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TW200811215A - Novel polymers - Google Patents

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Publication number
TW200811215A
TW200811215A TW096125638A TW96125638A TW200811215A TW 200811215 A TW200811215 A TW 200811215A TW 096125638 A TW096125638 A TW 096125638A TW 96125638 A TW96125638 A TW 96125638A TW 200811215 A TW200811215 A TW 200811215A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
alkyl
substituted
aryl
alkoxy
Prior art date
Application number
TW096125638A
Other languages
English (en)
Inventor
Thomas Schafer
Peter Murer
Tobias Hintermann
Beat Schmidhalter
Original Assignee
Ciba Specialtyspecialty Chemicals Holding Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ciba Specialtyspecialty Chemicals Holding Inc filed Critical Ciba Specialtyspecialty Chemicals Holding Inc
Publication of TW200811215A publication Critical patent/TW200811215A/zh

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Description

200811215 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域3 本發明係有關於包含化學式(I)之重複單元之新穎聚合 物，及其於電子元件之用途。依據本發明之聚合物具有於 5 有機溶劑中之優異可溶性，及優異之形成膜性質。此外， 若依據本發明之聚合物被用於聚合物發光二極體(PLED)， 發射顏色之高的電荷載體移動性及高溫安定劑可被觀察。 JP05273618揭示作為抗發炎劑之菲并咪唑化合物。 10 W004016086係有關於製備2,4,5-三取代之咪唑，及其作為 抗細菌及/或抗黴菌之藥劑之用途。於其它者，下列化合物
於W004016086中被明確提及： 。 US-B-4,215，135係有關於2-取代之-1H·菲并[9，10-d]·咪 唑，其被作為抗發炎藥劑。與其它者，下列化合物於 15 US-B-4,215，135中被明確提及:
。118 3 635 544係有關於一種光致變成之聚合物基質，其包含下列化合 5 200811215
作為吸光之化合物。JP09188874、 JP09013025 、 JP07026255 、 JP06207169 、 US2004076853 、 W02004043937 、US6713781 、W02004006352 、 W02003058667及W02004006355揭示菲稠合或菲羅琳稠合 5 之吩°秦及其於EL元件之用途。 US2004209117係有關於一種EL元件，其包含化學式
之噁唑化合物，其中，Y係選自0、S，及-N(R)_ 所組成族群之原子或基，其中，R係1至約30個碳之烴基， Z1及Z2每一者係選自氫、1至約25個碳原子之烷基、約6至 10 約30個碳原子之芳基、1至約25個碳原子之烷氧基、鹵素， 及氰基所組成族群之取代基，且Ar係芳香族組份。 JP2004161892、JP2002050473及JP2001023777揭示菲并咪 唑化合物及其於EL元件之用途。 W004/030029係有關於一種光電EL電池，其包含含有 15 端鏈基：
之聚合物。W003/020790係有關於一 200811215 種包含螺旋二芴單元之共軛聚合物。此等聚合物可包含自 下列化合物衍生之重複單元：
N. N
EP0757035A1 係 有
關 於 以通式
表示之菲二胺衍生物，其於 5電荷轉移能力、與結合樹脂之相容性，及安定性係優異， 因此，提供高度敏感且於耐用性係優異之光敏性材料。 US2001008711係有關於一種有機之發光元件，其包含 形成一對電極間之一發光層或數個含有一發光層之有機化 合物薄層，其中，至少一層包含至少一種選自以下列化學 10 式NRuRuRu表示之化合物：其中，Rn、Ru及r13每一者代 表環縮合之多環烴結構之基，其中，三或更多個環被環縮 合；及一種新穎之環縮合之多環烴化合物。 US2004/0028944係有關於有機電致發光元件，其包含 以通式NCAriXAraArs)表示之三芳基胺衍生物，其中，An 15 至Ar3係經取代或未經取代之芳基，且八1^至八1*3之至少一者 係9-菲基。 EP1440959A1係有關於一種如下化學式之新穎的可溶 性化合物 7 200811215
R/ 其中，Ar3代表經 取代或未經取代之蔥二基，或經取代或未經取代之芴二 基，及其於電致發光元件之用途。 WO03/064373係有關於三芳基胺衍生物，及其於有機 5 電致發光及電照相元件中作為運送電洞之材料。 US2004234809係有關於一種有機發光元件，其包含一 陽極、一陰極，及至少一夾置位於陽極及陰極·間之官能性 層，該官能性層包含與噻唑及咪唑之至少一者稠合之菲羅 琳分子。該菲羅琳分子具有下列結構·
其中，X係S，或 NR，且R係Η、烷基，或芳香族基；η係1至10之數值；且 ΑΗ系芳香族基。 W004/005288係有關於電荷運送組成物，其包含具有
15化學式(Rl)x N N (Rl)x之菲羅啉衍生物，其中：仏及112 於每一發生係相同或相異，且係選自H、F、Q、Br、烷基、 200811215 雜烷基、烯基、炔基、芳基、雜芳基、CnHaFb、〇CnHaFb、 C6HcFd ’ 及〇C6HeFd ; a、b、c，及d係0或使a + b = 2n + 1 , 且c + d = 5之整數，n係整數；至3之整數；鴻〇、j 或2，且附帶條件係於芳香族上之至少一取代基係選自F、
5 CnHaFb、OCnHaFb、CgHeFd，及 OC6HcFd。 W005/014689係有關於一種共軛聚合物，其含有化學
元，及其於聚合物有機發光二極體之用途。 WO05/104264係有關於包含化學式 10
之結構單元之聚合物，其 中，二R基可一起形成單或多環之脂族環系統。 W006/097419(其享有比本發明更早之優先權日，但會 於本發明之優先權日後公告）係有關於包含化學式〖之重複 單元（其不包含-(Sp)xl-HEI基)之聚合物。 15 PCT/EP2007/050934(其享有比本發明更早之優先權 曰’但會於本發明之優先權日之後公告)係有關於包含化學 式I之重複單元（包含-(Sp)xl-[PG，]<^)之聚合物，其中，印 係間隔基單元，PG’係自可聚合基衍生之基，且“係〇或1。 當性能與現存技術相比時，引入有機EL顯示器面臨數 20種挑戰。獲得藉由特定指導方針所需之正確色座標（即， 200811215 已具。問題。當對比於現存之用於陰極射線管(crt)及 ::球CD)之無機技術時，EL元件之操作壽命仍較 大問題之^造具有純M色及長壽命之材料係此產業之最 5 【】 因此’本發明之目的係提供新穎材料，其於併納於電 優=件内時_色純度、元件效率及/或操作壽顯示重大 1〇 胃目的係藉由包含化學式I之重複單it之本發明聚合 解决包含本發明聚合物之有機發光元件(〇LED)於於顏 色、、、屯度、元件效率及/或操作壽可顯示重大優點。此外，此 等來合物具有良好之可溶特性，及相對較高之玻璃轉移溫 ^其促進製造成塗覆物及薄膜，係熱及機械安定，及相 15對較無缺陷。若聚合物含有可被交聯之端基，於膜或塗覆 物形成後之此等基之交聯作用增加其耐溶劑性，其於其間 或更多之以溶劑為基底之材料層被沈積於上之應用係有 利的。 因此，本發明係有關於包含化學式
200811215
5 10 15 20 基 (lb) ’之重複單元之聚合物， 其中，A係5-、6-或7-成員之雜芳香族環，其含有至少一選 自氮、氧及硫之雜原子，特別是一氮原子及至少一選自氮、 經取代之氣、氧及硫之另外之雜原子， R R R R、r及尺6彼此獨立地係氫、鹵素，或有機 取代基，或二Rl、R2、R3、R4、R5及R6取代基，特別是彼 此相鄰之R與R，R4與r6，r2^3，或&5與反6一 起域方香族’或㈣香族環，或環系統，其可選擇性地 被取代， R係有機取代基，龙+ 代美可呈古 於相同分子内之二或更多個尺7取 土 /、不同意義，或可一起形成芳香族，或雜芳禾 環，或環系統，且 曰矢 X係〇，或1至5之整數，或 R1、R2、R3、r4、7 R、R6，或R7係-(Sp)xl-HEI基，其中， Sp係間隔基單元， HEI係增加聚合物 奶之注入電洞及/或運送電洞之性質之田ElI 基；η或增加聚合物之注入電子及/或观電子之性質之 (ΗΕΙ )基，或~加聚合物之注人電洞及域運送電洞之性斯 =杧加I合物之注入電子及/或運送電子之性質之(ΗΕΙ、 200811215 χΐ係0，或;但附帶條件係取代基R1、R2、R3、R4、R5、 R6及R7之至少一者係，或包含-(Sp)xl-HEI基，但附帶條件 係依據W006/097419之實施例 104、105、106、109及 11〇獲 得之聚合物被排除：
GPC(聚苯乙烯標準物）：MW = 84 101，PD = 3.38。光致發光 發射最大值係於446 nm。
GPC(聚苯乙烯標準物）：MW = 49 177，PD = 3.10。光致發光 10 發射最大值係於430 nm。
GPC(聚苯乙烯標準物）：MW = 77 760，PD = 3.41。 12 200811215
GPC(聚苯乙烯標準物）：Mw= 143 595, PD = 3.42。
GPC(聚苯乙烯標準物）：Mw= 87 924, PD = 3.23。 5 【實施方式】 作為雜原子之氮原子包含=N-或-NR10基，其中，R10 係如下所界定。 A係含有一選自氮、氧及硫之雜原子之5-、6-，或7·成 員之雜芳香族環，其可被取代及/或可為稠合芳香族或雜芳 10 香族環系統之部份。A之非限制性例子係：
13 200811215
有R8之意義，R8’具有R8之意義，X係Ο、S、N-R17，其中， R205、R206、R207、R208、R209、R210、R8、R9、R9’、R10及 R17 係如下所界定，p’係0、1，或2，p係0、1、2，或3，且虛 5 線…表示與苯環之鍵結。 較佳地，A係含有一氮原子及至少一選自氮、氧及硫之 另一雜原子之上述5_、6-，或7-成員之雜芳香族環。若雜原 子係氮，其可為=Ν·或-NR-基，特別是-N-R17，或-NR1()-， 其中，R係有機取代基，R17及R1G係如下界定。 10 本發明之聚合物需具有高於100°c之玻璃轉移溫度。 較佳地，本發明之聚合物包含如下化學式之重複單元
(XI)及/或 14 „10200811215
及/或 R10
(XVIII)，其中， R1及R4彼此獨立地係氫、鹵素、CrC18烷基、以E取代及/ 5 或以D間斷之CrC18烷基、CVC18全氟烷基、C2-C18烯基、 C2-C18炔基、CVC18烷氧基、以E取代及/或以D間斷之CrC18 烷氧基、CN，或-CO-R28， R2、R3、R5及R6彼此獨立地係Η、鹵素、(VCb烷基、以E 取代及/或以D間斷之CrC18烷基、CVCu全氟烷基、C6-C24 10芳基、以G取代之C6-C24芳基、C2-C2()雜芳基、以G取代之 C2-C2◦雜芳基、C2-C18浠基、C2-C18炔基、CrC18烷氧基、以 E取代及/或以D間斷之^-(:以烷氧基、C7-C25芳烷基、CN， 或-CO-R28， R8及R9彼此獨立地係Η、CrC18烷基、以E取代及/或以D間 15斷之烧基、ci_C〗8全氟烧基、C6_C24芳基、以G取代之 C6-C24芳基、C2-€2〇雜芳基、以G取代之C2-C2〇雜芳基、C2-C18 15 200811215 烯基C2 Cis炔基、CrCu烷氧基、以E取代及/或以D間斷 之Ci_c18^氧基、芳烷基、CN，或_c〇_r28，或 ^205 „206
L207 *208 R及R —起形成' ， κ K--或ΙλΙ R…某，戋 其中，R206’、R2°8’、R2。5、R2。6、R2。7、R咖、R2G9及r21。彼 此獨立地係H、CVC18燒基、以E取代及/或以D間斷之Ci_Ci8 烷基CVC18燒氧基，或以E取代及/或以d間斷之Μα烧 氧基、Cl_Cl8全氟燒基、kb芳基、以G取代之c6_C24芳基、 C2_C20雜芳基、以G取代之kc20雜芳基、c2_Cl8烯基、 快基、cvc25芳燒基、CN，或_c〇_r28， 10 15
Rl〇係H、Cl_Cl8烧基、以E取代及/或以D間斷之CrCi^ 基、CrC18全氟烧基、C6_C24芳基、以G取代之C6_C24芳基、 c2-c2〇雜芳基、以G取代之C2_C2〇雜芳基、C2_Ci8稀基、kb 炔基、ce18絲基、以E取代及/或⑽間斷之a滅氧 基、C7-C25 芳燒基，或 _c〇_R28， R11及R14彼此獨立地係氫、鹵素、Ci_Ci8燒基、以E取代及/ 或以D間斷之Cl_Ci8烧基、Ci_Ci8全氟燒基、κ满基、 C2,炔基、Cl-Cl8燒氧基、以E取代及/或以D間斷之CAS 烧氧基、CN，或_c〇_R28， ^仏心^此獨立地跡鹵素^^以 E取代及/或靖精之Cl_Cl8絲、以全氟絲、W 方基、UG取代之C6_C24芳基、c2_C2。雜芳基、以g取代之 C2-C2〇雜芳基、C2_Cl8職、C2_Ci8块基、氧基、以 16 20 200811215 E取代及/或以D間斷之<^-(：18烷氧基、C7-C25芳烷基、CN 或-CO-R28， X係Ο、S，或NR17，其中，R17係Η ; C6-C18基；C2-C20雜芳 基；以CrCls烷基、CrC〗8全氟烷基，或CVC】8烷氧基取代 5 之C6-Ci8芳基或C2-C20雜方基；Ci-Ci8烧基，或以-0-間斷之 crc18烷基； 或彼此相鄰之二取代基R1與R2、R4與R6、R11與R12，及/或 R14 與R16、R2與R?、R5 與R6、R12與R13，及/或R15與Rb〜
10 起形成
或彼此相鄰之二取代 基R15與R13，及/或R5與R3 —起形成/ R1°7,或/:·χ3基，其 中，X3係 Ο、S、C(R119)(R120)，或 NH17，其中，R17係如上
所界定，R105、R106、R107、R108、R106’及 R108’彼此獨立地 係Η、CrCu烷基、以E取代及/或以D間斷之crC18烷基、 cvc〗8烷氧基，或以E取代及/或以D間斷之CrCi8烷氧基， 15 R119及R120 —起形成化學式=<：1112111122，其中 R及R彼此獨立地係Η、CrC!8烷基、以E取代及/或以d 間斷之CVC處基、C6_C24芳基、以G取代之C6_C24芳基，或 CVCm雜芳基，或以G取代之q-Cm雜芳基，或 τ> Π9 -η p 120 ^ 形成五或六成員之環，其可選擇性地以 20 =-C18烷基、以E取代及間斷之Ci必戚基、 方基、以G取代之c6_C24芳基、c2_c扣雜芳基、以G取代之 17 200811215 C2-C2〇雜芳基、CVC〗8烯基、CVCu炔基、CVCi8烷氧基、以 E取代及/或以D間斷之Ci-Ci8燒氧基、CVC25芳燒基， 或-C(=0)-R127取代，且 R127係H; C6-C18芳基；以CVCu烷基或CrC18烷氧基取代之 5 C6-C18芳基；CVC18烷基；或以_〇間斷之CrC18烷基， D係-CO·; -COO_; -S·; -SO-; -S02·; -NR25·; -SiR30R31_; -POR32-; -CR23=CR24·;或且 E 係 -OR29; -SR29; -NR25R26; -COR28; -COOR27; -CONR25R26; -CN;或鹵 10 素；G係E、CrCu烷基、以D間斷之crc18烷基、（^-(：18全 氟烷基、CVC!8烷氧基，或以E取代及/或以D間斷之CVCu 烷氧基，其中， R23、R24、R25及R26彼此獨立地係H; C6_Ci8芳基；以Cl-Cl8 烷基或CrCu烷氧基取代之c6-C18芳基；CrC18烷基；或以 15 間斷之Ci_Ci8烧基；或
〇 ，或 〇 R27及R28彼此獨立地係H; C6_Ci8芳基；aCrCis烷基或 CrCu烷氧基取代之C6-Cl8芳基；Ci_Ci8烷基；或以間斷 20 之Ci_Ci8烧基； 200811215 5 R29係H; CVCw芳基；以CrC〗8院基或CVCw烧氧基取代之 C6_C18芳基；C]-Ci8院基；或以間斷之CVCw烧基， R30及R31彼此獨立地係CrC18烷基、C6-C18芳基，或以Ci_Ci 烷基取代之C6-C18芳基，且 R32係CrC18烧基、C6-Ci8芳基，或以CVC18烧基取代之c6_c18 芳基，或 Rl、R2、W、R4 H、R11、R12、Rl3、Rl4 Rl5、r16、 R206,、R208,、R205、r206、r207、R208、R209、R210、Rl〇5、Rl〇6、 Rl〇7、R⑽、Rl06’、Rl〇8’、r8、r9、Rl0，及/或r17 係—(sp)x广Hm 10 基，其中， 15 Sp、xl及HEI係如上所界定，但附帶條件係取代基Ri、r2、 R3、R4、R5、R6、R11、R12、Ri3、Rl4、Rl5、r16、r206,、 r208’、R205、R206、R207、R208、R209、r210、Rl〇5、r1〇6、r1〇7、 r⑽、R_’、Rl，、r8、r9、Rl〇，或 Rn 之至少一者 係-(Sp)xl-HEI 基。 • 20 於本發明之一實施例，聚合物較佳係包含化學式x或 XI之重複單元，其中，R1及R4係氫， R2、R3、R5及R6彼此獨立地係Η、CVC18院基、以D間斷 之CVC〗8炫基、CVCm全氟烷基、烷氧基、以D間斷之 Ci-C18^氧基、C7-C25芳烧基，或—χ2_ρ^8基， R8及R9彼此獨立地係Η、CVC〗8烷基、以d間斷之(^(：18烷 基、CVCu全氣烷基、CVC!8烧氧基、以d間斷之cvc18烧氧 基，或-X2-R18基，或 彼此相鄰之二取代基R2與R3及/或化5與反6一起形成 19 105200811215
R
基’或彼此相鄰之二取代基R5及R3 —起形成
'R基’其中，^^^及七⑽彼此獨立地仙， 或Ci-Cg炫基，或
T R υ’ I R8及R9 — 起形成 R2Q8 ，或、n<V1°基，其中，r2〇5、r206、 3 . R- ^ R2〇9^R2^,b^iL^^H ^ CrCl8^& . αΕ 取代及/或以D間斷之Cl_Cl8烷基、Ci_Ci8烷氧基，或以£取 代及/或以D間斷之Cl_Cl8烷氧基、CrCi8全氟烷基， R10係Η、可以G取代之C6_Ci8芳基、可以G取代之a— 芳基、基、以0間斷之CK：i8烧基、CK：i8全氣烧基、 10 CrCl8烷氧基、以E取代及/或以D間斷之(^_(：18烷氧基， 或一x2-Rl8基，其中，χ2係間隔基，諸如，cvc12芳基，或 C6-C12雜芳基，特別是苯基，或萘基，其可以(^-(:18烷基、 以D間斷之Crc18燒基、CrCi8全氣烧基、Ci_Ci戚氧基， 或以E取代及/或以D間斷之烷氧基取代一或多次，特 15別是一至二次，且R18係Η、CVC18烷基、以D間斷之Cl_Cl8 烷基、CVC^全氟燒基、CrCi8烧氧基、以D 6間斷之Ci_。 烷氧基，或-NR25R% ; D 係-CO·; -coo ; s ; s〇 ; s〇2 ; 〇 ; -NR25-; _CR23=CR气;或 20 200811215 R23、R24、R25及R26彼此獨立地係H; C6_Ci8芳基；以Ci_C8^ 基或(VC8烧氧基取代之c6_Cl8芳基；CrC8燒基；或以_〇_間 斷之絲，或RlW -起形成五或六成員之環，特
R8、R9 ’及/或R10係-(恤掘基，其中，Sp、似肌係 如上所界定，但附帶條件係取代基Ri〇5、RlG6、r1G7、r1〇8、 r205、r206、r207、r208、r209、r210、r8、R9，或 R10 之至少 一者係-(Sp)xrHEI 基。 於本發明之一實施例，較佳聚合物係包含如下化學式 之重複單元 別是 R105、R106
10
17 f R1。
(Xlla)，及/或 # R13 R15、r16 其中， (Xllb), 1 R係Η、可以G取代之c6-c18芳基、可以G取代之c2_Ci8雜 15芳基、CA院基、以D間斷之c广Q8烧基、ca全敗烧基、 Ci-C^烷氧基、以E取代及/或以D間斷之ατά烷氧基， 或—x2-Rl8基，其中，X2係間隔基，諸如，C6-Cl2芳基，或 c6-c12雜芳基’特別是苯基，或萘基，其可以Ci_c—基、 以D間斷之CVC18燒基、CrCi8全氟烧基、c】_c以烧氧基，或 21 200811215 以E取代及/或以D間斷之CrC18烷氧基取代一或多次，.特別 至一至二次，且R18係Η、CrC18烷基、以D間斷之<^-(：18烷 基、CkCm全氟烷基、Ci-C18烷氧基、以D間斷之CrC18烷氧 基，或-NR25R26-; 5 R11及R14係氫， R12、R13、R15及 R16係氫， R17係C6_C18芳基；以CrC18烷基、CrC184氟烷基，或CrC18 烷氧基取代之C6-C18芳基；CVC18烷基；或以-Ο-間斷之 Ci_Ci8烧基；或 10 彼此相鄰之二取代基R12與R13及/或R15與R16 —起形成 R105 Ύ1。6 r1°8 基，或彼此相鄰之二取代基R15及R13 —起形成
'R基，其中，R1G5、R106、R1G7及R1G8彼此獨立地係Η， 或CrC8烷基， D係-S-; 或-NR25-; 15 E係-OR29; _SR29; _NR25R26; -CN;或F; G係E、CrC18烷基、 以D間斷之Cl-Cl8烧基、Cl-Ci8全敗烧基、Cl-Ci8烧氧基，或 以E取代及/或以D間斷之CrC18烷氧基，其中， R25及R26彼此獨立地係H; C6-C18芳基；以CrC8烷基或CrC8 烧氧基取代之C6_Ci8芳基；Ci-Cg燒基；或以-〇_間斷之Ci-Cg 20 烷基，或 200811215
R 5 及 R26 —
起形成五或六成之環，特別是
υ ，或 〇 ，且 29 > 係CVCu芳基；以Crc18烷基或Cl_Ci8烷氧基取代之 C6-C18芳基；Cl_Cl8烧基；或以間斷之Ci_Ci8嫁基；或 R10 ’及/或R17係-(Sp)xl-HEI基，其中，Sp、xl及HEI係如上 所界定，但附帶條件係取代基rig或之至少一者 係-(Sp)xrHEI 基。 較佳之增加聚合物之注入電洞及/或運送電洞之性質 之HEI1基係：
(Hd), (He), 23 200811215
)m
,42,
〇
(Hi),
!)m 5 10 41 (llk)，其中’尺於每一發生可為相同或相異，且係〇、？、^^、叫化45)2、 Cl_C25烧基、C4_Cl8環燒基、cvc25烧氧基，其中，彼此 非鄰接之一或多個碳原子可以_NR45_、_〇_、_s_、_c(=〇)_〇_， 或-0_C(=0)-0-替代，及/或其巾，一或多個氯原子可奶、 C6 C24芳基，或CfC：24芳氧基替代，其中，一或多個破原子 可以0、S ’或N替代’及/或其可以一或多個非芳香族基r41 取代，或 二或更多個R41基形成一環系統； R42於每-發生可為相同或相異，域CN、CA烧基、 CVQ8環烧基、CK：25燒氧基，其中，彼此非鄰接之一或 24 200811215 多個碳原子可以-nr45…ο-、…CP0)-0-，或-〇-c(=0)-0-替代，及/或其中，一或多個氫原子可以F、C6_C24芳基，或 C6-C24芳氧基替代，其中，〆或多個碳原子可以0、s，或N 替代，及/或其可以一或多個雜芳香族基R41取代，或 5二或更多個R42基形成一環系統； R44於每一發生可為相同或相異，且係氫原子、CrCh烷基、 環烷基、Ci_C25烷氧基，其中，彼此非鄰接之一或多 個碳原子可以_NR45-、·〇_、-S-、-C(=〇)-〇-，或-〇-C(=0)-〇- 替代’及/或一或多個氫原子可以F、c6-C24芳基，或C6-C24 10芳氧基替代，其中，一或多個碳原子可以0、S，或N替代， 及/或其可以一或多個非芳香族基R4〗，或CN取代，或 彼此鄰接之二或更多個R44基形成一環； R係Η、CrC25燒基、Q-C25烧氧基、c4-C18環烷基、CVC25 烧氧基’其中，彼此非鄰接之一或多個礙原子可以_NR4、、 〇-、-S_、_C(=〇)-〇-，或-〇-C(=〇)〜〇_替代，及/或一或多個 氫原子可以F、CVC24芳基，或C6-C24芳氧基替代，其中， 一或多個碳原子可以〇、S，或N替代，及/或其可以一或多 個非芳香族基R41取代； m於每一發生可為相同或相異，且係〇、1、2,或3，特別是 20 〇、1，或2，極特別地係贼！； η於母餐生可為相同或相異’且係〇、1、2，或3，特別是 〇、1，或2，極特別係0或1 ; R係Η、CVC25燒基、GU-Ci8環院基，其中，彼此非鄰接之 一或多個碳原子可以-NR45’·、_〇_、_§_、-C(=〇)-〇_，或 25 200811215 —〇-C(=0)-0-替代’及/或一或多個氫原子可以F、C6_C24方 基，或CVC24芳氧基替代，其中，一或多個碳原子可以Ο、 S，或N替代，及/或其可以一或多個非芳香族基R41取代； R係Η、CVC25烧基，或C4_C18環烧基； 5 A1及A1彼此獨立地係C6_C24芳基、c2-C3()雜芳基，其可以一 或多個非芳香族基R4i取代，或N〇2，特別是苯基、萘基、 蒽基、聯苯基、2_芴基、菲基，或茈基，其可以一或多個
p117 非芳香族基R41取代，諸如， β6
芳撐基， 或CH：24雜芳撐基，其可選擇性地被取 26 200811215
與和其鍵結之氮原子一起形成雜芳香族環，或環系統，諸
如， ， ；或八1及A2與和其鍵結之氮原子一起
形成雜芳香族環，或環系統，諸如， ； ，其中， 27 200811215 R116及R117彼此獨.立地係Η、-素、_CN、Ci_Ci8烧基、以E 取代及/或以D間斷之Ci-Cu烧基、芳基、以g取代之 C6-C24芳基、C2-C2〇雜芳基、以G取代之C2-C2。雜芳基、C2-Ci8 烯基、CVCu炔基、CVCu院氧基 '以E取代及/或以D間斷 5 之Ci-Ci8烧氧基、C7-C25芳烧基、-C(=〇)_r127、_c(=0)0R127， 或一C(=0)NR127R126， R及R彼此獨立地係CrC!8烷基、以E取代及/或以D間斷 之CVC18烧基、C6-C24芳基、以G取代之c6_C24芳基、c2-C2〇 雜芳基、以G取代之C2-C2G雜芳基、C2_Ci8烯基、ΜΗ块基、 10 CVC18院氧基、以E取代及/或以〇間斷之Μ—氧基，或 C7-C25方烧基’或 R119及R120—起形成化學S=cr121r122，其中， 15 20
R121及R122彼此獨立地係Η、Cl_c滅基、以e取代及/或以D 間斷之^18烧基、c6_c24芳基、以G取代之^^芳基，或 CVCm雜芳基，或以G取代之C2_C2〇雜芳美，或
起形成五或六成貝之環，^騎性地可以 Cl-C18烷基、以E取代及/或以D間斷之烧基、C6_C24 芳基、以G取代之C6-C24芳基、Μ。雜芳基、以g取代之 CVQo雜芳基、Q-Q8婦基、C2_Cu块基、Ci_Ci8烧氧基、以 E取代及/或以關斷之Ci_Ci8貌氧基、c7_c25芳炫基， 或一C(=〇)-R127取代，且 c6-c18^; ,CrCi8^^^
Cl-Cl8院氧基取代之C6-Cl8芳基；Ci_Ci8燒基；或以_〇_間斷 28 200811215 D係-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-S〇2-、-Ο-、々κ65、siR7〇R71-、 -POR72·、_CR63=CR64'，或《_，且 E 係 -OR69 、 -SR69 > -NR-R- ^ -COR- . .COOR- . .C〇NR-R^ ^ -CN ^ 5 或鹵素， G係E，或心/^烷基， R63、R64、Rm皮此獨立地係H; C6_Ci8芳基；以Ci_Ci8 烷基、crcls烷氧基取代之cvc〗8芳基；q_Ci8烷基；或以 -0-間斷之C〗_Ci8烧基；或
10 R65及R66一起形成五或六成員之環， 0 〇 ψ 0 ，或 0 ，R65’ 係 R65，
R67及R68彼此獨立地係H; C6_C18芳基；以Cl-Cl8烷基或 Ci-Cu院氧基取代之CVC〗8芳基；crc18烧基；或以-0-間斷 之Ci_Ci8烧基， 15 R09係H; cvc18芳基；以CrC18烷基、CrCu烷氧基取代之 c6-c18芳基；CVC18炫基；或以·0·間斷之crc18烧基， R70及R71彼此獨立地係CrC18烷基、C6-C18芳基，或以CrCl8 烷基取代之c6-c18芳基，且 R72係CrC18烷基、c6-c18芳基，或以CrC18烷基取代之C6-Cl8 20芳基。 29 200811215
A1較佳係以CrC4烧基或N〇2取代之苯基，特別B
或蒽基，特別是蒽_2_基。 較佳地，R116及R117彼此獨立地係H、Cl_Ci2院基，諸如， 甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第一丁 基、第三丁基、2-甲基丁基、正戊基、異戊基、正己基、 2-乙基己基，或正庚基，以E取代及/或以D間斷之Ci_c^烷 10 基，諸如，-CH2OCH3、-CH2OCH2CH3、-CH2〇CH2CH2〇CH3， 或-CH20CH2CH20CH2CH3，c6_c14芳基，諸如，苯基、英 基’或聯苯基，CVCu環烷基，諸如，環己基，以G取代之 C6"C14 芳基， 4 如，-C6H4OCH3、-C6H4OCH2CH3、-C6H3(〇CH3)2， 或-C6H3(OCH2CH3)2、-C6H4CH3、-C6H3(CH3)2、-c6H2(ch 3)3 ’ 或-C6H4tBu。 R65較佳係H，CVCi2烷基，諸如，甲基、乙基、正丙 15基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁美、2 甲基丁基、正戊基、異戊基、正己基、2_乙基己基广正庚 基，或C6-CH芳基，諸如，苯基、萘基，或聯苯基。 較佳地，R119及R12G彼此獨立地係CrCi2烷基，諸如， 甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二
Ml j I、己基、 辛基，或2-乙基-己基，以E取代及/或以1)間斷之烷 基，諸如，-CH2(OCH2CH2)wOCH3，W =卜 2、3，Λ / 12 兀 立貧 或4 ’ C6-C14 方基，諸如，苯基、萘基，或聯苯基，以G取代之C6_Ci 30 200811215 如，·€6Η4ΟΟΙ3、-c6h4och2ch3、-c6h3(och3)2、-C6H3( och2ch3)2、-c6h4ch3、-c6h3(ch3)2、-c6h2(ch3)3， 或-C6H4tBu，或R119及R120-起形成4至8成員之環，特另Ij是5 或6成員之環，諸如，環己基，或環戊基，其可選擇性地以 5 CrC8烧基取代。 D較佳係-CO·、-COO-、-S-、-SO-、-S02·、-0-、-NR65-， 其中，R65係CrCu烷基，諸如，甲基、乙基、正丙基、異 丙基、正丁基、異丁基，或第二丁基，或C6-C14芳基，諸如， 苯基、萘基，或聯苯基。 10 E 較 佳 係 —OR69; SR69; -NR65R65; -COR68; -COOR67; -CONR65R65;或-CN; 其中，R65、R67、R68及R69彼此獨立地係Q-Cn烷基，諸如， 甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁 基、己基、辛基，或2-乙基-己基，或C6-C14芳基，諸如， 15 苯基、萘基，或聯苯基。 G具有與E相同之較佳者，或係CVC18烷基，特別是 CrC12烷基，諸如，甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、 異丁基、第二丁基、己基、辛基，或2-乙基-己基。 於本發明之較佳實施例，HEI1基具有化學式lie，其中，
31 200811215
基；A1及A1’彼此獨立 R 117 、117 R ;或八1及A1與和(r41Kl
其鍵結之氮原子一起形成化學式 | 之基；或 A1及A2與和其鍵結之氮原子一起形成化學式
5 1 之基，其中，R41、m、η、R116、R117、R119 及R12()係如上所界定。 下列之HEI1基係特別較佳：
R 117
32 200811215
33 200811215
p116 ^116 其中，1141、1142、11116、11117、11119、1112()及111係如上所界定。 較佳之增加聚合物之注入電子及/或運送電子之性質 之HEI11基係：
(Hid), (lllg)， (llli)， 34 200811215
S，或NR118 ; RU8、R4jm 或2，特別是0或1，R42’係 )m(丨丨II)，其中，X20係〇、
與η係如上所界定，且p係〇、1， Η，或 R42 〇 R41及R42較佳係H、可選擇性地以_〇_間斷之烧基; c「c18烷虱基，cvCi2芳基，其可選擇性地以Cl%烧氧基 或Crc12烷基取代。 於上述Η妒基，化學式IIIa、mc，及mi之單元係更佳， 其中，下列HEI11基係特別較佳：
其中，X20係0，或
其中，R116及R117係如上所 35 200811215 界定 較佳之增加聚合物之注入電洞及/或運送電洞之性質 及聚合物之注入電子及/或運送電子之性質之HEI111基係：
N
d IV
V
\—/
vg
h IV
IV
Ivj 36 200811215
37 200811215
(IVs)，其中，X4係 Ο、S，或NR45， R43係氫原子、CVCh烷基、（：4-(：18環烷基、CrC25烷氧基， 5 其中，彼此非鄰接之一或多個碳原子可以·ΝΙ145-、-0-、-3-、 -c(=o)-o-，或·0<(=0)-0-替代，及/或一或多個氫原子可 以F、C6-C24芳基，或C6-C24芳氧基替代，其中，一或多個 碳原子可以0、S，或N替代，及/或其可以一或多個非芳香 族基R41，或CN取代，或 10 彼此鄰接之二或更多個R43及/或R44形成一環； 〇係1、2，或3，特別是1，或2，u係1、2、3，或4， 且A1、R41、R42、R44、R45、m、η及p係如上所界定。 化學式X、XI、XII、XVI、XVII及XVIII之重複單元中， 如下化學式之化合物 38 ,210200811215
(Xc),
(Xla),
(XI丨b)，或
(XVIa), 39 200811215
R10
Η、CrC18烷基、以D間斷之CrC18烷基、CrC18全氟烷基、 40 200811215 烷氧基取代之cvc18芳基；CVCu烷基；或以間斷之 cvc18烷基；且 R係Η、CrC18烧基、以d間斷之CrC18烧基、CrC18全氟烧 基、CVC!8烧氧基、以d間斷2CrCl8烧氧基， 5 R205、r2G6、R207、R208、R209及R210彼此獨立地係H、以D間 斷之CrCu烷基、Cl_C18全氟烷基、CrC18烷氧基、以D間 斷之心/^烷氧基； 但 p付帶條件 <系R8、R9、Rl〇、r17、r2〇5、r206、R2〇7、R208、 R209及R21G之至少一者係—(Sp)xi_HEI基。 10 較佳地，R8、R9、Rl0、r17、r206、r207、R209&R210之 至少一者係一 (Sp)xi_HEl基。 SP 係選自—Ar- 、 -ArY- -YAr-、 -YAr(CR147R148)n2(r、—級，諸如，-(CR147R148)n2(r、 -(Y(CR147R148)n21)n2〇. , ^.((CR147R148)n21Y)n2〇---Ar-Alk-、 15 - Aik—Ar_，或-Alk—Ar-Aik-，其中， Y係NR149、〇、s、C=〇、C(=0)0，其中，R149係 H; C6-C18 芳基；以CVC〗8院基或CrCi8烷氧基取代之C6-Ci8芳基; CrC18烧基；或以办間斷之CrCi8烧基； R147及R148彼此獨立地係氫、氟，或Ci-C2G烷基， 20 n20係1至20之整數，n21係1、2，或3;
Ar係環烷撐基、芳撐基、芳烷撐，或雜撐芳基，其可選擇 性地被取代，
Aik係烷撐基。 較佳之芳撐基係1,4-苯撐基、2,5-甲苯撐基、1，4-萘撐 41 200811215 基、1，9恩樓基、2,7-菲撐基，及2,7_二氮菲撐基，其可選 擇性地被取代。 較佳之雜芳撐基係2,5-吼嗪撐基、3,6_噠嗪撐基、2,5· 吡啶撐基、2,5-嘧啶撐基、U，4_噻二唑_2,5_撐基、噻唑 5 -2,4-撐基、1，3-噻唑-2,5-撐基、2,4-噻吩撐基、2,5-噻吩撐 苯、1，3_噁唑·2,4-撐基、ι，3-噁唑_2,5-撐基，及丨，3,4_噁二 唑-2,5-撐基、2,5-茚撐基，及2,6_茚撐基，其可選擇性地被 取代。 “烷撐基（間隔基)”一辭典型上係C^-Cm烷撐基，較佳係 10 烷撐基，且包含線性及分支之代表物，且可為，例如， -CH2-及C2-C3。烧撐基，諸如，-(CH2)2-、-CH(Me)·、-(CH2)3-、 -CH2-CH(Me)·、-C(Me)2-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2V、 -(CH2)7-、-(CH2)8-、-(CH2)9-、-(CH2)10-、-(CHDu-、-(CH2)12-、 -(CH2)13-、-(CH2)i4_、-(CH2)i5_、-(ch2)16_、-(ch2)17_、 15 -(CH2)i8- 、 -(CH2)l9- 、 -(CH2)20 、 -(CH2)21-、 -(CH2)22_、-(CH2)23-、-(CH2)24_、-(CH2)25_、-(CH2)26_、 _(CH2)27-、-(CH2)28-、-(CH2)29-、_(CH2)3〇-，較佳係-CH2_、 -(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4-、-(CH2)5-、-(CH2)6-、-(CH2)7-、 -(CH2)8-、-(CH2)9-、-(CH2)10_、-(CH2)n_、-(CH2)12_、 20 -(CH2)13_、-(CH2)14_、_(CH2)15_、_(CH2)16_、_(CH2)17_、 •(CH2)18-，及-〇1(。2-。30烷撐基)-〇 “烷撐基間隔基”可選擇 性地包含一或多個，特別是一或二個，選自_〇-、-S-、 -NR45·、-CO·、-CONH·、-CONR45·，或-COO·之基作為鍵 結基，諸如，-〇-(Xl4)n3- ’ 特別是-〇CH2CH2〇-、 42 200811215 〇(CH2CH20)2- 、 o(ch2ch2o)3- ; 或 -0(CH2)n4-CHX15-(CH2)n40·，其中，n4係 1 至 10之整數，較 佳係1至5，且烷氧基。CrCgo烷撐基可，例如， 以-0-、-S-、-NH-或-C(0)NH·間斷數次，諸 如，-(CH2)2-〇-(CH2)-、-(CH2)2-0-(CH2)2-、-(CH2)2-S-(CH 2)2-、-CH2_CH-CH2-0-(CH2)pr，其中，pi係 1 至 l〇 之整數， 或-CHX13CH2-(X14)n3-〇·，其中，x13/^crC8烧基，X14係環
氧烧基單體，較佳係環氧乙烧或環氧丙烧，或烯胺基單體， 較佳係胺基乙浠或胺基丙烯，且n3係1至1〇之整數，較佳係 10 1 至5 ;或-(CH2)2-NH-(ch2)2-或-(ch2)2-c(0)nh-(ch2)2“ ^'撐基（間隔基)”係未經取代或經取代之碳環或雜環 之芳撐基，較佳係含有6至14個碳原子，典型上係笨撐基、 萘撐基、蒽樓基、蒽ϊ昆樓基、吼唆撑基、唆琳撐基，較佳
Xu係鄰、間或對位之單一鍵，或鄰、間或對位之_〇_、 -NR43-、-CO-、-CONH-、-CONR43-，或<〇〇;對笨標烏 及對-苯撐氧基係較佳。 t “芳烷撐基（間隔基)”係未經取代或經取代之藥 人壤或雜 環之芳烧撐基，較佳係含有6至14個碳原子， ” 叙佳係
基，其中，Xn係鄰、間或對位之單— 輝，或 43 20 200811215 鄰、間或對位之-Ο-、-S-、-NR43-、-CO-、-CONH-、-CONR43 基，其中， 或—COO-，且又12係烷撐基，或 X!2係鄰、間或對位之烷撐基，且xu係單一鍵、-〇-、_s_、 _NR45-、-CO·、-CONH-、-CONR45，或-COO-。 · “環烧標基（間隔基)”係未經取代或經取代之碳環或雜 · 環之環烧撐基’較佳係含有6至14個破原子，典型上係環戊 撐基，或環己撐基，其可選擇性地以可aCl-c8烷基或Ci_c8 烧氧基取代一至三次之苯基縮合一或二次；較佳係 _
，或 10及m係如上所界定，xu係於2…3_或4_位置之單一鍵，或於 2-、3-或 4-位置之-〇-、_s_、_NR45_、_c〇 、
-CONH-、-CONR 或-coo- ; 4-環己撐基及4-環己撑基 係較佳。 下列-(Sp)xl-HEI基係較佳：
44 200811215
p41)m
4=^0 〇、HEI -0CH2CH20-HEI 、 -o(ch2ch2o)2-hei 、 -0(CH2CH20)3-HEI，及-〇CH2CH(OR69)CH20-HEI，其中， m、R41、R1〗9及HEI係如上所界定，且R69係Cl-C18^氧基。 於此使用時，“本發明之聚合物，，係指具有化學式I之重 複單元，特別是化學式χ、χΐ及/或XII(XVI、XVII及XVIII)， 極4寸別疋化學式Xa、Xia、Xlla及/或Xllb之重複單元，之聚 合物。 於一較隹實施例，本發明係有關於包含化學式XH，特 10別是XIIb，之重複單元之聚合物，其中，rh>，或Ri7 ,或其 一者係-Sp-HEI基。
於另一較佳實施例’本發明係有關於包含化學式X，特 別是Xa，之重複單元之聚合物，其中，R8 ,或R9，或其二 者係-Sp-HEI基。 下列之化學式I之重複單元係特別較佳：
45 200811215
46 200811215
47 200811215
48 200811215
其中，R係CVC25燒基，諸如，正丁基、第二丁基、異丁 5基、第二丁基、正戊基、孓戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、 正己基、正庚基、正辛基、U，3,3_四甲基丁基、2_乙基己 基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、十三烷 基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、2-十六烷基、十七 烷基、十八烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基、 10 二十四烷基，或二十五烷基，特別是2-乙基己基、正辛基、 2-十六烷基，或1-十六烷基，且R2O4係C4_C25烷基，諸如， 49 200811215 正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、2-戊基、 3-戊基、2,2·二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、ia，3 四甲基丁基、2-乙基己基、正壬基、正癸基、正十一垸基、 正十二烧基、十三烧基、十四炫基、十五烧基、十六燒基、 5 2-十六燒基、十七烧基、十八烧基、二十烧基、二十―斤 基、二十二烧基、二十四烧基，或二十五烧基，特別是2 乙基己基、正辛基、2-十六烧基’或1-十六烧基。有利之武 H3C、jCH2)m1 ^(CH2)n1 可以化學式 CH3 表示，其中，ml = nl + 4且ml + nl <22 〇 10 本發明係以化學式X、XI及/或XII之重複單元為基準更 詳細地例示，但不限於此。 於第一方面，本發明係有關於包含化學式I之重複單 元，特別是化學式X、XI及/或XII之重複單元，極特別係化 學式Xa、XIa、Xlla及/或Xllb之重複單元，之聚合物。 15 化學式I之聚合物，除化學式I之重複單元(recurring unit) 外，可另含有一或多個重複單元Ar3及/或丁。八1·3係選自下列 族群： XXII族群：增加聚合物之注入電洞或運送電洞之性質之單 元； 20 ΧΧΙΠ族群：增加聚合物之注入電子或運送電子之性質之單 元； XXIV族群：XXII及XXIII族群之單元之混合之單元； 50 200811215
R116 R116 /=K +\l /厂 =r r117 r R117 Jq
117
特別 是
R 116
R116 R716 (XXVa), (XXVb),
(XXVc), 或 117 z\ r117 /=k £ \^)r 116 R716 $ (XXVd),
p116 p116 R (XXVe), R
R 117 (XXVf);特別是
或
R 117
(XXVg), 51 200811215
其中， 5 r係1至10之整數，特別是1、2或3， q係1至10之整數，特別是1、2或3， s係1至10之整數，特別是1、2或3， R116、R117、R119及R12G係如上所界定。 於上述XXV族群之之單元，化學式XXVe，特別是 10 XXVa、XXVk及XXVm，之單元係更佳。 重複單元T係選自下列族群XXVI :
(XXVIa)，特別是
52 200811215
(XXVld), X1係氫原子，或氰基，
5 R116及R117係如上所界定， f、cn、n(r45)2、 R41於每一發生可為相同或相異，且係C1、 C1-C25烧基、C4-C18環烧基、C1-C25烧氧基，其中，彼此非 鄰接之一或多個碳原子可以-NR45-、_0-、-S-、-C(=0)-0-， 或-0-C(=0)-0-替代’及/或其中’ 一或多個氯原子可以F、 10 C6-C24芳基，或c6-c24芳氧基替代，其中，一或多個碳原子 可以0、S，或N替代，及/或其可以一或多個非芳香族基R41 取代，或 二或更多個R41基形成一環系統； R45係Η、Ci_C25烷基、C4-C18環烷基，其中，彼此非鄰接之 15 一或多個碳原子可以-NR45’-、_0·、-S-、-C(=0)-0-，或 -0-C(=0)-0-替代’及/或其中’ 一或多個氯原子可以F、 c6-c24芳基，或c6-c24芳氧基替代，其中，——或多個碳原子 可以0、S，或N替代，及/或其可以一或多個非芳香族基R41 取代， 20 R45’係Η、CrC25烷基，或C4-C18環烷基， 53 200811215 n於母-發生可為相同或相異，且御小2，或3，特別先 〇、1 ’或2 ’極特別是0或卜且u係1、2、3 ,或4 ;八4係c6-c24芳基、c2_c3〇雜芳基，特別是苯基、蔡基、蒽基、聯苯基、2’基、菲基，或茈基，其可以一或多個非芳香 族R41取代。 車父佳之增加聚合物之注入電洞或運送電洞之性質之 XXII族群之單元係：
(XXIIa), A1 、a2.( A3、 (XXIIb), (XXIIc), 10
(XXIId),
(XXIIe),
(XXIIf),
(XXllg), (XXII*),
(XXIIh), (XXilj), 54 200811215
A (XXIIs),
5 其中，R344於每一發生可為相同或相異，且係氫原子'CrCh 烷基、C4-C18環烷基，或Q-C25烷氧基，
〇係1、2，或3，特別是1，或2，
R8" R7”
，其中，R116及R117係如上所界定， 10 R6’’及R7’’彼此獨立地係R116之意義， 55 200811215 R8係H'C^Ci8院基、以E取代及/或以d間斷之C「C18烧基、 eve：24芳基，或選擇性以G取代之C7_C25芳烷基，
R134及R135彼此獨立地係Η、CVQs烷基、以E取代及/或以D 間斷之CVCw烷基、CVC：24芳基、以ε取代之c6-c24芳基，或 5 。2<2〇雜^基、以E取代之C2-C20雜芳基，其中，d、E及G 係如上所界定。於上述XXII族群之單元中，化學式XXHa、 XXIIb及XXIIk之單元係更佳。 較佳地，R134及R135彼此獨立地係H、Ci_Ci2烧基，諸如， 甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基，或第二 10 丁基，或C6_cm芳基，諸如，苯基、萘基，或聯苯基。 車父佳之增加聚合物之注入電子或運送電子之性質之 XXIII族群之單元係：
(XXIIle)
(xxillf), 56 200811215
(XXIlIh), (XXIHj),
Ν'/ 41、
NYN (XXIIIk), (XXIIII), (R41),
(XXlIIrn),
,41V
或1。於上述XXIII族群之單元中，化學式XXIIIe、XXIIIj， 57 200811215 及XXIIIk之單元係更佳。 較佳之XXIV族群之單元（其係化學式XXII及XXIII之 單元之組合)係：
(XXIVd), (XXIVe),
(r44)p nL % (R,p 〇 (XXIVf),
58 200811215
(XXIVi), (XXIVh), (XXIVj),
(XXIVk),
59 200811215
(XXlVn)， 5
(XXIVp), (XXIVo), 或 R係虱原子、基、p r·四 烷基、Cr_C25烷氧基， 其中’彼此非鄰接之-或多個碳原子可以视45_、_〇_、各、 -c(=0)_0· ’或_0_C(=0)_〇_替任及/或其中，—或多個氯 10 原子可以F、CVC24芳基，或cvc24芳氧基替代，其中，一 或多個碳原子可以Ο、S ’或N替代，及/或其可以一或多個 非芳香族R41，或CN取代，或 彼此鄰接之二或更多個尺43及/或r44基形成一環； 〇係卜2，或3，特別是1，或2，u係1、2、3，或4， 且A1、R41、R42、r44、r45、m、11及P係如上所界定。於上 60 200811215 述化學式xxiy之單元中，化學式（xxiva)、（xxivb)、 (XXIVc)、（XXIVd)，及(XXIVe)之單元係較佳。 化學式XXII至XXV之重複單元之存在可導致下列優 點： 5 若XXI1族群之結構(例如，化學式XXIIa至XXIIr之重複 單元)存在，聚合物之改良之注入電洞及/或運送電洞之性質 可被觀察到。若用於PLED，PLED於特定電壓時顯示較高 之電流密度及電致發光性。當電力消耗降低時，此性質於 行動應用（諸如，行動電話及PDA之顯示器）係具高度性能。 10 若ΧΧΠΙ族群之結構(例如，化學式XXIIIa至XXIIIk之重 複單元)存在，聚合物之改良之注入電子或運送電子之性質 被觀察到。XXIV族群之結構(例如，化學式xxIVa至χχίνρ 之重複單元)之存在能改變電子能隙，因此，改變顏色性質。 衍生XXII、ΧΧΠΙ、XXIV及XXV族群之單元之單體之 15製備係，例如，描述於W003/020790。 於一實施例，依據本發明之聚合物僅係由一或多種化 學式I之重複單元所組成。於一較佳實施例，依據本發明之 聚合物係精確地由一種化學式Z之重複單元所組成（均聚 物）〇 依據本發明，“聚合物，，一辭包含聚合物及寡聚物，其 中’聚合物係具相對較高分子質量之分子，其結構基本上 包含實際上或概念上自相對較低分子質量之分子衍生之重 複單元’且寡聚物係具中間分子量之分子，其結構基本上 包含少數之實際上或概念上自相對較低分子質量之分子衍 61 200811215 生之單元。一分子若具有不會因移除一或數個單元而顯著 改變之性質時被視為具有相對較高分子質量。一分子若其 具有會因移除一或數個單元而顯著改變之性質時被視為具 有中間分子質量。 5 依據本發明，均聚物係自一種（真實、暗含，或假設) 單體衍生之聚合物。許多聚合物係藉由互補性單體之相互 反應而製備。此等單體可輕易地被視為反應產生“暗含之單 體”，其均聚合反應產生實際產物，其可被視為均聚物。某 些聚合物係藉由化學改良其它聚合物而獲得，如此，構成 10 形成聚合物之巨分子之結構可被認為藉由假設單體之均聚 合反應而形成。 因此，共聚物係自多於一種單體衍生之聚合物，例如， 二元共聚物、三元共聚物、四元共聚物等。 本發明之寡聚物具有< 2,000道爾頓之重量平均分子 15 量。本發明之聚合物較佳係具有2,000道爾頓或更大，特別 是2,000至2,000,000道爾頓，更佳係 1〇,〇〇〇至 1，〇〇〇,0〇〇，且 最佳係20,000至750,000道爾頓，之重量平均分子量。分子 量係依據凝膠滲透色譜分析術使用聚苯乙烯標準物而決 定0 2〇 於本發明之一方面，除化學式I之重複單元外同時具有 至少一額外之重複單元Ar3，或T(其係選自ΧΧΠ至XXVI族 群)之聚合物係較佳。於該方面，依據本發明之聚合物包含 1至99莫耳％之化學式I之重複單元，及較佳係5至95莫耳％ 之XXII至XXVI族群之重複單元，更佳係1〇至90莫耳。/0之 62 200811215 XXII至XXVI族群之重複單元，最佳係25至75莫耳％之XXII 至XXVI族群之重複單元。 於本發明之該方面，除化學式I之重複單元外同時具有 至少二額外之重複單元（其係選自至少二不同之XXII至 5 XXVI族群)之聚合物係較佳。 因此，於一較佳實施例，本發明係有關於聚合物，其 中，此聚合物包含如下化學式之重複單元，
-X 10 及 其中，X1G係化學式I之重複單元，特別是
10 R Λ X \Ν
(XI丨），其中， X、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R8、R9、R10、R11、R12、R13、
R14、R15及R16係如上所界定，極特別係 63 200811215
烷基、以D間斷之CVCu烷基、CVCu全氟烷基、CVCn烷氧 基、以D間斷之Q-Cn烷氧基，或一X2-R18基， r205 ，Vr206 f9 Ά η 5 R8及R9 —起形成R2°8 ，或'N r21Q基，其中，r泌、r2〇6、 R207、R208、R209及R210彼此獨立地係Η、crc18烧基、以e 取代及/或以D間斷之Q-Ci8烷基、Q-C!8烷氧基，或以e取 代及/或以D間斷之CrCu烷氧基、CrCu全氟烷基， R10係Η、可以G取代之C6-C1S芳基、可以G取代之〇2<：18雜 10芳基、Ci-Cu烷基、以D間斷之CVCu烷基、CrC18全氣烧基、 CVCh烷氧基、以E取代及/或以D間斷之CrC18^氧基， 或一X2-R18基，其‘中，X2係間隔基，諸如，C6_Ci2芳基，或 CVCu雜芳基，特別是苯基，或萘基，其可以^心烧基、 以D間斷之CVCu烷基、CrC!8全氟烷基、CrCu烷氧基，或 15以E取代及/或以D間斷之CVC:8烷氧基取代一或多次，特別 是一至二次， 64 200811215 R係C6-Ci8芳基；以CrC18烧基、Q-Cu全氟烧基，或 (VCi8烧氧基取代之CVC〗8芳基；c「C18烧基；或以〇-間斷 之Ci_Ci8烧基，且 R18係H、CVC!8烧基、以D間斷之Q-Cu烧基、CVCu全氟烷 5基、C「Ci8烧氧基、以D間斷之CrC18^氧基；但附帶條件 係 於化學式X之情況，R8及R9之至少一者係化學式—(Sp)xl_HEI 之基，或
若R8及R9 —起形成βυ° 基，R2G6及R207之至少一者係化 10 學式-(Sp)xrHEI之基，或
學式-(Sp)xl-HEI之基； 於化學式XI之情況，R1G係化學式-(Sp)xl-HEI之基； 於化學式XII之情況，R1G係化學式-(Sp)xl-HEI之基，或 15 若X係N-R17，R10及R17之至少一者係化學式-(Sp)xl-HEI之 於該實施例，T較佳係化學式XXVIa或XXVIb之重複單 元，且Ar3較佳係選自如下化學式之重複單元： 65 200811215
R44及R41係氫、C「C18烷基，或C「C18烷氧基，且 R45係Η、CrC18烷基，或以E取代及/或以D間斷之(^_(：18烷 5 基，特別是以-〇-間斷之CrC!8烧基’其中，D及E係如上所 界定。 於本發明之該方面，包含化學式 ——X1 丄-
之重複單
之重複單元之三元共聚物係最佳， 其中，
XiG係化學式I 特別是化學式 66 200811215
Xia、Xlla及Xllb，之熏複單元，其中，R116及11〗〗7係如上所 界定，且較佳係Η、鹵素、CN、CrC12烷基、氧基， 或C6-C14芳基，更佳係Η、CVC^烷基，或(^-0：18烷氧基， R41係α、F、CN、N(R45)2、CVC18烷基、CrC18烷氧基，或 5 C6-C14芳基， η係0、1，或2。 於另一較佳實施例，本發明係有關於聚合物，其中， 此聚合物包含如下化學式之重複單元
——Ν—— 10 Α1 ，更佳係
——Χ1-^Ν—— Τ I, Α ，其中， X1G係化學式I，特別是X、XI及XII，極特別是Xa、Xia、Xlla 及Xllb，之重複單元。 67 200811215 R116及R117係如上所界定，且特別是Η、鹵素、CN、Ci_Cl2 烧基、CrCn烧氧基，或C6-C14芳基， A1係C^C：24芳基、可以一或多個非芳香族R41基取代之C2-C3〇 雜芳基，較佳係以CrC4烷基取代之苯基，特別是
於另一較佳實施例，聚合物包含化學式 」⑴之 ，其中 重複單元及重複單元 X10係4匕學式I，特另 1]是X、XI及XII(XVI、XVII及XVIII)， 極特別是Xa、Xia、xila及 XIIb((XVIa、XVIIa、XVIIIa及 10 XVIIIb)，之重複單元；
且-Ar3-係化學式 R·- 或 κ·ιν 之基，其中， R116及R117彼此獨立地係Η、可以〇間斷之CrCi8烷基，或可 選擇性地以〇間斷之Ci_Ci8烷氧基， R119及R12G彼此獨立地係可選擇性地以〇間斷之埝 15 基，或 R及尺一起形成化學式=CR100R101之基，其中 R10()及R1G1彼此獨立地係H、Ci_Ci8烷基，或 R119及R12G—起形成五或六成員之環，其選擇性地可以 C1-C18烧基取代。 68 200811215 本發明係以如下之特別之較佳實施例為基礎而更詳細 地例示，但不應被限於此。 於該實施例，聚合物係如下化學式之聚合物
(VII)，其中，
5 A、R1、n2、R3、R4、R5、R6、R7及X係如上所界定，T及 Ar3係如上所界定， a係卜 b係0，或1， c 係 0.005至 1， 10 d係0，或1， e係0，或1，其中，若d係〇，貝“不是1， f係0.995至0，其中，c及f之總和係1。 T較佳係化學式XXVIa、XXVIb或XXVIf之重複單元， 且Ar3較佳係選自如下化學式之重複單元：
69 200811215 R44及R41係氫λ CrC18烷基，或Ci-Cu烷氧基，且 R45係H、CrC18院基，或以E取代及/或以D間斷之 基，特別是以-〇-間斷之CrCi8烷基，其中，D及E係如上所 界定。 化學式VII之均聚物，其中，a=l，b = 〇，c=l，d = 〇, e = 〇, f = 〇，係，例如，藉由鎳偶合反應’特別是Yamamoto 反應獲得：
10 R7及X係如上所界定。於該方面，由化學式X、XI，或XII 之重複單元組成之均聚物係較佳，且由化學式Xa、XIa、 Xlla及Xllb之重複單元組成之均聚物係最佳。
化學式VII之共聚物（包含化學式I及-Ar3-之重複單元(a =1，C = 0·995至0.005, b = 0, d = 1，e = 〇, f = 0.005至0.995) 可藉由鎳偶合反應獲得： —x1L— (Vllb)，其中，X10、c、f及Ar3係如 L Jc 上所界定。 於特別之較佳實施例，本發明係有關於含有至少二不 70 200811215
該實施例，包含至少一其中A係5成員之雜芳香族環之化學 式Γ之重複單元及至少一其中人係6成員之雜芳香族環之化 學式I之重複單元之共聚物係更佳。包含6成員之雜芳香族 5環之重複單元之適當例子係
and
、10
(Xla)之化 (XI)，特別係 合物；包含5成員之雜芳香族環之重複單元之例子係
71 200811215
R4、R5、R6、R8、R9、R10、R11、r12、R13、R14、R15、R16 及R17係如上所界定。於本發明之該方面，包含化學式Xa與 Xlla 及 / 或 XIIa(Xa 與 Xlla; Xa 與 Xlla; Xa 與 Xa，Xlla 與 5 Xllb)，或 Xia與 Xlla及/或 XIIa(Xia與Xlla; Xia與Xlla; Xia與 Xa，Xlla與Xllb)之重複單元之共聚物係最佳。 於另一較佳實施例，聚合物係如下化學式之聚合物
a、b、c、d、e、f、A、Ri、R2、r3、r4、r5、r6、r7及 X 10 係如上所界定， τ’係化學式
r117
Ar3’係如W006/097419中所述之重複單元。 於該實施例，本發明之重複單元較佳係具有化學式X， 72 200811215 或Xllb，且Ar3’較佳係化學式
(Xa)、
(Xlla’），或
(Xllb’）之重 複單元，其中，R8’及R9’彼此獨立地係H' Cl_Ci8烧基 '以D 間斷之CrC〗8烷基、CVCm全氟烷基、C〗-C18烷氧基、以d 5間斷之Crc18烷氧基，或—X2’-R18’基， R係Η、可以G取代之C6-C18芳基G、可以G取代之c2-C18 雜芳基、（VC18烧基、以D間斷之CVC〗8烧基、CrCM全氟 烷基、CVC!8烷氧基、以E取代及/或以D間斷之CVC18炫氧 基，或-x2’-r18’基，其中，X2’係間隔基，諸如，c6_Ci4 _ 10 基，或C6_C12雜芳基，特別是苯基，或萘基，其可uCi-c18 游 烷基、以D間斷之CrC18烷基、CrCi8全氟烷基、CVC18烷氧 基，或以E取代及/或以D間斷之Q-Cu烷氧基取代一或多 次，特別是一至二次， R係C6_Ci8芳基；以C!-Ci8烧基、Ci_Ci8全氟院基，或Ci_Cl8 I5 烧氧基取代之C6-C18芳基；C1-C18烧基；或以間斷之
Ci_Ci8 院基。 R18’係Η、CrC18烷基、以D間斷之CrC18烷基、CVc18全氟 烷基、Ci-Cu烷氧基、以D間斷之(^-(：18烷氧基。 73 200811215 R,1()’較佳係C6-C12芳基，其可選擇性地以一至三個選自 Cl-C18烧基、以D間斷之Cl-C18烧基、Cl-Cl 8全氟烧基、Cl-Cl 8 烷氧基，或以E取代及/或以D間斷之CrC18烷氧基取代；特 i 別疋 ，及 | ，其中，R202,係CrC18烧基、 以D間斷之Ci-C18烷基、CVC18全氟烷基、Cl_Ci8烷氧基，或 以E取代及/或以D間斷之Ci_Ci8烧氧基，特別是Ci_Ci8烧氧 R202、R203及R204之一係R2〇2’ ，且其它之基係Η，或R202,。 10 、202
-.203
基; R17’較佳係燒基，特 将別疋CVCl2烧基，諸如，正丁基、 正己基、正辛基、2-乙美p甘 基已基，及2-十六烷基。
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其中，c = 0.995至0.005，f= 0.005至0.995，
R17係C4-C25烷基，諸如，正丁基、第二丁基、異丁基、第 5 三丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、正己 基、正庚基、正辛基、1，1，3,3-四甲基丁基、2-乙基己基、 正壬基、正癸基、正Η —烧基、正十二烧基、十三烧基、 十四烷基、十五烷基、十六烷基、2-十六烷基、十七烷基、 十八烧基、二十烧基、二十一烧基、二十二烧基、二十四 10 烷基，或二十五烷基，特別是2-乙基己基、正辛基、2-十六 烷基，或1-十六烷基，且R2G4係c4-c25烷基，諸如，正丁基、 第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、 2,2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、1，1，3,3-四甲 基丁基、2-乙基己基、正壬基、正癸基、正十一烧基、正 15 十二烧基、十三烧基、十四烧基、十五烧基、十六烧基、2-十六烧基、十七烧基、十八烧基、二十烧基、二Η —烧基、 79 200811215 一十一烧基、二十四燒基，或二十五烧基，特別是2_乙基 己基、正辛基、2·十六烧基，或1-十六烧基。 此外，上述聚合物可含有下列重複單元之一 r117
R116及R117彼此獨立地係η、可選擇性地以〇間斷之Ci-Ci8 烷基，或可選擇性地以〇間斷之(^-(：18烷氧基， R119及R12G彼此獨立地係可選擇性地以〇間斷之Ci-Ci8^ 基，特別是
於一特別較佳之實施例，本發明係有關於如下化學式 10 之聚合物 R 10
18
CrC18烧基、以D間斷之CrC18烧基、Ci-Cu全氟烧基、CVC 院氧基，或以E取代及/或以D間斷之(^-Cu烧氧基之基取 R202 15 代；特別是
80 200811215 烷基、以D間斷之Ci-C〗8烷基、CrC〗8全氟烷基、CrC18烷氧 基，或以E取代及/或以D間斷之CrC〗8烷氧基，特別是CrC18 烷氧基； R202、R2G3及R2G4之一係R2G2’，且其它基係Η，或R202’。 5 R116及R117係Η、CrC18烷基、以D間斷之Q-Cu烷基、CVC18 全氟烷基、CrC18烷氧基，或以E取代及/或以D間斷之CrC18 烷氧基，特別是(^-(：18烷氧基； R17係CVCu烷基，或CVCn芳基，其可選擇性地以一至三個 CrCu烷氧基取代，其中，Rio及ρπ基之—係化學 10 式-(Sp)xl-HEI之基，特別是
P b
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82 200811215
於進一步之較佳實施例，本發明係有關於包含如下化 學式之重複單元之濛合物
5 XX，其中， X10係化學式I，特別是X、XI及XII(XVI、XVII及XVIII)， 極特別係 Xa、Xia、Xlla及 XIIb((XVIa、XVIIa、XVIIIa及 XVIIIb)，之重複單元； q係整數0、1，或2，o係0、1，或2，r係0，或1 ; 10 AR係C6-C24芳基、以G取代之C6-C24芳基、C2-C2〇雜芳基， 或以G取代之C2-C2G雜芳基，
Ra係H、CVCu烷基、以E取代及/或以D間斷之Q-Cu烷基、 全氟烷基、C2-C18烯基、C2-C18炔基、匕/^烷氧基、 以E取代及/或以D間斷之CVC18烷氧基，其中，E、D及G係 15 如上所界定。 AR於每一發生係相同或相異。AR可衍生自噻吩、2,7-N-烷 83 200811215 .基咔唑、2,7-N-芳基咔唑、3,6_N_烷基咔唑、3,6-N_芳基咔 ϋ坐、苯、π比咬、芴、螺旋雙芴、蒽、菲、芘、唾琳，或萘， 其可以0至2個取代*Ra取代。
額外之重複單元之例子特別是選自鄰、間或對苯撐 5 基、1，4-萘撐基、9，10-蒽撐基、2,7-菲撐基、1，6-、2,7-、4,9-芘、2,7-四氫芘、噁二唑撐基、2,5-噻吩撐基、2,5-吼咯撐 基；2,5-呋喃撐基、2,5-啦啶撐基、2,5-嘧啶撐基、5,8-喳 啉撐基、芴、螺旋-9,9’-雙芴、茚并芴、雜茚并芴、2,7-N-烷基咔唑、2,7-N-芳基咔唑、3,6-N-烷基咔唑，及3,6-N-芳 10 基咔唑所組成之族群。額外之重複單元之較佳例子係
84 200811215
5 本發明之聚合物可顯示高的光致發光性及/或電致發 光性。 僅包含二_基官能性之反應物之聚合反應方法可使用 鎳偶合反應完成。一此偶合反應係由Colon等人於J. p〇i.
Sci. ’ Part A，Polymer Chemistry Edition 28 (1990) 367，及 10 由 Colon等人於J· 〇rg· Chem· 51 (1986) 2627中描述。反應典 型上係於極性非質子性溶劑（例如，二甲基乙醯胺）中以催化 量之鎳鹽、大量之三苯基膦，及大量過量之辞粉塵進行。 此方法之變體係由Ioyda等人於Bull. Chem. Soc. Jpn. 63 (1990) 80描述，其中，有機可溶性碘化物被作為加速劑。 15 另一鎳偶合反應係由Yamamoto於Progress in Polymer
Science 17 (1992) 1153揭示，其中，二鹵基芳香族化合物之 85 200811215 混合物係於惰性溶劑内以過量之鎳（1，5_環辛二烯）錯合物 處理。所有之鎳偶合反應當應用於二或更多種芳香族二鹵 化物之反應物混合物時產生基本上無規之共聚物。此等聚 合反應可藉由添加小量之水至聚合反應混合物，以氫基替 5代終端之鹵素基而終結。另外，單官能性之芳基鹵化物可 作為此等反應之鍵終結劑，造成形成終端之芳基。 鎳偶合聚合反應基本上產生均聚物或包含化學式工之 單元及自其它共單體衍生之單元之無規共聚物。 其中 a = 1，c = 1，b = 〇, d = 1，e = 0, f = 1之化學式 VII 10之均1物可藉由，例如，Suzuki反應獲得： (Vile) ’其中，χΐ〇及Al·3係如上所界定。 芳香族硼酸鹽及鹵化物（特別是溴化物）之縮合反應（一 般稱為"Suzuki反應”)係容忍各種有機官能基之存在，如Ν.
Miyaua 及 A· Suzuki 於 Chemical Reviews，Vol. 95，ρρ. 15 457-2483 (1995)所報導。此反應可被應用於製備高分子量 之聚合物及共聚物。較佳之催化劑係2-二環己基膦基_2，，6，_ 二-烷氧基聯苯/乙酸鈀(Π)。特別較佳之催化劑係2_二環己 基膦基-2’，6’-二_甲氧基聯苯(sPhos)/乙酸把(II)。 製備相對應於化學式聚合物，二鹵化物(諸如， 20二溴化物或二氯化物，特別是相對應於化學式Br—X^Br二溴 化物素)與等莫耳量之相對應於化學式X 1+Α^}χ之二硼酸 或二硼酸鹽於Pd及膦配位體（特別是三苯基膦）之催化作用 200811215 下反應，其宁，χ1〗於每一發生獨立地係·Β(〇Η)2, ·β(〇γ1)2 、- 或 ，其中，γ1於每一發生獨立地係CrQo烷基，且 . γ於每一發生獨立地係CVC1G烷撐基，諸 如 ’ —CYV-CY5Y6-，或一CY7Y8-CY9Y10- CYnY12·，其中， .5 Y3、γ4、γ5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y1。、γΐι及Y12彼此獨立地 係氫，或（VCh)烷基，特別是-C(CH3)2C(CH3)2_， _ 或-C(CH3)2CH2C(CH3)2-。此反應典型上係於約70 °c至180 0C，於芳香族烴溶劑(諸如，甲苯）中進行。其它溶劑（諸如， 二甲基曱醯胺及四氫呋喃）亦可被單獨，或與芳香族烴混合 10使用。含水之鹼(較佳係碳酸鈉、碳酸鉀、K3p〇4，或碳酸 氫鈉鹽)被作為HBr清除劑。依反應物之反應性而定，聚合 反應可t費2至1〇〇小時。有機驗(諸如，四烧基氫氧化銨) 及相轉移催化劑(例如，TBAB)可促進硼之活性（見，例如， Leadbeater & Marco; Angew. Chem. Int. Ed. Eng. 42 (2003) φ 15 1407及其間引述之參考文獻）。反應條件之其它變化係由T· I· Wallow 及 Β· Μ· Novak 於 J· Org· Chem· 59 (1994) 5034-5037 ;及M. Remmers、Μ· Schulze，及G. Wegner於
Macromol· Rapid Commun· 17 (1996) 239-252 中提供。 右要的话’早官能性之芳基鹵化物或芳基刪酸鹽可作 2〇 為此等反應中之鏈終結劑，其會造成形成終端芳基。 可藉由控制Suzuki反應中之單體供料之順序及組成而 控制形成共聚物中之單體單元之序列。 其中 a = l，c = l，b=l，d = 〇，e = 0，f= 〇 之化學式 87 200811215 之均聚物可，例如，藉由Heck反應獲得： -LX1^_T—— (Vlld)，其中，X1G及T係如上所界定。 聚苯撐基乙烯衍生物及聚苯撐基乙炔衍生物可藉由 Heck 反應（R. F. Heck，Palladium Reagents in Organic 5 Synthesis，Academic Press，New York 1985，ρρ· 179; L. S· Hegedus，Organometalics in Synthesis，Ed. M. Schlosser， Wiley，Chichester，UK 1994, pp. 383; Z. Bao, Y. Chen，R. Cai， L. Yu5 Macromolecules 26 (1993) pp. 5281; W.-K. Chan, L. Yu5 Macromolecules 28 (1995) pp. 6410; A. Hilberer, H. -J. 10 Brouwer, B.-J. van der Scheer, J. Wildeman, G. Hadziioannou, Macromolecules 1995，28，4525)及 Sonogaschira 反應 (Dmitri Gelman and Stephen L. Buchwald, Angew. Chem. Int. Ed, 42 (2003) 5993 -5996; Rik R. Tykwinski, Angew. Chem. 115 (2003) 1604 - 1606; Jason M. Nolan and Daniel L. 15 Comins，J· Org. Chem· 68 (2003) 3736-3738; Jiang Cheng et al.? J. Org. Chem. 69 (2004) 5428-5432; Zolta^n Nova^k et al·，Tetrahedron 59 (2003) 7509—7513)使二乙浠基或二乙快 基化合物與二鹵素化合物進行聚合反應而獲得：
n(c2h5)3 P(Ph)3 88 200811215
化學式VII(其中，a係1，b係1，〇係〇.0〇5至〇 995，， e係1 ’ f係0.995至0.005，其中，c&f之總和係！)之(無規)共 聚物亦可藉由Heck反應獲得： • 5 (Vile)，其中，a、b、c、d、 e、f、X1G、八1*3及丁係如上所界定。 含有化學式(I)之基之聚合物可藉由任何適合方法製 備，但較佳係藉由如上所述之方法製備。 本發明之聚合物可選擇性地包含終端部份E!，其中， 1〇 E係芳基部份，其可選擇性地以能進行鏈延伸或交聯之反 ” 土 成一(C^Cis)燒基砍氧烧基取代。於此使用時，能進 曝行鏈延伸或交聯之反應基係指能與另一相同基或另一基反 * 應以形成用以製備聚合物之鍵結之任何基。較佳地，此反 應基係羥基、縮水甘油醚、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙 15稀基、乙炔基、馬來醯亞胺、萘醯亞胺、三氟乙烯細部 伤’或與E1之芳香族環稠合之環丁烯部份。 其中E1係如上所界定之反應基之本發明聚合物能於 100 〇或更多’更佳係150。€：或更多時交聯形成耐溶劑、耐 熱之膜。較佳地，此交聯係發生於350°C或更少，更佳係 2〇 3〇〇°C或更少，且最佳係250oC或更少。本發明之可交聯聚 200811215 合物於100°C或更多且更佳係於150〇c或更多時係安定。，， 安定”於此使用時係意指此等聚合物於所述溫度或更低時 不會進行交聯或聚合反應。若可交聯之材料係所欲時，e1 較佳係乙烯基笨基、乙炔基苯基，或4_(或苯并環丁烯 5基。於另一實施例，E1係選自化學式-QiirO-Y之粉醛衍生 物之族群，其中，Y係
—c-|fi H2 。若要的話，可交聯之基可存在於聚合物鏈之 其它部份。例如，共單體T之取代基之一可為可交聯之基£1。 10 封端劑Θ-Χ'Ε1係如上所界定，且X12係C1或Br)係於其 間形成之聚合物係藉由反應基E1大量封端之條件下併納於 本發明之聚合物内。用於此目的之反應係如上所述之鎳偶 合、Heck反應，及Suzuki反應。平均聚合度係藉由單體對 封端劑之比例而控制。 15 依據本發明之聚合物可藉由熟習此項技藝者熟悉之已 知方法進行，例如，於D· Braun，H. Cherdron，H. Ritter， Praktikum der makromolekularen Stoffe, 1st Edn.? Wiley VCH, Weinheim 1999, p. 68_79 or R. J· Young，R A. Lovell, Introduction to Polymers, Chapman & Hall，London 1991 戶斤 20 述。例如，反應混合物可被過濾，以含水之酸稀釋，萃取， 且於乾燥及汽提掉溶劑後而獲得之粗製產物可藉由自適合 溶劑且添加沈澱劑再沈殿而進一步純化。殘餘之纪可藉由 90 200811215 使用活性碳、色譜分析術等而移除。有利地，殘餘之纪可 藉由於室溫至有機溶劑之沸點時以L-半胱氨酸水溶液清洗 含有聚合物之粗製有機溶劑層而降至<3 ppm，特別是藉由 於85至90 〇c以L·半胱氨酸水溶液清洗含有聚合物之曱苯 5層，選擇性地其後於78至82。(：時以L-半胱氨酸及硫代硫酸 鈉之溶液清洗（Mahavir Prashad，Yugang Liu，Oljan Repicoe，Adv. Synth. Catal. 2003, 345? 533 - 536; Christine E. Garrett, Kapa Prasad, Adv. Synth. Catal. 2004, 346, 889 - 900)。另外，Pd可如US-B-6,956,095所述般藉由 10以NaCl水溶液清洗聚合物而移除。聚合物類似反應可於其 後被完成以進一步使聚合物官能化。因此，例如，終端之 鹵素原子可藉由，例如，以LiAlH4進行還原反應而還原性 地移除（見，例如，J· March，Advanced Organic Chemistry，3rd Edn· McGraw_Hill，p. 510) o 15 本發明之另一方面係有關於聚合物掺合物，含有1至 99%之至少一包含化學式I之重複單元之聚合物。摻合物之 剩餘1至99%係由一或多種之聚合物材料所組成，選自鏈生 長聚合物（諸如，聚苯乙烯、聚丁二烯、聚（甲基丙烯酸曱 酯），及聚(環氧乙烷）、步階式生長聚合物(諸如，苯氧基樹 20 脂、聚碳酸酯、聚醯胺、聚酯、聚胺基甲酸酯，及聚醯亞 胺）；及交聯之聚合物(諸如，交聯之環氧樹脂、交聯之酚醛 樹脂、交聯之胺基甲酸酯樹脂）。此等聚合物之例子可於
Preparative Methods of Polymer Chemistry, W. R. Sorenson 及T· W· Campbell，Second Edition，Interscience Publishers 91 200811215 (1968)中發現。亦可於摻合物中使用者係共軛聚合物（諸 如，聚（苯撐基乙撐基）、經取代之聚（苯撐基乙撐基）、經取 代之聚苯撐基及聚塞吩。此等共輕聚合物之例子係由
Greenham and Friend於Solid State Physics，第 49冊，第 1 149 5 頁（1995)提供。 本發明之另一實施例係以如下化學式之單體表示
X 11 (X_II)，特別是 或 R6 11
X11 (Xllla), 10 其中，A、Rl、R2、R3、r4、R5、R6、r7
X 於每一情況獨立地係_素原子，戈 及x係如上所界定， -OS(0)2-芳基，特別是， 〇s(o)2cf3、 S\ /=\ 0S(0)2CH3、-B(0H)2、-BfOY1),、〜Β、〇〕γ2 ’ 、_BF4Na， 或-BFaK，其中，γ1於每一情況獨立地係
HlG坑基基，且 15 γ於每—發生獨立地係〜烷撐基，諸 如，-CY3Y4-CY5Y6-，或—CYV-CYWcwu 土 ϊ Y - ’其中， 92 200811215 γ3、γ4、γ5、γ6、γ7、γ8、γ9、γ10、γ11 及γ12彼此獨立地 係氫，或CVQo烷基，特別是-C(CH3)2C(CH3)2-， 或-C(CH3)2CH2C(CH3)2-，但附帶條件係下列化合物被排 除：7:8(?)-二溴-3’·硝基菲咪唑、5:10(?)二溴3’-硝基菲咪 5 唑、7:8(?)-二溴-4’·硝基菲咪唑(J_ Chem. Soc· (1923) 1560)，
R1U R17 H “ 1 -辛基 “ 2-乙基己基 “ 2-十六烧基 〇 Η …fy厂 93 200811215 “ 2-乙基己基 “ 2-十六烧基 R7)x
FT R17、入 且進一步之附帶條件係若 於-S(0)n9-R’基，其中 (SU1001855)。 ''係 / ''基，R1()係不同 R’ 係 CF2CF2H，且 n9 係 0-2 依據本發明，較佳之單體係其中X11基係於2,7或3,6位 5 置。 較佳係如下學式之單體
94 200811215
X11 'R1 3 R15 x11 (XIX)，特別是 (XXa),
及/或 χ11 r13R15x11 (XXb)， 其中，X11於每一發生獨立地係鹵素，特別是价或1，特別是
Br ’ 或-〇S(0)2CF3、-B(OH)2、-BCOYbA B、〇’，其中， 5 γ1於每一發生獨立地係CrC1G烷基，且Y2於每一發生獨立地 係 C2-C1()烧標基，諸如， ·〇Υ3Υ4<Υ5Υ6_ ， 或—CY7Y8-CY9Y10_CYiiYt，其中，γ3、γ4、γ5、γ6、γ7、 γ8、γ9、ΥΗ)、γ11及γ12彼此獨立地係氫，或Ci_Cig烷基， 特別是-C(CH3)2C(CH3)2-，或-C(CH3)2CH2C(CH3)2-;但附帶 10 條件係 於化學式X之情況，R8及R9之至少一者係化學式—(Sp)xrHEI 之基，或
若R8及R9 —起形成R2。8 基，R206及R207之至少一者係化 學式-(Sp)xl-HEI之基，或 95 200811215
、、A 若R8及R9—起形成N r21°基，R2G9及R21G之至少一者係化 學式-(Sp)xl-HEI之基； 於化學式XI之情況，R1G係化學式-(Sp)xl-HEI之基； 於化學式XII之情況，R1G係化學式-(Sp)xl-HEI之基，或 5 若X係N-R17基，R1G及R17之至少一者化學式-(Sp)xl-HEI之 基。
下列單體係特別佳：
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97 200811215
98 200811215
99 200811215
R17係CrCh烷基，諸如，正丁基、第二丁基、異丁基、第 5 三丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、正己 基、正庚基、正辛基、m3—四甲基丁基、2_乙基己基、 正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、十三烷基、 十四烷基、十五烷基、十六烷基、2-十六烷基、十七烷基、 十八烧基、一十烧基、二烧基、二十二烧基、二十四 10 烧基’或二十五烧基，特別是2-乙基己基、正辛基、2-十六 烧基’或1-十六烧基’且R G4係CVC^院基，諸如，正丁基、 第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、 一甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、m3-四甲 基丁基、2-乙基己基、正壬基、正癸基、正十一院基、正 十一烧基、十二烧基、十四烧基、十五烧基、十六烧基、 100 15 200811215 5 2-十六烧基、十七烧基、十八烧基、二十烧基、二^--烧 基、二十二烷基、二十四烷基，或二十五烧基，特別是2-乙基己基、正辛基、2-十六烷基，或1-十六烷基，且X11 係如上所界定。 鹵素係氟、氣、溴，及碳。 crc25烷基，若可能，典型上係線性或分支。例子係曱 基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、 • 第三丁基、正戊基、2·戊基、3-戊基、2,2-二曱基丙基、1,1，3,3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1，1，3,3,5,5_六甲基己基、 10 正庚基、異庚基、U，3,3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲 基庚基、正辛基、1,1，3,3·四甲基丁基，及2-乙基己基、正 壬基、癸基、Η—烧基、十二烧基、十三烧基、十四烧基、 十五烧基、十六烧基、十七烧基、十八烧基、二十烧基、 二十一烷基、二十二烷基、二十四烷基，或二十五烷基。 15 • CkCs烷基典型上係甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、 第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、 2,2-二甲基-丙基、正己基、正庚基、正辛基、1，1,3,3-四甲 基丁基，及2-乙基己基。Ci-C4烧基典型上係甲基、乙基、 正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基。 20 cvc25烷氧基係直鏈或分支之烷氧基，例如，曱氧基、 乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、 第三丁氧基、戊氧基、異戊氧基或第三戊氧基、庚氧基、 辛氧基、異辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二 烧氧基、十四烧氧基、十五烧氧基、十六烧氧基、十七烧 101 200811215 氧基，及十八烷氧基。（^-(^烷氧基之例子係甲氧基、乙 氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第二丁氧基、異 丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、2-戊氧基、3-戊氧基、2,2-二甲基丙氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、U，3,3-5 四甲基丁氧基，及2-乙基己氧基，較佳係CrC4烷氧基，諸 如，曱氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、 第二丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基。“烷硫基”一辭係意 指此烷氧基，但醚鍵結之氧原子係以硫原子替代。 C2-C25稀基係直鍵或分支之稀基’諸如’乙稀基、稀丙 10 基、甲基烯丙基、異丙浠基、2-丁烯基、3-丁烯基、異丁烯 基、正戊-2,4-二烯基、3-甲基-丁-2-烯基、正辛-2-烯基、正 十二-2-稀基、異十四稀基、正十二-2-稀基，或正十八-4-烯基。 C2_24炔基係直鏈或分支，且較佳係C2_8炔基，其可未經 15 取代或經取代，諸如，乙炔基、1-丙炔-3-基、1-丁炔-4-基、 1-戍快-5-基、2-甲基-3-丁快-2-基、1，4-五二快-3-基、1,3-戊 二快-5-基、1-己柄-6-基、順-3-甲基-2-戍細-4-快-1·基、反 -3-甲基-2-戍細'-4-快-1-基、1，3-己二快-5-基、1-辛快-8·基、 1_壬炔-9-基、1_癸炔-10_基，或1-二十四炔-24-基。 20 CVC18*氟烷基，特別是CrC4全氟烷基，係分支或未 分支 之基， 諸如， CF3、-CF2CF3、-CF2CF2CF3、-CF(CF3)2、-(CF2)3CF3， 及-C(CF3)3。 “鹵烷基、鹵烯基及鹵炔基”等辭係意指以鹵素部份或 102 200811215 完全取代上述炫基、埽基，及块基而示之基，諸如，>氣 甲土等酸基、酮基、醋基、氨基甲酿基及胺基，，包含以 烷基:環烧基、芳基、芳院基或雜環基取代者，其中，嫁 基％烧基、芳基、芳燒基，及雜環基可為未經取代威嫁 5取代。“石夕烧基"-辭意指化學式_SiR62R63R64之基，立中， R62、R63及R64彼此獨立地係Q^基，特別是Cl_C4嫁基、 Q-C24芳基，或(Vk芳烷基，諸如，三甲基石夕院基，‘石^ 氧烷基"一辭意指化學式_〇_SiR62R63R64之基，其中，R62、 R及R64係如上所界定，諸如，三甲基矽氧烷基。 10 “環烷基”一辭典型上係Q-c〗2環烷基，諸如，環戊基、 %己基、環庚基、環辛基、環壬基、環癸基、環十一烷基、 環十二烷基，較佳係環戊基、環己基、環庚基，或環辛基， 其可為未經取代或經取代。“環烯基，，一辭意指含有一或多 個雙鍵之不飽和脂環烴基，諸如，環戊烯基、環戍二烯基、 15環己烯基等，其可為未經取代或經取代。環烷基(特別是琿 己基）可藉由可以烧基、_素及氰基取代一至三次之 笨基縮合一或二次。此等縮合環己基之例子係：
103 200811215 R5i、R52、R53、r54、r55及r56彼此獨立地係Cl%乎美 Ci-Cs-烷氧基、鹵素及氰基，特別是氫。 5 10 15 20 芳基一般係芳基，較佳係CVC24芳基，其可選擇 性地被取代，諸如，苯基、4-甲基苯基、4·甲氣基苯美芡 基，特別是1-萘基或2-萘基、聯苯基、三聯笨基、芘美2 或μ基、菲基、葱基、四醯基、五酿基、:酿^土: 聯苯基，其可為未經取代或經取代。 ‘‘芳烷基”一辭典型上係C?_C24芳烷基，諸如， 2·苯甲基·2-丙基、β_苯基·乙基、⑽二甲基笨甲基^ 基-丁基、ω，ω-二甲基·ω_苯基_ 丁基、〜 蚊丄、a # 丨一況基、ω-笨 基-十八烷基、CO-苯基_二十烷基 較佳係C7-Cl8芳絲，諸如，、院基’ 甲基本甲基1丙基、β- =:一苯甲基、①·苯基-丁基、①一 特別佳、ω格十二絲，或ω•苯基_权絲，且 _，諸如，苯甲基、2_苯甲基I丙基、 土乙基、α，α·二甲基苯甲基、ω苯基叮基或_-二 ^:苯基·了基，其巾’脂顧基及㈣族烴基可為未經 取代或經取代。 美，談▲鱗基一辭典型上係C6_24芳氧基，~，〇-C6-24芳 #笨氧基或4_甲氧基苯基。“芳基硫峻基，，一辭典型 ?美二1芳〜基’即’ S<^24芳基，諸如，苯硫基或4_甲 某^笨玑基。“氨基甲驢基”一辭典型上係CM8氨基甲醯 ，知佳係cK8氨基甲酸基，其可為未經取代或經取代，諸 =土甲iw基、甲基氨基甲酸基、乙基氨基甲酿基、正 104 200811215 丁基氨基甲酸基、第三丁基數基甲醯基、二曱基氨基甲醯 基氧、嗎琳基氨基甲隨基，或吼咯燒并氨基甲酸基。 燒基胺基、二院基胺基、烧基芳基胺基、芳基胺基及 一芳基中之芳基”及“烧基，，等辭典型上個別係Cl_C25烷基 5 及CVC24芳基。 院基芳基係指以燒基取代之芳基，特別是心心烧基芳 基。例子係甲苯基，諸如，3_甲基_或4曱基苯基，或二甲 苯基，諸如，3,4-二甲基苯基，或3,5二甲基苯基。 雜芳基典型上係C』26雜芳基，即具有五至七個環原子 10之環，或縮合之環系統，其中，氮、氧或硫係可能之雜原 子’且典型上係具有至少6個共乾，電子之具有5至30個原 子之不飽和雜環基，諸如，嗟吩基、苯并阶塞吩基、二苯 并[b，d]噻吩基、噻蒽基、呋喃基、糠基、2H_吡喃基、苯并 呋喃基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、 15吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、二吡啶基、三嗪基、 嘧啶基、吼嗪基、噠嗪基、吲哚嗪基、異吲哚基、吲哚基、 吲唑基、嘌呤基、喳嗉基、醌醇基、異醌醇基、菲嗪基、 二氮雜萘基、喳噁啉基、喹唑啉基、喹啉基、蝶啶基、咔 唑基、咔啉基、苯并三唑基、苯并噁唑基、菲啶基、吖啶 20基、嘧啶基、菲琳基、菲嗪基、·異噻唑基、菲噻唑基、異 嚙唑基、呋咱基或菲噁嗉基，其可為未經取代或經取代。 個別藉由，例如，及R〗7,或R65及R66形成之五或六 成員之環之例子係可具有另一選自氮、氧及硫之雜原子之 105 200811215 具有3至5個碳原子之雜環烷或雜環烯 ，例如 ，Cj
,Ν、 ο -Ν
，或 0 ，其可為二環系統之部份，例如 〇
上述基之可能取代基係(^-(：8烷基、羥基、酼基、Ci_c8 5烧氧基、CrCs燒硫基、鹵素、i -CrC8烧基、氰基、駿基、 酮基、羧基、酯基、氨基曱醯基、胺基、硝基，或矽烷基。 若取代基(諸如，R7)於一基上發生多於一次，其於每一 發生可為相異。 “以G取代”之用字意指一或更多，特別是一至三個取代 10 基G會存在。 如上所述，前述之基可以E取代及/或，若要的話，以D 間斷。間斷當然僅可能於含有至少二個以單鍵彼此連接之 碳原子之基之情況；CVC!8芳基未被間斷，被間斷之芳基炫 基或烷基芳基於烷基部份含有D單元。以一或多個E取代及 15 /或以一或多個D單元間斷之CrC18烷基係，例如， (CI^Ci^COwRX，其中，Rx係Η或CVC10院基，或(：2-(：10烷 醯基(例如，CO-CH(C2H5)C4H9)、CH2-CH(ORy，)_CH2-ORy， 106 200811215 5 其t，R%C「C18烧基、Q-Cu環烷基、苯基、c7-p15苯基 烷基，且Ry’包含與Ry相同之界定或係Η ; CrC8烷撐基-COO-Rz，例如，CH2COORz、CH(CH3)COORz、 C(CH3)2COORz，其中，Rz 係 Η、CrC18 烷基、 (CI^Ci^Ohj-RX ’且Rx包含如上所示之界定； ch2ch2-o-co-ch=ch2; CH2CH(0H)CH2-0-C0-C(CH3)=CH2。 • 較佳之芳撐基係1，4-苯撐基、2,5-甲苯撐基、1，4-萘撐 基、1，9蒽撐基、2,7-菲撐基，及2,7-二氫菲撐基。 10 較佳之雜芳撐基係2,5_吼嗪撐基、3,6-噠嗉撐基、2,5-η比咬樓基、2,5_錢縣、撐基、丨，3-嘆嗤 -2,4-撐基、Un2,5_擇基、2,4·嚷苯撐基、2,5_嘆吩撐 基、1，3-嗯嗤-2,4-揮基、unw撐基，及u，4·嗯二嗤 -2,5-撐基、2,5-茚撐基及2,6_茚撐基。 15 本發明之另—方面係自本發明聚合物形成之膜。此等 20 膜可用於聚合物發光二極體(PLED)。較佳地，此等膜係作 為毛射層此等財可作為電子元件之保護塗層及作為榮 光塗層。此塗層或膜之厚度係依最終用途而定。一般，此 厚度可為G.Glhoo微米。於其中塗層被作為螢光塗層之實 施例，此塗層或膜之厚度侧職微米。於其中塗層被作 ϋΓΓ:層之實施例，此塗層之厚度可為5至20微米。於 塗層被用於聚合物發光二極體之實施例，形成之此層 至°·5微米。本發明之聚合物形成良好之無針孔 、曰鱗膜可藉由此項技藝已知之手段製備，包 107 200811215 3塗覆'噴灑塗覆、浸潰塗覆，及軋式塗覆。此等塗 、、藉由包含使組成物塗敷至基材及使塗敷之組成物曝置 於使，形成之條件之方法製備。形成膜之條件係依塗敷技 #而疋。較佳地，溶液含有0.1至10重量％之此等聚合物。 5此組成物係藉由所欲方法塗敷至適當基材，且溶劑被蒸 · 發。殘餘之溶劑可藉由真空及/或加熱乾燥而移除。膜較佳 、 係於厚度實質上均_且實質上無針孔。於另一實施例，此 等聚合物可被部份固化。此被稱為B-階段。 本么明之來合物係適於作為構光化合物之基質材料， 響 10其中’磷光化合物係與聚合物摻合或共價鍵結。 本發明之另一實施例係有關於一種電子元件或組份， 其係包含一基材及一依據本發明之聚合物。 於此一 70件，依據本發明之聚合物係作為電致發光材 料。為了本發明之目的，”電致發光材料”一辭係意指可作 15為或用於電致發光元件之活性層之材料。，，活性層”一辭音 指此層能於施用電場時發光（發光層）及/或其改良正及/或 負電荷之注入及/或運送（電荷注入或電荷運送層）。本發明 馨 因此亦係有關於依據本發明之聚合物作為電致發光材料之 ， 用途。本發明進一步係有關於一種電致發光材料，其包含 2〇依據本發明之聚合物。電致發光元件被作為，例如，自行 發光之顯示元件，諸如，控制燈、英文字母顯示器、信號， 及光電偶合器。 依據本發明之元件可依據WO99/48160之揭示内容製 備，其内容在此被併入以供參考之用。依據本發明之聚合 108 200811215 物可以唯一發光聚合物或以進一步包含電洞及/或運送電 子之聚合物之摻合物中之一組份而存在於此元件中。另 外，此元件可包含個別之本發明聚合物、運送電洞之聚合 物及/或運送電子之聚合物之層。 5 於一實施例，此電子元件包含一種電致發光元件，其 包含 (a) —於注入正電荷載體之電荷注入層， (b) —用於注入負電荷載體之電荷注入層， (c) 一位於⑻及(b)層之發光層’其包含依據本發明之聚 10 合物。 (a)層可為位於發光層（c)與一陽極電極層間之正電荷 載體運送層，或可為一陽極電極層。（b)層可為位於發光層 (c)及一陰極電極層間之負電荷載體運送層，或可為一陰極 電極層。選擇性地，一有機電荷運送層可位於發光層（(：)與 15 電荷載體注入層（a)及(b)之一者之間。 電致發光元件發射400 nm與780 nm之間，較佳地對於 藍色係430 nm與470 nm之間，較佳地對於綠色係520 11111與 560 nm之間，較佳地對於紅色係6〇〇腿與65()腿之間，之 可見光電磁光譜之光線。藉由使特定之重複單元併入聚合 20物之主幹内’發射可均勻地位移至近紅外線(NIR，> 780 nm) 〇 需瞭解發光層可自包含一或多種之依據本發明之聚合 物及選擇性之進一步之不同聚合物之材料之摻合物或混合 物形成。此等進一步之不同聚合物可為所謂之運送電洞之 109 200811215 聚合物（即’μ改良運送電駐發储料之效率）或運送電 子之聚合物（即，心改良電子運送至發域料之效率）。較 佳地’此摻合物或齡物會W.1之依據本 發明之聚合物，較佳飢2錢重量％，更佳係05至 %。 有機之電致發光元件典型上係由爽置於一陽極及一陰 極間之-有機_組成’如此’ t正偏壓施加至此元件時二 電洞係從陽極注入有機膜内，且電子係自陰極注入有機膜 内私/同及包子結合可產生激子，其可藉由釋放光子而進 1〇灯輻射衰k至基態。實際上，陽極因導電性及透明性之故 普遍地係鍚及銦之混合氧化物。混合氧化物师)係沈積 於透明基材(諸如，玻璃或塑料)上，如此，有機膜發射之光 線可被觀察到。有機膜可為每一層被設計以供個別之功能 之數個個別層之複合物。因為電洞係自陽極注入，鄰接陽 15極之層需具有運送電洞之功能。相似地，鄰接陰極之層需 具有運送電子之功能。於許多例子，電洞（電子)運送層亦作 為發射層。於某些例子，一層可實施運送電洞及電子及發 光之結合功能。有機膜之個別層於性質上可皆為聚合物， 或係聚合物膜及藉由熱蒸發而沈積之小分子之膜之組合。 20較佳地係有機膜之總厚度係少於1000奈米（nm)。更佳地係 總厚度少於500 nm。最佳地係總厚度少於3〇〇 nm。較佳地 係活性(發光)層之厚度係少於400奈米（nm)。更佳係此厚声 係於40至160 nm之範圍。 作為基材及陽極之IT0-玻璃可於以清潔劑、有機溶劑 110 200811215 及紫外線六氧處理之_般清理後用於塗覆。亦可先以薄層 亡導電性物質塗覆以促進電洞注人。此等物質包含銅敗 月來苯胺(PANI)及聚(3,4_乙撐基二氧_嗟吩)(pED〇T);至 少二者係呈其(摻雜）導電型式，例如，以FeCl3或Na2S208摻 5雜。其含有作為對兆離子之聚(苯乙烯磺酸)(pss)以確保水 溶性。較佳地係此層之厚度係2〇〇腿或更少；更佳地係此 厚度係100 nm或更少。 於其中運送電洞之層被使用之情況，美國專利第 5,728,801號案中所述之聚合芳基胺可被使用。纟它已知之 10電洞傳導性聚合物(諸如，聚乙烯基十坐)亦可被使用。此層 對於其後被塗敷之共聚物膜之溶液之腐蝕作用之抵抗性對 於成功地製造多層元件明顯地係重要的。此層之厚度可為 500 11111或更少，較佳係3〇〇 nm或更少，最佳係15〇 nm或更 〇 15 於其中運送電子之層被使用之情況，其可藉由熱蒸發 低分子量之材料或藉由以不會對底下之膜造成顯著損害之 溶劑而溶液塗覆聚合物而塗敷。 低分子Ϊ材料之例子包含8-經基啥琳之金屬錯合物（如
Burrows 等人於 Appl. Phys· Lett· 64 (1994) 2718-2720所 2〇 述）、10_經基苯并喹啉之金屬錯合物（如Hamada等人於Chem.
Lett· (1993) 906-906所述）、1，3,4·噁二唑（如Hamada等人於 Optodectronics_Devices and Technologies 7 (1992) 83-93所 述）、1，3,4_三唑（如Kido等人於Chem· Lett· (1996) 47-48所 述），及苑之二甲醯亞胺(如Yoshida等人於Appl· Phys· Lett· 111 200811215 69 (1996) 734-/736所述）。 聚合物之運送電子之材料係以含i，3,4-a惡二嗤之聚合 物（如Li等人於J· Chem· Soc· (1995) 2211-2212，Yang及Pei 於J. Appl. Phys. 77 (1995) 4807-4809所述）、含 1，3,4-三唑之 5 聚合物（如 Strukelj 等人於Science 267 (1995) 1969-1972所 述）、含喧°惡琳之聚合物（如Yamamoto等人於Jpn· J· Appl. Phys. 33 (1994) L250-L253, O’Brien等人於Synth· Met· 76 (1996) 105-108所述），及氰基-PPV(如Weaver等人於Thin Solid Films 273 (1996) 39-47所述)例示。此層之厚度可為 10 500 nm或更少，較佳係300 nm或更少，最佳係150 nm或更 少。 陰極材料可藉由熱蒸發或藉由喷濺沈積。陰極之厚度 可為1 nm至1〇,〇〇〇 nm，較佳係5 nm至500 nm。 依據本發明製造之OLED可包含分散於此元件之發射 15層之磷光摻雜物，其能達成約100%之内部量子效率。於此 使用時，“磷光，，一辭係指自有機或金屬·有機分子之三重激 發態之發射。使用鱗光摻雜物之高效率有機發光元件已使 用數種不同之導電性宿主材料而證明（M. A.議〇等人， Na㈣，第395冊，151 (1998)，c Adachi等人，¥、 20 Lett” Vol· 77, 904 (2000)) 〇 於一較佳實施例，電致發光元件包含至少一運送電洞 之聚合物膜及-包含本發明聚合物之發光聚合物膜，复係 配置於-陽極材料及-陰極材料之間，如此，於應用電壓 下’當此讀順向偏壓時，電祠自陽極材料注入運送電同 112 200811215 之承口物膜内，且電子自陰極材料注入發光聚合物膜内， 造成自發光層發射光線。 。於1-較佳實施例，運送電洞之聚合物層被配置成使 ^ 帛接近陽極之層具有較低之氧化電勢，且相鄰之層具有逐 ‘ 5触高之氧化電勢。藉由此等方法，具有每單位電壓相對 較高光輸出之電致發光元件可被製備。 運运電洞之聚合物膜"一辭於此使用時係指聚合物膜 • 層當被置於施加電場之二電極間且電洞自陽極注入時，能 使電洞適當地運送至發射聚合物内。運送電洞之聚合物典 10型上包含三芳基胺部份。”發光之聚合物膜，，一辭於此使用 時係指激發態可藉由發射光子（較佳係相對應於可見光範 圍之波長)釋回基態之聚合物膜層。”陽極材料，，一辭於此使 用時係指具有4.5電子伏特(eV與5 · 5 e V間之功函數之半透明 或透明之導電膜。例子係金、銀、銅、鋁、銦、鐵、鋅、 15錫、鉻、鈦、釩、鈷、鎳、鉛、錳、鎢等，金屬合金，諸 馨 如，鎂/铜、鎂/銀、鎂/銘、鋁/銦等，半導體，諸如，Si、 、 Ge、GaA4，金屬氧化物，諸如，銦-錫·氧化物(“ITO”）、
ZnO等，金屬化合物，諸如，CuI等，及導電聚合物，諸如， 聚乙炔、聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚對苯撐等。銦及錫 °之氧化物及混合氧化物，及金係較佳。最佳係ITO，特別是 於作為基材之玻璃或於塑料(諸如，聚酯，例如，聚對苯二 甲酸乙二酯（PET)上之ITO。 °陰極材料”一辭於此使用時係指具有2.0 eV與4.5 eV間 之功函數之導電膜。例子係鹼金屬、鹼土金屬、第13族元 113 200811215 素 '銀，及銅，與其合金或混合物，諸如，鈉、裡、鉀、 鈣、氟化鋰(LiF)、鈉-鉀合金、鎂、鎂-銀合金、鎂-銅合金、 鎮-鋁合金、镁-銦合金、鋁、鋁-氧化鋁合金、鋁_鐘合金、 銦、鈣，及EP-A499,011中例示之材料，諸如，導電聚合物， 5 例如，聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔等。較佳地，鋰、 鈣、鎂、銦、銀、鋁，或上述之摻合物及合金被使用。於 使用金屬或金屬合金作為用於電極之材料之情況，電極亦 可藉由真空沈積方法形成。於使用金屬或金屬合金作為形 成電極之材料之情況，電極可另外藉由化學電鍍方法（見， 10 例如，Handbook of Electrochemistry，383_387頁，Mazuren， 1985)形成。於使用導電聚合物之情況，電極可藉由陽極氧 化聚合反應方法使其於事先以導電塗層提供之基材上形成 膜而製造。 作為形成5亥缚膜之方法’有’例如，直空沈積方法、 15 旋轉塗覆方法、鑄製方法、Langmuir-Bl〇dgett(“LB”)方法、 噴墨印刷方法等。此等方法中，真空沈積方法、旋轉塗覆 方法、噴墨印刷方法，及鑄製方法基於操作輕易性及費用 而言係特別佳。 於藉由使用旋轉塗覆方法、鑄製方法，及喷墨印刷方 20法形成此等層之情況，塗覆可使用藉由使組成物以〇_ 至90重量％之濃度溶於適當有機溶劑(諸如，苯、曱苯、一 甲苯、四氫吱喃、甲基四氫吱喃、ν，ν·二甲基甲酿胺、丙 鋼、乙腈、苯甲_、二氯甲炫、二甲基亞石風，及其等之現 合物）而製備之溶液完成。 114 200811215 本淼明之有機電致發光元件係以用於壁上電視機之平 面顯示器、平面發光元件(諸如，壁紙）、影印機或印表機之 光源液阳顯示g或王作檯之光源、顯示印號板，及信號 光甚至可施替代白熾燈及日光燈之未來替代技術見到。 5本發明之聚合物及組成物可用於有機電致發光元件、光電 壓元件、電照相之光接受體、光電轉化器、太陽能電池、 圖像感應器等之領域。 口此，本發明亦係有關於包含一或多種依據本發明之 聚合物之PLED、有機積體電路(0_IC)、有機場效電晶體 10 (OFET)、有機薄膜電晶體(〇TFT)、有機太陽能電池(〇_sc)、 熱電元件、電致變色元件，或有機雷射二極體。 下列例子僅係用於例示目的而被包含，且非用以限制 申請專利範圍之範圍。除非其它表示，所有之份數及百分 率係以重量計。 15 重量平均分子量(Mw)及多分散性(Mw/Mn = PD)係藉由 凝膠滲透色譜分析術(GPC)決定『裝置:Viscotek (Houston, TX，USA)之GPCmax + TDA 302，產生折射率(RI)，、低角度 光散射(LALS)、直角光散射(RALS)及差式黏度(DP)測量之 回應。急譜分析條件:管柱：Polymer Laboratories (Church 2〇 Stretton，UK)之涵蓋約1 x 1〇3至約2.5 x 1〇6 Da之分子量範 圍之PLgel混合C (300 x 7.5 mm，5 μπι顆粒）；移動相：含有 5克/公升之三氟乙酸鈉之四氫吱喃；移動相流速：0.5或0.7 毫升/分鐘；溶質濃度··約1-2毫克/毫升；注射體積：1〇〇 μΐ; 檢測：RI、LALS、RALS、DP 〇分子量校正鞀年.相對校正 115 200811215 係藉由使用自 Polymer Laboratories(Church Stretton，UK)獲 得之分子量範圍係Γ930,000 Da - 5,050 Da之一組10個聚 苯乙烯校正標準物為之，即，PS 1，930,000、PS Γ460,000、 PS 1’075’000、PS 560,000、PS 330,000、PS 96,000、PS 5 52’000、PS 30’300、PS ΙΟ’ΙΟΟ、PS 5,050 Da。絕對校正係 以LALS、RALS及DP之回應為基準為之。如於大量研究所 遭遇，此組合提供分子量數據之數佳計算。一般，PS 96,0〇〇 係作為分子量校正標準物，但一般位於欲被決定之分子量 範圍之每隔一 PS標準物可被選用於此目的。 10 如下實施例中所示之所有聚合物結構係經由所述聚合
反應程序而獲得之聚合物產物之理想化表示。若多於二種 組份彼此共聚合，聚合物内之序列依聚合反應條件而定可 為交替式或無規 15 實施例1
OH
+ nh2 nh2 a) 5·00克(40·3毫莫耳）之3,‘二胺基酚添加至於乙醇 (200¾升）内之7.06克(33.6毫莫耳)之苯偶醯之懸浮液。反應 混合物於迴流下攪拌。3小時後，添加水(2〇〇毫升），且反應 20混合物冷卻至室溫，過濾，且以乙醇清洗而提供產物，呈 灰棕色固體(產率：9.89 g (99%))。 116 200811215
b)4.14克（18.1毫莫耳)之4-(2-溴-乙氧基)·苯甲醛、5·21 克(37.7毫莫耳）之碳酸鉀，及60毫升之二甲基甲醯胺添加至 4.50克（15.1毫莫耳）之實施例la之產物。反應混合物於100 °(：之氮氣下攪拌。3.5小時後，添加水(60毫升），混合物冷 卻至室溫，且過濾及以水清洗而提供產物，呈淡棕色固體 (產率：6.61 g (98%))。
c) 2.31 克(6.31 毫莫耳）之2,7-二溴-菲·9，10-二酮、4.86 10 克（63.1毫莫耳）之乙酸銨，及43毫升之乙酸添加至2.68克 (6.01毫莫耳)之實施例lb之產物。反應混合物於120 °C之氮 氣下攪拌。22小時後，混合物冷卻至室溫，過濾且以水清 洗而提供產物，呈米色固體(產率:4.81 g (96%)。
^〇〇3
DMF 15 d) 6·06克（19·8毫莫耳)之1-溴-2-十六烷、3.13克(22.6毫 117 200811215 莫耳）之碳酸鉀，及45毫升之二甲基甲醯胺添加至4.50克 (5.68毫莫耳）之實施例1c之產物。反應混合物於120 °C之氮 氣下攪拌。48小時後，混合物冷卻至室溫，倒至水上，且 以CH2C12萃取三次。有機層於Na2S04乾燥，過濾，且於真 5 空中濃縮。藉由閃式管柱色譜分析術純化（環己烷/EtOAc 6:1)提供產物，呈淡黃色固體(產率：3.62 g (63%))。 實施例2
521.5 毫克（1.5801 毫莫耳，1 eq.)之 3 及 321.4 克(0.3216 10毫莫耳，〇·2 eq·)之實施例Id)之產物與1.2225克（1.2641毫莫 耳’ 0.8 eq)之2溶於5毫升甲苯及5毫升二嗔烧。混合物以氬 氣脫氣。38.9(0.0948毫莫耳）之2-二環己基膦基二·甲 氧基聯苯及其後之35毫克(0.0158毫莫耳）之乙酸鈀(11)被添 加。於3宅升水中之1.915克(7.900¾莫耳)碟酸鉀三鹽基單水 15 合物之脫水溶液被添加。反應混合物於90 °C之氬氣氛圍下 擾摔27小時。於反應期間’反應混合物以衫毫升甲苯稀釋。 0.443克(2.3702毫莫耳)之經脫氣之4_演苯甲醚被添加，且反 應混合物攪拌17小時。於3毫升之經脫氣之曱苯内之〇925 克(3.95¾莫耳）之2·(4-甲氧基·苯基)-4,4,5,5-四甲基-1，3,2_ 20二噁硼烷被添加。反應混合物攪拌2小時，且於添加1〇〇毫 118 200811215
升之1 %氰化鈉溶液後攪拌3小時。有機相被分離，且倒至 甲醇内。聚合物被過濾且以甲醇清洗。此程序重複一次。 聚合物溶於四氫呋喃（THF)，倒至甲醇内，及過據。M (GPC，聚苯乙烯標準物）= 348000克/莫耳；|>d = 2.10。 5 實施例3
2-(4-溴-苯基)-5-(4_第三丁基-苯基)_[1，3,4]噁二唑可如 Macromolecules 2002, 35, 3, 850 — 856 中所述般製傷。
a) 5.0Ό克（14宅莫耳)之2-(4-漠-苯基)-5-(4-第三丁基-苯 1〇 基)-[1，3,4]°惡二σ坐於氬氣下溶於230毫升之四氫吱喃（thf) 内。溶液冷卻至-78 °C，且5.9毫升（14·7毫莫耳)之於己烷内 之正丁基經之2·5Μ>谷液被添加。反應混合物授掉1〇分鐘。 5.12克(70·0毫莫耳）之二甲基甲醯胺(DMF)被添加。反應混 合物加溫至25。(：。水及二氣甲烷被添加。有機相被分離且 15以硫酸鎂乾燥。溶劑於真空中移除。添加二乙基醚，且混 合物被迴流。混合物冷卻至25 °C後，產物被過濾(產量：2.83 克(66%)) 〇
b)對2.50克(6·83毫莫耳)之2,7-二溴_菲-9，10-二酮，添加 20 2·51克(8.20毫莫耳)之實施例3a之產物及2.63克(34.2毫莫耳) 119 200811215 之乙酸銨，15Q毫升之乙酸。反應混合物於氮氣下迴流1小 日守冷卻至25 °C，且產物被過濾、。產物以乙酸、水、破酸 氫納溶液及甲醇清洗(產量3.89克(89 〇/0))。
c)於20毫升之二甲基甲醯胺(DMF)内之3.90克（5.98毫 莫耳)之實施例3b之產物、1.65克（12.〇毫莫耳)之碳酸鉀，及 5
1.83克（5.98¾莫耳）之7-溴曱基_十五烧於12〇 之氮氣下 加熱48小時。反應混合物冷卻至25 〇c，添加二氣曱烷，且 1〇洛液於矽石凝膠過濾。溶劑於真空中移除，且添加環己烷。 心唑衍生物(形成之副產物)被過濾。溶劑被蒸餾(產量：1 94 克（69 %)之咪唑型產物及〇·43克之如下化學式之噁唑衍生 物：
15實施例4 重複實施例2,但實施例允之產物被使用以替代實施例 Id之產物。 、
120 200811215 實施例5 對500毫克（1·37毫莫耳)之2,7·二溴·菲-9，10_二_，& 500毫克（1·64毫莫耳）之實施例3a之產物及530毫克（6.83亳 莫耳）之乙酸銨，40毫升之乙醇。反應混合物於氮氣下迪浪 5 5小挎。反應混合物冷卻至25 ，且產物被過濾及以' 水、碳酸氫鈉溶液及曱醇清洗(產量：700毫克(78 %)) ° 實施例6 ^ ^
重複實施例2，但實施例5之產物被使用以替代f Id之產物。 10 【阁式簡單說明】 (無） 【主要元件符號說明】 (無） 121

Claims (2)

  1. 200811215 十、申請專利範圍： 1. 一種聚合物，包含如下化學式之重複單元
    (lb)， 5 其中，A係5-、6-或7-成員之雜芳香族環，其含有至少一 選自氮、氧及硫之雜原子，特別是一氮原子及至少一選 自氮、經取代之氮、氧及硫之另外之雜原子， R1、R2、R3、R4、R5及R6彼此獨立地係氫、鹵素，或有 機取代基，或二R1、R2、R3、R4、R5及R6取代基，特別 10 是彼此相鄰之R1與R2，R4與R6，R2與R3，R5與R3及/或 R5與R6—起形成芳香族，或雜芳香族環，或環系統，其 可選擇性地被取代， R7係有機取代基，其中，於相同分子内之二或更多個R7 取代基可具有不同意義，或可一起形成芳香族，或雜芳 15 香族環，或環系統，且 X係0，或1至5之整數，或 Ri、R2、R3、R4、R5、R6，及/或R7係_(Sp)xl-HEI基，其 122 200811215 中， Sp係間隔基單元， HEI係增加聚合物之注入電洞及/或運送電洞之性質之 (HEI1)基；或增加聚合物之注入電子及/或運送電子之性 5 質之(HEI11)基；或增加聚合物之注入電洞及/或運送電洞 之性質及增加聚合物之注入電子及/或運送電子之性質 之(HEI111)基， 乂1係0，或1;但附帶條件係取代基111、112、113、114、115、 R6及R7之至少一者係-(Sp)xl-HEI基，但附帶條件係依據 10 W006/097419之實施例 104、105、106、109及 110獲得 之聚合物被排除。 2.如申請專利範圍第1項之聚合物，包含如下化學式之重複 單元：
    (XI)及/或 X人N
    123 200811215
    及/或 (XVIII)，其中， R1及R4彼此獨立地係氫、鹵素、CrC18烷基、以E取代 5 及/或以D間斷之Ci-Cu烷基、CVCu全氟烷基、C2-C18_ 基、C2_C1S炔基、CVCu烷氧基、以e取代及/或以D間斷 之^-(：18烷氧基、CN，或-CO-R28， 10 R10
    R、R3、R5及R6彼此獨立地係H、鹵素、Ci_Ci8燒基、以 E取代及/或以D間斷之Cl_Cl8烷基、Ci_Ci8全氟烷基、 (VC24芳基、以G取代之CpC24芳基、C2_C2。雜芳基、以 G取代之C2-C2。雜芳基、C2_Ci8稀基、c2_Ci8炔基、Ci_Ci8 =氧基、以E取代及/或以D間斷之Ci_Ci8烧氧基、C7_C25 芳燒基、CN，或-CO-R28， 及R彼此獨立地係Η、Ci-Ci8烧基、以e取代及/或以D 斷之Cl Cl8燒基、Cl_Cl8全就烧基、C6-C24芳基、以G 取代之CVC24芳基、C2_C2Q雜芳基,取代之㈣。雜 124 15 200811215 芳基、CVC18烯基、C2‘c18炔基、crc18燒氧基、以_ 代及/或以D間斷之(^-€：18烷氧基、〇7<25芳烷基、CN， 或-CO-R28，或
    基，或其中，R206’、R208,、R2〇5、R2〇6、R207、r208、r2〇9
    及R彼此獨立地係H、CVC〗8燒基、以E取代及/或以d 間斷之烷基、CVC!8烷氧基，或以e取代及/或以D 間斷之Cl_Ci8烷氧基、Ci-C!8全氟烷基、C6-C24芳基、以 G取代之C6-C24^•基、C2_C2〇雜芳基、以G取代之c2-C2〇 雜芳基、C2-C18烯基、c2-c18炔基、c7-c2#烷基、CN， 或-CO-R28， R10係Η、CVCu烷基、以E取代及/或以D間斷之(^(：18烷 基、CVC18全氟烷基、C6_C24芳基、以G取代之C6-C24芳 基、C2-C2〇雜芳基、以G取代之c2-C2〇雜芳基、〇：2-(：18烯 基、C2_C1S快基、CVC〗8燒氧基、以e取代及/或以d間斷 之Ci-C18^氧基、C7-C25芳烧基，或_c〇-R28， R11及R14彼此獨立地係氫、鹵素、烷基、以E取代 及/或以D間斷之CrCu燒基、CVC〗8全氟烧基、C2-C18烯 基、CVCa炔基、CrCls烧氧基、以e取代及/或以D間斷 之〇〗-(：18烷氧基、CN，或-CO-R28， R12、R13、R15及R16彼此獨立地係H、鹵素、Ci_Ci8烧基、 以E取代及/或以D間斷之烷基、CrC18全氟烷基、 125 200811215 C6-C24芳基、以G取代之c6_c24芳基、C2_C2G雜芳基、以 G取代之C2-C2〇雜芳基、C2-Cl8烯基、C2-Cl8炔基、CrC18 燒氧基、以E取代及/或以d間斷之氧基、C7-C25 芳烷基、CN或-CO-R28， X係 0、S，或NR17，其中，R17係 η ; 〇：6-(：18基；C2-C20 雜芳基；以CVCu烧基、（^-<：18全氟烷基，或CVCm炫氧 基取代之CVC18芳基或c2-c2G雜芳基·，Crc18烷基；或以 間斷之cvc18燒基； 或彼此相鄰之二取代基R1與R2、R4與R6、R11與R12，及 / 或 R14 與 R16、R2 與 R3、R5 與 R6、R12 與 R13，及/或 R15 與 R105 R105 R106 Ύ1。6 、、、^ri〇7 '^rr^R108, R16—起形成r1°8 ，或r1。7 r1Q8 基，或彼此相鄰 106 ：(1〇7 之二取代基R15與R13，及/或R5與R3 —起形成/ R ，或 ，·Χ 基，其中，X3係0、s、C(R119)(R120)，或 NR17，其 中，R17係如上所界定，R105、R106、Ri〇7、R108、R106’ 及R1G8’彼此獨立地係Η、烷基、以E取代及/或以D 間斷之CrC18烷基、CrC18烷氧基，或以E取代及/或以D 間斷之氧基， R119及R120 —起形成化學式=CR121R122，其中 R121及R122彼此獨立地係H、CVC〗8烷基、以E取代及/或 以D間斷之CrC18烷基、C6-C24芳基、以G取代之C6_C24 126 200811215
    10 15
    20 芳基，或C2_C20雜芳基，或以G取代之C2-C20雜芳基，或 R119及R12G—起形成五或六成員之環，其可選擇性地以 CrC18烷基、以E取代及/或以D間斷之CVCu烷基、C6-C24 芳基、以G取代之C6-C24芳基、CVC2〇雜芳基、以G取代 之C2-C2〇雜芳基、C2-C18烯基、C2-C18炔基、CrCi8烷氧 基、以E取代及/或以D間斷之CrC18烷氧基、C7-C25芳烷 基，或-C(=0)-R127取代，且 R127係Η ; C6-C18芳基；acrc18烷基或氧基取 代之C6-Cl8芳基；Ci_Ci8烧基；或以〇_間斷之烧 基， D 係-CO-; -COO-; -S-; -SO-; -S02-; -NR25-; 麵SiR30R31·; -POR32-; -CR23=CR24-;或且 E 係 -OR29; -SR29; -NR25R26; -COR28; -COOR27; -CONR25R26; -CN; 或鹵素；G係E、CrC18烷基、以D間斷之CVCm烷基、 全氟烷基、CrC18烷氧基，或以E取代及/或以D間 斷之Ci_Ci8烧氧基’其中’ R23、R24、R25及R26彼此獨立地係H; C6-C18芳基；aCi-Cu 烷基或cvc^烷氧基取代之c6-c18芳基；crc18烷基；或 以-0-間斷之C〗-Ci8烧基，或 R25及R26 —起形成五或六成員之環，特別是
    127 200811215
    〇 —N —N r 0 ，或 0 , R27及R28彼此獨立地係H; C6-C18芳基；以CrC18烷基或 CVCu烷氧基取代之c6-C18芳基；CVCu烷基；或以間 斷之烷基； 5 R29係H; C6-Ci8芳基；以CrC18烧基或CVC18烧氧基取代 之c6-c18芳基；CVC18烧基；或以間斷之Q-Cu烧基， R30及R31彼此獨立地係Ci-Cu烷基、c6-c18芳基，或以 CkC〗8烷基取代之CVC18芳基，且 R32係Cr_C18烧基、C6-C18芳基，或以crC18烧基取代之 10 C6-C18芳基，或 R1、R2、R3、R4、R5、R6、R11、R12、R13、R14、R15、 R16、R206’、R208’、R205、R206、R207、r208、R209、R210、 R1。5、R·、Rl〇7、Rl08、Rl06,、Rl08,、r8、r9、r1〇，及/ 或R17 係—(Sp)xl-HEI基，其中， 15 sP、xl及HEI係如申請專利範圍第i項中所界定，但附帶 條件係取代基R1、R2、R3、R4、R5、、Rii、r12、r13、 R14、Π15、R16、R206,、R208,、R2〇5、R206、r207、r208、 R209、R2i〇、ri〇5、ri〇6、r107、r108、r106,、r1〇8,、r8、 2〇 R9、RlQ，或 Rl7之至少一者係-(Sp)xl-HEI基。 如申睛專利範圍第2項之聚合物，包含化學式χ或XI之重 複單元， 其中，R1及R4係氫， 128 2o〇811215 =、R3、R5及R6彼此獨立地係h、Ci_Ci8烷基 、以D間 5
    斷之CrC】8燒基、Cl_Cis全氟燒基、CIA烧氧基、以D 1斷之CVC〗8烧氧基、CVC25芳烧基，或一X2-Ris基， 、一及R彼此獨立地係Η、CrCu燒基、以D間斷之Crc18 、元基CrCls全氟烷基、cVCu烷氧基、以D間斷之(^<18 燒氧基，或—X、Ri8基，或 彼此相鄰之二取代基以與汉3及/或及5與r6一起形成 R105 '人。7 ^108 K 基，或彼此相鄰之二取代基R5&R3 一起形成 、、、/R106 Γ /、R107 基，其中，Ri〇5、Ri〇6、R⑻及_R_彼此獨立地係 H ’或Crc8烷基，或
    ，207 15 及R9—起形成，或Ν…^基，其中，r2〇5 R2°6、d〇8、及 r21。彼此獨立地係 H、Ci_c^ 基、以E取代及/或以D間斷之Ci_Ci8烷基、 基，或以E取代及/或以D間斷之Ci_Ci8烷氧基、C1_C18 鼠燒基， ^210 玫係Η、可以G取代之CVC〗8芳基、可以G取代之c _c 雜公甘 218 ”方基、CrC滅基、以D間斷之Ci_Cl8燒基、C1_C18全 氟烷基、CrC!8烷氧基、以E取代及/或以D間斷之Ci_Cu 烷氧基，或一xVr18基，其中，X2係間隔基，諸如，c6_Ci2 129 200811215 芳基，或c6-c12雜芳基，特別是苯基，或萘基，其可以 Q-Cu烷基、以D間斷之CrC18烷基、CrC18全氟烷基、 CrC18烷氧基，或以E取代及/或以D間斷之CrC18烷氧基 取代一或多次，特別是一至二次，且R18係Η、（^-€：18烷 5 基、以D間斷之Ci_Ci8烧基、Ci_Ci8全敦烧基、Ci_Ci8烧 氧基、以D 6間斷之CVCu烷氧基，或_NR25R26 ; D 係-CO·; -COO-; -S-; -SO-; -S02-; -NR25·; ·αΐ23=€Ι124-;或-oc-;其中， R23、R24、R25及R26彼此獨立地係Η; C6-C18芳基；以(^-(：8 10 烷基或CrC8烷氧基取代之C6-C18芳基；CVCs烷基；或以 -0-間斷之CrC8烷基，或R25及R26 —起形成五或六成員 0 0 0
    之環，特別是 〇 ， Q ，或 Q ;或 R105、R106、R107、R108、R205、R206、R207、R208、R209、 —N R210、R8、R9，及/或R10係一(Sp)xl-HEI基，其中，Sp、xl 15 及Η EI係如申請專利範圍第1項中所界定，但附帶條件係 取代基R105、R106、R107、R108、R205、R206、R207、R208、 4.如申請專利範圍第2項之聚合物，包含如下化學式之重複 單元 130 200811215
    (Xlla)，及/或 R (Xllb),
    其中， R10係Η、可以G取代之CVC18芳基、可以G取代之C2-C18 雜芳基、CrC18烷基、以D間斷之CrC18烷基、（^-(：18全 氟烷基、CVC!8烷氧基、以E取代及/或以D間斷之Q-Cm 烧氧基，或-x2-R18基，其中，X2係間隔基，諸如，C6-C12 芳基，或Cg-Cu雜芳基，特別是苯基，或萘基，其可以 Ci_C!8烧基、以D間之Ci_Ci8烧基、Ci_Ci8全氣烧基、 CrC!8烷氧基，或以E取代及/或以D間斷之CrC18烷氧基 取代一或多次，特別至一至二次，且R18係Η、（^-€：18烷 基、以D間斷之基、C〗-Ci8全氟烧基、Ci-Ci8烧 氧基、以D間斷之CVC18烧氧基，或-NR25R26-; R11及R14係氫， R12、R13、R15 及 R16係氫， R係C6-C18芳基；以Cl_Cl8烧基、Cl_Cl84氟烷基，或 CkC18烧氧基取代之c6-Ci8芳基；Ci_Ci8烧基；或以_〇-間 斷之CVC〗8燒基；或 彼此相鄰之二取代基R12與R13及/或R15與R16—起形成 基，或彼此相鄰之二取代基R15及R13 —起形成 131 200811215 / r1。7基，其中，R105、R106、R107及R108彼此獨立地係 Η，或匕-心烷基， D係-S-; 或-NR25-; E係-OR29; -SR29; -NR25R26; -CN;或F; G係E、(^‘。烷 5 基、以D間斷之CVC18烷基、CVCm全氟烷基、（^-(:^烷 氧基，或以E取代及/或以D間斷之Q-Cu烷氧基，其中， R25及R26彼此獨立地係H; C6-C18芳基；以匕-匕烷基或 CVC8烷氧基取代之C6-C18芳基；CrC8烷基；或以-0-間 斷之Q-Cs烷基，或
    10 R25及R26—起形成五或六成之環，特別是 0 0 0
    —N 0 ，或 0 ，且 R29係c6-c18芳基；acrc18烷基或crc18烷氧基取代之 C6-C18芳基；cvc18烷基；或以·0-間斷之CVCu烷基；或 R1G，及/或R17係-(Sp)xl-HEI基，其中，Sp、xl及HEI係 15 如申請專利範圍第1項中所界定，但附帶條件係取代基 R1G或R17之至少一者係-(Sp)xl-HEI基。 5.如申請專利範圍第1至4項中任一項之聚合物，其中，HEI1 係如下化學式之基， 132 200811215 、k' (lla)，
    Ν—Α· (lib), -A—N—BU — N~A A1 A_ (llc)，其中，BU係橋接單元，諸如
    133 200811215
    )m R* (Ilk)，其中 5 10 15 R41於每一發生可為相同或相異，且係Cl、F、CN、 N(R45)2、CVCh烷基、（34名18環烷基、CVC25烷氧基， 其中，彼此非鄰接之一或多個碳原子可以-NR45-、-Ο-、 -s-、_c(=o)_o-，或-o-c(=o)-o-替代，及/或其中，一或 多個氫原子可以F、C6-C24芳基，或C6-C24芳氧基替代， 其中，一或多個碳原子可以Ο、S，或N替代，及/或其可 以一或多個非芳香族基R41取代，或 二或更多個R41基形成一環系統； R42於每一發生可為相同或相異，且係CN、Q-Ch烷基、 C4-C18環烷基、CrCh烷氧基，其中，彼此非鄰接之一或 多個碳原子可以-NR45·、_0-、-S-、_C(=0)-0-，或 -0-C(=0)-0-替代，及/或其中，一或多個氫原子可以F、 C6-C24芳基，或C6-C24芳氧基替代，其中，一或多個碳原 子可以Ο、S，或N替代，及/或其可以一或多個非芳香族 基R41取代，或 二或更多個R42基形成一環系統； R44於每一發生可為相同或相異，且係氫原子、Cr-Cu烷 基、C4-C18環烷基、CVCm烷氧基，其中，彼此非鄰接 之一或多個碳原子可以-NR45-、-0-、-S_、-C(=0)-0- ’ 或-0-C(=0)-0-替代，及/或一或多個氫原子可以F、C6_C24 134 20 200811215 方基，或CVC24芳氧基替代，其中，一或多個碳原子可以 0、S，或N替代’及/或其可以'一或多個祚芳香族基尺4!， 或CN取代，或 5 10 15
    :鄰接之二或更多個R44基形成^環； CrC25 燒基、Cl、C25燒氧基、C4-C18 環烧基、CrC25 烷氧基’其中，彼此非鄰接之一或多個碳原子可 以 NR •、-〇一 4一 卜〇)_〇_，或·〇{(=0)-0-替代，及 或多個氫原子可卿、C6_c24芳基，或C6-C24芳氧基 ' ’、中 或夕個石炭原子可以〇、S，或N替代，及/ 或其:以-或多個非芳香族基r4i取代； m於母务生可為相同或相異，且係〇、1、2，或3，特 別是—0、卜或2,極特別地係〇或1; η於每發生可為相同或相異，且係〇、1、2，或3，特別 是〇、1 ’或2，極特別係0或1 ; Α1及Α1彼此獨立地係c^C24芳基、雜芳基，其可以 一或多個非芳香麵R41取代，或no2，㈣是苯基、萘 基、蒽基、聯笨基、2_芴基、菲基，或茈基，其可以一
    或多個非芳香族基R41取代，諸如
    135 200811215
    A2係C6-C3G芳撐基，或C2-C24雜芳撐基，其可選擇性地被
    136 200811215
    與和其鍵結之氮原子一起形 (r41W!!w
    ^ OgG 成雜方香族％ ’或環系統，諸如， ： ，豆中， R116及R117彼此獨立地係Η、鹵素、-CN、C〗_C18烷基、以 E取代及/或以D間斷之Ci-Cu烷基、C6-C24芳基、以G取代 之CVCm芳基、C2-C2G雜芳基、以G取代之C2-C2〇雜芳基、 C2-C18烯基、C2_C18炔基、CrC18烷氧基、以E取代及/或 以D間斷之CrC18烷氧基、C7-C25芳烷基、 -C(=0)-R127、-C(=0)0R127，或—C(=0)NR127R126， R119及R12G彼此獨立地係C1-C18烧基、以E取代及/或以D 137 10 200811215 間斷之CrC〗8院基、q-c：24芳基、以G取代之C6_Cm芳基、 c2-c2〇雜芳基、以G取代之C2-C2G雜芳基、C2_Cu稀基、 CrCi8炔基、CrCl8烷氧基、以E取代及/或以D間斷之 CrCu烧氧基，或c7_C25芳烷基，或 Rl19及Rl20一起形成化學式=CR121R122,其中， R121及R122彼此獨立地係H、Cl_Cl8燒基、以E取代及/或以 D間斷之CVC18烷基、C6-C24芳基、以G取代之C6_Cm芳 基，或c2_c20雜芳基，或以G取代之C2_c讀芳基，或 10 15 R119及R12。-起形成五或六成員之環，其選擇性地可以 CVC〗8烧基、以E取代及/或以D間斷之Ci_Cn燒基、c c 芳基、以G取代之C6_C24芳*、㈣。雜芳基二g6取: 之CVC2❹雜芳基、cvc,8烯基、C2_Ci8炔基、Ci_c滅氧基、 以E取代及/或以D間斷之Cl_Ci8烷氧基、仏<25芳烷 或一C(=0)-R127取代，且 、 以C1-C18烷基或 燒基；或以-〇-間 R126及R127彼此獨立地係H; C6-C18芳基; Ci-C18烧氧基取代之c6-C18芳基；Ci-Cu 斷之烷基， 20 D 係-CO-、_COO_、_S-、-SO-、_s〇 2-、·〇-、-NR65-、 、-CR =Cr64- ’ 或·GC-，且 E 係 SiR7GR71_、-POR 72 -0Re > 65τ> 66 -SR69 > -NR0：)R66 ^ -COR68 ^ -COOR67.. 或鹵素， C〇NR65r66、CN， G係E，或CVC18烷基， 以 Ci-Cis R63、R64、R65及R66彼此獨立地係H; CrCu芳基 138 200811215 烧基、Ci-C^炫氧基取代之 -0-間斷之cvc18烷基；或 18芳基；CrCw烧基；戒以 -n^O R65及R66-起形成五或六成員切，特別是， 0 0
    5 10
    Ο ，或 0 ，R65’ 係 R65， M7及R68彼此獨立地係H; CVCi8芳基；以Ci_Ci8烷基或 CrCi8烷氧基取代之CVCu芳基；CrCi8烷基；或以-〇-間 斷之Ci_Ci8烧基， R69係H; C6-C18芳基；以CrC18燒基、crC18烧氧基取代之 C6-C18芳基；CrC18烧基；或以_〇_間斷之crC18烧基， R7G及R71彼此獨立地係CrC18烷基、C6-C〗8芳基，或以 CrC18烷基取代之CVC18芳基，且 R72係CrC18烷基、C6-C18芳基，或以CrC18烷基取代之 C6-C18芳基； HEI11基係如化學式之基：
    (lilb), (llld)， 139 15 200811215
    F F
    5 及m與n係如上所界定，且p係0、1，或2，特別是0或1，
    R42’係 Η，或R42 ;且 ΗΕΙ111係如下化學式之基
    140 200811215
    (IVd),
    141 200811215
    (Vm), -A1 -A1- ❿
    ?43 r44
    43/ '44 R (lV〇),
    (iVp), 142 200811215
    (IVs)， 其中，X4係Ο、S，或NR45，
    10 R43係氫原子、CrC25烷基、04-〇18環烷基、CrC25烷氧基， 其中，彼此非鄰接之一或多個碳原子可以-NR45-、-0-、 -S-、_C(=0)-0- ’ 或-0-C(=0)-0-替代’及/或"或多個鼠 原子可以F、C6-C24芳基，或C6-C24芳氧基替代，其中， 一或多個碳原子可以0、S，或N替代，及/或其可以一或 多個非芳香族基R41，或CN取代，或 彼此鄰接之二或更多個R43及/或R44形成一環； 〇係1、2，或3，特別是1，或2，u係1、2、3，或4， 且A1、R41、R42、R44、R45、m、η及p係如上所界定；且 R45係H、CVCm烧基、C4-C18環烧基，其中，彼此非鄰接 之一或多個碳原子可以-NR45’·、-0·、-S-、-C(=0)_0-， 或-0-C(=0)-0替代，及/或一或多個氫原子可以F、C6-C24 芳基，或C6-C24芳氧基替代，其中，——或多個碳原子可以 0、S，或N替代，及/或其可以一或多個非芳香族基R41 143 15 200811215 取代； R45’係Η、CrC25烷基，或04-(：18環烷基。 6.如申請專利範圍第1至5項中任一項之聚合物，其中， Sp 係選自一Ar_ 、 -ArY- 、 -YAr_ 、
  2. 5 -YAf(CR147R148)n20·、-Aik-，諸如，-(CR147R148)n2〇- ^ -(Y(CR147R148)n21)n2〇- ， 或 -((CR147R148)n21Y)n20·、-Ar-Alk-、-Alk-Ar-，或 -Alk-Ar-Alk·，其中， Y係NR149、O、S、C=0、C(=0)0，其中，R149係H; C6-C18 10 芳基；acrc18烷基或crc18烷氧基取代之c6_c18芳基; crc18烷基；或以-o-間斷之c〗-c18烷基； R147及R148彼此獨立地係氫、氟，或CrQo烷基， n20係1至20之整數，n21係1、2，或3; Ar係環烷撐基、芳撐基、芳烷撐，或雜撐芳基，其可選 15 擇性地被取代， Aik係烷撐基，特別是
    -och2ch2o-hei -o(ch2ch2o)2-hei 144 200811215 o(ch2ch2o)3-hei，及-och2ch〇or69)ch2o-hei，其 中，m、R41、R119及HEI係如申請專利範圍第5項中所界 定，且R69係(^-€18烷氧基。 7. —種電子元件或其組件，包含申請專利範圍第1至6項中 5 任一項之聚合物。 8. —種申請專利範圍第1至6項中任一項之聚合物之用途， 其係用於聚合物發光二極體(PLED)，特別是電致發光材 料。 9. 一種PLED、有機積體電路（0-IC)、有機場效電晶體 10 (OFET)、有機薄膜電晶體（OTFT)、有機太陽能電池 (Ο-SC)、熱電元件、電致變色元件，或有機雷射二極體， 包含一或多種之申請專利範圍第1至6項中任一項之聚合 物。 10. —種如下化學式之化合物 15
    (XIII), 特 別 是 (Xllla)，或 145 200811215
    其中’ A、Rl、R2、R3、R4、R5、R6、R7及x係如申請專 利範圍第1項中所界定， X於每一情況獨立地係鹵素原子，或-〇s(o)2cf3、 5 _0S(0)2-芳基，特別是
    -〇S(0)2CH3、·Β(〇Η)2、-BCOY、、B、〇/丫、-BF4Na， 或-BFqK，其中，γΐ於每一情況獨立地係Ci_Ci〇烧基基， 且Y2於每一發生獨立地係C2_CiG烷撐基，諸 如 ’ -CY3Y4-CY5Y6-，或—CY7Y8-CY9Y1()- CYnY12-，其 10
    中，Υ3、Υ4、γ5、Υ6、γ7、γ8、γ9、γ10、γ11 及γ12彼此 獨立地係氳，或Ci-Cio烷基，特別是_C(CH3)2C(CH3)2·， 或-C(CH3)2CH2C(CH3)2·’但附帶條件係下列化合物被排 除：7:8(?)-二漠-3’-石肖基菲咪唾、5:1〇(?)·二演3，·硝基菲 口米ϋ坐、7:8(?)-二>臭-4’-石肖基非17米唾，
    146 200811215
    κ1ϋ R17 Η “ 1-辛基 “ 2-乙基己基 “ 2-十六烧基 …〇NP Η “ 2-乙基己基 “ 2-十六烧基 R 10 A ) R17、N 人 N R )x
    且進一步之附帶條件係若/ '、係 ·· \基，R1G係不 同於-S(0)n9-R’基，其中，R’係CF2CF2H，且n9係0-2。 147 200811215 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（）圖。（無) (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： (無）
    八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：
    4
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