TW200817131A - Apparatus and method for polishing semiconductor wafers - Google Patents

Description

200817131 九、發明說明： [相關申請案之對照參考資料] 使本申請案享有2006年8月8日所提出之美國臨時專 利申請案序號第60/836,278號、2006年8月10日所提出之 美國臨時專利申請案序號第60/837,276號、2006年8月25 曰所提出之美國臨時專利申請案序號第60/840,1 92號、2006

年8月26日所提出之美國臨時專利申請案序號第 60/840,143號及2006年9月12日所提出之美國臨時專利申 請案序號第60/844,1 50號之利益，在此以提及方式倂入所 有該等美國臨時專利申請案。 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上係有關於半導體處理設備，以及更特別 地，是有關於一種用以拋光半導體晶圓之設備及方法。 【先前技術】 半導體晶圓之局部及總體平坦化變得越來越重要，因 爲更多金屬層及內層介電層被堆疊在該等晶圓上。一用以 平坦化半導體晶圓之較佳方法係化學機械硏磨（CMP)，其中 使用在一半導體晶圓與一硏磨墊間所提供之硏磨液來硏磨 該半導體晶圓之表面。該CMP方法亦廣泛地被使用於鑲嵌 製程（damascene process)，以在該等半導體晶圓上形成銅結

通常，一 CMP設備包括一置放有一硏磨墊之硏磨台及 一晶圓載體，該晶圓載體支撐一半導體晶圓及靠著該硏磨 墊壓該晶圓。該CMP設備亦可以包括一晶圓清洗機，以清 200817131 洗及乾化該等硏磨晶圓。

一 CMP設備之最重要考量中之一係生產力。爲了較高 生產力，一 CMP設備通常需要更多硏磨台及更多晶圓載 體。當增加在一 CMP設備中所包含之硏磨台及硏磨載體之 數量時，該等硏磨台及硏磨載體之配置變得重要，以有效 地硏磨多個半導體晶圓。再者，將該等半導體晶圓傳送至 該等晶圓載體及從該等晶圓載體傳送該等半導體晶圓之方 式亦變得重要。然而，因爲一具有大涵蓋範圍之CMP設備 需要一較大清洗室以容納該設備，此轉變成較大操作成 本，所以亦必須考量一 CMP設備之涵蓋範圍。 有鑑於這些問題，所需要的是一種用以以高生產力硏 磨半導體晶圓之設備及方法，此不需要大的涵蓋範圍。 【發明內容】 一種用以硏磨半導體晶圓之設備及方法使用多個硏磨 面、多個硏磨頭及多個晶圓站，以連續地硏磨該等半導體 晶圓。該等晶圓站包括至少一晶圓載入-載出站，以在該晶 圓載入-載出站與該等硏磨頭間傳送該等半導體晶圓。 一種依據本發明之一實施例用以硏磨半導體晶圓之設 備包括第一、第二及第三硏磨面、第一、第二及第三晶圓 站以及一旋轉總成。該第一、第二及第三硏磨面環繞一旋 轉軸線之周圍被置放。該第一、第二及第三晶圓站被置放 在該第一、第二及第三硏磨面間且環繞該旋轉軸線之周 圍，以便該第一、第二及第三晶圓站之每一晶圓站被置放 在該第一、第二及第三硏磨面之相鄰硏磨面間。該第一晶 -6- 200817131 圓站係一晶圓載入-載出站’該晶圓載入-載出站係配置成 用以接收一半導體晶圓’以便在從該第一晶圓站傳送該半 導體晶圓前，將該半導體晶圓載出至該第一晶圓站。該旋 轉總成包括第一、第二及第三硏磨頭。該旋轉總成係配置 成用以以該旋轉軸線爲中心在至少某些該第一、第二-及第 三硏磨面與該第一、第二及第三晶圓站間旋轉地移動該第 一、第二及第三硏磨頭之每一硏磨頭。在該設備中所包括 之硏磨頭的數目、硏磨面的數目及晶圓站的數目係相同的。

一種依據本發明之另一實施例用以硏磨半導體晶圓之 設備包括第一、第二及第三硏磨面、第一、第二、第三及 第四晶圓載入-載出站以及一旋轉總成。該第一、第二及第 三硏磨面環繞一旋轉軸線之周圍被置放。該第一、第二、 第三及第四晶圓載入-載出站被置放在該第一、第二及第三 硏磨面間且環繞該旋轉軸線之周圍，以便該第二晶圓載入_ 載出站被置放在該第一與第二硏磨面間，該第三晶圓載入_ 載出站被置放在該第二與第三硏磨面間，以及該第一及第 四晶圓載入-載出站被置放在該第一與第三硏磨面間。該旋 轉總成包括第一、第二及第三硏磨頭。該旋轉總成係配置 成用以以該旋轉軸線爲中心在至少某些該第一、第二及第 三硏磨面與該第一、第二、第三及第四晶圓載入-載出站間 旋轉地移動該第一、第二及第三硏磨頭之每一硏磨頭。 一種依據本發明之另一實施例用以硏磨半導體晶圓之 設備包括第一及第二硏磨面、第一及第二晶圓載入-載出站 以及一旋轉總成。該第一及第二硏磨面環繞一旋轉軸線之 200817131

周圍被置放。該第一及第二晶圓載入-載出站被置放在該第 一與第二硏磨面間且環繞該旋轉軸線之周圍，以便該第一 及第二晶圓站之每一晶圓站被置放在該第一與第二硏磨面 間。該第一及第二晶圓載入-載出站之每一晶圓載入-載出 站係配置成用以接收一半導體晶圓，以便在從該第一及第 二晶圓載入-載出站傳送該半導體晶圓前，將該半導體晶圓 載出至該第一及第二晶圓載入-載出站。該旋轉總成包括第 一及第二硏磨頭。該旋轉總成係配置成繞該旋轉軸線中心 在至少某些該第一及第二硏磨面與該第一及第二晶圓載入 -載出站間旋轉地移動該第一及第二硏磨頭之每一硏磨 頭。在該設備冲所包括之硏磨頭的數目、硏磨面的數目及 晶圓載入-載出站的數目係相同的。 一種依據本發明之另一實施例用以硏磨半導體晶圓之 設備包括第一及第二硏磨面、第一及第二晶圓站以及一旋 轉總成。該第一及第二硏磨面環繞一旋轉軸線之周圍被置 放，以便該第一及第二硏磨面之中心與該旋轉軸線界定一 第一直線。該第一及第二晶圓站環繞該旋轉軸線之周圍被 置放且在該第一及第二硏磨面間，以便該第一及第二晶圓 站之每一晶圓站被置放在該第一及第二硏磨面間以及該第 一及第二晶圓站之中心與該旋轉軸線界定一第二直線。相 對於該第一及第二硏磨面配置該第一及第二晶圓站，以便 該第一直線不垂直於該第二直線。該旋轉總成包括第一及 第二硏磨頭。該旋轉總成係配置成用繞該旋轉軸線在至少 某些該第一及第二硏磨面與該第一及第二晶圓站間旋轉地 200817131 移動該第一及第二硏磨頭之每一硏磨頭。在該設備中所包 括之硏磨頭的數目、硏磨面的數目及晶圓站的數目係相同 的0

一種依據本發明之另一實施例用以硏磨半導體晶圓之 設備包括第一及第二硏磨面、第一、第二及第三晶圓載入_ 載出站以及一旋轉總成。該第一及第二硏磨面環繞一旋轉 軸線之周圍被置放。該第一、第二及第三晶圓載入-載出站 環繞該旋轉軸線之周圍被置放且在該第一及該第二硏磨面 間，以便該第一及第三載入-載出站被置放在該第一及第二 硏磨面間以及該第二載入-載出站被置放在該第一及第二 硏磨面間。該旋轉總成包括第一及第二硏磨頭。該旋轉總 成係配置成用繞該旋轉軸線爲中心在至少某些該第一及第 二硏磨面與該第一、第二及第三晶圓載入-載出站間旋轉地 移動該第一及第二硏磨頭之每一硏磨頭。 一種依據本發明之另一實施例用以硏磨半導體晶圓之 系統包括第一及第二硏磨設備、一晶圓轉移裝置及一後 CMP清洗機。該第一及第二硏磨設備之每一硏磨設備包括 第一、第二及第三硏磨面、第一、第二及第三晶圓站以及 一旋轉總成。該第一、第二及第三硏磨面環繞被一旋轉軸 線之周圍被置放。該第一、第二及第三晶圓站環繞該旋轉 軸線之周圍被置放在該第一、第二及第三硏磨面間，以便 該第一、第二及第三晶圓站之每一晶圓站被置放在該第 一、第二及第三硏磨面之相鄰硏磨面間。該第一晶圓站係 一晶圓載入-載出站，該晶圓載入-載出站係配置成用以接 -9- 200817131

收一半導體晶圓，以便在從該第一晶圓站傳送該半導體晶 圓前，將該半導體晶圓載出至該第一晶圓站。該旋轉總成 包括第一、第二及第三硏磨頭。該旋轉總成係配置成繞該 旋轉軸線爲中心在至少某些該第一、第二及第三硏磨面與 該第一、第二及第三晶圓站間旋轉地移動該第一、第二及 第三硏磨頭之每一硏磨頭。該晶圓轉移裝置被置放鄰近該 第一及第二硏磨設備，以進入該第一及第二硏磨設備之每 一硏磨設備的第一晶圓站。該後CMP清洗機被置放鄰近該 晶圓轉移裝置，以便該晶圓轉移裝置被置放在該後CMP清 洗機與該第一及第二硏磨設備間。該後CMP清洗機係配置 成用以清洗在該第一及第二硏磨設備之一中所已硏磨且藉 由該晶圓轉移裝置傳送至該後CMP清洗機之半導體晶圓。 一種依據本發明之另一實施例用以硏磨半導體晶圓之 系統包括第一及第二硏磨設備及一晶圓轉移裝置。該第一 及第二硏磨設備之每一硏磨設備包括第一、第二及第三硏 磨面、第一、第二及第三晶圓站以及一旋轉總成。該第一、 第二及第三硏磨面環繞一旋轉軸線之周圍被置放。該第 一、第二及第三晶圓站環繞在該旋轉軸線之周圍被置放在 該第一、第二及第三硏磨面間，以便該第一、第二及第三 晶圓站之每一晶圓站被置放在該第一、第二及第三硏磨面 之相鄰硏磨面間。該第一晶圓站係一晶圓載入-載出站，·該 晶圓載入-載出站係配置成用以接收一半導體晶圓，以便在 從該第一晶圓站傳送該半導體晶圓前，將該半導體晶圓載 出至該第一晶圓站。該旋轉總成包括第一、第二及第三硏 -10- 200817131 磨頭。該旋轉總成係配置成用以以該旋轉軸線爲中心在至 少某些該第一、第二及第三硏磨面與該第一、第二及第三 晶圓站間旋轉地移動該第一、第二及第三硏磨頭之每一硏 磨頭。該晶圓轉移裝置被置放鄰近該第一及第二硏磨設 備，以進入該第一及第二硏磨設備之每一硏磨設備的第一 晶圓站。定位該第一及第二硏磨設備，以便該第一及第二 硏磨設備之每一硏磨設備的第一晶圓站及該第一及第三硏 磨面比該第二及第三晶圓站及該第二硏磨面靠近該晶圓轉 移裝置。

一種依據本發明之一實施例用以硏磨半導體晶圓之方 法包括：在一硏磨設備之一第一晶圓站與該硏磨設備之一 旋轉總成的第一、第二及第三硏磨頭中之一間傳送一半導 體晶圓，該第一晶圓站係一晶圓載入-載出站；使用該旋轉 總成之第一、第二及第三硏磨頭的至少一硏磨頭在該硏磨 設備之第一、第二及第三硏磨面上連續地硏磨該半導體晶 圓；以及使用該旋轉總成之第一、第二及第三硏磨頭的至 少一硏磨頭將該半導體晶圓連續地傳送至該硏磨設備之第 二及第三晶圓站，該第一、第二及第三晶圓站之每一晶圓 站被置放在該第一、第二及第三硏磨面之相鄰硏磨面間。 一種依據本發明之另一實施例用以硏磨半導體晶圓之 方法包括：在一硏磨設備之一第一晶圓載入-載出站與該硏 磨設備之一旋轉總成的第一及第二硏磨頭中之一間傳送一 半導體晶圓；使用該旋轉總成之第一及第二硏磨頭的至少 一硏磨頭在該硏磨設備之第一及第二硏磨面上連續地硏磨 -11- 200817131 。 該半導體晶圓；以及在該第一硏磨面上硏磨該半導體晶圓 後，使用該旋轉總成之第一及第二硏磨頭的至少一硏磨頭 將該半導體晶圓傳送至該硏磨設備之一第二晶圓載入-載 出站，包括將該半導體晶圓載出至該第二晶圓載入-載出 站，該第一及第二晶圓載入-載出站之每一晶圓載入-載出 站被置放在該第一及第二硏磨面間。 一種依據本發明之另一實施例用以硏磨半導體晶圓之 方法包括：在一硏磨設備之一第一晶圓站與該硏磨設備之 Φ 一旋轉總成的第一及第二硏磨頭中之一間傳送一半導體晶 圓，該第一晶圓站係一晶圓載入-載出站；使用該旋轉總成 之第一及第二硏磨頭的至少一硏磨頭在該硏磨設備之第一 及第二硏磨面上連續地硏磨該半導體晶圓，該第一及第二 硏磨面被置放在一旋轉軸線之周圍，以便該第一及第二硏 磨面之中心與該旋轉軸線界定一第一直線；以及在該桌一 硏磨面上硏磨該半導體晶圓後，使用該旋轉總成之第一及 第二硏磨頭的至少一硏磨頭將該半導體晶圚傳送至該硏磨 ® 設備之一第二晶圓站，該第一及第二晶圓站被置放在該旋 轉軸線之周圍且在該第一及第二硏磨面間，以便該第一及 第二晶圓站之每一晶圓站被置放在該第一及第二硏磨面間 以及該第一及第二晶圓站之中心與該旋轉軸線界定一第二 直線，相對於該第一及第二硏磨面配置該第一及第二晶圓 站，以便該第一直線不垂直於該第二直線。 一種依據本發明之另一實施例用以硏磨半導體晶圓之 方法包括：使用一晶圓轉移裝置將一半導體晶圓傳送至一 -12- 200817131

硏磨設備之一第一晶圓站，該第一晶圓站係一晶圓載入-載 出站；分別使用該硏磨設備之一旋轉總成的第一、第二及 第三硏磨頭將半導體晶圓連續地傳送至該硏磨設備之第 一、第二及第三硏磨面；分別使用該旋轉總成之第一、第 二及第三硏磨頭在該硏磨設備之第一、第二及第三硏磨面 上連續地硏磨該半導體晶圓；分別使用該旋轉總成之第 一、第二及第三硏磨頭將該半導體晶圓連續地傳送至該硏 磨設備之第二、第三及第四晶圓站，該第一晶圓站被置放 在該第四晶圓站與該第一硏磨面間，該第二晶圚站被置放 在該第一與第二硏磨面間，該第三晶圓站被置放在該第二 與第三硏磨面間，以及該第四晶圓站被置放在該第三硏磨 面與該第一晶圓站間；以及使用該晶圓轉移裝置從該硏磨 設備之第四晶圓站移除該半導體晶圓，該第四晶圓站係另 一晶圓載入-載出站。 一種依據本發明之另一實施例用以硏磨半導體晶圓之 方法包括：使用一晶圓轉移裝置將一半導體晶圓傳送至一 硏磨設備之一第一晶圓站，該第一晶圓站係一晶圓載入-載 出站；分別使用該硏磨設備之一旋轉總成的第一及第二硏 磨頭將半導體晶圓連續地傳送至該硏磨設備之第一及第二 硏磨面；分別使用該旋轉總成之第一及第二硏磨頭在該硏 磨設備之第一及第二硏磨面上連續地硏磨該半導體晶圓； 分別使用該旋轉總成之第一及第二硏磨頭將該半導體晶圓 連續地傳送至該硏磨設備之第二及第三晶圓站，該第一晶 圓站被置放在該第三晶圓站與該第一硏磨面間，該第二晶 -13- 200817131 圓站被置放在該第一與第二硏磨面間，該第三晶圓站被置 放在該第二硏磨面與該第一晶圓站間；以及使用該晶圓轉 移裝置從該硏磨設備之第三晶圓站移除該半導體晶圚，該 第三晶圓站係另一晶圓載入-載出站。 從下面由本發明之原理的範例所述之詳細說明與所附 圖式將使本發明之其它觀點及優點變得明顯易知。 【實施方式】 參考第1至3圖，描述依據本發明之一實施例的一硏 ^ 磨設備1 A。該硏磨設備1 A包括三個硏磨面1 〇a_ 1 〇c、三個 硏磨頭20a-20c及三個晶圓載入-載出站I5a-15c。該硏磨設 備1A可另外包括一晶轉移裝置50。如下面所更詳細描述， 該硏磨設備1 A能連續地處理多個半導體晶圓。 第1圖顯示在該第一、第二及第三硏磨頭20a-20c係分 別置放在該第一、第二及第三晶圓載入-載出站15a-15c上

方時之硏磨設備1A。第2圖顯示在該第一、第二及第三硏 磨頭20a-20c係分別置放在該第一、第二及第三硏磨面 10a-10c時之硏磨設備1A。弟3圖顯不在該第一^、第二及 第三硏磨頭20a-20c係分別置放在該第一、第二及第三晶圓 載入-載出站15a-15c上方時之硏磨設備1A。如在此所使 用，π置放在…上方”表示垂直地對齊，以便一物件（例如： 該等硏磨頭20a-20中之一）係直接在另一物件（例如：該等 晶圓載入-載出站15a-15c中之一）上方。 該等硏磨頭2 0 a - 2 0 c係裝至一旋轉總成1 2，該旋轉總 成12操作以在該等硏磨面10a-10c與該等晶圓載入-載出站 -14- 200817131 15a-15c間旋轉該等硏磨頭。該旋轉總成12包括旋轉及垂 直驅動機構25a-25c、支撐臂45a-4.5c、一旋轉軸30及一中 心旋轉及垂直驅動機構35。該等硏磨頭20a-20c連接至它 們的個別旋轉及垂直驅動機構25a-25c，該等旋轉及垂直驅 動機構25 a-25c控制該等個別硏磨頭20a-20c之旋轉及垂直 移動。該等個別旋轉及垂直驅動機構25a-25c連接至它們的 個別支撐臂45a-45c，該等支撐臂45a-45c係裝至該旋轉軸 30 〇

配置或設計該等支撐臂45a-45c，以便該旋轉軸30之 旋轉軸線36與該第一硏磨頭20a之中心間的距離、該旋轉 軸3 0之旋轉軸線3 6與該第二硏磨頭2 Ob之中心間的距離 及該旋轉軸30之旋轉軸線36與該第三硏磨頭20c之中心 間的距離係大致相等的。 該旋轉軸30連接至該中心旋轉及垂直驅動機構3 5，該 中心旋轉及垂直驅動機構35控制該旋轉軸30之旋轉及垂 直移動。因此，藉由該中心旋轉及垂直驅動機構35以該旋 轉軸3 0之旋轉軸線3 6爲中心一致地旋轉該等支撐臂 45a-45c及該等硏磨頭20a-20c。 在此實施例中，配置該等支撐臂45 a_45c、該等晶圓載 入-載出站15a-15c及該等硏磨面10a-10c，以便（1)可在該 第一晶圓載入·載出站15a、該第一硏磨面10a及該第二晶 圓載入·載出站15b間專門移動該第一硏磨頭20a ; (2)可在 該第二晶圓載入-載出站15b、該第二硏磨面10b及該第三 晶圓載入-載出站15c間專門移動該第二硏磨頭20b ;以及 -15- 200817131 (3)可在該第三晶圓載入-載出站15c、該第三硏磨面10(：及 該第一晶圓載入-載出站15a間專門移動該第三硏磨頭20c。 該等硏磨頭20a-20c係配置成能握持半導體晶圓。該等 硏磨頭20a-20c之每一硏磨頭係設計成用以握持單一半導 體晶圓。在一實施例中，該等硏磨頭20a-20c係配置成能使 用真空以握持半導體晶圓，其中真空被施加至該等硏磨頭 之與該等晶圓接觸的下表面。該等硏磨頭20a-20c經由該等 支撐臂45 a-45c裝至該旋轉總成12，以便當該等硏磨頭中 ^ 之一被置放在該等硏磨面中之一上方時，該等硏磨頭全部 被置放在該等硏磨面l〇a-10c上方，以及當該等硏磨頭中之 一被置放在該等晶圓載入-載出站中之一上方時，該等硏磨 頭全部被置放在該等晶圓載入-載出站15 a-15c上方。

進一步地配置該等硏磨面l〇a-l〇c及該等晶圓載入-載 出站15a-15c，以便（1)該第一晶圓載入-載出站15a被置放 在該第三硏磨面10c與該第第一硏磨面10a之間；（2)該 第一晶圓載入-載出站15b被置放在該第一硏磨面l〇a與該 第第二硏磨面l〇b之間；以及（3)該第三晶圓載入-載出站 15c被置放在該第二硏磨面1〇b與該第第三硏磨面10c之 間。該等硏磨面l〇a-l〇c可以是被裝至個別可旋轉硏磨台之 硏磨墊的上表面。在另一情況中，該等硏磨面l〇a_1〇c可以 是該等可旋轉硏磨台之上表面。在一實施例中，如第3 圖所述’配置該等硏磨面10a_10c，以便使該等硏磨面以該 旋轉軸線3 6爲中心彼此均等地間隔。 進一步配置該等晶圓載入-載出站15a_ 15c，以便該旋 •16-

200817131 轉軸30之旋轉軸線36與該第一晶圓載入-載出站 心間之距離、該旋轉軸3 0之旋轉軸線3 6與該第 入-載出站15b之中心間之距離及該旋轉軸30之 3 6與該第三晶圓載入-載出站1 5 c之中心間之距離 等的。在一實施例中，如第1至3圖所示，配置 載入-載出站15a- l 5c，以便使該等晶圓載入-載出 轉軸線3 6爲中心彼此均等地間隔。 參考第4及5圖，顯示依據本發明之一實施 # 圓載入-載出站15’。該晶圓載入-載出站15’係一 f 載出站之一範例，該範例可用於該硏磨設備1 A之 -載出站15a-15c。第4圖係該晶圓載入·載出站 圖，以及第5圖係第4圖之沿著線Q Q的晶圓載. 1 5 ’之剖面圖。該晶圓載入-載出站1 5 _包括一杯座 杯環195、一升降機200、一晶圓盤210、第一多個 第二多個噴嘴250、一排洩通道260、一第一流f 及一第二流體通道272。該等流體通道270友272 至流體源（未顯不）。該排浅通道26 0可以連接至 (未顯示）。 該杯環195及該晶圓盤210係安裝在該杯座 該晶圓盤2 1 0在中心處包括一個孔，以便該升降 被置放在該杯座190之中心。如第5圖所述，該5 經由一升降活塞202連接至一升降機氣壓缸20心 200係一晶圓裝卸裝置，用以使一晶圓上升至一 是所謂一晶圓載體）（例如：該等硏磨頭20a-20c 15a之中 二晶圓載 旋轉軸線 係大致相 該等晶圓 站以該旋 例的一晶 晶圓載入-晶圓載入 1 5’之上視 入-載出站 :190 、 一 噴嘴240、 I通道270 可以連接 .一排洩泵 1 9 0 上。 機200可 干降機200 >該升降機 硏磨頭（亦 中之一）及 -17- 200817131 從該硏磨頭下降。該升降機2 0 0最好係由軟材料（例如：橡 膠）所製成，以避免損害晶圓表面。該升降機200具有一小

於該升降機所裝卸之晶圓的表面面積。該升降機氣壓缸204 連接至該第一流體通道270及由一經由該第一流體通道 270所供應之流體來操作。氮氣係一可用於該升降機氣壓缸 2 04之流體的範例。藉由該升降機氣壓缸204向上及向下移 體該升降機200。舉起該升降機200至該杯環195之上表面 上方’以從一晶圓轉移裝置（例如·該晶圓轉移裝置5 0)或 一硏磨頭（例如：該等硏磨頭20a-20c中之一）接收一晶圓 W。在該升降機2 00接收該晶圓W後，將該升降機向下移 動至該晶圓盤2 1 0，以便置放該晶圓W於該晶圓盤2 1 0上。 在此方式中，將該晶圓W載出至該晶圓載入-輸出站丨5 *。 如第5圖所述，該第一多個噴嘴240被安裝在該杯座 190之上面及該第二多個噴嘴250被安裝在該杯環195之內 側上。該等第一及第二噴嘴240及250係連接至該第二流 體通道27 2及用以噴灑經由該第二流體通道27 2所供應之 流體（例如：去離子（DI)水）。藉由該排洩泵（未顯示）經由該 排洩通道260排放所使用之流體（例如：所使用之DI水）。 當一晶圓及/或一硏磨頭係置放在該晶圓載入-載出站i 5 1 時，該第一及/或第二多個噴嘴240及250允許該晶圓載入 -輸出站15’清洗該晶圓及/或該硏磨頭。 參考第6(a)及6(b)圖，描述依據本發明之一實施例的 一用以從該晶圓載入-載出站15'載入一晶圓W至一硏磨頭 2(Τ的製程順序，其中該硏磨頭20’會是該等硏磨頭20a_20c -18- 200817131 中之一。第6(a)及6(b)圖係第4圖之晶圓載入-輸出站15’ 的連續剖面圖。在如先前有關第5圖所述將該晶圓W置放 在該晶圓盤210上後，將該硏磨頭20’如第6(a)圖所述置放 在該晶圓載入-載出站15’上。如第6(a)圖所示，該硏磨頭 2 0」可以包括一定位環280，以在一硏磨製程期間局限該晶 圓W。接下來，如第6(b)圖所示，向上移動該升降機200 及藉由使用經由真空通道285所供應之真空的硏磨頭20’ 接收在該升降機上之晶圓W。在該硏磨頭20_接收該晶圓W Φ 後，向下移動該升降機200。爲了從該硏磨頭20’載出該晶 圓W，移除經由該等真空通道285所提供之真空，此將該 晶圓W從該硏磨頭20f釋放至該晶圓載入-載出15'之升降機 200上。然後，該晶圓載入-載出15'可藉由噴灑ϋΓ水至該 硏磨頭20’以清洗該硏磨頭2(Τ。

即使已描述該等硏磨設備1Α成具有三個硏磨面 10a-10c、三個硏磨頭 20a-20c及三個晶圓載入-載出站 1 5a-1 5c，依據本發明之其它實施例的硏磨設備1A具有不 同數目之硏磨頭、硏磨面及晶圓載入-載出站。通常，該硏 磨設備1 A包括N個硏磨頭、N個硏磨面及N個晶圓載入-載出站，其中N係大於1之整數。 參考第1至3圖，描述依據本發明之一實施例的一在 該硏磨設備1 A中處理半導體晶圓之方法。藉由該晶圓轉移 裝置5 0將一待處理第一晶圓W 1傳送及載出至該第一晶圓 載入-載出站15a。接著，將該第一晶圓W1從該第一晶圓 載入-載出站15a載入至該第一硏磨頭20a。晶圓至該等晶 -19· 200817131 圓載入-載出站15a-15c之載出及從該等晶圓載入-載出站 15a-15c之載入可以相似於上述有關於該晶圓載入-載出站 15_之載出及載入製程。在載入至該第一硏磨頭20a後，接 著藉由從該第一晶圓載入τ載出站1 5 a旋轉地移動該第一硏 磨頭20a至該第一硏磨面l〇a以將該第一晶圓W1從該第一 晶圓載入-載出站15a傳送至該第一硏磨面10a。如在此所 使用，藉由以該旋轉軸線36爲中心旋轉該旋轉軸30以達 成‘該等硏磨頭2 0 a - 2 0 c之旋轉移動。在此旋轉移動後，如第 ® 2圖所述，該等硏磨頭20a-20c分別被置放在該等硏磨面 10a-10c上。在從該第一晶圓載入-載出站15a移除該第一 晶圓W1後，藉由該晶圓轉移裝置50將一第二晶圓W2傳 送及載出至該第一晶圓載入-載出站1 5 a。 然後，藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面l〇a上

硏磨該第一晶圓W1。該第一晶圓W1在該第一硏磨面10a 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨，頭20a在該第一硏磨面 10a上旋轉及按壓該第一晶圓W1，旋轉該第一硏磨面l〇a 及供應一第一硏磨液至該第一硏磨面1 0 a。 在完成該硏磨製程後，藉由從該第一硏磨面1 0a旋轉 地移動該第一硏磨頭20a至該第二晶圓載入-載出站15b以 將該第一晶圓W1從該第一硏磨面l〇a傳送至該第二晶圓載 入-載出站15b。在此移動後，如第3圖所述，將該等硏磨 頭20a-2 0c分別置放在該等晶圓載入-載出站15b、15c及15a 上方。 然後，以上述有關於該晶圓載入-載出站15’之方式將 -20- 200817131 該第一晶圓W 1從該第一硏磨頭20a載出至該第二晶圓載入 -載出站15b。在載出該第一晶圓wi後，旋轉地移動該第 一硏磨頭20a返回至該第一晶圓載入-載出站i5a。在此移 動後’如第1圖所述，將該等硏磨頭20a-20c分別置放在該 等晶圓載入-載出站15a-15c上方。 然後，將該第二晶圓W2從該晶圓載入-載出站15a載 入至該第一硏磨頭20a。亦將該第一晶圓W1從該晶圓載入

-載出站15b載入至該第二硏磨頭20b。接著藉由分別旋轉 地移動該第一及第二硏磨頭20a及20b至該第一及第二硏 磨面10a及l〇b以分別將該第二晶圓W2及該第一晶圓W1 傳送至該第一及第二硏磨面l〇a及l〇b。在此移動後，如第 2圖所述，將該等硏磨頭2 0a-2 0c置放在該等硏磨面10a-10c 上。在從該第一晶圓載入-載出站15a移除該第二晶圓W2 後，藉由該晶圓轉移裝置50將一第三晶圓W3傳送及載出 至該第一晶圓載入-載出站15a。 然後，藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面10a上 硏磨該第二晶圓W2。該第二晶圓W2在該第一硏磨面10a 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面 10a上旋轉及按壓該第二晶圓W2，旋轉該第一硏磨面10a 及供應該第一硏磨液至該第一硏磨面l〇a。 亦藉由該第二硏磨頭20b在該第二硏磨面10b上硏磨 該第一晶圓W1。.該第一晶圓W1在該第二硏磨面10b上之 硏磨製程包括藉由該第二硏磨頭20b在該第二硏磨面10b 上旋轉及按壓該第一晶圓W 1，旋轉該第二硏磨面1 Ob及供 -21- 200817131 應一第二硏磨液至該第二硏磨面10b。 在完成該等硏磨製程後，藉由分別旋轉地移動該第一 及第二硏磨頭20a及20b至該第二及第三晶圓載入-載出站 15b及15c以將該第二晶圓W2及該第一晶圓W1分別傳送 至該第二及第三晶圓載入-載出站15b及15c。在此移動後， 如第3圖所述，將該等硏磨頭2 0a-20c分別置放在該等晶圓 載入-載出站15b、15c及15a上方。

然後，將該第二晶圓W2從該第一硏磨頭20a載出至該 第二晶圓載-載出站15b。亦將該第一晶圓W1從該第二硏 磨頭20b載出至該第三晶圓載-載出站15c。在載出該第一 及第二晶圓W 1及W2後，分別旋轉地移動該第一及第二硏 磨頭20a及20b返回至該第一及第二晶圓載入-載出站15a 及15b。在此移動後，如第1圖所述，將該等硏磨頭20a-20c 分別置放在該等晶圓載入-載出站15a-15c上方。 然後，將該第三晶圓W3從該第一晶圓載入-載出站15a 載入至該第一硏磨頭20a。亦將該第二晶圓W2從該第二晶 圓載入-載出站15b載入至該第二硏磨頭20b。同樣將該第 一晶圓W1從該第三晶圓載入·載出站15c載入至該第三硏 磨頭20c。接著，藉由分別旋轉地移動該第一、第二及第三 硏磨頭20a-20c至該第一、第二及第三硏磨面10a-10c以將 該第三晶圓W3、該第二晶圓W2及該第一晶圓W1分別傳 送至該第一、第二及第三硏磨面l〇a-10c。在此移動後，如 第2圖所述，將該等硏磨頭20a-20c分別置放在該等硏磨面 10a-10c 上方。 -22- 200817131 然後，藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面l〇a上 硏磨該第三晶圓W3。該第三晶圓W3在該第一硏磨面l〇a 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面 10a上旋轉及按壓該第三晶圓W3，旋轉該第一硏磨面l〇a 及供應該第一硏磨液至該第一硏磨面l〇a。 亦藉由該第二硏磨頭2〇b在該第二硏磨面10b上硏磨 該第二晶圓W2。該第二晶圓W2在該第二硏磨面10b上之

硏磨製程包括藉由該第二硏磨頭20b在該第二硏磨面l〇b 上旋轉及按壓該第二晶圓W2，旋轉該第二硏磨面1 Ob及供 應該第二硏磨液至該第二硏磨面l〇b。 同樣地，藉由該第三硏磨頭20c在該第三硏磨面10c 上硏磨該第一晶圓W1。該第一晶圓W1在該第三硏磨面10c 上之硏磨製程包括藉由該第三硏磨頭20c在該第三硏磨面 10c上旋轉及按壓該第一晶圓’W1，旋轉該第三硏磨面10c 及供應一第三硏磨液至該第三硏磨面i〇c° 在完成該等硏磨製程後，藉由分別旋轉地移動該第 一、第二及第三硏磨頭20a、20b及20c至該第二、第三及 第一晶圓載入-載出站1 5 b、1 5 c及1 5 a以將該第三晶圓W 3、 該第二晶圓W2及該第一晶圓W1分別傳送至該第二、第三 及第一晶圓載入-載出站15b、15c及15a。在此移動後，如 第3圖所述，將該等硏磨頭20a-20c分別置放在該等晶圓載 入-載出站15b、15c及15a上方。 然後，將該第三晶圓W3從該第一硏磨頭20a載出至該 第二晶圓載-載出站15b。亦將該第二晶圓W2從該第二硏 •23- 200817131 磨頭20b載出至該第三晶圓載-載出站15c。同樣地，將該 第一晶圓W1從該第三硏磨頭20c載出至該第一晶圓載-載 出站1 5 a。 接著’從該第二、第三及第一晶圓載入-載出站15b、 15c及15a分別朝該第一、第二及第三晶圓載入-載出站 1 5 a、1 5 b及1 5 c旋轉地移動該第一、第二及第三硏磨頭 20a-20c。當正在旋轉地移動該第一、第二及第三硏磨頭 20&-20〇時’藉由該晶圓轉移裝置50從該第一*晶圓載入-載 ® 出站1 5 a移除該第一晶圓W 1及藉由該晶圓轉移裝置5 〇傳 送及載出一第四晶圓W4至該第一晶圓載入-載出站15a。 然後，將該第四晶圓W4從該第一晶圓載入-載出站15a 載入至該第一硏磨頭20a。亦將該第三晶圓W3從該第二晶 圓載入-載出站15b載入至該第二硏磨頭20b。同樣將該第 二晶圓W2從該第三晶圓載入-載出站15c載入至該第三硏

磨頭20c。接著，將該第四晶圓W4、該第三晶圓W3及該 第二晶圓 W2分別傳送至該第一、第二及第三硏磨面 1 0a-1 0c。以相同於該第一晶圓W 1之連續方式在該硏磨設 備1A中進一步處理該第二、第三及第四晶圓W2、W3及 W4。 在此連續方式中，多個晶圓可以在該硏磨設備1 A之晶 圓載入-載出站15a-15c與該等硏磨面l〇a-l〇c間連續地被 傳送及在該等硏磨面l〇a-l〇c上被該等硏磨頭20a-20c硏 磨。 在一些實施例中，該等硏磨面l〇a-10c係藉由它們的個 -24- 200817131

別硏磨墊修整器（pad conditioner)(未顯示）來維護。在一些 實施例中，該等晶圓載入-載出站15a-l 5c可具有像該晶圓 載入-載出站15’之多個DI水噴嘴，以便當該等晶圓及該等 硏磨頭被置放在該等晶圓載入-載出站15a-15c時，可清洗 該等晶圓及該等硏磨頭20a-20c。然而，在其它實施例中， 該等晶圓載入-載出站15a-15c可以不具有任何DI水噴嘴， 以及因此，沒有配置成用以清洗該等硏磨頭20a-20c及它們 的晶圓。在一些實施例中，該等晶圓載入-載出站15a-15c 可具有相似於該晶圓載入-載出站15’之晶圓載入及接收機 構，以在該等硏磨頭被置放在該等晶圓載入-載出站15a-15c 時，協助將晶圓載入至該等硏磨頭20a-20c及從該等硏磨頭 20a-20c 載出。

現在翻至第7圖，顯示依據本發明之一實施例的一硏 磨系統1 00。該硏磨系統1 00包括相同於第1至3圖之硏磨 設備1A的兩個硏磨設備1A-1及1A-2。因此，將使用第1 至3圖所用之相同元件符號來表示‘在第7圖中之相似元 件。該硏磨系統1〇〇進一步包括一後CMP清洗機150、該 晶圓轉移裝置50、——緩衝站120、——晶圓盒單元105及一 晶圓轉移裝置1 1 0。該晶圓轉移裝置5 0被安裝在一直線軌 道55上，該晶圓轉移裝置50可在該直線軌道55上直線地 移動，以進入該等硏磨設備1A-1及1A-2及該後CMP清洗 機1 50。同樣地，該晶圓轉移裝置1 1 0被安裝在一直線軌道 11 5上，該晶圓轉移裝置1 1 0可在該直線軌道1 1 5上直線地 移動，以進入該晶圓盒單元105、該緩衝站120及該後CMP -25-

200817131 清洗機150。 如第7圖所述，該等硏磨設備1 a -1及1 A - 2、該後 清洗機150、該晶圓轉移裝置50、該緩衝站120及該 轉移裝置110被置放在一維修區中，然而該晶圓盒單元 被置放在一工作區中。該維修區及該工作區係由一面牆 所界定’該牆125隔開這兩個區域。該晶圓轉移裝置 被置放在靠近該晶圓盒單元1 〇5，然而，藉由該牆1 25 晶圓盒單元105分開。該後CMP清洗機被置放相鄰於 圓轉移裝置1 1 0，以便該晶圓轉移裝置i〗〇位於該後 清洗機1 5 0與該晶圓盒單元1 〇 5間。如第7圖所示， 圓轉移裝置50及該緩衝站120被置放在該後CMP清 1 5 0與該等硏磨設備1 a -1及1 a - 2間，該等硏磨設備 及1 A-2係以並列結構來配置。 如桌7圖所不’設置或定位該第一硏磨設備1A-1 便該硏磨設備1A-1之第一晶圓載入-載出站15a、第一 面l〇a及第三硏磨面l〇c比該第一硏磨設備之第二晶 入-載出站15b、第三晶圓載入-載出站15c及該第二硏 1 0b _近該晶圓轉移裝置50。同樣地，設置或定位該 硏磨設備1A-2，以便該硏磨設備1A-2之第一晶圓載、 出站15a、第一硏磨面10a及第三硏磨面i〇c比該第一 設備之第二晶圓載入-載出站15b、第三晶圓載入-載 15 0及該第二硏磨面l〇b靠近該晶圓轉移裝置50。在 施例中，定位該等硏磨設備1A_1及1A-2,以便該第一 二硏磨設備之第一及第三硏磨面10a及10c係直線地 CMP 晶圓 105 125 110 與該 該晶 CMP 該晶 洗機 1 A-1 ，以 硏磨 圓載 磨面 第二 \ -載 硏磨 出站 一實 及第 配置 -26- 200817131 成平行於該直線軌道55，在該直線軌道55上安裝有該晶圓 轉移裝置5 0。 藉由該等硏磨設備1A-1及1A-2之配置，一個或更多 使用者可接近在該維修區中之硏磨設備1A-1及1A_2的每 一硏磨面，以維修該等硏磨設備1 A-1及1 A-2之任何硏磨 面，其可以包含保養該等硏磨面及更換關聯於該等硏磨面 之硏磨墊。如第7圖所述，一使用者110可接近該第一硏 磨設備1A-1之第一硏磨面l〇b，一使用者111可接近該第 Φ 二硏磨設備1A-2之第二硏磨面l〇b，一使用者112可接近 該第一硏磨設備1A-1之第一硏磨面l〇a，一使用者113可 在該第一硏磨設備1A-1之第三晶圓載入-載出站15c與該 第二硏磨設備1A-2之第二晶圓載入-載出站15b間及該第 一硏磨設備1A-1之第三硏磨面10c與該第二硏磨設備1A-2 之第一硏磨面l〇a間之空間處接近該第一硏磨設備1A-1之 第三硏磨面10c及該第二硏磨設備1A-2之第一硏磨面 10a，以及一使用者114可在該第三晶圓載入-載出站15c ^ 與該牆125間之空間處接近該第三硏磨設備1A-2之第三硏 磨面1 0 c。 該晶圓盒單元105用以儲存將在該硏磨系統1〇〇中被 硏磨之晶圓及儲存在該硏磨系統中已經過硏磨之晶圓。該 晶圓轉移裝置11 0操作以從該晶圓盒單元1 05將晶圓傳送 至該緩衝站120及從該後CMP清洗機150將晶圓傳送至該 晶圓盒單元105。該緩衝站120用以暫時保留一來自該晶圓 盒單元1 05之將被硏磨的晶圓。該晶圓轉移裝置5 0操作以 -27-

200817131 從該緩衝站1 20將晶圓傳送至該第一及第二硏ί 及1Α-2之第一晶圓載入-載出站〗5a。該晶圓率 亦操作以從該第一及第二硏磨設備1A_1及1A· 圓載入-載出站15a將晶圓傳送至該後CMP清沒 該第一及第二硏磨設備1A-1及1A-2操作 有關於第1至3圖之硏磨設備1A的方法處理 圓。在該第一硏磨設備1A-1中處理第一組晶圓 由該晶圓轉移裝置50將該第一組晶圓傳送至i Φ 洗機150。在該第二硏磨設備1A-2中處理第二 後，藉由該晶圓轉移裝置50將該第二組晶圓 CMP清洗機150。在一實施例中，該第一組晶 緩衝站1 20所傳送之第一晶圓開始起之每一相 及該第二組晶圓包括從該緩衝站1 20所傳送之 始起的每一相隔晶圓。 該後CMP清洗機150操作以清洗在該等硏 及1A-2中所已硏磨之晶圓。該後CMP清洗機 輸入站152、一清洗站153及一乾燥站154。在 後CMP清洗機150在該輸入站152接收該晶圓 所傳送之已硏磨晶圓，在該清洗站153清洗該 及在該乾燥站15 4弄乾該等晶圓。接著，藉由 裝置110將該等乾燥晶圓傳送至該晶圓盒單元 在所述實施例中，該等晶圓轉移裝置5 0及 裝置。亦即，該等晶圓轉移裝置50及110之每 裝置包括一單機械手臂以每次握持及傳送一晶 I設備1A-1 I移裝置50 2之第一晶 ;機 150。 以依據上述 該等接收晶 ，然後，藉 I後CMP清 組晶圓，然 傳送至該後 圓包括從該 隔晶圓，以 第—^晶圓開 磨設備1 A -1 150包括一 操作中，該 轉移裝置5 0 等晶圓，以 該晶圓轉移 105 ° 1 10係單臂 一晶圓轉移 圓。在其它 -28- 200817131 實施例中，該等晶圓轉移裝置5 0及1 1 〇之一或兩者可以是 雙臂裝置。在該晶圓轉移裝置110包括雙臂之實施例中， 該晶圓轉移裝置1 1 0之第一臂可以專門用以將晶圓從該晶 圓盒單元105傳送至該緩衝站120，以及該晶圓轉移裝置 110之第二臂可以專門用以將晶圓從該後CMP清洗機150 之乾燥站1 5 4傳送至該晶圓盒單元1 〇 5。同樣地，在該晶圓 轉移裝置5 0包括雙臂之實施例中，該晶圓轉移裝置5 0之 第一臂可以專門用以將晶圓從該緩衝站丨2〇傳送至該等硏 ^ 磨設備1Α-1及1Α-2之第一晶圓載入-載出站i5a，以及該 晶圓轉移裝置5 0之第二臂可以專門用以將晶圓從該等硏 磨設備1A-1及1A-2之第一晶圓載入-載出站i5a傳送至該 後CMP清洗機150之輸入站152。再者，在一些實施例中， 該晶圓轉移裝置110之第一臂可以具有一翻轉機構 (flipping mechanism)，以便該第一臂可在將該等晶圓載出 至該緩衝站1 20前翻轉該等晶圓。同樣地，在一些實施例 中’該晶圓轉移裝置50之第二臂可以具有一翻轉機構，以 ® 便該第二臂可在將該等晶圓載出至該後CMP清洗站150之 輸入站1 5 2前翻轉該等晶圓。 現在翻至桌8及9圖，顯示依據本發明之另一實施例 的一硏磨設備1B。第8圖係該硏磨設備iB之上視圖。第9 圖係第8圖之硏磨設備1 B的部分側視圖。該硏磨設備i B 相似於第1至3圖之硏磨設備1 a。因此，將使用第1至3 圖所用之相同元件符號來表示在第8及9圖中之相似元 件。該硏磨設備1 B包括該硏磨設備1 a之所有元件，以及 -29- 200817131 進一步包括一第一清洗臂51a、一第二清洗臂51b及一第三 清洗臂51c，該等清洗臂操作以使用流體（例如：DI水及/ 或化學藥劑）處理該等硏磨面l〇a_l〇c及該等晶圓載入-載出 站15a-15c，以便移除硏磨液殘餘物或硏磨副產物。如第8 圖所述，該第一、第二及第三清洗臂51a-51c係一旋轉總成 12B之部分。

在所述實施例中，該第一清洗臂51a之末端中之一在 該第一支撐臂45a與該第二支撐臂45b間連接至該旋轉軸 30，以便該第一清洗臂51a從該旋轉軸30放射狀地延伸。 該第一清洗臂51a有足夠長度，以便該第一清洗臂51a之 另一端如第8圖所示可至少達到該第一硏磨面1 〇a之中 心。如第9圖所示，該第一清洗臂5 1 a包括可向下噴灑DI 水及/或化學藥劑之噴嘴5 2。因此，當該第一清洗臂5 1 a被 置放在該第一硏磨面10a上方時，該第一清洗臂51a可用 以以DI水及/或化學藥劑來處理該第一硏磨面l〇a，以便移 除在該第一硏磨面1 0a上之硏磨液殘餘物或硏磨副產物。 同樣地，該第二清洗臂51b之末端中之一在該第二支 撐臂45b與該第三支撐臂45c間連接至該旋轉軸30，以便 該第二清洗臂5 1 b從該旋轉軸3 0放射狀地延伸。該第二清 洗臂51b有足夠長度，以便該第二清洗臂51b之另一端如 第8圖所示可至少達到該第二硏磨面1 〇b之中心。該第二 清洗臂51b亦包括可向下噴灑DI水及/或化學藥劑之像該 第一清洗臂51a之噴嘴52的噴嘴（未顯示）。因此，當該第 二清洗臂51b被置放在該第二硏磨面l〇b上方時，該第二 -30- 200817131 清洗臂5 1 b可用以以DI水及/或化學藥劑來處理該第二硏 磨面10b，以便移除在該第二硏磨面l〇b上之硏磨液殘餘物 或硏磨副產物。

同樣地，該第三清洗臂51c之末端中之一在該第三支 撐臂45c與該第一支撐臂45a間連接至該旋轉軸30，以便 該第三清洗臂5 1 c從該旋轉軸3 0放射狀地延伸。該第三清 洗臂51c有足夠長度，以便該第三清洗臂51c之另一端如 第8圖所示可至少達到該第三硏磨面i〇c之中心。該第三 清洗臂51c亦包括可向下噴灑DI水及/或化學藥劑之像該 第一清洗臂51a之噴嘴52的噴嘴（未顯示）。因此，當該第 三清洗臂51c被置放在該第三硏磨面l〇c上方時，該第三 清洗臂5 1 c可用以以DI水及/或化學藥劑來處理該第三硏 磨面10c，以便移除在該第三硏磨面i〇c上之硏磨液殘餘物 或硏磨副產物。 如第1 0圖所示，當旋轉該旋轉軸3 0，以便使該第一、 第二及第三硏磨頭20a-20c —致地旋轉及分別置放在該第 一、第二及第三硏磨面l〇a-l〇c上方時，亦使該第一、第二 及第三清洗臂5 1 a-5 1 c —致地旋轉及分別置放在該第二、第 三及第一晶圓載入·載出站15b、15c及15a。因此，該第一、 第二及第三清洗臂51a_51c可用以使用流體（例如：DI水及 /或化學藥劑）來清洗該等個別晶圓載入-載出站15a-15c。 在其它實施例中，該第一、第二及第三清洗臂51 a-51c 可連接至一第二旋轉軸（未顯示）以取代連接至該旋轉軸 30，其中該第二旋轉軸連接至一第二旋轉及垂直驅動機構 -31· 200817131 (未顯不）。&第一旋轉軸之旋轉及垂直移動之控制無關於 該第一旋轉軸30。結果，該第一、第二及第三清洗臂51a_51c 之移動係無關於該第一、第二及第三硏磨頭2〇a_2〇c之移 動0 現在翻至第11圖，顯示依據本發明之另一實施例的一 硏磨設備1C。第11圖係該硏磨設備1C之上視圖。該硏磨 設備1C係相似於第1至3圖之硏磨設備1A。因此，將使 用第1至3圖所用之相同元件符號來表示在第丨丨圖中之相 ® 似元件。在該硏磨設備1 c中，以第一及第二晶圓清洗站 15V及15d來取代該硏磨設備1 A之第二及第三晶圓載入-載出站15b及15c。該等晶圓清洗站15b，及15d包括像該晶 圓載入-載出站15’之噴嘴的可噴灑流體（例如：DI水或化學 藥劑）之噴嘴，以在該等硏磨頭及該等晶圓被置放在該等晶 圓清洗站上時清洗該等硏磨頭及該等晶圓。如以上所述， 該晶圓載入-載出站15a可以配置成亦在該等硏磨頭及該等 晶圓被置放在該晶圓載入-載出站15a上時清洗該等硏磨頭 β及該等晶圓。 縱使在此描述該硏磨設備1C成具有三個硏磨面 10a-10c、三個硏磨頭20a-20c、一*晶圓載入-載出站15a及 兩個晶圓清洗站15b1及15c，，依據本發明之不同實施例的 硏磨設備1C可具有不同數目之硏磨頭、硏磨面、晶圓載入 -載出站及晶圓清洗站。通常，該硏磨設備1C包括N個硏 磨頭、N個硏磨面、一晶圓載入-載出站及N-1個晶圓清洗 站，其中N係大於1之整數。雖然未顯示，但是該硏磨設 -32- 200817131 備1C可以進一步包括清洗臂（例如：該硏磨設備1B之清洗 臂51a-51c)以使用流體（例如：DI水及/或化學藥劑）來處理 該等硏磨面10a-10c、該晶圓載入-載出站15a及該等清洗 站1 5 b ’及1 5 c '，以便移除硏磨液殘餘物或硏磨副產物。

參考第11圖，描述依據本發明之一實施例的一在該硏 磨設備1C中處理晶圓之方法。藉由該晶圓轉移裝置50將 一待處理之第一晶圓W1傳送及載出至該第一晶圓載入-載 出站1 5 a。接著，將該第一晶圓W1從該第一晶圓載入-載 出站15a載入該第一硏磨頭20a。在被載入至該第一硏磨頭 20a後，藉由將該第一硏磨頭20a從該第一晶圓載入-載出 站15a旋轉地移動至該第一硏磨面l〇a以從該第一晶圓載 入-載出站15a傳送該第一晶圓W1至該第一硏磨面10 a。在 此旋轉地移動後，將該等硏磨頭20a-20c分別置放在該等硏 磨面10a-10c上方。在從該第一晶圓載入-載出站15a移除 該第一晶圓W 1後，藉由該晶圓轉移裝置5 0將一第二晶圓 W2傳送及載出至該第一晶圓載入-載出站15a。 然後，藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面10a上 硏磨該第一晶圓W1。該第一晶圓W1在該第一硏磨面10a 上之硏磨製程包含藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面 10a上旋轉及按壓該第一晶圓W1，旋轉該第一硏磨面10a 及供應一第一硏磨液至該第一硏磨面i〇a。 在完成該硏磨製程後，一致地旋轉移動該第一 '第二 及第三硏磨頭20a-20c分別至該第一清洗站15V、該第二清 洗站15c'及該第一載入-載出站15a，藉此將該第一晶圓W1 -33- 200817131 從該第一硏磨面l〇a傳送至該第一清洗站15V。接著，在 該第一清洗站15b·清洗該第一硏磨頭20a及該第一晶圓 W1。在該第一及第二清洗站15b’及15c·處，晶圓未被載出 至該等清洗站。亦將該第二晶圓W2從該晶圓載入-載出站 15a載入至該第三硏磨頭20c。

然後，將該第一、第二及第三硏磨頭20 a-20c分別旋轉 地移動至該第二、第三及第一硏磨面10b、10c及10a。在 從該第一晶圓載入-載出站1 5 a移除該第二晶圓W 2後，藉 由該晶圚轉移裝置50將一第三晶圓W3傳送及載出至該第 一晶圓載入-載出站15a。 接著，藉由該第一硏磨頭20a在該第二硏磨面10b上 硏磨該第一晶圓W 1。該第一晶圓W 1在該第二硏磨面1 Ob 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第二硏磨面 l〇b上旋轉及按壓該第一晶圓W1，旋轉該第二硏磨面10b 及供應一第二硏磨液至該第二硏磨面10b。 亦藉由該第三硏磨頭20c在該第一硏磨面10a上硏磨 該第二晶圓W2。該第二晶圓W2在該第一硏磨面10a上之 硏磨製程包括藉由該第三硏磨頭20c在該第一硏磨面10a 上旋轉及按壓該第二晶圓W2，旋轉該第一硏磨面10a及供 應該第一硏磨液至該第一硏磨面10a。 在完成該等硏磨製程後，分別旋轉地移動該第一、第 二及第三硏磨頭20a-20c至該第二清洗站15c’、該第一載入 -載出站15a及第一清洗站15V，藉此將該第一晶圓W1從 該第二硏磨面10b傳送至該第二清洗站15c(及將該第二晶 -34- 200817131 圓W2從該第一硏磨面10a傳送至該第一清洗站15V。然 後，在該第二清洗站15。上清洗該第一硏磨頭20a及該第 一晶圓W1。亦在該第一清洗站15V上清洗該第三硏磨頭 20c及該第二晶圓W2。亦從該晶圓載入-載出站15a將該第 三晶圓W3載入至該第二硏磨頭20b。 然後，將該第一、第二及第三硏磨頭2 0 a-2 0c分別旋轉 地移動至該第三、第一及第二硏磨面10c、10a及10b。

接著，藉由該第一硏磨頭20a在該第三硏磨面10c上 硏磨該第一晶圓W 1。該第一晶圓W 1在該第三硏磨面1 〇c 上之硏磨製程包含藉由該第一硏磨頭20a在該第三硏磨面 l〇c上旋轉及按壓該第一晶圓W1，旋轉該第三硏磨面10c 及供應一第三硏磨液至該第三硏磨面10c。 亦藉由該第三硏磨頭20c在該第二硏磨面10b上硏磨 該第二晶圓W2。該第二晶圓W2在該第二硏磨面10b上之 硏磨製程包含藉由該第三硏磨頭20c在該第二硏磨面10b 上旋轉及按壓該第二晶圓W2，旋轉該第二硏磨面10b及供 應該第二硏磨液至該第二硏磨面l〇b。 亦藉由該第二硏磨頭20b在該第一硏磨面10a上硏磨 該第三晶圓W3。該第三晶圓W3在該第一硏磨面10a上之 硏磨製程包含藉由該第二硏磨頭20b在該第一硏磨面10a 上旋轉及按壓該第三晶圓W3，旋轉該第一硏磨面10a及供 應該第一硏磨液至該第一硏磨面10a。 _ 在完成該等硏磨製程後，分別旋轉地移動該第一、第 二及第三硏磨頭20a-20c至該第一載入-載出站15a、該第 -35- 200817131 一清洗站15b'及第二清洗站15c_，藉此將該第一晶圓W1 從該第三硏磨面10c傳送至該第一載入-載出站15a，將該 第二晶圓W2從該第二硏磨面l〇b傳送至該第二清洗站 15c1，以及將該第三晶圓W3從該第一硏磨面10a傳送至該 第一清洗站15b·。

然後，將該第一晶圓W1載出至該第一載入-載出站 15a。可以在該畢圓載入-載出站15a上清洗該第一硏磨頭 20a及該第一晶圓W1。接著，藉由該晶圓轉移裝置50從該 第一載入-載出站15a移除該第一晶圓W1。在從該第一晶 圓載入-載出站15a移除該第一晶圓W1後，藉由該晶圓轉 移裝置50將一第四晶圓W4傳送及載出至該一晶圓載入-載出站15a。在該第二清洗站15d上清洗該第三硏磨頭20c 及該二晶圓W2。亦在該第一清洗站15b'上清洗該第二硏磨 頭2 0b及該第三晶圓W3。 在該晶圓載入-載出站15a、該第一清洗站15b'及該第 二清洗站15c1之清洗製程期間，可使用該等清洗臂51a-51c 同時清洗該等硏磨面10a-10c。 在此連續方式中，可經由該硏磨設備1 C之硏磨面 10a-10c接連地處理晶圓。專門使用該第一硏磨頭20a在該 等硏磨面10a-l〇C上硏磨第一組晶圓。同樣地，專門使用該 第三硏磨頭20 c在該等硏磨面10 a-10c上硏磨第二組晶圓。 同樣地，專門使用該二硏磨頭20b在該等硏磨面10a-10c 上硏磨第三組晶圓。在一實施例中，第一組晶圓包括從第 一晶圓開始起的每一第三個晶圓，第二組晶圓包括從第二 -36- 200817131 晶圓開始起的每一第三個晶圓，以及第三組晶圓包括從第 三晶圓開始起的每一第三個晶圓。 參考第12至14圖，描述依據本發明之另一實施例的 一硏磨設備1D。第12及13圖係該硏磨設備1D之上視圖， 然而第1 4圖係該硏磨設備1 D之部分側視圖。該硏磨設備 1D相似於第1至3圖之硏磨設備1 A。因此，，將使用第1 至3圖所用之相同元件符號來表示在第1 2至1 4圖中之相

似元件。該硏磨設備1 D包括該硏磨設備1 A之所有元件， 以及進一步包括一樞轉晶圓轉移裝置1 2 1。 該樞轉晶圓轉移裝置1 2 1包括一晶圓載入-載出杯狀物 122，該晶圓載入-載出杯狀物122經由一臂124連接至一 旋轉軸1 2 6。該旋轉軸1 2 6連接至一樞轉及垂直驅動機構 128，該樞轉及垂直驅動機構128控制該晶圓載入-載出杯 狀物122之樞轉及垂直移.動。該晶圓載入-載出杯狀物122 可以相似於該晶圓載入-載出站1 5 ’。 如第1 2及1 3圖所示，該樞轉晶圓轉移裝置1 2 1操作 以在一停放位置X與一晶圓傳輸位置Σ間樞轉該晶圓載入-載出杯狀物’122。第12圖係在該晶圓載入-載出杯狀物122 被置放在該停放位置X上時該硏磨設備1D之上視圖。第13 圖係在該晶圓載入-載出杯狀物122被置放在該晶圓傳輸位 置]:上時該硏磨設備1 D之上視圖，該晶圓傳輸位置Z係位 於該第一晶圓載入·載出站15a上方。 如第12圖所述，在該停放位置圣上，該晶圓載入-載出 杯狀物1 22能以該晶圓轉移裝置50傳送晶圓。如第1 3及 -37-

200817131 14圖所述，在該晶圓傳輸位置Z上，該晶圓載/ 物122能以在該晶圓傳輸位置I上方之任何 20a-2 0c來傳送。第14圖係在該晶圓載入-載杜 被置放在該晶圓傳輸位置Γ上及該硏磨頭20a 晶圓傳輸位置Z上方時該硏磨設備1 D之部分側 參考第12及13圖，描述依據本發明之一 在該硏磨設備1D中處理晶圓之第一方法。如第 藉由該晶圓轉移裝置50將一待處理之第一晶围 載出至在該停放位置I上之樞轉晶圓轉移裝置 載入-載出杯狀物122。然後，如第13圖所述， 及垂直驅動機構128將該晶圓載入-載出杯狀物 該晶圓傳輸位置Z。 接著，在該晶圓傳輸位置上，.將該第一 | 樞轉晶圓轉移裝置121之晶圓載入-載出杯狀物 該第一硏磨頭20a。在從該晶圓載入-載出杯狀 該第一晶圓W 1後，將該晶圓載入-載出杯狀物 回至該停放位置！，以接收下一個晶圓。然後 地移動該第一硏磨頭2 0a將該第一晶圓wi從丨 置[傳送至該第一硏磨面10a。 接著，藉由該第一硏磨頭20a在該第一] 硏磨該第一晶圓W1。該第一晶圓wi在該第 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在 1 0 a上旋轉及按壓該第一晶圓W 1，旋轉該第 及供應一第一硏磨液至該第一硏磨面10a。然 人-載出杯狀 該等硏磨頭 i杯狀物122 被置放在該 視圖。 實施例的一 12圖所述， ϋ w 1傳送及 1 2 1的晶圓 藉由該樞轉 丨122樞轉至 I圓W1從該 J 122載入至 物1 2 2移除 f 122樞轉返 ，藉由旋轉 [晶圓傳輸位 :磨面10a上 -硏磨面1 0 a $第一硏磨面 -硏磨面 1 0 a 菱，以相同於 -38- 200817131 該硏磨設備1A中之方式在該硏磨設備ID中進一步處理該 第一晶圓W 1。以相同於該第一晶圓W 1之方式連續地處理 該等後續晶圓。 在此連續方式中，使用該等硏磨頭20a-20c經由該等硏 磨面10a-10c接連地處理晶圓。除藉由在該第一晶圓載入-載出站15a上方之晶圓傳輸位置Z上的晶圓載入-載出杯狀 物1 22將在該硏磨設備1 D中之待硏磨的晶圓供應至該第一 硏磨頭2 0 a之外，此連續方式相似於在該硏磨設備1 A中之 Φ處理晶圓的連續方式。 參考第12及13圖，描述依據本發明之一實施例的一 在該硏磨設備1 D中處理晶圓之第二方法。在此方法中，待 處理之晶圓藉由該晶圓轉移裝置50被連續地載出至該晶 圓載入-載出站1 5 a及以相同於該硏磨設備1 A中之方式來 處理，直到且包括該等晶圓在該硏磨面1 〇 c上之硏磨。 然而，在完成該硏磨面l〇c上之硏磨製程後，藉由旋 轉地移動該第三硏磨頭20c將每一已硏磨晶圓傳送至在該 ^ 第一晶圓載入-載出站15a上方之晶圓傳輸位置。然後’ 將該晶圓載出至在該晶圓傳輸位置Σ上之樞轉晶圓轉移裝 置121的晶圓載入-載出杯狀物122。接著，將該晶圓載入-載出杯狀物1 22樞轉至該停放位置X上，藉此傳送該晶圓 至該停放位置X。此外，將該第三硏磨頭20c旋轉地移動返 回至該第三晶圓載入·載出站15c，以進一步處理下一個晶 圓。然後，藉由該晶圓轉移裝置50從在該停放位置圣上之 晶圓載入-載出杯狀物122移除在該晶圓載入-載出杯狀物 -39- 200817131 1 22上之晶圓。以相同方式連續地處理後續晶圓。 在此連續方式中，使用該等硏磨頭20a-20c經由該等硏 磨面10a-10c接連地處理晶圓。除從該第三硏磨頭20c移除 在該硏磨設備1D中所硏磨之晶圓至該第一晶圓載入-載出 站15a上方之晶圓傳輸位置Z上的晶圓載入-載出杯狀物 1 22之外，此連續方式相似於在該硏磨設備1 A中之處理晶 圓的連續方式。 參考第12及13圖，描述依據本發明之一實施例的一 Φ 在該硏磨設備1D中處理晶圓之第三方法。如第12圖所述’ 藉由該晶圓轉移裝置50將一待處理之第一晶圓W 1傳送及 載出至在該停放位置圣上之樞轉晶圓轉移裝置1 2 1的晶圓 載入-載出杯狀物1 22。接著，如第1 3圖所述，藉由該樞轉 及垂直驅動機構128將該晶圓載入-載出杯狀物122樞轉至 該晶圓傳輸位置Σ。 然後，在該晶圓傳輸位置上，將該第一晶圓w Γ從該

樞轉晶圓轉移裝置121之晶圓載入-載出杯狀物122載入至 該第一硏磨頭20a。在從該晶圓載入-載出杯狀物122移除 該第一晶圓W1後，將該晶圓載入-載出杯狀物122樞轉返 回至該停放位置圣，以接收下一個待處理晶圓。藉由旋轉 地移動該第一硏磨頭20a將該第一晶圓W 1從該晶圓傳輸位 置]:傳送至該第一硏磨面10a。 接著，藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面l〇a上 硏磨該第一晶圓W1。該第一晶圓W1在該第一硏磨面10a 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面 -40- 200817131 1 0a上旋轉及按壓該第一晶圓W 1，旋轉該第一硏磨面1 〇a 及供應一第一硏磨液至該第一硏磨面l〇a。 在完成該硏磨製程後，將該第一硏磨頭2〇a旋轉地移 動至該第二晶圓載入·載出站15b。在該第二晶圓載入-載出 站15b上以DI水及/或化學藥劑清洗該第一硏磨頭20a及該 第一晶圓W1。然後，將該第一硏磨頭20a旋轉地移動至該 第二硏磨面1 〇b。對於此第三方法，因爲沒有必要在該第二 晶圓載入-載出站15b上載出及載入晶圓，所以可以該硏磨 Φ 設備1C之第一晶圓清洗站15b’取代該第二晶圓載入-載出 站 15b。 然後，藉由該第一硏磨頭20a在該第二硏磨面10b上 硏磨該第一晶圓W 1。該第一晶圓w 1在該第二硏磨面1 0 b 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第二硏磨面 1 Ob上旋轉及按壓該第一晶圓W 1，旋轉該第二硏磨面1 〇b 及供應一第二硏磨液至該第二硏磨面l〇b。 在完成該硏磨製程後，將該第一硏磨頭20a旋轉地移 ® 動至該第三晶圓載入-載出站15c。在該第三晶圓載入-載出 站15c上以DI水及/或化學藥劑清冼該第一硏磨頭2〇a及該 第一晶圓wi。然後，將該第一硏磨頭2〇a旋轉地移動至該 桌二硏磨面10c。封於此桌二方法，因爲沒有必要在該第三 晶圓載入-載出站15c上載出及載入晶圓，所以可以該硏磨 設備1C之第二晶圓清洗站15c·取代該第三晶圓載入-載出 站 1 5 c 〇 接者，藉由該第一硏磨頭2(^在該第三硏磨面1〇〇硏 -41- 200817131 磨該第一晶圓W1。該第一晶圓W1在該第三硏磨面l〇c上 之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第三硏磨面l 〇c 上旋轉及按壓該第一晶圓W 1，旋轉該第三硏磨面1 0c及供 應一第三硏磨液至該第三硏磨面10c。 在完成該硏磨製程後，藉由旋轉地移動該第一硏磨頭 2 0a以將該第一晶圓W1傳送至該萬一晶圓載入-載出站 15a。然後，從該第一硏磨頭20a將該第一晶圓W1載出至 該第一晶圓載入-載出站15a。藉由該晶圓轉移裝置50從該 Φ 第一晶圓載入-載出站15a移除該第一晶圓W1。輪流使用 該等硏磨頭20a-20中之一以相同於該第一晶圓W1之方式 連續地處理後續晶圓。因此，使用該硏磨頭20c處理下一 個晶圓。

在此連續方式中，針對每一晶圓使用一特定硏磨頭以 經由該等硏磨面10a-10c接連地處理該等晶圓。除在此第三 方法中藉由專屬硏磨頭處理在該硏磨設備1D中所硏磨之 晶圓之外，此連續方式相似於依據該第一方法在該硏磨設 備1D中處理晶圓之連續方式。專門使用該第一硏磨頭20a 在該硏磨面10a-10c上硏磨第一組晶圓。同樣地，專門使用 該第三硏磨頭20c在該硏磨面10a-10c上硏磨第二組晶圓。 同樣地，專門使用該第二硏磨頭20b在該硏磨面10a-10c 上硏磨第三組晶圓。在一實施例中，第一組晶圓包括從第 一晶圓開始起的每一第三個晶圓，第二組晶圓包括從第二 晶圓開始起的每一第三個晶圓，以及第三組晶圓包括從第 —^曰日圓開始起的每一第二個晶圓。 -42- 200817131 參考第12及13圖，描述依據一實施例之一在該硏磨 設備1D中處理晶圓之第四方法。藉由該晶圓轉移裝置50 將一待處理之第一晶圓W1傳送及載出至該第一晶圓載入-載出站15a。然後，將該第一晶圓W1從該第一晶圓載入-載出站15a載入至該第一硏磨頭20a。在載入至該第一硏磨 頭20a後，藉由從該第一晶圓載入-載出站15a旋轉地移動 該第一硏磨頭20a至該第一硏磨面l〇a以將第一晶圓W1從 該第一晶圓載入-載出站15a傳送至該第一硏磨面l〇a。

接著，藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面l〇a硏 磨該第一晶圓W1。該第一晶圓W1在該第一硏磨面10a上 之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面10a 上旋轉及按壓該第一晶圓W1，旋轉該第一硏磨面l〇a及供 應一第一硏磨液至該第一硏磨面1 〇a。然後，以相同於在該 硏磨設備1 D中之處理晶圓的第三方法處理該第一晶圓 W1，直到及包括在該第三硏磨面l〇c上之硏磨製程。 在該硏磨面1 0c上完成該硏磨製程後，旋轉地移動該 第一硏磨頭20a至在該第一晶圓載入-載出站15a上方之晶 圓傳輸位置Z。亦樞轉該晶圓載入-載出杯狀物122至該晶 圓傳輸位置Z。然後，將該第一晶圓W1從該第一硏磨頭20a 載出至在該晶圓傳輸位置Σ上之晶圓載入-載出杯狀物 122。在將該第一晶圓W1載出至該晶圓載入-載出杯狀物 1 22後，樞轉該晶圓載入-載出杯狀物1 22至該停放位置圣’ 其中藉由該晶圓轉移裝置50從該晶圓載入-載出杯狀物122 移除該第一晶圓W1。輸流使用該等硏磨頭20a-20c中之一 -43- 200817131 以相同於該第一晶圓w 1之方式接連地處理後續晶圓。 在此連續方式中，針對每一晶圓使用一特定硏磨頭以 經由該等硏磨面10a-10c接連地處理該等晶圓。除藉由專屬 硏磨頭處理在該硏磨設備1 D中所硏磨之晶圓之外，此連續 方式相似於依據第二方法之在該硏磨設備1 D中處理晶圓 之連續方式。 現在翻至第15至17圖，顯示依據本發明之另一實施 例的一硏磨設備1E。第1 5及1 6圖係該硏磨設備1 E之上 Φ 視圖，然而第17圖係該硏磨設備1E之部分側視圖。該硏 磨設備1E相似於第1至3圖之硏磨設備1A。將使用第1 至3圖所用之元件符號來表示在第15至17圖中之相似元 件。該硏磨設備1 E包括該硏磨設備1 A之所有元件，以及 如下面所述進一步包括硏磨頭樞轉機構27a-27c及樞轉臂 47a-47c，其允許該等硏磨頭20a-20c被獨立地樞轉。如第 15及16圖所述，該等硏磨頭樞轉機構27a-27c係一旋轉總 成12E之部分。

如第15及16圖所示，該等硏磨頭樞轉機構27a-27c 分別連接至該等支撐臂45a-45c，以及亦分別連接至該等樞 轉臂47a-47c。該等樞轉臂47a_47c分別連接至該等旋轉及 垂直驅動機構25a-25c，該等旋轉及垂直驅動機構25a-25c 連接至它們的個別硏磨頭20a-20c。因此，如第17圖所述， 除藉由該中心旋轉及垂直驅動機構35以該旋轉軸線36爲 中心旋轉該等硏磨頭20a-20c之外，還可藉由該等硏磨頭樞 轉機構27a_27c獨立地樞轉該等樞轉臂47a-47c來分別以樞 -44- 200817131 轉軸線48a-48c爲中心獨立地樞轉該等硏磨頭20a-20c。

參考第15圖，描述依據本發明之一實施例的在該硏磨 設備1 E中處理晶圓之方法。第1 5圖顯示在該第一硏磨頭 樞轉機構27a被置放在該第一晶圓載入-載出站15a與該第 一硏磨面l〇a間，該第二硏磨頭樞轉機構27b被置放在該 第二晶圓載入-載出站15b與該第二硏磨面l〇b間及該第三 硏磨頭樞轉機構27c被置放在該第三晶圓載入-載出站15c 與該第三硏磨面1 〇c間時之硏磨設備1 E。在一些實施例 中’可以該硏磨設備1C之第一及第二清洗站15b，及15c1 分別取代該第二及第三晶圓載入-載出站15b及15c。 在第15圖中所示之位置時，該第一硏磨頭樞轉機構 2 7 a箱由以該樞轉軸線483爲中心沿著一曲線方向4樞轉該 第一硏磨頭20a可將該第一硏磨頭20a從該第一晶圓載入-載出站15a傳送至該第一硏磨面l〇a，而沒有以該旋轉軸線 3 6爲中心旋轉該旋轉軸3 0。同樣地，該第二硏磨頭樞轉機 構27b藉由以該樞轉軸線48b爲中心沿著一曲線方向互樞轉 該第二硏磨頭20b可將該第二硏磨頭20b從該第二晶圓載 入-載出站15b傳送至該第二硏磨面l〇b，而沒有以該旋轉 軸線‘ 36爲中心旋轉該旋轉軸3〇。同樣地，該第三硏磨頭樞 轉機構27c藉由以該樞轉軸線48c爲中心沿著一曲線方向f 樞轉該第三硏磨頭20c可將該第三硏磨頭20c從該第三晶 圓載入-載出站15c傳送至該第三硏磨面10c，而沒有以該 旋轉軸線36爲中心旋轉該旋轉軸30。 因此，可允許將該等硏磨頭20a-20c從它們的個別晶圓 -45- 200817131 載入-載出站15a-15c分別移動至該等相鄰硏磨面10a-10c， 以便該等硏磨頭20a-20c —經準備就緒時可立即在它們的 個別硏磨面上開始硏磨製程。 在一些實施例中，可以相似於上述關於該硏磨設備1 A 所述之方法的方式使用該等硏磨頭20a-20b在該硏磨設備 1 E中處理每一晶圓。在其它實施例中，可以相似於上述關 於該硏磨設備1C所述之方法的方式使用該等硏磨頭 20a-2Ob中之一在該硏磨設備1E中處理每一晶圓。

參考第16圖，描述依據本發明之一實施例的另一在該 硏磨設備1E中處理晶圓之方法。第16圖顯不在該第一硏 磨頭樞轉機構27a被置放在該第一硏磨面10a與該第二晶 圓載入-載出站15b間，該第二硏磨頭樞轉機構27b被置放 在該第二硏磨面10b與該第三晶圓載入-載出站15c間及該 第三硏磨頭樞轉機構27c被置放在該第三硏磨面l〇c與該 第一晶圓載入-載出站15a間時之硏磨設備1E。如先前所 述，在一些實施例中，可以該硏磨設備1C之第一及第二清 洗站15b’及15cf分別取代該第二及第三晶圓載入-載出站 15b 及 15 c。 在第16圖所示之位置時，該第一硏磨頭樞轉機構27a 藉由以該樞轉軸線48a爲中心沿著一曲線方向樞轉該第 一硏磨頭20a可將該第一硏磨頭20a從該第一硏磨面10a 傳送至該第二晶圓載入-載出站1 5 b，而沒有以該旋轉軸線 3 6爲中心旋轉該旋轉軸3 0。同樣地，該第二硏磨頭樞轉機 構27b藉由以該樞轉軸線48b爲中心沿著一'曲線方向爸•樞 -46- 200817131 轉該第二硏磨頭20b可將該第二硏磨頭20b從該第二硏磨 面10b傳送至該第三晶圓載入-載出站15c，而沒有以該旋 轉軸線36爲中心旋轉該旋轉軸30。同樣地，該第三硏磨頭 樞轉機構27c藉由以該樞轉軸線48c爲中心沿著一曲線方 向f樞轉該第三硏磨頭20c可將該第三硏磨頭20c從該第 三硏磨面10c傳送至該第一晶圓載入-載出站15a，而沒有 以該旋轉軸線36爲中心旋轉該旋轉軸30。

因此，可允許將該等硏磨頭20 a-20c從它們的個別硏磨 面lOa-lOc分別移動至該等相鄰晶圓載入-載出站15a-15c， 以便一經在該等硏磨面上完成該等硏磨製程，可立即在該 等個別晶圓載入-載出站上分別開始該等載出或清洗製程。 在一些實施例中，可以相似於上述關於該硏磨設備1A 之方法的方式使用該等硏磨頭20a- 2 Ob在該硏磨設備1E中 處理每一晶圓。在其它實施例中，可以相似於上述關於該 硏磨設備1C所述之方法的方式使用該等硏磨頭20a-20b中 之一在該硏磨設備1 E中處理每一晶圓。 現在翻至第18圖，顯示依據本發明之另一實施例的一 硏磨設備1F。該硏磨設備1F包括第1至3圖之硏磨設備 1A的某些元件。因此，將使用在第1至3圖中所用之元件 符號來表示第1 8圖中之相似元件。如第1 8圖所示，該硏 磨設備1F包括兩個硏磨面10a及1 〇b、兩個硏磨頭20a及 2 0b以及兩個晶圓載入-載出站15a及15b。該等硏磨頭20a 及20b係一旋轉總成12F之部分，該旋轉總成1 2F只包括 兩個支撐臂45a及45b以及兩個旋轉及垂直驅動機構25a -47- 200817131 及25b，其中該等支撐臂45a及45b係裝至該旋轉軸30， 以及該等旋轉及垂直驅動機構25a及25b分別連接至該等 硏磨頭20a及20b。因此，當旋轉該旋轉軸30時，一致地 旋轉該等硏磨頭20a及20b。

在此實施例中，使該等硏磨面10a及10b沿著X軸線 與該旋轉總成1 2F之旋轉軸線3 6排成一直線。當做一範 例：如第18圖所述，置放該等硏磨面l〇a及10b，以便該 等硏磨面之中心與該旋轉軸線3 6界定一平行於X軸線之直 線1 la。此外，使該等晶圓載入-載出站15a及15b沿著Y 軸線與該旋轉總成1 2之旋轉軸線3 6排成一直線。當做一 範例：如第1 8圖所述，置放該等晶圓載入-載出站1 5 a及 15b，以便該等晶圓載入-載出站之中心與該旋轉軸線36界 定一平行於Y軸線之直線1 1 b。因此，該等線1 1 a及1 1 b 彼此垂直。亦即，該等線1 1 a及1 1 b間之角度α係9 0度。 在一替代實施例中，如第1 9圖所述，置放該等晶圓載 入-載出站15a及15b，以便該等晶圓載入-載出站與該旋轉 軸線36所界定之線1 lb不平行於Y軸線。因此，在此替代 實施例中，該等線11a及lib間之角度α大於90度。此該 等晶圓載入-載出站15a及15b之配置減少該硏磨設備1F 沿者Y軸線之涵蓋範圍。 已描述第 1圖之硏磨設備 1A具有三個硏磨面 10a-10c、三個硏磨頭2〇a-20c及三個晶圓載入-載出站 15a-15c。已描述第18圖之硏磨設備1F具有兩個硏磨面l〇a 及l〇b、兩個硏磨頭20a及20b以及兩個晶圓載入·載出站 -48- 200817131 15a及15b。然而，依據本發明之不同實施例硏磨設備ΙΑ 及硏磨設備IF可具有不同數目之硏磨頭、硏磨面及晶圓載 入-載出站。通常，該等硏磨設備1A及1F可包括N個硏磨 頭（連接至一旋轉軸）、N個硏磨面及N個晶圓載入-載出 站，其中N係大於1之整數。可以使該N個硏磨面在該旋 轉軸周圍彼此均等地隔開。可以使該N個晶圓載入-載出站 在該旋轉軸周圍彼此均等地隔開。 參考第18及19圖，描述依據本發明之一實施例的一 ^ 在該硏磨設備IF中處理晶圓之方法。在此實施例中，該旋 轉總成12F係配置成用以旋轉地移動該等硏磨頭20a及 2 0b，以便可在該第一晶圓載入-載出站15a、該第一硏磨面 20a及該第二晶圓載入-載出站15b間專門移動該第一硏磨 頭20a，以及可在該第二晶圓載入-載出站15b、該第二硏 磨面2 0b及該第一晶圓載入-載出站15a間專門移動該第二 硏磨頭20b。

最初，該等硏磨頭20a及20b分別被置放在該第一及 第二晶圓載入-載出站15a及15b上方。藉由該晶圓轉移裝 置50將一待處理之第一晶圓W1傳送及載出至該第一晶圓 載入-載出站1 5 a。然後，將該第一晶圓W 1從該第一晶圓 載乂-載出站15a載入至該第一硏磨頭20a。在該第一晶圓 W1被載入至該第一硏磨頭20a後，藉由從該第一晶圓載入 -載出站15a旋轉該第一硏磨頭20a至該第一硏磨面l〇a以 將該第一晶圓W 1從該第一晶圓載入-載出站1 5 a傳送至該 第一硏磨面10a。在此移動後，如第18及19圖所述，該等 -49- 200817131 硏磨頭20a及20b分別被置放在該等硏磨面l〇a及i〇b上 方。在從該第一晶圓載入-載出站15a移除該第一晶圓W1 後，藉由該晶圓轉移裝置5 0將一第二晶圓W 2傳送及載出 至該第一晶圓載入-載出站15a，來以相同於該第一晶圓W1 之方式來處理。 接著，藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面l〇a上

硏磨該第一晶圓W1。該第一晶圓W1在該第一硏磨面l〇a 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面 10a上旋轉及按壓該第一晶圓W1，旋轉該第一硏磨面10a 及供應一第一硏磨液至該第一硏磨面10a。 在完成該硏磨製程後，藉由從該第一硏磨面10a旋轉 地移動該第一硏磨頭20a至該第二晶圓載入-載出站15b以 將該第一晶圓W 1從該第一硏磨面1 〇a傳送至該第二晶圓載 入-載出站15b。在此移動後，該等硏磨頭20a及20b分別 被置放在該等晶圓載入-載出站1 5 b及1 5 a上方。 然後，將該第一晶圓W1從該第一硏磨頭20a載出至該 第二晶圓載入-載出站15b。在載出該第一晶圓W1後，旋 轉地移動該第一硏磨頭20 a返回至該第一晶圓載入-載出站 15a。在此移動後，該等硏磨頭20a及2 0b分別被置放在該 等晶圓載入-載出站15a及15b上方。 接著，將該第二晶圓W2從該晶圓載入-載出站15a載 入至該第一硏磨頭20a。亦將該第一晶圓w 1從該晶圓載入 •載出站15b載入至該第二硏磨頭20b。然後，藉由一致地 旋轉地移動該第一及第二硏磨頭20a及20b分別至該第一 -50- 200817131 及第二硏磨面10a及10b以將該第二晶圓W2及該第一晶圓 W 1分別傳送至該第一及第二硏磨面1 〇a及1 〇b。在此移動 後，如第18及19圖所述，該等硏磨頭20a及2 0b分別被 置放在該等硏磨面10 a及10b上方。 然後，藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面l〇a上

硏磨該第二晶圓W2。該第二晶圓W2在該第一硏磨面l〇a 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20 a在該第一硏磨面 10a上旋轉及按壓該第二晶圓W2，旋轉該第一硏磨面l〇a 及供應該第一硏磨液至該第一硏磨面10a。 亦藉由該第二硏磨頭20b在該第二硏磨面l〇b上硏磨 該第一晶圓W1。該第一晶圓W1在該第二硏磨面l〇b上之 硏磨製程包括藉由該第二硏磨頭20b在該第二硏磨面10b 上旋轉及按壓該第一晶圓W 1，旋轉該第二硏磨面1 〇b及供 應一第二硏磨液至該第二硏磨面1 〇b。 在完成該等硏磨製程後，藉由旋轉地移動該第一及第 二硏磨頭20a及20b以將該第一及第二晶圓W1及W2分別 傳送至該第一及第二晶圓載入-載出站15a及15b。在此移 動後，該等硏磨頭20a及20b分別被置放在該等晶圓載入_ 載出站15b及15a上方。 接著，將該第二晶圓W2從該第一硏磨頭20a載出至該 第二晶圓載入-載出站15b。亦將該第一晶圓W1從該第二 硏磨頭2 0b載出至該第一晶圓載入-載出站15a。在載出該 第一及第二晶圓W1及W2後，將該第一及第二硏磨頭20a 及20b分別旋轉地移動返回至該第一及第二晶圓載入-載出 -51- 200817131 站15a及15b。在此移動後，該等硏磨頭20a及20b分別被 置放在該等晶圓載入-載出站15a及15b上方。 接下來，藉由該晶圓轉移裝置50從該第一晶圓載入-載出站1 5a移除該第一晶圓W 1，以及藉由該晶圓轉移裝置 50將一第三晶圓W3傳送及載出至該第一晶圓載入-載出站 15a。以相同於該第一晶圓W1之連續方式在第18或19圖 之硏磨設備1F中進一步處理該第二及第三晶圓W2及W3。

在此連續方式中，多個晶圓可在該硏磨設備1F之晶圓 載入-載出站15a及15b與硏磨面l〇a及10b間接連地被傳 送及藉由該等硏磨頭20a及20b來硏磨。 參考第18及19圖，描述依據本發明之另一實施例的 一在該硏磨設備1 F中處理晶圓之方法。在此實施例中，該 旋轉總成12F係配置成旋轉該等硏磨頭20a及20b，以便可 朝逆時針方向將該第一及第二硏磨頭從該第一晶圓載入· 載出站15a接連地移動至該第一硏磨面10a等。 最初，該等硏磨頭20a及20b分別被置放在該第一及 第二晶圓載入-載出站15a及15b上方。藉由該晶圓轉移裝 置50將一待處理之第一晶圓W1傳送及載出至該第一晶圓 載入-載出站15a。接著，將該第一晶圓W1從該第一晶圓 載入-載出站15a載入至該第一硏磨頭20a。在該第一晶圓 W1被載入至該第一硏磨頭20a後，藉由從該第一晶圓載入 -載出站15a旋轉該第一硏磨頭20a至該第一硏磨面1(^以 將該第一晶圓W 1從該第一晶圓載入-載出站1 5 a傳送至該 第一硏磨面10a。在此移動後，如第18及19圖所述，該等 -52- 200817131 硏磨頭20a及20b分別被置放在該等硏磨面l〇a及10b上 方。在從該第一晶圓載入-載出站15a移除該第一晶圓W1 後，藉由該晶圓轉移裝置50將一第二晶圓W2傳送及載出 至該第一晶圓載入-載出站15a以等處理。

然後，藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面10a上 硏磨該第一晶圓W1。該第一晶圓W1在該第一硏磨面10a 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面 10a上旋轉及按壓該第一晶圓W1，旋轉該第一硏磨面10a 及供應一第一硏磨液至該第一硏磨面l〇a。 在完成該硏磨製程後，一致地旋轉該第一及第二硏磨 頭20a及20b分別至該等晶圓載入-載出站15b及15a。然 後，在該第二晶圓載入-載出站15b上以DI水及/或化學藥 劑清洗該第一硏磨頭20a及該第一晶圓W 1。對於此方法， 因爲沒有必要在該第二晶圓載入-載出站15b上載出及載入 晶圓，所以可以該硏磨設備1C之第一晶圓清洗站15b’來取 代該第二晶圓載入-載出站15b。並且，將該第二晶圓W2 從該晶圓載入-載出站15a載入至該二硏磨頭20b。 接著，一致地旋轉地移動該一及第二硏磨頭20a及20b 分別至該等硏磨面10b及10a。在此移動後，該等硏磨頭 20a及20b分別被置放在該等硏磨面10b及l〇a上方。 然後，藉由該第一硏磨頭20a在該第二硏磨面10b上 硏磨該第一晶圓W 1。該第一晶圓W 1在該第二硏磨面1 Ob 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第二硏磨面 10b上旋轉及按壓該第一晶圓W1，旋轉該第二硏磨面10b -53- 200817131 及供應一第二硏磨液至該第二硏磨面1 Ob。 亦藉由該第二硏磨頭20b在該第一硏磨面10a上硏磨 該第二晶圓W2。該第二晶圓W2在該第一硏磨面10a上之 硏磨製程包括藉由該第二硏磨頭20b在該第一硏磨面10a 上旋轉及按壓該第二晶圓W2，旋轉該第一硏磨面10a及供 應該第一硏磨液至該第一硏磨面l〇a。

在完成該等硏磨製程後，藉由一致地旋轉該第一及第 二硏磨頭20a及20b以將該第一及第二晶圓W1及W2分別 傳送至該第一及第二晶圓載入-載出站15a及15b。在此移 動後，該等硏磨頭20a及201^分別被置放在該等晶圓載入-載出站15a及15b上方。 然後，在該第二晶圓載入-載出站15b以DI水及/或化 學藥劑清洗該第二硏磨頭20b及該第二晶圓W2。同時，將 該第一晶圓W1從該第一硏磨頭20a載出至該第一晶圓載入 -載出站15a。接著，旋轉地移動該第一及第二硏磨頭20a 及20b分別至該第一及第二硏磨面10a及l〇b。在此移動 後，如第18及19圖所述，該等硏磨頭20a及20b分別被 置放在該第一及第二硏磨面10a及10b上方。 在從該第一晶圓載入-載出站15a移離該第一硏磨頭 20a後，藉由該晶圓轉移裝置50從第一晶圓載入-載出站 15a移除第一晶圓W1及藉由該晶圓轉移裝置50將一第三 晶圓W3傳送及載出至該第一晶圓載入-載出站i5a。以相 同該第一晶圓W1之連續方式在第18或19圖之硏磨設備 1F中進一步處理該第二及第三晶圓W2及W3。 •54-

200817131 在此連續方式中，針對每一晶圓使用一特定硏磨 經由該等硏磨面1 〇a及1 Ob接連地處理該等晶圓。亦 在此實施例中，藉由專屬硏磨頭在該硏磨設備1F中硏 圓。 在一些實施例中，該硏磨設備1 F之旋轉總成1 2F 包括像該硏磨設備1B之清洗臂51a-51c的一個或多個 臂（未顯示），以在以該旋轉軸線36爲中心旋轉該旋轉 12F時，使用像DI水及/或化學藥劑之流體處理該等硏 l〇a及10b及該等晶圚載入-載出站15a及15b，以移除 液殘餘物或硏磨副產物。當做一範例：該硏磨設備1 F 轉總成1 2F可以包括兩個清洗臂（未顯示），該兩個清 被裝至該旋轉軸30，以便在使該等硏磨頭20a及20b 線1 1 a成一直線時，使該兩個清洗臂與該線1 1 b成一撞 在一些實施例中，可以以一晶圓清洗站（例如：該 設備1C之晶圓清洗站15V及15 c J來取代該硏磨設備 晶圓載入-載出站15b。在這些實施例中，藉由一專屬 頭（該硏磨頭20a或20b)在該硏磨設備1F中處理每 圓。再者，因爲使用相同硏磨頭連續地硏磨在該第一 二硏磨面10a及10b上之每一晶圓，所以沒有將每一 載出至該晶圓站1 5b。在這些實施例中，當旋轉地移動 硏磨頭中之一於該晶圓站1 5b上方時，使用該晶圓站 來清洗該等硏磨頭20a及20b及由該等硏磨頭所握持 圓

在一些實施例中，該硏磨設備1 F之旋轉總成1 2F 頭以 即， 磨晶 可以 清洗 總成 磨面 硏磨 之旋 洗臂 與該 [線。 硏磨 1F之 硏磨 一晶 及第 晶圓 該等 Ϊ 15b 之晶 可以 -55- 200817131 及 便 地 j ， 頭 專 該 裝 :該 :磨 :出 -載 丨圓 一裝 L接 t備 1 ~^ t備 U牛 該 20a 20 a 配置成包括像該硏磨設備1E之硏磨頭樞轉機構27a-27c 樞轉臂47a-47 c的硏磨頭樞轉機構及樞轉臂（未顯示），以 如第1 5至1 7圖所述，可以一個別樞轉軸線爲中心獨立 樞轉該等硏磨頭20 a-20c之每一硏磨頭。在這些實施例片 可以相似於上述處理方法中之一的方式使用該兩個硏磨 20a及20b或使用該等硏磨頭中之一做爲每一晶圓之一 屬硏磨頭在該硏磨設備1 F中處理該晶圓。

在一些實施例中，該硏磨設備1 F可以進一步包括像 硏磨設備1 D之樞轉晶圓轉移裝置1 2 1的一樞轉晶圓轉稻 置（未顯示），以載入晶圓至該等硏磨頭20a及20b或從宅 晶圓載入-載出站15a上之硏磨頭載出晶圓。因此，該砑 設備1F之樞轉晶圓轉移裝置被置放靠近該晶圓載入-_ 站1 5a，以便可樞轉該樞轉晶圓轉移裝置於該晶圓載入 出站1 5 a上方及亦可樞轉該樞轉晶圓轉移裝置遠離該| 載入-載出站15a。相似於該硏磨設備1D之樞轉晶圓轉| 置1 2 1，可以使用該硏磨設備1 F之樞轉晶圓轉移裝置t 收在該硏磨設備1 F中待硏磨之晶圓或接收在該硏磨| 1 F中已硏磨之晶圓。 現在翻至第20圖，顯示依據本發明之另一實施例的 硏磨設備1G。該硏磨設備1G包括第1至3圖之硏磨露 1A的某些元件。因此，將使用第1至3圖所用之相同另 符號來表示在第20圖中之相似元件。如第20圖所示， 硏磨設備1G包括兩個硏磨面i〇a及i〇b、兩個硏磨頭 及2Ob以及三個晶圓載入-載出站15a_15c。該等硏磨頭 -56- 200817131 及2 0b係一旋轉總成1 G之部分，該旋轉總成1 G只包括兩 個支撐臂45a及45b及兩個旋轉及垂直驅動機構25a及 25b，其中該兩個支撐臂45a及45b被裝至該旋轉軸30，以 及該兩個旋轉及垂直驅動機構25a及25b分別連接至該等 硏磨頭20a及20b。因此，當旋轉該旋轉軸30時，一致地 旋轉移動該等硏磨頭20a及20b。 該第一硏磨面10a被置放在該第一及第二晶圓載入-載 出站15a及15b之間。該第二硏磨面10b被置放在該第二 Φ 及第三晶圓載入-載出站15b及15c之間。該晶圓轉移裝置 50係位於靠近該第一及第三晶圓載入-載出站15a及15c， 以進入該兩個晶圓載入-載出站15a及15x。 在一些實施例中，在該第一晶圓載入-載出站15a、該 第一硏磨面l〇a及該第二晶圓載入-載出站15b間專門旋轉 該第一硏磨頭20a。同樣地，在該第二晶圓載入-載出站 15b、該第二硏磨面l〇b及該第三晶圓載入-載出站15c間專 門旋轉該第二硏磨頭20b。該晶圓轉移裝置50操作以提供 待硏磨之晶圓至該第一晶圓載入-載出站15a及從該第三晶 圓載入-載出站15c移除已硏磨晶圓。 參考第20圖，描述依據本發明之一實施例的一在該硏 磨設備1G中處理晶圓·之方法。最初’如第20圖所7K ’該 等硏磨頭20a及2 Ob分別被置放在該第一及第二晶圓載入-載出站15a及15b上。藉由該晶圓轉移裝置50將一待處理 之第一晶圓 W1傳送及載出至該第一晶圓載入-載出站 15a。然後，將該第一晶圓W1從該第一晶圓載入-載出站 -57· 200817131 15a載入至該第一硏磨頭20a及藉由從該第一晶圓載入-載 出站15a旋轉地移動該第一硏磨頭20 a至該第一硏磨面10a 以將該第一晶圓W1從該第一晶圓載入-載出站15a傳送至 該第一硏磨面。在此移動後，該等硏磨頭20a及20b分 別被置放在該等硏磨面l〇a及10b上方。在從該第一晶圓 載入-載出站15a移除該第一晶圓W1後，藉由該晶圓轉移 裝置50將一第二晶圓W2傳送及載出至第一晶圓載入-載出 站 1 5 a。

然後，藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面10a上 硏磨該第一晶圓W1。該第一晶圓W1在該第一硏磨面10a 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面 10a上旋轉及按壓該第一晶圓W1，旋轉該第一硏磨面10a 及供應一第一硏磨液至該第一硏磨面l〇a。 在完成該硏磨製程後，藉由從該第一硏磨面1 0a旋轉 地移動該第一硏磨頭20a至該第二晶圓載入-載出站15b以 將該第一晶圓W1從該第一硏磨面10a傳送至該第二晶圓載 入-載出站15b。結果，該等硏磨頭20a及20b分別被置放 在該等晶圓載入-載出站15b及15c上方。 然後，將該第一晶圓W1從該第一硏磨頭20a載出至該 第二晶圓載入-載出站15b。在該第一晶圓W1被載出後， 將該第一硏磨頭20a旋轉地移動返回至該第一晶圓載入-載 出站15a。在此移動後，如第20圖所示，該等硏磨頭20a 及20b分別被置放在該等晶圓載入-載出站15a及15b上方。 接著，將該第二晶圓W2從該晶圓載入-載出站15a載 -58- 200817131 入至該第一硏磨頭20a。亦將該第一晶圓W 1從該晶圓載入 -載出站15b載入至該第二硏磨頭20b。然後，藉由一致地 旋轉地移動該第一及第二硏磨頭20a及20b分別至該第一 及第二硏磨面l〇a及l〇b以將該第一及第二晶圓W1及W2 分別傳送至該第二及第一硏磨面1 Ob及1 〇a。在此移動後， 該等硏磨頭20a及20b分別被置放在該等硏磨面1〇 a及10 b 上方。在從該第一晶圓載入-載出站15a移除該第二晶圓 W2後，藉由該晶圓轉移裝置50將一第Η晶圓W3傳送及載 Φ出至該第一晶圓載入-載出站15a。 然後，藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面i〇a上 硏磨該第二晶圓W2。該第二晶圓W2在該第一硏磨面l〇a 上之硏磨製程包括藉由該第一硏磨頭20a在該第一硏磨面 10a上旋轉及按壓該第二晶圓W2，旋轉該第一硏磨面10a 及供應該第一硏磨液至該第一硏磨面l〇a。

亦藉由該第二硏磨頭20b在該第二硏磨面i〇b上硏磨 該第一晶圓W1。該第一晶圓W1在該第二硏磨面l〇b上之 硏磨製程包括藉由該第二硏磨頭20b在該第二硏磨面10b 上旋轉及按壓該第一晶圓W 1，旋轉該第二硏磨面1 〇b及供 應一第二硏磨液至該第二硏磨面1 Ob ◦ 在完成該等硏磨製程後，藉由旋轉地移動該第一及第 二硏磨頭20a及20b分別至該第二及第三晶圓載入·載出站 15b及15c以將該第二晶圓W2及該第一晶圓W1分別傳送 至該第二及第三晶圓載入-載出站1 5 b及1 5 c。在此旋轉地 移動後，該第一及第二硏磨頭20a及2〇b分別被置放在該 •59- 等晶圓載入-載出站15b及15c上方。 接著’將該第二晶圓W2從該第一硏磨頭20a載 第二晶圓載入-載出站1 5 b。亦將該第一晶圓w 1從 硏磨頭2 0b載出至該第二晶圓載入-載出站i5c。在 及第二晶圓W1及W2被載出後，將該第一及第二 20a及20b分別旋轉地移動返回至該第一及第二晶|] 載出站15a及15b。在此移動後，如第20圖所述， 磨頭20a及20b分別被置放在該等晶圓載入-載出站 Φ 15b上方。

200817131 然後，將該第三晶圓W3從該第一晶圓載入-載技 載入至該第一硏磨頭20a。亦將該第二晶圓W2從該 圓載入-載出站15b載入至該第二硏磨頭20 b。藉由 轉移裝置50從該第三晶圓載入-載出站15c移除該 圓W 1。接著，以相同於該第一晶圓之連續方式在該 備1G中進一步處理該第二及第三晶圓W2及W3。 在此連續方式中，使用該等硏磨頭20a及20b 硏磨設備1 G之硏磨面1 〇a及1 Ob接連地處理多個晶 現在翻至第21圖，顯示依據本發明之另一實施 硏磨設備1H。該硏磨設備1H包括第1至3圖之硏 1A的某些元件。因此，將使用第1至3圖所用之相 符號來表示在第21圖中之相似元件。如第2 1圖所 硏磨設備1H包括三個硏磨面l〇a-l〇c、三個硏磨頭 及四個晶圓載入-載出站15a-15d。因此，該硏磨設4 括該額外晶圓載'入-載出站1 5 d。該等晶圓載入· 出至該 該第二 該第一 硏磨頭 B載入-該等硏 1 5 a及 ί 站 15a 第一晶 該晶圓 第一晶 硏磨設 經由該 3圓。 例的一 磨設備 同元件 示，該 20a-20c i 1H包 載出站 -60- 200817131 1 5a-15d被置放在該旋轉軸線36之周圍，以便以該旋轉軸 線爲中心使該等晶圓載入-載出站彼此均等地隔開。該硏磨 面10a被置放在該第一及第二晶圓載入-載出站15a及15b 之間。同樣地，該硏磨面1 〇b被置放在該第二及第三晶圓 載入-載出站15b及15c之間，以及該硏磨面10c被置放在 該第三及第四晶圓載入-載出站15c及15d之間。

在此實施例中，該等硏磨頭20a-20c(—旋轉總成12H 之部分）被裝至該旋轉軸30，以便該等硏磨頭不是以該旋轉 軸線36爲中心彼此均等地隔開。而且，該等硏磨頭20a-20c 被裝至該旋轉軸30，以便該等硏磨頭20a-20c可分別被置 放在該等硏磨面lOa-lOc上方，或者被置放在該等晶圓載入 -載出站15a-15d中之三個晶圓載入-載出站上方。 在此實施例中，配置該等支撐臂45 a-45c、該等晶圓載 入-載出站15a-15d及該等硏磨面10a-10c，以便（1)可在該 第一晶圓載入-載出站15a、該第一硏磨面l〇a及該第二晶 圓載入-載出站15b間專門移動該第一硏磨頭20a ; (2)可在 該第二晶圓載入-載出站15b、該第二硏磨面l〇b及該第三 晶圓載入-載出站15c間專門移動該第二硏磨頭20b;以及 (3)可在該第三晶圓載入-載出站15c、該第三硏磨面10c及 該第四晶圓載入-載出站15d間專門移動該第三硏磨頭20 c。 參考第21圖，描述依據本發明之一實施例的一在該硏 磨設備1H中處理晶圓之方法。最初，如第21圖所示，該 等硏磨頭20 a-20c分別被置放在該第一、第二及第三晶圓載 入-載出站15a-15c。藉由該晶圓轉移裝置50將一待處理之 -61- 200817131 第一晶圓W 1傳送及載出至該第一晶圓載入-載出 將該第一晶圓W1從該第一晶圓載入-載出站15a: 第一硏磨頭20a及藉由從該第一晶圓載入-載出站 地移動該第一硏磨頭20a至該第一硏磨面l〇a以 晶圓W1從該第一晶圚載入-載出站15a傳送至該 面10a。在此移動後，該等硏磨頭20a-20c分別被 等硏磨面10a-l〇C上方。在從該第一晶圓載入-載 移除該第一晶圓W1後，藉由該晶圓轉移裝置50 Φ 晶圓W2傳送及載出至該第一晶圓載入-載出站1 同於該硏磨設備1A中之方式在該硏磨設備1H中 理該等晶圓W1及W2以及後續晶圓，直到及包括 在該硏磨面10c上之硏磨。 然而，在完成在該硏磨面l〇c上之硏磨製程 旋轉地移動該第三硏磨頭20c以將該已硏磨第一 傳送至該第四晶圓載入-載出站15d。然後，將該 W1從該第三硏磨頭20c載出至該第四晶圓載^ ^ 15d，以及接著，藉由該晶圓轉移裝置50從該第 入-載出站15d移除該第一晶圓。以相同方式連續 續晶圓。 在此連續方式中，使用該等硏磨頭20a_20c經 磨面10a-10c接連地處理晶圓。除在被該晶圓轉' 傳送前將該硏磨設備1H中所硏磨之晶圓從該三® 移至該第四晶圓載入-載出站15d之外’此連續方 在該硏磨設備1 A中處理晶圓之連續方式。 站 15a。 載入至該 1 5 a旋轉 將該第一 第一硏磨 置放在該 出站1 5 a 將一第二 5 a。以相 進一步處 該等晶圓 後，藉由 •晶圓 W1 第一晶圓 載出站 四晶圓載 地處理後 由該等硏 移裝置50 干磨頭20c 式相似於 -62· 200817131 參考第2 2圖之流程圖，描述依據本發明之一實施例的 一用以使用一硏磨設備（例如：該硏磨設備1A、1B、1C、

I ID或1E)硏磨半導體晶圓之方法。在方塊2202中，在該硏 磨設備之一第一晶圓站與該硏磨設備之一旋轉總成的第 一、第二及第三硏磨頭中之一間傳送一半導體晶圓。該第 一晶圓站係一晶圓載入-載出站。在方塊2204中，使用該 旋轉總成之第一、第二及第三硏磨頭中之至少一硏磨頭在 該硏磨設備之第一、第二及第三硏磨面上連續地硏磨該半 ^ 導體晶圓。在方塊2206中，使用該旋轉總成之第一、第二 及第三硏磨頭中之至少一硏磨頭連續地將該半導體晶圓傳 送至該硏磨設備之第二及第三晶圓站。該第一、第二及第 三晶圓站之每一晶圓站被置放在該第一、第二及第三硏磨 面之相鄰硏磨面間。 參考第2 3圖之流程圖，描述依據本發明之另一實施例

的一用以使用一硏磨設備（例如：該硏磨設備1F)硏磨半導 體晶圓之方法。在方塊2302中，在該硏磨設備之一第一晶 圓載入-載出站與該硏磨設備之一旋轉總成的第一及第二 硏磨頭中之一間傳送一半導體晶圓。在方塊2304中，使用 該旋轉總成之第一及第二硏磨頭中之至少一硏磨頭在該硏 磨設備之第一及第二硏磨面上連續地硏磨該半導體晶圓。 在方塊2306中’在該第一硏磨面上硏磨該半導體晶圓後， 使用該旋轉總成之第一及第二硏磨頭中之至少一硏磨頭將 該半導體晶圓傳送至該硏磨設備之一第二晶圓載入-載出 站，包括將該半導體晶圓載出至該第二晶圓載入-載出站。 -63- 200817131 該第一及第二晶圓站之每一晶圓站被置放在該第一與第二 硏磨面之間。 參考第24圖之流程圖，描述依據本發明之另一實施例 的一用以使用一硏磨設備（例如：該硏磨設備1 F)硏磨半導 體晶圓之方法。在方塊2402中，在該硏磨設備之一第一晶 圓站與該硏磨設備之一旋轉總成的第一及第二硏磨頭中之 一間傳送一半導體晶圓。該第一晶圓站係一晶圓載入-載出 站。在方塊2404中，使用該旋轉總成之第一及第二硏磨頭 0 中之至少一硏磨頭在該硏磨設備之第一及第二硏磨面上連 續地硏磨該半導體晶圓。在一旋轉軸線之周圍置放該第一 及第二硏磨面，以便該第一及第二硏磨面之中心與該旋轉 軸線界定一第一直線。在方塊2406中，在該第一硏磨面上 硏磨該半導體晶圓後，使用該旋轉總成之第一及第二硏磨 頭中之至少一硏磨頭將該半導體晶圓傳送至該硏磨設備之 一第二晶圓站。在該旋轉軸線之周圍且在該第一與第二硏 磨面間置放該第一及第二晶圓站，以便該第一及第二晶圓 ® 站之每一晶圓站被置放在該第一與第二硏磨面之間以及該 弟一'及弟一^晶圓站之中心及該旋轉軸線界定一^第二直線。 相對於該第一及第二硏磨面配置該第一及第二晶圓站，以 便該第一直線不垂直於該第二直線。 參考第25圖之流程圖，描述依據本發明之另一實施例 的一用以使用一硏磨設備（例如··該硏磨設備1 Η)硏磨半導 體晶圓之方法。在方塊2502中，使用一晶圓轉移裝置將一 半導體晶圓傳送至該硏磨設備之一第一晶圓站。該第一晶 •64- 200817131 圓站係一晶圓載入-載出站。在方塊2504中，分別使用該 硏磨設備之一旋轉總成的第一、第二及第三硏磨頭將該半 導體晶圓連續地傳送至該硏磨設備之第一、第二及第三硏 磨面。在方塊2506中，分別使用該旋轉總成之第一、第二 及第三硏磨頭在該硏磨設備之第一、第二及第三硏磨面上 連續地硏磨該半導體晶圓。在方塊2508中，分別使用該旋

轉總成之第一、第二及第三硏磨頭將該半導體晶圓連續地 傳送至該硏磨設備之第二、第三及第四晶圓站。該第一晶 圓站被置放在該第四晶圓站與該第一硏磨面之間。該第二 晶圓站被置放在該第一與第二硏磨面之間。該第三晶圓站 被置放在該第二與第三硏磨面之間。該第四晶圓站被置放 在該第三硏磨面與該第一晶圓站之間。在方塊25 1 0中，使 用該晶圓轉移裝置從該硏磨設備之第四晶圓站移除該半導 體晶圓。該第四晶圓站係另一晶圓載入-載出站。 參考第26圖之流程圖，描述依據本發明之另一實施例 的一用以使用一硏磨設備（例如：該硏磨設備1G)硏磨半導 體晶圓之方法。在方塊2602中，使用一晶圓轉移裝置將一 半導體晶圓傳送至該硏磨設備之一第一晶圓站。該第一晶 圓站係一晶圓載入-載出站。在方塊2604中，分別使用該 硏磨設備之一旋轉總成的第一及第二硏磨頭將該半導體晶 圓連續地傳送至該硏磨設備之第一及第二硏磨面。在方塊 2606中，分別使用該旋轉總成之第一及第二硏磨頭在該硏 磨設備之第一及第二硏磨面上連續地硏磨該半導體晶圓。 在方塊2608中，分別使用該旋轉總成之第一及第二硏磨頭 -65- 200817131 將該半導體晶圓連續地傳送至該硏磨設備之第二及第三晶 圓站。該第一晶圓站被置放在該第三晶圓站與該第一硏磨 面之間。該第二晶圓站被置放在第一與第二硏磨面之間。 該第三晶圓站被置放在該第二硏磨面與該第一晶圓站之 間。在方塊2610中，使用該晶圓轉移裝置從該硏磨設備之 第三晶圓站移除該半導體晶圓。該第三晶圓站係另一晶圓 載入-載出站。 雖然先前敘述說明本發明之示範性實施例及操作方 Φ 法，但是本發明並非侷限於這些特定實施例或所述操作方 法。已揭露本發明之實施所不必要之許多細節，然而已包 括這些細節以充分地揭露最佳操作模式及做出及使用本發 明之方式及製程。在不脫離下面請求項中所表示之精神及 範圍內可以對本發明之特定形式及設計實施修改。 【圖式簡單說明】 第1圖爲依據本發明之一實施例，將硏磨頭置放在晶 圓載入-載出站上方時一硏磨設備之上視圖。

第2圖爲依據本發明之一實施例，將該等硏磨頭置放 在硏磨面上方時第1圖之硏磨設備的上視圖。 第3圖爲依據本發明之一實施例，將該等硏磨頭置放 在不同晶圓載入-載出站上方時第1圖之硏磨設備的另一上 視圖。 第4圖係依據本發明之一實施例的一可用於第1圖之 硏磨設備中的晶圓載入-載出站之上視圖。 第5圖係第4圖之載入-載出站的剖面圖。 -66- 200817131 第6(a)及6(b)圖係第4圖之載入-載出站的連續剖面 圖，以顯示依據本發明之一實施例將一晶圓W載入至一硏 磨頭之順序。 第7圖係依據本發明之一實施例，一硏磨系統之上視 圖，該硏磨系統包括第1圖之硏磨設備。 第8圖爲依據本發明之另一實施例，將硏磨頭置放在 晶圓載入-載出站上方時一具有可旋轉清洗臂之硏磨設備 的上視圖。

第9圖爲8圖之硏磨設備的部分側視圖。 第10圖爲將該等硏磨頭置放在硏磨面上方時，第8圖 之硏磨設備的另一上視圖。 第11圖爲依據本發明之另一實施例將硏磨頭置放在 晶圓載入-載出站上方時’一硏磨設備之上視圖。 第12圖爲依據本發明之另一實施例，將該裝置之一晶 圓載入-載出杯狀物置放在一停放位置圣上時一具有一樞轉 晶圓轉移裝置之硏磨設備的上視圖。 第1 3圖爲將該樞轉晶圓轉移裝置之晶圓載入-載出杯 狀物置放在一晶圓傳輸位置^時’第12圖之硏磨設備的另 一上視圖。 第1 4圖係第1 2圖之硏磨設備的部分側視圖。 第15圖爲依據本發明之另一實施例，一具有用以樞轉 硏磨頭之樞轉機構的硏磨設備之上視圖。 第16圖係第15圖之硏磨設備的另一上視圖。 第1 7圖係第1 5圖之硏磨設備的部分側視圖。 -67-

200817131 第18圖爲依據本發明之另一實施例，一具 面、兩個硏磨頭及兩個晶圓載入-載出站之硏磨 圖。 第1 9圖爲依據本發明之另一實施例的第1 配置來置放該等晶圓載入-載出站的硏磨設備之 第20圖爲依據本發明之另一實施例，一具 面、兩個硏磨頭及三個晶圓載入-載出站之硏磨 圖。 第21圖爲依據本發明之另一實施例，一具 面、三個硏磨頭及四個晶圓載入-載出站之硏磨 圖。 第22圖爲依據本發明之一實施例的一用 體晶圓的方法之流程圖。 第23圖爲依據本發明之另一實施例，一用 體晶圓的方法之流程圖。 第24圖爲依據本發明之另一實施例，一用 體晶圓的方法之流程圖。 第25圖爲依據本發明之另一實施例，一用 體晶圓的方法之流程圖。 第26圖爲依據本發明之另一實施例，一用 體晶圓的方法之流程圖。 【主要元件符號說明】 有兩個硏磨 設備的上視 8圖以不同 上視圖。 有兩個硏磨 設備的上視 有三個硏磨 設備的上視 以硏磨半導 以硏磨半導 以硏磨半導 以硏磨半導 以硏磨半導 1 A 硏磨設備 1B 硏磨設備 -68- 200817131

1C 硏磨設備 ID 硏磨設備 IE 硏磨設備 IF 硏磨設備 iG 硏磨設備 1H 硏磨設備 1 A-l 硏磨設備 1 A-2 硏磨設備 10a 硏磨面 10b 硏磨面 10c 硏磨面 11a 直線 11b 直線 12 旋轉總成 12B 旋轉總成 12E 旋轉總成 12F 旋轉總成 12G 旋轉總成 12H 旋轉總成 15a 晶圓載入-載出站 15b 晶圓載入-載出站 15b' 第一晶圓清洗站 15c 晶圓載入-載出站 15c' 第二晶圓清洗站 -69- 200817131 15d 晶圓載入-載出站 15， 晶圓載入-載出站 20' 硏磨頭 20a 硏磨頭 2 0 b 硏磨頭 20c 硏磨頭 25a 旋轉及垂直驅動機構 25b 旋轉及垂直驅動機構 25c 旋轉及垂直驅動機構 27a 硏磨頭樞轉機構 27b 硏磨頭樞轉機構 2.7 c 硏磨頭樞轉機構 3 0 旋轉軸 3 5 中心旋轉及垂直驅動機構 36 旋轉軸線 4 5a 支撐臂 45b 支撐臂 4 5c 支撐臂 47a 樞轉臂 47b 樞轉臂 47c 樞轉臂 48a 樞轉軸線 48b 樞轉軸線 48c 樞轉軸線 -70- 200817131

5 0 晶圓轉移裝置 51a 第一清洗臂 51b 第二清洗臂 51c 第三清洗臂 5 2 噴嘴 55 直線軌道 100 硏磨系統 105 晶圓盒單元 110 晶圓轉移裝置 111 使用者 112 使用者 113 使用者 1 14 使用者 115 直線軌道 120 緩衝站 121 樞轉晶圓轉移裝置 122 晶圓載入-載出杯狀物 124 臂 125 牆 126 旋轉軸 128 樞轉及垂直驅動機構 150 後CMP清洗機 152 輸入站 153 清洗站 -71- 200817131

154 乾 燥 站 190 杯 座 195 杯 200 升 降 機 202 升 降 活 塞 204 升 降 機 氣 壓 缸 210 晶 圓 盤 240 第 — 多 個 噴 嘴 250 第 二 多 個 噴 嘴 260 排 洩 通 道 270 第 一 流 體 通 道 272 第 二 流 體 通 道 280 定 位 環 285 真 空 通 道 A 曲 線 方 向 B 曲 線 方 向 C 曲 線 方 向 W 晶 圓 W1 第 一 晶 圓 W2 第 二 晶 圓 W3 第 二 晶 圓 W4 第 四 晶 圓 X 停 放 位 置 Y 晶 圓 傳 輸 位 置 a 角 度 -72-

Claims (1)

1. 200817131 十、申請專利範圍： 1.一種用以硏磨半導體晶圓之設備，該設備包括： 第一、第二及第三硏磨面，環繞一旋轉軸線而置放 著；

   第一、第二及第三晶圓站，環繞該旋轉軸線被置放 在該第一、第二及第三硏磨面間，以便該第一、第二及 第三晶圓站之每一晶圓站被定位在該第一、第二及第三 硏磨面之相鄰硏磨面間，該第一晶圓站係一晶圓載入-載出站，該晶圓載入-載出站係配置成用以接收一半導體 晶圓，以便在從該第一晶圓站傳送該半導體晶圓前，將 該半導體晶圓載出至該第一晶圓站；以及 一旋轉總成，包括第一、第二及第三硏磨頭，該旋 轉總成係配置成繞該旋轉軸線在至少某些該第一、第二 及第三硏磨面與該第一、第二及第三晶圓站間旋轉地移 動該第一、第二及第三硏磨頭之每一硏磨頭， 其中在該設備中所包括之硏磨頭的數目、硏磨面的 數目及晶圓站的數目係相同的。 2. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該第一、第二及第 三晶圓站環繞該旋轉軸線而定位，以便該第一、第二及 第三晶圓站環繞該旋轉軸線彼此等間隔地隔開。 3. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該第一、第二及第 三硏磨面環繞該旋轉軸線而定位，以便該第一、第二及 第三硏磨面環繞該旋轉軸線彼此等間隔地隔開。 4. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該第二及第三晶圓 -73- 200817131 站係晶圓載入-載出站，係配置成用以將該半導體晶圓載 入及載出該第一、第二及第三硏磨頭中之至少一硏磨 頭。

   5.如申請專利範圍第4項之設備，其中該旋轉總成係配置 成繞該旋轉軸線反復地旋轉該第一、第二及第三硏磨 頭，以便在該第一晶圓站、該第一硏磨面及該第二晶圓 站間專門旋轉該第一硏磨頭，在該第二晶圓站、該第二 硏磨面及該第三晶圓站間專門旋轉該第二硏磨頭，以及 在該第三晶圓站、該第三硏磨面及該第一晶圓站間專門 旋轉該第三硏磨頭。 6·如申請專利範圍第1項之設備，其中該第二及第三晶圓 站之每一晶圓站係一晶圓清洗站，係配置成噴灑流體至 該第一、第二及第三硏磨頭之一特定硏磨頭，以清洗該 特定硏磨頭及一個由該特定硏磨頭所握持之半導體晶 圓。 7. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該第一、第二及第 三硏磨頭連接至一旋轉軸，以便當旋轉該旋轉軸時，一 致地旋轉地移動該第一、第二及第三硏磨頭。 8. 如申請專利範圍第7項之設備，其中該第一、第二及第 三硏磨頭之每一硏磨頭係連接至被連接至該旋轉軸之 個別的樞轉機構，以便該第一、第二及第三硏磨頭之每 一硏磨頭可以繞個別的樞轉軸線樞轉，該個別樞轉軸線 係藉由繞該旋轉軸線的該旋轉軸所旋轉。 9. 如申請專利範圍第7項之設備，其中該旋轉總成進一步 -74- 200817131 包括第一、第 臂於該第一、第二及第三硏磨面上方被旋轉時，嘖灑流 體至該第一、第二及第三硏磨面。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之設備，其中該第一、第二及第 三清洗臂被裝至該旋轉軸，以便當旋轉該旋轉軸時，該 第一、第二及第三清洗臂與該第 一致地被旋轉。 第 第三硏磨頭 11. 如申請專利範圍第1項之設備，其中進一步包括一具有 一晶圓載入-載出杯狀物之樞轉晶圓轉移裝置，該樞轉晶 圓轉移裝置被置放靠近該第一晶圓站，以便該晶圓載入 -載出杯狀物可被樞轉置放在該第一晶圓站上方，以在該 第一、第二及第三硏磨頭之至少一硏磨頭與該晶圓載入 -載出杯狀物間傳送該等半導體晶圓。 ， 12. —種用以硏磨半導體晶圓之設備’該設備包括： 第一、第二及第三硏磨面，環繞一旋轉軸線而被置 放 第 繞 環 站 出 載 I 入 載 圓 晶 四 第 及 三 第二 第 以磨 ’ 硏 間二 面第 磨與 硏一 三第 第該 及在 二放 第置 、被 一站 第 該 在 放入 置載 被圓 線晶 軸二 轉第 旋該 該便 出 載 被 站 出 載 - 入 載 圓 晶 三 第 該間 間面 面磨 圓 晶 四 第 及1 第 該 及 以 硏該 三在 第放 與置 二被 第站 該出 在屬 放入 載 旋二 該第 頭 一 磨第 硏該 三些 第某 及少 二至 第在 、 線 及一軸 以第轉 ;括旋 間包該 面，繞 磨成成 硏總置 三轉配 第旋係 與一成 一 總 第 轉 •75- 200817131 及第三硏磨面與該第一、第二、第三及第四晶圓載入― 載出站間旋轉地移動該第一、第二及第三硏磨頭之每一 硏磨頭。

   1 3 .如申請專利範圍第1 2項之設備，其中該旋轉總成係配 置成繞該旋轉軸線爲中心反復地旋轉該第一、第二及第 三硏磨頭，以便在該第一晶圓載入-載出站、該第一硏磨 面及該第二晶圓載入-載出站間專門旋轉該第一硏磨 頭，在該第二晶圓載入-載出站、該第二硏磨面及該第三 晶圓載入-載出站間專門旋轉該第二硏磨頭，以及在該第 三晶圓載入-載出站、該第三硏磨面及該第四晶圓載入-載出站間專門旋轉該第三硏磨頭。 1 4 · 一種用以硏磨半導體晶圓之設備，該設備包括： 弟一及弟一硏磨面’環繞一旋轉軸線而被置放； 第一及第二晶圓載入-載出站，環繞該旋轉軸線而被 置放在該第一與第二硏磨面間，以便該第一及第二晶圓 站之每一晶圓站被置放在該第一與第二硏磨面間，該第 一及第二晶圓載入-載出站之每一晶圓載入-載出站係配 置成用以接收一半導體晶圓，以便在從該第一及第二晶 圓載入-載出站傳送該半導體晶圓前，將該半導體晶圓載 出至該第一及第二晶圓載入-載出站；以及 一旋轉總成，包括第一及第二硏磨頭，該旋轉總成 係配置成繞該旋轉軸線在至少某些該第一及第二硏磨 面與該第一及第二晶圓載入-載出站間旋轉地移動該第 一及第二硏磨頭之每一硏磨頭， -76- 200817131 其中在該設備中所包括之硏磨頭的數目、硏磨面的 數目及晶圓載入-載出站的數目係相同的。 15.如申請專利範圍第14項之設備，其中該第一及第二硏 磨面環繞該旋轉軸線而被置放，以便該第一及第二硏磨 面之中心與該旋轉軸線界定一第一直線。 16·如申請專利範圍第15項之設備，其中該第一及第二晶 圓載入-載出站環繞該旋轉軸線而被置放，以便該第一及 第二晶圓載入-載出站之中心與該旋轉軸線界定一第二

   1 7 .如申請專利範圍第1 6項之設備，其中該第一及第二硏 磨面及該第一及第二晶圓載入-載出站被配置成該第一 直線不垂直於該第二直線。

   1 8.如申請專利範圍第14項之設備、其中該旋轉總成係配 置成繞該旋轉軸線反復地旋轉該第一及第二硏磨頭，以 便在該第一晶圓載入-載出站、該第一硏磨面及該第二晶 圓載入-載出站間專門旋轉該第一硏磨頭，以及在該第二 晶圓載入-載出站、該第二硏磨面及該第一晶圓載入-載 出站間專門旋轉該第二硏磨頭。 1 9 ·如申請專利範圍第1 4項之設備，其中該第一及第二硏 磨頭連接至一旋轉軸，以便當旋轉該旋轉軸時，一致地 旋轉地移動該第一及第二硏磨頭。 20.如申請專利範圍第19項之設備，其中該第一及第二硏 磨頭之每一硏磨頭係連接至一被連接至該旋轉軸之個 別樞轉機構，以便該第一及第二硏磨頭之每一硏磨頭可 -77- 200817131 以繞個別樞轉軸線樞轉，該個別樞轉軸線藉由繞該旋轉 軸線的該旋轉軸來旋轉。 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項之設備，其中該旋轉總成進一 步包括第一及第二清洗臂，具有噴嘴，在該等清洗臂於 該第一及第二硏磨面上方被旋轉時，噴灑流體至該第一 及第二硏磨面。

   22.如申請專利範圍第21項之設備，其中該第一及第二清 洗臂被裝至該旋轉軸，以便當旋轉該旋轉軸時，該第一 及第二清洗臂與該第一及第二硏磨頭一致地被旋轉。 2 3.如申請專利範圍第14項之設備，其中進一步包括一具 有一晶圓載入-載出杯狀物之樞轉晶圓轉移裝置，該樞轉 晶圓轉移裝置被置放靠近該第一晶圓載入-載出站，以便 該晶圓載入-載出杯狀物可被樞轉置放在該第一晶圓載 入-載出站上方，以在該第一及第二硏磨頭之至少一硏磨 頭與該晶圓載入-載出杯狀物間傳送該等半導體晶圓。 24. —種用以硏磨半導體晶圓之設備，該設備包括： 第一及第二硏磨面，環繞一旋轉軸線而被置放著， 以便該第一及第二硏磨面之中心與該旋轉軸線界定一 第一直線； 第一及第二晶圓站，環繞該旋轉軸線而被置放著在 該第一及第二硏磨面間，以便該第一及第二晶圓站之每 一晶圓站被置放在該第一及第二硏磨面間以及該第一 及第二晶圓站之中心與該旋轉軸線界定一第二直線’相 對於該第一及第二硏磨面配置該第一及第二晶圓站’以 -78- 200817131 便該第一直線不垂直於該第二直線；以及 一旋轉總成，包括第一及第二硏磨頭，該旋轉總成 係配置成繞該旋轉軸線在至少某些該第一及第二硏磨 面與該第一及第二晶圓站間旋轉地移動該第一及第二 硏磨頭之每一硏磨頭， 其中在該設備中所包括之硏磨頭的數目、硏磨面的 數目及晶圓站的數目係相同的。 25 ·如申請專利範圍第24項之設備，其中該第二晶圓站係

   一晶圓載入-載出站，係配置成將該等半導體晶圓載入及 載出該第一及第二硏磨頭之至少一硏磨頭。 26 ·如申請專利範圍第24項之設備，其中該旋轉總成係配 置成繞該旋轉軸線反復地旋轉該第一及第二硏磨頭，以 便在該第一晶圓站、該第一硏磨面及該第二晶圓站間專 門旋轉該第一硏磨頭，以及在該第二晶圓站、該第二硏 磨面及該第一晶圓站間專門旋轉該第二硏磨頭。 27·如申請專利範圍第24項之設備，其中該第二晶圓站係 一晶圓清洗站，配置成噴灑流體至該第一及第二硏磨頭 之一特定硏磨頭，以清洗該特定硏磨頭及一個由該特定 硏磨頭所握持之半導體晶圓。 28. 如申請專利範圍第24項之設備，其中該第一及第二硏 磨頭連接至一旋轉軸，以便當旋轉該旋轉軸時，一致地 旋轉地移動該第一及第二硏磨頭。 29. 如申請專利範圍第28項之設備，其中該第一及第二硏 磨頭之每一者各連接至一被連接至該旋轉軸之個別樞 -79- 200817131 轉機構，以便可繞個別樞轉軸線樞轉該第一及第二硏磨 頭之每一硏磨頭’該個別樞轉軸線係藉由該旋轉軸繞該 旋轉軸線來旋轉。 30·如申請專利範圍第28項之設備，其中該旋轉總成進一 步包括第一及第二清洗臂，該第一及第二清洗臂具有噴 嘴，以在該等清洗臂被旋轉於該第一及第二硏磨面上方 時，噴灑流體至該第一及第二硏磨面。

   31·如申請專利範圍第30項之設備，其中該第一及第二清 洗臂被裝至該旋轉軸，以便當旋轉該旋轉軸時，該第一 及第二清洗臂與該第一及第二硏磨頭一致地被旋轉。 32.如申請專利範圍第24項之設備，其中進一步包括一具 有一晶圓載入-載出杯狀物之樞轉晶圓轉移裝置，該樞轉 晶圓轉移裝置被置放靠近該第一晶圓站，以便該晶圓載 入-載出杯狀物可被樞轉定位在該第一晶圓站上方，以在 該第一及第二硏磨頭之至少一硏磨頭與該晶圓載入-載 出杯狀物間傳送該等半導體晶圓。 3 3.—種用以硏磨半導體晶圓之設備，該設備包括： 第一及第二硏磨面，環繞一旋轉軸線而被置放著； 第一、第二及第三晶圓載入-載出站，環繞該旋轉 軸線在該第一及該第二硏磨面間被置放著，以便該第一 及第三載入-載出站被置放在該第一及第二硏磨面間以 及該第二載入-載出站被置放在該第一及第二硏磨面 間；以及 一旋轉總成，包括第一及第二硏磨頭’該旋轉總成 -8 0 - 200817131 係配置成繞該旋轉軸線在至少某些該第一及第二硏磨 面與該第一、第二及第三晶圓載入-載出站間旋轉地移動 該第一及第二硏磨頭之每一硏磨頭。

   34.如申請專利範圍第33項之設備，其中該旋轉總成係配 置成繞該旋轉軸線反復地旋轉該第一及第二硏磨頭，以 便在該第一晶圓載入-載出站、該第一硏磨面及該第二晶 圓載入-載出站間專門旋轉該第一硏磨頭，以及在該第二 晶圓載入·載出站、該第二硏磨面及該第三晶圓載入-載 出站間專門旋轉該第二硏磨頭。 35·—種用以硏磨半導體，裝置之系統，該系統包括： 第一及第二硏磨設備，該第一及第二硏磨設備之每 一者包括： 第一、第二及第三硏磨面，環繞一旋轉軸線而被置 放著； 第一、第二及第三晶圓站，環繞該旋轉軸線在該第 一、第二及第三硏磨面間置放著，以便該第一、第二及 第三晶圓站之每一晶圓站被置放在該第一、第二及第三 硏磨面之相鄰硏磨面間，該第一晶圓站係一晶圓載入_ 載出站，係配置成用以接收一半導體晶圓，以便在從該 第一晶圓站傳送該半導體晶圓前，將該半導體晶圓載出 至該第一晶圓站；以及 一旋轉總成，包括第一、第二及第三硏磨頭，該旋 轉總成係配置成環繞該旋轉軸線在至少某些該第一、第 二及第三硏磨面與該第一、第二及第三晶圓站間旋轉地 -81- 200817131 移動該第一、第二及第三硏磨頭之每一硏磨頭； 一晶圓轉移裝置，被置放鄰近該第一及第二硏磨設 備，以進入該第一及第二硏磨設備之每一硏磨設備的第 一晶圓站；以及

   一後CMP清洗機，被置放鄰近該晶圓轉移裝置，以 便該晶圓轉移裝置被置放在該後CMP清洗機與該第一 及第二硏磨設備間，該後CMP清洗機係配置成用以清洗 在該第一及第二硏磨設備之一中已硏磨且藉由該晶圓 轉移裝置傳送至該後CMP清洗機之半導體晶圓。 3 6 . —種用以硏磨半導體裝置之系統，該系統包括： 第一及第二硏磨設備，該第一及第二硏磨設備之每 一者包括： 第一、第二及第三硏磨面，環繞一旋轉軸線而被置 放著； 第一、第二及第三晶圓站，環繞該旋轉軸線且在該 第一、第二及第三硏磨面間被置放著，以便該第一、第 二及第三晶圓站之每一者被置放在該第一、第二及第三 硏磨面之相鄰硏磨面間，該第一晶圓站係一晶圓載入-載出站，該晶圓載入-載出站係配置成用以接收一半導體 晶圓，以便在從該第一晶圓站傳送該半導體晶圓前，將 該半導體晶圓載出至該第一晶圓站；以及 一旋轉總成，包括第一、第二及第三硏磨頭，該旋 轉總成係配置成環繞該旋轉軸線在至少某些該第一、第 二及第三硏磨面與該第一、第二及第三晶圓站間旋轉地 -82- 200817131 移動該第一、第二及第三硏磨頭之每一硏磨頭；以及 一晶圓轉移裝置，被置放鄰近該第一及第二硏磨設 備，以進入該第一及第二硏磨設備之每一硏磨設備的第 一晶圓站， 其中定向該第一及第二硏磨設備，以便該第一及第 二硏磨設備之每一硏磨設備的第一晶圓站及該第一及 第三硏磨面比該第二及第三晶圓站及該第二硏磨面靠 近該晶圓轉移裝置。

   37.如申請專利範圍第36項之系統，其中該第一及第二硏 磨設備之第一及第三硏磨面係以直線方式來配置。 3 8.—種用以硏磨半導體晶圓之方法，該方法包括： 在一硏磨設備之第一晶圓站與該硏磨設備之旋轉 總成的第一、第二及第三硏磨頭中之一個間傳送一半導 體晶圓，該第一晶圓站係一晶圓載入-載出站； 使用該旋轉總成之第一、第二及第三硏磨頭的至少 一個硏磨頭在該硏磨設備之第一、第二及第三硏磨面上 連續地硏磨該半導體晶圓；以及 使用該旋轉總成之第一、第二及第三硏磨頭的至少 一個硏磨頭將該半導體晶圓連續地傳送至該硏磨設備 之第二及第三晶圓站，該第一、第二及第三晶圓站之每 一晶圓站被置放在該第一、第二及第三硏磨面之相鄰硏 磨面間。 39.如申請專利範圍第38項之方法，其中進一步包括： 當該第一、第二及第三硏磨頭之特定硏磨頭被置放 -83- 200817131 在該第二晶圓站上方時，將該半導體晶圓從該特定硏磨 頭載出至該第二晶圓站；以及 當該不同硏磨頭被置放在該第二晶圚站上方時，將 該半導體晶圓從該第二晶圓站載入至第一、第二及第三 硏磨頭之該不同硏磨頭。 40·如申請專利範圍第38項之方法，其中又包括當該半導 體晶圓被置放在該第二晶圓站時，從該第二晶圓站噴灑 流體至該半導體晶圓。 Φ 4 1 ·如申請專利範圍第3 8項之方法，其中該連續傳送包括 藉由旋轉連接有該第一、第二及第三硏磨頭之旋轉軸， 使該第一、第二及第三硏磨頭繞旋轉軸線爲一致地旋轉 移動。 42 ·如申請專利範圍第4 1項之方法，其中進一步包括使該 第一、第二及第三硏磨頭繞樞轉軸線獨立地樞轉，該等 樞轉軸線之每一樞轉軸線位於該第一、第二及第三硏磨 頭中之一與該旋轉軸線間。 43.如申請專利軺圍弟38項之方法’其中進一*步包括當該 旋轉總成之第一、第二及第三清洗臂被旋轉於該第一、 第二及第三硏磨面上方時，從該等清洗臂噴灑流體至該 第一、第二及第三硏磨面。 4 4.如申請專利範圍第38項之方法，其中進一步包括： 在該硏磨設備之樞轉晶圓轉移裝置的一晶圓載入-載出杯狀物上接收該半導體晶圓； 於該第一晶圓站上方樞轉該晶圓載入-載出杯狀 -84- 200817131 物；以及 從該晶圓載入-載出杯狀物將該半導體晶圓載入至 該第一、第二及第三硏磨頭中之一。 45.如申請專利範圍第38項之方法，其中進一步包括： 從該第一、第二及第三硏磨頭中之一個將該半導體 晶圓載出至該硏磨設備之樞轉晶圓轉移裝置的晶圓載 入-載出杯狀物，該晶圓載入-載出杯狀物被置放在該第 一晶圓站上方；以及 Φ 爲了移除，將該晶圓載入-載出杯狀物樞轉離開該 第一晶圓站。 4 6 .如申請專利範圍第3 8項之方法，其中進一步包括在該 第三硏磨面上硏磨該半導體晶圓後，使用該旋轉總成之 第三硏磨頭將該半導體晶圓傳送至該硏磨設備之一第

   四晶圓站，包括爲了移除將該半導體晶圓從該第三硏磨 頭載出至該硏磨設備之第四晶圓站，該第四晶圓站被置 放在該第一晶圓站與該第三硏磨面之間。 47·—種硏磨半導體晶圓之方法，該方法包括： 在一硏磨設備之第一晶圓載入-載出站與該硏磨設 備之一旋轉總成的第一及第二硏磨頭中之一個間傳送 一半導體晶圓； 使用該旋轉總成之第一及第二硏磨頭的至少一個 硏磨頭，在該硏磨設備之第一及第二硏磨面上連續地硏 磨該半導體晶圓；以及 在該第一硏磨面上硏磨該半導體晶圓後，使用該旋 -85- 200817131 轉總成之第一及第二硏磨頭的至少一個硏磨頭將該半 導體晶圓傳送至該硏磨設備之第二晶圓載入-載出站，包 括將該半導體晶圓載出至該第一晶圓載入-載出站，該第 一及第二晶圓載入-載出站之每一晶圓載入-載出站被置 放在該第一及第二硏磨面間。

   48·如申請專利範圍第47項之方法，其中傳送該半導體晶 圓至該第二晶圓載入-載出站包括藉由旋轉一連接有該 第一及第二硏磨頭之旋轉軸，使該第一及第二硏磨頭旋 轉軸線一致地旋轉移動。 4 9 ·如申請專利範圍第4 8項之方法，其中進一步包括使該 第一及第二硏磨頭繞樞轉軸線獨立地樞轉，該等樞轉軸 線之每一樞轉軸線位於該第一及第二硏磨頭中之一個 與該旋轉軸線間。 5 0 ·如申請專利範圍第4 7項之方法，其中進一步包括當該 旋轉總成之第一及第二清洗臂被旋轉於該第一及第二 硏磨面上方時，從該等清洗臂噴灑流體至該第一及第二 5 1·如申請專利範圍第47項之方法，其中進一步包括： 在該硏磨設備之樞轉晶圓轉移裝置的晶圓載入-載 出杯狀物上接收該半導體晶圓； 於該第一晶圓載入-載出站上方樞轉該晶圓載入-載 出杯狀物；以及 從該晶圓載入-載出杯狀物將該半導體晶圓載入至 該第一及第二硏磨頭中之一個。 -86- 200817131 52.如申請專利範圍第47項之方法’其中進一步包括： 從該第一及第二硏磨頭中之一個將該半導體晶圓 載出至該硏磨設備之樞轉晶圓轉移裝置的晶圓載入-載 出杯狀物，該晶圓載入-載出杯狀物被置放在該第一晶圓 載入-載出站上方；以及 爲了移除，將該晶圓載入-載出杯狀物樞轉離開該第 一晶圓載入-載出站。

   5 3 .如申請專利範圍第47項之方法，其中進一步包括在該 第二硏磨面上硏磨該半導體晶圚後，使用該旋轉總成之 該第二硏磨頭將該半導體晶圓傳送至該硏磨設備之第 三晶圓載入-載出站，包括爲了移除將該半導體晶圓從該 第二硏磨頭載出至該第三晶圓載入-載出站，該第三晶圓 載入-載出站被置放在該第一晶圓載入-載出站與該第二 硏磨面之間。 54.—種用以硏磨半導體晶圓之方法，該方法包括·· 在硏磨設備之第一晶圓站與該硏磨設備之旋轉總 成的第一及第二硏磨頭中之一個間傳送半導體晶圓，該 第一晶圓站係晶圓載入-載出站； 使用該旋轉總成之第一及第二硏磨頭的至少一個 硏磨頭在該硏磨設備之第一及第二硏磨面上連續地硏 磨該半導體晶圓’該第一及第二硏磨面環繞旋轉軸線而 事 被置放著，以便該第一及第二硏磨面之中心與該旋轉軸 線界定一第一直線；以及 在該第一硏磨面上硏磨該半導體晶圓後，使用該旋 -87- 200817131 轉總成之第一及第二硏磨頭的至少一個硏磨頭將該半 ,導體晶圓傳送至該硏磨設備之第二晶圓站，該第一及第 二晶圓站環繞該旋轉軸線且在該第一及第二硏磨面間 被置放著，以便該第一及第二晶圓站之每一者被置放在 該第一及第二硏磨面間以及該第一及第二晶圓站之中 心與該旋轉軸線界定一第二直線，相對於該第一及第二 硏磨面配置該第一及第二晶圓站，以便該第一直線不垂 直於該第二直線。

   5 5.如申請專利範圍第54項之方法，其中進一步包括： 將該半導體晶圓從該第一硏磨頭載出至該第二晶 圓站；以及 將該半導體晶圓從該第二晶圓站載入至該第二硏 磨頭。 5 6 .如申請專利範圍第5 4項之方法，其中進一步包括當該 半導體晶圓被置放在該第二晶圓站時，從該第二晶圓站 噴灑流體至該半導體晶圓。 57. 如申請專利範圍第54項之方法，其中傳送該半導體晶 圓至該第二晶圓站包括藉由旋轉連接有該第一及第二 硏磨頭之旋轉軸使該第一及第二硏磨頭繞該旋轉軸線 一致地旋轉移動。 58. 如申請專利範圍第57項之方法，其中進一步包括使該 第一及第二硏磨頭繞樞轉軸線獨立地樞轉，該等樞轉軸 線之每一者位於該第一及第二硏磨頭中之一個與該旋 轉軸線間。 -88- 200817131 59·如申請專利範圍第54項之方法，其中進一步包括當該 旋轉總成之第一及第二清洗臂於該第一及第二硏磨面 上方被旋轉時，從該等清洗臂噴灑流體至該第一及第二 硏磨面。 6 0.如申請專利範圍第54項之方法，其中進一步包括： 在該硏磨設備之樞轉晶圓轉移裝置的晶圓載入-載 出杯狀物上，接收該半導體晶圓； 於該第一晶圓站上方樞轉該晶圓載入-載出杯狀

   從該晶圓載入-載出杯狀物，將該半導體晶圓載入 至該第一及第二硏磨頭中之一個。 61.如申請專利範圍第54項之方法，其中進一步包括： 從該第一及第二硏磨頭中之一個將該半導體晶圓 載出至該硏磨設備之樞轉晶圓轉移裝置的晶圓載入-載 出杯狀物，該晶圓載入-載出杯狀物被置放在該第一晶圓 站上方，以及

   爲了移除，將該晶圓載入-載出杯狀物樞轉離開該 第一晶圓站。 62.—種用以硏磨半導體晶圓之方法，該方法包括·· 使用晶圓轉移裝置將半導體晶圓傳送至硏磨設備 之第一晶圓站，該第一晶圓站係晶圓載入-載出站； 分別使用該硏磨設備之旋轉總成的第一、第二及第 三硏磨頭，將半導體晶圓連續地傳送至該硏磨設備之第 一、第二及第三硏磨面； -89- 200817131 分別使用該旋轉總成之第一、第二及第三硏磨頭， 在該硏磨設備之第一、第二及第三硏磨面上連續地硏磨 該半導體晶圓；

   分別使用該旋轉總成之第一、第二及第三硏磨頭將 該半導體晶圓連續地傳送至該硏磨設備之第二、第三及 第四晶圓站，該第一晶圓站被置放在該第四晶圓站與該 第一硏磨面間，該第二晶圓站被置放在該第一與第二硏 磨面間，骛第三晶圓站被置放在該第二與第三硏磨面 間，以及該第四晶圓站被置放在該第三硏磨面與該第一 晶圓站間；以及 使用該晶圓轉移裝置從該硏磨設備之第四晶圓站 移除該半導體晶圓，該第四晶圓站係另一個晶圓載A _ 載出站。 6 3 ·如申請專利範圍第6 2項之方法，其中連續地傳送該半 導體晶圓至該硏磨設備之第一、第二及第三硏磨面包括 藉由旋轉連接有該第一及第二硏磨頭之旋轉軸，使該第 一.、第二及第三硏磨頭繞旋轉軸線一致地旋轉移動。 64·—種用以硏磨半導體晶圓之方法，該方法包括： 使用一晶圓轉移裝置將一半導體晶圓傳送至 磨設備之第一晶圓站，該第一晶圓站係一晶圓載入_載出 站； 分別使用該硏磨設備之旋轉總成的第一及胃+ _ 磨頭將半導體晶圓連續地傳送至該硏磨設備之第 第二硏磨面； -90-

   200817131 分別使用該旋轉總成之第一及第二 磨設備之第一及第二硏磨面上連續地硏 圓； 分別使用該旋轉總成之第一及第二 導體晶圓連續地傳送至該硏磨設備之第 站，該第一晶圓站被置放在該第三晶圓站 面間，該第二晶圓站被置放在該第一與第 該第三晶圓站被置放在該第二硏磨面與 間；以及 使用該晶圓轉移裝置從該硏磨設備 移除該半導體晶圓，該第三晶圓站係另一 站。 65.如申請專利範圍第64項之方法，其中連 導體晶圓至該硏磨設備之第一及第二硏 旋轉一連接有該第一及第二硏磨頭之旋 / 軸線爲中心一致地旋轉移動該第一及第二 硏磨頭在該硏 磨該半導體晶 硏磨頭將該半 二及第三晶圓 與該第一硏磨 二硏磨面間， 該第一晶圓站 之第三晶圓站 晶圓載入-載出 續地傳送該半 磨面包括藉由 轉軸以一旋轉 :硏磨頭。 -91-