TW200905810A - Volatile memory and manufacturing method thereof - Google Patents

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200905810 2006-0194 23790twf.doc/n 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種積體電路元件及其製造方法，且 特別是有關於一種揮發性記憶體及其製造方法。 【先前技術】 一般而言，在製作記憶胞時，通常會結合周邊電路的 〇 製作同時進行，以縮短製程時間與簡化製程。而且，根據 於元件中所需之功能不同，會分別於記憶胞區與周邊電路 區形成具有適當功能特徵之電晶體。對動態隨機存取記憮 體(dynamic random access memory，DRAM)而言’其所& 含的電晶體可分為記憶胞區之電晶體以及周邊電路區之電 晶體。 目前，動態隨機存取記憶體之記憶胞區的電晶體，多 利用凹陷通道(recess channel)製程取代傳統的堆疊式閘極

結構’以藉由增加通道長度的方式來減少短通道效應以及 漏電流的問題。 習知，動態隨機存取記憶體之凹陷通道製程，是先提 供^有記憶胞區與周邊電路區的基底。之後，在記憶胞區 之 之電日白 Ϊΐΐ中形成有乡赌溝渠式電容ϋ。織，在深溝渠式 二:之間的基底中形成溝槽。之後，在溝槽頂部的基底 >厂源極/汲極區。隨後，在溝槽侧壁形成閘氧化層。繼 中填人作為閘極的多㈣層’而形成記憶胞區 -結構。在完成記憶胞區之電晶體的製作之後，接 200905810 2006-0194 23790twf.doc/n 源極/汲極區的 著可進行周邊電路區之電晶體的閘極定義、 植入和高溫活化等製程。 在電路積集化逐漸提高以及元件尺寸持續縮小的情 況下’因為接觸電阻和接觸面成反比，所以當元件變小後 相對地會增加接觸電阻，而影響元件之驅動能力。為了解 決此問題，通常會以金屬材料取代多晶石夕作為閘極。然而， 金屬閉極元件通常會因製程中的熱處理或其他高溫製程， p 而存在有熱穩定性不佳與金屬擴散污染的問題。 因此’如何避免上述之問題的發生以形成高品質之元 件’是目前業界積極努力發展的重要課題之一。 【發明内容】 有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種揮發性記憶 體及其製造方法，能夠避免習知製程所衍生的種種問題， 且降低接觸電阻以及提高元件之驅動能力，以形成高品質 之元件。 本發明提出一種揮發性記憶體的製造方法。此方法為 首先提供一基底’基底具有記憶胞區以及週邊電路區，而 記憶胞區之基底中具有多個深溝渠式電容器，且在深溝渠 式電谷益上形成有隔離結構。接著，於相鄰的二深溝渠式 電容器之間的基底中形成一凹槽。然後，於凹槽的頂部側 壁之基底中形成一源極/汲極區。之後，於凹槽侧壁上形成 第一閘介電層。隨後，於第一閘介電層上形成第一導體層， 而第一導體層的表面高度小於等於源極/没極區的底部高 200905810 2006-0194 23790twf.d〇c/n ;介;層，以順應性地覆蓋基底。之後， 則ίίί ίΓ 犧牲層與介電層具有不同之 層。隨後，細邊 ;之基底上方依序形成第二間介電 層。接著，進行—圖二:^層罔金屬導線層以及硬罩幕 線層、金屬層、第二;體層以= 胞區之凹槽中形成第—閘極結構以及J二= 上形成第二閘極結構。 财的基底 法，更包月=施例所述Λ揮發性記憶體的製造方 極社構側辟八乂/ ，首先在第—閑極結構側壁與第二閘 極、-、口構側土刀別形成第一間隙壁i 基底上方形成内層介電層。接著成ί 個接觸窗，以分別電性遠接外的円U層中形成多 電路區之第二閘極結構。“區之源極/祕區與週邊 法，ΐ^ί、Γ_Γ實施觸私揮祕雜義製造方 中之二容器包括，形成於深溝渠底部之基底 賴，類底部μ容介電層 以及形成於電容介電層上之上電極。 依照本發明的實施例所述之揮 法例如是，先形成-間= 以順應性覆盍基底與隔離結構。然後，進行一非等向性蝕 200905810 2006-0194 23790twf.doc/n 刻製程，移除部分間隙壁材料 -間隙壁。之後，以間隙壁為 蓋隔離結構侧壁杉： 之。 J罩幕，蝕刻基底以#戒 依照本發明的實施例所述 法，上述之源極/及極區的形成揮，性記憶體的製造f 子植入製程。 /例如是進行一傾斜角離 發明的實施_述之揮發 去’上述之第—導體層的形成方 t體的衣= 成—導體材料層，然後移除部八 疋，先於凹槽中瓜 層的表面南度小於等於源極/没極區的底部曰至㈣讨 依照本發明的實施例所述之揮—门又 法，上述之介+厗θ乙之揮發性圮憶體的製造方 所製成^ 乙氧基石夕燒為反應氣體來游 衣成之德矽層’其形成方法例如是化學氣相沈藉法。 依照本發明的命竑伽裕、+、* k G于礼相沈積汝

O 法，上述之㈣〜之揮發性記憶體的製造方 如是多晶…電層例如是以層’其中導體層例 法，實施麟述铸發性雜體的製造方 上述之移除部分犧牲層至暴露出 造行回钕刻製程或化學機械研磨製程。I 例如疋 法，實㈣所述之揮發性記憶體的製造方 紐、氮化心：Γ才料例如是鈦、鈦氮化鈦、鈕、氮化 鼠化給II化I目、鎢、銘或其他合適之材料。 法===實施述之揮贿記憶體的製造方 丨 ¥體層與第—導體相材料例如是播雜多 200905810 2006-0194 23790twf.doc/n 晶石夕或其他合適之材料。 提出-種揮發性記憶體，其包 =式電晶Γ及堆疊式電晶體。其中，此基底具有記！; 邊電路區’而記憶胞區之基底中具有多個深溝 渠式電谷器，且相鄰的二深溝 兩 有凹槽。凹槽通道式電a “之_基底中具 置於基底上。凹槽槽中’且其一部分配 基底中的，_區\:!=設， 結構。第一問極結構包括=於該凹槽中的第-間槌 置於第-導體層上且位:凹二=士的第-導體層、毁 導體層上之第-金屬層、設=之:、設置於第〜 外，堆疊式電晶體配置於以:冗-硬罩幕層。另 Ο 晶體包括第二祕結構，龙i區之基底上。堆疊式電 上。第二閘極結構由基底起週邊電路區之該基底 層、第二金屬層、第二金屬弟〜閘介電層、第二導體 依照本發明的實施例、、層以及第一硬罩幕層。 第一間隙壁、第二間隙壁、述之f發性記憶體，更包括， 其中，第一間隙壁與第二2層^電層以及多個接觸窗。 側壁與第二閘極結構侧壁。=壁二別設置在第一閘極結構 接觸窗設置在内層介電；中，電層設置在基底上方。 源極/汲極區與週邊電略區之#以分別電性連接記憶胞區之 依照本發明的實施例所鬧極結構。 χ性§己憶體，上述之深 200905810 2006-0194 23790twf.doc/n 溝渠式電容器包括，設置於番泪 極、設置於深溝渠之健與電 電容介電層上之上電極。 曰及5又置於 依照本發明的實施例所述之揮發性記情體 2例W❻基魏為反魏體麵所製叙氧ς 的實施例所述之揮發性記憶體， :，與第二金屬層的材料例如是鈦、鈦氮化鈦、： 虱、巨、鼠化铪、氮化銦、鶴、舶或其他合適之材料。 、依照本發明的實施例所述之揮發性記憶體，上 導體層與第二導體層的材料例如是摻雜多晶 適之材料。 4/、他& 本發明之揮發性記憶體的記憶胞區之電晶體為凹样 通=電晶體，其可增加通道長度以減少短通道效應與^ 電流等問題。而且’本發明之揮發性記憶體為金屬間極元 Ο 件，其可降低接觸電阻以及提高元件之驅動能力。另外， 本，明之揮發性記憶體的製造方法，是先以犧牲層形成於 後績預定形成金屬閘極的位置，然後進行週邊電路區之熱 處理或其他高溫製程後，再進行形成金屬閘極的製程。因、 此，可避免習知金屬閘極元件因製程中的熱處理或其他高 溫製程’而造成之熱穩定性不佳與金屬擴散污染的問題。 為邊本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂’下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 200905810 2006-0194 23790twf.doc/a 【實施方式】 圖1Α至圖II為依照本發明實施例所繪示之一種揮發 性記憶體的製造方法的製造流程剖面示意圖。 首先’請參照圖1A ’提供基底1〇〇，基底1〇〇例如是 矽基底。基底1〇〇具有記憶胞區102以及週邊電路區1〇4, 且在s己憶胞區102之基底1〇〇中形成有多個深溝渠式電容 器108。深溝渠式電容器1〇8例如是由下電極11〇、電容介 電層120以及上電極所構成。在本實施例中，深溝渠^ 容器108的上電極由導體層114、116、118所構成;;= 層114、116、118的材質例如是摻雜多晶石夕。下電接⑽ 例如是摻雜區。另外，在導體層116與基底刚之 成有領氧化層112。領氧化層112的材質例如是氧夕 承上述，深溝渠式電容器刚的形成方法為本領域二 人員所熟知’故於此不再贅述。 克術 在本實施财，深絲式電容_ Ο „器的上電極也可以是由-層導體層、兩；； 體層，甚至於二層以上的導體層所構成。 θ ¥ 以—冑7^電W 1Q8 ^'形成有隔離結構122 以疋義出主動區。隔離結構122 2 (STI)，其材質例如是氧化發。 疋&溝_離結構 然後，請繼續參照圖U，在相鄰的深溝渠 108之間的基底100中形成 /、弋电谷器 θ Λ 紙凹槽126。凹槽126的形虑太、£ 例如疋，先在形成一間隙壁材料 成方法 土材枓層（未繪示），以順應性覆 11 200905810 2006-0194 23790twf.d〇c/n 蓋基底100與隔離結構m。然後，進行—非等向性钱刻 製程’移除部分間隙壁材料層，以於隔離結 成一間隙壁m。之後，以間隙壁 基，100 ~可形成凹槽126。在一實施例巾，凹槽126例 如是具有圓化的底部，以降低應力。 隨後’請參照圖1B，於凹槽126的頂部側壁之基底 100中形成-源極/没極區128。源極/淡極區U 二方

行—傾斜角離子植人製程。然後，在形成源極/ /才區128,接者於凹槽126側壁上形成閘介電層。閘 介電層130的材料例如是氧切或其他合適之材料， 成方法例如是熱氧化法。 繼之，^閘介電層130上形成導體層132，此導體層 132的表面南度小於等於源極/沒極區128的底部高度。導 體層132的材料例如是摻雜多㈣或其他合適之材料，並 形成方法例如是’利用化學氣相沈積法，於基底咖上 形成-層導體材料層（树示），然後進行—贿刻製程， 移除部分導體材料層，以形成之。 脅—之後，請參照圖1C，形成—介電層134以順應性地 ，盍基底100,此介電層134的作用是避免祕/汲極區128 了後績，成之閘極的不正常電性連接。介電層134例如是 =四乙氧絲⑥(TEqS)為反應氣體來輯製成之氧化石夕 ^，其形成方法例如是化學氣相沈積法。繼之，在介電層 134形成之後，接著於介電& 134上形成犧牲層136。此犧 牲層136與介電層134具有不同之勤i選擇!；b。犧牲層136 12 200905810 2006-0194 23790twf.doc/n 例如是導體層或介電芦，；增1 其他合適之材料，介層的㈣例如是多晶石夕或 之材料。 層的材料例如是氧切或其他合適 然後，請參照圖1D， 械研磨製程，移除表層之部=了回_製程或化學機 層134表面。在上述之移除日6 ’ 露出介電 會移除部分的介電層134 ，牲層136的步驟中，亦 Ο ο 形成一層光阻概私），少。隨後，例如是 U4與犧牲層136，妙 覆凰圯'胞區1〇2之介電層 104=電層-程，移除週邊電路區 知'別要5兒明的是，在木會Μ 4 + 層136形成漏^〜 施例之方法中，是先以犧牲 全屬t ^金屬閘極的位置，以避免習知 2閘極凡件因製程中的熱 二d = 有熱^性不佳與金屬擴散污_問^〜I而存在 上方依二圖1E,於週邊電路區104之基底100 層介電層14G與導體層142。其中，閑介電 此不成方法例如是與問介電層⑽相同，於 個基底⑽，之後形成—層光阻層（未繪 體層覆周邊電路區1G4。然後，移除記憶胞區⑽之導 相同之换i實施例中導體層的材料可例如是與導電層132 可於去二雜多晶石夕’若犧牲層136材料如前述為多晶石夕， 例如^錢舰1 g 2之導體層的同時—倂去除。然後， 行一乾蝕刻製程，移除部分介電層134，至暴露 13 200905810 2006-0194 23790twf.doc/n =導2错最後移除週邊電路區104之光阻，形成如圖1F 所不之結構。 然後，請參照圖1G，在基底⑽上方形成金屬層144, 且填入凹槽126中。金屬層144的材料例如是鈦、鈦氮化 鈦、组、氮化组、氮化給、氮化翻、鎢、 金屬材料。金屬層144的形成方法例如是原 St 或其他合狀絲。紅，在金制m上軸

C o :上：，以降低電阻。金屬導線層146的材财化鎢或2 他5適之材料。在本實施例中，記憶胞區搬 路 區ΠΜ之金屬導線層146可例如是在同—製程中形成1 降低製程成本。之後，在金屬導線層146上形成硬罩幕層 ::8。硬罩幕層148的材料例如是氮化矽或其他合適之‘ 料，其形成方法例如是化學氣相沈積法。 ^然後，請參照圖1H，進行—圖案化製程，圖案 罩幕層148、金屬導線層146、金屬層144、導體層μ 及閘介電層140，以於記憶胞區1〇2之凹槽126 ; =構」50以及於週邊電路區104之基底上形成間極 構152。上述之圖案化製程例如是微影_製程。 值得-提的是，由於本實_之方法是先以犧牲芦 + 6形成於後續就形成金屬祕驗置，然後進行週^ =路區104之熱處理或其他高溫製程，之後再進行 ^極的製程。因此，本實施例之方法不會存在有習^ 屬閘極元件熱穩定性柯與金屬擴散㈣關題，而, 元件效能與製程可靠度。 知3 14 200905810 2006-0194 23790twf.doc/n 接著’請參照圖11 ’在閘極結構150側壁與閘極結構 152側壁分別形成間隙壁154與間隙壁156。間隙壁i54 與間隙壁156的材料例如是氮化矽或其他合適之材料。間 隙壁154與間隙壁156例如是在同一製程中形成，其形成 方法例如是先於基底1〇〇上方順應性地形成間隙壁材料層 (未緣不）’然後進行一非等向性蝕刻製程，移除部分間隙 壁材料層，以形成之。 然後，在基底100上方形成一内層介電層158。此内 層介電層158例如是低介電材料層，以降低内連線的時間 延遲，而其材料例如是氟化鉀 '氟化非晶碳(flu〇rinated amorphous carbon)、摻碳氧化矽（carb〇n d〇ped 〇xide)、 parylene AF4、PAE或cycl〇tene或其他合適之低介電常數 材料。内層介電層158的形成方法例如是化學氣相沈積法 或其他合適之方法。 之後’請繼續參照圖η，在内層介電層158中形成多 個接觸窗16〇 ’以分別電性連接記憶胞區1〇2之源極/沒極 區128以及週邊電路區刚之間極結構152。接觸窗16〇 的形成方法例如是，在内層介電層158中形成多個暴露出 基底100底部之接觸窗開σ，然後於接觸窗開口填入 石夕層、銅金屬層或其他合適之導體材料層，以形成之。 接下來，以圖1工說明利用上述之方法所 的揮發性記賴，其中揮發性記赌之各構件的材料^ 形成方法已於上述中做詳細說明，故於此不再贅述。/、 請再次參照圖U，本發_揮發性記憶體包括基底 15 200905810 2006-0194 23790twf.doc/n 100、凹槽通道式電晶體以及堆疊式電晶體。其中，基底 100例如是矽基底。基底1〇〇具有記憶胞區102以及週邊 電路區104 ’且在記憶胞區1〇2之基底100中形成有多個 深溝渠式電容器108，且相鄰的二深溝渠式電容器1〇8之 間的基底100中具有凹槽126。深溝渠式電容器108的各 構件已於上述中做詳細說明，故於此不再贅述。 堆疊式電晶體，即閘極結構152，配置於週邊電路區 104之基底1〇〇上。其中，閘極結構152由基底ι〇〇起包 括閘介電層140、導體層142、金屬層144、金屬導線層146 以及硬罩幕層148。 凹槽通道式電晶體設置於凹槽126中，且其一部分配 置於基底100上，其主要是由源極/汲極區128以及閘極結 構150所組成。其中，源極/汲極區128設置於凹槽ι26頂 部之基底100中。閘極結構150設置於凹槽126中，其包 括設置於凹槽126側壁之閘介電層130、設置於凹槽i26 底部之閘介電層130上的導體層132、設置於導體層132 〇 上且位於凹槽126側壁之介電層134、設置於導體層i32 上之金屬層144、設置於金屬層144上之金屬導線層ι46 以及設置於金屬導線層146上之硬罩幕層148。 另外’本發明的揮發性記憶體還包括間隙壁154與間 隙壁156,其分別設置在閘極結構150側壁與閘極結構ι52 側壁。在一實施例中，在基底100上方設置有内層介電厚 158。而且，在内層介電層158中設置有多個接觸窗16〇， 以分別電性連接記憶胞區102之源極/汲極區128與週邊電 16 200905810 2006-0194 23 790twf.doc/n

路區104之閘極結構152。 綜上所述，本發明之揮發性記憶體及其製造方法不僅 可形成金屬閘極結構以降低接觸電阻以及提高元件之驅動 能力，而且還可以避免習知金屬閘極元件熱穩定性不佳與 金屬擴散污染的問題。 ^ 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 =範園内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1A至圖II為依照本發明實施例所繪示之一種揮發 性記憶體的製造方法的製造流程剖面示意圖。 【主要元件符號說明】

100 ·基底 102 :記憶胞區 104 108 110 112 週邊電路區 殊溝渠式電容器 下電極 領氧化層 114、116、叫、132 120 :電容介電層 142 :導體層 U2 :隔離結構 17 200905810 2006-0194 23790twf.doc/n 124、154、156 :間隙壁 126 :凹槽 128 :源極/汲極區 130、140 :閘介電層 134 :介電層 136 :犧牲層 144 :金屬層 146 :金屬導線層 148 :硬罩幕層 150、152 :閘極結構 158 :内層介電層 160 :接觸窗

I 18

Claims (1)

1. 200905810 2υυο-υιν4 790twf.doc/n 十、申請專利範圍： ι·~種揮發性記憶體的製造方法，包括： 〇提供一基底，該基底具有一記憶胞區以及一週邊電路 ，’而该記憶胞區之該基底中具有多數個深溝渠式電容 為’ 每—該些深雜式電容器上形成有-隔離結構； 凹槽於相鄰的二深溝渠式電容器之間的該基底中，形成一 =該凹槽的頂部側壁之祕底中形成—祕級極區； 於该凹槽側壁上形成一第一閘介電層； 導體:介電層墙一第-導‘層，其中該第-二二^度小於等於該汲極區的底部高度； /成一"電層，以順應性地覆蓋該基底； 具有犧牲層’且該犧牲層與該介電層 移除部分該犧牲層至暴露出該介電層； υ 移除該週邊電路區之該介電層；曰 電二該ί”:區之該基底上曰方依序形成1 - Η八 私滘興—第二導體層； 吊〜閘介 層移除該犧牲層與部分該介電層，至暴露出讀第1發 進仃圖案化製程，圖案 層、該金屬層、該第-⑽M 更轉廣咳金 亥弟-¥體層以及該第二閘介電層 -硬亥ί底上方依序形成一金屬層、一金屬導绩息 硬罩幕層；以及 ♦緩層以及 導線 19 200905810 ζυυο-υι^4 790twf.doc/n 該記憶胞區之該凹槽中形成-第—_結 電路區的該基底上形成一第二閘極結構。 —亥週邊 2. 如申請專利範圍第i項所述之揮發 方法，更包括： $德體的製邊 在該第-閘極結構側壁與該第二閘極 形成-第-間隙壁與-第二間隙壁； 翻壁刀別 Γ 在該基底上方形成一内層介電層；以及 在該内層介電層中形成多數個接觸窗。 3. 如申請專鄕圍第丨項所述之揮發 冰 方法，其中每-該些深溝渠式電容器包括，形^於二= 渠底部之該基底中之一下電極、形成於該= '、…尽4 底部之-電容介電層以及形成於該電容介之㈣^ L-r- S上之上 極0 方法範圍第1項所述之揮發性記憶體的製造 方法其中該凹槽的形成方法，包括： 〇 結構； 形成-間隙壁材料層，以順應性覆蓋該基底與該隔離 進行非等向性姓刻製程，移除部分該間隙壁材料 層，以於該隔離結構側壁形成一間隙壁；以及 以該^隙壁輕刻罩幕，爛該基底以形成該凹槽。 方二麵1項所述之揮發性記憶體的製造 製I 極區的形成方法包括進行—傾斜角離 6·如申請專·圍第！項所述之揮發性記憶體的製造 20 200905810 2υυο-υιν4 zi /90twf.doc/n /Sr /、T成不 守篮層的形成刀凌，包括： 於該凹槽中形成一導體材料層；以及 ，除σ卩分轉體材料層，至鱗體材料層的表面高度 小於專於該源極/汲極區的底部高度。 方本月專利圍第1項所述之揮發性記憶體的製造 所製叙層包括制4基魏為反絲體來源 C 〇 方法請專利範圍第1項所述之揮發性記憶體的製造 該介電層的形成方法包括化學氣相沈積法。 方法，範圍第1項所述之揮發性記憶體的製造 〃、中該犧牲層包括一導體層或—介電居。 造方範㈣9項㈣之揮發^憶體的製 /、中該‘體層包括多晶石夕層。 造方^賴叙揮紐記憶體的製 具中該介電層包括氮化矽層。 造方i2·如/trf财1項所叙揮紐記憶體的數 包括進行層至暴露出該介電層的方法 餘亥〗製程或化學機械研磨製程。 造方^㈣1項所狀揮顿記憶體的製 化〜=:的=括鈦、鈦氮化欽、“ 雜多晶矽。令㈣』弟-岭體層的材料包括摻 21 200905810 /υυο-υιν^ zj /90twf.doc/n 15.—種揮發性記憶體，包括： 一基底’該基底具有一記憶胞區以及一週邊電路區， 而該記憶胞區之該基底中具有多數個深溝渠式電容器，且 相鄰的二該些深溝渠式電容器之間的該基底中具有—凹 槽； 一凹槽通道式電晶體，設置於該凹槽中，且其一部分 配置於該基底上，該凹槽通道式電晶體包括： 一源極/汲_極區，設置於該凹槽頂部之該基底 中；以及 一第一閘極結構’設置於該凹槽中，該第一閘極 結構包括設置於該凹槽側壁之一第一閘介電層、設置於該 ㈣底部之該第-閘介電層上的—第—導體^；、設置於= 第-導體層上且位於該凹槽侧壁之—介電層、設置於該第 :導，第一金屬層、設置於該第-金屬層上之- 二Ϊ f 設置於該第—金屬導線層上之一第一 硬罩幕層；以及 ㈣：，配置於該週邊電路區之該基底上， 第二導體層、-第二金第二閘介電層、一 二硬罩幕層的-第二閘極結構。導'線層以及一弟 包括 1:6.如申_範圍第15項所述之揮發性記憶體，更 分別設置在該第一閘 第一間隙壁與一苐二間隙壁， 極結構側壁與該第二閘極結構側壁； 22 200905810 2006-0194 23790twf.doc/n 一内層介電層，設置在該基底上方；以及 多數個接觸窗，設置在該内層介電層中。 17. 如申請專利範圍第15項所述之揮發性記憶體，其 中每一該些深溝渠式電容器包括：設置於該深溝渠底部之 該基底中之一下電極、設置於該深溝渠之側壁與底部之一 電容介電層以及設置於該電容介電層上之一上電極。 18. 如申請專利範圍第15項所述之揮發性記憶體，其 中該介電層包括以四乙氧基矽烷為反應氣體來源所製成之 氧化石夕層。 19. 如申請專利範圍第15項所述之揮發性記憶體，其 中該第一金屬層與該第二金屬層的材料包括鈦、鈦氮化 鈦、组、氮化组、氮化铪、氮化錮、鶴或銘。 20. 如申請專利範圍第15項所述之揮發性記憶體，其 中該第一導體層與該第二導體層的材料包括摻雜多晶矽。 23