TW200822182A

TW200822182A - Cleaning member, cleaning method and device manufacturing method

Info

Publication number: TW200822182A
Application number: TW096133348A
Authority: TW
Inventors: Yuichi Shibazaki
Original assignee: Nikon Corp
Priority date: 2006-09-08
Filing date: 2007-09-07
Publication date: 2008-05-16
Also published as: US20080202555A1; WO2008029884A1; JP2012147030A; KR20090060270A; US7927428B2; US20100195068A1; JPWO2008029884A1; JP5029611B2; JP2012164996A

Description

200822182 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於用於清絲持基板之基板的>月洗用部件、清洗方法和裝置及其製造方法。… 月8日提_之日本特願【先前技術】〜先權，並將其内容援用於此。女=微影製程使用之曝光裝置中，習知如以下專利文獻所揭不之經由液體而曝絲板的浸鱗光裝置。 [專利文獻丨]國際公開第99/49504號案 [專利文獻2]日本特開2〇〇4_289127 【發明内容】 m (發明所欲解決之問題）之光褒置中，液體浸人基板與基板保持部件間里二可能因其浸人之液體’或是混人其液體之持^件tt，Γ亏染基板保持部件之—部分。基板保 == 狀態時’可能無法以其基板保持部基板’或是以其基板保持部件保持之基板，疋/亏染擴大。此種問題產生時，可能無法使基板良好地曝光。本發明之目的為提供一種可良好地清洗基板保持 ^件之清洗用部件’及清洗方法。此外，本發明之目的為提供一種以其清洗過之基板保持部件保持基板，來製造裝置之裝置製造方法。 (解決問題之手段）、按照本發明之第一實施例而提供之清洗用部件，係為了清洗保持照射曝光之光的基板背面之基板保持部 200822182 :的至少-部分’而被基板保持部件保持，且係基板小之外徑的清洗部件。 Θ % ㈣採用本發明H施例，可良好地清洗基板保持、、按照本發明之第二實施例而提供之清洗方法，係上述形悲之清洗用部件保持於基板保持部件上，來基板保持部件之至少一部分。 / 知用本發日狀第二實施例，可良好地清洗基板保〇[5 件* 〇、、按妝本發明之第三實施例而提供之清洗方法，係清，保持照射曝光之光的基板之基板保持部彳的至少_ 部分’且包含：域板保持部件簡具有與基板大致相同外形’且具有比該基板小之外徑的清洗用部件；及供、、、ϋ用於α洗基板保持部件之至少一部分的液體。 ^採用本發明之第三實施例，可良好地清洗基板保持部件。

按照本發明之第四實施例而提供之裝置製造方法 1含：使用上述實施例之清洗方法，來清洗基板保持部，以基板保持部件保持基板；及以曝光之光來曝光基板保持部件所保持之基板。採用本發明之第四實施例，可以經過良好清洗之基板保持部件保持基板，並藉由曝光其基板，來製造具有希望性能之裝置。 (發明之效果）本舍明可良好地清洗基板保持部件。因此，可將以其基板保持部件良好地保持之基板良好地曝光。【實施方式】 6 200822182 、，以下，參照圖式說明本發明之實施例，不過本發明並不限於此。另外，以下之說明中，係設定χγζ正交座標系統，參照該ΧΥΖ正交座標系統，就各部件之ς 置關係作說明。並將水平面内之特定方向作為χ軸方向，，水平面内，與X軸方向正交之方向作為丫軸方向，將刀別與X軸方向及γ軸方向正交之方向（亦即垂直方 =)作為Ζ軸方向。此外，將χ軸、γ軸及2軸周圍之旋轉（傾斜）方向，分別作為ΘΧ、ΘΥ及ΘΖ方向。 <^弟一實施例> 、>就第一實施例作說明。第一圖係顯示第一實施例之曝光骏置ΕΧ的概略構成圖。第一圖中，曝光裝置Εχ 具備：保持光罩Μ而可移動之光罩載台3;保持曝光用之基板Ρ而可移動之基板載台4 ;以曝光之光El照明光罩Μ之照明系統IL;將曝光之光EL照明後之光罩μ 的圖案影像投影於基板Ρ之投影光學系統PL,對基板載台4可搬運基板p之搬運裝置1〇〇 ;及控制全體曝光裝置EX之動作的控制裝置γ。另外，此處所稱之曝光用的基板P，係用於製造裝置之基板，如包含··在矽晶圓之半導體晶圓等的基底上塗布有感光材料（光抗餘劑），或是，除了感光材料外，塗布保濩膜（上塗敷膜）等之各種膜。曝光用基板ρ係圓板狀之部件，且在XY平面内之曝光用基板p的外形是圓形。光罩Μ包含形成有投影於曝光用基板P上之裝置圖案的標線片。此外，本實施例中，光罩係使用透過型之光罩，不過，亦可使用反射型之光罩。透過型光罩不限於以遮光膜形成圖案之雙光罩（binary mask)，如亦包含中間色調型或空間頻率調制型等之移相光罩。 7 200822182 本實施例之曝光裝置EX係實質地縮短曝光波長，以提高解像度，並且為了實質地擴大焦點深度，而^用浸液法之浸液曝光裝置，且具備喷嘴部件7〇t其係^置成與基板P之表面相對，可在與基板P之表面^間形成浸液空間LR。浸液空間LR係被液體lq填滿之二^。喷嘴部件70具有與基板P之表面相對的下面，而可在其下面與基板P的表面之間保持液體LQ。嘴嘴部件7〇在與基板P的表面之間保持液體LQ，可在與其夷板p 的表面之間形成液體LQ的浸液空間。贺嘴邵忏/u从狀填滿投影光學系統pLi 面側（光射出侧）的曝光之光EL的光程空間κ，星而言，係在投影光學系統PL之複數光學部件中，^ 近投影光學系統PL之像面的終端光學部件之面（下面）與配置於投影光學系統孔之像面側的基板p 之間的曝光之光EL之光程空間κ，而 LR。曝光之光EL之光程空間κ係包含曝光 ^ 行之光㈣空間。此外，本實施财， $

係使用水（純水）。 ^ ^ 曝光裝置ΕΧ至少在將光罩Μ之圖案板Ρ上時，，用喷嘴部件7〇形成浸液空間成浸液空間LR，並經由其HEnL，程空間Κ，而形夜體Q，將通過光罩Μ之曝夢、:=载台4保持之基板Ρ，來曝光 =，Γϋ之圖案影像投影於基板ρ。此外，本實施例之曝井壯 Μ之圖案影像投影於基板、^用至少在將光罩體LQ覆蓋包含投影光學·: ’以浸液空間LR之液尤予糸統PL之投影區域AR的基板 8 200822182 P上之一部分區域，而在噴嘴部件％與基板p之間形成次液空間LR的局部浸液方式。亦即，喷嘴部件作為 • 在投影光學系統PL之像面侧，保持液體Lq之液體保持部件（liquid confinement member)的功能。

^ 另外，本實施例中，喷嘴部件70主要就與基板P 之表面之間形成浸液空間LR的情況作說明，不過，喷嘴部件70在投影光學系統PL之像面側，與配置於曝光之光EL可照射之位置的物體表面之間，亦即與配置於 ( 與技影光學糸統PL之光射出面相對之位置的物體表面之間，亦可形成浸液空間LR。如噴嘴部件7〇在與基板載台4之上面（板部件T)之間，及與後述之清洗用的部件CP之間亦可形成浸液空間LR。 .¾明糸統IL以均一之照度分布的曝光之光el照明光罩]V[上之特定照明區域。從照明系統IL射出之曝光之光EL，如使用從水銀燈射出之亮線（g線、h線、} 線）及氣化乳準分子雷射光（波長248nm)等之遠紫外光（DUV光），或氟化氬準分子雷射光（波長193nm) (及氟雷射光（波長157nm )等之真空紫外光（vuv光）等。本實施例中，曝光之光EL係使用氟化氬準分子雷射光。光罩載台3藉由包含線性馬達等致動器之光罩a 驅動裝置的驅動，在保持光罩Μ之狀態下，可在 Υ軸及ΘΖ方向上移動。光罩載台3(進而光罩μ)車由置資訊藉由雷射干擾儀3L來計測。雷射干擾儀3匕^位設於光罩載台3上之計測鏡3Κ，來計測光罩載台3用置資訊。控制裝置7依據雷射干擾儀3L之計測钤$位驅動光罩載台驅動裝置，控制被光罩載台3保持^光罩 200822182 Μ的位置。投影光學系統PL以特定之投影倍率，將光罩Μ之圖案影像投影於基板Ρ上。投影光學系統PL具有複數光學部件，此等光學部件以鏡筒PK保持。本實施^之投影光學系統PL的投影倍率如為1/4、1//5、1/8等的縮^系統。另外，投影光學系統PL亦可為縮小系統、等倍系統或放大系統。本實施例中，投影光學系統之光轴ΑΧ與z轴方向平行。此外，投影光學系统pL 亦可為不含反射光學部件之折射系統，不含折射光學部件之反射系統，或是包含反射光學部件與折射光學部件之反射折射系統。此外，投影光學系統PL 立影像或正立影像。成例 4Β 具備：載台本體仂；搭載於载台本體之第一伴& HDf於平台41上，可裝卸地保持基板P 2其=配置成包圍被第一保持器肋！保周圍的板部件τ;及設於平台π上，而；裝抑地保持板部件τ的第二㈣器臓。而了上面3弓5藉由空氣轴承4α ’對基座部件的上面C¥引面）非接觸支撐 ^ 平面大致平行，座縣ΒΡ之上面與χγ ΧΥ方向。i板載° 4在基座部件ΒΡ上可移動於基板载台4藉由包含線性驅動裝置的驅動，在第_彳」、、、達4致動之基板載台態下，可在基座/D1上保持基板P之狀備··藉由將載台本體犯在？:動。基板載台驅動裝置具 Y軸及ΘΖ方向，可將抖ς座部件即上移動於X軸、移動於X軸、Υ轴及θ°ζ ^載台本體4Β上之平台4Τ 方向之第一驅動系統；及對载 10 200822182 台本體4B，可將平台4T移動於z軸、ΘΧ及ΘΥ方向之第二驅動系統。 • 第一驅動系統包含線性馬達等致動器，可在X軸、 Υ軸及θζ方向上驅動載台本體4Β。第二驅動系統包含：介於載台本體4Β與平台4Τ間之如音圈馬達等的致動器 4V，及計測各致動器之驅動量的圖未顯示之計測裝置 (編碼器等）。平台4Τ藉由至少三個致動器4ν而支撐於載台本體4Β上。各個致動器4V對載台本體4β，可 f 在Ζ軸方向獨立地驅動平台4Τ，控制裝置7藉由調整三個致動器4V之各個驅動量，而對載台本體4Β，在ζ軸、 ΘΧ/及ΘΥ方向驅動平台4Τ。如此，包含第一、第二驅動系統之基板載台驅動裝置可將基板載台4之平台4Τ 移動於X轴、γ軸、ζ軸、θχ、，θζ方向之6個自由度的方向。控制m藉由控制基板載台驅動裝置， =控制被平台4T之第-保持器刪保持的基板p表面關於6個自由度方向的位置。 '之平台4T (基板p)的位置資訊，藉由 ❿[計測。雷射干擾儀礼使用設置於平台4τ 夕命蓄次1 t千口關於x軸、γ軸及θζ方向的基板ρ表面之面位詈次^^日#㈣时腦保持之位m，貝訊（關於z軸、θχ及θγ方向檢測系統來檢測。控制t(f〇cus ieveihng) 測結果及焦點水平檢7依據雷射干擾儀礼之計驅動裝置，來押制被笛、、、之檢測結果，驅動基板載台置。制被弟—保持器細保持之基板P的位嘴嘴部件川1古. /、可供給液體LQ之液體供給口 200822182 22中配液，LQ之液體回收口 22。在液體回收口於喷嘴部件^孔邛件（篩網）。液體供給口 12經由形成可送出液體了^内邛之供給流路及供給管13，而接續於由形成於噴嘴部^液體供給裝置11。液體回收口 22經接續於可回必〇内°卩之回收流路及回收管23，而液之液體回收裝置21。 LQ。此外，、置11可送出潔淨且溫度調整過之液體 r 收液體LQ。液體供=置21具備真空系統等，而可回作被控制裝置7共给裝置11及液體回收裝置21之動 LQ，流經供給管!"3制。+從液體供給裝置11送出之液體體供給口 12供給至=噴嘴部件70之供給流路後，從液藉由驅動液體回收壯▲光之光EL之光程空間κ。此外，體LQ流經噴嘴部^置21 ’自液體回收口 22回收之液而被液體回收裝置2 7〇之回收流路後，經由回收管23 來自液體供給口 12 1回收。控制裝置7藉由並列進行 22之液體回收動作，之液體供給動作與藉由液體回收口與基板P間之曝光之以液體LQ填滿終端光學部件FL LQ之浸液空間LR。光EL的光程空間κ，而形成液體於上述者，亦可使用f外J噴嘴部件70之構成並不限公報（對應美國真刹、揭露於曰本特開2004-289127號此外，本實報第7，199,858號公報）之部件。體回收口 22回收之圹，曝光裴置ΕΧ具備可檢測自液 26。檢測裝置26如包<人LQ的品質（水質）之檢測裝置體碳的TOC計，及用匕 =·用於計測液體LQ中之全有機微粒子計數器等，測包含微粒子及氣泡之異物的 LQ的污染狀態。"測自液體回收口 22回收之液體 12 200822182 其次j就本實施例之平台4T，參照第一圖〜第四圖作說明。第二圖係以第一保持器HD1保持基板ρ之狀態的=台4Τ之側剖面圖，第三圖係自上方觀察以第一保持器hdi^呆持基板ρ之狀態的平台4Τ之平面圖，第四囷係，大弟保持斋HD 1之一部分的侧剖面圖。 4Τ具備基底30;設於基底30，而可裝卸地，、寺土板Ρ之第一保持器HD1;及設於基底3〇,而可 ===件τ之第二保持器HD2。被第二保持器 =if ί部件T配置成包圍被第一保持器刪保符义巷板ρ的周圍。示，=器HD1作說明。如第二圖〜第四圖所基底30上、，且:第—周壁33 ’其係形成於背面的周緣區ϋ :/ ；料器HD1轉之基板ρ 其係形成於y m·?似；及第二周壁34，之基板p t _ _ ^有H第；；鱗11HD1，周壁33 ;及第—支撐部件8 配置成包圍^ 内侧，係支撐其抬p +北，、α罝7、弟1周壁33之第一周壁讀料-形成於形成於基底壁31，其係基底30間的J_f =-保持1 HD1保持之基板Ρ與基底3〇上，具有四賤32，其係形成於一周配置成包圍第四周壁置^圍弟三周壁3卜第第一保持器HD1且有.笛有.弟一吸引口 63，其係形成 13 200822182 於第一周壁+ μ 少一方）· ^之外侧，可吸引流體（液體及氣體之至二，可吸引口 61，其係形成於第一周壁33之引口机體（液體及氣體之至少一方）。第一吸太者第—及弓丨口 61分別形成於基底30之上面。笛例中’第—吸引口63形成於第—周壁33與弟一周豐34夕戸冃 34間之第四^4’4可吸引在其第—周壁33與第二周壁 % 的流體。第二吸引口 61形成於第一 ί 四周與壁弟32:壁^ 此外tf—間弟三空間43的流體。四周壁32’PH呆持器腿具備可對第三周壁31與第 π 60來A 弟二空間42供給氣體的流通口 60。流通形成於基底30之上面。環狀第第周ί 31形成與基板Ρ之外形大致相同形狀的弟二周劈Ή夕资-ί ^ 持器HD1保持之其拓p :面31A設置成與被第一保被第一保持器^二月：相對性外侧的區域相對。在 P之背面、f y之土板？的背面侧，形成被基板第：二，周壁31及基底30包圍的第-空間41。環狀板p之外形大致相同形狀的第三周㈣二一成周壁第成盥祜筮一士 w ΤΤη Θ 土 32之弟四上面32Α設置區域相對。在被二伴二持^❹背面相對性外侧的侧，形成被之基板p的背面及基，3〇包圍之第二空間42弟二周壁31、第四周壁32 環狀第二St與3ΪΓ，外形大致相同形狀的周壁33之第一上面33A設置 14 200822182 成與被第一保持器HD1保持之其對。在被第-保持器刪 =^面的周緣區域相被基板P之背面、第四周壁反p的背面側，形成包圍之第三空間43。土 32、弟-周壁33及基底30

本實施例申，第一周壁Μ夕楚一 L 之徑(外徑)比基板p之外徑小：Dd 特定量外伸於第-上面33A 扳之周緣區域

\ 中，將被第-保持器HD1保持之基板p二:::；第二周壁34形成與基板p之 J狀用並在與第一周壁33特定距離離開之位，一周壁33而形成。第二周壁34之第二上面μ二伸區域H1相對。在被第-保：器」=持之基板P的背面侧，形成被基板p背面之、第一㈣33、第二周壁34及基底30包圍之弟四空間44。匕固心大2實施!^中，第—、第二、第三及第四周壁分別係大致同心。弟-保持器刪以第―空間41之中心與基反P月面之中心大致一致，而保持基板p。如第四圖所示，本實施例中，錄第一保持器腿保持之基板p的背面與第三周壁31之第三上面3lA之 =，形成如2〜ΙΟμιη程度之第一空隙〇卜此外，在被第保持為HD1保持之基板ρ背面與第四周壁2之第四上面32Α之間’形成如2〜l(^m程度之第二空隙G2。此^卜，第一周壁33與被第一保持器HD1保持之基板ρ 的月面、及第一周壁33之第一上面33Α接觸。此外， 15 200822182 在被第一保持器HD1保持之基板P背面與第二周壁34 之第二上面34A之間，形成如1〜ΙΟμιη程度之第四空隙 G4 〇流通口 60與外部空間（大氣空間），經由流路60R 而接續。此外，流通口 60與第二空間42接續。亦即，第二空間42係經由流通口 60及接續於其流通口 60之流路60R而大氣開放。本實施例中，在第三周壁31與第四周壁32間之基底30上，以包圍第三周壁31，且以特定間隔形成複數流通口 60。第二吸引口 61與包含真空系統等之吸引裝置，經由流路61R而接續。此外，第二吸引口 61與第三空間 43接續。控制裝置7藉由驅動接續於第二吸引口 61之吸引裝置，可自第二吸引口 61吸引第三空間43之流體。本實施例中，在第四周壁32與第一周壁33間之基底30上、，以包圍第四周壁32，且以特定間隔形成複數第二吸引口 61。第一吸引口 63與包含真空系統等之吸引裝置，經由流路63R而接續。此外，第一吸引口 63與第四空間 44接續。控制裝置7藉由驅動接續於第一吸引口 63之吸引裝置，可自第一吸引口 63吸引第四空間44之流體。本實施例中，在第一周壁33與第二周壁34間之基底30上，以包圍第一周壁33，且以特定間隔形成複數第一吸引口 63。第一支撐部件81係形成於基底30上面之插銷狀的突起部件，並配置於基底30上面之複數特定位置。本實施例中，第一支撐部件81在第一周壁33内側之基底 30的上面配置複數個。第一支撐部件81在第一空間41 16 200822182 及第三空間43之基底3〇上設置複數個。在第一空間41及第三空間43之基底3〇上，將第一空間41及第三空間43形成負壓，而設數引流體（主要係氣體）之第三吸引口 62。第一空間= 中，第三吸引口 62分別形成於第一支撐部件^乂曰複數特定位置。第三空間43中，第三吸弓丨口對第四周壁32,比第二吸引口 61離開之位置。驭於第三吸引口 62與包含真空系統等之吸引裝抜由流路62R而接續。此外，第三吸引口 62 一*、二 41及第三空間43接續。控制裝置7藉由驅動接續^ 三吸弓阼62之吸引裝置，可自第三吸引口 62吸^被二板Ρ、第一周壁33及基底30包圍之空間，具, 空間41及第三空間43的流體。控财:置7 ‘用弟二吸引口 62吸引被基板Ρ之背面、第一周壁33及其的空間之流體（主要係氣體），並藉由將“ ，形成負壓，而將基板!>之背面吸附保持於 ^ 此外，控制裝置7藉由解除第三 2 = ，作’ 了自第-保持器腦取出基板ρ。如此，$ 第-保持器HD1係可裝卸地保持基板ρ二呆持器HD1包含所謂插銷夹頭(pinchuck)機構。

f次’就板料T及可裝卸地麟其板部件 :保持器HD 2作說明。板部件τ係與平台； :，且設置成可對基底30裝卸。在板部件τ之中^ 基板Ρ之概略圓形狀的孔™。被第二保持二括夕1持之板部件τ配置成包圍被第一保持器hdJ 本實施射，被第二保持器HD2保持之板邛件T的表面，成為與被第一保持器HD1保持之基板ρ 17 200822182 的表面大致相同高度（面一致）的平坦面。在被第一保持器HD1保持之美杯^ , 面），與被第二保持器腦保持之^件τ卜的侧 (内侧面)之間，形成0.1〜lOmm程度之第五= 此外，板部件τ之外形*灯平面内係射，係形成與基底3G之外形大致相同形狀$ = 如猎由聚四氟化乙烯（鐵氟龍（登錄商標））等樹脂，或丙烯酸系樹脂等之具有拒液性品氟系而具有拒液性。 …r生的材枓而形成’ 其广t二Γ持器贈具備：第五周壁35，其係形成於基底30上，具有與被第二保持器HD2保持之板 τ 的背面相對之第五上面35A，且設置成包圍第二 34 ;第六周壁36，其係形成於基底3〇上，具有與二保持器HD2保持之板部件T的背面相對之第^上面 36A，且設置成包圍第五周壁35 ;及第二支撐部^ 82面其係形成於第五周壁35與第六周壁36間之基启L 來支樓板部件T之背面。 &30上，第五周壁35之第五上面35Α設置成在板部件τ之背面中，與孔ΤΗ附近之内緣區域（内側之邊緣區域）相對。此外，第六周壁36之第六上面36Α設置成在板部件Τ之背面中，與外緣區域（外側之邊緣區域）相對。在被第二保持器HD2保持之板部件Τ的背面側，形成被板部件Τ之背面、第五周壁35、第六周壁36及基底 30包圍之第五空間45。藉由將該第五空間45形成負壓，而在第二保持器HD2之第二支撐部件82上支撐板部件Τ。本實施例中，第五周壁35形成被第二支標部件 18 200822182 六上面36A接^縣82支撐之板部件T的背面與第突起二支! 之基底f上面的複數特定位置。土與第六周壁36間衫為了將第五空間四吸引口64丄:=引要係氣體)之第者。在第五空間45巾，帛鱗板部件T 支撐，心外之複數^二1：64分別形成於第二第四吸引口 64經由户狄64R ; & 統等之吸引裝置。此外;路四工控制裝置7藉由驅動接續於第四4與=間45 引衣置，可自第四吸引口 f引口 64之吸控制裳置7使用第四吸引口 64，吸45之流體。面、第五周壁35、第六 ^皮板邛件T之背 =45的流體（主要係、氣“並藉之第五空 82^ 引叙 ^空制裝置7藉由解除第四吸引口 64之奋於Ο由可^第二保持器HD2取出板部件T。如此，本 =也$中，第—保持器HD2可裝卸地保持板部件τ，第 -保持為HD2包含所謂插銷夾頭機耩。 …此外，被基板Ρ背面之外伸區威Η卜第二周壁34、周壁35及基底3〇包圍之第六交間46’經由形成於 :板Ρ與板部件Τ間之第五空隙G5,而與外部空間（大氣空間）接續。 19 200822182 此外，第四空間44經由第四空隙G4及第五* G5,而與外部空間接續。亦即，藉由第四、第五^隙 G4、G5，流體#可在第四空間料與外部空間之間流通^ 此外，在第一周壁33之外側面與第二周壁34之內側面之間，形成約lmm之第六空隙G6，在第二周辟之外側面與第五周壁35之内側面之間，形第七空隙G7。 m之其次，就具有上述構成之平台4T的動作及曝置ΕΧ全體之主要動作作說明。 ^ 控制裝置7在基板更換位置（載入位置），使置1GG’將須實施曝光處理之基板ρ搬人（载I :4Τ之第—保持器Hm上。控制裝置?藉由 Γ，將被第一周壁33包圍之空間形成負壓，而=板P吸附保持於第—支撐部件8卜另外，在 P被弟-保持器刪保持，基板臓保持。月"反4件T被弟二保持器此外，本實施例中，控制裝置7 上載入基板P之後，開始第二吸引二此外，本實施例中，控制裝置7於基板P f β y _ 不執行使用第一吸引口 63之二液曝光中’ 某板，制j 7為了浸液曝光第—保持器HD1所保持之基板P’而使用喷嘴部件7G 二，之

之間形成綠空fa1 7G與基板P 液體lq，來曝光被平台巧=浸液空間LR之基板P。之弟保持器HD1保持的 20 200822182 一部分。亦即，在第五空隙G5之上形成液體LQ的浸液空間LR。本實施例中，由於第五空隙G5小，因此，藉由液體LQ之表面張力，來抑制液體LQ浸入第五空隙G5。此外，由於板部件T係拒液性，因此，抑制液體LQ浸入第五空隙G5。此外，即使因浸液空間LR中液體LQ之壓力變化等，若液體LQ浸入第五空隙G5，經由其第五空隙G5，而浸入第六空間46之液體LQ，並經由第四空隙G4而浸入第四空間44時，由於基板P背面與第一周壁33之第一上面33A接觸（密合），因此抑制液體LQ浸入第一周壁33之内側。此外，本實施例中，至少在形成有浸液空間LR之狀態下，執行第二吸引口 61之吸引動作，如第五圖之模式圖所示，產生自第二空間42經由第二空隙G2，而朝向第三空間43之氣體的流動F2。因此，即使因某種原因，在基板P之背面與第一周壁33之第一上面33A 之間形成間隙，液體LQ經由其基板P背面與第一周壁 33之第一上面33A之間，而浸入第一周壁33之内側，仍可藉由氣體之流動F2，抑制液體LQ浸入比第四周壁 32更内側。另外，第二空隙G2之大小予以最佳化，第三空間 43維持在希望之壓力（負壓狀態）。因此，不致妨礙第一保持器HD1對基板P之吸附保持動作。同樣地，第一空隙G1之大小亦予以最佳化，不致妨礙第一保持器 HD1對基板P之吸附保持動作。基板P之浸液曝光結束後，基板P上及板部件T上無浸液空間LR後，控制裝置7在以第一保持器HD1保 21 200822182 持基板P之狀態下，開始第一吸引口 63之吸引動作。藉由第一吸引口 63之吸引動作，如第六圖之模式圖所示，產生自外部空間經由第五空隙G5而朝向第一吸引口 63之氣體的流動F3。藉此，藉由第一吸引口 63回收附著於基板P背面之外伸區域H1的液體LQ及存在於第四空間44之液體LQ等。而後，控制裝置7停止第一吸引口 63、第二吸引口 61及第三吸引口 62之全部吸引動作後，使用圖未顯示之基板昇降機構（所謂昇降插銷等），對第一保持器 HD1，使基板P上昇，在基板更換位置中，使用搬運裝置100，自第一保持器HD1搬出（卸載）基板P。如上述，第一周壁33及第二周壁34或第五周壁35 等，平台4T之一部分可能與浸入第五空隙G5之液體 LQ接觸，與其液體LQ接觸之平台4T的一部分可能被液體LQ污染。與基板P接觸之液體LQ中，溶解基板P 之一部分物質（如感光材料之一部分，或是覆蓋感光材料之上塗敷膜，或是其兩者）剝落而混入時，包含其物質之液體LQ可能浸入第五空隙G5中。此時，由於包含其物質之液體LQ接觸於第一周壁33及第二周壁34 等，因此第一周壁33及第二周壁34等被液體LQ中包含之物質（如感光材料之一部分）等污染。另外，污染第一周壁33及第二周壁34等之物質，不限於液體LQ 中之物質，亦包含如在放置曝光裝置EX之空間中浮游的物質（異物）。此處，在以下之說明中，將污染第一周壁33及第二周壁34或第五周壁35等平台4T之一部分的物質，適當地稱為污染物質。 22 200822182 平二If第一周壁33及第二周壁34等，保持基板Pi 以二、，A的至少一部分被污染的狀態時，可能產生無法以，、平台4T良好地保持基板P，或是以其平台4T保持板Pj皮污染，或是污染擴大之問題。如維持第1'周土^3之第一上面33A上附著污染物質的狀態時，基板p ，二^與第一周壁33之第一上面33A無法良好地接觸 )，可能無法以平台4T良好地保持基板p。此外，板P之月面與苐一周壁B之第一上面33A未能良子地接觸（密合），可能液體LQ大量浸入第一周壁33 之，側，或是液體LQ附著於基板p之背面。液體lq 大里次入第一周壁33之内侧時，可能影響平台4T之基板=持動作。此外，液體LQ附著於基板ρ之背面時， =能自平台4T卸載其基板P之搬運裝置10〇浸濕或污染。此外，維持第一周壁33與第二周壁34間之平台4T 的表面’或是第二周壁34與第五周壁35間之平台4T 的表面附著污染物質之狀態時，可能其污染物質經由第五空隙G5，混入形成於基板p之表面侧及板部件τ之表面側的至少一方之浸液空間LR，而影響曝光精度，或是污染基板P之表面及板部件T之表面。因此’本實施例中，係使用清洗用之部件CP，清洗平台4T。以下，就本實施例之清洗方法作說明。第七圖係顯示本實施例之清洗用部件CP的模式圖。部件CP係用於清洗保持曝光之光el照射之基板P 背面的平台4T之至少一部分者，且被平台4T之第一保持器HD1保持。本實施例中，部件CP具有與基板P大致相同之外形’且係比其基板P小之板狀部件。如上述，在χγ平 23 200822182 面内之基板p的外形係圓形，在XY平面内之部件CP 的外形亦係圓形。亦即，在XY平面内之部件CP的形狀/、基板P之形狀相似。此外，本實施例中，部件cp 係與基板P大致相同厚度之圓板狀部件。一此外’如上述，第一周壁33具有與基板P大致相，之外形。因此’部件cp亦與基板p同樣地，具有與第一周壁33大致相同形狀之外形。以下之說明中，將清洗用之部件CP亦適當地稱為基板CP。基板CP之表面及背面分別具有拒液性。本實施例 ^^板如藉由聚四氟化乙烯（鐵氟龍（登錄商標））等之氟系樹脂，或丙烯酸系樹脂等之具有拒液性的材料而形成。另外，亦可以金屬或與基板ρ之基底（半導體晶，^相同之材料形成基板CP，並在其表面及背面分別覆蓋氟系樹脂等之拒液性材料。第八圖係顯示使用基板CP清洗平台4Τ之狀態的模式圖，第九圖係第八圖之放大圖。清洗平台4Τ時，控制裝置7使用搬運裝置100，將基板cp載入平台4丁之第一保持器HD1上。因為基板CP係與基板ρ大致相同厚度之板狀部件，且具有與基板P大致相同之外形，所以搬運裝置100可順利地搬運基板cp。另外，亦可搬運基板P之搬運裝置與搬運基板CP之搬運裝置為不同之裝置（部件）。控制裝置7控制平台4T，並以平台4T保持使用搬運裝置100而載入平台4T之基板CP。本實施例中，基板CP具有比第一周壁33之第一上面33A的外緣之徑之外徑，以與基板P背面之周緣區域相對而設於平台4丁 24 200822182 之第一周壁33的第—上面33A之至少一被平台4T保持。刀路出，而因為基板cp具有比第—周们3之第— 外緣之徑小之外徑，且具有盥第一周辟33大A的 :之:形’所以，藉由以第二周壁‘所包圍之!= ::讀基板CP背面之中心大致-致，而以平台4= 周壁33之第-上面33A之至㈡刀路出’而將基板cp保持於平自4τ上。邻，外’本實施例中，基板⑶第弟一上面33Α的外缝+〆，卜 ^ 土 33之 βΛ ΛΛ+ 緣徑小，且比第一周壁33之第上面幻A的内緣之徑大的外；：- —部分與第一周壁3 & 月面之藉由以第一仅姓的一部分可接觸。持哭咖/料11 HD1鋪基板CP，在被第-保持為HD1保持之基板 1保 =持器_保持之板部==面内= 形成第八空隙G8，其比形成於被第一保之基板P外_邊緣與板五空隙G5大。迓琛間之第在台4T之清洗動作使用液體來進行。控制農清二=:1，基板心狀態下，供二: 八空隙G8。⑷分的液體。液體至少供給至第

(水，清洗用之液體係使用曝光用之液體LQ d 台4τ之清洗動作，控制裝置7以保對，二耗ί平台4Τ之至少一部分與喷嘴部件7Μ目 * +而移動平台4Τ，並在基板CP及平台4Τ(柘邱丛、臂嘴部件70之間形成液體LQ之浸液空間) 25 200822182 本實施例中，控制裝置7藉由並列進行來自液體供給口 12之液體供給動作，與藉由液體回收口 22之液體回收動作的至少一部分，而在基板CP及平台4T (板部件T)與喷嘴部件70之間形成液體LQ之浸液空間LR。如第八圖及第九圖所示，控制裝置7以浸液空間LR 之至少一部分形成於第八空隙G8之上，來控制平台4T 對喷嘴部件70之位置。如上述，由於基板CP比基板P 小，因此，液體LQ之一部分容易自基板CP之邊緣與板部件T之間的第八空隙G8浸入，而接觸於平台4T 之一部分區域。液體LQ接觸之區域包含：第一周壁33 與第二周壁34間之平台4T (基底30)的表面，及第一周壁33之第一上面33A之至少一部分。此外，液體LQ 接觸之區域亦包含：第二周壁34與第五周壁35間之平台4T的表面，及第二周壁34之第二上面34A。藉由液體LQ接觸，此等液體LQ接觸之平台4T的一部分區域藉由液體LQ清洗。亦即，附著於第一周壁 33及第二周壁34等平台4T之一部分區域的污染物質，藉由浸液空間LR之液體LQ而自平台4T表面剝落（除去）。本實施例中，並列進行來自液體供給口 12之液體供給動作與藉由液體回收口 22之液體回收動作，在可能附著污染物質之平台4T的一部分區域中，自液體供給口 12持續供給潔淨之液體LQ，藉由其供給之潔淨的液體LQ，可良好地剝落污染物質。此外，剝落之污染物質藉由液體回收口 22立即回收。此外，控制裝置7在使用喷嘴部件70形成浸液空間LR之狀態下，使用第一吸引口 63來吸引（回收）液體LQ之至少一部分。亦即，本實施例中，控制裝置7 26 200822182 並列進行來自液體供給口 12之液體供給動作、藉由液體回收口 22之液體回收動作與藉由第一吸引口 63之液體回收動作（吸引動作）。喷嘴部件70之液體回收口 22 在平台4T之上方，配置於與其平台4T表面相對之位置，自平台4T之表面剝落，而在液體LQ中浮游之污染物質，如藉由重力作用，而可能無法順利地到達液體回收口 22。控制裝置7藉由執行形成於平台4T之一部分 (基底30之上面）的第一吸引口 63之液體回收動作，可回收液體回收口 22回收不到之污染物質。此外，控制裝置7在使用液體LQ之清洗動作中，執行第二吸引口 61之吸引動作。藉由執行第二吸引口 61之吸引動作，如上述，由於產生自第二空間42經由第二空隙G2而朝向第三空間43之氣體的流動F2，因此，即使液體LQ經由基板CP之背面與第一周壁33之第一上面33A之間而浸入第一周壁33之内側，仍可以第二吸引口 61回收其浸入之液體LQ，並且藉由產生之氣體的流動F2，可抑制液體LQ向第四周壁32更内側浸入。此外，控制裝置7依需要在平台4T上照射具有光洗淨效果之曝光之光EL，同時進行使用液體LQ之平台 4T的洗淨動作。亦即，控制裝置7在使用喷嘴部件70 而在第八空隙G8中形成浸液空間LR的狀態下，經由投影光學系統PL，照射曝光之光EL於第一周壁33及第二周壁34或第五周壁35等平台4T之一部分。本實施例中，因為曝光之光EL係使用具有光洗淨效果之紫外光的氟化氬準分子雷射光，所以，平台4T中被曝光之光EL照射之區域進行光洗淨。藉由照射紫外光之曝光 27 200822182 之光EL，附著於平台4T表面之卜仇被氧化分解而除去。另外，:杂物質（有機物質）用光源）不同之發光位置，=照明系統江（曝光平台4Τ上。 ^有光洗淨效果之光於供給口 12之液體供給動 < 7並列進行來自液體回收動作的至少—部肖時:1體回收口 2 2之液體台4T與対部件7()。叫㈣移動保持基板p之平

之第八ί : LR 並列進行來自液體供邊緣)移動，而控制裝置7 體回收σ 22之液體回之液體供給動作與藉由液保持基板!>之平a Π動作，㈣料嘴部件7。移動使用基板t之1了此，可清洗平台4Τ之廣範圍。來自嘴嘴部件7、= 先動作結束後，控制裝置7停止且執行來自液體回收=給口 12的液體供給動作，並口 61之吸引動作，^第一吸引口 63及第二吸引 CP及平台4Τ (板部十—圖之模式圖所示’自基板控制裳置7停止液^ )上消除浸液空間此外，特定時間持續藉由^收口 22之液體回收動作，並且二吸弓丨口 61之吸引^及引口 63之吸引動作及藉由第引動作，可以第—動作。藉由執行第—吸引口 63之吸第二周壁34間之:^丨口 63回收殘留於第—周壁33與第—周壁33與第_ = 4T表面等的液體LQ，可抑制在體叫。此外，藉由二壁j4間之平台4T的表面殘留液使液體LQ浸入第—仃弟二吸引口 61之吸弓丨動作，即 61回收浸入其第一周周辟壁33之内側，仍可以第二吸引口周2 33内側之液體LQ。 28 200822182 而後，控制裝置7停止第一吸引口 63、第二吸引口 61及第二吸引口 62之全部吸引動作後，使用圖未顯示之基板昇降機構（所謂昇降插銷等），使基板cp對第一保持器HD1上昇，在基板更換位置，使用搬運裝置1〇〇 (或另外之搬運裝置）自第一保持·ΗΕ)1搬出（卸基板CP。 ”其後，在清洗後之平台4Τ上保持新的基板ρ，藉由

妝射曝光之光EL於被其平台4Τ保持之基板ρ，來曝光其基板Ρ。 Α如以上說明，使用基板CP可順利且良好地清洗平台4T。因此，可抑制因附著於平台41之污染物質造成曝光精度惡化，而可良好地曝光基板p。 ^本實施例中，藉由以第一周壁33之第一上面33a =出，而配置基板Cp，可重點地清洗其第一周壁％之第一上面33A，因此，藉由具備其第一周壁33之平a 4T，可良好地保持基板ρ實施曝光。 σ

此外，本實施例中，由於可重點地清洗經由第八办 f G8形成可與外部空間接續之空間（第四空間私、= 間46)的第—周壁％及第二周壁％，或是第五 ς 5 j，因此，可抑制附著於第一周壁33及第二= 空γΠ五周壁35等之污染物質釋放於外部空間及S 哭外’本實施例+，由於不清洗平台4T(第-仅4士 ΐ抑制1清域’而係重點地清洗局部區域，因此'，好地執行清洗&間延長或繁雜’可在短時間喂利且良此外，本實施例中，與液體LQ接觸之基板Cp的 29 200822182 表面及背面係拒液性，可抑制液體LQ經由基板CP之背面與第一周壁33之間而浸入第一周壁33之内側。此外，於使用液體LQ之清洗動作結束後，可順利地回收接觸於基板CP之液體LQ，可抑制液體LQ殘留於基板 CP之表面及背面等。 <第二實施例> 其次，就第二實施例作說明。以下之說明中，與上述實施例相同或同等之構成部分註記相同符號，並簡略或省略其說明。上述第一實施例中，如第十二(A)圖之模式圖所示，基板CP具有比第一周壁33之第一上面33A的外緣之徑小，且比第一周壁33之第一上面33A的内緣之徑大的外徑，不過，如第十二(B)圖所示，亦可具有比第一周壁 33之第一上面33A的外緣之徑大的外徑。此種情況，雖第一周壁33之第一上面33A不露出，不過，由於基板 CP與板部件T間之第八空隙G8’比基板P與板部件T 間之第五空隙G5大，因此，可將清洗用之液體LQ供給至第一周壁33與第二周壁34間之空間，可使用供給至其空間之液體LQ來清洗平台4T之一部分。此外，如第十二(C)圖所示，基板CP亦可具有比第一周壁33之第一上面33A的内緣之徑小的外徑。此種情況如第十三圖所示，由於清洗用之液體LQ接觸於第一周壁33之第一上面33A之大致全部區域，因此可良好地清洗第一周壁33之第一上面33A。亦即，基板CP之外徑可依洗淨平台4T的區域（空間）來決定，如使用比基板P之規格外徑小 2.0mm〜20.0mm程度之外徑的基板（圓形基板情況下， 30 200822182 為比規格半徑小1.0〜10.0mm之半徑的圓形基板）。 <第三實施例> 其次，就第三實施例作說明。第十四圖係顯示第三實施例之喷嘴部件70附近之圖。本實施例中，喷嘴部件70具有可在浸液空間LR中喷射液體LQ的液體喷射口 90，在浸液空間LR内，自液體喷射口 90喷射液體 LQ，而在浸液空間LR中形成液體LQ之喷流。液體LQ 之喷流作用於平台4T表面。藉此，可促進附著於其平台4T表面之污染物質的除去。另外，上述第--第三實施例中，使用基板CP之清洗動作，如可在每次處理特定片數基板P、每批次、每個特定時間間隔等執行。此外，如上述，曝光裝置EX具備可檢測自液體回收口 22回收之曝光用之液體LQ品質（水質）的檢測裝置26,由於其檢測裝置26可檢測自液體回收口 22回收之曝光用之液體LQ的污染狀態，因此，控制裝置7依據檢測裝置26之檢測結果，判斷為自液體回收口 22回收之曝光用的液體LQ已污染時，亦可執行使用基板CP 之清洗動作。由於依平台4T之污染狀態，自液體回收口 22回收之液體LQ的污染狀態亦變化，因此控制裝置 7藉由使用檢測裝置26檢測自液體回收口 22回收之液體LQ的污染狀態，可依據其檢測結果求出（估計）平台4T之污染狀態。而後控制裝置7依據檢測裝置26之檢測結果，判斷為平台4T之污染狀態不在容許範圍時，不開始其次之曝光動作，而執行清洗動作。另外，亦可藉由特定之計測裝置計測以圖案影像曝光基板P，而形成於其基板P上之圖案的形狀，並依其 31 200822182 计測結果，執行使用基板cp之清洗動作。如依據圖案形狀之計測結果，判斷為圖案之瑕疵不在容許範圍時， =制裝置7判斷為平台4T之污染狀態亦不在容許範而執行清洗動作。或是，可在第一保持器Hd 1上保持具有高度平坦表面之虛擬基板，以傾斜入射方式之焦占水平檢測糸統等檢測其虛擬基板表面之形狀（平坦，）’判斷為平坦度之惡化程度不在容許範圍時，控制衣置7判斷為平台4T之污染狀態亦不在容許範圍，而執行清洗動作。另外，上述各種實施例中，控制裝置7為了清洗平台4T ’係並列進行來自液體供給口 Η之液體供給動作、藉由液體回收口 22之液體回收動作與藉由第一吸力口 63之液體回收動作（吸引動作），不過，在清洗動作中’亦可停止藉由第一吸引口 63之吸引動作。此外，在β洗動作中，不執行藉由第一吸引口 63之吸引動作，而於清洗動作結束後，藉由執行第一吸引口 63之吸引動作，可抑制第一周壁33與第二周壁34間之平台4Τ 表面殘留的液體LQ。或是，亦可在清洗動作中停止來自液體回收口 22之液體回收動作。另外，上述各種實施例中，控制裝置7係在平台4Τ 之清洗動作中，執行第二吸引口 61之吸引動作，不過，亦可在清洗動作中停止第二吸引口 Η之吸引動作。此外，在清洗動作中，不執行第二吸引口 61之吸引動作，而於清洗動作結束後，執行第二吸引口 61之吸引動作，可藉由第二吸引口 61回收浸入第一周壁33内侧之液體

Lq 〇另外’上述各種實施例中，清洗用之液體係使用曝 32 200822182 光用之液體L〇，n + 同的液體。清I用^^可使用與曝光用之液體叫不或暑白人興先用之液體，如可使用乙醇、甲醇等醇類解於^性劑之液體。此外，亦可將臭氧氣體溶氣體溶解於;=所;，，中之氫水等’使特定之此，〒之所明功忐水使用於清洗用之液體。 ^ . Λ .亦可併用在清洗用之液體中賦予振動（如超音波）的振動裝置。

、’上述各種實施例中，於曝光基板ρ時，係使 /又液區域LR之嘴嘴部件70，進行平台4T之清、不過亦可设置清洗專用之喷嘴部件，在部件cp =板=件T與清洗用之噴嘴部件之間保持清洗用之液體，來執行平台4T之清洗動作。 ,、另外，上述各種實施例中，係以可裝卸之板部件T 形成基板P周圍之平坦部，不過，亦可以與基底3〇一體之部件形成基板P周圍之平坦部。亦即，平台4T之構成不限於上述者，只要是可良好地保持浸液曝光之基板P，可使用各種構成之平台4T。

另外’上述各種實施例中，部件CP係具有與基板Ρ 大致相同形狀之外形，且與基板p大致相同厚度之板狀部件，不過，只要是以平台4T (第一保持器HD1)保持時，使第一周壁33之第一上面33A的至少一部分等希望洗淨之區域露出，而可使其區域與清洗用之液體接觸者，部件CP亦可具有與基板P之外形不同的外形，亦可具有與基板P之厚度不同的厚度，亦可不是板狀。此外，上述各種實施例中，部件CP之表面與背面對清洗用之液體具有拒液性，不過，依需要只要部件cp之一部分區域係拒液性即可，只要可順利地執行平台4T 33 200822182 中亦可不形成拒之清洗與清洗用液體之回收，部件CP 液性區域。另外，上述各種實施例之投影光學系統，係以液體填滿終端光學部件之像面（射出面）側的光程空間，不過，如國際公開第2004/019128號案所揭露，^可採用以液體填滿終端光學部件之物體面（入射面）侧的= 程空間之投影光學系統。、另外，上述各種實施例之曝光用液體Lq係水，不過，亦可為水以外之液體。如曝光用之液體LQ亦可為過氟化聚醚（PFPE)、氟系油脂等之氟系流體，亦可為如柏木油。此外，液體LQ亦可使用折射率為丨6 / 程度者。 · · 兴狀遐Lg接觸之投影光學系統PL之光學部件（曰後光學部件FL等），如亦可由石英（二氧化矽）或氟$ 鈣（螢石）、氟化鋇、氟化锶、氟化鋰及氟化鈉等氟化化合物的單結晶材料而形成。再者，終端光學部件亦可由折射率比石英及螢石高（如16以上）之材料而形成。

I 16以上之材料，可使用如揭露於國際公開第國rC之藍寶石、二氧化鍺等’或是揭露於 i:5/〇59618號案之氯化鉀（折射率約 ^ ) 4。再者，亦可在終端光學部件之表面的一部及含與液體之接觸面）或全部’形成具有親液性能之薄膜。另外，石英與液體之親和性 ;。折射;不過螢;至少可形成防溶解異丙醇、折射率約h61之丙三醇（甘油) 八 —H結合或〇〜H結合的特定液體、己燒、庚 34 200822182 ，、癸烷等之特定液體（有機溶劑）或折射率約16〇之奈烧(Decalin:Decahydronaphthalene)等。此外，液體亦可為此合此等液體中任意2種以上之液體，亦可為在純水中添加（混合）此等液體之至少1個。再者，液體亦可為在純水中添加（混合）H+、Cs+、K+、Cl—、S042—、 ^°4等之鹼或酸者，亦可為在純水中添加（混合）鋁，化物等微粒子者。另外，液體宜為光之吸收係^小，溫度依存性小、對塗布於投影光學系統及/或基板之表面的感光材料（或上塗敷膜或防反射膜等）穩定者。基板中可設置保護感光材料及基底，而避免受到液體= 之上塗敷膜等。〜曰 ’另外，上述各種實施例之基板Ρ，除了半導體裝置 =造用之半導體晶圓之外，還適用顯示 ='薄膜磁頭用之㈣晶圓，或曝光裝置使用之= η片的原版（合成石英、矽晶圓），或是薄膜部件 >，基板之形狀不限於圓形，亦可為矩形等其他形狀。除了同步移動光與基板P，來掃 :署m+丰、《圖案的步進及掃描方式之掃描型曝光 ΐ ρ靜11\進機）之外，亦可適用於在將鮮Μ與基依序步進移動之牛*曝：^罩Μ之圖案’使基板ρ 機）。 V進及重稷方式的投影曝光裝置（步進円索在步進及重複方式之曝光中，在將第一盥其：P'大二衫像轉印於基板P上後，在將第二圖案 /、土评止狀態下，使用投影光學系統，將第二 35 200822182 圖案之縮小影像與第一圖案部分重疊，而一起板p上（斷續方式之-起曝光農置）。此外，斷續方^ 之曝光裝置亦可適用於在基板！>上至少部分重疊2個圖案進行轉印’ *使基板P依序移動之步進曝光裝置。、万飞扪此外，本發明亦可適用於日本特開平1〇_163〇99號公報、日本特開平10-214783號公報（對應之美國專利第 6,341，007、6,400,441、6,549,269 及 6 59G，634 號）、曰本特表2000-505958號公報（對應之美國專利第 5,969,441號）等所揭示之具備複數基板载台的多載台型 (雙載台型）之曝光裝置。再者，如日本特開平lM354〇〇號公報、日本特開 2000-164504號公報（對應美國專利第6,897,963號）等所揭不，具備：保持基板之基板載台，與搭載形成有基準標記之基準部件及/或各種光電感測器之計測載台的曝光裝置中，亦可適用本發明。上述各種實施例中，係以具備投影光學系統pL之曝光裝置為例作說明，不過，不使用投影光學系統PL 之曝光裝置及曝光方法中可適用本發明。如此，即使不使用投影光學系統PL時，曝光之光係經由透鏡等光學部件而照射於基板，並在此種光學部件與基板間之特定空間中形成浸液空間。曝光裝置EX之種類不限於在基板p上曝光半導體部件圖案之半導體部件製造用的曝光裝置，亦可廣泛適用於液晶顯示部件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，用於製造薄膜磁頭、攝像部件（CCD)、微型機器、 MEMS、DNA晶片或標線片或光罩等的曝光裝置等。 36 200822182 另外，上述各種實施例中，係使用在光透過性之基板上形成特疋之遮光圖案（或相位圖案、減牵）的光透過型光罩，不過，除了該光罩外，如咸丄第 6,778,257號公報所揭示，依據應曝光之圖案的電子資料，形成透過圖案或反射圖案，或是發光圖案之電子光罩（亦稱為可變成形光罩，如包含一種非發光型圖像顯示部件（亦稱為空間光調制器：Spatial Light M〇dUlat〇r(SLM))之DMD (數位微反射鏡裝置

Micro_mirrorDevice))等）。使用DMD之曝光裝置如揭示於美國專利第6,778,257號公報。 —此外，如國際公開第2001/035168號案所揭示，藉由將干擾條紋形成於基板p上，而在基板p上曝光線

及空間圖案的曝光裝置（微影系統）中，亦可適用本發明〇 X 此外，如日本特表2004-519850號公報（對應美國專利第6,611，316號）所揭露，經由投影光學系^ :而在基板上合成兩個光罩之圖案，藉由一次掃描曝光，而大致同時雙重曝光基板上之一個照射區域的曝光裝置等中亦可適用本發明。此外，鄰近方式之曝光裝置、鏡面投影對準曝光器等中亦可適用本發明。另外，在法令容許限度内，援用關於上述各種實施例及變形例中引用之曝光裝置等的全部公開公報及美國專利等之揭示，而作為本文之一部分。、如以上所述，上述實施例之曝光裝置EX，係以保持特定機械性精度、電氣性精度及光學性精度，而組裝包含各構成要素的各種子系統來製造。為了確保此等2 種精度，而在該組裝之前後，就各種光學系統，進行用 200822182 於達成光學性精择a ，機械性精度整’就各種機械系統’進行〜，氣c自系統，進行用:; <_接二；^子系統相互之機械性接續、電氣> 對爆光裝置組褒工d;f:在從各種子系统 x> 知序之刖，當然有各子系統各個之組梦序。在各種子彡統對曝光裝置之組裝功結束後，^ ^综合調整，來確保整個曝光裝置之各種精度。另外，二光裝置之製* ’須纟管理溫度及潔淨度等之潔唤行。 r半導體裝置等之微型裝置如第十五圖所示，係經過以下步驟來製造：進行微型裝置之功能、性能設計的步，201 ;依據該設計步驟製作光罩（標線片）之步驟202 ; 製造裝置基底之基板的步驟203 ;包含：按照前述實施例，將光罩之圖案曝光於基板上、將曝光之基板予以顯像的基板處理（曝光處理）步驟204;裝置組裝步驟（包 I:切割工序、接合工序、封裝工序等之加工製程）2〇5 ; 及檢查步驟206等。 38 200822182 【圖式簡單說明】圖。弟1係顯示第—實施例之曝光裝置的概略構成 :一圖係第一實施例之平台的側剖面圖。 -圖係保持基板之狀態的平台的平面圖。弟四圖係顯示第_ 剖面圖。弟μ鈀例之千台的重要部分之侧

式圖第五圖係用於說明第—實施例之平台的動作之模式圖弟“圖係用於說明第—實施例之平台的動作之模，七圖係顯示第一實施例之清洗用部件之圖。圖。第八圖係用於說明第一實施例之清洗方法之模式第九圖係放大第八圖之一部分之圖。圖。第十圖係用於說明第一實施例之清洗方法之模式第十一圖係用於說明第一實施例之清洗方法之模 5^圖〇第十二(Α)圖係顯示第二實施例之清洗用部件之圖。第十二(Β)圖係顯示第二實施例之清洗用部件之圖。第十二(C)圖係顯示第二實施例之清洗用部件之圖。、第十三圖係用於說明第二實施例之清洗方法之模式圖。、、第十四圖係用於說明第三實施例之清洗方法之模式圖。第十五圖係顯示微型裝置之製程的一個例子之流 39 200822182 程圖。【主要部件符號說明】 4 基板載台 81 第一支撐部件 4T 平台 90 液體喷射口 12 液體供給口 CP 清洗用部件 22 液體回收口 EL 曝光之光 33 第一周壁 EX 曝光裝置 33A 第一上面 HD1 第一保持器 34 第二周壁 LQ 液體 34A 第二上面 LR 浸液空間 61 第二吸引口 P 曝光用基板 63 第一吸引口 70 喷嘴部件

Claims

200822182 申請專利範固·· -種清洗用部件，係為了清板背面之基板保持部件的二:射j之光的基 2· 4· 6· 且具有比前述基=、之=所述基板 Lt:，範圍第1項之清洗用部件，立中針… ! 洗’係在以與前述基板背面之;ίί; = 至少-部分露出的狀態下4弟周壁的弟-上 :專利範圍帛2項之清洗用弟-周壁大致相同之外形，且；ς有與所述之徑小。^比别周壁之第—上面的外緣 =申請專利_第3奴清洗比w述第一周壁之第一上面的内緣：:;、中别述外徑如申請專利範圍第2、二其中在前述基板保持部=7：^之清洗用部件，形成支撐前述基板背面之支撐部;二:3!J 一周壁包圍之空間形成負麼午猎由將被别述弟支撐部件支撐。、則处基板之背面被前述 1至5項中任-項之清洗用部件，件之清洗，係使用液體來進行。之液“。項之清洗用部件’其具有拒液性 —種清洗方法，係將申請專利範圍第j項至第7項中二^之清洗用部件保持於前述基板保持部件上，來 ^洗耵述基板保持部件之至少一部分。一種清洗方法’係清洗保持照射曝光之光的基板之基 41 9· 200822182 板保持部件的至少—部分，且包含：相同部件保持財與前述基板大致及且八有比該基板小之外徑的清洗用部件；的液ί給用於清洗前述基板保持部件之至少一部分 1〇.=1ί利範圍第9狀清洗方法，其中前述液體在件之:部:::之邊緣外側，接觸於前述基板保持部第10項之清洗方法，其中前述基板周緣區域相對d其係r與前述基板背面之 —周辟之的耵述清洗用部件以前述第保持;件面的至少一部分露出，而被前述基板 12. ::;=1”之清洗方法，其中前述清洗部7、刖述第一周壁大致相同，前述清洗用前述第一周壁之第-上面的外緣之徑度。月j月洗用部件具有與前述基板大致相同厚方法，其中前述清洗徑小。匕則述弟一周壁之第一上面的内緣之其圍第11至13項中任-項之清洗方法，述笫二反保持部件具有支撐部件，其係配置於前被前、fi土i内側，並支撐前述基板之背面，藉由將壁包圍之空間形成負壓，前述基板之背卸破刚速支撐部件⑽保持。 42 200822182 15. 如申請專利範圍第10至14項中任一項之清洗方法，其中前述基板保持部件具有第二周壁，其係配置成包圍前述第一周壁，前述區域包含前述第一周壁與前述第二周壁之間。 16. 如申請專利範圍第10至15項中任一項之清洗方法，其中前述區域包含前述第一周壁之第一上面。 17. 如申請專利範圍第10至16項中任一項之清洗方法，其中前述基板保持部件具有第一吸引口，其係形成於前述第一周壁之外側，可吸引流體，前述第一吸引口吸引前述液體之至少一部分。 18. 如申請專利範圍第10至17項中任一項之清洗方法，其中前述基板保持部件具有第二吸引口，其係形成於前述第一周壁之内側，可吸引流體，前述第二吸引口吸引前述液體之至少一部分。 19. 如申請專利範圍第9至19項中任一項之清洗方法，其係以保持前述清洗用部件之前述基板保持部件的至少一部分與特定部件相對，而移動前述基板保持部件，並藉由液體，在前述清洗用部件及前述基板保持部件，與前述特定部件之間形成浸液部。 20. 如申請專利範圍第19項之清洗方法，其中前述液體自前述特定部件之液體供給口而供給。 21. 如申請專利範圍第20項之清洗方法，其中前述特定部件具有液體回收口，且並列進行來自前述液體供給口之液體供給動作與藉由前述液體回收口之液體回收動作的至少一部分。 22. 如申請專利範圍第21項之清洗方法，其中並列進行來自前述液體供給口之液體供給動作與藉由前述液 43 2〇〇822182 體回收口之液體回收動作的至移動保持前述清洗用部件：同時相對地述特定部件。刖以土板保持部件與前 23 24. 25. 26. ，如尹請專利範園第19至22 其尹前述特定部件具麵、;洗方法’ 如申請專利範圍Ϊ9ΪΪ夜其中包含在前述基板保持件壬^^洗方法，果之光。午上…射具有光洗淨效如申請專利範圍第24項之方半，含前述曝光之光。 / / ’中前述光包一種裝置製造方法，其包含：、、使用申請專利範圍第9項至第25項中清洗方^，來清洗前述基板保持部件；、-項之以前述基板保持部件保持基板；及之前之光來曝光被前述基板保持部件所保持 44