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TW200811567A - Liquid crystal display, active matrix substrate and test method therefor - Google Patents

Liquid crystal display, active matrix substrate and test method therefor Download PDF

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TW200811567A
TW200811567A TW095132144A TW95132144A TW200811567A TW 200811567 A TW200811567 A TW 200811567A TW 095132144 A TW095132144 A TW 095132144A TW 95132144 A TW95132144 A TW 95132144A TW 200811567 A TW200811567 A TW 200811567A
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electrode
common
capacitor
electrodes
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TW095132144A
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TWI287685B (en
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Wei-Kai Huang
Ying-Tsang Liu
Chen-Shun Tsai
Jeng-Shin Chen
Yu-Chieh Lin
Original Assignee
Au Optronics Corp
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Publication of TW200811567A publication Critical patent/TW200811567A/zh
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Description

200811567 /\uuou/048 21713twf.doc/g 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種檢測方法，且特別是有關於一種 能夠有效地檢測出單一畫素内部，多個畫素電極間之短路 瑕/疵(short defects)的檢測方法。 【先前技術】 目前市場對於薄膜電晶體液晶顯示器（TFT-LCD)皆朝 向高對比（contrast ratio)、無灰階反轉（gray scale inversion)、高亮度（brightness)、高色飽和度（c〇1〇r saturation)、快速反應(response)以及廣視角（viewing angle) 等方向發展。目前常見的廣視角技術包括：扭轉向列型液 晶（TN)加上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換式 (In-Plane Switching，IPS)液晶顯示器、邊際場切換式(Fringe Field Switching，FFS)液晶顯示器與多域垂直配向式 (Multi-domain Vertical Alignment，MVA)液晶顯示器。以 多域垂直配向式液晶顯示面板為例，其可藉由一些配向圖 案（alignment patterning)，如配向凸起物（alignment protrusion)或狹縫(slit)，以使得每一畫素中的液晶分子呈多 方向排列，進而得到數個不同之配向領域(domain)。對於 習知之多域垂直配向式液晶顯示面板而言，由於形成於彩 色濾光基板或薄膜電晶體陣列基板上的配向凸起物 (alignment protrusions)或狹縫(slits)可以使得液晶分子呈多 方向排列，而得到數個不同之配向領域(domains)，因此多 域垂直配向式液晶顯示面板能夠達成廣視角的要求。然 200811567 AU 刪 /048 21713twf.doc/g 視角觀看同—影像時，使用者所看到的影像色 飽和度曰有所:同，此即所謂的色偏(color shift)。 β ί =善前述之色偏問題，許多將單-晝素區分為兩 不5 ^ [區域之概念便相繼被提&，此概念主要是在單 -晝素中使用兩個彼此電性絕緣之晝素電極，並透過驅動 使兩個彼此電性絕緣之晝素電極具有不同的電壓。然而， 在薄膜電晶體陣列基板的製程中，單一畫素内的兩個晝素 電極在被圖案化之後报有可能會因為銦錫氧化物殘〇 residue)而導致兩晝素電極短路而晝素顯示 【發明内容】 ιίΓΓί目的是提供—種主動元件陣列基板，其具有 夕4彼此獨立之共用線圖案，以利進行測試。 本發明之另一目的是提供一種測試方法，其可有效地 檢測出絲元件_絲上的各畫素電_之短路瑕疫。 本4明的又-目的是提供一種液晶 高的製造良率(yieldrate)。 八八有1乂 為達上述或是其他目的，本發明提出-種主動元件陳 =立ίί括—基板、多條掃描線、多條資料線、多個 L田，用線圖案以及多個晝素。掃描線、資料線盘 /中财m己置於基板上，而晝素陣列排列於基板上，i 二掃描線及資料線電性連接，而共用線 。此外，每—畫素包括多個主動 動元件雁旦f電極。每一晝素電極分別透過不同的主 動件”對應之掃描線及資料線電性連接，其中每一書素 200811567 八。υυυ/048 21713twf_doc/g 電極與各個共用線圖案之間的電容耦合效應不同。 在本發明之-實施例中，上述之共用線圖案包括一第 一共用線圖案以及-第二共用線圖案，其中第—共用線圖 案與第二共用線圖案分佈於每一畫素電極下方。 在本發明之-實施例中，上述之主動元件包括一第一 =膜電晶體以及-第二薄膜電晶體，而晝素電極包括一與 +薄膜電晶體電性連接之第一晝素電極以及—與第二薄 膜電晶體電性連接之第二晝素電極。 、在本發明之-實施射，上述之第—薄膜電晶體之通 ，見/長比值A W,/:^，而第二薄膜電晶體之通道宽 ，且W1 w2。在本發明之—較佳中# 在本發明之一實施例中，上述之各個晝素更包括多個 ^置於共用_案與晝素電極之_電容電極，1中電容 1極與對應之晝素電極電性連接’且晝素電極透過電容電 /、共用線圖案耦合而形成多個儲存電容器。 在本發明之一實施例中，上述之電容電極包括一第一 5電極以及—第二電容電極。第—電容電極位於第一共 各，案與第-晝素電極之間，並與第—晝素電極電性連 。第二電容電極位於第二共用線圖案與第一畫素電極之 f，並與第一晝素電極電性連接。此外，第一電容電極與 第用線圖案所構成之儲存電容器的電容值為而第 電各電極與弟—共用線圖案所構成之儲存電容哭的電容 值為 C2，且 C2>C1。 口口 200811567 048 21713twf.doc/g 科發明之-貫施例中，上述之第二晝素電極 共用線圖案所構成之儲存電容器的電容值為匚3。/、禾一 在本發明之一實施例中，上述之電容電 於第:共用線圖案與第二晝素電極之間的第三電=位 此第三電容電極與第二晝素電極電性連接， ^ 極與第-共用線圖案所構成之儲存電容器 C4，且 C4 > C3。 ％ 奋 m 馬 在本發明之-實施例中，±述之各個 容麵合線，其中電絲合線與第—晝素電=一電 位於第二4素電極下方。 連接，且 邊緣在本㈣之—實施财，上述之畫素電極具有錯齒狀 為達上述或是其他目的，本發·出—侧試 二I於測試前述之主動元件陣列基板。此測試方法包括下 列步驟^提供不同的電壓位準或波型至各個共用線圖案， =::2::晝素電極之間的電壓差;以及根據 時，實_中’ #共用線圖案的數量為2個 夺乂、用線圖案分職接至―第—電壓與—低於第—電壓 用Ϊ;電Ϊ。在本發明之一實施例中’第-電壓例如為北 電】’而ir之另一實施例中’第一電壓可高於共用、 明夕7—ί—電壓可高於、等於或低於共用電壓。在本發 貝施例中，第一電壓例如低於共用電壓。 在本發明之一實施例中，當共用線圖案的數量為3個 200811567 nu uuw /048 21713twf.doc/g 時丄共用線圖案分別耦接至一第一電壓、一低於第一芦 =第二電壓與-低於第二電壓之第三電壓。在本發明之= 實施例中，第一電壓例如為共用電壓。在本發^ 每 施例中，第-電壓可高於共用電壓，第二電^可高於 於或低於制電壓，而第三電壓可高於、等於或低於 g。在本發明之又-實_巾，第—電壓例如低於制 在本發明之-實施例中，共用電壓例如是介於_ 5 〇 v愈 5:之間。此外’第一_以及第二電壓之電壓差例如是 介於0V與100V之間。 在本發明之一實施例中，測試方法可進一步包括對各 個畫素電極完成充電，其中提供不同的電壓位準至各個共 用線圖㈣轉是在對各個晝素電極完成充電之後進行了 。為達上述或是其他目的，本發明提出一種液晶顯示 器，其包括前述之主動元件陣列基板、一對向基板、一液 晶層以及一控制電路板。對向基板配置於主動元件陣列基 板上方，液晶層配置於主動元件陣列基板與對向基板之 間，而控制電路板則與主動元件陣列基板以及對向基板電 ^生連接，且彼此獨立之共用線圖案是透過控制電路板導 通’並耦接至共用電壓。 在本發明之一實施例中，上述之對向基板是一彩色濾 光基板。 由於本發明採用多個彼此獨立之共用線圖案，因此本 發明之主動元件陣列基板與液晶顯示器中的瑕疵可以有效 200811567 auuou /048 21713twf.doc/g 地在主動元件陣列基板製造完成時被檢測出。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下。 【實施方式】 圖1是依照本發明一實施例之主動元件陣列基板的上 視圖。請參照圖1，本實施例之主動元件陣列基板包 括一基板110、多條掃描線120、多條資料線130、多個彼 此獨立之共用線圖案140以及多個晝素150。其中，掃描 線120、資料線130與共用線圖案140皆配置於基板11〇 上，而畫素150則是陣列排列於基板11〇上。由圖丨可知， 每一個晝素150與對應之掃描線120及資料線13()電性連 接’而共用線圖案140分佈於每一個晝素15〇的下方。此 外，每一個晝素150包括多個主動元件152以及多個晝素 電極154。每一個晝素電極154分別透過不同的主動&件 152與對應之掃描線120以及資料線13〇電性連接，且每 一個晝素電極154與不同的共用線圖案14〇之間的電容轉 合效應不同。值得注意的是，當每一個晝素電極154與不 同的共用線圖案140之間的電容搞合效應不同時，同一書 素150中的畫素電極154間的異常短路現象便可在陣列^J 试階段被檢出’洋細之機制將搭配圖3進行說明。 在本實施例中，基板110例如是玻璃基板、塑膠基板， 或是其他硬質基板(rigid substrate)或軟質基板印如此 substrate)。一般而言，掃描線120的延伸方向例如是與資
11 200811567 auuou /048 21713twf.doc/g 料線130的延伸方向垂直，當然，隨著晝素15〇的形狀與 排列方式不同，如條狀排列(strip arrangement)、三角形排 歹J (delta arrangement)、蜂巢狀排列作⑽巧⑺^ arrangement) 等，本發明可採用不同型態之掃描線12〇與資料線13〇。 在本發明中，共用線圖案14〇、主動元件152以及畫 素電極154的數1可以是2或2個以上。在下述之實施例 中，主要是以2個共用線圖案14〇、2個主動元件152以及 2個晝素電極154為例子進行說明，然其並非用以限定本 發明。 如圖1所示，本實施例之共用線圖案140包括一第一 共用線圖t 142以及-第二共用線圖案144，且第一共用 線圖案142與第二共用線圖案144皆分佈於每一個晝素 150下方。詳言之，由於主動元件陣列基才反⑽上之第二 共用線圖案142與第二共用線圖案144是彼此獨立之線路 圖案(trace pattern)，故本發明能夠將第一共用線圖案 與第二共用線圖案144分_接至不同的電壓位準， ^動元件㈣基板10。上之晝素15G進行測試。此外 ”主動元件152包括_第—薄膜τι __ 電性連接之第一晝素電極心及一與 電性連接之第二晝*電極ρ2。此外，本實施例： 極154 (即第-晝素電極^與第二晝素電極打） σ 有鑛齒狀(tooth_like)邊緣，如圖j所示。 為了改善前述之色偏問題，本實施例將第一薄膜電晶 12 200811567 —w〇48 21713twfd〇c/g 體T1與第二薄膜電晶體T2之通道寬/長比值分別設計為 Wi/Li以及WVL2，並使第一薄膜電晶體T1與第二薄膜電 • 晶體T2之通道寬/長比值有所差異（即令Wl/Ll # W2/L2)。 在一較佳實施例中，為了使第一薄膜電晶體T1與第二薄 ’ 膜電晶體T2之通道寬/長比值有足夠之差異，吾人通常會 使第一薄膜電晶體T1與第二薄膜電晶體T2之通道寬/長比 值滿足之條件。 在本實施例中，各個畫素150可進一步包括多個配置 於共用線圖案140與晝素電極154之間的電容電極1 %， 其中電谷電極156與對應之晝素電極154電性連接，且書 素電極154透過電容電極156與共用線圖案140輕合而形 成多個儲存電容器。由圖1可知，電容電極156與共用線 圖案140所構成之儲存電容器為金屬 '絕緣_金屬 (Metal-Insulator-Metd，MIM)之架構。然而。值得注意的 是，本發明之晝素150中的儲存電容器亦可採用金屬-絕緣 -銦錫氧化物(Metal-Insulator-ITO，MII)之架構；換古之， 本實施例中所揭露之電容電極156為選擇性構件(〇pti〇nal element) 〇 本實施例中，各個晝素150亦可進一步包括一電容搞 合線158 ’其中電谷|馬合線158與第一畫素電極pi電性連 接’且位於第一畫素電極P2下方。由圖1可知，由於電 容耦合線158與第一晝素電極P1電性連接，且電容耦合 線158的電壓與第二晝素電極P2的電壓不同，因此電容 搞合線158可透過電容搞合效應而影響第二晝素電極
13 200811567 八 υυου /048 21713twf.doc/g 的電麼。詳言之，在第-薄膜電晶體T1 體T2開啟的期間’第二畫素電極p2的電壓^時受= :薄膜電緒T2與電雜合線158的影響，而在在第一 薄膜電晶體τι與第二薄臈電晶體T2關閉的期間，第二苎 素電極Ρ2的電壓仍會受到電容輕合線158的影塑。有關 於電„ 158與第二晝素電極ρ2之間的心 ^專利申職941咖之内容所述，其喊併入本案參 考0 圖2Α與圖2Β是共用雷厭^ 疋，、用電堡與晝素電極之電墨的示意 圖二般而吕，在陣列測試過程中，陣列測試機台可送出 脈衝見度(pulse W1dth)比實際面板操作長數倍以上的問極 脈衝(ga'_e)，以確保大部分的瑕絲夠被檢出。在此
If況下單畫素内之兩畫素電極的充電結果將會更為相 似，因此兩晝素電極之間的異常短路在陣列測試(繼y _ 的過程中通常無法被檢出。然而，湘具有贼的薄膜電 曰曰體陣列基板所製造出的液晶顯示面板便會出現許多的亮 點瑕疵(bright dot defect)，此現象將造成製造上的困擾與成 本上的增加，同時所製造出之液晶顯示面板的等級(grade) 亦會下降。請參照圖2A與圖2B，由於現有的陣列測試機 口不易判斷出微小的電壓差異’因此本發明控制麵接至共 用線圖案的電壓位準來改變晝素電極的電壓。當耦接至共 用線圖案的電壓位準維持在同一電壓位準時，晝素電極的 電壓不會受到共用線圖案的影響而改變（如圖2a所示）。 反之，當耦接至共用線圖案的電壓位準往上偏移(swing up) 14 200811567 Αυυου/048 21713twf.doc/g 回“堅位準時’晝素電極的電壓會受到共用線圖案的 影響而上升（如圖2B所示）。由圖2B可知，晝素電極的 電壓會隨著共用線圖案的電壓改變而上升或是下降。 圖3A是依照本發明一實施例之單一晝素的電路圖， 而圖3B是依照本發明一實施例之單一晝素的上視圖。請 同時參照圖3A與圖3B，本實施例之電容電極156包括至 少-，-電容電極E1以及至少—第二電容電極m。其 中’第-電容電極E1位於第一共用線圖案142與第一晝 素電極pi之間’並藉由接㈣CH1與第 ― 電性連接。第二電容電極F2仂於筮_朴m 电合电牲b2位於弟一共用線圖案144盥 第-晝素電極P1之間，並藉由翻t CH2 雷 極P1電性連接。此外，第一雷 = ==电 弟電合電極E1與第一共用線圖 案2所構成之儲存電容器的電容值為C1，而第二電容帝 第二共用線圖案144所構成之儲存電容器的電i 值為C2，且C2 > Cl 〇 ㈣二晝素電極P2與第二共用線圖案144所 電容值為C3。此外，本實施例之電容 ^ . ρ ν包*括_—位於第一共用線圖案142與第二 :箆:查去2間的第三電容電極Ε3,此第三電容電極扔 ^晝素電極Ρ2是藉由_ gf 電容電極E3與第一 j£用娩闽也， 示— C4 X C； >'c3 142 盘第中Ϊ晝素在進行測試時，第—畫素電極 、旦、亟之電壓的不意圖。請參照圖3Β與圖4，為 15 200811567 21713twf.doc/g /\uu〇w/048 了增加第一晝素電極pi與第二畫素電極P2的電壓差異， 本發明將各個共用線圖案分別提供不同的電壓位準或波 型，以增加各個畫素電極之間的電壓差（如圖4所繪示）。 具體而言，本實施例可先透過掃描線傳送一閘極脈衝，以 開啟第一薄膜電晶體T1與第二薄膜電晶體T2，並對第一 晝素電極P1與第二畫素電極P2進行充電。在第一晝素電 極P1與第二畫素電極P2進行充電充電完成後，第一薄膜 電晶體丁1與第二薄膜電晶體T2便隨即關閉，此時，本實 施例可控制耦接至第一共用線圖案142的電壓往上偏移 (swing up)至一第一電壓，並控制耦接至第二共用線圖案 144的電壓往下偏移(swing d〇wn)至一低於前述第一電壓 之第二電壓。在將共用線圖案分別耦接至不同的電壓位準 (第-電壓與第二電壓）之後，量測各個晝素電極之間的 電壓差’並根據所制的賴差_各做 晝素電極之間是否有異常短路的現象。 、、έ、、象的 在本實施例中，第-共用線圖案142是_至 電壓，而第二共用線圖案144則是_至—低 之第二電壓。其中，第一電壓例如是顯示面板正常操二 =用之共用電壓，而第二電壓収低於共 / -電壓高於共用電㈣n壓電壓，當第 用電壓。 於、等於或低於共 圖3Β與圖4是以2個共用線圖 個晝素電極m、P2)為例子進行日s 、144)、兩 订，，然本發明並不侷 16 200811567 ,rvvjvuv//048 21713twf.doc/g 限單一晝素中共用線圖案與晝素電極的數量。舉例來說， 共用線圖案與畫素電極的數量亦可以為3個，在此情、兄 下，共用線圖案例如是分別耦接至一第一電壓、一低於第 一電壓之第二電壓與一低於第二電壓之第三電壓。在本發 明之一實施例中，第一電壓例如為共用電壓。在本發明^ 另一實施例中，第一電壓可低於或是高於共用電壓。X當第 一電壓高於共用電壓時，第二電壓可高於、等於或低於共 用電壓，而第三電壓可高於、等於或低於共用電壓。 圖5是依照本發明一實施例之液晶顯示器的示意圖。 請參照圖5，本實施例之液晶顯示器2〇〇包括前述之主動 元件陣列基板100、一對向基板21〇 (例如是彩色濾光基 板）、一液晶層220以及一控制電路板23〇。其中，對向 基板210配置於主動元件陣列基板1〇〇上方，液晶層22〇 配置於主動元件陣列基板1〇〇與對向基板21〇之間，而控 制電路板230顺主動元件陣列基才反1〇〇 α及對向基板 220電性連接。值得注意的是，主動元件陣列基板1㈨上 ，此獨立之共用線圖案14〇 (如第一共用現線圖案142與 第一共用線圖案144)是透過控制電路板23〇而彼此導通， 並輕接至共用電蜃。 由於本發明採用多個彼此獨立之共用線圖案，因此本 發明之主動元件陣列基板與液晶顯示器中的瑕疵可以有效 地在主動元件陣列基板製造完成時被檢測出 ，進而改善製 成良率、減低製程成本，並提升液晶顯示面板的等級。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以
17 200811567 /\υυου/048 21713twf.doc/g 限定本發明’任何熟習此技藝者，在不麟本發明之精神 =範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之:護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1是依照本發明一實施例之主動元件陣列基板的上 視圖。 圖2A與圖2B是共用電壓與晝素電極之電壓的示意 圖。 圖3A是依照本發明一實施例之單一晝素的電路圖。 圖3B是依照本發明一實施例之單一晝素的上視圖。 圖4是圖3B中之畫素在進行測試時，第一畫素電極 與第二晝素電極之電壓的示意圖。 圖5是依照本發明一實施例之液晶顯示器的示意圖。 【主要元件符號說明】 100 主動元件陣列基板 110 基板 120 掃描線 130 資料線 140 共用線圖案 142 第一共用線圖案 144 第—共用線圖案 150 晝素 152 主動元件 154 晝素電極 18 200811567 nuuuw / 048 21713twf.doc/g 156 :電容電極 158 :電容耦合線 El :第一電容電極 E2 :第二電容電極 E3 :第三電容電極 P1 :第一畫素電極 P2 :第二畫素電極 T1 :第一薄膜電晶體 T2 :第二薄膜電晶體 200 :液晶顯示器 210 :對向基板 220 :液晶層 230 :控制電路板 19

Claims (1)

  1. 200811567 ,048 21713twf.doc/g 十、申請專利範圍： 種主動元件陣列基板，包括： 一基板； 多條掃描線、多條資料線與多個彼此獨立之乒用線圖 案，配置於該基板上； 、” 夕個畫素’陣列排列於該基板上，其中每一晝素盥對 線及資料線電性連接，而該些共用線圖案分佈於 ；旦素下方，且每一晝素包括： 多個主動元件；以及 夕個晝素電極，每一晝素電極分別透過不同的主 金70件與對應之掃描線及資料線電性連接，其中每一 ^素電極與各個制線圖案之間的電容_合效應不 I 口j 〇 弟一共用線圖案；以及 其中板， 電晶體，而該些書素電丄賴電曰曰體以及-第二薄膜 :=素2電極以及-與該第二薄膜電晶體電性連接 士申明專利乾圍第3項所述之主動元件陣列基板， 20 200811567 v-vuuuu/048 21713twf.doc/g 其中该第一薄膜電晶體之通道寬/長比值為W〗/]^，而該第 一薄膜電晶體之通道寬/長比值為W2/L2，且w!/]^关 W2/L2 〇 5·如申請專利範圍第4項所述之主動元件陣列基板， 其中。 —6·如申請專利範圍第3項所述之主動元件陣列基板， f畫素更包括多個電容電極，配置於該些共用線圖案與 該些畫素電極之間，其巾該些f容電極與對應之晝素電極 電性連接，且触晝素電極透過該些電容電極與該些共用 線圖案耦合而形成多個儲存電容器。 7·如中請專·圍第6項所^主動元件 其中該些電容電極包括·· 一第一電谷電極，位於該第一共用線圖案盥該第一書 素電極之間，並與該第一晝素電極電性連接；；:及旦 她H電極:位於該第二共用線圖案與該第-晝 f S良、该第一晝素電極電性連接中該第-電谷電極與該第一共用绫囝垒弟 值為+、圖案所構成之儲存電容11的電容 值馬C1，而该弟二電容電極 儲存電容器的電容值用線圖案所構成之 8.如中請專利範圍第 其中該第三晝素f極與魅動70件陣列基板’ 容器的電容值為C3。―、相細構成之儲存電 9·如申請專利範圍第 其中該些電容電極更包主動元件陣列基板， 第一電谷電極，位於該第一共 21 200811567 /\u uou / 048 21713twf.doc/g 用線圖案與该第—晝素電極之間，並與該第二畫素電極電 性連接，而該第三電容電極與該第—共祕圖案所構成之 儲存電容器的電容值為〇4，且C4>C3。 10.如^申請專利範圍第6項所述之主動元件陣列基 其中每-晝素更包括—電容輕合線，其中該電容耗合 線與該第-晝素電極紐連接，且位於該第二晝素電極下 方。 U·如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基 反’其中該些畫素電極具有麵狀邊緣。 12·—種測试方法，適於測試申請專利範圍第1項之主 動7^陣列基板，該職方法包括下列步驟： 提供不同的電壓位準或波型至各個共用線圖案，以增 σ母晝素中各個畫素電極之間的電壓差；以及 根據該電壓差產生一短路判斷。 13·如申請專利範圍第12項所述之測試方法，當該些 二用線圖案的數量為2個時，該些共用線圖案分職接^ 第一電壓與一低於該第一電壓之第二電壓。 〜Μ·如申請專利範圍第13項所述之測試方法，其中該 弟一電壓為一共用電壓。 如/請專利範圍第13項所述之測試方法，其中該 電壓南於-共用電壓，而該第二電壓高於、等於 於該共用電壓。 /一 16·如申請專利範圍第15項所述之測試方法，其中該 用電壓約介於_5(^與5〇¥之間。 ” 22 200811567 21713twf.doc/g =口申請專利範圍第13項所述之測試 ^電壓以及該第二電壓之電壓差約介於〇v與刚= 3厂如申請專利範圍第13項所述之測試方法， 弟一電壓低於一共用電壓。 一〒Μ 19.如申請專利範财12項所述之職方法，&玄此 二數量為3個時，該些共用線圖案分別:接; 二=二_第，之第，與-低於該第 ’其中該 —20.如申請專利範圍第19項所述之測試方法 第一電壓為一共用電壓。 21·如申請專利範圍第2〇項所述之測試方法，1 共用電壓約介於-50V與50V之間。 μ 22·如申請專利範圍第19項所述之測試方法，其中誃 第一電壓低於一共用電壓。 々23.如申請專利範圍第19項所述之測試方法，其中該 第-電壓高於-共用電壓，該第二電壓高於、等於或低二 該共用電壓’而該第三電壓高於、等於或低於該共用電壓。 ★ 24.如申％專利範圍第19項所述之測試方法，其中該 第一電壓以及該第二電壓之電壓差約介於〇ν與l〇〇v之 間。 二25·如申請專利範圍第12項所述之測試方法，更包括 對該些畫素電極完成充電，其中提供不同的電壓位準至各 個用線圖案的步驟是在對該些畫素電極完成充電之後進 23 200811567 /048 21713twf.doc/g 行。 26· —種液晶顯示器，包括： 範圍第i項之主動元件陣列基板； 二：=板’配置於該主動元件陣列基板上方； 之間rt配置於該主動元件陣列基板與該對向基板 板電'二路基板以及該對向基 通，並輕接至共用電f用線圖案疋透過該控制電路板導 如申請專魏圍第26項所狀 該些共用線圖案包括： 只丁°。其中 一第一共用線圖案；以及 共_^:=晝=第-共用線圖案與該第二 28.如申請專利範圍第27項所述之液晶顯示器， 社主動X件包括-第—薄臈電晶體以及—第 二曰 體，而該些畫素電極包括一與該第 曰曰 之第一晝素電極以及-盘該第1㈣曰、^體電性連接 二晝素電極。 …㈣―相電晶體電性連接之第 29:如中請專利範圍帛28項所述之液晶_示器， 該第-薄膜電晶體之通道寬/長比值為WLi，而^ ^ 膜電晶體之通道寬/長比值為WL2，且w ^ 一薄 30.如申請專利範圍第29項所述之液 2 2。 (W1/Li)/(W2/L2)^2〇 貝下时’其中 24 200811567 ^vuu〇u/048 21713twf.doc/g 31. 如申請專利範㈣28項所述之液晶顯示器 晝素更包括乡個電容電極，配置於該些制 ίΓ;二;Γ些電容電極與對應之晝素電極^ 連接且孩二旦素電極透過該些電容電極與該些丑 案搞合而形成多個儲存電容器。 一/、、、、裏圖 32. 如申請翻範圍第31項所述之液 該些電容電極包括： °°其中 -第-電容電極’位於該第—制線圖 素電極，間，並與該第—晝素電極電性連接；=弟—晝 -第二電容電極’位於該第二共用線 素電極之間，並與該第-4素電極連接，晝 =電極與該第-共用線圖案所構成之儲存電容器 值為C1’而該第二電容電極與該第二共用線圖 ^ 儲存電容器的電容值為C2，且C2>C1。 一籌成之 33. 如申請專利範圍第32項所述之液晶顯_ 2二畫素電極與該第二共用線圖案所構成存容= 的電容值為C3。 电合态 34. 如中請專利範圍第33項所述之液晶顯· =些電容電極更包括-第三電容電極，位於該第:此用^ ΐ案與該^晝素電極之間，並與該第二晝素電極電性連 妾，而该第二電容電極與該第一共用線圖案 電容器的電容值為C4，且C4>C3。 、成之儲存 35·如申請專利範圍第31項所述之 每-晝素更包括-電容輛合線，其中該“= 25 200811567 rvuwuu/u48 21713twf.doc/g 一晝素電極電性連接，且位於該第二晝素電極下方。 36. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示器，其中 該些晝素電極具有鋸齒狀邊緣。 37. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示器，其中 該對向基板包括一彩色濾光基板。 26
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