TW200811568A

TW200811568A - Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same

Info

Publication number: TW200811568A
Application number: TW096123284A
Authority: TW
Inventors: Ji-Hyun Jung; Dong-Young Kim
Original assignee: Lg Philips Lcd Co Ltd
Priority date: 2006-06-30
Filing date: 2007-06-27
Publication date: 2008-03-01
Also published as: KR101257811B1; JP2008015514A; CN101097385A; KR20080002221A; DE102007029421B4; US20110097857A1; JP4849633B2; US7977175B2; JP2011227526A; DE102007029421A1; JP5122672B2; US7884362B2; US20080042134A1; TWI368807B

Description

200811568 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明涉及一種液晶顯示裝置，尤其涉及一種用於液晶顯示器 (LCD)裝置的陣列基板，此液晶顯示裝置具一改善高寬比且無波浪雜訊’以及經由四個遮罩過程製造此陣列基板的方法。【先前技術】液晶顯示（LCD)裝置使用液晶分子的光學各向異性和偏振特性以產生一影像。此液晶分子具有長而薄的形狀，以及具有一對準方向。此對準方向可以經由施加一電場，以影響此液晶分子的對準而控制。由於液晶的光學各向異性的性質，所以入射光的折射取決於液晶分子的對準方向。因此，經由適當地控制所施加的電場，可以產生具有所想要亮度之影像。〃 +此LCD裝置包括：一上基板，具有一共同電極；一具有一像素電極的下基板；以及一設置在上基板和下基板之間的液晶層。此上基板和下基板分別稱為：彩色濾光片與_基板一在此制電極和^ 素電極之間施加的垂直電場驅動此液晶層的分子。在已知型式之LCD裝置中，主動矩陣式LCD ( AM_LCD)裝置，其具有薄膜電晶體（TFTs)和以-矩陣形式對準的像素電極，作為重要研究和發展的標的，這是@_裝置具有高解析度與顯示移動影之優點。第1圖為透視圖，其顯示此根據習知技術iLCD妒置。在第i =，此LCD裝置51包括：-第-基板5 ; _第二基板川；以及一，基板5和第二基板10之間的液晶層（未顯示此第一和第二 =5和H)彼此面對並分離。-黑色矩陣6和—彩色濾光片包括： =(R)、綠色⑹、以及藍色⑻渡光片7a、7b、以及7c，其碱於第-基板5的内表面上’並且共同電極9形成在此彩色渡光片 5 200811568 層上。 ,l 7 口一貪料線26形成在第二基板10上。此間極線14 :皮此相又而定義出一像素區域Ρ。-薄膜電晶體(丁FT) 以和此㈣線26連接。與此tft τ連接的—像素電極 ❹中。此像素電極32由—翻導電材料構成，忒材料例如銦錫氧化物（ITO)。此LCD裝置中被稱為—_基板的第二基板，可以經由一五個 ^、/、们^罩過*製成。例如，用於陣列基板的五個遮罩過程包括：軸-閘極電極和-閘極線（以及_間極墊）的第_遮罩過程，·形成 :主動層與歐姆接觸層在此閘極電極之上的第二遮罩過程；形成一資料線（以及貝料墊）、一源極電極、以及一汲極電極的第三遮罩過程；形成含有曝露歧極電極的接觸孔的—鈍化層的第四遮罩過程； =及形成經由接觸孔與汲極電極連接的—像素電極的第五遮罩過程。因為陣列基板經由一複雜的遮罩過程製成，所以劣化之可能性增加:且製造良率降低。此外，因為製造時間和成本增加，所以產品的责兄爭力減弱。一為了解決上述問題，建議一種四遮罩過程。第2圖為平面圖、其顯示根據習知技術經由四遮罩過程所製用MLCD裝置的陣列基板。在第2圖中，一閘極線62和一資料線98彼此在一基板6〇上相交從而定義出一像素區域P。一閘極墊66形成在此閘極線62的一端，而一資料墊99形成在此資料線98的一端。一閘極墊端子Gp形成在此閘極墊66上，而一資料墊端子DP設置在此資料墊99上。一包括一閘極電極64、一第一半導體層91、一源極電極94、以及一及極電極96的薄膜電晶體（TFT) T，設置在此閘極線以和資料線98相交部份的附近。此閘極電極64與此閘極線62連接，而此源極電極94與此資料線98連接。此源極電極94和汲極電極％在此第一半導體層91上彼此分離。一像素電極PXL形成在此像素區域p 6 200811568 内並與汲極電極96接觸。疊。=屬=象素電極既接觸並與-部份閑極線62重酬的驗糊（如）物繼^作為—介 93开切體層92形成在此㈣線98下面，而—第三半導體層 7成在此金屬層97的下面。因為此第二半導體層9 篆一: :申二閘極電極64不能複蓋此第-半i體層91的二部 :*路於此來自基板⑼下背光單元（未顯示）之光線。 =弟一半導體層91由非晶矽形成，所以由於來自背光單元的

的恭气半導體層91内產生出—賴露電流。因此，此TFT T 的包乳4寸性會因為光洩露電流而退化。 92 二半導體層％突出超過此隱線98，因為此第二半導體層境的光中部份曝露在來自背光單元或—周圍環半導# 層92由無定形舞成，所以在此第二々H &產生出一光浪露電流。當在顯示影像時’此光麟電 =貝料線98㈣起，合信號，並且此像素電極PXL產生電性1 9^的^^_。—黑色矩陣（未顯示）覆蓋此第二半導體層輕因而減少LCD裝置的高寬比。因為此像素電極PXL ―周鬥^ “極96經由—接觸孔連接，此第一半導體層91可以曝露在 LO)裝置l高=’。此黑色矩陣也可以覆蓋此接觸孔’其進一步減少面圖圖中線η·和_轉罩過f戶制、、和3B圖中所示，依據習知技術中在經由四個遮 j 91 94^ t成’而此第二半導體層92在此資料線98下面形 7 200811568 成。此第二半導體層92向此第一半導體層91延伸。此第—半導體層 91包括：作為一主動層91a的一本質非晶矽層，與作為一歐姆接‘ 層91b的經雜質摻雜非晶矽層。此第二半導體層92包括··—本質非晶石夕層92a，和一經雜質摻雜非晶矽層92b。、一部份主動層91a不能完全被閘極電極64覆蓋。此部份主動層 91a曝露在來自背光單元（未顯示）之光線，以及在主動層内^ 生出一光電流。此光電流在像素區域P内的TFT T内產為一洩漏電流。因此，此TFTT的電氣特性退化。 … 此第二半導體層92的本質非晶矽層92a突出超過資料線兇。當此本質非晶矽層92a的突出部曝露在來自背光單元之光線或一周圍光下，重複地起動與去啟動，因此可以產生出一光洩露電流。由於此光茂露電流與像素電極PXL中的信號_合，液日日日分子的方向性對準被不正常地扭曲。因此，在LCD裝置上顯示出不需要的波浪形細線。貢料線98牙口像素電極PXL之間的距離，考慮經由五遮罩過程或六遮罩過程形成的LCD裝置的對準誤差，通常大約為4 75卿。在經由-四遮罩過程形成的LCD裝置中，此第二半導體層％的本質非晶石夕層92a突出超過此資料線98大約17_。因此，由於非晶石夕層兀之突出’資料線98和像素電極PXL之間的距離D大約為6 45二（= 4·75 μηι+ 1·7 μπι)。目此，經由四遮罩過程所形成比]〇裝置内的像素電極PXL與資料線98距離遠大於經由五鮮過程或六遮罩過程形，的LCD裝置中之情形，並且_屏蔽住資料線98的黑色矩陣舰的寬度W1和距離D在經由四遮罩過程形成的LC 色矩陣BM寬度之增加會降低高寬比。此…、第4A至犯圖為沿著第2圖中線IIIa_ma，的橫截面圖，第$ a至 5G圖為沿著第2圖中線料之橫截面圖，而第从細圖為沿著第 2圖中線VI-VI的域面圖，其顯示習知技術中經由四遮罩過程用於 LCD裝置的陣列基板之製造過程。、 8 200811568 第4A、_5A、以及6A圖為一第一遮罩過程。在第4a、5a、以及 6A圖中，經由一第一遮罩過程，—閘極線62、一間極塾的、以及— 閘極電極64形成在：具有—像賴域p、__區域s、—閘極塾區、-資料墊區域D、以及-儲存區域c之基板6〇上。此開極墊66形成在此閘極線62的一端。第4B至4E圖、第5B至5E圖、以及第6B至犯圖為一第罩過程。在第4B、5B、以及6B圖中，_閘極絕緣層Μ、一本質非晶石夕層7〇、一經雜質摻雜非晶石夕層72、以及-金屬材料層74，形成 ^有_線62的基板6〇上一光阻（pR)層％形成在此金屬材枓層74上。-遮罩M設置在此光阻層％之上。此遮罩M具有—透射扎Β1、-阻播部份Β2、以及一半透射部份Β3。此透射部份抝具有相當高的透魏力，而統由透射部份m可以完全化學地改變層76此阻撞部份32完全屏蔽光線。此半透射部份出具有—隙縫、構或者+透射薄膜，以致於可以降低經由此半透射部份光、泉之強度或透射。因此，半透射部份B3的透觀力小於透射部份則而大於阻擋部份B2。、此半透射部份B3和此阻擒部份B2是在對應於切換區域s之半透射口Η/; B3的兩邊。此透射部份m與閘極墊區域Gp對應，而阻擒部份B2與儲存區域c和資料塾區域Dp對應。此pR f %曝露於經由遮罩Μ之光線。在第4C、5C、以及6C圖中，第一至第三pR圖案78a至78c分肌成在切換區域s、貢料塾區域Dp、以及健存區域c。此金屬材料層1婦質摻雜非晶石夕層72、以及本質非晶石夕層％，使用此第一至苐二PR圖案78a和78c而餘刻。在第4D、5D、以及6D圖中，第一至第三金屬圖案8〇、82、以及86形成在第-至第三PR圖案m8c下面，而第一至第三半導體層90a至9〇c形成在第一至第三金屬圖案8〇、82、以及86下面。 9 200811568 第二金屬圖案82自第一金屬圖案80延伸，而為島形的第三金屬圖案 86,成在儲存區域〔中。此第一至第三半導體層9加至9〇(：包括：本質非晶矽圖案7〇a和一經雜質摻雜非晶矽圖案72a。經由一拋光過程去除此第一 PR圖案78a的較薄部份，因而曝露第一金屬圖案80。同時，亦去除此第一至第sPR圖案78a至78c的 ^界°卩伤因此，此弟一至弟二PR圖案78a至78c部份地去除，以形成第四至第六PR圖案79a至79c，而分別曝露出第一至第三金屬，案80、82、以及86。此第一至第三半導體層9〇a至9〇c之第一至第二金屬圖案80、82、以及86、以及經雜質摻雜非晶矽層72a，使用第四至第六PR圖案79a至79c而蝕刻。在第4E、5E、以及6E圖中，此在切換區域8内的第一金屬圖案 80 (第4D圖）被钱刻，以形成源極電極94和汲極電極％，此在資料墊區域DP内的第二金屬圖案84 (第6E圖）被蝕刻，以形成一資料線98和一資料墊99，而在儲存區域C内的此第三金屬圖案恥（第 4D圖）被|虫刻形成一金屬層97。此第一半導體圖案9〇a (第4d圖）的本質非晶矽層70a (第4D圖）和經雜質摻雜非晶矽層72a (第4D 圖）被蝕刻，分別形成第一半導體層91之一主動層91a和一歐姆接觸層91b。此主動層91a經由此歐姆接觸層91b曝露且被過度蝕刻，以致於雜質不會殘留在主動層92a上。此外，此第二和第三半導體圖案90b和90c (第6D和4D圖）被餘刻，分別形成第二和第三半導體層92和93。一作為第一電容電極的此閘極線62和一作為第二電容電極的金屬層97的重疊部份，構成一具有設置於其間之閘極絕緣層 68和第三半導體層93的儲存電容器器Cst。曰第4F、5F、以及6F圖為一第三遮罩過程。在第4F、、以及 6F圖中，一鈍化層PAS形成在具有此資料線98的基板6〇上。此鈍化層PAS經由-第三遮罩過程圖案化，以形成：_曝露出汲極電極 96的汲極接觸孔CH卜一曝露出金屬層97的儲存接觸孔cH2、以及 200811568 -曝露資料塾9㈣資料墊接觸孔CH4。而且，此純化層pAS和此問極絕緣層68經由第三遮罩過程而圖案化，以形成一曝露出閘極墊66 的閘極墊接觸孔CH3。第4G、5G、以及6G圖顯示一第四遮罩過程。在第4(}、5(}、以及6G圖中，-透明導電材料經由一第四遮罩過程沉積在此純化層 PAS上並圖案化’以形成··-像素電極pxL、—閘極塾端子GpT、以及-資料墊立而？ DPT。此像素電極pxL經由沒極接觸孔CH1與沒極電極96接觸，並經由儲存接觸孔CH2與金屬層97接觸。此間極墊端子GPT經由閘極塾接觸孔CH3與間極塾％接觸，而此資料塾端子DPT經由此資料點接觸孔CH4與資料墊％接觸。經由上述四個遮罩過程，而製斜列基板。如同以上說明，第二半=層的本質非晶销突出超過資料線。因此，波浪雜訊會發生而曰Γ7見比g減小。此外’因為此主動層連接至第二半導體層的本質非 ’主動！之一部份未由閘極電極所覆蓋。因此，在薄膜電晶體所：制曳路驗。、而且’考慮到過度蝕刻，主動層應厚地形成，血Irt日痛"生產成本增加。料，由於此像素1極經由—接觸孔 =及極電極連接，並且此第_半導體層曝露在卵光線中，則需要一復蓋此接觸孔的黑色矩陣。因、減小。干口此由於黑色矩陣，此鬲寬比會進一步的方於—液晶顯示裝置轉絲板與製造此基板題。/ K S避免由於習知技術的限制與缺點而導致—或更多問將种’、他的~性和優點將在下面的描述中說明，且J:-部份指出之結構而實現範圍、以及所附圖式中特別 200811568 為了達成根據本發明目的之此等與其他優點，如同在此廣泛說明者，此用於〉夜晶顯示裝置的陣列基板包括：一閘極線和一資料線，彼此在-基板上相交從而定義出—像素區域；—在此閘極線和資料線之間的絕緣層；-自此閘極線延伸之閘極電極；一在此像素區域内的電晶體，在該像素區域具有：—此—絕緣層上的主動層，_第一材料的歐姆接觸層與此主動層的終端鄰近，—在此歐姆接觸層上的第二材料的、、爰衝層纟所形成的第二材料與第一材料不同；一與一個緩衝層接觸的源極電極；以及—與此另—個緩衝層接觸驗極電極，其中，此主動層呈-在此閘極電極之上的島狀，並包括在由此_電極的周圍所定義的邊界中。另一方面，用於-液晶顯示裝置的陣列基板包括：一間極線和一資料線，彼此在-基板上相交從喊義出—像素區域；_在此間極線和貧料線之間的絕緣層；—在此像素區域内的電晶體，在該像素區域内’具有—此—絕緣層上的主動層；—第—材料的歐姆接觸層並盘此主動層的終端鄰近，源極電極和汲極電極每—個都具有_透明層㈣於、與此歐姆接觸層連接的一不透明層，其中，此主動層呈一^此間極電極之上的島狀，並包括在由此閘極電極關圍所定義的邊界中。另-方面’製造驗—液晶顯示裝置的_基板的方法包括··在基板上形成-閘極電極，並形成與賴極電極連接的_間極線此閘極線和__上形成—第_絕緣層；在此第—絕緣層上形成一 =動層；在此主動層上形成一歐姆接觸層；圖案化此主動^和此歐姆接觸層，以形成在此·電極之上並包含在具有—絲顧極電極周圍所定義的邊界細内的—島狀；在此島狀之上形成一透；導電材料層和-不翻導電材料層；圖案化此透明導電材料層和透明導電材料層，以形成源極電極和汲極電極；圖案化此歐姆接觸圖案，以形成與此源極電極和汲極電極下方的絲層的終端相鄰二接觸層’·在此基板之上形成—第二絕緣層；以及圖案化此第二絕緣層 12 200811568 和此沒極電極的不透明導電材料層，以形成此像素電極。在另一方面，一種製造用於一液晶顯示裝置的陣列基板的方法包括·經由一第一遮罩過程形成一閘極電極，一與此閘極電極連接的閘極線，以及在此閘極線的一端的一閘極墊；經由第二遮罩過程形成二第、纟巴緣層，一主動層和一在此閘極電極上的歐姆接觸圖案，此第一閘極絕緣層曝露出此閘極墊；經由第三遮罩過程，在此歐姆接觸圖案上形成源極電極和汲極電極、一與此及電極連接的像素圖案、一與此源極電極連接的資料線、一在此資料線的一端的資料墊圖案、以及一與此閘極墊接觸的閘極墊端子圖案，此像素圖案包括：一透明導電材料的第一像素金屬層、與一不透明導電材料的第二像素金屬層，此資料墊圖案包括：一此透明導電材料的第一資料墊金屬層、和此不透明導電材料的第二資料墊金屬層，此閘極墊端子圖案包括··此透明導電材料的第一閘極墊端子金屬層、和此不透明導電材料的第二閘極墊端 =金屬層；以及經由第四遮罩過程，去除此第二像素醜金屬層、此第二閘極墊端子金屬層、以及此第二資料墊金屬層，以形成此第一像素圖案金屬層之像素、此第—閘極墊端子金屬層賴極墊端子、以及此第一資料墊金屬層的資料墊。應瞭解本發明以上一般性說明與以下詳細說明為典範與說明，其目的在於提供所主張本發明進一步解釋。【實施方式】此等所附圖式其包括於此構成本發明之一部份、而用於提供本發月進步瞭解，其用於說明本發明之實施例，而與此說明一起用於解釋本發明之原理。現在洋細·本發明之實施例，而在關巾說明其例。在本發明的貫施例中，經由—四個遮罩過程製造出—陣列基板。其非晶矽層並不突出超過一資料線。 13 200811568 第7圖為平面圖’其顯示根據本發明實施例用於lCd裝置的陣列基板。如同於第7圖中所示，一閘極線1〇4和一資料線146，彼此在一基板1〇〇上相交，以定義出一像素區域p。一閘極墊1〇6和一資料墊148刀別开>成在·此閘極線1〇4和此資料線丨46的終端。一形成在此閘極墊106上的透明閘極墊端子142。一薄膜電晶體（TFT) 丁在此像素區域ρ内與此閘極線104和此資料線146連接。此TFT τ 包括：-閘極電極102 ; -主動層122 ;與此主動層122相鄰之歐姆接觸層（未I貞示）；在此_接上的緩衝金屬層126; _源極電極136，以及一汲極電極138。此閘極電極1〇2和此源極電極I%、为別與閘極線104和此資料線146連接。緩衝金屬層126形成於此歐姆接觸層和每一個源極電極136以及汲極電極138之間。以替代方式，此緩衝金屬層126可以省略，以致於此源極電極136和汲極電極 138分別與此歐姆接觸層接觸。一透明像素電極14〇自此汲極電極延伸並與之連接。此閘極線1〇4和此像素電極14〇互相重疊，以構成一儲存電容态斋Cst，以致於此閘極線1〇4的重疊部份和此像素電極 140的重疊可以分別作用為··一第一電容器電極和一第二電容器電極。在一 LCD裝置的陣列基板中，此非晶矽的主動層122呈島形，而形成在此閘汲極電極搬内，而一非晶碎層不形成在此資料線_ 下面。由於此閘極電極1〇2屏蔽住來自陣列基板下方的一背光單元 (未顯示）的光線，所以此主動層122不會曝露於光線，因此，在 TFTT中不會產生出一光茂露電流。此外，由於此具有一冑出部份的非晶矽層不形成在此資料線146的下方，則在LCD裝置中不會產生出波浪雜訊，以及覆蓋此突出部份的一黑色矩陣並非必要。因此，此 LCD裝置的高寬比改善。此外，由於此像素電極M〇直接與此汲極電極138接觸而無須-接觸孔，用以防止光從此接觸孔中人射而覆蓋此接觸孔的一黑色矩陣不必要的。因此，此LCD裝置的高寬比二二步改善。 14 200811568 第8A、8B、以及8C圖分別為沿著第7圖線mx，、χ_χ，、以及ΧΙ-ΧΙ，的橫截面圖。第8Α圖顯示一切換區域和一像素區域，第 8Β醜不-間極墊區域，而第8C圖顯示一資料塾區域。、在第8A、8B、以及8C圖中，-基板100包括··複數個像素區域P、-閘極墊區域GP、以及在複數個像素區域p的週邊的一資料墊區域DP。-部份閘極線區域GL，其中形成—間極線，該區域定義為儲存區域C，因為在該區域内形成一儲存電容器。每一個像素區域P都包括一切換區域s。一薄膜電晶體（TFT) T包括：-間極電極102、一第一絕緣層 108、-主動層122、在鄰近此主動層的終端而在主動層上的歐姆接觸層124、在此歐姆接觸層124上的緩衝金屬層126、一源極電極136、在基板100上的切換區域s内形成的一汲極電極138、以及在TFTT上形成的一第二絕緣層15〇。此第一絕緣層1〇8在此閘極電極102上形成，以及此主動層122在此第一絕緣層1〇8上形成。此歐姆接觸層I24在此主動層m上形成。此緩衝金屬層以形成於此歐姆接觸層124和此源極電極136之間、以及此歐姆接觸層124和此汲極電極138之間。因此，此源極電極136和此汲極電極138都經由此緩衝至屬層126與此歐姆接觸層124連接，並也直接與歐姆接觸層 124接觸。，、曰此源極電極136包括第一和第二源極金屬層13如和136b，並且此汲極電極138包括第一和第二汲極金屬層138a和138b。此第一源極金屬層136a所形成的材料和所在的層面與此第一汲極金屬層13如一樣。例如，此第一源極金屬層136a和此第一汲極金屬層138a可以包括一透明導電材料。此外，此第二源極金屬層136b所形成的材料和所在的層面與此第二汲極金屬層138b 一樣。例如，此第二源極金屬層136b和此第二汲極金屬層13肋可以包括一金屬性材料。如果此第一源極金屬層136a和此第一汲極金屬層138a僅直接與此歐姆接觸 15 200811568 層124接觸，則此TFT τ可以具有··與此源_極i36和沒極電極 138相當高的接觸電阻，或者為整流接觸而非歐姆接觸。此緩衝金屬層126可以在此第一源極金屬層服、此第一汲極金屬層隱、以及此區人姆接觸層124之間形成，以降低接觸電阻進而獲得一歐姆接觸士同第8A圖中所示，此第一源極金屬層13知可以與此主動層 122的^端、此等歐姆接觸層124之一、此等緩衝金屬層⑶之一、以及此第-絶緣層1〇8直接接觸，而所屬第一汲極金屬層可以直接與主動層122的另—終端、此等歐姆接觸層124之另-、此等緩衝金屬層126之另一、以及此第一絕緣層1〇8接觸。，另-實施例中，當此TFT T具有—相當小接觸電阻和一歐姆接觸$可以省略緩衝金屬層126。例如，在形成此歐姆接觸層124 之後，此歐姆接觸層m可以電漿處理，而在此歐姆接觸層⑶的表面亡形成、作為緩衝隔離層的—非常薄之氮化碎（8跑）層。然後，此第-源極金屬層1施和第一汲極金屬層138a可以在此緩衝隔離層上形成。由於不具有此緩衝金屬層的非常薄層，此tftt可以仍然具有一相當低的接觸電阻和一歐姆接觸。一連接至此閘極電極102的閘極線1〇4形成在基板1〇〇上，並 ^一閘極塾106形成在此閘極塾區域Gp _此閘極、線1〇4的一終女而資料線146與此源極電極136連接並與此閘極線104相交，而形成在此第-絕緣層觸上，而一資料墊148形成在此資料塾區域 DP内的此資料線146的一終端。此資料線146包括：一透明導電材料的第-貧料金屬層146a、與金屬材料的第二資料金屬層146c，而此貝料墊148包括透明導電材料的單一層。此第一絕緣層1〇8覆蓋此閘極線104，並且此間極墊1〇6經由此第一絕緣層1〇8曝露。此外，此第一絕緣層15G覆蓋此資料線146，並且此資料塾經由此第二絕緣層150曝露。此外，透明導電材料的閑極墊端子142形成在此閑極 106 上。 16 200811568 本質非晶矽（a-Si:H)的此主動層122呈島形直接形成於在下面的閘極電極102之上、以及在下面的閘極電極1〇2的周圍所定義的邊界中。此外，此資料線146直接在此第一絕緣層108上形成，在資料線146和第一絕緣層108之間不具有額外的本質非晶矽層和額外的經雜質摻雜非晶矽層。因此，由於避免光洩露電流，而可以防止例如波浪雜訊之電性問題，且亦可以改善畫面品質。因為並不須要覆蓋此突出部份的黑色矩陣，而可以增加高寬比。第9A圖至第9L圖為沿著第7圖中線ΐχ-ΐχ，的橫截面圖，其顯示根據本發明實施例用於LCD裝置的陣列基板的製造過程。第1〇A 圖至第10L圖為沿著第7圖中線X-X，的橫截面圖，其顯示根據本發明實施例用於LCD裝置的陣列基板的製造過程。第11A圖至第nL 圖為沿著第7圖中線ΧΙ-ΧΓ的橫截面圖，其顯示根據本發明實施例用於LCD裝置的陣列基板的製造過程。更特定而言，第9A圖至第圖顯示此像素區域和切換區域，第1〇Α圖至第10L圖顯示閘極墊區域，以及第11A圖至第11L圖顯示此資料墊區域。第9A、10A、以及11A圖顯示一第一遮罩過程。在第9A、1〇A、以及11A圖中，一第一金屬層（未顯示）經由沉積一個或更多個導電金屬材料在一基板100上形成，該材料包括鋁（A1)、鋁（A1)合金、鉻（Cr)、鉬（Mo)、鎢（W)、鈦（Ti)、銅（Cu)、銅（Cu)合金、以及纽（Ta)。此第一金屬層經由一第一遮罩過程使用一第一遮罩（未顯示）而圖案化，以形成在切換區域S内的一閘極電極ι〇2、一閘極線104、以及在此閘極墊區域GP内的一閘極塾1〇6。此閘極電極102與此閘極線104連接，以及此閘極墊1〇6形成在此問極線 104的一終端。第9B圖至第9E圖、第10B圖至第10E圖、以及第iiB圖至第 11E圖顯示一第二遮罩過程。在第9B、10B、以及11B圖中，一第一絕緣層108、一本質非晶石夕層11〇、一經雜質摻雜本質非晶石夕層 17 200811568 112、以及一苐一金屬層114依序形成在此閘極電極i〇2、此閘極線 104、以及此閘極墊106上。一第一光阻（PR)層116形成在此第二金屬層114上。此弟一絕緣層1〇8可以包括一無機絕緣層材料，例如氣化石夕（SiNx)和一乳化石夕（Si〇2)，而此第二金屬層μ可以包括一個或更多個導電金屬材料，包括鋁（A1)、鋁（A1)合金、鉻（Cr)、翻（Mo)、鎢（W)、鈦（Τι)銅（Cu)、銅（Cu)合金、以及组（Ta)。一具有一透射部份B1、一阻擋部份B2、和一半透射部份B3的第二遮罩M2設置在此第一 pr層116之上，以致於阻擋部份對應於切換區域S、透射部份B1對應於閘極墊106、以及半透射部份 B3對應於資料墊區域DP。此對應於切換區域s之阻檔部份B2的= 積小於此閘極電極102的面積。此第一 PR層116經由此第一遮罩 Ml曝露於光線，以及然後將所曝露的第一 pR層116顯影。… 在第9C、10C、以及11C圖中，-第—PR圖案118形成在此第一金屬層114上。與此切換區域§對應的一部份第一圖案具有一 $ -厚度tl ’而第- PR圖案之另一部份具有比此第一厚度ti小的一第二厚度t2 (t2<tl)。此閘極墊106經由此第一 pR圖案118曝露。此第二金屬層114、經雜質摻雜非晶矽層112、本質非晶矽層 110、以及第一絕緣層108，使用作為一蝕刻遮罩的第一 pR圖案^ 圖案化，而直接在此閘極電極1〇2之上、以及此閘極電極1〇2的周圍所定義的邊界圍内直接形成一島形。其次，去除此第一圖案 118，例如，經由在此切換區域s内經由一拋光過程形成一第二圖案120。此具有一第一厚度tl之第一 pR圖案118之部份被部份地去除，以形成此第二PR _ 120，其具有與此第_和第二 (⑽）相對朗厚度，並且完全去除具有第二厚度㈣此第— 圖案118的其他部份，以曝露此第二金屬層114。在第9D、 '以及11D圖中，此經由第—絕緣層⑽ 塾接觸孔cm而曝露之閑極墊應、本f非㈣層ug、經雜質播雜 18 200811568 非定性矽層112和此第二金屬層114、以及第二pR圖案12〇，形成於在切換區域s中的第二金屬層114上。此第二金屬層114，經雜質摻雜非定性矽層112、此本質非晶矽層11〇，使用作為一蝕刻遮罩的第一 PR圖案120而被圖案化。在第9E、10E、以及11E圖中，本質非晶矽的一主動層122，經亦食貝摻雜非晶矽的歐姆接觸圖案124a、以及一緩衝金屬圖案12如依序形成於切換區域S中閘極電極1〇2上的第一絕緣層11〇上。在其他區域内，此及具有閘極墊接觸孔CH1的第一絕緣層11〇被曝露，以及此閘極墊106經由此閘極墊接觸孔chi而曝露。第9F至9H圖、第10F至10H圖、以及第11F至11H圖顯示一第三遮罩過程。在第9F、10F、以及11F圖中，一透明導電層128和一不透明導電層13〇依序形成在基板1〇〇上。其次，一第二pR層I% 形成在此不透明導電層13〇上。此透明導電層丨28包括一透明導電材料，例如銦錫氧化物（ΓΓΟ)和銦鋅氧化物（IZ〇)，以及此不透明導電層130是從金屬導電材料所選出之一個或更多個金屬導電材料，該材料組包括鋁（A1)、鋁（A1)合金、鉻（Cr)、鉬（M〇)、鎢（w)、鈦（Ti)、銅（Cu)、銅（Cu)合金、以及钽（Ta)。一具有透射部份B1和阻擔部份B2的第三遮罩M3設置在此第二PR層132上，以致於此透射部份B1與在此透射部份兩側之阻擋部份B2對應於切換區域s，以及阻撞部份對應於閘極墊1〇6和資料墊區域DP。此第二PR層132經由此第三遮罩M3曝露於光線，以及然後將將經曝露的第二PR層132顯影。如第9G、10G、以及11G圖所示，第三、第四、第五、以及第六PR圖案134a、134b、134c、和134d形成在此不透明導電層no 上。此第三、第四、第五、和第六PR圖案134a、13牝、134、以及 134d分別對應於切換區域s、像素區域p、此閘極墊1〇6、以及此資料墊區域DP。此不透明導電層130和透明導電層128依序使用此第 19 200811568 二、第四、第五、和第六PR圖案134a、134b、134c、以及134d作為一蝕刻遮罩而依序圖案化。其次，去除此第三、第四、第五、以及第六 PR 圖案 134a、134b、134c、以及 134d。如同於第9H、10H、以及11H圖中所示，源極電極136和汲極甩極138形成在此切換區域s中，而一像素圖案丨39形成在此像素區域P中。此外，一與此閘極墊1〇6接觸的閘極墊端子圖案141形成在閘極墊區域GP中，而在此資料線M6—終端的一資料線146和一資料墊圖案147形成在此第一絕緣層log上。每一個源極電極I%、汲極電極138、像素圖案139、閘極塾端子圖案141、資料線146、以及資料塾圖案147包括：一透明導電材料的第一金屬層、與不透明導電材料的第二金屬層。例如，此源極電極136包括：一第一源極金屬層 136a和一第二源極金屬層136b，而此汲極電極138包括··一第一汲極金屬層138a、與一第二汲極金屬層138b。此像素圖案139包括：一第一像素金屬層139a，和一第二像素金屬層13%，而此閘極墊端子圖案141包括··一第一閘極墊端子金屬層141a、與一第二閘極墊端子金屬層141b。此外，此資料線146包括：一第一資料金屬層14如，和一第二資料金屬層146b，而此資料墊圖案147包括：一第一資料墊金屬層147a、與一第二資料墊金屬層147b。此緩衝金屬圖案126a和此歐姆接觸圖案124a，使用此源極電極 136和汲極電極138作為一蝕刻遮罩而圖案化，以形成一緩衝金屬層 126(第91圖）和一歐姆接觸層124 (第刃圖）。因此，此主動層122 經由此緩衝金屬層126和歐姆接觸層124而曝露。此緩衝金屬圖案 126a和歐姆接觸圖案124a可以在一蝕刻條件下進行選擇性地圖案化’以致於此源極電極136、汲極電極138、像素圖案139、閘極墊端子圖案141、此資料線146、以及此資料墊圖案147不被蝕刻。第91圖至第虬圖、第1〇1至10L圖、以及第m至nL圖顯示 -第四遮罩過程。在第9I、lw、以及m圖中，此緩衝金屬層 20 200811568 形成在·此歐姆接觸層124和此第一源極金屬層136a之間、以及此歐姆接觸層124和此第一汲極金屬層138a之間，以降低一接觸電阻，或在此歐姆接觸層124、和源極電極136、以及汲極電極138之間獲得一歐姆接觸。然而，在另一實施例中，可以降低接觸電阻、或此歐姆接觸可以無須使用此緩衝金屬層而獲得。一苐一絕緣層150在此基板100上形成。此第二絕緣層150包括：一無機絕緣材料，例如氮化矽（SiNx)和二氧化矽（Si02)。一第三PR層152形成在此第二絕緣層15〇上，而一具有一透射部份61 和阻擋部份B2的第四遮罩M4、設置在此第三服層152之上。此阻擋部份B2對應於切換區域，而透射部份B1對應於此閘極墊1〇6，此資料墊圖案147對應於像素圖案139。此第三卩尺層153經由此第三遮罩M3曝露在光線，以及然後將所曝露的第三1>11層152顯影。在第9J、l〇j、以及ιυ圖中，一第七PR圖案154形成在此第二絕緣層150上。此第二絕緣層層150對應於此像素圖案139，此閘極墊端子圖案丨41與此資料墊圖案147經由此第七PR圖案154而曝露。其次，此第二絕緣層150、此像素圖案丨39、此閘極墊端子圖案 !41、以及此資料墊圖案147，使用此第七pR圖案154作為一蝕刻遮罩而圖案化。因此，在圖案化此第二絕緣層15〇之後，此像素圖案 139的第二像素金屬層139b、此閘極墊端子圖案141的第二閘極墊端 :金屬層141b、以及此資料墊圖案147的第二資料墊金屬層147b同時被圖案化。例如，此第二絕緣層150可以使用一乾式蝕刻方法進行蝕刻，而每一個像素金屬層139b、此第二閘極墊端子金屬層141b、以及具有不透明導電材料的第二資料墊金屬層147b，可以使用一濕式飯刻方法餘刻。在第9K、10K、以及11K圖中，此具有透明導電材料的第一像素金屬層139a (第9J圖）存留在像素區域p中，以產生一單一透明

材料層的像素電極140。此第一閘極墊端子金屬層141a (第10J 21 200811568 圖）存流在此閘極墊區域GP中，以成為一單一透明導電材料層的間極塾端子丨42，以及此第-資金屬層咖（第⑴圖）存留在此資料墊區域DP中，以成為-單一透明導電材料層的資料塾148。其次’去除此第七PR圖案154。在第9L、10L、以及11L圖中，—包括此閘極電極1〇2、此第一絕緣層120、此主動層122、此歐姆接觸層124、此緩衝金屬層126、此源極電極U6、以及此汲極電極138的薄膜電晶體（tft) τ形成在切換區域s中。每-個源極電極136和汲極電極138包括：透明導電材料的第-層與部份透明導電材料的第二層之雙層。此在像素區域 Ρ内的像素電極14G包括：此翻導電材料的單—層，且從汲極電極 138的第一沒極金屬層施延伸。在閘極塾區域Gp中的此問極塾端子H2包括：透明導電材料的單一層，並與此閘極墊接觸。在此資料墊區域DP的此資料墊148包括：透明導電材料的單一層，並自此資料線146的第-資料金屬層146a延伸。此外此像素電極⑽ 延伸，且與此資料、線辦重疊，以構成—儲存電容器器⑸，該儲存電容器器Cst具有：作為—第一電容器電極的閘極線刚的重叠部份，作為-第二電容器電極的像素電極⑽的重疊部份以及在 -介電材料的此第-和第二電容器電極之間的第—絕緣層12〇。此根據本發明用於LCD裝置的陣列基板，在此處，半導靜並絲成於-資騎之下，趣由上細個鱗過程製成。此根據^ 明貫施例製韻於LCD裝置辦列基板的四個遮罩過程包括··第— 遮罩過程：在-基板上形成-閘極電極，將閘極線連接至閘極電極，以及連接至在閘極線-終端之閘極塾；第二鮮過程：形成一曝露此閘極塾的第-絕緣層、在此第-絕緣層上的主騎，在此主動層上的歐姆接觸随、以及在此_接_案上的緩衝金屬圖案；第三遮過程：在此緩衝金屬圖案上形成源極電極和汲極電極、形成自此沒極電極延伸之像素圖案、形成接觸閘極墊的—閘錄端子圖案，形成自 22 200811568 此源極電極延伸之資料線，形成在資料線之—終端具有透明導電材料層與不透明導電材料層之資料墊圖案，以及將緩衝金屬圖案和歐姆接觸圖案予關案化，以形成-緩衝金屬層和—歐姆接觸層；以及第四遮罩過程··在此基板的整個表面上形成第二絕緣層，並將像素圖案、此閘極墊端子圖案、以及此資料墊圖舒以圖案化，以形成透明材料層的一像素電極、一閘極墊端子、以及透明材料層之資料墊。因此，在根據本發明的實施例用於LCD裝置的陣列基板中，因為一半導體層並未職於㈣線下，而可㈣止波_魅改蓋高寬比。此外，由於具有島形的主動層形餘一閑極電極中，❿可^止光茂露電流，並改善薄膜電晶體的性f。此外，由於_像素電極自一汲極電極延伸而並無接觸孔，而可以進一步改善高寬比一對於熟習此技術人士為明顯，可以在本發明中作各種修正與綠化，而不會偏離本發明之精神與範圍。因此，翻意為，杯： =所附帽專利«與其制物之細中之本發明之各雜^變【圖式簡單說明】第1圖為透視圖，其顯示根據習知技術之LCD裝置；第2圖為平面圖’其齡根據胃知技術經由四個遮罩過 LCD裝置的_紐； Μ用於第3Α圖為沿著第2圖中線nMIa，之橫截面圖；第3B圖為沿著第2圖中線mb-nib，之橫截面圖；第4A圖^第4G圖為沿著第2目中線nia_ma，之橫截面圖，其顯示根據習知技術經由四個遮罩過程以製造用於lcd裂置陸= 板之製造過程；平夕, 第5A圖至第5G圖為沿著第2圖中線νι_νι，之橫截面圖；第6A圖至第6G圖為沿著第2目中線νι_νι，之橫截面圖，其顯示根 23 200811568 據習知技術經由四個遮罩過程以製造用於LCD裝置的陣列基板之製造過程；第7圖為為平面圖，其顯示根據本發明實施例用於LCD裝置的陣列基板；第8A、8B、以及8C圖各為沿著第7圖中線ιχ-ΐχ，、χ-χ，、以及χι_χι，之橫截面圖；第9Α圖至第9L圖為沿著第7圖中線ιχ_ιχ，之橫截面圖，其顯示根據本發明實施例用於LCD裝置的陣列基板之製造過程；第10A至第10L圖為沿著第7圖中線χ-χ，之橫截面圖，其顯示根據本發明貫施例用於LCD裝置的陣列基板之製造過程；以及第11A至第iil圖為沿著第7圖中線XKXJ，之橫截面圖，其顯示根據本發明實施例用於LCD裝置的陣列基板之製造過程\ μ 乂【主要元件符號說明】 5 第一基板 6 黑色矩陣 7a 紅色（R)濾光片 7b 綠色（G)濾光片 7c 藍色（B)濾光片 9 共同電極 10 第二基板 14 閘極線 26 資料線 32 像素電極 51 LCD裝置 60 基板 62 閘極線 24 200811568 64 閘極電極 66 閘極塾 68 閘極絕緣層 70 本質非晶矽層 70a 本質非晶矽圖案 72 經雜質摻雜本質非晶矽層 72a 經雜質摻雜本質非晶矽圖案 74 金屬材料層 76 光阻（PR)層 78a 第一 PR圖案 78b 第二PR圖案 78c 第三PR圖案 79a 第四PR圖案 79b 第五PR圖案 79c 第六PR圖案 80 第一金屬圖案 82 第二金屬圖案 86 第三金屬圖案 90a 第一半導體層 90b 第二半導體層 90c 第三半導體層 91 第一半導體層 91a 主動層 91b 歐姆接觸層 92 第二半導體層 92a 本質非晶矽層 92b 經雜質摻雜本質非晶矽層 25 200811568 93 94 96 97 98 99 100 102 104 106 108 110 112 114 116 118 120 122 124 124a 126 126a 126, 128 130 132 134a 第三半導體層源極電極 >及極電極金屬層資料線資料墊基板閘極電極閘極線閘極塾第一絕緣層本質非晶矽層經雜質摻雜本質非晶矽層第二金屬層第一光阻（PR)層第一 PR圖案第二PR圖案主動層歐姆接觸層歐姆接觸圖案緩衝金屬層緩衝金屬圖案緩衝金屬層透明導電層不透明導電層第二PR層第三PR圖案 26 200811568 134b 134c 134d 136 136a 136b 138 138a 138b 139 139a 139b 140 141 141a 141b 142 146 146a 146b 147 147a 147b 148 150 152 154 第四PR圖案第五PR圖案第六PR圖案源極電極第一源極金屬層第二源極金屬層 >及極電極第一沒極金屬層第二汲極金屬層像素圖案第一像素金屬層第二像素金屬層像素電極閘極墊端子圖案第一閘極塾端子金屬層第二閘極墊端子金屬層透明閘極塾端子資料線第一資料金屬層第二資料金屬層資料墊圖案第一資料墊金屬層第二資料墊金屬層資料墊第二絕緣層第三PR層第七PR圖案 27 200811568 (TFT) T 薄膜電晶體^ GP 閘極塾端子 DP 資料墊端子 PXL 像素電極 Cst 儲存電容器 PAS 鈍化層 GPT 閘極塾端子 DPT 資料墊端子 P 像素區域 S 切換區域 M2 第二遮罩 M3 第三遮罩 M4 第四遮罩 M 遮罩 B1 透射部份 B2 阻擋部份 B3 半透射部份 CHI 汲極接觸孔 CH2 儲存接觸孔 CH4 資料墊接觸孔 CH3 閘極墊接觸孔 tl 第一厚度 t2 第二厚度 28

Claims

200811568 十、申請專利範圍： 1· 一種用於液晶顯示裝置之陣列基板，包含·· -閘極線和-資料線，彼此在基板上相交從而定義出―像域； ”σσ 一在該閘極線和該資料線之間的絕緣層；一閘極電極，自該閘極線延伸；以及 -在像素區域内之電晶體，其具有、—在絕緣層上之主動層，— 第-材料的歐姆接觸層、其靠近主動層之終端，在該^鱗觸層上而由與第-材料不同之第二材料所形成之緩衝層，一接觸該緩衝層之-的源極電極，以及_接觸該緩衝層另曰汲極電極，其中，該主動層在·極電極之上以及在該閘極電極的周圍所定義的邊界内呈一島形。 2·如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該源極電極和汲極電極至少之一與該主動層接觸。 3·如申請專利範圍第i項所述之陣列基板，其中该源極電極和汲極電極至少之一與該絕緣層接觸。 4·如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，其中該源極電極和汲極電極至少之—與舰姆接觸層接觸。 5·如申請專利範圍第1項所述之陣列基板，更包括：一在該閘極線一終端的閘極墊；以及一在該閘極墊上的透明閘極墊端子。 29 200811568 6· ^申請專利範圍第丨項所述之陣列基板，更包括：一在該資料線-終端的資料墊，且包含透明導電材料。 7· ^申請專利範圍第丨項所述之陣列基板，更包括：一像素電極，自_電極延伸並與該閘 =器該!容具有作為-第-電容器電極的_:::: 77贫作為一第—電容器電極的像素電極的重疊部份。且 8. 如申請專利範圍第！項所述之陣列基板，其中該第一材料為半導體式。、 9. 如申請專利範圍第！項所述之陣列基板，其中該第二材料為SiNx。、 ίο.-種用於液晶顯示裳置之陣列基板，包含·· ‘在像素區域中之電晶體，其具有： -閘極線和-資料線，彼此在基板上相交以定義一在該閘極線和該資料線之間的絕緣層； …或’ '在絕緣層上之主動層，與相鄰於該主動層之終端而由第—材. 源極電極和汲極電極，各具有接觸廣’ 至該歐姆接觸層，”有透明層和-不透明層，用於連接且在該閘極電極的周圍所定義的邊界内。其中，該主動層為在該閘極電極上之島形，如申請專利範圍第K)項所述之陣列基板，該源極電極和汲極電極至少之—之透明導電層與該絲層接觸。 30 200811568 α如申請專利範圍帛10項所述之陣列基板，其中該源極電極和汲極電極至少之一之透明導電層與該絕緣層接觸。 I3.如申請專利範圍第10項之陣列基板，其中 ===和祕電臟奴—之翻導錢與轉歐姆接觸 Κ如申請專利範圍第10項所述之陣列基板，更包括：在该間極線一終端的閘極墊；以及一在該閘極墊上的透明閘極墊端子。 I5·如申請專利範圍第10項所述之陣列基板，更包括：一在該資料線一終端的資料墊，且包含透明導電材料。 16.如申請專利範圍第1〇項所述之陣列基板，更包括：二像素電極，自汲極電極延伸並與關極線重疊_成—儲存 ^器，該電容器具有作為_第一電容器電極的閘極線的重疊部伤和作為一弟二電容器電極的像素電極的重疊部份。 17·如申睛專利範圍第1〇項所述之陣列基板，其中該第一材料為半導體式。 18·如申請專利範圍第10項所述之陣列基板，其中該緩衝層形成在該歐姆接觸層和源極電極以及汲極電極之間。 19. 一種製造用於液晶顯示裝置之陣列基板之方法，包含以下步驟：在基板與一連接至閘極電極之閘極線上形成一閘極電極； 31 200811568 :::極，’椏電極上形成—第一在5亥弟—絕緣層上形成-主動層；在.亥主動層上形成_歐姆接觸層；圖案化該翻導電材料層和不透明導和汲極電極； β、主動岸姆接觸層’而在該閘極電極之上以及具有園安成—透明導電材料層與-不透明導電材料層，· 電材料層，以形成源極電極 ===層’崎成麵極電極和_極下方的主動曰的、、相鄰的歐姆接觸層； -絕緣層；以及图案化4第_、纟巴緣層和汲極電極的不透明素電極。在該基板之上形成一第導電材料層，以形成像 2〇·如申請專利範圍帛w項所述之方法，其中 =主動層和歐姆接觸層_化之前，/在歐姆接觸層上形成一緩衝層，以及_化魅動層與歐姆接觸層包細案化緩衝層，該緩衝層作為-島形的-部份，而形成在該雜電極之上、和在具有一主動層®案的間極電極關®所定義的邊界内。 21·如申請專利範圍第19項所述之方法，其中在基板與閘極線上形成閘極電極包括：在該閘極線的_終端提供 -閘極墊，卩及在此島形上形成該透g蹲電㈣層與不透明導電材料層包括：在該閘極墊上提供該透明導電材料層和不透明材料層。、 22. —種製造用於液晶顯示裝置之陣列基板之方法，包含以下步驟： 32 200811568 經由一第一遮罩過程形成一閘極電極、一線、以及在該閘極線的-終端的—閘極墊問極電極的開極經由-第二遮罩過程在該閘極電極上形成丄層、以及一歐姆接觸圖案，該第、、、巴、、、运、一主動經由-第珊咖彡___ _====墊；接的貝枓線、在该-貝料線—終端的一此閘極塾接觸的一問極塾端子圖案，該像 ^案二與導電材料的第-像素金屬層、和—不透明導電材金屬層、和-不透明導電材料二塾塾端子圖案包括-透明導電材料的第_問極曰和-不透明導電材料的第二問極塾端子金屬層；以及屬層經由-第四遮罩過程去除該第二像素圖案金屬層、端=金屬層、以及該第二資料塾金屬層，以形成該第一像素屬層之像ί電;、、該第一閘極塾端子金屬層的-間極塾知子、以及该弟一資料塾金屬層的一資料塾。 23. 24. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該第二遮罩過程包含··在該歐姆接_案和該源極電極之間及該歐姆觸酸和紐㈣極之卿成—緩衝金屬圖案。如申請專利範圍第23項所述之方法，其中该第三遮罩過程包含··制該源極電極和制錢極作為―餘刻、庶罩以侧該麟金屬圖案，而形祕露該歐姆翻_案的緩衝= 屬層。 w 33 200811568 25.如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該第二遮罩過程，包含·· 依序Ϊ該，極電極、該閘極線、以及該閘極墊上形成該第一絕緣 5、一本質非晶矽層、一經雜質摻雜非晶矽層、以及一第一光阻層；、、、/、有透射#伤、一阻擋部份、以及一半透一一遮罩，以《該第-光Μ ; 弟一光阻層顯影，以形成—第—光_案轉露對應於該間 f之經雜雜雜非㈣層、對應於具有第-厚度主動層之第，阻圖案之—部份、以及對應於具有小於二厚度之第一光阻圖案之其他部份；又使用第阻隨作為—遮罩以侧：該經雜質摻轉晶石夕層、該本質非晶石夕層，以及第一絕緣層，以曝露出閘極塾；曰去除，有第二厚度的第—絲層的其他部份，以形成對應於主動層之一第二光阻圖案；以及使用案作為一繩罩，以細經雜質摻雜非晶矽層與本質非晶矽層。 26·如申請專利範圍第25項所述之方法，其中 ••該閘極墊與主動該第二遮罩的透射部份和阻擔部份分別對應於層0 27.如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該第三遮罩過程包括： ' 依序在該歐姆接_紅形成—翻導電層一不透以及一第二光阻層；包^ 藉由一第二遮罩曝露該第二光阻層； 34 200811568 將=1阻層顯影，以形成對應於該源極電極和汲極電極之二=圖案、對應於該像素圖案之第四光阻圖宰、對二苐五光阻圖案、以及對應於該資料塾之-第: 使:二光阻_為-一《 28·如申請專利範圍第π項所述之方法，其中極包括:透明導電材料的第一源極金屬層、和不第導兮次伽仏、材料弟二汲極金屬層；以及材料的-第二資的弟貝科金屬層、與不透明導電 29·如申請專利範圍第22項所述之方法，其中该第四遮罩過程包括：依序在該源極電極和汲極電極、該像素圖案、該問極塾端子圖案、該資料線、以及該資料塾圖案上形成，第二絕二三光阻層；、弟藉由一第四遮罩曝露該第三光阻層；將該第三光阻層顯影，以形成—第七光阻圖案，而曝露對應於該像素圖案的6彡第—絕緣層’該閘極墊端子圖案、以及該墊圖案；以及、〃使用4第七光阻圖案作為—似彳遮罩，則_該第二絕緣層、該第二像素金屬層、該第二閘極墊端子金屬層、以及該第二g 35 200811568 料墊金屬層。 30.如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該第二絕緣層經由一乾式蝕刻法蝕刻，且該第二像素金屬層、該第二閘極墊端子金屬層、以及該第二資料墊金屬層藉由濕式I虫刻法#刻。 36