TW200819548A - Organic evaporator, coating installation, and method for use thereof - Google Patents

Description

200819548 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於有機蒸鍍器、鍍覆設備及其用法。本 明特別有關於具有用於測量有機蒸鍍器鍍覆速率之測量 置的蒸鍍器、具有此種有機瘵鍍器的鍍覆設傭及其用法 【先前技術】 有機蒸鍍器對於有機發光二極體（〇LED)的某些生 類型來說是必要工具。OLED為特別類型的發光二極體 其發光層包括某些有機化合物的薄臈。此種系統可用於 視螢幕、電腦顯示器、攜帶式系統螢幕等。〇LED亦可 於一般空間照明。由於OLED像素直接發光且不需要背 源，故OLED顯示器可能具有優於傳統LCD顯示器的 色、売度與視角範圍，。因此，OLED顯示器的能量消 明顯少於傳統LCD顯示器。再者，OLED可製造在可換 基板上的事實打開了新的應用大門，例如可捲式顯示器 甚至可將顯示器嵌入衣物中。 OLED的機能取決於有機材料的鍵覆厚度。此厚度 須落在預設範圍中。有機材料的鍍覆作用受到鍍覆速率 響，因此在OLED生產製程中鍍覆速率需落在預設可容 範圍内這件事情是重要的。換言之，在生產過程中必須 程控制有機蒸鍍器的鍍覆速率。 為了如此做，在此技術領域中已知使用石英晶體微 天平（quartz crystal microbalances)或石英共振器來測定 發 裝 產 電 用 光 顏 耗 式 或 必 影 忍 全 量 鍍 5

200819548 覆速率。測量這些震盪晶體的實際震盪頻率可推算出 的鍍覆速率。然而，這些晶體在鍍覆製程中办會鍍上 材料。因此，晶體必須定期替換，因為它們只能忍受 量的材料鍍覆。此問題降低它們的使用性，特別在具 常長之使用年限的大量生產工廠中更是如此。再者， 更換震盪晶體，需要打破真空腔體的真空狀態。重新 真空狀態既耗時又昂貴。 或者，在此技術領域中已知在完成沉積之後分析 層以測定鍍覆速率。在此狀況辛，沉積系統的回饋控 能具有某些延遲。特別地，此流程可能造成在控制系 行校正動作前會有一或多個基板的塗覆層超過範圍沉 這些基板為廢品。 基於上述理由，本發明之目的為提供一種有機 器、鍍覆設備與鍍覆基板之方法，其至少能克服先前 中的一些問題。 【發明内容】 至少部分之先前技術中問題可藉由如申請專利範 1項之有機蒸鍍器、如申請專利範圍第16項之鍍覆設 如申請專利範圍第18項之鍍覆基板的方法來克服。更 而言，有機蒸鍍器與鍍覆設備具有長操作時間且其速 定允許進行一即時控制。可從專利範圍附屬項、文中 描述與所附圖式清楚了解本發明的進一步態樣、細節 實際 有機 有限 有非 為了 產生 沉積 制可 統執 積。 蒸鍍 技術 圍第 備與 明確 率測 詳細 與優

200819548 由上述觀點，本發明提供一種以一鍍覆速率施加有 蒸氣至基板之有機蒸鍍器。有機蒸鍍器包括一具有至少 喷嘴出口的分配管以及一測量裝置，該測量裝置用於獲 關於有機蒸氣之至少一特徵性質的測量資料。 根據本發明之又一態樣，提供一種用於鍍覆基板之 覆設備。鍍覆設備包括至少一根據本發明之有機蒸鍍器 根據本發明之另一態樣，提供一種施加有機蒸氣至 板之方法，該方法具有提供該有機蒸氣、施加有機蒸氣 基板，以及測量有機蒸氣之至少一特徵性質之步驟。 根據本發明之又另一態樣，提供一種測量有機蒸氣 鍍覆速率的方法，該方法具有饋入有機蒸氣至一中空 體、自中空主體經至少一出口喷嘴排出有機蒸氣，以及 量有機蒸氣之至少一特徵性質之步驟。 【實施方式】 下述内容將參考本發明多個實施例進行詳細說明， 一或多個例子繪示於圖式中。所提供的每一範例係用以 釋本發明，並非用以限制本發明。例如，圖式中所繪示 描述一實施例中的特徵可用於其他實施例中或與之結合 產生另一實施例。本發明亦涵蓋此種改良與變化。 本發明提供一種用於以一鍍覆速率施加蒸氣至基板 蒸鍍器。該蒸鍍器包含一具有至少一喷嘴出口的分配管 與一測量裝置用於獲取關於蒸氣之至少一特徵性質的測 數據。 機 取 鍍 〇 基 至 之 主 測 其 解 或 以 的 量 7 200819548 讀器料率取決於蒸發至分㈣ 此壓力相當於材料的蒸氣壓。因此，有足 。 得蒸氣特徵性質之明顯訊號。 、的壓力來挪 本發明的典型實施例中，測量有機蒸氣的吸 ::τ一)作為有機蒸氣的特徵性質》有機材料具有 =收帶mmbert Beer定律吸收作用取 料浪度’…決於蒸發至分配管内的材料壓力。因此特

可從在分配管中某些波長的吸 ;次叹度推娜出分配管中的材科 :力“雷射可作為發光源以照射蒸氣。典型地，所用光： ^波長分佈情形係在波長為或接近待測有機材料吸收波長 處具有面強度。典型的有機材料如Alq3、NBp、tnta 其它材料。通常使用單體材料。 2 可替換地，或除了測量吸收度作為有機蒸氣的特徵性 值之外，也可測量有機蒸氣的光致發光性。可藉由輻射賤 射有機材料的蒸氣來激發之。典型地，以特定波長照射蒸 氣。激態分子放出輻射以回到基態。可使放光光譜儀作為 偵測器來偵測獨有的放光波長（emissi〇n wavelength)。放光 強度取決於蒸發至分配管中的材料壓力。.以此方式，可分 析放光強度以決定在分配管中的壓力，並且推斷出鍍覆速 率。 在典型實施例中，測量襞置包括一或多個偵測器，如 兩個偵測器，以及一或多個光源，例如兩個光源。通常在 本發明中，術語「光源」係指所有種類的電磁輻射。在典 型實施例中，所發射的光具有低於1〇〇〇奈米之波長。在典 200819548 型實施中，所發射的光具有至少 U不米之政長。通常使 用介於400奈米與700奈米間 j見先。該至少一光源可 為雷射、白光燈泡或類似物。兮$ 該至少一偵測器可為光二極 體、pin二極體、光譜儀、光 尤逼倍增官（Ph〇t〇 multiplier) 或其類似物。該偵測器可連接5悉* J遷接至乘法器（multiplier)。亦可 提供光譜儀以分析電磁光譜。 在本發明的範圍内，可炸舍 了根據測量方法及，或所測量的 特徵性質及/或所使用的有播装 啕機瘵氣，使用紅外光或紫外光 或具有較高或較低頻率之電磁波。 在典型實施例中，根檐太益^ 很據本發明之有機蒸鍍器進一步包 括一分析器，其連接至該測旦胜甚 该测里裝置，例如資料連接至偵測 器或其乘法。分析器亦可；查技= 啊态丌了連接至光源以比較照射與吸收 及/或光致發光的放光資料。分析器典型地根據由測量裝 置所提供的資料來判定鍍覆速率。再者，典型&，分析器 可存取-記憶體》有機蒸氣的典型吸收速率及，或光致發 光活性資料可儲存於印愔栌由 予於β己隐體中。例如，分析器可為個人電 腦，而記憶體可為個人電腦的硬碟或類似物。分析器可具 有一輸入單元（例如鍵盤或《鼠）’以允許操作者可控制該 分析器的動作與遠接δ八^ βο 、。 遷接至77析态之早兀（如可控制座閥）。再 者刀析器可具有一輪出單元(例如螢幕或繪圖器)用於將 諸:接收自偵測器之數值及/或從這些值計算出計算結果 等貝訊顯不給操作者。所測得的資料數值與記憶體所健存 :貝料數值可共同處理(如比較)以決定實際鍍覆速率。 典型地，分配管由石英玻璃或類似之物製成。此允許 9 200819548 在OLED蒸鍍器之分析管内推 θ ^ Π進仃大乾圍波長的吸收 ϊ，並且可對許多不同材料進杆 曰 進仃測篁。或者，分配管 不鏽鋼製成，在此狀況中，分西 刀配官需要裝配數個適當售 在本發明之典型實施例中，# J中係以非接觸方式進 量。測量裝置的元件，例如光源盥 A你興偵測器，典型設置 配管外部。 典型地，根據本發明之方法中 在將蒸氣施加至

之前先執行測量（gauging)步驟。 始時測量沉積速率與吸收度及 通常地，在鍍覆製成 /或光致發光活性的 (conation)。可在基板蒸發期間，如以特定時間間隔 續地重複測量步驟。亦可在基板鍍覆期間進行測量。命 鍍覆基板之鍍覆厚度可直接在鍍覆步驟之後測量，並 之關聯至個別基板鍍覆時所測得的特徵性質。 第1圖顯示根據本發明之蒸鍍器的第一實施例。 器的分配管1〇〇包括多個噴嘴出口 11〇。根據本發明 型分配管直徑介在i公分至1〇公分之間，更典型地力

公分至6公分之間。當以有機材料蒸鍍基板時，大於 壓力的分配管内壓力會使有機蒸氣自分配管中流出並 基板（未顯示）。在第1A圖顯示的視角中，基板定位在 面上方。在鍍覆基板的典型方法中，有機蒸氣在真空 下施加至基板。術語「真空（vacuum)」係指壓力為1 〇 巴（mbar)及更低。典型地，噴嘴出口係塑造與配置成 一喷嘴出口的蒸氣流與下一鄰近喷.嘴出口的蒸氣流在 表面上重疊。 度剛 可以 J Q 0 行挪 在分 基被 一開 關聯 或轉 丨J如， 可將 蒸 之典 在4 外部 朝向 紙平 環境 •2亳 可使 基板 10 200819548 為了控制鍍覆速率’柜·據顯示於帛1A圖實施 機蒸鍍器包括-測量裝置，用於獲取關於在分配管 有機蒸裁^之特徵拥：暂&通|旦-Λ» ^ 试改貝的測篁資料。該測量裝置典型 獲取關於在分配營j^q古德 窃 内有機蒸氣之特徵性質的須！1量資 里裝置包括光源i 3 〇，其可為例如具有特定光譜分 射或傳統自_有色錢1光源亦可包括具有廣 佈且其前方放置有一僅允許特定範圍波長通過之濾 發光單元。標示為元件符號13〇的光源亦可能代表 線的終端。換言之，在本發明實施例中，其可設置 以傳輸光線至分配管。該些偵測器亦可藉由光纖來 能使用某些在特定環境中無法適當作料彳貞測器。 測量裝置包括偵測器12〇1測器12〇測量從 所玫出的輻射。偵測器的典型例子為pin二極體、夫 光二極體、光電倍增管等。該些偵測器亦可經由光鍾 而得以使用某些在特定環境中無法適當運作的偵 者也可在偵測器之則配置一據光鏡以僅使具有 波長之光子通過。此波長可為，例如在分配管内特 材料之特徵光致發光波長。 根據本發明之一實施例，測量在分配管内的吸 為有機蒸氣的特徵性質。根據本發明之另一實施例 在分配管中有機蒸氣的放光活性作為特徵性卜第 中之偵測器120允許用於分配管中的吸收率測量且 於光致發光性的測量。“量光致發純時可在 上的光源光線之直接人射光進人點（或盲w_b 例之有 100内 適合於 料。測 佈的雷 波長分 光鏡的 光纖繞 一光纖 連接而 分配管 譜儀、 .連接。 測器。 所關注 定有機 收率作 ，測量 1A圖 亦可用 偵測器 point)) 11 200819548 處提供一孔以強化訊號品質，並且此動作有利於測量但非 必須。亦可將偵測器設置在直接光線穿經通道以外的區域 中 〇 當測量吸收率時，可能從分配管中某些波長之吸收度 推導出材料在分配管的壓力。如之前所解釋，鍍覆速率可 從吸收率推導出來。此資訊可轉用於控制鍍覆速率。

大體上，本發明之分配管可為具有至少一喷嘴出口的 中空主體◊分配管通常連接至一饋入單元，例如用於將有 機蒸氣饋入分配管的掛鋼。典型地，分配管包括數目介於 15至200個之間的噴嘴出口，更典型為介於20至30個之 間的喷嘴出口。喷嘴出口的直徑典型介於0.1毫米至5毫 米之間，更特定地介在1毫米至2亳米之間。分配管可塑 造成管狀或類似物。在其它實施例中，分配管為蓮蓬頭 (shower head) 〇 如果喷嘴的數目及其個別的開口面積與分配管總尺寸 /體積相比為小，則該管可視為封閉的。在管中壓力會更 穩定，並獲得較佳的鍍覆製程與壓力測量值。 第1 B圖中之實施例.類似於第1 A圖之實施例，不同之 處在於偵測器1 20與光源1 3 0位於有機蒸鍍器的相同側。 此實施例顯示，測量裝置120、130配置用以測量有機蒸氣 的光致發光性。可選擇地，偵測器亦可配置在分配管的側 邊。對於此目的，光線會輸送至分配管中以激發有機材料。 典型地，光具有一特定波長。激態分子藉由放出輻射回至 基態。並藉由諸如放光光譜儀等偵測器1 20來偵測該特徵 12 200819548 放光波長。因放光強度直接取決於所蒗發之 …知之材料壓力，故 可建立壓力與放光強度兩者間的關聯性且用 4仍搜制速率0 第2A圖顯示根據本發明之有機蒸鍍考 〜…奴裔的進一步實施 例。除了第1B圖中已顯示的元件，第2A圖的眘故思 _旳實施例還包 括鏡200。鏡係設置用以反射由光源13〇朝 别向偵測器12〇 發出的光。可利用此實施例來測量吸收度邀# 、元致發光性兩

者。例如’如果測量吸收度，光通過有機蒸氣的距離為分 配管高度的兩倍。根據應用用途與有機材料，與第1八圖 所示光行經距離僅為分配管高度一倍的實施例而言，此者 施例可更精確地測量分配管中的吸收率。 可根據第2B圖所示之實施例，可進一步增加光線的 行經距離（travel distance)。其中，除了在第2八圖中已顯 示的元件之外，還配置了另一個鏡210。並調整光源13〇 發出之光的光線路徑，使得光穿過分配管的行經距離為分 配官100之高度的四倍。 第3 A圖顯示類似於第2 A圖實施例之本發明有機蒸鍍 器的實施例側視透視圖。如之前所述，光源13〇與偵測器 120位於分配管1〇〇上方。鏡2〇〇位於分配管ι〇〇下方。 根據應用用途，亦可反向地配置光源、偵測器與鏡，亦即， 光源可位在分配管下方，而鏡可位在分配管上方❶有機蒸 鍍器進步包括坩鍋300與一或多個供應管31〇。坩鍋3〇〇 可裝滿固態或液態有機材料。隨後，將坩鍋加熱至可使材 料部份地從凝集狀態變成蒸氣狀態的溫度。 可相對於供應管將光源、偵測器及/或鏡做多種幾何 13 200819548 配置。在此範例中，蒗

r ，《乳的特徵性質（如J 3 1 0中測得（未顯 } I㊉地，在分配管福 典型地’暮获器呈 “、、鐶器八有封閉的幾何結構 110為將蒸氣排出右播 F ®有機瘵鍍器的僅有開口

境壓力而言，在有機蒸鍍器中具有較高壓 自分配管流至基板320上。典型地，在有 幾何結構内的壓力相當於有機材料的蒸氣 落在1〇·2毫巴的範圍内，例如介在2 x 1C 巴間。此外相反地，在 # $機蒸鍍器外6 1〇·4亳巴與10-7亳巴間。 可進-步在㈣與分配管之間的某處 例示於第3B圖之實施例中，其中閥33 〇 的垂直部分及其水平部分之間。在所顯示 經由座闊連接至分配管。座閥33〇為可手 例如，如果欲暫時終止有機材料的沉積作 閉座閾。通常地，座閥可被控制，以控制 蒸鍍器中密度。亦即，座閥可用於控制有 速率。典型地，座闕可連接至分析器並且 以控制。亦可於根據本發明之右搶甘_ 〜,機蒸鍍器 的座閥。例如，-座閥可手動控制，而另 器控制。 第4圖顯示本發日月之進—步實施例。 已顯示元件之外…圖的實施例還包括 胃/分經&胃420 @連接至偵測器 ^力）是在供應管 測為較精確。 。亦即，該等孔 。因為相較於環 力，因此蒸氣會 機蒸鍍器之封閉 麈。此壓力通常 I·2 至 4 X 1〇·2 亳 i壓力通常介在 設置一座閥。此 位於供應管3 1 0 實施例中，坩鍋 動或自動控制。 用時，可完全關 有機材料在有機 機蒸鍍器之鍍覆 藉由該分析器加 内戈裝一個以上 一座閾可由分析 除了第3A圖中 分析器4〇〇。 120 °再者，分 14 200819548 析器^由該連接410連接至用於控制有機蒸鍍器之鍍覆速 率的工具。例如’此種工具可為如關於第圖所述之座 闕’或用以控制充滿有機材料之坩鍋溫度或類似物的熱控 制裝置。當有機蒸鍍器運作時，藉由包括光源】3 〇、鏡2〇〇 與镇測器1 20之測量装置來測量鍍覆速率。由偵測器1 2〇 測得之訊息饋入該分析器4〇〇以分析訊息。分析器藉由評 量此訊息來判定鑛覆基板之實際鍍覆速率。如果鍍覆速率 太雨’則指示用於控制鍍覆速率的工具降低鑛覆速率。如 則所述’可藉由降低座閥開口 （未顯示於第4圖）達成降低 鐘覆速率的動作。其他用於降低基板上實際鍍覆速率的工， 具亦涵蓋在本發明範圍内。例如，根據在基板有機鍍覆製 程之前與之後的製程步驟，可視實際鍍覆速率是否太高或 太低來降低或提高基板320通過喷嘴出口 ho的速度。 第5圖為根據本發明鍍覆設備之一實施例的剖面側視 圖。第5圖顯示鍍覆腔體5〇〇内根據本發明之有機蒸鍍器， 鍵覆腔體500在操作期間通常藉由一或多個真空泵51〇抽 真空。 典型地’根據本發明之鍍覆設備包括其他製程腔體， 其可位於有機蒸鍍器之前或之後。本發明之有機蒸鍍器典 型地作為垂直線性有機蒸鍍器（vertieal linear 〇rganic evaporator)。典型地，基板為連續（ill-iine)加工處理。亦 即’有機材料為水平地蒸鍍在垂直設置的基板上。基板典 型地藉由一裝配生產線連續地傳送，並且該裝配生產線具 有數個不同製程腔體設置成一列。在典型實施例中，用於 15

200819548 鍍覆所需時間間隔為每片基板約介在10秒至4分鐘的範 之間，更典型為介在3 0秒至9 0秒間。鍍覆頻率係指在 定時間内所鍍覆的基板數目。 本發明之鍍覆設備可包括數個根據本發明之有機蒸 器。數個製程腔體可具有不同程度的真空。典型地，在 入有機蒸鍍腔體之前，欲進行鍍覆的基板可經過一或多 清潔步驟。進一步地，在沉積了一或多個有機層之後， 板可進行無機層鍍覆。這是因為有機層對氧敏感之故。 此，在許多實施例中，會以一覆蓋層來保護有機材料層 再者，因有機材料在濕化學蝕刻製程中難以蝕刻， 此通常在鍍覆時會借助蔭蔽遮罩（shadow mask)來建構 基板。蔭蔽遮罩通常與基板對齊。典型地’具有高局部 確度之金屬遮罩相對於基板對齊。接著鍍覆此基板。 在第3 A至5圖顯示之實施例中，該測量裝置包括 鏡200，且光源130與偵測器120兩者位於分g己管100 方。然而，需強調的是第1A至2B圖之實施例亦可實施 第3 A至5圖的實施例中。詳細而言，第3 A至5圖之實 例亦可包括〇、1、2或更多個鏡’且光源與偵測器可分 於分配管的不同側。根據本發明，偵測器與光源兩者亦 位於分配管下方。 再者，偵測器、光源與可能設置的鏡可位於分配管 邊。此顯示於第6A與6B圖之實施例中。根據本發明之 施例中亦可能設置一個以上的鏡子。此例示於第6C圖中 本文說明内容中使用了數個範例來揭示本發明，其 圍 特 鍍 進 個 基 因 〇 因 該 精 上 於 施 置 可 旁 實 〇 包 16

200819548 括最佳實施方式，以讓任何熟習該項技術者能製造 本發明。雖然本發明已藉由多個特定實施例連行描 習該項技術者將瞭解本發明可在不偏離申請專利範 神内做出改良。特別地，上述實施例中彼此不相牴 徵可相互結合。本發明之可專利範圍係由後ft寸申請 圍所界定，並且涵蓋該些由熟悉該項技術者椴據本 習得的其它範例。若其他實施例沒有不同於申請專 字面語言所定義的結構元件時，或是具有與專利範 語言無實質差異的均等結構元件時，則該其它實施 案申請專利範圍所涵蓋。 【圖式簡單說明】 本發明之實施例繪示於圖式中且更詳細地描述 其中： 第1A、IB、2A與2B圖顯示自被鍍覆基板處 器方向所見之根據本發明有機蒸鍍器的多種實施例 第3 A、3 B與4圖以側視透視圖顯示根據本發 機鍍覆器的多種實施例。 第5圖顯示根據本發明之鍍覆設備的實施例。 第6A、6B與6C圖以側視透視圖顯示根據本發 機蒸鍍器的多種實施例。 【主要元件符號說明】 100分配管 110喷嘴出口 及使用 述，熟 圍與精 觸的特 專利範 發明所 利範圍 圍字面 例為本 如上。 朝蒸鍍 〇 明之有 明之有 17 200819548 120偵測器 200 ' 210 鏡 3 1 0供應管 330闊 410 ' 420 連接 5 1 0真空泵 1 3 0光源 300坩鍋 320基板 400分析器 500鍍覆腔體 18

Claims (1)

1. 200819548 十、申請專利範圍： 1. 一種用於以一鍍覆速率施以有機蒸氣至一基板的有機 蒸鍍器，該有機蒸鍍器至少包含： 一分配管（1 00)，其具有至少一喷嘴出口（ 11 0);以及 一測量裝置（130 ; 120、200)，用於獲取關於該有機蒸 氣之至少一特徵性質的測量資料。 2·如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，更包含： 一分析器（400)，其連接至該測量裝置用於分析該測量 資料以測定該鍍覆速率。 3.如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，其中該有機 蒸氣之該至少一特徵性質包含該有機蒸氣的吸收率。 4·如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，其中該有機 蒸氣之該至少一特徵性質包含該有機蒸氣之光致發光活

   5 ·如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，其中該測量 裝置包含一光源（130)及/或一偵測器（120)。 6.如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，其中該測量 裝置包含一光敏感偵測器（120)。 19 200819548 7如申請專利範圍第3或4項所述之有機蒸鍍器，更包含 一記憶體，用於儲存關於該有機蒸氣的吸收率及/或光致 發光活性之資料。 8.如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，其中該分配 管以垂直方向設置。

   9.如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，其中該測量 裝置設置在該分配管（1 〇〇)的外側，用於該至少一特徵性質 的非接觸測量。 10.如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，其中該測 量裝置包含至少一鏡單元（200)。 11.如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，其中該蒸 鍍器為封閉式蒸鍍器。 12.如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，其中該至 少一喷嘴出口的直徑介在0 · 1毫米至5毫米之.間。 13.如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，更包含一 坩鍋（3 00)。 20 200819548 14.如申請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器，更包含一 可控制座閥（seat valve，330) 〇 1 5.如申請專利範圍第1 4項所述之有機蒸鍍器，其中該可 控制座閥（330)連接至該分析器（400)且由該分析器（400)所 控制。

   16. —種用於鍍覆基板之鍍覆設備，其具有至少一個如申 請專利範圍第1項所述之有機蒸鍍器。 17.如申請專利範圍第16項所述之鍍覆設備，其中該等基 板係進行連續（in-line)加工處理。 18. —種施加有機蒸氣至一基板的方法，其步驟包含： 提供該有機蒸氣； 施加該有機蒸氣至該基板；以及 測量該有機蒸氣之至少一特徵性質。 1 9. 一種測量一有機蒸氣之鍍覆速率的方法，其步驟包含： 饋入一有機蒸氣至一中空主體； 自該中空主體經至少一出口噴嘴釋出該有機蒸氣；以 及 測量該有機蒸氣之至少一特徵性質。 21 200819548 20·如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中該有 機蒸氣供應至一分配管中，且自在該分配管中之該有機蒸 氣測得該有機蒸氣之該至少一特徵性質。

   21·如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中上述 提供有機蒸氣的步驟包含藉由加熱一粒狀或線狀之有機材 料來產生該有機蒸氣的步驟。 22.如申請專利範圍第18或19項所述之方法，更包含借 助於一蔭蔽遮罩來建構該基板之步驟。 23 ·如申請專利範圍第1 8或19項所述之方法，其中該測 量步驟係以非接觸方式來進行。 24.如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中該測 量步驟包含傳送電磁輻射至該有機蒸氣，並且偵測該有機 蒸氣之吸收率。 2 5.如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中該測 量步驟包含傳送光至該有機蒸氣，並且偵測該有機蒸氣之 該光致發光活性。 22 200819548 2 6.如申請專利範圍第24項所述之方法，更包含反射該光 之步驟。 27.如申請專利範圍第25項所述之方法，更包含反射該光 之步驟。

   28.如申請專利範圍第18或19項所述之方法，更包含施 加一非有機覆蓋鍍覆層（cover coating)至該基板的步驟。 2 9.如申請專利範圍第18或19項所述之方法，其中該有 機蒸氣供應於一分配管中，且該有機蒸氣在該分配管内的 壓力調整在介於2 X 10·2亳巴（mbar)至4 X 10·2亳巴之間。

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