[go: up one dir, main page]

TW200818895A - Multiple output charge-coupled devices - Google Patents

Multiple output charge-coupled devices Download PDF

Info

Publication number
TW200818895A
TW200818895A TW096126360A TW96126360A TW200818895A TW 200818895 A TW200818895 A TW 200818895A TW 096126360 A TW096126360 A TW 096126360A TW 96126360 A TW96126360 A TW 96126360A TW 200818895 A TW200818895 A TW 200818895A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
charge
gate
ccd
gates
electrically connected
Prior art date
Application number
TW096126360A
Other languages
English (en)
Inventor
Christopher Parks
Original Assignee
Eastman Kodak Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eastman Kodak Co filed Critical Eastman Kodak Co
Publication of TW200818895A publication Critical patent/TW200818895A/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D44/00Charge transfer devices
    • H10D44/40Charge-coupled devices [CCD]
    • H10D44/45Charge-coupled devices [CCD] having field effect produced by insulated gate electrodes 
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/134Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/44Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
    • H04N25/447Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by preserving the colour pattern with or without loss of information
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/713Transfer or readout registers; Split readout registers or multiple readout registers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/15Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/153Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/15Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/158Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/805Coatings
    • H10F39/8053Colour filters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Description

200818895 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 、本發明-般係關於兩個以上的水平電荷耦合裝置之領 ^ ’該等裝置用以讀出像素陣列,且特定言之,用以允許 =重水平電荷_合裝置(CCD)採用像素加總以視訊框速率 項出全解析度影像或減小的解析度影像。 【先前技術】 美國專利第 4,513,313、5,164,8()7、5,841,554 號以及美 =利公告案2005/0062868說明一種多重輸出水平電荷搞 δ凌置(HCCD) ’其分配m行電荷給瓜個hccd暫存器。此 崎出結構並不將自拜耳遽色器型樣的電荷分成每;存器 -種顏色。其需要一條紋式濾色器配置,此對於良好影像 m貝係不合需要的。其亦未提供針對增加的圖框率之水平 像素加總。 本發明將允許使用拜耳濾色器型樣並將提供hccd内的 水平像素加總。 美國專利第4,807,037及5,189,498號說明一種多重輸出 HCCE),其具有需要第二HCCD具有不同於第—HCCD的通 道摻雜量之不合需要的特徵。額外摻雜需要較多的處理步 驟及光罩位準。 本發明在第二HCCD中將不需要額外摻雜。 美國專利第5,216,489及6,002,146號說明一種多重輸出 HCCD,其需要兩個HCCD之間的傳輸閘極具有兩個以上 的電壓位準。此係需要較多組件的較複雜HCCD時脈驅動 120078.doc 200818895 器。亦未揭示HCCD内的水平像素加總。 本發明僅需要兩個時脈位準而且 有HCCD時脈。 千用於所
美國專利第5,995,249號解說一種多重輸出HCCD作未提 供關於其構造或時序信號的資訊。其亦未揭示HCCD 對較快圖框率的水平像素加總。 美國專利第6,78 1,62 8號古穿日级々丄 ㈣㈣―種多重輸出HCCD但未揭 不HCCD内針對較快圖框率的 Μ 0像素加總。其亦針對偶 可數订需要HCCD與像素陣列之間的分離控制閉極。
本發明^要偶數及奇數行具有像素陣列與歌D 的分離控制閘極。 【發明内容】 本發明係關於克服以上提出的問題之一或多個。簡要概 述,依據本發明之一方面,本發明常駐於影像感測器中, 該影像感測器包"數個像素,其採用一方向上每隔一 ^ 象素具有相同顏色的至少兩種顏色之一遽色器型樣加以 伋盍’三或更多個電荷輕合裝置’其係定向成平行於每隔 一個像素濾、色器重複型檨· 里Μ樣,t何感測放大器,其係在該 電荷麵合裝置之至少兩者之輸出中;每一電荷輕合裝置 均具有—第-閑極及-第二間極;—咖至咖傳輸閑 極’其連接鄰近電荷_合裝置’該第一閑極係在該CCD至
CCD傳輸閘極之一側上而且該第二閘極係在該CCD至CCD 傳輸閑極之相對側上;將所有CCD至CCD傳輸問極電連接 在-起;電連接所有第一閉極;而且電連接所有第二閑 120078.doc 200818895 極0 及隨附申請專利 ’將更清楚地理 、特徵及優點。 範圍之詳細說明 解並瞭解本發明 從以下較佳具體實施例 的檢視,且藉由參考附圖 之此等及其他方面、目標 本發明之有利效應 不贫明具有下列優 裝置及不 出全解析 、一、 1文用夕重水平電荷耦 夕過—或四個水平時脈酿突、 丁丁胍驅動為,採用像素加總 度影像或減小的解析度之較高圖框率影像。〜 【實施方式】 〜 ° 。然而,應瞭解熟習 而不脫離本發明之範 已參考較佳具體實施例說明本發明 此項技術人士可以實現變更及修改 轉。 CCD偏移暫存器閘極之定義係真實2柄位類型或假擬2相 位類型。圖1&及_示兩種類型的2相位 CCD之間的差異。每—個偏移暫存器閘極均具有—絕緣體 10上的H1及H2閘極。第一導電型(通常為11型)的CCD埋入 式通道11係在第二導電型(通常為Ps)之井或基板u上。亦 存在用以控制電荷傳輸之方向的通道電位阻障植入物13。 在本發明之全部此詳細說明中,識別為一閘極的一部分可 以係真貫2相位或假擬2相位類型之部分。 圖2顯示本發明之第一具體實施例。其係具有顏色a、 B、C及D之複數個像素1〇〇的影像感測器。顏色通常但不 限於係拜耳濾色器型樣,其中A及D係綠色,b係藍色,而 且C係紅色。存在兩個以上的水平電荷耦合裝置 120078.doc 200818895 (HCCD)101、102、103以及104。本發明不限於僅四個 HCCD,四個以上係圖2所示的範例之擴充,此將為熟習此 項技術人士所明白。藉由相同的兩個時脈信號扪及取來 驅動每一個HCCD。閘極H1及H2在每行像素陣列中與一個 閘極交替。每一個閘極HbtH2可以係真實2相位ccd閘極 或假擬2相位CCD閘極。當採用優先方式記錄扪及^^閘極 衿,所有HCCD中的電荷係均朝每一個HCCD之端部的電 荷感測輸出放大器106、107、108及1〇9偏移。在每一個 HCCD之間具有一傳輸閘極HTG,其允許電荷在鄰近 之間傳輸。每一個HTG亦係一真實2相位CCD閘極或假擬2 相位CCD閘極。HTG得以構造以便其能夠將自H2閘極的整 個包荷包保持在HTG閘極下面。一替代及等效設計係放置 HTG閘極以接收自η 1閘極的電荷。 在最後HCCD 104下面具有一快速電荷傾印汲極1〇5,其 係藉由一傳輸閘極HTG與最後HCCD 104耦合。此舉允許 自像素陣列100將整列電荷迅速地丟棄至該汲極而非從 H C C D記錄。 此HCCD結構之優點係其僅需要兩個高頻率時脈信號m 及H2,以及一個低頻率時脈信號HT(J。圖3顯示電荷包如 何從像素陣列100流向四個HCCD 101、1〇2、1〇3及1〇4之 每一個。自像素陣列1 〇〇的兩列電荷係分配在四個HCCD之 間。從第一列開始,顏色D進入HCCD 104而且顏色C進入 HCCD 1〇3。從第二列開始,顏色]8進入^1(::(::1:) 1〇2而且顏 色A進入HCCD 101。應注意,每一個]^(::1)僅包含一種顏 120078.doc 200818895 —有利的係每一個HCCD包含_種顏色,因為可以針對 每色不同地調整輸出放大器電子增益。此外,在⑴ 每個蚪脈週期中,同時在輸出放大器丨06、丨07、 1〇8及1()9中對_個完整的2χ2像素核心進行取樣。 一兩歹j電荷已傳輸至其個別此⑶中,則⑴及扣時脈 、门頻率採用優先方式記錄以朝輸出放大器1 %、丨〇7、 1士〇8及109偏移電荷,如圖4所示。圖5顯示用以偏移電荷的 才序囷v1及V2時脈線係用於兩相位像素陣列之垂直 CCD柃序。本發明不限於兩相位VCCD ;可使用三或更多 個VCCD。亦可使用採用交錯式讀出或電荷加總的 VCCD 〇
-在圖5中的時間T1處,一第一列電荷係從像素陣列丨00傳 輸至HCCD 1〇1及102中。丁丨與仞之間的時間對應於圖3, 其中該第一列電荷係從HCCD 101及1〇2向下偏移至hccD 1〇3及104中。在時間T2處,一第二列電荷係從像素陣列 100傳輸至HCCD 101及1〇2中。現在四個11〇(::1)均充滿電荷 而且在日守間Τ3處HCCD開始朝對應於圖4的輸出放大器記錄 電荷。 本叙明之第二具體實施例係關於在較快讀出模式中操作 HCCD。現在需要數位相機以拍攝高解析度單張照片且亦 拍攝低解析度30圖框/秒視訊。此第二具體實施例顯示可 如何修改第一具體實施例以在HCCD中水平加總兩個像 素’從而使每一個HCCD之讀出速率加倍。 201、 圖6顯示本發明之第二具體實施例。每一個hccd 120078.doc 200818895 202、203、204、205及206均具有四個控制閘極ία、2A、 1Β及2Β,其用以沿每一個HCCD朝電荷感測輸出放大器 208、209、210、211、212及213偏移電荷。顯示六個 HCCD,其具有控制HCCD之間的電荷之傳輸的傳輸閘極 TG及TG1。TG1傳輸閘極係僅在區域220中的HCCD 201與 202之間。其餘TG傳輸閘極係電連接在一起並定位在區域 221、222、223及224中。亦存在與區域225中的TG電連接 之一閘極,其用以傳輸電荷至快速電荷傾印汲極2〇7。若 圖6中的閘極1A與1B係連接在一起而且閘極2A與2B及此外 TG1與TG係連接在一起,則本發明之第二具體實施例的功 能係4效於圖2中的第一具體實施例之六輸出版本。因此 當全解析度單張照片模式中,HCCD仍僅需要兩個高頻率 時脈信號以及一個低頻率傳輸閘極時脈信號。 現在說明第二具體實施例之半解析度雙倍速度視訊讀出 模式。程序從圖6開始,其中一第一列係從像素陣列2⑽傳 輸至頂部兩個HCCD。顏色C進入HCCD 201之1A及1B閘極 而且顏色D穿過HCCD 201之2A及2B閘極並進入TG1閘極。 圖7顯示下一步驟。HCCD 201中的1B閘極下面的顏色電 荷包C萷進兩個閘極,而} A閘極下面的顏色電荷c包保持 靜止。此舉將兩個顏色電荷包C加總在一起。在將顏色D 電荷包從TG1閘極傳輸至11(:(:〇 2〇2中後,相同程序發生在 HCCD 202中。圖8顯示電荷加總之結果。電荷包c及〇周圍 的雙圓圈指示其代表兩個電荷包之總和。 接著’顏色D電荷包係在區域22丨中的tG閘極下面傳輸 120078.doc -10- 200818895 亚保持於此,而顏色c電荷包係透過TG1閘極及hccd 2〇2 而傳輸。因為已加總顏色D電荷包,所以在區域221中存在 空TG閘極。藉由加總的顏色c電荷包來填充此等空丁⑽ 極’如圖9所示。同時,自像素陣列2GG的下-列像素係傳 輸至 HCCD201 及 TG1 220 中。 接著,兩個顏色A及B電荷包係於HCCD 2〇1及2〇2中加 總在一起,而已經加總的顏色(:及1)電荷包係朝下一個TG 區域222傳輸,如圖1〇所示。 在圖11中,雖然加總的顏色A、B、C及D電荷包係保持 在TG閘極221及222下面,但是另兩列顏色C&D係從像素 陣列200傳輸至HCCD 201及TG1 22〇中。 重複將相同顏色之兩個電荷包加總在一起的此程序,直 至底部四個HCCD 203、2〇4、2〇5及2〇6採用電荷加以填 充。現在HCCD包含自像素陣列2〇〇之完整四列的電荷。 HCCD 201及2G2係空㈤。若讀出HCCD,則可關閉放大器 208及209以保存電力。採用此加總程序,讀出四列及四個 輸出而非採用全解析度讀出模式的僅三列及六個輸出。 圖14顯示用以將四列電荷傳輸至HCCD中的時序。圖了顯 示在時間T1處電荷包的位置,圖8顯示在時間仞處電荷包 的位置,圖9顯示在時間T3處電荷包的位置,圖1〇顯示在 時間T4處電荷包的位置,圖i i顯示在時間τ5處電荷包的位 置,以及圖12顯示在時間丁6處電荷包的位置。圖14中的 V1及V2日寸脈#號係僅顯示用以指示從像素陣列2⑽傳輸新 一列電荷包所處的時間。¥1及¥2係顯示為2相位(;^1^時 120078.doc -11 - 200818895 脈,僅作為可以使用的許多類型之VCCD時脈之一個範 例。可使用3相位、4相位或更多VCCD時脈。VCCD亦可 以係多場交錯式讀出,或具有垂直像素加總能力。 本發明之第二具體實施例不限於僅四列同時讀出。圖13 顯示將第5列電荷放置於HCCD 202中的像素加總之另_步 驟。現在僅HCCD 201係空的。在以全解析度讀出三列電 荷的相同時間以半解析度從HCCD讀出五列電荷。圖15顯 示以半解析度讀出五列電荷的時序圖。時段T7對應於圖 13 〇 存在第二具體實施例之許多等效變化,其具有不同數目 的HCCD暫存器。例如,一個變化係具有三個hccd偏移 暫存器,如圖16所示。快速電荷傾印汲極3〇7係用以針對 次開窗(sub-windowing)模式或沖洗過多電荷之VCCD而迅 速地傾印整列電荷。對於全解析度讀出,前兩個hccD 301及302將用以從像素陣列3〇〇一次讀出一列。針對全解 析度讀出,僅對放大器308及3〇9進行供電。在半解析度雙 倍速度讀出模式中,將從HCCD 3〇2及3〇3讀出雙倍加總電 荷包,如圖1 7所示。在半解析度雙倍速度模式中,僅對放 大器309及31〇進行供電。1^(::〇暫存器3〇2及3〇3包含兩列 電荷以使每HCCD電荷讀出的數量加倍。 若在圖16中,暫存器301及3〇2中的電荷包係向下偏移至 暫存斋302及303並接著從放大器3〇9及31〇讀出,則可完全 仉影像感測器省略放大器3〇8。使用三個^1(:(:£)暫存器的此 範例》、員示本發明之hccd結構不限於僅偶數數目的 120078.doc -12- 200818895 暫存器。 本發明之第三具體實施例顯示如何可在HCCD内將相同 顏色之二個水平像素加總在一起。此舉以視訊框速率提供 三分之一解析度影像讀出。 圖18顯示一第三具體實施例。其係具有顏色A、B、C及 D之複數個像素4〇〇的一影像感測器。顏色通常(但不限於) 係拜耳濾色器型樣,其中A及D係綠色,B係藍色,而且c 係紅色。其亦可以係一單一顏色裝置,其中A、B、^及D 係相同顏色或無色(全色)。存在四個hccd偏移暫存器 401、402、403及404,其具有電荷感測輸出放大器4〇8、 4〇9、410及4U。前兩個HCCD偏移暫存器4〇1及4〇2具有三 個閘極HI、H2及H3。H1及H2閘極與每第六個閘極及扪閘 極交替。將所有標識為則的閘極連接在一起。將所有標識 為H2的閘極連接在一起。將所有標識為H3的閘極連接在 一起。此範例中的另兩個HCCD偏移暫存器4〇3及4〇4僅具 有H1及H2閘極。一等效變化偏移暫存器4〇3及4〇4 之每第六個閘極係一 H3閘極,就像HCCD 4〇1及4〇2一樣。 在HCCD 4〇1與4〇2之間係於區域4丨5中的一傳輸閘極 TG1,其用以將電荷從HCCD 4〇1傳輸至HC(:d 4〇2。丁⑴ 閘極能夠保持與H1、H2及H3閘極相同數量的電荷。區域 416、4丨7及418中的TG閘極控制其餘HCCD偏移暫存器與 快速電荷傾印汲極407之間的電荷之傳輸。 現在說明電荷加總程序。自圖i 8 $ — ㈡口 ΐδ主圖34的母一圖示均具 有從Τ1至Τ17的一時戳,斜麻私闰 /、對應於圖35中的時間標識。在 120078.doc -13- 200818895 圖18中的時間T1處’第_列顏色a&b係傳輸至hccd術 以及傳輸間極TCH區域415中。在圖19中,顏色B電荷係從 TG1區域415傳輸至HCCD 402,而彥頁色a電荷保持在hccd 4〇1中。接著,在圖20中,HuH2閘極得以記錄,而則閑 ㈣保持在高電荷保持狀態中。此舉具有使兩個電荷包追 上保持在H3閘極下面的電荷包且與其加總之效應。圖叫頁 . ,。用以代表三個電荷包之總和的三重同心圓圈現在 才曰不每個電荷包之位置。現在將加總電荷包傳輸至TG 及TG1傳輸閘極’如圖22所示。接著,僅將丁傳輸閘極 下面的電荷傳輸至HCCD 4〇2,則TG傳輸閘極中的電荷並 不移動。此舉允許顏色A電荷包追上圖23中的顏⑼電荷 包。接著,在圖24中,包含顏色。及D的一第二列電荷傳 係輸至HCCD 401及TG1區域415中,而先前加總的電荷列 係保持在傳輸閘極TG區域416下面。將一個電荷包保持在 H3閘極下面可藉由使後面兩個電荷包在第一電荷包之頂部 。 亡::而加總第二列電荷。在圖25中,扪及㈤閑極時脈 电何别仃,從而使H3閘極下面的電荷保持靜止。在圖% 中,加總顏色D電荷包係傳輸至空TG區域416而且顏色c電 - 荷包係傳輸至TG1區域415中。在圖27及圖28中’電荷包 • 係、傳輸至下一列™區域416及417令。TG區域41 7中的加油
«V 务 / v //U “何匕之完整集於此等待,而加總電荷包之下一完整集係 在TG區域416中累積。在圖29中,一第三列電荷顏二及B 已加以傳輸至HCCD 40】及TG1區域415中。在圖%中藉由 下列方式加總第三列電荷:將一個電荷包保持在扣間極下 120078.doc 14 200818895 面而.己錄HI及H2閑極以累積相同顏色之三個電荷包的 #在圖3 1中,加總顏色B電荷包係傳輸至TG區域4 j 6 而且加總顏色八電荷包係傳輸至TG1區域415中。在圖32 力。顏色八电荷包係透過HCCD 402傳輸且傳輸至tg 區域416中以形成加總電荷包之—完整集。在圖33中,所 有加U荷包係傳輸至HCCD4〇3&hccd他中。 取後,在圖34中,HGGD彻及HCCD 404包含僅兩個 HCCD偏移暫存n中的三列之加總電荷。在此電荷加總視 訊模式期間關閉放大器及4G9以保存電力。當職时 的此3像素加總程序係亦與垂直ccd偏移暫存器中的3像素 列加總組合時’獲得正好小九倍的解析度之高品質視訊影 像。 —4今已在將三個像素加總在一起的背景下說明第三具體 貫施例。可以輕易地從兩個像素擴展至任何任意數目的像 素加總。例如,假定需要將η個像素加總在一起。HCCD偏 移暫:器將由交替的出細閘極組成,其十由一H3閑極 取代每2η個閘極。若需要將兩個像素加總在一起,則每第 四個閘極將係一 Η3閘極。在圖18所示的hccd中,進行設 定以加總二個像素,因此每2χ3或第6個閘極存在_ H3閘 °為加總五個像素’每第10個閘極將係一 H3閘極。像素 加總的組合亦可行。為實施可以加總兩或四個像素的一 CCD暫存器集,每第4或第8個閘極將存在可分離控 H3閘極。 1 在圖36中,第—HCCD 4〇1中的H1、似及出閘極之排序 120078.doc •15- 200818895 係顯示用於2、3、4、5及2或4像素加總。 圖37顯示使用採用本 叫 I月之”體只%例之一的影像感測 目機6 10。此類相機將使用所說明的 HCCD偏移暫存器而 Κ . 攝王解析度圖像,該等暫存器用以 獲得與採用僅一個輪屮夕旦/於#、aT _ ' 衫像感測裔相比之增加的圖像拍 攝速率。亦能夠將模式改變為具有用於動晝錄製的至少30 圖框/秒之圖框率的一較低鲲 孕乂低解析度。較低解析度模式亦可 用於影像預覽、自動曝光以及自勤取# ^ ^ Ο π M及自動聚焦。本發明提供一種 供應足夠HCCD偏移暫存器,從而以全解析度及30圖框/秒 之圖框率讀出具有數百萬像素(大概超過5百萬 感測器之方法。 ^ 已在2x2彩色像素型樣(例如拜耳渡色器型樣)之背景下 說明本發明。其並不限於僅2χ2個彩色型樣。本發明亦可 應用於具有每側上大於兩個像素的單位單元之 【圖式簡單說明】 圖la係假擬2相位CCD之圖示; 圖lb係真實2相位CCD之圖示; 之第一具體實施例之 圖2係顯示具有四個CCD的本發日月 一項實施方案的HCCD ; 圖3顯示用以將自像素 實施例之HCCD的電荷路徑; 圖4顯示第一具體實施例之HCCD中的電荷之讀出; 圖5顯示用於圖4中的電荷之傳輸的時脈驅動器貝時序圖. 圖6係顯示具有六個CCD的本發明 ° 币一具體實施例之 120078.doc -16- 200818895 一項實施方案的hccd ;
C 圖7顯示時段τι處電荷包的位置; 圖8顯示在時段Τ2處電荷包的位置; 圖9顯示在時段丁3處電荷包的位置,· 圖顯示在時段Τ4處電荷包的位置; 圖11顯示在時段Τ5處電荷包的位置; 圖12顯示在時段Τ6處電荷包的位置; 圖Π顯示在時段丁7處電荷包的位置,· 圖14顯示用於圖7至12中 序圖; 的電荷 之傳輪的時脈驅動器時 之傳輪的時脈驅動器時 圖1 5顯示甩於圖7至丨3中的電荷 序圖; 圖16顯示具有用於全解析度讀出的第二具體實施例之三 個 CCD的 HCCD ; 圖17顯示具有用於兩像素加總讀出的第二具體實施例之 三個CCD的HCCD ; u 圖18顯示在本發明之第三具體實施例之時間丁丨處電荷之 位置; 圖19顯示在第三具體實施例之時間丁2處電荷之位置; 圖20顯示在第三具體實施例之時間丁3處電荷之位置; 圖2 1顯示在第三具體實施例之時間T4處電荷之位置; 圖22顯示在第三具體實施例之時間丁5處電荷之位置; 圖23顯示在第三具體實施例之時間丁6處電荷之位置; 圖24顯示在第三具體實施例之時間丁7處電荷之位置; -17- 120078.doc 200818895 圖25顯示在第三具體實施例之時間丁8處電荷之位置; 圖26顯示在第三具體實施例之時間丁9處電荷之位置; 圖27顯示在第三具體實施例之時間τΐΟ處電荷之位置; 圖28顯示在第三具體實施例之時間τιΐ處電荷之位置; 圖29顯示在第三具體實施例之時間τΐ2處電荷之位置; 圖30顯示在第三具體實施例之時間T13處電荷之位置; 圖3 1顯示在第三具體實施例之時間τ丨4處電荷之位置; 圖3 2顯示在第三具體實施例之時間T1 5處電荷之位置; 圖33顯示在第三具體實施例之時間T16處電荷之位置; 圖34顯示在第三具體實施例之時間Τ17處電荷之位置; 圖35顯示用於圖18至34中的電荷之傳輸的時脈驅動器時 序圖; ^ 圖36顯示用於2、3、4、5以及2或4像素加總的第三具體 實施例之每一個CCD的閘極排序;以及 圖3 7顯不具有本發明之一影像感測器的相機。 【主要元件符號說明】 10 絕緣體 11 CCD埋入式通道 12 基板 13 通道電位阻障植入物 100 複數個像素或像素陣列 101 102 103 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存琴 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存: 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫二 200818895 104 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 1 05 快速電荷傾印沒極 106 電荷感測輸出放大器 107 電荷感測輸出放大器 108 電荷感測輸出放大器 109 電荷感測輸出放大器 200 像素陣列 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212 213 220
水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 快速電荷傾印汲極 電荷感測輸出放大器 電荷感測輸出放大器 電荷感測輸出放大器 電荷感測輸出放大器 電荷感測輸出放大器 電荷感測輸出放大器 區域 221 區域 222 區域 223 區域 120078.doc -19- 200818895 224 區域 225 300 301 302 303 307 308 309 310 400 401 402 403 404 407 408 409 410 411 415 416 區域 像素陣列 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 快速電荷傾印汲極 放大器 放大器 放大器 複數個像素/像素陣列 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 水平電荷耦合裝置(HCCD)/偏移暫存器 快速電荷傾印汲極 °口 電荷感測輪出放大器 屯荷感剛輪出放大器 電荷感測輪出放大器 電荷感測輪出放大器 區域 區域 417 區域 418 區域 120078.doc -20. 200818895 600 影像感測器 610 相機 120078.doc -21 -

Claims (1)

  1. 200818895 十、申請專利範圍·· 1 · 一種影像感測器,其包括: /數個像素’其採用在—方向上每隔—個像素具有相 同顏色的至少兩種顏色之一濾色器型樣加以覆蓋丨三或 更夕個電何_合裝置’其係、定向成平行於該每隔一個像 二μ色σσ重複型樣,一電荷感測放大器,其係在該等電 :耦合裝置之至少兩者的輸出中;每一電荷耦合裝置均 具有一第一閘極及一第二閘極;一 CCE^CCD傳輸閘 極’其連接鄰近電荷耦合裝置,該第一閘極係在該ccd 至CCD傳輸閘極之一側上而且該第二閘極係在該^^〇至 CCD傳輸閑極之相對側上;將所有CCD至CCD傳輸閉極 電連接在一起;電連接所有第一閘極;而且電連接所有 第—閑極。 :求項1之影像感測器,其進一步包括一電荷汲極, 其係由至該CCD傳輸閘極的一汲極而與離該複數個像素 最遠的該電荷耦合裝置連接,並且至該CCD傳輸閘極的 該沒極係與該(:(:1)至(::(::1)傳輸閘極電連接。 3.如4求項1之影像感測器,其中該濾色器型樣係具有兩 個綠色像素、-個紅色像素以及—個藍色像素的2x2像 素拜耳滤色器型樣。 4 · 一種影像感測器,其包括: -複數個像素,其採用在一方向上每隔一個像素具有相 同顏色的至少兩種顏色之一濾色器型樣加以覆蓋;三或 更夕個私荷耦合I置,其係定向成平行於該每隔一個像 120078.doc 200818895 素濾色器重複型樣;—電荷感測放大it,其係在該等電 荷搞合裝置之至少兩者的該輸出中;每—電㈣合裝置 均:序具有一第一閘極、—第二閘極、一第三閘極以及 第四閘極,- CCD至CCD傳輸閘極,其連接鄰近電荷 耦合叙置’該第一或第三閘極係在該ccd至CCD傳輸閘 極之-側上而且該第二或第四閑極係在該傳輸閉極之該 相對側上;將所有CCD至咖傳輸閘極電連接在一起; ( 錢接所有第—閘極;電連接所有第二間極;電連接所 有第二閘極;而且電連接所有第四閘極。 5·::求項3之影像感測器,其進一步包括藉由至該⑽ 人:^之-汲極而與離該複數個像素最遠之該電荷轉 ^衣置連接的-電荷汲極,而且至該咖傳輸閘極之該 汲極係與該CCD至CCD傳輸閘極電連接。 6.::項4之影像感測器,其中該據色器型樣係具有兩 個、、彔色像素、一個紅色像素 像素拜耳濾色器型樣。 個息色像素的遠2X2 7. -㈣感測器之方法,該方法包括下列步驟: /供稷數個像素,其㈣在—方向上每隔— 有相同顏色的至少兩種顏色之―濾、色器型樣加以覆芸 提供三或更多個編合裝置,其係定向成平二該 母隔一個像素濾色器重複型樣; 、 提供一電荷感測放大器,其係在該等電荷輕合裝置之 中;每一電荷輕合裝置均具有按順序 弟—間極、-第二閑極、-第三閉極以及—第 120078.doc 200818895 四閘極; 提供一CCD至CCD傳輸閘極,其連接鄰近電荷耦合壯 置’該第一閘極或第二門k〆上 衣 飞弟—閑極係在該CCD至CCD傳輪間極 之一側上而且該第-十铉 弟一或弟四閘極分別係在該Ccd至CCD 傳輸閘極之該相對側上;以及 Γ' 8. u 提供電連接在一起的所有CCD至CCD傳輸閘極;電 接所有第一閘極;電連接所有第二閘極;電連接所有第 -閘極,電連接所有第四閘極;該等閘極係在—第—模 式中操作’在該模式中從該等電荷耦合裝置之至少心 。貝出遠稷數個像素之全部而無須將像素加總在—起,並 且需要該等電荷輕合裝置之兩者保持每-列電荷;以及 在-第二模式中操作,在該模式中於該等電荷麵合裝置 之一或多個内將相同顏色之兩個連續像素加總在-起以 便僅需要-個電荷_合裝置保持自該複數個像素的每— 列電荷。 一種影像感測器,其包括·· 複數個像素,盆接闲太 y. , ^ /、株用在一方向上每隔一個像素具有相 同顏色的至少兩種顏色之一濾色器型樣加以覆蓋;三或 更多個電荷耦合裝置,其係定向成平行於該每隔一個像 素濾色器重複型樣;—電荷感測放大器,其係在該等電 荷麵合裝置之至少兩者的該輸出中;每—電荷耗合裝置 均具有-父替的第—閉極及第二問極,由—第三閘極取 代每2讀閘極除外;—咖至咖傳輸閘極,其連接鄰 近電荷耗合裝置,該第—閘極係在該傳輸閘極之一側上 120078.doc 200818895 而且4第_間極或第三閘極係在該咖至c⑶傳輸閑極 之該相對側上;將所有CCD至CCD傳輸閘極電連接在— 起;電連接所有第一閑極;電連接所有第二閘極;: 9. 電連接所有第三閘極;其中η係大於-的整數。 一種操作一影像感測器之方法,其提供: 複數個像素’其採用在一方向上每隔一個像素具有相 同顏色的至少兩種顏色之一遽色器型樣加以覆蓋; C Λ 三或更多個電荷福合裝置,其係定向成平行於該每Ρ 一個像素濾色器重複型樣; 网 -電荷感測放大器,其係在該等電荷耦合裝置之至小 兩者的該輸出中’每—電荷麵合裝置均具有—交二 一閘極及第二閘極,由一篦一 外; ㈣自弟二閘極取代每2“固閘極除 - CCD至CCD傳輸閘極,其連接鄰近電荷耦合裝置, 该第一閘極係在該CCD至咖傳輸閘極之—側上而騎 弟-或第三閘極係在該CCD至CCD傳輸閘極之一相對側 將所有CCD至CCD傳輸閘極電連接在一起; 電連接所有第一閘極; ’ 電連接所有第二閘極;以及 冇第三閘極;其中在一第—模式中從該等電 何柄5衣置之至少兩者讀出該複數個像素之全部而 將像素加總在一起,而 、 …主., 而且而要^電荷耦合裝置之兩者 保持母一列電荷;其中在一第_ 社弟一杈式中於該等電荷耦合 120078.doc 200818895 裝置之一少々 或夕個内加總相同顏色之η個像素,复 ^ 2/η個電荷耦合裝置以保持自該複數個 :中需要 其中η係大於-的整數。 電荷’ 1〇.如請求項9之方法,其中η係2。 π.如請求項9之方法,其中11係3。 12·如請求項9之方法,其中η係4。 13 ·如請求項9之方法,其中η係5。 1二:求項10之方法’其中藉由一第四閘極取代每隔第二 甲1…其中在一第三模式中於該等電荷耦合裝—〜 多個内將4個像素加總在一起。 或 々口月长項11之方法’其中藉由一第四閘極取代每隔 閘極’其中在一第三模式中於該等電荷耦合裝置之一二 夕個内將6個像素加總在一起。 或 1 6 · —種相機,其包括: 一影像感測器,其包括: l 複數個像素,其採用在一方向上每隔一個像 相同顏色的至少兩種顏色之—濾色器型樣加以覆蓋.、 三或更多個電荷柄合裝置’其係定向成平行於該 隔一個像素濾色器重複型樣; 〆 一電荷感測放大器,其係在該等電荷耦合裴置之 少兩者的該輸出中; 及 每一電荷耦合裝置均具有一第一及一第二閘極; 以 CCD至CCD傳輸閘極,其連接鄰近電荷耦合裝 120078.doc 200818895 置,該第一閘極係在該CCD至CCD傳輸閘極之一側上而 且該第二閘極係在該CCD至CCD傳輸閘極之該相 上;將所有CCD至CCD傳輸閉極電連接在—起,·電連接 所有第一閘極,而且電連接所有第二閘極。 .17.如請求項16之相機,其進-步包括藉由至⑽傳輸間極 之;及極而與離該複數個像素最遠之該電荷搞合裝置連 • #的一電荷汲極,而且至CCD傳輸閘極之該汲極係盥节 CCD至CCD傳輸閘極電連接。 /、μ f 18.如請求項16之相機,其中該滤色器型樣係具有兩個綠色 像素、—個紅色像素以及-個藍色像素的該2x2像素拜 耳濾、色器型樣。 19. 一種相機,其包括: 影像感測器,其包括: 複數個像素,其採用在一方向上每隔一個像素具有 相同顏色的至少兩種顏色之一滤色器型樣加以覆蓋; ϋ s二或更多個電㈣合裝置,其係定向成平行於該每 隔一個像素濾色器重複型樣; —電荷感測放大器’其係在該等電荷搞合裝置之至 * 少兩者的該輸出中; • 每一電荷耦合裝置均依序具有一第一閘極、一第二 閘極、-第三閘極以及-第四閘極;以及 」CD至CCD傳輸閘極,其連接鄰近電荷耦合裝 置该第一或第三閘極係在該CCD至CCD傳輸閘極之一 側上而且該第二或第四閘極係在該傳輸閘極之該相對側 120078.doc 200818895 將所有CCD至CCD傳輸閑極電連接在一 電連接 有第閘極,電連接所有第二閘極;電連接所有第三 閘極;而且電連接所有第四閘極。 士明求項19之相機’其進_步包括藉由至^⑶傳輸閑極 之一汲極而與離該複數個像素最遠之該電荷耦合裝置連 接的-電荷沒極,而且至CCD傳輸閉極之該沒極係與該 C C D至C C D傳輸閑極電連接。
    21.如請求項丨9之相機,其中該濾、色器型樣係具有兩個綠色 像素、—個紅色像素以及—個藍色像素的該2x2像素拜 耳濾色器型樣。 2 2. —種相機,其包括: 一影像感測器,其包括: 複數個像素,其採用在—方向上每隔—個像素且有 相同顏色的至少兩種顏色之一據色器型樣加以覆蓋; 三或更多個電荷輕合裝置’其係定向成 隔一個像素濾色器重複型樣.; 、母 -電何感測放大器,其係在該等電荷耦合裝置之至 少兩者的該輸出中; 每一電荷麵合裝置均具有—交㈣第—閘極及第二 閘極,由一第三閘極取代每211個閘極除外;以及 :二:至CCD傳輸問極’其連接鄰近電荷•合裝 。X弟-開極係在該傳輸閘極之—側上而且 第三閑極係在該⑽至CCD傳輸閘極之該相對側上= 所有CCD至CCD傳㈣極電連接在—起;電連接所有第 120078.doc 200818895 ;而且電連接所有第三閘 一閘極;電連接所有第二閘極 極;其中η係大於一的整數。 120078.doc
TW096126360A 2006-07-20 2007-07-19 Multiple output charge-coupled devices TW200818895A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/490,383 US7692706B2 (en) 2006-07-20 2006-07-20 Charge summing in multiple output charge-coupled devices in an image sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200818895A true TW200818895A (en) 2008-04-16

Family

ID=38807415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096126360A TW200818895A (en) 2006-07-20 2007-07-19 Multiple output charge-coupled devices

Country Status (7)

Country Link
US (3) US7692706B2 (zh)
EP (1) EP2044628A2 (zh)
JP (1) JP2009545133A (zh)
KR (1) KR20090129980A (zh)
CN (1) CN101490846B (zh)
TW (1) TW200818895A (zh)
WO (1) WO2008010924A2 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009089029A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Fujifilm Corp Ccd型固体撮像素子
JP4988075B1 (ja) * 2010-12-16 2012-08-01 パナソニック株式会社 撮像装置及び画像処理装置
US8773563B2 (en) 2011-05-25 2014-07-08 Truesense Imaging, Inc. Multi-purpose architecture for CCD image sensors
US8800130B2 (en) 2011-05-25 2014-08-12 Truesense Imaging, Inc. Methods for producing image sensors having multi-purpose architecture
US8411189B2 (en) * 2011-05-25 2013-04-02 Truesense Imaging, Inc. Multi-purpose architecture for CCD image sensors
US8750060B2 (en) 2012-03-05 2014-06-10 Raytheon Company Repair device and method for integrated circuit structured arrays
US8519879B1 (en) * 2012-04-13 2013-08-27 Raytheon Company Precision charge-dump circuit
EP4192026A1 (en) 2012-04-19 2023-06-07 Raytheon Company Repartitioned digital pixel
US8878255B2 (en) 2013-01-07 2014-11-04 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with multiple output structures
US8878256B2 (en) 2013-01-07 2014-11-04 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with multiple output structures
US9979905B2 (en) * 2015-11-17 2018-05-22 Microsoft Technology Licensing, Llc. Multimode photosensor
WO2020081330A1 (en) * 2018-10-15 2020-04-23 Bio-Rad Laboratories, Inc. Saturation avoidance in digital imaging
JP7159090B2 (ja) * 2019-03-20 2022-10-24 株式会社東芝 固体撮像装置及び固体撮像装置の制御方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56158577A (en) 1980-05-10 1981-12-07 Victor Co Of Japan Ltd Solid state image pickup element
JPS5856458U (ja) 1981-10-09 1983-04-16 株式会社日立製作所 カラ−固体撮像装置
US4513313A (en) 1982-12-07 1985-04-23 Canon Kabushiki Kaisha Solid state imaging device
US4807037A (en) 1987-03-06 1989-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Low noise CCD image sensor having a plurality of horizontal CCD registers
NL8800627A (nl) 1988-03-15 1989-10-02 Philips Nv Ladingsgekoppelde inrichting.
US4879601A (en) 1988-11-14 1989-11-07 Polaroid Corporation System and method of providing images from solid state sensor
US5189498A (en) 1989-11-06 1993-02-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Charge coupled device
US5182623A (en) 1989-11-13 1993-01-26 Texas Instruments Incorporated Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making
US5528643A (en) 1989-11-13 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making
EP0444696B1 (en) 1990-03-02 1996-05-22 Sony Corporation Solid state image sensor
JP2873046B2 (ja) 1990-05-01 1999-03-24 チノン株式会社 画像信号処理装置
CA2052148A1 (en) * 1990-09-27 1992-03-28 Tadashi Sugiki Method of driving a solid-state imaging device
JPH06205298A (ja) * 1992-11-06 1994-07-22 Sharp Corp 電荷結合型固体撮像装置
JP3406935B2 (ja) 1994-01-31 2003-05-19 キヤノン株式会社 撮像装置
EP0886438B1 (en) 1994-08-09 2003-05-21 Canon Kabushiki Kaisha A colour image reading apparatus
JPH09246519A (ja) 1996-03-14 1997-09-19 Sony Corp 固体撮像装置およびその駆動方法
US5926215A (en) * 1996-10-17 1999-07-20 Eastman Kodak Company Fast readout of a color image sensor
JPH11164205A (ja) 1997-11-28 1999-06-18 Sony Corp 固体撮像装置およびその駆動方法
JP3548410B2 (ja) * 1997-12-25 2004-07-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の信号読み出し方法
JP3214428B2 (ja) * 1998-01-05 2001-10-02 日本電気株式会社 カラーリニアイメージセンサおよびその駆動方法
JPH11234569A (ja) * 1998-02-13 1999-08-27 Sony Corp 固体撮像装置の駆動方法及び固体撮像素子、並びにカメラ
JP4140077B2 (ja) * 1998-02-18 2008-08-27 ソニー株式会社 固体撮像素子の駆動方法及び固体撮像素子、並びにカメラ
US6462779B1 (en) 1998-02-23 2002-10-08 Eastman Kodak Company Constant speed, variable resolution two-phase CCD
JP2000164848A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Sony Corp 固体撮像装置及びその駆動方法
JP3848650B2 (ja) 2002-11-12 2006-11-22 松下電器産業株式会社 固体撮像素子およびこれを備えたカメラ
US20050062868A1 (en) 2003-03-24 2005-03-24 Tomohiro Shiiba Solid-state imaging device and method of driving solid-state imaging device
US7379107B2 (en) 2004-12-10 2008-05-27 Eastman Kodak Company Image sensor for still or video photography
US7636119B2 (en) 2005-12-21 2009-12-22 Eastman Kodak Company Image sensor for still or video photography

Also Published As

Publication number Publication date
US20080018767A1 (en) 2008-01-24
JP2009545133A (ja) 2009-12-17
WO2008010924A3 (en) 2008-03-06
WO2008010924A2 (en) 2008-01-24
US8098316B2 (en) 2012-01-17
EP2044628A2 (en) 2009-04-08
US20100157118A1 (en) 2010-06-24
US7692706B2 (en) 2010-04-06
KR20090129980A (ko) 2009-12-17
US8102455B2 (en) 2012-01-24
US20100157119A1 (en) 2010-06-24
CN101490846A (zh) 2009-07-22
CN101490846B (zh) 2011-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200818895A (en) Multiple output charge-coupled devices
JP5496213B2 (ja) ピクセルの垂直ビニングによるイメージセンサ
KR101182973B1 (ko) 고체 촬상 소자, 고체 촬상 소자의 구동 방법 및 촬상 장치
JPS5984575A (ja) 固体撮像素子
JPWO2003107661A1 (ja) 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、撮像方法および撮像装置
KR100842165B1 (ko) 고체 촬상 소자의 구동 방법
CN101341735B (zh) 用于静态图片或视频摄影的图像传感器
KR100843854B1 (ko) 고체 촬상 소자
CN101232558B (zh) 固态成像设备
JP3922853B2 (ja) 固体撮像装置
JP2006014075A (ja) 固体撮像装置とその駆動方法およびそれらを備えたカメラ
KR100632334B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 그 구동 방법
JP4478651B2 (ja) 撮像装置及びこの撮像装置に搭載するccd型固体撮像素子とその駆動方法
JP2010161629A (ja) 固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置
JP5218342B2 (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JPH0685582B2 (ja) 固体撮像装置
JPS6135750B2 (zh)
JP2006157783A (ja) 固体撮像素子の駆動方法及び固体撮像装置
JPH0560303B2 (zh)
JP2011066684A (ja) 固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置
JP2002204395A (ja) 固体撮像素子の駆動方法およびそれを用いたカメラ
JPH10336522A (ja) Fit型固体撮像装置およびその駆動方法
JPS61164381A (ja) 固体撮像装置
TW201408064A (zh) 固態攝像裝置、驅動其之方法、及電子資訊機器
JP2012186751A (ja) 固体撮像素子および固体撮像装置