200843045 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種佈線基板之製造方法、一種半導體 裝置之製造方法及該佈線基板，以及更特別地，是有關於 一種構成用以增加多層基板之一電極墊形成部的可靠性 之佈線基板的製造方法、一種半導體裝置之製造方法及該 佈線基板。 【先前技術】 例如，已知有一種在基板上形成複數個電極、然後形成 :具有與該等電極相通之孔的防焊層、以一熱處理(回流) 熔化-在該等孔之每一孔的開口上所放置之焊球且接合 該因而溶化之焊球至該孔中之電極及在該防焊層之一表 :上以一突出狀態形成一焊料凸塊之製造方法做為形成 一用以連接-裸m板或連接—封裝基板至—母板 之BGA(球柵陣列）球的方法中之一。 的二：方：*亦:已發展一種具有在多層基板上安裝之裸晶 二牛；)裸晶之尺寸及增加整合度(例如，見 圃 顯不 基板之結構的實關。在圖1所示 之佈線基板的結構中 ln ^ m 甲以一弟一絕緣層12覆蓋一電極墊 ίο之外周圍及以一第—Ps 1Π " ^ ,^ ^ ^ 昂—、、、巴緣層13覆蓋該電極墊1()之上 表面方式配置複數居， 9以及一從該電極墊10之上表面的 中心向上延伸之介犀 * Μ 至在上邱之一你始S牙 弟二絕緣層13及因而連接 口 4線部16 °該電極墊10具有一種結構，其 97112856 12 200843045 絕緣層 錄層18 中配置一金層17及一鎳層18，且以從該第— 之 暴露該金層17之一表面及該介層14連接至該 方式來提供它們。 再者，在某些情況中，經 μ…爿士丄 坏料凸塊在該電極墊1〇 上女衣一半導體晶片，以及在其它情況 針接合至該電極塾10。因此，在 吏或-插 ^ ’夕層結構之佈線 基板中，使用該電極塾1G做為—裸晶 接墊。 ，1¾
[專利文件1 ] 日本專利第 363521 9 號（JP-A-2000-323613)。 ^而在圖1所示之佈線基板中，該電極墊1 〇之外周 =相對平滑。因Λ ’對該第-絕緣層1 2有小的黏著： 田絰由一回流處理來實施加熱時，根據該第一絕緣層12 電極墊1 〇間之熱膨脹的差異而有可能施加一熱應 力，導致與該電極墊1〇之外周圍接觸的邊界部分的剝離 產生及該第一絕緣層12之一部分的破損。 再者，在與該電極墊10之一角落部分（Β部分）的外周 =接1之第一絕緣層12的部分因該回流處理之加熱而斷 裂之情況中，可能發生從該電極墊10之一角落部分（Α部 刀）朝"亥第二絕緣層13產生一裂缝2 0的問題。 此外’在放大該裂縫2〇之情況中，有可能切斷在該第 一、、巴緣層13上所提供之佈線部16。 【發明内容】 口此考里该等情況，本發明之一目的係要提供可解決 97112856 7 200843045 «亥等問題《帛佈線基板之製造方法、 製造方法及該佈線基板。 牛v體衣置之 為了解決該等問題，本發明具有下面手段。 依=發明之第—態樣’提供—種佈線基板之方 法，包括： 二m’形成一第一絕緣層於一支揮基板上； ，-絕、㈣I成—用以暴露該支撐基板之開口於該第 -步：:/i成一電極墊於該開口上，該電極墊具有 出：;弟緣層上所提供之開口朝周圍方向突出之突 一第四步驟，形成_第二絕緣層於該第— 該第：絕緣層上形成有該電極墊； 、’曰’在 -第五步驟，形成—電性連接至該 弟二絕緣層上；以及 及又怖線層於该 一第六步驟’移除該支撐基板，以暴霖 依據本發明之第二態樣，提供 心。 法，包括·· #佈、、泉基板之製造方 弟一步驟’形成一 Un -i-Λ , 一&一 城^阻於一支撐基板上； 弟一步驟，形成一用暴 阻上； 恭m撑基板之開口於該光 =三步驟’形成一電極塾於 ，光阻上所提供之開口朝周圍具有 一弟四步驟，移除該光阻； 出之大出部； 97112856 200843045 一第五步驟，形成一絕緣層，以覆蓋該電極墊之一表面； • 第八步驟，形成一電性連接至該電極墊之佈線層於該 絕緣層之一表面上；以及 一第七步驟，移除該支撐基板，以暴露該電極墊。 依據本發明之第三態樣，提供一佈線基板之製造方法， 進一步包括： 在該第一絕緣層之開口上實施一粗化處理的步驟。 依據本發明之第四態樣，提供一佈線基板之製造方法， 進一步包括： 移除該光阻及然後在該電極之表面上實施一粗化處理 的步驟。 依據本發明之第五態樣，提供如該第一態樣之一佈線基 板之製造方法，其中 该支撐基板係由一金屬所形成； 该第二步驟包括在該支撐基板與該電極墊間形成一具 ί.有相同於該支撐基板之型態的金屬層之步驟，以及 该第六步驟用以移除該支樓基板及以該電極墊之一暴 露表面構成一凹部之方式移除該金屬層。 依據本發明之第六態樣，提供如該第二態樣之一佈線基 • 板之製造方法，其中 ， 该支撐基板係由一金屬所形成； 5亥第二步驟包括在該支撐基板與該電極墊間形成一具 有相同於該支撐基板之型態的金屬層之步驟，以及 该弟七步驟用以移除該支撐基板及以該電極塾之一暴 97112856 9 200843045 路表面構成一凹部之方式移除該金屬層。 依據本發明之第七態樣，提供一種 態樣之佈線基板之製造; 、衣置之方法，包括下列步驟： 經焊料凸塊安裝一半導體晶片於該電極墊上。 ^豕本發明之第人態樣，提供—種佈線基板，包括： 一電極墊；以及 · 一絕緣層，配置用以覆蓋該電極墊 在該電極墊上形成一突出部，該突出部H，其中 二！的一表面側上從外周圍朝周圍方向突出。 其:據本發明之第九態樣，提供如第八態樣之佈線基板， C緣層之一表面成凹形之方式形成一在該電極 另一表面側的暴露表面；以及 ί. 在該絕緣層之該表面上形成一凹部。 基:據::明之第十態樣，提供如第八或第九態樣之佈線 該絕緣層包括·· 絕緣層，具有—上面形成有該電極墊之開口； =絕緣層’配置在該電極塾之一表面及該第一絕緣 曰之一表面上，以及其中 出極墊，突出部突出至該開口之外部，以便將該突 美么於5亥弟一絕緣層與該第二絕緣層間。 依據本發明，可阻止在該、絕緣層上所產生之裂縫從該電 97112856 200843045 極墊之外周圍的角落部分經由該突出部前進，其中診 部從:亥絕緣層所包圍之電極墊的外周圍朝周園;： 出，藉以防止該佈線層因該裂縫而斷開。 大 【實施方式】 下面將苓考圖式以描述用以實施本發明之最佳模 [第一實施例] 、式。 圖2係顯示一應用依據本發明之一佈線基板的第一杏 (施例之半導體裝置的縱向剖面圖。如圖2所示， 二 衣置100具有此一結構：例如在一佈線基板i 2〇上曰 裝-半導體晶片110。該佈線基板12〇具有一配置有= 個佈線層及複數個絕緣層之多層結構，以及具有一種社 構，其中依據該實施例在垂直方向上配置具有佈線層之： 第一層122、一第二層124、一第三層126及一第四^ 128 之個,絕緣層。此外，該第一層122具有一種結構，日其中 在一第一電極墊130上配置一第一絕緣層121及一第二浐 緣層12二該等絕緣層之每一絕緣層係由一絕緣樹脂 如，一環氧樹脂或一聚醯亞胺樹脂）所形成。 在上面要貫施焊接之該第一絕緣層121及該第四層 之絕緣層可以由一做為一防焊層之絕緣樹脂所形成（由一 丙烯酸樹脂或一環氧樹脂所形成）。此外，在該半導體妒 置100中，可以在該半導體晶片110與該佈線基板12〇: 填充一具有絕緣特性之底部填充樹脂。 在最上層之第一層122具有該第一電極墊13〇及一介層 134,其中該半導體晶片11G之—端覆晶連接至該第一電 97112856 11 200843045 極墊j30及該介層134。此外，在該第一層122下方所提 供之第二層124具有連接至該介層134之一佈線層14〇及 η層142。再者，在該第二層124下方所提供之第三層 • I26具有連接至該介層142之一佈線層150及一介層 152。此外，在該第三層126下方所提供之第四層ία且 有一連接至該介層152之第二電極墊16〇。 八 並且，該第一層122具有形成用以包圍該第一電極墊 〔130之外周圍的第一絕緣層121 ’以及在該第一絕緣層⑵ 與該第,、!緣層123間形成-突出部132,其中該突出部 132在5亥第一電極墊13〇 < 一表面側上從外周圍朝徑向 (周圍方向）突出。該突出部132之形成係採取—L形狀， 其中如從側面觀看航形狀從該第一電極塾13〇之外 亦即’該突出部132具有一有帽狀物之蕈形 形大，该帽狀物之上表面係f曲的），以及該l型部可阻 止在該第—絕緣層121中之裂縫的前進。此外，該第一· j 極墊之另一表面側係一;楚 迅 k5亥弟一絕緣層121暴露之暴 :表二:及-焊料凸塊18〇連接至該第一電極塾13〇之 另一表面側。 且接：：墊130具有—3_層結構，其中配置對焊料 ，具有南接合特性之全、禮A /门昆 W之至鎳及銅層170、172及174。 ^弟-電極塾130之另-表面側上暴露該金層17。之表 省大出邛132如下面所述係由該、 电鍍之步驟時係與該第一電極 97112856 12 200843045 墊1 3 0整體形成。此外，從該佈線基板12 〇之上表面側（一 半導體晶片安裝側）暴露該金層1 7〇，以及該半導體晶片 ' 110之焊料凸塊180連接至該金層170。 • 该半導體晶片11 0之該端經由該焊料凸塊180焊接至該 金層170及因而電性連接至該第一電極墊13〇。該焊料凸 塊180係藉由在該第一電極墊13〇上放置一焊球及實施一 回流（一熱處理）所形成。 fi 在該第一絕緣層121與該第二絕緣層123間之界面的整 個周圍上形成該突出部132，其中該突出部132在該第一 屯極墊13 0之一表面侧上從外周圍朝徑向（周圍方向）突 出。該突出部132係形成具有大於該第一電極墊13〇之外 徑的直徑。在該實施例中，如果該第一電極墊13〇例如具 有約70至1〇〇_之介層直徑及約5_之厚度，則該突出 部132係以與該第一絕緣層121重疊之範圍為約2至 1〇μπι(適當為5_)及厚度為約2至1〇μ[π(適當為5_)之方 u 式所形成。 該突出部132在該第一電極墊13〇之一表面側上從外周 圍朝徑向突出，以便該突出部132阻擋因該回流處理所造 成=熱應力的前進方向，及例如沿著該第一絕緣層121與 .°亥第一絕緣層123間之界面的方向上吸收該熱應力。因 -此，縱使產生剝離，以致於使覆蓋該第一電極墊130之外 周圍的該第一絕緣層121之一部分斷裂，可防止在該 絕緣層123上產生裂縫。 該第一電極墊13 0可以具有一種結構，其中以使該金層 97112856 13 200843045 170暴露至該佈線基板120之表面的方式配置該金層 及該鎳層172。此外，對於該第一電極墊13〇,亦^使用 金/纪/鎳、錫/鎳、及錫-銀（錫與銀之合金）及錫來取代該 金層170及該鎳層172。再者，該第一電極墊ι3〇可以只 由該等金屬所形成。此外，不用說可使用該等金屬之每一 金屬而沒有限制及該等個別金屬之組合係不受限於該組 合0
將參考圖3A至3N以描述在該半導體裝置1〇〇中所使用 之佈線基板120的製造方法。圖3A至卯係用以說明依據 該第一實施例之佈線基板120的製造方法（第一至第十四） 之視圖。在圖3A至3N中，在面向下方向上配置該等個別 層，其中在該佈線基板120之下表面上提供該第一電極墊 130 (垂直相反於圖2所示之疊層結構的方向）。
在圖3A中H準備—由具有—預定厚度之一平銅 板或一銅箔所形成之支撐基板2〇〇。在該支撐基板2〇〇之 =面上疊合-樹脂膜（例如，—環氧樹脂或—聚酿亞胺 樹脂）成為一防鍍層，以便形成該第一絕緣層ΐ2ι。 在圖3B中，提供一用以形成—第一電極墊之開口 22〇, 二便暴露該支樓基板2GG之—部分至該第—絕緣層m。 j開:220之内徑對應於該第一電極墊130之外徑。在該 第一絕緣層121由一熱，固性樹脂所形成之情況以一帝
Li:::::、？。。f該第一絕緣層⑵係由-感光 〆成之情況中，以微影技術形成該開口 220。 在圖3C中’實施一粗化處理，以粗化該第一絕緣層⑵ 97112856 200843045 之表面及該開口 220之⑽。較佳’以該粗化處理所與得 表面粗糙度應該設定成例如具有尺仏約〇 25至〇 75=。 在圖3D中，該支撐基板200係用以做為一饋電層，以 實施電解電鑛，以便在該開口 2"之該支擒基板^上 沉積金，以形成金層170，以及再者，在該金層17〇之表 面上沉積鎳，以配置該鎳層172 0 乂 此外，在圖3E中，該支撐基板咖係用以做為該饋電 層，以實施電解銅電鍵，以便在該開〇 22〇巾之該錄層 Π:上沉積銅’以配置該㈣174。結果，形成具有二 括該金層170、該鎳層172及該銅層m之3_層結構的第 一電極墊1 3 0。 該銅層174具有-以該電解銅電錢配置在該開口 22〇中 之圓柱形部l74a、一經由銅之成長從該第一絕緣層ΐ2ΐ 之上表面向上隆起之隆起部174b及一從該隆起部17扑朝 徑向（周圍方向）突出且在該第一絕緣層121之上表面上 C所形成之凸緣部n4c(構成該突出部132)。使該第一絕緣 層1,21之表面及該開口 22〇之内壁經歷該粗化處理，以便 可增加該圓柱形部174a及該凸緣部17牝之黏著及可防止 因熱應力所產生之剝離。 •在該㈣m巾之紐起部mb之高度及該凸緣部 -t74c<之^水平方向上的突出長度可根據該電解銅電鍍所需 %間n又定成具有任意尺寸。此外，因為該隆起部174b之 j表面根據銅之沉積的程度而具有不同形狀，所以它是一 平面、一曲面或一具有凹凸部之波狀面，以及為了方便說 97112856 15 200843045 明，在該實施例中，它是採用一曲面。 在圖3F中’在該弟一絕緣層121之表面及該電極墊13〇 之表面上疊合一樹脂膜（例如，一環氧樹脂或一聚醯亞胺 樹脂），以便形成該第二絕緣層123。 在圖3G中，在該第二絕緣層123上照射一雷射光束， 例如以暴露該第一電極塾13 0之表面的一部分（該銅層 174之隆起部174b)之方式形成一介層孔260。 在圖3H中，藉由非電解銅電鍍在該第二絕緣層丨23之 一表面、該介層孔260之内表面及該銅層174之經由該介 層孔260所暴彡备之上表面上形成一種子層282。對於一形 成该種子層282之方法，可以使用另一薄膜形成方法（一 濺鍍方法或一 CVD方法）或者可以形成一不同於銅之導電 金屬。隨後，在該第二絕緣層123之表面（上表面）上疊合 乾膜光阻270成為一防鑛層。然後，在該乾膜光阻 ^貝施圖案化（曝光及顯影），以形成一用以形成一佈線圖 案=開口 280，其中經由該開口 28〇暴露該種子層282之 一部分。可以應用—液態光阻來取代該乾膜光阻270。 、在圖^31中’藉由饋電該種子層282來實施電解銅電鑛， 以便在该用以形成一佈線圖案之開口 28〇中之介層孔· :種：層282上沉積銅，以形成該介層134及該佈線圖案 潜 14〇 〇 ^ 中攸该第二絕緣層123移除該乾膜光阻270 的直〜磁4佈線圖案層14GT方所提供之種子層282之外 、/、 子層282。結果，在該第二絕緣層123上留下該 97112856 16 200843045 佈線圖案層140。在圖3 J及後繼圖式中，未顯示該種子 層 282。 • 在圖3K中，在該第二絕緣層123及該佈線圖案層140 • 之表面上實施一粗化處理及然後疊合一包含一為主要成 分之環氧樹脂的膜狀所謂增層樹脂284(可相應於所需硬 度或彈性來適當地改變一填充物之含量），以形成該第二 層124之絕緣層。之後，照射一雷射光束，例如以暴露該 佈線圖案層140之表面的一部分之方式形成一介層孔 1 290 〇 接著，重複圖3G至3K之步驟，以形成該第二層124之 介層142及該第三層126之佈線圖案層150。此外，在配 置至少四絕緣及佈線層之情況中，較佳應該相應地重複圖 3G至3K之步驟。 在圖3L中，在該第三層126之絕緣層的表面（上表面） 上以銅非電解電鍍形成一種子層314，以及隨後，疊合一 (，乾膜光阻3 〇 0做為一防鑛層。可以應用一液態光阻以取代 该乾膜光阻300。此外，對於一形成該種子層314之方法， 可以使用一不同於該非電解銅電鍍之薄膜形成方法或可 以以一不同於銅之導電金屬來形成該種子層314。 ， 然後，在該乾膜光阻3〇〇上實施圖案化（曝光及顯影）， •=暴露該種子層314之一部分的方式形成一用以形成一 第二電極墊之開口 310。接下來，藉由饋電該種子層 來實施電解銅電鍍，以在一介層孔312及該開口 31〇中沉 積銅，藉此形成該介層152及該第二電極墊16〇。 彳 97112856 17 200843045 在圖3M中，移除該乾膜光阻3〇〇及除了在該第二電極 墊160下方所提供之種子層314之外的其它種子層gw。 f圖3M及後繼圖式中所實施之步驟中，將銅合併於在該 第二電極墊160下方所提供之種子層314中。因此，省略 該種子層314。 接著，將一防焊層320施加至該第三層126之絕緣層的 表面（上表面）及因而形成該第四層i 28之絕緣層，以及然 後以暴彡备邊弟一電極墊16 0之一部分方式形成一開口 330 〇 在圖3N中，藉由濕式蝕刻移除該支撐基板2〇〇，以便 獲得该佈線基板12〇。對於該支撐基板2〇〇，亦可允許在 垂直方向上黏貼兩個支撐基板2〇〇及在該兩個支撐基板 2 0 0之上及下表面側的兩個表面上配置該佈線基板12 〇。 在4情況中’將該兩個支撐基板2 〇 〇分割成兩個部分及藉 由濕式蝕刻移除該兩個支撐基板2〇〇。 然後’如圖2所示，將一焊球放置在該佈線基板12〇之 第一電極墊13〇上及實施一回流，以便使該半導體晶片 110之每一端經由該焊料凸塊180連接至該電極墊13〇及 因而在該佈線基板120上安裝該半導體晶片110。適當地 選擇在該佈線基板120上安裝該半導體晶片110之步驟。 例如’具有下面情況：依據顧客之需求將該半導體晶片 1 〇文衣在違佈線基板12 0上及在該佈線基板12 0所要送 達之顧客處將該半導體晶片11〇安裝在該佈線基板12〇 上0 97112856 18 200843045 此外，可以以打線接合取代該焊料凸塊18〇以在該佈線 基板120上安裝該半導體晶片11 〇。再者，可以藉由焊接 一插針來取代該焊料凸塊18 〇以在該佈線基板12 〇上安裝 該半導體晶片11 〇。 此外’在一回流中因該焊料凸塊180之形成而產生一熱 應力之情況中，因為在該第一電極墊j 3〇之一表面側上從 2周圍朝徑向（周圍方向）突出形成該突出部132，所以該 突出部132阻擋該熱應力之前進方向及在沿著該第一絕 、’彖層121與该第一絕緣層12 3間之界面的方向上吸收該熱 應力。因此，在依據該第一實施例之佈線基板丨2〇中，可 防止在該第二絕緣層123上產生裂縫。 在該變形中，在相反於該第一實施例之情況的垂直方向上 使用該佈線基板120。更特別地，經由該焊料凸塊18〇在 該第二電«16〇_h安裝該半導體晶片m及經由一焊球 之回流在該第-電極墊130上形成一焊料凸塊34〇。 在士圖2及4所示之佈線基板no中可以在該第一電極 塾130或該第二電極墊⑽上安裝該半導體晶片11〇。 圖4係顯示該第一實施例之變形的圖式。如圖4所示 在該變形中，在該第二電極墊16〇上可以提供一配置有 金及鎳層之電鍍層(以使該金層暴露至一表面之方式)。此 外’亦可使用金/鈀/鎳、錫/錄、及錫_銀（錫與銀之合金 及錫來取代該金層17〇及該鎳層172。再者，該第一電極 ，130可以只由該等金屬所形成。此外，每—金屬固然不 又限於,亥等金屬但是該等金屬係可被使用的，以及該等個 97112856 19 200843045 別金屬之組合係不受限於該組合。 再者，在該變形中，亦可在圖3M之步驟中藉由裝載該 半導體晶片11 〇至該佈線基板〗2〇上及然後移除該支撐基 • 板200以完成該半導體裝置。 並且，在該變形中，可以在該半導體晶片110與該佈線 基板120間填充一具有絕緣特性之底部填充樹脂。 此外，可以以打線接合取代焊料凸塊18〇以在該佈線基 f板120上安裝該半導體晶片11〇。再者，可以藉由焊接一 插針來取代該焊料凸塊18〇以在該佈線基板12〇上安裴該 半導體晶片11〇。 [弟二實施例] 圖5係顯示一應用該佈線基板之 裝置之縱向剖面圖。在圖”，相同於圖i之部分= 同兀件符號，因而將省略其敘述。 囷所示在依據该弟二實施例之用於一半導體裝 置400之佈線基板42〇中，形成一電極開口（一凹部）4如， 八中使®—電極塾】3〇之一表面（在一金層丄側上之 端面）離一第一絕緣層121之一表面成凹形。因此，以一 ^該電極開口 43◦中所插入之焊球藉由實施-回流（-熱 在该金層I70上形成一焊料凸塊180。在依據該第 二貝=例之半導體裝置4〇〇中，在一半導體晶片丨1〇與該 /土板420間可以填充一具有絕緣特性之底部填充樹 月曰0 將參考圖 6A至60以描述半導體裝置4〇〇中所使用之佈 97112856 20 200843045 、、泉基板420的製造方法。目6A至6〇係用卩說明依 二實施例之佈線基板42〇之製造方法（第一至第十五/ 圖式。在圖6A至60中，在面向下方向上配置該等個別層， 其中在該佈線基板42G <下表面上提供該第—電極曰塾 130(垂直相反於圖5所示之疊層結構的方向）。 圖6A至6C所示之步驟相同於依據該第一步驟之圖μ 至3C的步驟。在目6Α巾，準備一由具有預定厚度之平銅 板或銅成之支撐基板2GG，以及在該支撐基板· 之上表面上疊合一樹脂膜（例如，一環氧樹脂或一聚醯亞 胺樹脂）成為一防鍍層，以便形成該第一絕緣層ΐ2ι。 在圖6B中，形成一用以形成一第一電極墊之θ開口 22〇, 以便暴露該支撐基板200之一部分至該第一絕緣層 121(以一雷射光束或微影技術）。該開口 22〇之内徑對^ 於該第一電極墊130之外徑。 二 心 在圖6C中，實施一粗化處理，以粗化該第一絕緣層ΐ2ΐ 之表面及該開口 220之内壁。較佳，以該粗化處理所獲得 表面粗糙度應該設定成例如具有1^=約〇· 25至〇 在圖6D中，該支撐基板200係用以做為一用於該口 220之内部的饋電層，以實施電解銅電鑛，以便在該開口 220中之該支樓基板200上沉積銅’以形成一銅層44〇。 在圖6Ε中，該支撐基板200係用以做為該饋電層，以 實施電解電鍍，以便在該開口 220中之該銅層44〇上沉積 金’以形成該金層170，以及再者’在該金層ι7〇之表面 上沉積鎳’以配置一鎳層17 2。 97112856 21 200843045 再者’在圖6F中，該支撐基板200係用以做為該饋電 層，以實施該電解電鍍，以便為了形成一第一電極墊在該 ， 開口 22〇中之該鎳層172上沉積銅，以配置一銅層174。 • 該銅層174具有一以該電解銅電鍍配置在該開口 220中之 圓柱形部174a、一經由銅之成長從該第一絕緣層121之 上表面向上隆起之隆起部1741)及一從該隆起部17仆朝徑 向（周圍方向）突出且在該第一絕緣層121之上表面上所 f 形成之凸緣部174c(構成該突出部132)。 在該銅層174中之該隆起部174b之高度及該凸緣部 174c之水平方向上的突出長度可根據該電解銅電鍍所需 時間設定成具有任意尺寸。 因為在圖6G至6N所示之步驟中配置每一絕緣層及每一 佈線層及實施相同於依據該第一實施例之圖3?至3M所示 之步驟的處理，所以省略其敘述。 在圖60中’藉由濕式蝕刻移除該支撐基板2〇〇及亦移 〇 除該銅層440，以便獲得該佈線基板420。在依據該第二 貫施例之佈線基板420中，移除該銅層440，以便在一下 表面側（一晶片安裝侧）上形成與該第一絕緣層121之表 面成為凹形之電極開口 430。 - 對於該支撐基板2〇〇，亦可允許在垂直方向上黏貼兩個 -支撐基板200及在該兩個支撐基板200之上及下表面側的 兩個表面上配置該佈線基板42〇。在該情況中，將該兩個 支拉基板200分割成兩個部分及藉由濕式蝕刻移除該兩 個支撐基板200。 97112856 22 200843045 入然後，如圖5所示，將一焊球放置在該電極開口 43〇之 金1 170上及實施一回流，以便使該半導體晶片ιι〇之每 一端經由該焊料凸塊180連接至該第一電極墊13〇及因而 在該佈線基板420上安裝該半導體晶片11〇。適當地選擇 在該佈線基板420上安裝該半導體晶丨11()之步驟。例 ^ γ具有下面情況··依據顧客之需求將該半導體晶片ιι〇 安裝在該佈線基板420上及在該佈線基板420所要送達之 顧客處將该半導體晶片丨丨〇安裝在該佈線基板上。 因此，在依據該第二實施例之佈線基板420中，在該下 表面側（該晶片安裝側）上形成與該第一絕緣層121之表 面成凹形之電極開口 430。因此’當要安裝該半導體晶： 110時，藉由在該電極開口 430上實施一回流（一熱處理） 以將該焊料凸塊180接合至該第一電極墊13〇之金層工7〇 側。結果，使該焊料凸塊180可靠地接合至該第一電極墊 130及亦藉由該電極開口 43〇之周邊部分增加徑向上之 合強度。 此外，可以以打線接合取代該焊料凸塊18〇以在該佈線 基板420上安裝該半導體晶片11〇。再者，可以藉由焊接 一插針來取代該焊料凸塊180以在該佈線基板42〇上 該半導體晶片110。 & 並且，在該第二實施例中，在一回流中因該焊料凸塊 ⑽之形成而產生一熱應力之情況中，因為在整個周圍上 朝徑向（周圍方向）突出形成從該第一電極墊130之外周 圍所突出之突出部132,所以該突出告"32阻擋該熱應二 97112856 23 200843045 之前進方向及在沿著該第一絕緣層121與該第二絕緣層 123間之界面的方向上吸收該熱應力。因此，在依據該第 二實施例之佈線基板420中，可以相同於該第一實施例之 • 方式防止在該第二絕緣層123上產生裂縫。 圖7係顯示該第二實施例之變形的圖式，如圖7所示， 在該變形中，在相反於該第二實施例之情況的垂直方向上 使用違佈線基板420。更特別地，經由該焊料凸塊18〇在 (一第二電極墊丨⑽上安裝該半導體晶片110及經由一焊球 之回流在該第一電極墊130上形成一焊料凸塊340。在此 情況中’該焊料凸塊340在徑向上具有因該電極開口 430 之周邊部分而增加之接合強度。 在如圖5及7所示之佈線基板420中可以在該第一電極 墊130或该第二電極墊ι6〇上安裝該半導體晶片ho。 在該變形中，在該第二電極墊16〇上可以提供一配置有 金及鎳層之電鍍層（以使該金層暴露至一表面之方式）。此 C 外，亦可使用金/鈀/鎳、錫/鎳、及錫-銀（錫與銀之合金） 及錫來取代該金層170及該鎳層172。再者，該第一電極 墊130可以只由該等金屬所形成。此外，每一金屬固然不 受限於該等金屬但是該等金屬係可被使用的，以及該等個 • 別金屬之組合係不受限於該組合。 再者，在該變形中，亦可在圖6N之步驟中藉由裝載該 半導體晶片110至該佈線基板42〇上，及然後移除該支撐 基板200以完成該半導體裝置。 並且，在該變形令，可以在該半導體晶片110與該佈線 97112856 24 200843045 基板420間填充一具有絕緣特性之底部填充樹脂。 此外，可以以打線接合取代焊料凸塊180以在該佈線基 板420上安裝該半導體晶片11〇。再者，可以藉由焊接一 •插針來取代該焊料凸塊180以在該佈線基板420上安裝該 半導體晶片11 0。 [第二實施例] 圖8係顯示一應用該佈線基板之第三實施例的半導體 f裝置之縱向剖面圖。在® 8巾，相同於圖1之部分具有相 同元件符號，因而將省略其敘述。 士圖8所示，在一依據該第三實施例之用於一半導體裝 置500之佈線基板52〇中，一第一層122之絕緣層只形成 一層。在依據該第三實施例之半導體裝置5〇〇中，在該半 .導體晶片110與該佈線基板52〇間可以填充一具有絕緣特 性之底部填充樹脂。 將參考圖9A至90以描述於該半導體裝置5〇〇中所使用 °之佈線基板520的製造方法。圖9A至90係用以說明依據 該第三實施例之佈線基板520之製造方法（第一至第十五） 的視圖。在圖9A至90中，在面向下方向上配置該等個別 層，其中在該佈線基板520之下表面上提供一第一電極墊 .130(垂直相反於圖5所示之疊層結構的方向）。 - 在圖9A中，準備一由具有一預定厚度之平銅板或銅箔 所，成之支撐基板200，以及在該支撐基板2〇〇之上表面 上疊合一樹脂膜（光阻）210(例如，一環氧樹脂或一聚醯亞 胺樹脂）成為一防鑛層。 97112856 25 200843045 在圖9B中，形成一用以暴露該支撐基板goo之一部分 至该樹脂膜210之開口 22 0(以微影技術）。該開口 220之 ‘ 内徑對應於該第一電極墊130之外徑。 • 在圖9C中，該支撐基板200係用以做為一饋電層，以 實施電解電鍍，以便在該開口 22〇中之該支撐基板2〇〇上 >儿積金，以形成一金層1 70，以及再者，在該金層丨7〇之 表面上沉積鎳，以配置一鎳層172。 ( 再者，在圖9D中，該支撐基板200係用以做為該饋電 層，以實施電解電鍍，以便在該開口 22〇中之該鎳層172 上沉積銅，以配置一銅層174,藉以形成該第一電極墊 130。該銅層174具有一以該電解銅電鍍配置在該開口 22〇 中之圓柱形部174a、一經由銅之成長從該樹脂膜21〇之 上表面向上隆起之隆起部174b及一從該隆起部i74b朝徑 向（周圍方向）突出且在該樹脂膜21 〇之上表面（在該開口 220之上端的周邊部分）上所形成之凸緣部n4c。該凸緣 部174c具有比該圓柱形部174a之上端的外周圍大之直徑 且構成一突出部132。 在該銅層174中之該隆起部174b之高度及該凸緣部 174c之水平方向上的突出長度可根據該電解銅電鍍所需 - 時間設定成具有任意尺寸。 • 在圖9E中’從該支樓基板200移除該樹脂膜21〇，以 便在該支撐基板200上留下該第一電極塾13〇。 在圖9F中’在該支撐基板2〇〇及該電極墊之表面 上貫施一粗化處理，以粗化該支撐基板2〇〇及該電極墊 97112856 26 200843045 130之表面。較佳，以該粗化處理所獲得表面粗糙度應該 設定成例如具有Ra=約0. 25至0. 75μιη。 在圖9G中’在該支撐基板200及該電極塾13Q之經^ 該粗化處理之表面上疊合一樹脂膜230(例如，一環氧樹 脂或一聚酸亞胺樹脂），以及因而形成該第一層12 2之絕 緣層。藉由使用一真空疊層方法或一真空型熱壓在該支撐 基板200及該電極墊130之表面上疊合該樹脂膜230。基 於此理由，藉由以一真空裝置對該支撐基板2〇〇及該第一 電極墊130之上表面及外周圍表面施壓以接合該樹脂膜 230。結果，以黏附狀態在該第一電極墊丨中之突出部 132的下側疊合該樹脂膜230而沒有空隙，以便可防止空 隙之產生。此外，粗化該支撐基板200及該第一電極墊 130之表面。因此，可增加該樹脂膜23〇對該電極墊 之黏著’以便可防止因熱應力而產生剝離。 在圖9H中，在該第一層122之絕緣層（該樹脂膜23〇) 上照射一雷射光束，以例如以暴露該第一電極墊i 3〇之表 面的一部分（該銅層174之隆起部174b)之方式形成一介層孔26〇。 在圖91中，藉由非電解銅電鍍在該第一層122之絕緣 層的一表面、該介層孔26〇之内表面及該銅層174之經由 该介層孔260所暴露之上表面上形成一種子層282。對於 形成忒種子層282之方法，可以使用另一薄膜形成方法 (一濺鍍方法或一 CVD方法）或者可以形成一不同於銅之 &屬。隨後，在該種子層282之表面（上表面）上疊合 乾膜光阻270成為一防鍍層。然後，在該乾膜光阻27〇 97112856 27 200843045 上實施圖案化（曝光及齠&、 案之開口 28。，並中；由；：乂形成一用以形成-佈線圖 一、 、工由°亥開口 280暴露該種子層282之 一；/刀。可以應用—液態光阻來取代該乾膜光阻270。 以中藉由饋電该種子層282來實施電解銅電鍍， 、”開口 280中之介層孔260及種子層282上沉積 以形成一介層134及一佈線圖案層140。 f圖9K中’移除該乾膜光阻27()及除了在該佈線圖案 二40下=所> 提供之種子層282之外的其它種子層Μ?。 果在孩第層122之絕緣層上留下該佈線圖案層 140。在圖9K及後繼圖式中，未顯示該種子層282。 在圖9L中，在該第一層122之絕緣層及該佈線圖案層 14=之表面上實施一粗化處理及然後疊合一包含一為主要 成刀之環氧树脂的膜狀所謂增層樹脂284(可相應於所需 更度或彈性來適當地改變一填充物之含量），以形成一第 =層124之絕緣層。之後，照射一雷射光束，以例如以暴 & α亥佈線圖案層140之表面的一部分之方式形成一介層 孔 290。 接著’重複圖9Η至9L之步驟，以形成該第二層124之 一介層142及一第三層126之一佈線圖案層150。此外， 在配置至少四絕緣及佈線層之情況中，較佳應該相應地重 複圖9Η至9L之步驟。 在圖9Μ中，在該第三層126之絕緣層的表面（上表面） 上以銅非電解電鍍形成一種子層314，以及隨後，疊合一 乾膜光阻300做為一防鍍層。可以應用一液態光阻以取代 97112856 28 200843045 。亥乾胰光阻300。此外，對於一形成該種子層314之方法， 可以使用-不同於該非電解銅電鑛之薄膜形成方法或可 以以不同於銅之導電金屬來形成該種子層314。 然後，在該乾膜光阻_上實施圖案化（曝光及顯影）， :暴露該種子^ 314之-部分的方式形成-用以形成— 弟二電極墊之開口 31〇。接下來，藉由饋電該種子層叫 來實㈣解銅電鍍’以在-介層孔312及該開口 310中沉 積銅，藉此形成一介層152及一第二電極墊160。 在圖9N中，移除該乾膜光阻3〇〇及除了在該第二電極 墊160下方所提供之種子層314之外的其它種子層ΜΑ。 在圖9N及後繼圖式中所實施之步驟中，將銅合併於在該 第二電極墊16〇下方所提供之種子層314中。因此，省略 該種子層314。 接著，在該第三層126之絕緣層的表面（上表面）上疊合 一防焊層320及因而形成一第四層128之絕緣層，以及二 後’以暴露該第二電極t 160 < 一部分方式形成一開口 330 〇 在圖90中，藉由濕式蝕刻移除該支撐基板2〇〇，以便 獲得該佈線基板52〇。對於該支撐基板2⑽，亦可允許在 垂直方向上黏貼兩個支撐基板2〇〇及在該兩個支撐基板 200之上及下表面側的兩個表面上配置該佈線基板52〇。 在該情況中，將該兩個支撐基板2〇〇分割成兩個部分及藉 由濕式蝕刻移除該兩個支撐基板2〇〇。 然後，如圖8所示，將一焊球放置在該佈線基板52〇之 97112856 29 200843045 第一電極墊130上及實施一回流，以便使該半導體晶片 110之每一端經由一焊料凸塊180連接至該電極墊ι3〇及 因而在該佈線基板520上安裝該半導體晶片110。適當地 、 選擇在該佈線基板520上安裝該半導體晶片no之步驟。 例如，具有下面情況··依據顧客之需求將該半導體晶片 110安裝在該佈線基板520上及在該佈線基板520所要送 達之顧各處將戎半導體晶片11 〇安裝在該佈線基板5 2 〇 上0 、， 卜 並且，在該第三實施例中，在一回流中因該焊料凸塊 180之形成而產生一熱應力之情況中，因為在該第一電極 墊130之一表面側上從外周圍朝徑向（周圍方向）突出形 成該突出部132，所以該突出部132阻擋該熱應力之前進 方向。因此，可防止在該第一層122之絕緣層上產生裂縫。 此外’可以以打線接合取代該焊料凸塊18〇以在該佈線 基板520上安裝該半導體晶片11〇。再者，可以藉由焊接 一插針來取代該焊料凸塊180以在該佈線基板52〇上安裝 該半導體晶片110。 圖10係顯示該第三實施例之變形的圖式。如圖丨〇所 不，在該變形中，在相反於該第三實施例之情況的垂直方 - 向上使用δ亥佈線基板5 2 0。更特別地，經由該焊料凸塊18 〇 ‘在該第二電極墊160上安裝該半導體晶片11〇及經由一焊 球之回流在該第一電極墊13〇上形成一焊料凸塊34〇。 在如圖8及10所示之佈線基板52〇中可以在該第一電 極墊130或該第二電極墊16〇上安裝該半導體晶片11 〇。 97112856 30 200843045 在該變形中，在該第二電極墊16〇上可以提供—配置有 金及鎳層之電鍍層（以使該金層暴露至一表面之方式）。此 外，亦可使用金/鈀/鎳、錫/鎳、及錫_銀（錫與銀之合金） 及錫來取代該金層170及該鎳層172。再者，該第一電^亟 塾13〇可以只由該等金屬所形成。此外，每—金屬固缺不 受限於該等金屬但是該等金屬係可被使用的，以及該等個 別金屬之組合係不受限於該組合。 、 9N之步驟中藉由裝載該 上及然後移除該支撐基
再者’在該變形中，亦可在圖 半導體晶片11 0至該佈線基板5 2 〇 板200以完成該半導體裝置。 if且，在㈣形巾’可以在該半物W 110與該佈線 基板52G間填充-具有絕緣特性之底部填充樹脂。 此外，可線接合取代焊料凸塊18〇以在該佈線基 板520上女裝该半導體晶片11〇。再者，可以藉 ^十來取代該焊料凸塊丨㈣在該佈線基板520上安褒該 半導體晶片11 0。 [第四實施例] 圖11係頒示一應用該佈線基柄 ^ 傲之弟四實施例的半導# 裝置之縱向剖面圖。在圖n巾 千 口 u中，相同於該等實施例之备 一實施例的部分具有相同元侔爲味 貝彳j之母 ㈣η所一 / 遗’因而將省略其敘述。 如圖11所不，在一依據該第四 褒置600的佈線基板620中;1用於一半導體 部黯其中使一第一電極㈣〇之電㈣口（一凹 側上之端面）與一第一層122之—矣—表面（在一金層U0 表面成凹形。因此，以 97112856 31 200843045 一在該電極開π 43G中所插人之焊球藉由實施―回流（一 ^處旬在該金請上形成一焊料凸塊18〇。在依據該 弟四貫細例之半導體裝置6〇〇中，在一半導體晶片⑴盘 =線餘620間可以填充—具有絕緣特性之底部填充 雖然該半導體裝置_中所使用之佈線基板㈣的製造 方法相同於依據該第三實施例之圖^至⑽所示之步驟， 料不同之處在於：在圖9C之步驟中將該銅層配置在該 反200上及在圖90之步驟中一起移除 支撐基板200。 於是’在該第四實施例中’言亥支擇基板_在圖9C之 步驟中係用以做為一用於一開口 22〇之内部的饋電層，以 實j電解銅電鑛’以便在該開口 22()中之該支撐基^綱 上沉積銅，以形成一銅層440(見圖6D)。隨後，該支撐基 板200係用以做為該饋電層，以實施電解電鑛，以便在气 開口 220中之該銅層44()上沉積金，以形成該金層⑺了 以及再者，在該金層17G之表面上沉積鎳，以配置一錄層 Π2。再者，該支撐基板2〇〇係用以做為該饋電層，以^ 施該電解魏，以便為了形成—第—電極墊在該開口 22〇 中之α亥鎳層17 2上沉積銅，以配置一銅層17 4。 此外’在® 9〇之步驟中’ #由濕式^刻移除該支撐基 板200及亦移除該銅層440，以便獲得該佈線基板㈣。 ，該佈線基板62" ’移除該銅層44〇，以便在一下表面 侧（一晶片安裝側）上形成與該第4 122之表面成凹形 97112856 32 200843045 之電極開口 430(見圖6〇)。 並且’在該第四實施例中，對於該支撐基板2〇〇，亦可 允許在垂直方向上黏貼兩個支撐基板2〇〇及在該兩個支 樓基板200之上及下表面側的兩個表面上配置該佈線基 板620。在該情況中，將該兩個支撐基板2〇〇分割成兩個 部分及藉由濕式蝕刻移除該兩個支撐基板2〇〇。 然後’如圖11所示，將一焊球放置在該電極開口 43〇 之金層1 70上及實施一回流，以便使該半導體晶片11 〇之 母知經由該焊料凸塊18 0連接至該第一電極墊1 3 0及因 而在該佈線基板620上安裝該半導體晶片110。適當地選 擇在該佈線基板620上安裝該半導體晶片110之步驟。例 如，具有下面情況··依據顧客之需求將該半導體晶片u〇 女I在該佈線基板620上及在該佈線基板620所要送達之 顧各處將该半導體晶片11 〇安裝在該佈線基板6 2 〇上。 在依據該第四實施例之佈線基板62〇中，在該下表面侧 (該晶片安裝側）上形成與該第一層122之表面成凹形之 電極開口 430。因此，當要安裝該半導體晶片丨丨〇時，藉 由在σ亥電極開口 430上實施一回流（一熱處理）以將該焊 料凸塊180接合至該第一電極墊13〇之金層側。結 果，使該焊料凸塊180可靠地接合至該第一電極墊13〇及 亦藉由該電極開口 43〇之周邊部分增加徑向上之接合強 度。 口 並且，在该第四實施例中，在一回流中因該焊料凸塊 180之形成而產生一熱應力之情況中，因為在整個周圍上 97112856 33 200843045 =向（周圍方向）突出形成在該第一電極整i3〇之 ==周圍所突出之突出部132，所以該突出部132 之前進方向。因此’可防止在該第一層122 之絶緣層上產生裂縫。 以打線接合取代焊料凸塊18G以在該佈線基 扞―#裝該半導體晶片110。再者’可以藉由焊接-
丰言I取代#料凸塊18G以在該佈線基62g上安裝該 +導體晶片11 〇。 —圖12係顯不該第四實施例之變形的圖式。如圖12所 不在忒雙形中，在相反於該第四實施例之情況的垂直方 向上1吏用該佈線基板62〇。更特別地，經由該焊料凸塊180 在一第二電極墊160上安裝該半導體晶片110及經由一焊 球=回流在該第—電極墊13{)上形成—焊料凸塊。在 此情況中，因為形成該電極開口 43〇，所以該焊料凸塊 具有與該第一層122之表面成凹形之電極開口（凹部）430 的周邊部分而增加在徑向上之接合強度。 在如圖11及12所示之佈線基板62〇中可以在該第一電 極墊130或該第二電極墊16〇上安裝該半導體晶片11〇。 在该變形中，在該第二電極墊丨6〇上可以提供一配置有 金及鎳層之電鍍層（以使該金層暴露至一表面之方式）。此 外，亦可使用金/把/鎳、錫/鎳、及錫—銀（錫與銀之合金） 及錫來取代該金層17〇及該鎳層172。再者，該第一電極 塾4 13 0可以只由該等金屬所形成。此外，每一金屬固然不 文限於該等金屬但是該金屬係可被使用的，以及該等個別 97112856 34 200843045 金屬之組合不受限於該組合。 再者，在該變形中，亦可移除該支撐基板2〇〇前所實施 之步驟中藉由裝載该半導體晶片11 〇至該佈線基板6 2 〇上 及然後移除該支撐基板2 0 0以完成該半導體裝置。 並且，在該變形中，可以在該半導體晶片110與該佈線 基板620間填充一具有絕緣特性之底部填充樹脂。 此外，可以以打線接合取代焊料凸塊18〇以在該佈線基 板620上安裝該半導體晶片丨丨〇。再者，可以藉由焊接一 插針來取代該焊料凸塊180以在該佈線基板62〇上 半導體晶片110。 當然除了 —用於半導體晶片《載之電極墊之外，依據本 發明之電極墊還可應用至一用於外部連接之電極 ^ (球栅陣列）、PGA(針柵陣列)或⑽(平面 列））。 丁 此外’除了具有形成該焊料凸塊18〇之結構 置之外，本發明還可應用至一 衣 m . ^ A 八另广曲、、、吉構之半導體奘 置.將-電子零件裝載至一基板上或 ：體： 線圖案。因此，當秋太於+ 扳上形成一佈 科凸塊接合至一基柘舜a 田坪 焊 ^ 之復日日或一多層基板或一經由 ^塊接合—電路板之t介層UnterPQSer)。 【圖式簡單說明】 實 m 統佈線基板之結構的實施例之視圖 施例之半導體裝置的縱向二月之一佈線基板的第· 97112856 35 200843045 圖3A係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 造方法（第一）之視圖。 • 圖3B係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 - 造方法（第二）之視圖。 圖3C係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 造方法（第三）之視圖。 圖3D係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 造方法（第四）之視圖。 (' 少 圖3E係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 造方法（第五）之視圖。 圖3F係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 造方法（第六）之視圖。 圖3G係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 造方法（第七）之視圖。 圖3H係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 ( 造方法（第八）之視圖。 圖31係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 造方法（第九）之視圖。 圖3J係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 造方法（第十）之視圖。 圖3K係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 造方法（第十一）之視圖。 圖3L係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 造方法（第十二）之視圖。 97112856 36 200843045 ® 3Μ係m兒明—依據該第—實施例之佈線基板的製 造方法（第十三）之視圖。 圖3N係用以說明一依據該第一實施例之佈線基板的製 造方法（第十四）之圖式。 圖4係顯示該第一實施例之變形的視圖。 砰m顯不—應用該佈線基板之第二實施例的半導體 裝置之縱向剖面圖。 實施例之佈線基板的製 實施例之佈線基板的製 實施例之佈線基板的製 圖6A係用以說明—依據該第 造方法（第一）之視圖。 圖係用以說明一依據該第 造方法（第二）之視圖。 圖6C係用以說明一依據該第 造方法（第三）之視圖。 圖、D係用以说明一依據該第二實施例之佈線基板的製 造方法（第四）之視圖。 ί 圖6Ε係用以說明一依據該第二實施例之佈線基板的製 造方法（第五）之視圖。 圖6F係用以說明一依據該第二實施例之佈線基板的製 造方法（第六）之視圖。 圖6G係用以説明一依據該第二實施例之佈線基板的製 造方法（第七）之視圖。 圖6Η係用以說明一依據該第二實施例之佈線基板的製 造方法（第八）之視圖。 圖61係用以說明一依據該第二實施例之佈線基板的製 97112856 37 200843045 造方法（第九）之視圖。 圖6J係用以說明一依據該第二實施例之佈線基板的製 造方法（第十）之視圖。 • 圖6K係用以說明一依據該第二實施例之佈線基板的製 造方法（第十一）之視圖。 圖6L係用以說明一依據該第二實施例之佈線基板的製 造方法（第十二）之視圖。 圖6M係用以說明一依據該第二實施例之佈線基板的製 造方法（第十三）之視圖。 圖6N係用以說明一依據該第二實施例之佈線基板的製 造方法（第十四）之視圖。 圖6〇係用以說明一依據該第二實施例之佈線基板的製 造方法（第十五）之視圖。 圖7係顯示該第二實施例之變形的視圖。 圖8係顯示一應用該佈線基板之第三實施例的半導體 ( 裝置之縱向剖面圖。 圖9 A係用以說明一依據該第三實施例之佈線基板的製 造方法（苐一）之視圖。 圖9B係用以說明一依據該第三實施例之佈線基板的製 造方法（第二）之視圖。 圖9C係用以說明一依據該第三實施例之佈線基板的製 造方法（第三）之視圖。 圖9D係用以說明一依據該第三實施例之佈線基板的製 造方法（第四）之視圖。 97112856 38 200843045 2 係用以說明一依據該第三實施例之佈線基板的製 造方法（第五）之視圖。 心說明-依據該第三實施例之佈線基板的製 造方法（第六）之視圖。 三實施例之佈線基板的製 三實施例之佈線基板的製 二實施例之佈線基板的製 二實施例之佈線基板的製 二實施例之佈線基板的製 二實施例之佈線基板的製 三實施例之佈線基板的製 二貫施例之佈線基板的製 三實施例之佈線基板的製 圖9G係用以說明一依據該第 造方法（第七）之視圖。 圖9H係用以說明一依據該第 造方法（第八）之視圖。 圖91係用以說明一依據該第 造方法（第九）之視圖。 圖9】係用以說明一依據該第 造方法（第十）之視圖。 圖9K係用以說明一依據該第 造方法（第十一）之視圖。 圖9L係用以說明一依據該第 造方法（第十二）之視圖。 0 9M係用以說明一依據該第 造方法（第十三）之視圖。 圖9N係用以說明一依據該第 造方法（第十四）之視圖。 圖9〇係用以說明一依據該第 造方法（第十五）之視圖。 圖1〇係顯示該第三實施例之變形的視圖。 圖11係顯示-應用該佈線基板之第四實施例的半導體 97112856 39 200843045 裝置之縱向剖面圖。 圖12係顯示該第四實施例之變形的視圖。 【主要元件符號說明】 10 電極墊 12 第一絕緣層 13 第二絕緣層 14 介層 16 佈線部 17 金層 18 鎳層 20 裂縫 100 半導體裝置 110 半導體晶片 120 佈線基板 121 第一絕緣層 122 第一層 123 第二絕緣層 124 第二層 126 第三層 128 第四層 130 第一電極墊 132 突出部 134 介層 140 佈線層 97112856 40 200843045 142 150 152 160 170 172 174 174a 174b 174c 180 200 210 220 230 260 270 280 282 284 290 300 310 312 介層 佈線層 介層 第二電極墊 金層 鎳層 銅層 圓柱形部 隆起部 凸緣部 焊料凸塊 支撐基板 樹脂膜 開口 樹脂膜 介層孔 乾膜光阻 開口 種子層 膜狀所謂增層樹脂 介層孑L 乾膜光阻 開口 介層孔 97112856 41 200843045 314 種子層 320 防焊層 • 330 開口 ， 340 焊料凸塊 400 半導體裝置 420 佈線基板 430 電極開口 440 銅層 500 半導體裝置 520 佈線基板 600 半導體裝置 620 佈線基板 97112856 42