TW200818096A

TW200818096A - Light emitting device, method of driving pixel circuit, and driving circuit

Info

Publication number: TW200818096A
Application number: TW096122922A
Authority: TW
Inventors: Toshiyuki Nozawa
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-07-03
Filing date: 2007-06-25
Publication date: 2008-04-16
Also published as: US20130134896A1; JP2008014995A; CN101101729B; JP4207988B2; KR101363380B1; CN101101729A; US20080074412A1; KR20080003715A; US9013376B2

Description

200818096 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係關於控制有機發光二極體元件等，技術。【先前技術】爲了控制對發光元件供給的電流（以下稱ί 流」），從前即已提案利用薄膜電晶體等主動；裝置。例如於專利文獻1或專利文獻2，如圖1 示了在驅動電流IDR的路徑上配置驅動電晶體控制電晶體TEL的構成。驅動電晶體TDR產生丨的電位之驅動電流IDR。發光控制電晶體TEL，[ 電晶體TDR與發光元件E之間，於特定的期間「發光期間」）遷移至打開（ON )狀態而許Ϊ 件E之驅動電流ID R之供給。〔專利文獻1〕美國專利第6229506號說明〔專利文獻2〕日本專利特開2003 — 22049 【發明內容】〔發明所欲解決之課題〕驅動電晶體TDR的動作點之大部分被設定內，但是驅動電流IDR隨著通道長調變效果而電晶體TDR的汲極一源極間的電壓而變動。另各發光元件E的電氣特性有著誤差（來自設計光元件之 I ^驅動電土件之發光 ?所示，揭「dr與發光 3應於閘極 =介於驅動〔以下稱爲「對發光元書號公報飽和區域應於驅動方面，於的誤差或 -4 - 200818096 各元件間的個別差異）。例如，驅動電流Idr的電流量與發光元件E的兩端間的電壓之關係隨著發光元件E的不同而有異。兩端間的電壓隨著發光元件E而不同的話，各驅動電晶體TDR的汲極一源極間的電壓會改變。亦即，各驅動電晶體TDR的閘極設定於同電位的場合，也會有著對各發光元件E供給的驅動電流IDR (進而各發光元件E的光量）會因應於發光元件E的電氣特性而有所不同的問題。有鑑於以上情形，本發明之目的在於解決減低發光元件的電氣特性對驅動電流造成的影響之課題。〔供解決課題之手段〕爲了解決以上的課題，本發明包含藉由驅動電流的供給而發光的發光元件與產生驅動電流的驅動電晶體，在由驅動電晶體對發光元件供給的驅動電流的路徑上被配置與驅動電晶體相同的導電型之發光控制電晶體的畫素電路之驅動方法，其特徵爲：於使發光元件發光的發光期間以使發光控制電晶體在飽和區域成爲打開（ON )狀態的方式設定該發光控制電晶體的閘極電位。根據本發明，於發光期間發光控制電晶體在飽和區域動作’所以發光控制電晶體與發光元件之間的電位即使因應於發光元件的電氣特性而改變，發光控制電晶體與驅動電晶體之間的電位（驅動電晶體的汲極電位）的變動也會被抑制。亦即，可以減低發光元件的電氣特性對驅動電流造成的影響。 -5- 200818096 於本發明之第1樣態（例如後述之第1實施型態），驅動電晶體與發光控制電晶體係P通道型，驅動電晶體中介於第1給電線（例如圖3之給電線L i)與發光控制電晶體之間，發光元件中介於發光控制電晶體與第2給電線（例如圖3之給電線L2)之間，以第1給電線之電位爲基準時之第2給電線的電位爲-VE]L(-VEL<0)，以發光控制電晶體側的電極的電壓爲基準發光元件之電壓降下爲最大時之該發光兀件的兩端間的電壓爲VEL^MAxi^VEI^MAX^^O)，發光控制電晶體之閾値電壓爲時VT2(VT2<0)，發光期間之發光控制電晶體的閘極電位 VG 0N ，以滿足 VG_0N>-VEL-VEL_MAX + VT2的方式設定。根據以上之樣態，可以確實使發光控制電晶體在飽和區域動作。進而於較佳的樣態，驅動電流的電流量最大時之驅動電晶體的閘極-源極間的電壓爲

Vdata + maxCVdata + maxW) ’驅動電晶體的閾値電壓爲 VT1(VT1<0)時，把發光期間之發光控制電晶體的閘極電位 VG_ON 以滿足 VG_ON<VDATA_MAX-VT1+VT2 的方式設定。根據此樣態，驅動電晶體在飽和區域動作，所以可以將驅動電晶體作爲安定的定電流源來利用。於本發明之第2樣態（例如後述之第2實施型態），驅動電晶體與發光控制電晶體係N通道型，發光元件中介於第1給電線（例如圖8之給電線L !)與發光控制電晶體之間，驅動電晶體中介於發光控制電晶體與第2給電線（例如圖8之給電線L2)之間，以第2給電線之電位爲基準時之 200818096 第2給電線的電位爲VEL(VEL>0)，以發光控制電晶體側的電極的電壓爲基準發光元件之電壓降下爲最大時之該發光元件的兩端間的電壓爲VEL_MAX(VEL_MAX>0)，發光控制電晶體之閾値電壓爲時VT2(VT2>0)，發光期間之發光控制電晶體的閘極電位Vg_on，以滿足Vg_on>-Vel-Vel_max + Vt2 的方式設定。根據以上之樣態，可以確實使發光控制電晶體在飽和區域動作。進而於較佳的樣態，驅動電流的電流量最大時之驅動電晶體的閘極-源極間的電壓爲 vDATA_MAX(vDATA_MAX>0) ，驅動電晶體的閾値電壓爲vT1(vT1>0)時，把發光期間之發光控制電晶體的閘極電位 V g_on 以滿足 Vg. _ON>VdaTA_MAX-Vti+Vt2 的方式設疋c >根據此樣態，驅動電晶體在飽和區域動作，所以可以將驅動電晶體作爲安定的定電流源來利用。於相關於本發明的驅動方法之其他樣態（例如後述之第4實施型態），畫素電路包含由驅動電晶體與發光控制電晶體之間的節點（例如圖1 2之節點Ν!)所分歧的路徑上配置的寫入控制電晶體（例如圖1 2之電晶體SWi )，發光控制電晶體與寫入控制電晶體其導電型以及尺寸皆共通，在先於發光期間的寫入期間，藉由把在發光期間使發光控制電晶體爲打開（ON )狀態的電位相等的電位供給至寫入控制電晶體的閘極而使該寫入控制電晶體爲打開（ ON )狀態，此時藉由通過驅動電晶體與節點與寫入控制電晶體的電流（例如圖12之電流Id A T A )設定驅動電晶體 200818096 的閘極電位。根據以上之樣態，在寫入期間被供給至寫入控制電晶體的閘極的電位與在發光期間被供給至發光控制電晶體的閘極之電位被設爲同電位，所以驅動電晶體與發光控制電晶體之間的節點的電位在寫入期間與發光期間是約略一致的。亦即，在寫入期間流經驅動電晶體的電流量與在發光期間流經驅動電晶體的電流量可以高精度地使其一致。相關於本發明之驅動電路，包含藉由驅動電流的供給而發光的發光元件與產生驅動電流的驅動電晶體，在由驅動電晶體對發光元件供給的驅動電流的路徑上被配置與驅動電晶體相同的導電型之發光控制電晶體的畫素電路之驅動電路，具備於使發光元件發光的發光期間以使發光控制電晶體在飽和區域成爲打開（ON )狀態的方式設定該發光控制電晶體的閘極電位的發光控制電路。根據以上的構成，於發光期間發光控制電晶體在飽和區域動作，所以減低發光元件的電氣特性對驅動電流造成的影響。相關於本發明之發光裝置，具備包含藉由驅動電流的供給而發光的發光元件與產生驅動電流的驅動電晶體，在由驅動電晶體對發光元件供給的驅動電流的路徑上被配置與驅動電晶體相同的導電型之發光控制電晶體的畫素電路，以及於使發光元件發光的發光期間以使發光控制電晶體在飽和區域成爲打開（ON )狀態的方式設定該發光控制電晶體的閘極電位的發光控制電路。根據以上的構成，於發光期間發光控制電晶體在飽和區域動作，所以減低發光 -8- 200818096 元件的電氣特性對驅動電流造成的影響。畫素電路，具備：包含驅動電晶體與發光控制電晶體之間的節點與資料線之間所中介的寫入控制電晶體，在先於發光期間的寫入期間使寫入控制電晶體爲打開（ON ) 狀態的寫入控制電路，及於寫入期間藉由使電流流過資料線而設定驅動電晶體的閘極電位的資料供給電路；發光控制電晶體與寫入控制電晶體其導電型與尺寸共通，在寫入期間寫入控制電路寫入控制電路對寫入控制電晶體的閘極供給的電位，與在發光期間發光控制電路對發光控制電晶體的閘極供給的電位相等。根據以上之樣態，寫入期間之寫入控制電晶體之閘極與發光期間之發光控制電晶體的閘極電位爲相同電位，所以在寫入期間流經驅動電晶體的電流量與在發光期間流經驅動電晶體的電流量可以高精度地使其一致。相關於本發明之發光裝置被利用於各種電子機器。相關於本發明之電子機器之典型例，係將發光裝置作爲顯示裝置利用之機器（例如個人電腦或行動電話）。原本，相關於本發明之發光裝置的用途就不限於影像的顯示。例如 ’可以在藉由光線的照射而在感光鼓等影像擔持體上形成潛影之用的曝光裝置（曝光頭）、被配置於液晶裝置的背面側而照明此之裝置（背光）、或者被搭載於掃描器等影像讀取裝置而照明原稿之裝置等照明裝置等等，在種種用途適用本發明之發光裝置。 -9- 200818096 【實施方式】〔供實施發明之最佳型態〕 < A :第1實施形態> 圖1係顯示作爲顯示影像的手段，各種電子機器採用的發光裝置之具體型態之方塊圖。如該圖所示，發光裝置 D具備：配列多數畫素電路P的元件陣列部1 0，及供控制各畫素電路P的周邊電路（電源電路2 0、寫入控制電路 22、發光控制電路24、資料供給電路26 )。各畫素電路 P，包含藉由電流的供給而發光的發光元件E。於元件陣列部1 0，被形成延伸於X方向的m條選擇線1 2，及與各選擇限1 2成對而延伸於X方向之m條發光控制線1 4、及延伸在直交於X方向的Y方向的n條資料線1 4 ( m與η分別爲2以上之自然數）。各畫素電路Ρ，對應於選擇線1 2及發光控制線1 4之對與資料線1 6之各交叉而被配置。亦即，這些畫素電路Ρ跨X方向及Υ方向排列爲縱m行X橫η列的矩陣狀。電源電路20，係產生在發光裝置D使用的電壓之手段。電源電路2 0產生高位側的電源電位VH與低位側的電源電位VL。電源電位VH係成爲各部的電壓的基準的電位 (〇 V )，透過給電線L !被供給至元件陣列部1 〇。電源電位VL係比電源電位VH更低上電壓VEL的低電位，透過給電線L2被供給至元件陣列部1 0。此外，電源電路2 0，產生在發光控制電路24使用的打開電位VG_0N以及關閉電位 V〇_〇FF。本實施型態之打開電位 V〇_〇N比關閉電位 -10- 200818096

Vg_off的電位還低。又，打開電位Vg-on以及關閉電位 VG_0FF的詳細內容稍後敘述。寫入控制電路2 2 ’係產生供依序選擇m條選擇線1 2 之各個之用的選擇訊號G w τ [ 1 ]〜G w τ [ m ]而對各選擇線1 2輸出之手段（例如m位元之移位暫存器）。如圖2所示，被供給至第i行（i爲滿足1 S i $ m之自然數）之選擇線1 2 的選擇訊號GwT[i]，於一個圖框期間（1 V )之中第i個寫入期間（水平掃描期間）PWT成爲低位準（選擇），而在其他的期間維持高位準（非選擇）。圖1之發光控制電路24，係產生供規定發光元件E 實際發光的期間（以下稱爲「發光期間」）之用的發光控制訊號GEL[1]〜GEL[m]而對各發光控制線14輸出之手段（例如m位元之移位暫存器）。如圖2所示，被供給至第i 行的發光控制線14之發光控制訊號GEL[1]，由選成訊號 G w T [ i ]成爲低位準的寫入期間P W T之經過後（終點）起在跨特定時間長的發光期間Pel成爲打開電位VG_0N，而在其他的期間維持關閉電位VG_0FF。圖1之資料供給電路2 6，產生指定各發光元件E的色階（光量）的資料訊號Sn]〜S[n]而輸出至各資料線16 的手段（例如η個電壓輸出型D/A變換器）。選擇訊號 GWT⑴成爲低位準的寫入期間Pwt被供給至第i列的資料線1 6之資料訊號S □]，被控制爲屬於第i行的第j列之畫素電路P指定的色階之電位VDATA。其次，參照圖3說明各畫素電路P之具體構成。又， 11 - 200818096 於該圖，屬於第i行的第j列之僅1個畫素電路P被圖示，構成畫素陣列部1 〇的各畫素電路p都是相同的構成。如圖所示，各畫素電路P的發光元件E，被配置於連結給電線L i與給電線L2的路徑上。本實施型態之發光元件E ，係於相互對向的陽極與陰極之間中介著有機E L (電激發光，Electro-Luminescent )材料之發光層之有機發光二極體元件。發光元件E，以因應於流經陽極與陰極之間的驅動電流Idr的電流量之光量（壳度）發光。發光元件 E的陰極被被連接於給電線L2。驅動電流Idr的路徑上（給電線L!與發光元件E之間 )被配置P通道型驅動電晶體TDR。驅動電晶體TDR係產生因應於閘極的電位的電流量之驅動電流IDR的手段。驅動電晶體TDR的源極被連接於給電線L i。於驅動電晶體 TDR之閘極與源極（給電線)之間中介著電容元件Cl。此外，驅動電晶體TDR之閘極與資料線1 6之間，中介著控制二者之電氣接續（導通/非導通）之P通道型之電晶體S W i。屬於第i行之各電晶體S W i之閘極對於第i行之選擇線1 2被共通接續。驅動電晶體TDR之汲極與發光元件E之陽極之間（亦即從驅動電晶體TDR對發光元件供給的驅動電流IDR的路徑上），被配置有控制二者的電氣接續之發光控制電晶體 TEL。發光控制電晶體TE]L之導電型與驅動電晶體TDR同樣爲P通道型。屬於第i行之各發光控制電晶體TEL之閘極對於第i行之發光控制線1 4被共通接續。電源電路20 -12- 200818096 產生的打開電位vG_0N，被設定爲在被供給至發光控制電晶體TEL的閘極時使發光控制電晶體TEL成爲打開狀態的位準，關閉電位VG_0FF，被設定爲使發光控制電晶體TEL 爲關閉狀態之位準。在寫入期間Pwt選擇訊號GWT⑴遷移至低位準時，屬於第i行之各電晶體SWi同時變化爲打開狀態。於屬第i 行第j列的畫素電路P，對驅動電晶體TDR的閘極供給資料訊號Sn]的電位VDATA，同時因應於電位VDATA的電荷被蓄積於電容元件C!。電位VDATA，係因應於發光元件E 被指定的所要的光量而被設定的電位，以發光元件E的光量爲最大時驅動電晶體TDR會在飽和區域動作的方式被選定。另一方面，於寫入期間Pwt，發光控制訊號GEL⑴成爲關閉電位VG_OFF，所以發光控制電晶體TEL維持於關閉狀態，所以驅動電流Idr的路徑被遮斷，而發光元件E熄滅。寫入期間Pwt經過之後選擇訊號GWT[1：|遷移至高位準，所以各電晶體SWi變化爲關閉狀態。驅動電晶體TDR的閘極，於寫入期間Pwt之經過後的發光期間Pel也藉由電容元件G而被維持於電位VDATA。另一方面，於發光期間 Pel發光控制訊號GEUl]被設定於打開電位VG_0N，所以發光控制電晶體TEL成爲打開狀態，而驅動電流IDR的路徑被確立。亦即，因應於驅動電晶體TDR之閘極電位VDATA 之電流量的驅動電流Idr，由給電線L i經過驅動電晶體 TDR與發光控制電晶體TEL而被供給至發光元件E。亦即 -13- 200818096 ，發光元件以因應於電位VDATA的光量發光。然而，在飽和區域動作的電晶體之流動於汲間的電流Id係以下式（1 )表現的。 ID = (P/2)(VGS_VT)2 · (l+λ· VDS) .........(1) 式（1 )之「β」係電晶體的增益係數，「νΊ 體的閾値電壓。此外「VGS」係電晶體之閘極一電壓，「VDS」爲電晶體的汲極一源極間的電壓通道長調變係數，表示在飽和區域電壓vDS僅改時之電流Id的變化量（斜率）。由式（1 )可知驅動電晶體TDR在發光期間PEL在飽和區域動作流Idr (相當於式（1 )之電流ID )依存於驅動電的汲極一源極間的電壓 VDS (更具體而言是驅 TDR與發光控制電晶體TEL之間的節點小的電位另一方面，發光元件E的電氣特性，隨著發被使用的環境的溫度或發光元件E的從形成時起間等種種因素而改變。此外，於一個發光裝置D 件E的電氣特性也有個體差異。如以上所述如果 E的特性有個體差異的話，發光元件與發光控 tel之間的節點N2 (發光元件E的陽極）之電位該發光元件E的特性而變動。現在，發光控制電於發光期間PEL在非飽和區域（線形區域）動作點Ni之電位（驅動電晶體TDR的電壓VDS )會因極一源極「」係電晶源極間的。「λ」爲變單位量，即使說，驅動電〔晶體Tdr 動電晶體 )° 光裝置D 經過的時各發光元發光元件制電晶體會因應於 t晶體T E L 的話，節應於節點 -14- 200818096 n2的電位而改變，所以如式（1 )所可理解的’驅動電流 Idr的電流量因應於發光元件E的特性而改變’結果會有各發光元件E的光量（色階）產生個體差異的問題。爲了解決以上之問題，於本實施型態’以於發光期間 Pel發光控制電晶體TEL在飽和區域內成爲打開狀態的方式，電源電路20產生打開電位VG_0N。現在，於式（1 ) 當通道長調變係數λ充分小時，流動於電晶體的電流I D 近似於下式（2 )。

Id = (P/2)(Vgs-Vt)2 .........(2) 如可由式（2 )所把握到的，流至在飽和區域動作的電晶體的電流Id係由閘極一源極間的電壓VGS與閾値電壓VT而決定的。換句話說，電流Id被固定的話，閘極一源極間的電壓VGS也被固定於特定値。針對發光控制電晶體TEL在飽和區域動作的場合進行檢討的話，發光控制電晶體T e l的聞極一源極間的電壓V G S，因應於驅動電晶體 TDR產生的驅動電流IDR而決定。亦即，節點Ni的電位，因應於被供給至發光控制電晶體TEL的閘極的打開電位 VG_ON而被決定，不會受到起因於發光元件E特性的個體差異導致節點N 2電位的變動的影響。又，於式（2 )忽視了發光控制電晶體TEL的通道長調變效果的影響，但因通道長調變係數λ充分地小，所以即使如式（1 )考慮通道長調變效果的場合，與發光控制電晶體TEL在非飽和區域 -15- 200818096 動作的場合相比，起因於發光元件E的特性的個體差異之節點Ni的電位變動被充分抑制。如以上所述，根據本實施型態的話，藉由使發光控制電晶體TEL的動作點設定於飽和區域內而抑制節點Ni的電位的變動，所以即使發光元件E的電氣特性即使有個體差異，也可以高精度地產生因應於資料訊號Su]的電位VDATA之驅動電流IDR。又，驅動電流Idr的電流量接近零的場合，發光控制電晶體Tel的鬧極一源極間的電壓Vgs，充分接近發光控制電晶體TEL的閾値電壓VT2。亦即，被供給至發光控制電晶體TEL的閘極的打開電位VG_0N與節點Νι (發光控制電晶體TEL的源極）的電位VN1之差分値（發光控制電晶體TEL之閘極一源極間的電壓VGS)近似於閾値電壓VT2 (Vg + on-Vni^Vt?)。亦即’節點Νι的電位Vni被維持於打開電位VG_0N與閾値電壓VT2之差分値的附近（VN1 与VG_on-VT2 )。總之，發光元件Ε的特性幾乎不對節點 K的電位VN1造成影響。其次，檢討使發光控制電晶體TEL在飽和區域動作所必要的打開電位VG_0N的條件。發光控制電晶體TEL爲了要在飽和區域動作，發光控制電晶體TEL的汲極一源極間的電壓VDS，應該要比閘極一源極間的電壓VGS與閾値電壓 Vt2 ( Vt2<〇 )之差分値還要低（VDS<VGS-V T2 )。節點 N2之電位爲VN2的話，以上之條件以下式（al )表現。

Vn2<Vg_on-Vt2 ......(al) -16- 200818096 發光元件E之電壓降下成爲最大時之發光元件E的兩端間的電壓爲VEL_MAX。電壓VEL_MAX，考慮發光元件E 的特性的個體差異的範圍與驅動電流Idr的電流量把陽極的電壓決定爲基準（Vei^maxI)。亦即’電壓Vel_max，係構成元件陣列部1 〇的多數發光元件E之中起因於電氣特性的誤差而對於兩端間的電壓成爲最大的發光元件供給最大的電流値之驅動電流Idr的場合（指定最高色階的場合）之該發光元件E的兩端間的電壓。式（a 1)之電位VN2 的最大値爲「-Vel-Vel_max」’所以爲了使發光控制電晶體TEL在飽和區域動作之打開電位VG_0N的範圍以下式（ a2 )表現。

Vg_on>-Vel-Vel_max + Vt2 ......(a2) 然而，本實施型態之驅動電晶體TDR其發光元件E的光量（色階）改變的範圍的大部分在飽和區域動作。驅動電晶體TDR爲了要在飽和區域動作，汲極一源極間的電壓 VDS，應該要比閘極一源極間的電壓VGS與閾値電壓VT1 ( Vt/O)之差分値還要低。使資料訊號之電位Vdata的最大値爲Vdata_max的話，以上之條件以下式（a3 )表現。又，電位VDATA_MAX，係驅動電流 Idr的電流量成爲最大的場合（亦即最高色階的場合）之驅動電晶體TDR的閘極電位（VDATA_MAX<0 )。 -17- 200818096 V n 1 < V d a τ a_m a x _ V τ 1 .........(a3) 進而，於發光期間Pel爲了使發光控制化爲打開狀態，發光控制電晶體ΤΕί之閘極壓必須要低於閾値電壓 VT2。亦即，以下之晶體TEL變源極間的電 (a4 )成立 V g 一〇 n，V τ 1 < V τ 2 ......... (a 4 ) 由式（a3 )與式（a4 )導出以下之式（a5 )°

Vg_on<Vdata_max-Vti+Vt2 ......... ( a 5 ) 由式（a2 )與式（a5 )，打開電位VG_0N 示由滿足式（a6)的範圍內選出。 VdaTA_MAX-Vt1+Vt2>Vg_〇N〉-VeL-VeL_MAX + Vt2 … 又，關閉電位vG_OFF，只要是發光控制電爲關閉狀態的電壓即可。例如，高位側的電〇V)作爲關閉電位V(3_0FF使用。其次，使發光控制電晶體TEL於發光期鬧動作的場合之效果，藉由使發光控制電晶體Ί 區域使其動作的場合（以下稱爲「對比例」），如圖4所 (a6) :晶體TEl成 g電位 VH ( 丨在飽和區域在非飽和之對比來加 -18- 200818096 以說明。以下假設將給電線L 2的電源電位V L設定爲「 -VEL = -18(V)」的場合。本實施型態之打開電位▽(}__爲「_9 ( V )」，對比例之打開電位VG_0N爲「-18 ( V )」。此外’如圖5所示，假設發光元件E爲特性A的場合與特性B的場合。如該圖所示，即使將驅動電流iDR設定於相同電流量的場合，特性的發光元件之兩端間的電壓也比特性A的發光元件E還要高。圖6係針對特性A及特性B顯示電位VDATA的振幅（絕對値）與驅動電流IDR之關係之圖。圖（a)顯示根據本實施型％^之結果’圖（b)顯不根據對比例之結果。如圖（b)所示，於對比例，即使電位VDATA爲同電位，驅動電流IDR 也因應於發光元件E的特性而不同。相對於此，於本實施型恶’發光兀件爲特性A以及特性B之任一*，電位V D A T A 共通的場合驅動電流Idr之電流値都高精度地一致。其次’圖7係針對特性A及特性B顯示電位VDATA的振幅與各節點（N i，N 2 )之電位之關係之圖。與圖6同樣，圖（a)顯示根據本實施型態之結果，圖（b)顯示根據對比例之結果。如圖（b)所示，發光控制電晶體τ e L在非飽和區域動作的話，節點N的電位因應於發光元件e的特性而不同，進而節點N 1的電位因應於節點N 2的電位而改變。另一方面，如圖（a)所示，於本實施型態，節點n2的電位也因應於發光元件E的特性而變動。然而，因爲發光控制電晶體T e l在飽和區域動作，所以發光元件E不管是在特性或特性B節點N 1的電位都不會改變。 -19- 200818096 然而，不管發光元件E的特性爲何，爲了維持節點川的電位於特定値之構成，例如使與發光控制電晶體TEL 分別之電晶體（以下稱爲「緩衝用電晶體」）中介於發光控制電晶體TEL與驅動電晶體TDR之間的構成亦可考慮。於發光期間Pel，使發光控_制電晶體TEL與對比例同樣在非飽和區域動作，同時使緩衝用電晶體在飽和區域動作，可以緩和對節點N i的電位之發光元件E的特性的影響。然而，會有構成畫素P的電晶體的個數隨著緩衝用電晶體而增加的問題。對此，於本實施型態，作爲控制對發光元件E之驅動電流IDR的可否供給支開關元件的作用，與緩和發光元件E的電氣特性對節點N!的電位造成的影響之作用，可以藉由一個發光控制電晶體TEL而實現。亦即，與被配置緩衝用電晶體的構成相比，具有畫素電路P的構成被簡化的優點。 < B :第2實施形態> 其次，說明本發明之第2實施型態。又，針對以下各型態之中與第1實施型態在作用或功能共通的要素被賦予與以上相同的符號而適當省略其詳細說明。圖8係顯示本實施型態之畫素電路P的構成之電路圖。如該圖所示，構成畫素電路的各電晶體（驅動電晶體 Tdr、發光控制電晶體TEL、電晶體SW!)係N通道型。亦即，給電線L !與給電線L2與畫素電路p之各要素之間的關係與第1實施型態相反。亦即，發光元件E的陽極被 -20- 200818096 接在給電線L !，驅動電晶體tdr的源極被接在給電線L2 。給電線L2的電位V L係成爲各部的電壓的基準之電位（ 0V)。給電線L!的電位VH係僅電壓Vel之高電位（ VEL>0)。發光控制電晶體TEL，中介於發光元件E的陰極與驅動電晶體T D R的汲極之間。電晶體s W i或電容元件 C 1之配置與第1實施型態相同。發光控制迅號Gel[h’與第1實施型態同樣，在發光期間Pel成爲打開電位VG_0N，其他的期間維持於關閉電位VG_0FF。但是，發光控制電晶體TEL爲N通道型，所以打開電位Vg_on比關閉電位VG_0FF的電位更高。打開電位 VG_0N，與第1實施型態同樣，係以使發光控制電晶體Tel 在飽和區域動作的方式選定。針對打開電位VG_ON的條件詳述如下。首先，爲了要在飽和區域動作，發光控制電晶體TEL 的汲極一源極間的電壓VDS，應該要比閘極一源極間的電壓 VGS與閾値電壓 VT2 ( VT2>0 )之差分値還要高（ Vds>Vgs-Vt2 )，所以成立下式（bl)。

Vn2〉Vg_on-Vt2 ......(bl) 考慮到式（bl )之電位 VN2的最大値爲「VEL-Vel_max」的話’由式（bl )導出以下之式（b2 ) (VEL一MAX〉〇) 〇 -21 - 200818096 V( 此動電晶一源極要高（之電位量成爲之最大 V> 進開狀態 VG 由 VG 由 V G ON 5 丨—O〆 VeL 一 Μ AX +Vt2 ......... ( b 2 ) 外，爲了要使驅動電晶體TDR在飽和區域動作，驅體TDR的汲極一源極間的電壓VDS，應該要比閘極間的電壓VGS與閾値電壓VT1 ( VT1>0 )之差分値還 Vds>VGs-Vti )，所以成立下式（b3 )。式（b3 ) VdATA + MAxCVdATA + MAX’O) ’ 係驅動電流 Idr 之電流最大時之驅動電晶體TDR的閘極電位（電位VDATA 値）。丨 1 > Vd AT A一 MAX-Vt 1 .........(b3) 而’於發光期間Pel發光控制電晶體TEL變化爲打 ’所以成立以下式（b4 )。一on-VT 1 >vT2 ......... (b4) 式（b3)與式（b4)導出以下之式（b5)。 …（b 5 ) °N^VData max-VTi+Vt2 式（b2 )與式（b5 )，本實施型態之打開電位如151 9所示由滿足式（b6 )的範圍內選出。 -22- 200818096

Vdata_max-Vti + Vt2<Vg一on〈VEl-Vel_max + Vt2 ··· (b6) 成 ( EL 元電電電極 Ο 線極體連的前位又，關閉電位VG_0FF，只要是發光控制電晶體TEL 爲關閉狀態的電位即可。例如，低位側的電源電位 ον)作爲關閉電位VGOFF使用。如以上所說明的，於本實施型態發光控制電晶體T 也在發光期間PEL在飽和區域動作，所以可減低各發光件E的電氣特性對驅動電流IDR造成的影響。 < C :第3實施形態> 圖1 〇係顯示相關於本發明的第3實施型態之畫素路P的構成之電路圖。如該圖所示，本實施型態之畫素路P，除了第1實施型態之要素外，包含電晶體SW2與容元件C2。電晶體SW2，係中介於驅動電晶體TDR的閘與汲極之間而控制二者的導電連接之P通道型的電晶體於電晶體S W2的閘極由驅動電路（省略圖示）介由控制 18供給控制訊號GCP⑴。電容元件C2包含電極Ei與電 E2。電極Ei被接續於驅動電晶體TDR之閘極。電晶 SWi，中介於電極E2與資料線1 6之間控制二者的導電接。圖1 1係顯示被供給至第i行的第j列之畫素電路P 訊號的波形之計時圖。如該圖所示，於寫入期間PWT之被設定重設期間PRS與補償期間PCP。選擇訊號GWT[i] 於重設期間PRS與補償期間Pcp與寫入期間PWT成爲低 -23- 200818096 準’於發光期間PEL成爲高位準。發光控制訊號gel[1]，於重設期間pRS與發光期間PEL成爲打開電位VG_〇N，於補償期間PCP與寫入期間PWT成爲關閉電位V(5_〇FF ( VG_0FF>VG_0N )。控制訊號Gcp[1]，於重設期間pRS與補償期間Pcp成爲低位準，於寫入期間PWT與發光期間Pel 成爲高位準。其次，說明一個畫素電路P的動作。首先，於重設期間Prs ’發光控制訊號GEL[i]成爲打開電位Vg on所以發光控制電晶體TEL維持於打開狀態。此外，控制訊號GcP[1] 遷移至低位準’所以驅動電晶體TDR介由電晶體SW2被二極體接續。亦即，於重設期間PRS，驅動電晶體TDR之閘極（電極E!)被初期化爲因應於發光元件E的電氣特性之電壓。此外，於重設期間P R s以及補償期間p c p，藉由選擇訊號GWT⑴使電晶體SWi成爲打開狀態，資料訊號

Su]被維持於基準電位vREF。亦即，電極e2被維持於基準電位V R Ε ρ。接著，補償期間Pcp開始時，發光控制訊號GEL[i]遷移至關閉電位VG_OFF，發光控制電晶體TEL變化爲關閉狀態。亦即，直到抵達補償期間Pcp的終點爲止，驅動電晶體Tdr之閘極（電容兀件C2之電極Ε!)，收斂於給電線 Li之電源電位VH(0V)與驅動電晶體tdr的閾値電壓 VT1之差分値（VH-VT1 )。於寫入期間P w τ，控制訊號G c p [ i ]遷移至高位準使驅動電晶體T D R的二極體接續被解除，而且電晶體s w!被維 -24- 200818096 持於打開狀態而資料訊號sn]由基準電位VRDF變更爲電位VDATA。驅動電晶體TDR之閘極之阻抗充分地高，所以電極E之電位（驅動電晶體TDR之閘極的電位），因應於電極E2的電位的改變量（基準電位VREF與電位VDATA之差分値）而改變。亦即，驅動電晶體TDR的鬧極被設定爲因應於電位VD ATA之電位。寫入期間PWT經過後的發光期間Pel，發光控制訊號GEL[1]被設定爲打開電位VG_0N而發光控制電晶體TEL成爲打開狀態，所以因應於驅動電晶體 TDR之閘極電位的驅動電流IDR經由發光控制電晶體而被供給至發光元件E。亦即，發光元件以因應於電位VDATA 的光量發光。如以上所述，於本實施型態，將驅動電晶體TEL的閘極電位，於補償期間Pcp使收斂於對應於閾値電位VT1的電位，於寫入期間Pwt利用電容元件C2使其改變而設定於因應電位 VDATA之電位。亦即，可以補償驅動電晶體 TEL的閾値電壓 VT1之誤差，高精度地產生因應於電位 V D A Τ Α之驅動電流I D R。本實施型態之打開電位VG_0N，與第1實施型態之式 (a6 )同樣，係由使發光控制電晶體TEL以及驅動電晶體 TDR在飽和區域動作之式（e )的範圍內選定。亦即，於本實施型態，也可發揮與第1實施型態同樣的效果。

VdATA_MAX-Vt1+Vt2>Vg_ON>-Vel-VeL_MAX + Vx2 ...(c) -25- 200818096 其中，本實施型態之電位 Vdata_max，係以驅動電 Idr之電流量成爲最大的方式選定電位VDATA時在寫入間P w T被設定的驅動電晶體T D R的閘極電位，與資料線的電位Vdata不同。 < D :第4實施形態〉其次，說明本發明之第4實施型態。於以上之各實型態，例示因應於資料線16之電位VDATA而被設定發元件E的光量之電壓程式方式之畫素電路P。相對於此本實施型態之畫素電路P，係因應於資料線1 6之電 Idata而被設定發光元件E的光量之電流程式方式。圖1 2係顯不畫素電路P的構成之電路圖。如該圖示，本實施型態之畫素電路P，包含與驅動電晶體TDR 發光控制電晶體TEL同樣之P通道型電晶體SWi與電晶 SW2。電晶體S Wi，由驅動電晶體TDR與發光控制電晶 TEl之間的節點N i分歧而被配置在到達資料線1 6的路上，控制驅動電晶體Tdr之汲極與資料線1 6之電氣接。電晶體SWi與發光控制電晶體TEL，在相互接近的位以相同尺寸（通道長或通道寬幅）形成。電晶體SW2控驅動電晶體TDR之閘極與汲極之電氣接續。電晶體SW 及電晶體S W2之各個的閘極被接續於選擇線1 2。圖1 3係顯示本實施型態之發光裝置D的構成之方圖。如該圖所示，電源電路20，除了對發光控制電路也對寫入控制電路22供給打開電位VG_0N以及關閉電流期 16 施光，流所或體體徑續置制以塊 2 4 位 -26- 200818096

Vg_off(Vg_〇n<Vg_〇ff)。如圖14所不’寫入控制電路 22，將選擇訊號GWT[I]於寫入期間設定爲打開電位VG_ON ，其他期間（包含發光期間PEL)設定爲關閉電位Vg_off 。發光控制訊號Gel [η之波形與第1實施型態相同。資料供給電路26，係於選擇訊號GWT[i]成爲打開電位 VG_ON的寫入期間PWT，將資料訊號Su]設定爲因應於第i 行所屬的第j列之畫素電路P所指定的色階之電流Idata 之手段（例如η個電流輸出型D/A變換器）。於以上之構成，在寫入期間Pwt選擇訊號GWT[1]遷移至打開電位VG_ON時，驅動電晶體TDR介由電晶體8~2被二極體接續。此外，藉由打開電位 VG 0N的供給電晶體 SWi變換爲打開狀態，所以如圖1 2之虛線所示，資料訊號 S[j] 之電流I D A T A由給電線L 1經由驅動電晶體T D R與節點N i與電晶體S W1流入第j列之資料線1 6。亦即，於電容兀件Cl被保持著因應於電流Idata之電壓。寫入期間 Pwt經過後之發光期間 Pel，選擇訊號 GWT[i]被設定於關閉電位VG_0FF使電晶體3\\^與電晶體 SW2變化爲關閉狀態。接著，發光控制訊號GEL[1]遷移至打開電位VG_0N而發光控制電晶體TEL變化爲打開狀態時，因應於驅動電晶體TDR之閘極電位（在之前的寫入期間 TWT被保持於電容元件Ci的電位）之驅動電流IDR經由發光控制電晶體TEL而被供給至發光元件E。亦即，發光元件以因應於電流Idata的光量發光。本實施型態之打開電位VG_0N，與第1實施型態之式 •27- 200818096 (a 6 )同樣，係由使發光控制電晶體T e l在飽和區域動作之式（d )的範圍內選定。亦即，於本實施型態，也可發揮與第1實施型態同樣的效果。 V DATA_MAX~V X 1 + V T2>V G_ON>'V EL~V EL_MAX + Vt2 ( d) 其中’式（d)之電位Vdata_max’係以驅動電流Idr 之電流量成爲最大的方式選定電流Idata時在寫入期間

Pwt被設定的驅動電晶體TDR的閘極電位（VDATA_MAX<0 ) 〇此外，於本實施型態，電晶體SW與發光控制電晶體 TEL爲相同特性（相同導電型及相同尺寸）接近而形成，而且電晶體SWi與發光控制電晶體TEL藉由相同的打開電位VG_0N而成爲打開狀態。根據此構成的話，節點N的電位（驅動電晶體TDR的汲極的電位）在寫入期間PWT與發光期間Pel —致。亦即，在寫入期間Pwt之電流Idata的電流量與在發光期間PEL之驅動電流IDR的電流量可以高精度地使其一致。亦即，可將發光元件的光量因應於電流 Idata而高精度地控制。 < E :變形例> 對以上各型態可以加上種種的變形。具體之變形樣態例示如下。又，亦可適當組合以下各樣態。 -28- 200818096 (1 )變形例1 於第1實施型態至第3實施型態’與第4實施型樣，將電源電路20產生的打開電位VG_0N以及關閉 VG_OFF作爲寫入控制電路22產生的選擇訊號Gw: GWT[m]之電壓來利用亦可。根據以上的構成，電源電丨產生的電壓的總數被削減，所以實現電源電路20的規模的縮小或耗電量的減低。 (2 )變形例2 於第3及第4實施型態，例示畫素電路P以P通電晶體構成的場合，但與第2實施型態同樣，圖1 0 1 2之各電晶體可適當地變更爲N通道型。此外，構素電路P之所有的電晶體沒有必要爲相同的導電型。，只要驅動電晶體TDR與發光控制電晶體TEL爲相同型，電晶體SWi或電晶體SW2之導電型可被任意變更 (3 )變形例3 如以上各型態所述根據驅動電晶體TDR在飽和區作的構成’可以作爲安定地產生驅動電流I D R的定電而使驅動電晶體TDR動作。然而，發光控制電晶體τ 飽和區域內動作的話，可以達成本發明所期待的效果以驅動電晶體T D R的動作點在飽和區域內的要求對本而言並非必要。例如，第1實施型態之式（a 5 )或第施型態之式（b5)不成立亦可。態同電位 | 20 電路道型或圖成畫亦即導電域動流源 EL在，所發明 2實 -29- 200818096 (4 )變形例4 於以上各型態，作爲發光元件E例示了有機發光二極體元件，但對利用此元件以外的發光元件之種種發光裝置，本發明亦可適用。例如，可以將包含由無機EL材料所構成的發光層之發光元件或發光二極體元件、場發射（FE )元件、表面導電型放射（SE:Surface-conduction Electron -emitter)元件、彈道電子放出（BS:Ballistic electron Surface emitting)元件等種種光電元件利用於本發明。 < F :應用例> 其次，說明相關於本發明之電子機器。於圖1 5至圖 1 7，圖示相關於以上所例示的發光裝置D採用作爲顯示裝置之電子機器之型態。圖1 5係顯示採用發光裝置D之可攜型個人電腦的構成之立體圖。個人電腦2 00 0，具備顯示影像之發光裝置d ，被設置電源開關2001或鍵盤2002之本體部2010。發光裝置D因爲利用有機發光二極體元件作爲發光元件e，所以可顯示視角寬廣容易觀賞的畫面。圖1 6係顯示適用發光裝置D之行動電話機的構成之立體圖。行動電話機3 00 0，具備複數操作按鍵3〇〇i以及捲動按鍵3 0 0 2，及顯示各種影像之發光裝置d。藉由操作捲動按鍵3002，可以使顯示於發光裝置d的畫面捲動。圖17係顯示適用發光裝置D之攜帶資訊終端（Pda :Personal Digital Assistants)的構成之立體圖。資訊攜 -30- 200818096 帶終端4 0 0 0，具備複數操作按鍵4 0 0 1以及電源開關4 0 〇 2 ，及顯示各種影像之發光裝置D。操作電源開關40〇2時，通訊錄或行程表等各種資訊被顯示於發光裝置D。又，作爲相關於本發明的發光裝置被適用的電子機器，除了圖1 5至圖1 7所示之機器以外，還可以舉出數位相機、電視、攝影機、汽車導航裝置、呼叫器、電子手冊、電子紙、計算機、文書處理機、工作站、電視電話、P 〇 S 終端、印表機、掃描器、複印機、錄放影機、具備觸控面板的裝置等。此外，相關於本發明之發光裝置的用途不限於影像的顯示。例如，於電子攝影方式的影像形成裝置，因應於應該被形成於紙張等記錄材的影像而使用使感光體曝光的曝光裝置（線狀光學頭），但此種曝光裝置也可利用本發明之發光裝置。【圖式簡單說明】圖1係顯示相關於第1實施型態之發光裝置的構成之方塊圖。圖2係顯示選擇訊號及發光控制訊號的波形之計時圖〇圖3係顯示畫素電路的構成之電路圖。圖4係供說明打開電位VG_0N的範圍之槪念圖。圖5係顯示發光元件的端子間的電壓與電流之關係之圖。圖6係顯示電位VDATA與驅動電流IDR之關係之圖。 -31 - 200818096 圖7係顯示電位VDATA與各節點的電位之關係之圖。圖8係顯示相關於第2實施型態之畫素電路的構成之電路圖。圖9係供說明打開電位VG_0N的範圍之槪念圖。圖1 〇係顯示相關於第3實施型態之畫素電路的構成之電路圖。圖1 1係供說明畫素電路的動作之計時圖。圖1 2係顯示相關於第4實施型態之畫素電路的構成之電路圖。圖13係顯不發光裝置的構成之方塊圖。圖1 4係顯示選擇訊號及發光控制訊號的波形之計時圖。圖1 5係顯示適用本發明之電子機器之型態（個人電腦）之立體圖。圖1 6係顯示適用本發明之電子機器之型態（行動電話）之立體圖。圖1 7係顯示適用本發明之電子機器之型態（攜帶資訊終端）之立體圖。圖1 8係顯示供驅動發光元件的構成之電路圖。【主要元件符號說明】 1 0 :元件陣列部 1 2 :選擇線 1 4 :發光控制線 -32- 200818096 1 6 :資料線 2 0 :電源電路 22 :寫入控制電路 2 4 :發光控制電路 26 :資料供給電路 D :發光裝置 E :發光元件

GwT[i](G\VT["〜G\VT[m]:選擇訊號 GEL[i](GEL[l]〜GEL[m]):發光控制訊號 Idr :驅動電流 L1，L 2 :給電線 Ni，N2 :節點 P ：畫素電路 S[j](S[l] 〜S [n]): 資料訊號 S W !，SW2 :電晶體 T D R :驅動電晶體 Tel :發光控制電晶體 Vg_ ON ：打開電位 Vg_ OFF ：關閉電位 Vti 動電晶體之閾値電壓 VT2 :發光控制電晶體之閾値電壓 -33-

Claims

200818096 十、申請專利範圍 1 · 一種畫素電路之驅動方法，係包含藉由驅動電流的 f共給而發光的發光元件與產生驅動電流的驅動電晶體，在 s前述驅動電晶體對前述發光元件供給的驅動電流的路徑 ±被配置與前述驅動電晶體相同的導電型之發光控制電晶體的畫素電路之驅動方法，其特徵爲：於使前述發光元件發光的發光期間以使前述發光控制電晶體在飽和區域成爲打開（ON )狀態的方式設定該發光控制電晶體的閘極電位。 2 ·如申請專利範圍第1項之畫素電路之驅動方法，其中前述驅動電晶體與前述發光控制電晶體係P通道型，前述驅動電晶體中介於第1給電線與前述發光控制電晶體之間，前述發光元件中介於前述發光控制電晶體與第 2給電線之間，以前述第1給電線之電位爲基準時之前述第2給電線的電位爲—V EL (- VEL < 〇 )，以前述發光控制電晶體側的電極的電位爲基準於前述發光元件之電壓降下爲最大時之該發光元件的兩端間的電壓爲VEL_MAX ( VEL_MAX < 0 ) ，前述發光控制電晶體之閾値電壓爲時VT2 ( VT2 < 0 )時，前述發光期間之前述發光控制電晶體的閘極電位Vg_on ，以滿足 Vg_on〉一 Vel — Vel_max + Vt2 -34- 200818096 的方式設定。 3 .如申請專利範圍第2項之畫素電路之驅動方法，中前述驅動電流的電流量最大時之前述驅動電晶體的極-源極間的電壓爲 VdATA_MAX(VdATA_MAX< 0 ) ’前驅動電晶體的閾値電壓爲V T1 ( V T i < 〇 )時，把前述發期間之前述發光控制電晶體的閘極電位V g_on以滿足 Vg_ON< VdATA_MAX~ Vti+ Vt2 的方式設定。 4 .如申請專利範圍第1項之畫素電路之驅動方法，中前述驅動電晶體與前述發光控制電晶體係N通道型前述發光元件中介於第1給電線與前述發光控制電體之間，前述驅動電晶體中介於前述發光控制電晶體與 2給電線之間，以前述第2給電線之電位爲基準時之前述第1給電的電位爲V E L ( V E L > 〇 ) ’以前述發光控制電晶體側的極的電位爲基準於前述發光元件之電壓降下爲最大時之發光元件的兩端間的電壓爲 VeL_MAX ( VeL_MAX> 0) ’ 述發光控制電晶體之閾値電壓爲VT2 ( νΤ2 > 0 )時’前發光期間之前述發光控制電晶體的閘極電位VG_0N ’以足其閘述光其晶第線電該、r · 刖述滿 -35- 200818096 Vg_ON< VEL— VeL_MAX+ Vt2 的方式設定。 5 .如申請專利範圍第4項之畫素電路之驅動方法，其中前述驅動電流的電流量最大時之前述驅動電晶體的閘極-源極間的電壓爲 Vdata_max ( VdATA_MAX> 0 )，前述驅動電晶體的閾値電壓爲ντ1 ( VT1 > 0 )時，把前述發光期間之前述發光控制電晶體的閘極電位VG_0N以滿足 Vg ON>VdATA_MAX— Vt1+Vt2 的方式設定。 6 ·如申請專利範圍第1至5項之任一項所記載之畫素電路之驅動方法，其中前述畫素電路包含由前述驅動電晶體與前述發光控制電晶體之間的節點所分歧的路徑上配置的寫入控制電晶體 5 前述發光控制電晶體與前述寫入控制電晶體其導電型以及尺寸皆共通，在先於前述發光期間的寫入期間，藉由把在前述發光期間使前述發光控制電晶體爲打開（ON ) 狀態的電位相等的電位供給至前述寫入控制電晶體的閘極而使該寫入控制電晶體爲打開（ON )狀態，此時藉由通 -36- 200818096 過前述驅動電晶體與前述節點與前述寫入控制電晶體的電流設定前述驅動電晶體的閘極電位。 7 . —種畫素電路之驅動電路，係包含藉由驅動電流的供給而發光的發光元件與產生驅動電流的驅動電晶體，在由前述驅動電晶體對前述發光元件供給的驅動電流的路徑上被配置與前述驅動電晶體相同的導電型之發光控制電晶體的畫素電路之驅動電路，其特徵爲具備：於使前述發光元件發光的發光期間以使前述發光控制電晶體在飽和區域成爲打開（ON )狀態的方式設定該發光控制電晶體的閘極電位的發光控制電路。 8·—種發光裝置，其特徵爲具備：包含藉由驅動電流的供給而發光的發光元件與產生驅動電流的驅動電晶體，在由前述驅動電晶體對前述發光元件供給的驅動電流的路徑上被配置與前述驅動電晶體相同的導電型之發光控制電晶體的畫素電路，及於使前述發光元件發光的發光期間以使前述發光控制電晶體在飽和區域成爲打開（ON )狀態的方式設定該發光控制電晶體的閘極電位的發光控制電路。 9·如申請專利範圍第8項之發光裝置，其中前述畫素電路，具備：包含中介於前述驅動電晶體與前述發光控制電晶體之間的節點與資料線之間的寫入控制電晶體，在先於前述發光期間的寫入期間使前述寫入控制電晶體爲打開（ON )狀態的寫入控制電路，及於前述寫入期 -37- 200818096 間藉由使電流流過前述資料線而設定前述驅動電晶體的閘極電位的資料供給電路；前述發光控制電晶體與前述寫入控制電晶體其導電型與尺寸共通，在前述寫入期間前述寫入控制電路對前述寫入控制電晶體的閘極供給的電位，與在前述發光期間前述發光控制電路對前述發光控制電晶體的閘極供給的電位相等。 -38-