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TWI287685B - Liquid crystal display, active matrix substrate and test method therefor - Google Patents

Liquid crystal display, active matrix substrate and test method therefor Download PDF

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TWI287685B
TWI287685B TW095132144A TW95132144A TWI287685B TW I287685 B TWI287685 B TW I287685B TW 095132144 A TW095132144 A TW 095132144A TW 95132144 A TW95132144 A TW 95132144A TW I287685 B TWI287685 B TW I287685B
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TW
Taiwan
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voltage
electrode
common line
common
capacitor
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Application number
TW095132144A
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English (en)
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TW200811567A (en
Inventor
Wei-Kai Huang
Ying-Tsang Liu
Chen-Shun Tsai
Jeng-Shin Chen
Yu-Chieh Lin
Original Assignee
Au Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to US11/556,193 priority patent/US8159625B2/en
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Publication of TW200811567A publication Critical patent/TW200811567A/zh
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Description

1287685 AU0607048 21713twf.doc/g 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種檢測方法，且特別是有關於一種 能夠有效地檢測出單一晝素内部，多個晝素電極間之短路 瑕疵(short defects)的檢測方法。 【先前技術】 目前市場對於薄膜電晶體液晶顯示器（itt-lcd)皆朝 向高對比（contrast ratio)、無灰階反轉（gray scale inversion)、高亮度（brightness)、高色飽和度（color saturation)、快速反應(response)以及廣視角（viewing angie) 專方向發展。目兩常見的廣視角技術包括：扭轉向列型液 晶(TN)加上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換式 (In-Plane Switching，IPS)液晶顯示器、邊際場切換式(Fringe Field Switching，FFS)液晶顯示器與多域垂直配向式 (Multi-domain Vertical Alignment，MVA)液晶顯示器。以 多域垂直配向式液晶顯示面板為例，其可藉由一些配向圖 案（alignment patterning)，如配向凸起物（alignment protrusion)或狹縫(slit)，以使得每一晝素中的液晶分子呈多 方向排列，進而得到數個不同之配向領域(domain)。對於 習知之多域垂直配向式液晶顯示面板而言，由於形成於彩 色濾光基板或薄膜電晶體陣列基板上的配向凸起物 (alignment protrusions)或狹縫(slits)可以使得液晶分子呈多 方向排列，而得到數個不同之配向領域(domains)，因此多 域垂直配向式液晶顯示面板能夠達成廣視角的要求。然 6 1287685 AU0607048 21713twf.doc/g 二像時，使用者所看到的影像色 又日有所不同，此即所謂的色偏（color Shift)。 種不同為電了將單-畫素區分為兩 二晝素中使用兩個彼此電性絕緣之 =個彼此電性絕緣之晝素電極具有 =動 ==陣列基板的製程中，單-晝素内的兩個:辛 【發明内容】 〃币 本叙月的又一目的是提供—種 ^ 高的製造良率(yieldrate)。 财曰曰'，、、員不益，其具有較
列J達ΐίίί其他目的’本發明提出一種主動元件陣 彼ί獨立！基板、多條婦描線、多條資料線、多個 ==Γ以及多個晝素。掃描線、資料線與 义:：配置於基板上，而晝素陣列排列於基板上，I 動牛』應之掃描線及資料線電性連接，其中每一畫素 I2876857048 21713_c/g 電極與各個共用線圖案之間的電容耦合效應不同。 在本發明之一實施例中，上述之共用線圖案包括一第 -共，線圖案以及m線圖案，其中第—共用線圖 案與第二共用線圖案分佈於每一晝素電極下方。 ★“在本發明之一實施例中，上述之主動元件包括一第一 ^膜電晶體以及-第二薄膜電晶體，而晝素電極包括一與 第薄膜電曰曰體電性連接之第一晝素電極以及一與第二薄 膜電晶體電性連接之第二晝素電極。 ^本發明之_實施例中，上述之第—薄膜電晶體之通 ϋ AT比值為而第二薄膜電晶體之通道寬/長比值 Wl/L4 1几2。在本發明之一較佳實施例中， (W1/L1)/(W2/l2)^2 〇 在本發明之一實施例中，上述之 ;置:共用線圖案與晝素電極之間的電容; 極與共用線圖=人==接，且晝素電極透過電容電 口茶耦合而形成多個儲存電容器。 發明之一實施例中，上 電容電極以及—第二 奋電極包括一弟〜 用線圖案與第—晝素電極=。=電容電極位於第-共 接。第二電容办π# 9並兵第一晝素電極電性建 間，並與線圖案與第-晝素電極ί 第-共用線_所:二，°此外’第—電容電極與 二電容電極Ξ:所儲存電容器的電容值為。，而第 卿，且線圖案所構成之儲存電容器的電； 1287685 AU0607048 21713twf.doc/g 在本發明之一實施例中，上述之第二查 共用線®案所構成之儲存電容器的電容 ^亟與第二 /本發明之-實施例中，上述之·電極更 於共用線圖案與第二晝素電極之間的第三電位 此第三電容電極與第二畫素電極電性 =亟’ ，第-共用線圖案所構成之儲存電容器以 C4，且C4 > C3。 电奋值為 在本發明之-實施例中，上述之各個晝素 容輕合線，其中電容耦合線與第—晝素電極電^ 位於第二晝素電極下方。 妾，且 邊緣在本發日狀-實_巾’ ±叙晝錢極具有鑛齒狀 為達上述或是其他目的，本發明提出—種涓4試方 其適於測試前述之絲元件_基板。此職方法包括； 列步驟：提供不同的電壓位準或波型至各個制線圖案， 以增加每一晝素中各個晝素電極之間的電壓差；以栌 電壓差產生一短路判斷。 乂 在本發明之一實施例中，當共用線圖案的數量為2個 時，共用線圖案分別耦接至一第一電壓與一低於第一電厣 之第二電壓。在本發明之一實施例中，第一電壓例如為共 用，壓。在本發明之另一實施例中，第一電壓可高於共用 電壓，而第二電壓可高於、等於或低於共用電壓。在^發 明之又一貫施例中，第一電壓例如低於共用電壓。 在本發明之一實施例中，當共用線圖案的數量為3個 9 1287685 AU0607048 21713twf.doc/g 時，共用線圖案分別祕至-第_電壓、__低” _ 之第二電壓與-低於第二電壓之第三電壓。在本發明之一 實施例中，第-電壓例如為共用電壓。在本發明之另一廉 施例中，第—電壓可高於共用電壓，第二電壓可高於、ί 於或低於制f壓，而第三電壓可高於、等於或低於丘用 電壓。在本發明之又-實施例中，第_電壓例如低於共用 電壓。 在本發明之-實施例中，共用電壓例如是介於撕盛 5評之間。此外，第-電壓以及第二電壓之電 是 介於0V與100V之間。 疋 在本發明之-實施例中’測試方法可進一步包括 個晝素電極完成充電，其巾提供不_電壓位準至各個共 用線圖案的步驟是在對各個晝錢極完成充電之後進行了 ⑽為達上述或是其他目的，本發明提出—種液晶顯示 器，其包括前述之线元件陣列基板、—對向基板、一液 晶層以及-控制電路板。對向基板配置於主動元件陣列基 板上方，液晶層配置於主動元件陣列基板與對向基板之 間、’而控制電路板職絲元件陣板以及對向基板電 1"連接且彼此獨立之共用線圖案是透過控制電路板導 通’並耗接至共用電壓。 在本發明之-實施例巾，上述之對向基板是—彩色 光基板。 &由於本發明採用多個彼此獨立之共用線圖案，因此本 毛月之主動元件陣列基板與液晶顯示器中的瑕疯可以有效 10 1287685 AU0607048 217】3twf.d0c/g 地在主動元件陣列基板製造完成時被檢測出。 易懂:、下2；^二之和其他目的、特徵和優點能更明顯 ^下 佳貫施例，並配合所附圖式，作詳細說 【實施方式】 圖1是依照本發明一實施例之主動元 視圖。請麵圖卜本實_之主動辩舰板的上 广線120、多條資料線130、多個彼 線，資料線13〇與共用線圖案 ；= 上，而晝素150則是陣列排列於基板uo上=== 每一個畫素150盥對庫之播粑綠17n s、 圖 了知， 桩，而丘田姑囬二線及資料線130電性連 =用線圖案140分佈於每一個晝素15〇的 外，母-個晝素⑼包括多個主動元件 電極154。每一個蚩去啻托1C/1、， 从汉夕個旦素 …盘斟庙料透過不同的主動元件 一袖圭^ 120以及資料線130電性連接，且每 :個：素電極154與不同的共用線圖案140之間的電容•馬 同ί得注意的是’當每一個晝素電極154與不 同的』線圖案140之間的電容輕合效應不同時，同—書 素，極154間的異常短路現象便可在陣列測 π白又被t出，詳細之機制將搭配圖3進行說明。 々曰f本貝知例中’基板110例如是玻璃基板、塑膠基板， S疋八他硬質基板(rigid 或軟質基板啦脇 SU strate)。一般而言，掃描線12〇的延伸方向例如是與資 Ι287·7048 21713twf.doc/g 料線130的延伸方向垂直，當然，隨著晝素15〇的形狀與 排列方式不同’如條狀排列(strip arrangement)、三角形排 列（delta arrangement)、蜂巢狀排列(h〇neyC〇mb arrangement) 等，本發明可採用不同型態之掃描線120與資料線13〇。 在本發明中，共用線圖案140、主動元件152以及畫 素電極154的數量可以是2或2個以上。在下述之實施例 中，主要是以2個共用線圖案14〇、2個主動元件152以及
2個晝素電極154為例子進行說明，然其並非用以限定本 發明。 如圖1所示，本貫施例之共用線圖案14〇包括一第一 共用線圖案142以及一第二共用線圖案144，且第 線圖案142、與第二共用線圖案144冑分佈於每一個^ 150下方。詳言之，由於主動元件陣列基板⑽上二 =圖案142與第二共用線圖請是彼此獨立之:路 圖案(trace pattern) ’故本發明能夠將第—址
與第二共祕目案144分接至 位/ 2 ;動刪基請上之晝素15。^^^ 貝施例之主動元件152包括一第一薄膜卜本 第二薄膜電晶體Τ2’而晝素電極154包括二 晶體ΊΊ f性連接之第一晝素電以 了 # 一厚膜電 晶體Τ2電性連接之第二晝素電極ρ2。此薄膜電 晝素電極154 (即第-晝素電極p ’貝^列之 可具有織狀⑼‘like)邊緣，如圖1 ^旦素_ P2) 為了改善前述之色偏問題，本實施^第-薄膜電曰曰曰 12 21713twf.doc/g 12876扣 aU〇6〇7〇48 體Tl與第二薄膜電晶體T2之通道寬/長比值分別設計為 以及WVL·2，並使第一薄膜電晶體Ή與第二薄膜電 曰曰體T2之通道寬/長比值有所差異（即令Wi/Li # 在。車父佳實施例中，為了使第一薄膜電晶體T1與第二薄 膜，晶體T2之通道寬/長比值有足夠之差異，吾父通;會 使第一薄膜電晶體τ 1與第二薄膜電晶體T2之通道 值滿足(WVLO / (W2/L2)^2之條件。 、、 在本實施例中，各個晝素150可進一步包括多個配置 於共用線圖案H0與晝素電極154之間的電容電極156, 其中電容電極156與對應之畫素電極154電性連接，且畫 素電極154透過電容電極156與共用線圖案14〇麵合而ς 成多個儲存電容器。由® 1可知，電容電極156與丘用 圖案140所構成之儲存電容器為金屬-絕緣^金屬 (Metal-Insulator-Meta卜ΜΙΜ)之架構。然而。值得注音的 是，本發明之晝素⑼巾的儲存電容器亦可_金屬:緣 -銦錫氧化物(Metal-Insulator-ITO，MII)之架構· 丄 本實施例中所揭露之電容電極156為選^構=== element) 〇 本實施例中，各個晝素15〇亦可進一步包括一電容耦 合線158,其中電容耗合線158與第—晝素電極^電性連 接，且位於第二晝素電極P2下方。由圖1可知，由於電 容耦合線158與第一晝素電極P1電性連接，且電容耦合 線158的電壓與第二晝素電極p2的電壓不同，因此電容 耦合線158可透過電容麵合效應而影響第二查 13 I2876857048 21713twf.doc/g 的電壓。詳言之，在第一薄膜電晶體T1舆第二薄膜電晶 體T2開啟的期間，第二晝素電極p2的電壓會同時受到第 二薄膜電晶體T2與電容_合線158的影響，而在在第一 薄膜電晶體T1與弟一薄膜電晶體T2關閉的期間，第二圭 素電極P2的電壓仍會受到電容耦合線158的影響。有& 於電容耦合線158與第二晝素電極p2之間的關係如中華 民國專利申請號94116051之内容所述，其内容併入本 考。 …
圃興圖 ^疋，、用電壓與畫素電極之電壓的示意 圖。一般而§，在陣列測試過程中，陣列測試機台可送出 脈衝寬度(pulse width)比實㈣板操作長數倍以上的閑極 脈馳扯广㈣，以確保大部分的瑕缝夠被檢出。在此 凊況下’單一晝素内之兩晝素電極的充電結果將會更為相 晝Λ電極之間的異常短路在陣列測試㈣二 晶二檢出、。•而，利用具有瑕賴臈電
點瑕rvh \ 岐日日日顯*面板便會&現許多的亮 本上^Hot±defect)，此現象將造成製造上的困擾與成 亦會下ΐ :請‘ f造出之液晶顯示面板的等級(grade) 台不易判斷二了二A與圖2B ’由於現有的陣列測試機 用線圖宰it?壓差異，因此本發明控制健至共 用線圖===素，刚。當輕接至共 雷m I ， 準、、隹持在同電墨位準時，書素電極的 ，不會文到共用線圖案的影響而改變(如S2—A:、 反之，當耦接至i田始以又文C如圖2Α所不）。 /、用線_的電壓鱗往 14 1287嘯 607048 21713twf.doc/g j乡呵電壓位準時，晝素電極的電壓會受到共用線圖案的 衫，而上升（如圖2Β所示）。由圖2Β可知，晝素電極的 電壓會隨著共用線圖案的電壓改變而上升或是下降。 圖3Α是依照本發明一實施例之單一晝素的電路圖， 而，3Β疋依照本發明一實施例之單一晝素的上視圖。請 ，日守，照圖3Α與圖；3Β，本實施例之電容電極156包括至 二f-電容電極Ε1以及至少一第二電容電極Ε2。其 二第一電容電極Ε1位於第一共用線圖案142與第一晝 雷^極P1之間，並藉由接觸窗CH1與第—晝素電極P1 第一，接。第二電容電極E2位於第二共用線圖案144與 搞ρΓ*素電極P1之間，並藉由接觸W CH2與第—畫素電 案⑷所構成之計— 電極E1與弟一共用線圖 哺成之儲存電容器的電容值為^，而第二 144 ^ 電極150可進一牛勺紅”、、 此外，本只施例之電容 晝素電極Ρ 2之^f 第—共用線圖案142與第二 與第二晝素電極以此第三電容電㈣ 電容電極E3與第接觸窗CH3紐連接，而第三 的電容值為C4，且ci>C3圖案142所構成之儲存電容器 圖4是圖3B中之查去+、公>、、 與第二晝素電極 :、仃測新’第-晝素電極 冤反的不意圖。請參照圖3B與圖4，為 607048 21713twf.doc/g 了增加第—畫素電極P1與第二畫素電極P2的電壓差異， 本發明將各個共用線圖案分別提供不同的電壓位準 型，以增加各個晝素電極之間的電壓差（如圖4所繪示 具體而言，本實施例可先透過掃描線傳送一閘極脈衝，以 開啟第-薄膜電晶體T1與第二薄膜電晶體T2，並 — 晝素電極Ρ1與第二晝素電極！>2進行充電。在第—命 極Ρ1與第二晝素電極！>2進行充電充電完成後，第— 電晶體τ 1與第二薄膜電晶體Τ2便隨即關閉，此時，本每 施例可控她接至第—共用線圖案142的電屢往上二 _至一第一電堡.，並控制轉接至第二共用線圖: 外的電恩往下偏移（swing d〇wn)至一低於前述第承 之，一電壓。在將共用線圖案分別麵接至不同的電墨 電歷與第二電幻之後，量測各個晝素電極之間的 2壓差，並根#所量_ 差_各個彼此電性絕緣 旦素電極之間是否有異常短路的現象。 在本實施例中，第一共用線圖案142是耦接至一第一 電麗，而第二共用線圖案144則是輕接至一低於第一㈣ 2二電愿。其中，第一 例如是顯示面板正常操作時 所使用之共用電壓，而第二電壓則是低於共用電塵。當缺， 本發明，可使用低於或是高於共用電屋之第一電廢，當第 一電屢高於共用電麗時，第二電壓可高於 此 用電壓。 _、一 圖3B與圖4是以2個共用線圖案（142、144)、兩 個晝素電極⑺、P2)為例子進行說明，然本發明並不侷 16 12876鯰。7。, 21713twf.doc/g 限單一畫素中共用線圖案與晝素電極的數量。舉例來說， 共用線圖案與晝素電極的數量亦可以為3個，在此情況 下，共用線圖案例如是分別耦接至一第一電壓、一低於第 一電壓之第二電壓與一低於第二電壓之第三電壓。在本發 明之一實施例中，第一電壓例如為共用電壓。在本發明^ 另一實施例中，第一電壓可低於或是高於共用電壓。當第 一電壓高於共用電壓時，第二電壓可高於、等於或低於共 用電壓，而第三電壓可高於、等於或低於共用電壓。 圖5是依照本發明一實施例之液晶顯示器的示意圖。 請麥照圖5，本實施例之液晶顯示器2〇〇包括前述之主動 兀件陣列基板1GG、-對向基板21〇 (例如是彩色遽絲 板）、一液晶層220以及一控制電路板23〇。其中，對向 基板210配置於主動元件陣列基板1〇〇上方，液晶層22〇 配置於主動元件陣列基板100與對向基板21〇 之間，而控 制電路板230則與主動元件陣列基板1〇〇以及對向基板 220電性連接。值得注意的是，主動元件陣列基板1〇〇上 彼此獨立之共用線圖案丨4〇 (如第一共用現線圖案142與 第一共用線圖案144)是透過控制電路板230而彼此導通， 並耦接至共用電壓。 由於本發明採用多個彼此獨立之共用線圖案，因此本 發明之主動元件陣列基板與液晶顯示器中的瑕疵可以有效 地在主動元件陣列基板製造完成時被檢測出，進而改善製 成良率、減低製程成本，並提升液晶顯示面板的等級。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 17 12876说_8 21713twf.doc/g a 者不麟本發明之精神 和耗圍内’當可作些許之更動與潤飾’因此本發明: 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 視圖。 圖1是依照本發明一實施例之主動元件陣列基板的上 圖0 圖2A與圖2B是共用電壓與晝素電極之電壓的示意
圖3A是依照本發明一實施例之單—晝素的電路圖。 圖是依照本發明一實施例之單一晝素的上視圖。 »圖4是圖3B中之晝素在進行測試時’第一晝素電極 與第二晝素電極之電壓的示意圖。 圖5是依照本發明一實施例之液晶顯示器的示意圖。 【主要元件符號說明】 ^
100 主動元件陣列基板 110 基板 120 掃插線 130 資料線 140 共用線圖案 142 第一共用線圖案 144 第二共用線圖案 150 晝素 152 主動元件 154 晝素電極 18 12876^^07048 2l7l3twfdoc/g 156 :電容電極 158 :電容耦合線 E1 :第一電容電極 E2 :第二電容電極 E3 :第三電容電極 P1 :第一晝素電極 P2 ··第二晝素電極 T1 :第一薄膜電晶體 • T2 :第二薄膜電晶體 200 ·液晶顯不恭 210 :對向基板 220 :液晶層 230 :控制電路板
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Claims (1)

  1. 衝6綠 607048 21713twf.doc/g 十、申請專利範圍： 1·一種主動元件陣列基板，包括： 一基板， 圖 多條掃描線、多條資料線與多個彼此獨立 案’配置於該基板上； /、用線 多個晝素，陣列排列於該基板上，其中每—書 二t線及資料線電性連接，而該些共用線圖案分佈於 思素下方，且每一晝素包括： 多個主動元件；以及 動-ίΓ晝素電極’每—畫素電極分別透過不同的主 動凡件與對應之掃描線及資料線電性連接，其一 ^素電極與各個共用線圖案之間的電容耦:效 其中項所述之主動元件陣列基板， 鲁 弟一共用線圖案；以及 此用：第二共用線圖案’其中該第一共用線圖幸盥該第-、用線圖案分佈於每—晝素電極下方。亥弟- 其中第:項:述之主動元件陣列基板， 連;=第電極包括:與該第-薄膜電晶體= 之第二晝素^極γ極以及—與㈣二薄膜電晶體電性連接 4.如申請專利_第3項所述之絲元件陣列基板， 20 1287娜( 07048 21713twf.doc/g 其中該第一薄膜電晶體之通道寬/長比值為，而該第 二薄膜電晶體之通道寬/長比值為W2/L2，且Wi/Li彳 W2/L2。 5·如申請專利範圍第4項所述之主動元件陣列基板， 其中。
    —6·如申請專利範圍第3項所述之主動元件陣列基板， 母一晝素更包括多個電容電極，配置於該些共用線圖案與 该些晝素電極之間，其中該些電容電極與對應之畫素電極 電性連接，且該些晝素電極透過該些電容電極與該些共用 線圖案耦合而形成多個儲存電容器。 7·如申請專利範圍第6項所述之主動元件陣列基板， 其中該些電容電極包括： 第一電容電極，位於該第一共用線圖案與該 書 素電極=間，並與該第一晝素電極電性連接;|’二二
    -第二電容電極，位於該第二共用線圖案盡該圭 ^電極之間，並與該第—畫素電極電性 1旦 =電極與該第一共用線圖案所構成之儲存電容 值為Cl，而該第二電容電極與該第二妓 电谷 儲存電容ϋ的電容值為〇，κϋ。、、、_所構成之 8. 如申請專利範圍第7項 其中該第二晝素電極與該第二共驗陣列基板， 容器的電容值為C3。 所構成之儲存電 9. 如申請專利範圍第8項所述之主 其中該些電容電極更包括—第三電 70㈣列基板’ 电各窀極，位於該第一政 21 12876低砸 21713twf.doc/g 用線圖案與該第二晝素電極之間，並與該第二晝素電極電 性連接，而該第三電容電極與該第一共用線圖案所構成之 儲存電容器的電容值為C4，且C4>C3。 10. 如申請專利範圍第6項所述之主動元件陣列基 板，其中每一晝素更包括一電容耦合線，其中該電容耦合 線與該第一晝素電極電性連接，且位於該第二晝素電極下 方。 11. 如申請專利範圍第1項所述之主動元件陣列基 板，其中該些晝素電極具有鑛齒狀邊緣。 12. —種測試方法，適於測試申請專利範圍第1項之主 動元件陣列基板，該測試方法包括下列步驟： 提供不同的電壓位準或波型至各個共用線圖案，以增 加每一晝素中各値晝素電極之間的電壓差；以及 根據該電壓差產生一短路判斷。 13. 如申請專利範圍第12項所述之測試方法，當該些 共用線圖案的數量為2個時’該些共用線圖案分別麵接至 一第一電壓與一低於該第一電壓之第二電壓。 14. 如申請專利範圍第13項所述之測試方法，其中該 第一電壓為一共用電壓。 15. 如申請專利範圍第13項所述之測試方法，其中該 第一電壓高於一共用電壓，而該第二電壓高於、等於或低 於該共用電壓。 16. 如申請專利範圍第15項所述之測試方法，其中該 共用電壓約介於-50V與50V之間。 22 I2876a§5〇7〇48 21713twf.doc/g 17. 如申請專利範圍第13項所述之測試方法，其中該 第一電壓以及該第二電壓之電壓差約介於0V與100V之 18. 如申請專利範圍第13項所述之測試方法，其中該 第一電壓低於一共用電壓。 19. 如申請專利範圍第12項所述之測試方法，當該些 共用線圖案的數量為3個時，該些共用線圖案分別耦接至 一第一電壓、一低於該第一電壓之第二電壓與一低於該第 二電壓之第三電壓。 20. 如申請專利範圍第19項所述之測試方法，其中該 第一電壓為一共用電壓。 21. 如申請專利範圍第20項所述之測試方法，其中該 共用電壓約介於-50V與50V之間。 22. 如申請專利範圍第19項所述之測試方法，其中該 第一電壓低於一共用電壓。 23. 如申請專利範圍第19項所述之測試方法，其中該 第一電壓高於一共用電壓，該第二電壓高於、等於或低於 該共用電壓，而該第三電壓高於、等於或低於該共用電壓。 24. 如申請專利範圍第19項所述之測試方法，其中該 第一電壓以及該第二電壓之電壓差約介於0V與100V之 間。 25. 如申請專利範圍第12項所述之測試方法，更包括 對該些畫素電極完成充電，其中提供不同的電壓位準至各 個共用線圖案的步驟是在對該些晝素電極完成充電之後進 23 21713twf.doc/g 行。 26. —種液晶顯示器，包括： 申請專利範圍第1項之主動元件陣列基板； 一對向基板，配置於該主動元件陣列基板上方； 一液晶層，配置於該主動元件陣列基板與該對向基板 之間；以及 一控制電路板，與該主動元件陣列基板以及該對向基 板電性連接，其中該些共用線圖案是透過該控制電路板導 通，並耦接至共用電壓。 27. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示器，其中 該些共用線圖案包括： 一第一共用線圖案；以及 一第二共用線圖案，其中該第一共用線圖案與該第二 共用線圖案分佈於每一晝素下方。 28. 如申請專利範圍第27項所述之液晶顯示器，其中 該些主動元件包括一第一薄膜電晶體以及一第二薄膜電晶 體，而該些畫素電極包括一與該第一薄膜電晶體電性連接 之第一晝素電極以及一與該第二薄膜電晶體電性連接之第 二晝素電極。 29. 如申請專利範圍第28項所述之液晶顯示器，其中 該第一薄膜電晶體之通道寬/長比值為Wi/Li，而該第二薄 膜電晶體之通道寬/長比值為W2/L2，且 30. 如申請專利範圍第29項所述之液晶顯示器，其中 (W1/L1)/(W2/L2)^2 〇 24 1287術 7〇48 2l7i3twf.doc/g =如申請專利範㈣28項所述之液晶 … 晝素更包括多個雷宏雪托x 曰日.，、、貝不裔’母一 晝素電極之間，其中該些電: =與該些 32.如申請專利範圍第31項所述之液 該些電容電極包括： ，、、、、不。。，其中 -第-電容電極，位於該第―共财 素電極^，並與該第—晝素電極電性連接^^晝 -弟二電容電極，位於該第二制線圖案與該查 雷，之：，並與該第一晝素電極電性?：；： =電極與該第-共用線圖案所構成之儲存電容二L :?==電容電極與該第二共用線圖案;構:： 储存電容斋的電容值為C2，且C2>C1。 ，傅风惑 ▲ 33·如申請專利範圍第32項所述之液晶哭 該第二晝素電極與該第二共用線 、:，八中 的電容值為C3。 ΰ麵構成之儲存電容器 34.如申請專利範圍第33 _述之液晶顯㈣， 遠些電容電極更包括—第三電容電極，位於該 /田 圖案與該第^晝素電極之間，並與該第二晝^電極ς = 接，而該第三電容電極與該第—共所 ^連 電容器的電容值為C4,且C4>C3。_所構成之儲存 —垃如申請專利範圍第31項所述之液晶顯示哭， 母—晝素更包括—電_合線，其中該電雜合^該ί 25 ►07048 21713twf.doc/g 一畫素電極電性連接，且位於該第二晝素電極下方。 36. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示器，其中 該些晝素電極具有鋸齒狀邊緣。 37. 如申請專利範圍第26項所述之液晶顯示器，其中 該對向基板包括一彩色滤光基板。
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