以上之酸酐硬化劑粒子的平均粒徑，較佳下 限為O.Um，較佳上限為1〇心。若該3官能以上之酸酐 硬化劑粒子的平均粒徑未達〇.1…寺，硬化時即使可形 =島構造，島成分亦會過小，而無法達成在高溫區域： 咼弹性杈數。若該3官能以上之酸酐硬化劑粒子的平均粒 徑超過10 // m時，則硬化時島成分會過大，導致在常溫區 域下之柔軟性會不足，而無法改善半導體晶片等電子零件 之彎'曲。 又，本發明之電子零件用接著劑，亦可在不阻礙本發 明之效果的範圍内含有稀釋劑。 該稀釋劑係以能在本發明之電子零件用接著劑加熱硬 23 200908166 化時進入硬化物之反應性稀釋劑較佳。其中 ； 硬化物之接著可靠性惡化，以〗八 ‘、、、了不使该 基之反應性稀釋劑較佳。 具彳2個以上官能 此種反應性稀釋劑，可列舉例如脂 環氧乙炫改質環氧樹脂、環氧丙院改質環氧樹月t 型環氧樹脂、倍環戊二烯型環氧 a %己烷 在太心明紛駿型環氧樹腊等。 在本發明之電子零件用接 旦并—& ， 有^ 3有该稀釋劑時，其含 里並無特別限制，相對於本發 吋具含 奴a(電子零件用接著劑所含 有之硬化性化合物之合計〗〇 ,yV > /+ 垔重伤，較佳下限為1重量 铋，較佳上限為5〇重量份。 置里 旦 77右3玄稀釋劑之含量未達丨重 董伤時，則有時幾乎無本媒 稀釋❹人曰如 稀釋劑之效果。若該 ^之31超過50 ί量份時，則有時會使本發明之電 子令件用接著劑的接著可靠性變差、 ,,, X/去獲传後述點唐 寸性。該稀釋劑之含量的更佳 為20重量份。 3 5重！伤，更佳上限 本發明之電子零件用接著劑，以進一步含有具能斑該 硬化性化合物反應之官能基的高分子化合物較佳。藉由含 有此種高分子化合物’可提升因熱導致變形時的接合可靠 性。 具有能與該硬化性化合物反應之官能基的高分子化合 物，在使用環氧樹脂作為該硬化性化合物時，可列舉例Ζ ，有胺基、聚胺醋基、醯亞胺基、經基、絲、及環氧基 等之高分子化合物等。其中’以具有環氧基之高分心 物較佳。藉由添加具有該環氧基之高分子化合物，本發明 24 200908166 之電子零件用接著劑之硬化物可顯現優異之可撓性。亦 即本毛月之電子零件用接著劑之硬化物，可兼具源自具 有以屬硬化性化合物之多環式經骨架為主鏈的優異機械強 度、耐熱性及耐濕性、與源自具有該環氧基之高分子化合 物的優異可撓性。因此，本發明之電子零件用接著劑之硬 化物，具有優異之耐冷熱循環性、耐桿料回焊性、及尺寸 穩疋性等，並顯現高接著可靠性或高絕緣可靠性。 该具有環氧基之高分子化合物，只要是在末端或側鏈 (懸木位）其中之一具有環氧基之高分子化合物即可，可列 舉例如含環氧基之丙稀酸橡膝、含環氧基之丁二稀橡膠、 雙酉分型高分子量環氧樹脂、含環氧基之苯氧樹月旨、含環氧 基之丙烯酸樹脂、含環氧基之聚胺醋樹脂、含環氧基之聚 酉旨樹脂等。其中，由於可製得含大量環氧基之高分子化合 物，而構成機械強度或耐熱性更優異之硬化物，因此可適 -使用含環氧基之丙烯酸樹脂。此等具有環氧基之高分子 化合物，可單獨使用，亦可併用2種以上。 在使用該具有環氯其#古^211, „ 氧土之间刀子化合物，特別是使用含 =基之丙烯酸樹脂’作為具有能與該硬化性化合物反應 之β旎基的高分子化合物時，重 … .t ^ I重十均分子量之較佳下限 两1萬。若重量平均分早吾本，去，# 突 未達1萬時，則本發明之電子 “子：：劑之造膜性會不足’有時無法充分提升本發明 电子零件用接著劑之硬化物的可撓性。 在使用該具有該環氧基 含㈣其々. 録之同刀子化合物，特別是使用 基之㈣酸樹脂’作為具有能與該硬化性化合物反 25 200908166 應之g月匕基的南分合妨ϊ B本，& 门刀卞化σ物日寻，％乳當量之較佳下限為 2〇〇,較佳上限為1000。若環氧當量未達2〇〇時，則有時 會無法充分提升本發明之電子零件用接著劑之硬化物的可 撓性。若環氧當量超過1000時，則有時本發明之電子零 件用接著劑之硬化物的機械強度或耐熱性會不足。 具有能與該硬化性化合物反應之官能基的高分子化合 物摻合量並無特別限制，相對於該硬化性化合物1〇〇重量 份，較佳下限為1重量份，較佳上限為2〇重量份。若具 ί «與該硬化性化合物反應t官能基的高分子化合 量未達1重量份時，則會無法獲得對熱變形之充分可靠性。 若具有能與該硬化性化合物反應之官能基的高分子化合物 摻合量超過20重量份時，則有時耐熱性會降低。 本發明之電子零件用接著劑，進一步以含有搖變劑 (thiX〇tropy_imparting agent)較佳。藉由含有搖變劑，可使 本發明之電子零件用接著劑達成所欲之黏度特性。 ㈣變劑並無特別限制，可使_如金屬微粒、碳酸 I約、燦石夕土（fumed silica)、氧化mm⑽、及 硼酸鋁等無機微粒。其中，以燻矽土較佳。 又’該搖變劑，視須要’亦可使用經進行表面處理者。 特別是以使用表面具有疏水基之粒子較佳。具體而言，以 使用例如表面經疏水化之燻矽土等較佳。 在使用粒狀搖變劑作為該搖變劑時，平均粒徑之較佳 上限為bm。若該榣變劑之平均粒徑超過一時，則有 時無法顯現所欲之搖變性。 26 200908166 該搖變劑之摻合量並無特別限制 量％，較佳上限為20重量％。若該 下限為〇·5重 重量％時，則A# 變刎之摻合量未達〇.5 …、沄獲仔充分之搖變性。 量超過20重量％時，則在接合 右该搖變劑之摻合 則有時會降低本發明之電子零體：：等電子零件時， 變劑之摻合量的更佳 者劑的排除性。該搖 %。 為2重量％，較佳上限為10重量 本發明之電子零件用接著劑，視須要 該溶劑並無特別限制，可列舉例如芳二3有溶劑。 芳香族煙類 '氯化脂肪族煙類、醇類 二類酌氯化 本發明之電子零㈣族煙類等。 離子交換體。 劑，視須要，亦可含有無機 該無機離子交換體之中’市售 亞合成公司製）等。 1 J # ΙχΕ系列（東 該無機離子交換體之摻合量並 為1重量％，較佳上限為10重量％。 車交佳下限 此外，本發明之電子零件用接著劑， 有其他防析出劑"米切院偶合劑等接著性賦添亦可含 劑。 者〖生賦予劑等添加 :防析出劑以經表面親水化處理之⑽土較佳。 本兔明之電子零件用接著劑，在接合 他電子零件、或該雷 β電子零件與其

型s ^ 零件與支持構件之溫度下，使用F 计以1〇rPm所測得之黏度的上限為5〇Pa.s。若在接 27 200908166 合=電子零件與其他電子零件、或該電子零件與支持構件 下使用E型黏度計以10rPm所測得之黏度的上限 ^ s時，則在使用本發明之電子零件用接著劑，進 Γ:子零件彼此等之接合時，會無法充分排除間隔粒子與 ^件或支持構件間之接著齊卜結果會使所要接合之電 =件間等_間距離大於所欲之值。在接合該電子零件 …他電子零件、或該電子零件與支持構件之溫度下，使 E型黏度計以10rpm所測得之黏度的較佳上限為20pa. s ’更佳上限為10pa.s。 又纟該接合溫度使用E型黏度計所測得之1〇rpm之 :度的較佳下限為5Pa.s。若在該接合溫度…型黏度 啊之黏度未達5Pa.s時，則在接合電子零件盘盆 他電子零件、亦齋2 & ^ — 牛與支持構件時，有時會產生溢出 專而難以確保塗布形狀穩定性。 本發月之電子零件用接著劑，在使用ε 於測量黏度時，。.一黏度的較佳下限一 =限為2〇"a.s。若使用Ε型黏度計以饥、。5-垃牛測得的黏度未達齋"時，則本發明之電子零件用 〇者劑有時會欠缺形狀保持性。若使用E型黏度計以25t：、 子5ΓΓ之條件測得的黏度超過2〇op"時，則本發明之電 々用接著劑有時會欠缺吐出穩定性。 此外’本發明之電子零件用接著劑，以使用E型黏度 二声二C、lrPm之條件所測得的黏度為T1，以使用E型 黏度叶在2 5 °Γ、1 η 〇rpm之條件所測得的黏度為Τ2時，較 28 200908166 2為Tim之下限為2，上限為6。藉由使該τι/τ2在該 耗圍内，可使本發明之電子零件用接著劑具有適合塗布之 搖變性。 本發明之電子零件用接著劑，可藉由例如將該硬化性 化合物、硬化劑、及視須要所添加之硬化促進劑、稀釋劑、 其他添加劑等以既定量掺合並加以混合後，進一步換合間 隔粒子之方法來製造。 π °亥此合之方法並無特別限制，可使用例如行星式攪拌 < 益、4亍星式混合機、白；I®八At iili .J. 勺相刀政機、萬用混合機、密閉式混 煉機、及揉合機等方法。 使用本發明之電子零件用接著劑，將一半導體晶片積 層於其他半導體晶片或支持構件之方法，可適當使用具有 下步驟之方法.⑴塗布步驟，係將本發明之電子零件用 :著劑塗布於該半導體晶片或支持構件，以形成接著劑 二⑺+日導體晶片積層步驟’係透過該接著劑層來積層該 f …體曰曰片及0)硬化步驟，係使該一半導體晶片與該 他半導體晶片或支持構件間之接著劑層硬化。此料導 體晶片之積層方法亦為本發明之一。 本發明之半導體晶片之積層方法，視須要，亦可在⑴ “步驟之後，進行溶劑乾燥或B階段化。 驟本發明之半導體晶片之積層方法，係具有⑴塗布步 用以將本發明之電子零件用接著劑塗布於該半導體晶 或支持構件，以形成接著劑層。 /⑴塗布步驟中’將本發明之電子零件用接著劑塗布 29 200908166 於該半導體晶片或支持構件之方法，並無特別限制，可列 舉例如滴注、喷墨法、網版gp jg丨 網版印刷、平版印刷及凹版印刷法 等以往公知之塗布法或印刷法等。 f. 形成於该该半導體晶片或支持構件之接著劑層的厚 度，、要疋至^大於所要製造之半導體晶片積層體之半導 體晶片的間隔者，則無特別限制，相對於所要製造之半導 體晶片積層體之半導體晶片的間隙間距離，以在30倍以 内較佳。若形成於該半導體晶片或支持構件之接著劑層的 厚度超過30倍時，則有時會難以以所欲之間隔來製造半 導體晶片積層體。形成於該該半導體晶片或支持構件之接 著劑層的厚度，更佳為2〇倍以内。 本發明之半導體晶片之積層方法，係具有半導體晶片 積層步驟⑺，用以透過該接著劑層來積層該一半導體晶 片。 本半導體晶片積層步驟⑺中’藉由所要積層之該一半 i 導體晶片，施加按壓於該接著劑層，使該接著劑層之厚度 成為目標之半導體晶片積層體之半導體晶片的間隔。 藉由經過本步驟，形成使本發明之電子零件用接著劑 所含之間隔粒子之平均粒徑相對於接著劑層之厚度成為 〜70%的接著劑層。 本發明之半導體晶片之積層方法，係具有⑺硬化步 吏該一半導體晶片與該其他半導體晶片或支持構 件間之接耆劑層硬化。 使該接著劑層硬化之方法，並無特別限制，可配合本 30 200908166

發明之電子零件用i $為丨& A 接錢所含之硬化性化合物適當予以選 :’该硬化性化合物，在含有該環氧樹腊時，可舉 將该接著劑層加熱之方法。 藉由此種本發明之半導體晶片之積層方法，可將2個 以上之半導體晶片加以積層 w增成爹層，並藉由密封劑等加以 密封以製作半導體裝置。 a寻加以 此種藉由本發明之半導體晶片之積層方法製作而成之 半V體裝置，亦為本發明之一。 *根據本發明，可提供—種能將一電子零件與其他電子 备件或支持構件以平行且正確之間隙間距離加以接合 子零件用接著劑。又，亦可提^一 — 狄识種使用該電子零件用接 者劑之半導體晶片之積層方法、以及半導體裝置。 【實施方式】 以下，雖揭*實施例以進—步詳細說明本發明，但本 發明並非僅限於此等實施例。 (貫施例1〜8、比較例1〜1 〇) U)電子零件用接著劑之調製 依照表1及表2之組成，將下述所示之間隔粒子以外 之各材料，使用行星式攪拌機加以攪拌混合，以製作接著 =成物。依照纟1及表2之組成’將間隔粒子摻合於所製 :之接著組成物，並進-步使用行星式授拌機加以㈣混 合，藉此調製實施例1〜8及比較例丨〜丨〇之電子零件用 =著劑。此外，表i及表2中各組成物之摻合量係表示重 31 200908166 (硬化性化合物） 倍環戍二烯型環氧樹脂（「HP-7200HH」、Dainippon Ink and Chemicals 公司製） 奈型環氧樹脂（「HP-4032D」、Dainippon Ink and Chemicals公司製、在常溫下為液狀） 間苯二紛型環氧樹脂（「EX201」、NAGASE CHEMTEX 公司製、在常溫下為液狀） 低黏度環氧樹脂（「EP-4〇88S」、旭電化公司製、黏度 為 250mPa . s/ 25。。） (硬化物） 酸酐（「YH-307」、Japan Epoxy Resins 公司製） (間隔粒子） 樹脂粒子 1(「Micropearl SP-210」、積水化學工業公 司製、平均粒徑=10 μ m、CV值=4%) 樹脂粒子2(「Micropearl SP-207」、積水化學工業公 司製、平均粒徑=7 # m、CV值=4%) 樹脂粒子3(「Micropearl SP-205」、積水化學工業公 司製、平均粒徑=5 # m、CV值=4%) 樹脂粒子4(「Micropearl SP-203」、積水化學工業公 司製、平均粒徑=3 // m、CV值=4%) 樹脂粒子5(「Micropearl SP-204」、積水化學工業公 司製、平均粒徑=4.5 # m、CV值=4%) 樹脂粒子6(「Micropearl SP-206」、積水化學工業公 司製、平均粒徑=6 # m、CV值=4%) 32 200908166 樹脂粒子7(「Micropearl SP-204」、積水化學工業公 司製、平均粒徑=3_8 # m、CV值=4。/。） 樹脂粒子8(「Micropearl SP-208」、積水化學工業公 司製、平均粒徑=8 // m、CV值=4%) 球狀氧化矽1(「HS301」、Micron公司製、平均粒徑 二 2.4# m、cv 值〉1〇%) 球狀氧化矽2(「HS3〇2」、Micron公司製、平均粒徑 = 、cv 值〉1〇%) (硬化促進劑） 咪唾化合物（「2MA-OK」、四國化成工業公司製） (搖變劑） 燻石夕土（「AEROSIL R202S」、曰本AEROSIL公司製） (含環氧基之高分子化合物） 含環氧基之丙烯酸樹脂（「BLEMMER CP-30」、Japan Epoxy Resins 公司製） (橡膠改質環氧樹脂） CTBN改質環氧樹脂（「EPR-4023」、旭化成工業公司 製） (2)半導體晶片積層體之製作 將所製得之電子零件用接著劑填充於丨〇mL之注射器 (岩下Engineering公司製），將精密管嘴（岩下Engineering 公司製、管嘴前端直徑〇.3mm)安裝於注射器前端，使用分 庄凌置（「SHOT MASTER 300」、武藏 Engineering 公司製）， 以吐出壓為0.4MPa、半導體晶片與針之間隙為2〇〇"m、 33 200908166 塗布量為5mg塗布於基板上。 進行塗布之後，藉由使用黏晶機（「Bestemd〇2」、 caN〇Nmachinery公司製），以抑及表2所記 載之時間進行按壓，積層矽晶片（厚度為8—、i〇mmx l〇mm見方）。此時，使目標之間隙間距離為丨〇gm。之後， 以150°C進行60分鐘加熱，使電子零件用接著劑硬化，藉 此製得半導體晶片積層體。 (評價） 針對實施例及比較例所調製之電子零件用接著劑、及 所製作之半導體晶片積層體，藉由以下方法進行評價。將 結果表不於表1及表2。 (黏度測量） 針對實施例及比較例所調製之電子零件用接著劑，使 用E型黏度測量裝置（產品名r VISCOMETER Tm _)，TOKI SANGYO CO_ LTD公司製、使用轉子為0 15mm、設定溫 度為25 C ) ’測量轉速為〇.5rpm、1 rpm、及1 〇rpm之黏度。 此外，針對實施例及比較例所調製之電子零件用接著劑， 以使用E型黏度測量裝置在25 °C、1 rpm之條件所測量之 黏度為T1 ’以使用E型黏度測量裝置在25°C、1〇 rpm之 條件所測量之黏度為T2，算出τ 1 / T2之值。 (2)間隙間距離之測量 在製作半導體晶片積層體時，使用雷射位移外 (「LT9010M」、「KS-1100」、KEyeNCE 公司製），剛量 積層半導體晶片時之間隙間距離，以算出間隔粒子之平土勺 34 200908166 粒徑相對於間隙間距離的比例。 斤冽ΐ之樣品數為各25個，以晶片中心、及晶片 :2個部位的平均值為間隙間距離。X，以晶片中心 晶片周邊之間隙間距離的差為傾斜。 (3 )半導體晶片積層體之許價 +針對所製作之半導體晶片積層體，在間隙間距離為 ~3以m、傾斜在土 3 以下時 μ 汗價為「〇」，在間隙ρ ’、' 〇±5 # m、傾斜在±5 // m以下時評價為「△」， 隙間距離為l〇±5/z m、傾斜在±5以m以上時評價為^ 在間隙間距離為15 # m<時評價為「XX」。 邊 及 10 距 間 35 200908166 〆 8"炎躲 I iN-i# 9莩絮駟 1 •H#"鉍 "茗啜鉍 2士>"釦 °l 0- 0^ 8 s s 2 0" g s s 0卜

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Claims (1)

1. 200908166 十、申請專利範園： 電子文件二電子零件用接著劑’肖以將-電子零件與其他 電子零件或電子零件與支持構件，以心m以下之間 距離加以平行積層，其特徵在於： 係含有硬化性化合物、硬化劑及間隔粒 用接著劑； < 1：子令件 在接合該-電子零件與其他電子零件或電子零件 溫度下，使用£型黏度計"1Grpm所測得的黏 度為50Pa.s以下； 該間隔粒子，1 CV值為10%以下，其平均粒徑為兮 -電子零件與其他電子零件或電子零件與支持構件之間隙 間距離的4 0〜7 0 %。 2、如申請專利範圍帛Μ之電子零件用接著劑，其中 電子零件係半導體晶片。 、

   其 該 3、-種半導體晶月之積層方法’係使用申請專利範圍 1或2項之電子零件用接著劑，將—半導體晶片積層於 他半導體晶片或支持構件，其特徵在於，具有： 塗布步驟（1)，係於該其他半導體晶片或支持構件塗布 電子零件用接著劑，以形成接著劑層； 半導體晶片積層步驟（2) ’係透過該接著劑層積 半導體晶片；及 硬化步驟（3)，係使該—半導體晶片與該其他半導體晶 片或支持構件間之接著劑層硬化。 4、一種半導體裝置，其特徵在於： 39 200908166 之積層方法 係藉由申請專利範圍第3項之半導體晶 製造而成。 十一、圖式： 無 40