[go: up one dir, main page]

JP2010161629A - 固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置 - Google Patents

固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010161629A
JP2010161629A JP2009002477A JP2009002477A JP2010161629A JP 2010161629 A JP2010161629 A JP 2010161629A JP 2009002477 A JP2009002477 A JP 2009002477A JP 2009002477 A JP2009002477 A JP 2009002477A JP 2010161629 A JP2010161629 A JP 2010161629A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charge
solid
temporary storage
transfer path
imaging device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2009002477A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Sato
優 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2009002477A priority Critical patent/JP2010161629A/ja
Priority to TW098144794A priority patent/TW201027990A/zh
Priority to KR1020100000707A priority patent/KR20100082309A/ko
Publication of JP2010161629A publication Critical patent/JP2010161629A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/15Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/156CCD or CID colour image sensors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

【課題】固体撮像素子内部で垂直画素加算を容易に行える構造とする。
【解決手段】半導体基板に二次元アレイ状に配列形成されカラーフィルタが積層された複数の画素24と、画素24で構成される複数の画素列に沿って形成され画素24が検出した信号電荷が読み出され転送される複数の垂直電荷転送路25と、複数の垂直電荷転送路25の転送方向端部に沿って形成される水平電荷転送路26と、複数の各垂直電荷転送路25対応に且つ垂直電荷転送路25の転送方向端部25aと水平電荷転送路26との間に設けられ垂直電荷転送路25に沿って転送されてきた信号電荷を一時蓄積し水平電荷転送路26に転送する分岐型電荷一時蓄積部28と、分岐型電荷一時蓄積部28を構成する個々の電荷一時蓄積部28a,28bの各々に別個に接続された制御信号φLM1,φLM2の印加用の配線36,37とを備える。
【選択図】図3

Description

本発明は、CCD型の固体撮像素子(Charge Coupled Device Image Sensor)及びその駆動方法並びに撮像装置に関し、特に、水平画素加算及び垂直画素加算を固体撮像素子内部で容易に実現できる構造を備えたCCD型の固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置に関する。
CCD型の固体撮像素子は、特許文献1に記載されている様に、垂直電荷転送路(VCCD)と水平電荷転送路(HCCD)を備えている。特許文献1記載の固体撮像素子は、フレームインターライントランスファ(FIT)型であり、垂直電荷転送路で転送されてきた信号電荷を、遮光膜下に設けられた1画面分の信号電荷を蓄積できる蓄積部に一旦蓄積する構成になっている。このため、垂直電荷転送路による蓄積部への転送は高速に行い、その後、低速で、蓄積部の信号電荷を水平転送路に転送できるという利点がある。
しかも、この特許文献1記載の固体撮像素子では、2列の画素列が1本の垂直電荷転送路(VCCD)を共用する構成にし、蓄積部に信号電荷を入れるとき、2本の蓄積部に振り分けて転送する構成になっている。つまり、蓄積部の本数と、画素列の本数とは同数となっている。
蓄積部は、「蓄積」という用語を用いているが、1画面分の信号電荷を蓄積できるため実際には垂直電荷転送路と同様に多段構成となっており、信号電荷は、垂直電荷転送路と同様に転送パルスによって1段づつ水平電荷転送路の方向に転送される。従って、広義の意味では電荷転送路ということもできる。
上記の例はFIT型であるが、蓄積部を有しないインターライントランスファ型の固体撮像素子等、他の方式のCCD型固体撮像素子も、各画素(フォトダイオード)が受光量に応じて検出した信号電荷を垂直電荷転送路(FIT型では多段転送型の蓄積部)に沿って水平電荷転送路まで転送し、次に、水平電荷転送路に沿って転送する構成は同じである。
斯かるCCD型の固体撮像素子において、水平方向に設けられた同色カラーフィルタを搭載した複数画素の検出電荷を固体撮像素子内部で加算できる構造を備えた固体撮像素子を、本出願人は先に提案している(特許文献2,3)。
この特許文献2記載の固体撮像素子は、垂直電荷転送路の転送方向端部と、水平電荷転送路との境界部分に電荷蓄積段を1段だけ設け、この電荷蓄積段の電位制御を垂直電荷転送路の転送パルスとは異なる制御パルスで制御し、水平転送パルスと制御パルスとの位相関係を制御することで、水平方向の画素加算を実現している。この電荷蓄積段は、各垂直電荷転送路毎に1段づつ設けられるため、ラインメモリ(LM)と称される。この明細書でもラインメモリLMの用語を用いて説明する。
特開平4―341074号公報 特開2002―112119号公報 特開2007―27977号公報
CCD型固体撮像素子は、垂直電荷転送路と水平電荷転送路との接続部分にラインメモリを設けることで、固体撮像素子内部で容易に信号電荷の水平画素加算を行うことができる。しかし、従来のラインメモリでは、垂直方向の画素加算は容易でない。
固体撮像素子内部で画素加算すなわち信号電荷の混合を行うには、加算対象の信号電荷が同色画素によって検出された信号電荷である必要があり、色の異なる画素から検出された信号電荷を加算しても混色が発生してしまうためできない。
例えばカラーフィルタ配列が縦ストライプであれば、同色の画素が1本の垂直電荷転送路に沿って並ぶため、垂直画素加算は、垂直電荷転送路上で可能である。しかし、ベイヤー配列や横ストライプの様に、垂直方向に異なる色のカラーフィルタが交互に設けられたCCD型固体撮像素子の場合、異なる色の画素が1本の垂直電荷転送路に沿って並ぶため、垂直画素加算はできない。
本発明の目的は、固体撮像素子内部で、水平画素加算及び垂直画素加算を容易に行う構造を有する固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置を提供することにある。
本発明の固体撮像素子は、半導体基板に二次元アレイ状に配列形成されカラーフィルタが積層された複数の画素と、該画素で構成される複数の画素列に沿って形成され前記画素が検出した信号電荷が読み出され転送される複数の垂直電荷転送路と、該複数の垂直電荷転送路の転送方向端部に沿って形成される水平電荷転送路と、前記複数の各垂直電荷転送路対応に且つ該垂直電荷転送路の転送方向端部と前記水平電荷転送路との間に設けられ該垂直電荷転送路に沿って転送されてきた前記信号電荷を一時蓄積し前記水平電荷転送路に転送する分岐型電荷一時蓄積部と、該分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部の各々に別個に接続された制御信号印加用の配線とを備えることを特徴とする。
本発明の固体撮像素子の駆動方法は、前記分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部には、同一の該電荷一時蓄積部に同一色のカラーフィルタを持つ画素で検出された信号電荷が振り分けられることを特徴とする。
本発明の撮像装置は、上記記載の固体撮像素子と、該固体撮像素子に垂直転送パルスと水平転送パルスと前記制御信号とを供給する撮像素子駆動手段とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、並列に分岐する分岐型電荷一時蓄積部を個々の垂直電荷転送路に設け、異なる色の信号電荷を、分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部に振り分けて蓄積するため、水平画素加算と垂直画素加算が固体撮像素子内部で容易に実現可能となる。
本発明の一実施形態に係る撮像装置の機能ブロック図である。 図1に示すCCD型の固体撮像素子の表面模式図である。 図2に示す固体撮像素子の要部拡大図である。 図3に示す固体撮像素子の動作を説明するタイミングチャートである。 本発明の別実施形態に係る固体撮像素子の要部拡大図である。 図5に示す固体撮像素子の動作を説明するタイミングチャートである。 本発明の更に別実施形態に係る固体撮像素子の要部拡大図である。 図7に示す固体撮像素子の動作を説明するタイミングチャートである。 本発明の更に別実施形態に係る固体撮像素子の要部拡大図である。 図9に示す固体撮像素子の動作を説明するタイミングチャートである。 本発明の更に別実施形態に係る固体撮像素子の要部拡大図である。 図11に示す固体撮像素子の動作を説明するタイミングチャートである。 本発明の更に別実施形態に係る固体撮像素子の要部拡大図である。 図13に示す固体撮像素子の動作を説明するタイミングチャートである。
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態の固体撮像装置(図示する例は、デジタルスチルカメラ)の概略構成を示す機能ブロック図である。この固体撮像装置100は、被写体画像を撮像する撮像部1と、撮像部1から出力される撮像画像信号を相関二重サンプリング(CDS)処理や利得制御処理するアナログ信号処理部2と、アナログ信号処理部2から出力されるアナログの撮像画像信号をデジタル信号に変換するアナログ/デジタル(A/D)変換部3と、後述のシステム制御部9からの指示に基づいて撮像部1,アナログ信号処理部2,A/D変換部3に制御パルスを出力する駆動部(撮像素子駆動手段を含む)4とを備える。
固体撮像装置100は更に、A/D変換部3から出力されるデジタルの撮像画像信号を画像処理するデジタル信号処理部(DSP)6と、画像処理後の撮像画像信号をJPEG画像やMPEG画像等に圧縮したり逆に伸長したりする圧縮/伸張処理部7と、スルー画像や撮像画像を表示するカメラ背面等に設けられた表示部8と、撮像装置100を統括制御するシステム制御部(CPU)9と、フレームメモリ等の内部メモリ10と、記録メディア12にJPEG画像データやMPEG画像データを格納するメディアインタフェース11と、これらを相互に接続するシステムバス14とを備える。
システム制御部9には、シャッタボタンやメニュー操作ボタン等の操作部13が接続され、操作部13から入力されるユーザ指示に基づき、システム制御部9が撮像装置100を制御する。
撮像部1は、撮影レンズ12や絞り,赤外光カットフィルタ,光学的ローパスフィルタを含む光学系と、これら光学系を通して結像した被写体からの光像を電気信号に変換するCCD型の固体撮像素子22とを備える。固体撮像素子22の前段にメカニカルシャッタを備える場合もある。
図2は、図1に示すCCD型の固体撮像素子22の表面模式図である。この固体撮像素子22は、半導体基板の表面部に二次元アレイ状に、図示する例では正方格子状に配列形成された複数の画素(フォトダイオード:PD)24と、画素24で構成される各画素列の各々に沿って形成される垂直電荷転送路(VCCD)25と、各垂直電荷転送路25の転送方向端部に沿って形成される水平電荷転送路(HCCD)26と、水平電荷転送路26の転送方向端部に設けられ転送されてきた信号電荷の電荷量に応じた信号を撮像画像信号として図1のアナログ信号処理部2に出力するアンプ27とを備える。
各画素24と図示する例では左隣の垂直電荷転送路25とは、読出ゲート部24aにより接続され、各画素24が受光量に応じて蓄積した信号電荷(この例では電子)を読出パルスが印加されたとき隣接の垂直電荷転送路25に読み出す様になっている。
この実施形態の固体撮像素子22では、各画素24上に、原色系カラーフィルタR(赤),緑(G),青(B)がベイヤー配列されている。即ち、奇数行の画素行にはGBGBGB…、偶数行の画素行にはRGRGRG…とカラーフィルタが積層されている。
尚、ベイヤー配列を例として以下の実施形態を説明するが、本発明はカラーフィルタ配列がベイヤー配列に限るものではなく、また、原色系カラーフィルタではなく補色系カラーフィルタでも良い。カラーフィルタはストライプ状でも良いが、市松配列の様なモザイク状が良い。更に、本発明は、画素配列が正方格子配列でなく所謂ハニカム画素配列(奇数行の画素行に対して偶数行の画素行が1/2画素ピッチずれた配列)にも適用できる。
図2に示す本実施形態の固体撮像素子22は、更に、各垂直電荷転送路25の転送方向端部における水平電荷転送路26との間に、転送段が1段の電荷一時蓄積部28が設けられている。この電荷一時蓄積部28は、各垂直電荷転送路25に対応して設けられており、1つ1つの電荷一時蓄積部28について説明する場合には「電荷一時蓄積部28」といい、1ライン全ての電荷一時蓄積部28について説明する場合にはラインメモリ(LM)28と呼ぶことにする。
個々の電荷一時蓄積部28は、詳細は図3で説明する様に、並列に2分岐されており、2分岐状態で水平電荷転送路26に接続される。
この固体撮像素子22は、図1に示す駆動部4の一部を構成する撮像素子駆動手段4aにより駆動される。即ち、駆動手段4aは、システム制御部9からの指示に基づいて駆動パルスを生成し、垂直転送パルスφVi(i=1〜4:4相駆動の場合)を垂直電荷転送路25を構成する転送電極に印加して垂直電荷転送路25を転送駆動する。また、水平転送パルスφHi(i=1,2:2相駆動の場合)を水平電荷転送路を構成する転送電極に印加して水平電荷転送路26を転送駆動する。
また、撮像素子駆動手段4aは、ラインメモリ制御パルスφLM1,φLM2をラインメモリ(LM)28に印加してラインメモリ(LM)28の電位レベル制御を後述する様に行う。
尚、「垂直」「水平」という用語を用いて説明しているが、これは、半導体基板表面に沿う「1方向」「この1方向に対して略直交する方向」の意味に過ぎない。
図3は、図2に示す固体撮像素子の要部拡大図であり、図4は、撮像素子駆動手段4aから固体撮像素子に与えられる転送パルス,制御パルスを示すタイミングチャートである。
図3には、奇数列(左側とする)とそれに隣接する偶数列(右側とする)の2列の垂直電荷転送路25及び画素24と、垂直電荷転送路端部の2分岐された電荷一時蓄積部28と、水平電荷転送路26が示されている。
垂直電荷転送路24,電荷一時蓄積部28,水平電荷転送路26は、半導体基板の表面pウェル層に形成されたn型不純物領域(埋め込みチャネル)と、その上にゲート絶縁膜を介して形成されたポリシリコン膜等でなる電極膜とで構成され、図3には主にその電極膜部分が図示されている。
図4の見方は次の通りである。各パルス信号の電位がハイ(H)のとき、その下部の埋め込みチャネルに電位井戸が形成され、中に信号電荷が中に入ることができる。パルス信号の電位がロー(L)のときは、この電位井戸は消失し、バリア(障壁部)となる。
図3で、画素(PD)24の左隣に示す「G」「R」「B」のある箇所は、夫々電位井戸が形成されており、その中に「Gフィルタ」「Rフィルタ」「Bフィルタ」が積層された画素から読み出され転送されてきた信号電荷が入っている状態を示している。垂直電荷転送路25のうちG,R,Bの記載のない箇所は、上記のバリア(障壁部)となっている箇所である。
各垂直電荷転送路25の端部には分岐部25aが設けられており、転送パルスφV4が印加される分岐部25aに、2分岐された電荷一時蓄積部28a,28bが並列に連設され、各電荷一時蓄積部28a,28b間は、素子分離帯29で分離されている。そして、一方の電荷一時蓄積部28aの制御電極膜にはラインメモリ制御パルスφLM1が印加される配線36が、また、他方の電荷一時蓄積部28bにはラインメモリ制御パルスφLM2が印加される配線37が接続されている。
水平電荷転送路26の転送電極は、水平転送1段分に対して2枚の電極26a,26bを組として、この電極組が水平方向に連続して設けられる。電極26aはL字形をなし、その短手部分が、1本の垂直電荷転送路すなわち1組の電荷蓄積部28a,28bに対し対面して設けられ、長手部分が、水平電荷転送方向に直交する様に設けられる。
そして、L字形の凹部矩形箇所に電極26bが設けられる。電極26bは組となる電極26aに対して水平転送方向すなわちアンプ27方向に設けられる。電極26a,26bの各組下に形成される埋め込みチャネルは、電位井戸が形成されたとき電極26b下の電位井戸が電極26a下の電位井戸より深く(電荷が多く溜まる様に)形成される様に、不純物濃度勾配が設けられている。
各電極組の夫々に対して、奇数列の垂直電荷転送路に対応する電極組には水平転送パルスφH1が印加され、偶数列の垂直電荷転送路に対応する電極組にはφH1と逆位相の水平転送パルスφH2が印加される配設接続となっている。
次に、図4のタイミングチャートに従って、固体撮像素子22の動作を説明する。図3に示すR,G,Bの各信号電荷の転送位置は、図4の時刻tにおける状態を示している。
この図3は、固体撮像素子22を用いて全画素の信号電荷を全画素読出する場合を説明する図であり、奇数列の垂直電荷転送路25にはGRGRGR…の信号電荷が転送されてきており、偶数列の垂直電荷転送路25にはBGBGBG…の信号電荷が転送されてきている。
奇数列の垂直電荷転送路25(左側)だけみると、G信号電荷とR信号電荷とが交互に転送されてきており、電荷一時蓄積部28aにはR信号電荷が、電荷一時蓄積部28bにはG信号電荷が一時蓄積されている。
電荷一時蓄積部28b内のG信号電荷は、図4の時刻tに先行するφV1,φV2,φV3,φV4の垂直転送パルスに従って、図4に「G」の移動を図示するように、垂直電荷転送路に沿って転送される。そして、転送パルスφV4で分岐部25aに転送されてきたとき、制御パルスφLM2がハイ(H)で電荷一時蓄積部28bに電位井戸が形成されており、このとき制御パルスφLM1がロー(L)で電荷一時蓄積部28aがバリア(障壁部)となっているため、G信号電荷は電荷一時蓄積部28b内に入り込み、蓄積部28aには入らない。
このG信号電荷の蓄積部28b内への転送に先立つタイミングでは、R信号電荷が垂直電荷転送路に沿って転送され、分岐部25aに転送されてきたR信号電荷は、φLM1がハイ(H)でφLM2がロー(L)のため、電位井戸が形成されている電荷一時蓄積部28a内に入り、電荷一時蓄積部28bには入らない。
この様にして、奇数列の垂直電荷転送路ではR信号電荷は、常に電荷一時蓄積部28a内に振り分けられ、G信号電荷は、常に電荷一時蓄積部28b内に振り分けられ、常に、同色の信号電荷が同じ電荷一時蓄積部内に蓄積されることになる。これは偶数列の電荷一時蓄積部でも同様である。
時刻tの後は、水平転送パルスφH1がハイ(H)40(パルスφH2はロー(L)41)のときにラインメモリ制御パルスφLM1が一時的にロー(L)42となる。これにより、奇数列の垂直電荷転送路に対応する電荷一時蓄積部28a内のR信号電荷が水平電荷転送路26に転送される。そして、高速駆動の水平転送パルス43によりR信号電荷はアンプ27まで送られ、撮像画像信号として出力される。
偶数列の垂直電荷転送路に対応する電荷一時蓄積部内の信号電荷は、対応の水平転送電極26a下(特に、短手部分)が印加電圧(φH2)によってバリア(障壁)になっているため、水平電荷転送路側に移動できず、電荷一時蓄積部内に留まっている。
次に、水平転送パルスφH1がハイ(H)40(φH2はロー(L)41)が保たれている状態でラインメモリ制御パルスφLM2が一時的にロー(L)44になると、奇数列の垂直電荷転送路に対応する電荷一時蓄積部28b内のG信号電荷が水平電荷転送路26に転送され、高速駆動の水平転送パルス45によりG信号電荷がアンプ27まで送られ、撮像画像信号として出力される。
次に、水平転送パルスφH1がロー(L)46となり且つ水平転送パルスφH2がハイ(H)47となる。これにより、奇数列の垂直電荷転送路に対応する電荷一時蓄積部端部と水平電荷転送路との間にバリアが形成されると共に、偶数列の垂直電荷転送路に対応する電荷一時蓄積部端部と水平電荷転送路との間のバリアは消失する。
そして、ラインメモリ制御パルスφLM1が一時的にロー(L)48になると、偶数列(図3の右側)の垂直電荷転送路に対応する電荷一時蓄積部28aのG信号電荷が水平電荷転送路に移動し、次の高速駆動の水平転送パルス49により、G信号電荷はアンプ27まで送られ、撮像画像信号として出力される。
次に、ラインメモリ制御パルスφLM2が一時的にロー(L)50になると、偶数列の垂直電荷転送路に対応する電荷一時蓄積部28bのB信号電荷が水平電荷転送路に移動し、次の高速駆動の水平転送パルス51により、B信号電荷はアンプ27まで送られ、撮像画像信号として出力される。
次に、図4には図示していないが、垂直転送パルスφV1〜φV4が印加されて、上記と同様にして信号電荷が電荷一時蓄積部28a,28bに振り分けられながら転送され、以後、上記と同様にして、全画素の信号電荷が撮像画像信号として出力される。
この様に、本実施形態では、垂直電荷転送路を水平電荷転送路に接続する部分に設ける電荷一時蓄積部28を並列の2分岐型としたため、撮像画像信号の品質劣化を回避できるという効果を奏する。その理由は以下の通りである。
もし、電荷一時蓄積部28を分岐型とせず1個だけとし、ある電荷一時蓄積部から水平電荷転送路への転送不良が発生したとする。即ち、この電荷一時蓄積部の物理的特性が他の電荷一時蓄積部と異なっていたとする。この場合、この転送不良に起因する縦スジが撮像画像中に見えてしまい、画像品質を劣化させる。
しかし、本実施形態の様に、2分岐型(2分岐型に限らず、3分岐型,4分岐型でも良い。)とし、しかも、同色の信号電荷が同じ電荷一時蓄積部を通って水平電荷転送路に転送される構造のため、いずれかの電荷一時蓄積部28a,28bに転送不良が発生したとしても、その転送残り電荷は後段の同色の信号電荷と混合されるため、縦スジが目立たない。
また、同色の信号電荷を分岐させずに片方の電荷一時蓄積部だけを通過させることにより、垂直電荷転送路から夫々の電荷一時蓄積部への転送効率に差があってもその影響を受けずに、同色で分岐させた場合に発生する虞のある横スジも回避可能となる。
図5,図6は、本発明の別実施形態の動作説明図である。図3,図4は、全画素の信号電荷を全画素(プログレッシブ)読出して静止画像を作成する場合の動作であったが、本実施形態は、例えば、マルチフィールド読出で、GRGR…行の信号電荷を読み出す例を示している。
この場合、奇数列の垂直電荷転送路にはR信号電荷だけが転送され、偶数列の垂直電荷転送路にはG信号電荷だけが転送される構成となる。この場合には、2分岐された電荷一時蓄積部28a,28bのうち一方(図示の例では28a)だけを用いて転送駆動することになる。
図5は、図6のタイミングチャートの時刻tにおける状態を示す図である。図6のタイミングチャートは、図4のタイミングチャートのうち垂直電荷転送路から電荷一時蓄積部28bへの転送と、電荷一時蓄積部28bから水平電荷転送路への転送部分が削除されたタイミングチャートになっているだけなので、図4と同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。
図7,図8は、本発明の更に別実施形態の動作説明図である。図7は、図8に示すタイミングチャートにおける時刻tの状態を示す図である。図3,図4の実施形態では、電荷一時蓄積部28aにR信号電荷が蓄積され、電荷一時蓄積部28bにG信号電荷が蓄積されたとき、これら信号電荷R,Gを水平電荷転送路に転送し出力したが、本実施形態では、垂直2画素加算を電荷一時蓄積部28a,28bで行っている点が異なる。
即ち、奇数列の垂直電荷転送路ではG信号電荷とR信号電荷とが交互に転送されて来るため、分岐部25aで交互に振り分け、図8の時刻t前に転送によって、R信号電荷2個分を電荷一時蓄積部28aに蓄積させ、G信号電荷2個分を電荷一時蓄積部28bに蓄積させた後、図4と同じ時刻t後の転送パルスによって水平電荷転送路に転送しアンプ27から出力させる。
この様に、本実施形態では、垂直電荷転送路毎に電荷一時蓄積部を並列に2分岐させているため、同色の信号電荷の垂直加算が容易となり、垂直画素加算を固体撮像素子内部で行うことが可能となる。
勿論、この実施形態の様に垂直2画素加算を行う場合には、電荷一時蓄積部28a,28bの容量として、夫々、画素24の飽和電荷量の少なくとも2倍の容量を持たせる必要があり、垂直n(n=3以上の整数)画素加算を行う場合には、少なくともn倍の容量が必要となる。
また、水平画素加算を行う場合には、従来と同様にして、水平転送パルスとラインメモリ制御パルスの各タイミングを調整することで容易に行うことができる。例えば水平電荷転送路上をG信号電荷が転送されて来て、G信号電荷を保持している電荷一時蓄積部の前の水平転送段に来たとき、電荷一時蓄積部のG信号電荷を水平電荷転送路に転送させれば、水平方向画素加算が水平電荷転送路上で実現できる。
尚、図示する例では、電荷一時蓄積部28a内にR信号電荷を2個分蓄積するのであるが、1個分が蓄積された状態で垂直電荷転送路の分岐部25aからG信号電荷を電荷一時蓄積部28b内に転送するとき、電荷一時蓄積部28aの電位をバリア状態にするが、各電荷一時蓄積部28a,28b内の埋め込みチャネルの不純物濃度に濃度勾配を付けたり制御電極形状に工夫をしておけば、R信号電荷が電荷一時蓄積部28aから外部に漏れ出ることはない。
この様に、本実施形態によれば、垂直画素加算を容易に固体撮像素子内部で行うことができるため、水平転送する画素数(信号電荷数)が減り、フレームレートを向上させることができ、動画像の撮像に有利となる。
図9,図10は、本発明の更に別実施形態の動作説明図である。本実施形態では、図5,図6の実施形態に対して、2分岐された電荷一時蓄積部の一方を用いて垂直方向2画素加算を行う例を示しており、図7,図8の実施形態の片側の電位一時蓄積部28aだけの動作となるため、その説明は省略する。
図11,図12は、本発明の更に別実施形態の動作説明図である。図5,図6に示す実施形態では、R信号電荷,G信号電荷を夫々2分岐型電荷一時蓄積部の片側28aにだけ転送したが、この実施形態では、両方の電荷一時蓄積部28a,28bに分割して転送している点が異なる。
本実施形態では、分岐部25aに信号電荷が転送されてきたとき、両方の電荷一時蓄積部28a,28bは共に電位井戸となるため、信号電荷は、両方の電位井戸内に流れ込む。夫々の電荷一時蓄積部28a,28b内に入り込む電荷量がどのような割合になるかは制御できないが、両方の電荷一時蓄積部28a,28bは、同一製造工程で製造され物理的構造が同一となるため、略1/2づつ分割される。
しかし、信号電荷がどの様な比率で分割されても問題はない。それは、図12に示す様に、時刻t後に、ラインメモリ制御パルスφLM1,φLM2共に同時にローパルス55,56が印加され、水平電荷転送路の同一転送段に、分割された信号電荷が同時に転送され水平電荷転送路上で結合されるからである。
この実施形態によれば、1画素の信号電荷を2つの電荷一時蓄積部に蓄積するので、概ね2倍の信号量を扱うことができ、画像のダイナミックレンジを向上させることができる。また、飽和信号量が多くなった分、電荷一時蓄積部を小さく設計でき、固体撮像素子のチップ面積を縮小可能となる。
図13,図14は、本発明の更に別実施形態の動作説明図である。図5,図6の実施形態と図9,図10の実施形態との関係と同じであり、本実施形態では、図11,図12の実施形態に対して垂直2画素加算を両方の電荷一時蓄積部28a,28bを用いて行う構成となっている。
図3〜図14に示す実施形態では、分岐型電荷一時蓄積部28を構成する個々の枝部(電荷一時蓄積部28a,28b)毎に異なる配線36,37を接続し、一方にラインメモリ制御パルスφLM1を印加し、他方にパルスφLM2を印加する配線接続したが、この図11〜図14の実施形態では、パルスφLM1,φLM2を同じパルスとして印加している。
このように、配線接続として、異なる位相のパルスφLM1,φLM2を印加できる配線にしておくことで、図3〜図14で説明した様々な動作を1つの固体撮像素子22に実行させることができ、様々な撮影モードに対応した信号読出方法(プログレッシブ読出,マルチフィールド読出,動画像読出,画素間引読出など)に柔軟に対応可能となる。
尚、上述した各実施形態において、垂直電荷転送路に沿って転送されてくる信号電荷が何色になるかは、固体撮像素子の各画素に積層されるカラーフィルタ配列に依存することになる。また、マルチフィールド読出する場合に、垂直電荷転送路に沿う信号電荷配列がどの様な色の配列になるかや、動画像読出時の画素間引き読み出し時にどの様な信号電荷の色配列になるかは、予め分かるため、それに合わせて2分岐型電荷一時蓄積部への電荷振り分け制御を行えばよい。
電荷一時蓄積部は、3分岐型,4分岐型とすることも可能である。2分岐型の場合にはラインメモリ制御パルスを2相駆動可能な配線接続としたが、3分岐型であれば3相駆動可能な配線接続にする必要があり、4分岐型であれば4相駆動可能な配線接続する必要がある。複数分岐型としたとき、分岐した電荷一時蓄積部を全て水平電荷転送路の同一転送段に接続する構成とするのが良いが、異なる転送段に接続する構成としても良い。
以上述べた様に、本発明の実施形態は、半導体基板に二次元アレイ状に配列形成されカラーフィルタが積層された複数の画素と、該画素で構成される複数の画素列に沿って形成され前記画素が検出した信号電荷が読み出され転送される複数の垂直電荷転送路と、該複数の垂直電荷転送路の転送方向端部に沿って形成される水平電荷転送路と、前記複数の各垂直電荷転送路対応に且つ該垂直電荷転送路の転送方向端部と前記水平電荷転送路との間に設けられ該垂直電荷転送路に沿って転送されてきた前記信号電荷を一時蓄積し前記水平電荷転送路に転送する分岐型電荷一時蓄積部と、該分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部の各々に別個に接続された制御信号印加用の配線とを備える固体撮像素子を特徴とする。
また、実施形態は、上記記載の固体撮像素子であって、前記分岐型電荷一時蓄積部は、前記垂直電荷転送路から受け取った前記信号電荷を転送段1段で前記水平電荷転送路に転送する構成を特徴とする。
また、実施形態は、上記記載の固体撮像素子であって、前記分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部は前記水平電荷転送路の同一転送段に接続される構成を特徴とする。
また、実施形態は、上記記載の固体撮像素子であって、前記分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部は、各々が、前記画素の飽和電荷量の少なくとも2倍の電荷を蓄積する容量を備える構成を特徴とする。
また、実施形態は、上記記載の固体撮像素子であって、前記画素には原色系のカラーフィルタがモザイク状に積層される構成を特徴とする。
また、実施形態は、上記記載の固体撮像素子であって、前記画素には補色系のカラーフィルタがモザイク状に積層される構成を特徴とする。
また、実施形態の撮像装置は、上記のいずれかに記載の固体撮像素子と、該固体撮像素子に垂直転送パルスと水平転送パルスと前記制御信号とを供給する撮像素子駆動手段とを備えることを特徴とする。
また、実施形態は、上記記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部には、同一の該電荷一時蓄積部に同一色のカラーフィルタを持つ画素で検出された信号電荷が振り分けられることを特徴とする。
また、実施形態は、上記記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部には、複数の画素が検出した信号電荷複数個分を蓄積した後に前記水平電荷転送路に転送されることを特徴とする。
また、実施形態は、上記記載の固体撮像素子の駆動方法であって、1本の垂直電荷転送路が同一色のカラーフィルタを持つ画素が検出した信号電荷だけを転送しているときは前記分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部に並行に該信号電荷を分割して転送することを特徴とする。
また、実施形態は、上記記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記分岐型電荷一時蓄積部には、複数の画素が検出した信号電荷複数個分を蓄積した後に前記水平電荷転送路に転送されることを特徴とする。
これにより、固体撮像素子内部で水平画素加算と水平画素加算を容易に行うことができ、また、プログレッシブ読出,マルチフィールド読出,動画像読出,画素間引読出に柔軟に対応して高品質な画像読出を行うことが可能となる。
本発明に係る固体撮像素子は、固体撮像素子内部で水平画素加算と垂直画素加算とを容易に行うことができるため、CCD型の固体撮像素子を搭載するデジタルカメラ(デジタルスチルカメラ,デジタルビデオカメラ,カメラ付携帯電話機を含む。)等に適用すると有用である。
1 撮像部
4 駆動部
4a 撮像素子駆動手段
9 システム制御部
22 CCD型固体撮像素子
24 画素(フォトダイオード:光電変換素子)
25 垂直電荷転送路(VCCD)
26 水平電荷転送路
27 出力アンプ
28 2分岐型電荷一時蓄積部
28a,28b 電荷一時蓄積部
36 ラインメモリ制御パルスφLM1用の配線
37 ラインメモリ制御パルスφLM2用の配線

Claims (11)

  1. 半導体基板に二次元アレイ状に配列形成されカラーフィルタが積層された複数の画素と、該画素で構成される複数の画素列に沿って形成され前記画素が検出した信号電荷が読み出され転送される複数の垂直電荷転送路と、該複数の垂直電荷転送路の転送方向端部に沿って形成される水平電荷転送路と、前記複数の各垂直電荷転送路対応に且つ該垂直電荷転送路の転送方向端部と前記水平電荷転送路との間に設けられ該垂直電荷転送路に沿って転送されてきた前記信号電荷を一時蓄積し前記水平電荷転送路に転送する分岐型電荷一時蓄積部と、該分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部の各々に別個に接続された制御信号印加用の配線とを備える固体撮像素子。
  2. 請求項1に記載の固体撮像素子であって、前記分岐型電荷一時蓄積部は、前記垂直電荷転送路から受け取った前記信号電荷を転送段1段で前記水平電荷転送路に転送する構成の固体撮像素子。
  3. 請求項1または請求項2に記載の固体撮像素子であって、前記分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部は前記水平電荷転送路の同一転送段に接続される構成の固体撮像素子。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の固体撮像素子であって、前記分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部は、各々が、前記画素の飽和電荷量の少なくとも2倍の電荷を蓄積する容量を備える構成の固体撮像素子。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の固体撮像素子であって、前記画素には原色系のカラーフィルタがモザイク状に積層される固体撮像素子。
  6. 請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の固体撮像素子であって、前記画素には補色系のカラーフィルタがモザイク状に積層される固体撮像素子。
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の固体撮像素子と、該固体撮像素子に垂直転送パルスと水平転送パルスと前記制御信号とを供給する撮像素子駆動手段とを備える撮像装置。
  8. 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部には、同一の該電荷一時蓄積部に同一色のカラーフィルタを持つ画素で検出された信号電荷が振り分けられる固体撮像素子の駆動方法。
  9. 請求項8に記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部には、複数の画素が検出した信号電荷複数個分を蓄積した後に前記水平電荷転送路に転送される固体撮像素子の駆動方法。
  10. 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の固体撮像素子の駆動方法であって、1本の垂直電荷転送路が同一色のカラーフィルタを持つ画素が検出した信号電荷だけを転送しているとき前記分岐型電荷一時蓄積部を構成する個々の電荷一時蓄積部に並行に該信号電荷を分割して転送する固体撮像素子の駆動方法。
  11. 請求項10に記載の固体撮像素子の駆動方法であって、前記分岐型電荷一時蓄積部には、複数の画素が検出した信号電荷複数個分を蓄積した後に前記水平電荷転送路に転送される固体撮像素子の駆動方法。
JP2009002477A 2009-01-08 2009-01-08 固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置 Withdrawn JP2010161629A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009002477A JP2010161629A (ja) 2009-01-08 2009-01-08 固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置
TW098144794A TW201027990A (en) 2009-01-08 2009-12-24 Solid state photographing element, its drive method, and photographing device
KR1020100000707A KR20100082309A (ko) 2009-01-08 2010-01-06 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법 그리고 촬상 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009002477A JP2010161629A (ja) 2009-01-08 2009-01-08 固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010161629A true JP2010161629A (ja) 2010-07-22

Family

ID=42578454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009002477A Withdrawn JP2010161629A (ja) 2009-01-08 2009-01-08 固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2010161629A (ja)
KR (1) KR20100082309A (ja)
TW (1) TW201027990A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012506668A (ja) * 2008-10-22 2012-03-15 イーストマン コダック カンパニー ピクセルの垂直ビニングによるイメージセンサ
JP2017531168A (ja) * 2014-08-08 2017-10-19 クアンタム−エスアイ インコーポレイテッドQuantum−Si Incorporated 分子の探索、検出及び解析のための光学システム及びアッセイチップ

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012506668A (ja) * 2008-10-22 2012-03-15 イーストマン コダック カンパニー ピクセルの垂直ビニングによるイメージセンサ
JP2017531168A (ja) * 2014-08-08 2017-10-19 クアンタム−エスアイ インコーポレイテッドQuantum−Si Incorporated 分子の探索、検出及び解析のための光学システム及びアッセイチップ
US11175227B2 (en) 2014-08-08 2021-11-16 Quantum-Si Incorporated Optical system and assay chip for probing, detecting and analyzing molecules
US11879841B2 (en) 2014-08-08 2024-01-23 Quantum-Si Incorporated Optical system and assay chip for probing, detecting and analyzing molecules
US12510477B2 (en) 2014-08-08 2025-12-30 Quantum-Si Incorporated Optical system and assay chip for probing, detecting and analyzing molecules

Also Published As

Publication number Publication date
TW201027990A (en) 2010-07-16
KR20100082309A (ko) 2010-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7944496B2 (en) Imaging apparatus and driving method for CCD type solid-state imaging device
JP4524609B2 (ja) 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法および撮像装置
US20110216228A1 (en) Solid-state image sensing element, method for driving solid-state image sensing element and image pickup device
US20040263652A1 (en) Image-taking apparatus and solid-state image-taking element
CN101931757B (zh) 摄像器件、电荷读出方法和摄像装置
JP2009055321A (ja) 撮像装置及びccd型固体撮像素子の駆動方法
JP4797007B2 (ja) 出力2分岐型固体撮像素子
JP4354346B2 (ja) 固体撮像装置とその駆動方法およびそれらを備えたカメラ
JP2010161629A (ja) 固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置
JP2006014075A5 (ja)
US8379125B2 (en) Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device and camera system
JP2011210748A (ja) Ccd型固体撮像素子及びその製造方法並びに撮像装置
JP5124549B2 (ja) 固体撮像素子の動画像信号読出方法及び撮像装置
JP4637033B2 (ja) 出力2分岐型固体撮像素子及び撮像装置
JP2005210359A (ja) 2板式カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ
JP4796859B2 (ja) 出力2分岐型固体撮像素子及び撮像装置
JP4649346B2 (ja) 出力2分岐型固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置
JP2007235888A (ja) 単板式カラー固体撮像素子及び撮像装置
JP2009094397A (ja) Ccd型固体撮像素子及び撮像装置
JP2009071025A (ja) Ccd型固体撮像素子
JP2007201711A (ja) 撮像装置及びccd型固体撮像素子の電荷転送方法
JP2009049523A (ja) 固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の駆動方法
JP2007228265A (ja) 出力2分岐型固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置
JP2007088733A (ja) Ccd型単板式カラー固体撮像素子
JP2011066684A (ja) 固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110803

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20110805

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20111216

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20120326