TW200809826A

TW200809826A - Optical pickup apparatus, objective optical element and optical information recording reproducing apparatus

Info

Publication number: TW200809826A
Application number: TW096107440A
Authority: TW
Inventors: Kentarou Nakamura; Kohei Ota; Nobuyoshi Mori; Eiji Nomura
Original assignee: Konica Minolta Opto Inc
Priority date: 2006-03-07
Filing date: 2007-03-05
Publication date: 2008-02-16
Also published as: WO2007102317A1; JPWO2007102316A1; CN102005219A; JP5019273B2; EP1990801A4; KR20080104290A; TWI409811B; EP2001020A2; KR20080110999A; JP4033240B2; US7672212B2; KR20080098643A; EP1993094A1; EP2001020A4; WO2007102318A1; EP1990801A1; KR20080098644A; EP2001020A9; EP1993094A4; JPWO2007102315A1

Description

200809826 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係有關於，對不同種類光碟可彼此相容地進行資訊記錄及/或再生的光拾取裝置、接物光學元件及光資 - 訊記錄再生裝置。【先前技術】近年來，於光拾取裝置中，作爲再生光碟記錄資訊、或對光碟記錄資訊用之光源而被使用的雷射光源是朝向短波長化邁進，例如，藍紫色半導體雷射、或利用第2高諧波來進行紅外半導體雷射之波長轉換的藍色S H G雷射等，波長400〜42 Onm的雷射光源已日益實用化。若使用這些藍紫色雷射光源，則在使用和DVD (數位多藝碟片）相同開口數（NA)的接物光學元件的情況下，對直徑12cm的光碟，可記錄15〜20GB的資訊；若將接物光學元件的NA 提高到0.85，則對直徑12cm的光碟，就可記錄23〜2 5GB 的資訊。以下，在本說明書中，將使用藍紫色雷射光源的 m 光碟及光磁碟總稱爲「高密度光碟」。 " 此外，在使用NA0.85之接物光學元件的高密度光碟中，起因於光碟的傾斜（歪斜，skew)而發生的彗星像差會增大，因此將保護層設計成比DVD時還薄（相對於DVD 的0.6mm，係爲0.1mm)，以減少歪斜所致之彗星像差量。順便一提，若只能對所述類型之高密度光碟適切地進行資訊記錄/再生，在作爲光碟播放器/記錄器（光資訊記錄再 -5- 200809826 (2) 生裝置）的商品價値來說仍不夠充分。若考量目前已有記錄各式各樣資訊的DVD或CD(Compact Disc)是已被販售的現實，則僅能夠對高密度光碟進行資訊記錄/再生並不足夠，例如對使用者所擁有之DVD或CD也能同樣適切地 ^ 進行資訊記錄/再生，這對於提高作爲高密度光碟用之光 ^ 碟播放器/記錄器的商品價値而言才是符合需求。根據如此背景，被搭載於高密度光碟用之光碟播放器/記錄器中的光拾取裝置，係期望能對高密度光碟和DVD、甚至CD 之任一者皆能維持相容性同時具有能夠適切記錄/再生資訊之性能。作爲能對高密度光碟和DVD、甚至CD之任一者皆能維持相容性同時具有能夠適切記錄/再生資訊的方法，雖然可考慮使高密度光碟用之光學系和DVD或CD用之光學系，隨著進行資訊記錄/再生之光碟的記錄密度而選擇性切換之方法，但由於需要複數的光學系，因此不利於小型化，且會增大成本。因此，爲了謀求光拾取裝置構成的簡樸化、低成本化 . ，即使在有相容性之光拾取裝置中，也是使高密度光碟用 " 光學系和DVD或CD用光學系共通化，來極力減少構成光拾取裝置的光學零件數目，較爲理想。而且，將對向於光碟而配置之接物光學元件共通化，這對光拾取裝置之構成的簡樸化、低成本化最爲有利。此外，爲了對記錄/再生波長互異之複數種類光碟使用共通的接物光學元件，必須要在接物光學系中形成具有球面像差之波長依存性的光程 -6- 200809826 (3) 差賦予構造。專利文獻1中記載著，具有作爲光程差賦予構造的繞射構造，對高密度光碟和先前之DVD及CD皆可共通使用的接物光學系，及搭載該接物光學系之光拾取裝置。 ^ 然而，上記專利文獻1中所記載的，對3種不同光碟 ^ 彼此相容地進行資訊記錄及/或再生的光拾取裝置中所使用的接物光學元件，係可能會隨著光拾取裝置的設計規格而使記錄及/或再生用的光量不足，或者，在進行CD的循軌之際循軌用的感測器會受多餘光線的不良影響，導致要正確進行CD循軌會變爲困難之情形，存在如此問題。尤其是，於3種不同光碟中，都是採用無限系之光學系時，亦即，向接物光學元件是入射平行光束的時候，上述問題是很顯著。〔專利文獻1〕歐洲公開專利第1 3 046 8 9號【發明內容】本發明係考慮上述問題而硏發，其目的係至少達成以 • 下之一者。首先，其目的在於提供一種，即使作爲接物光 " 學元件是使用單枚透鏡，仍然可對高密度光碟和DVD和 CD等記錄密度不同之3種類碟片適切地進行資訊記錄及/ 或再生的光拾取裝置、接物光學元件及光資訊記錄再生裝置’且可實現其構成之簡樸化、低成本化的光拾取裝置、接物光學元件及光資訊記錄再生裝置。再者，目的在於提供一種，即使對3種不同光碟之全部，都使用無限系之光 200809826 (4) 學系的情況下，仍可保持循軌的正確性的光拾取裝置、接物光學元件及光資訊記錄再生裝置。甚至，其目的在於提供一種，即使作爲接物光學元件是使用塑膠透鏡，仍可有良好溫度特性，對3種類光碟仍可適切進行資訊記錄及/ _ 或再生的光拾取裝置、接物光學元件及光資訊記錄再生裝 " 置。再者，其目的在於提供一種，可獲得所望光學性能的同時，卻不使用非常精細之構造而容易製造的光拾取裝置、接物光學元件及光資訊記錄再生裝置。本發明所述之光拾取裝置，係具有：射出第一光束的第一光源；和射出第二光束的第二光源；和射出第三光束的第三光源；和接物光學元件。前記接物光學元件之光學面’係具有中央領域和前記中央領域周圍之周邊領域的至少二個領域，前記中央領域係具有第一光程差賦予構造，前記周邊領域係具有第二光程差賦予構造。前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記中央領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中央領域的前記第二 . 光束’聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊δΒ錄及/或再生^使通過則記中央領域的前記第二光束 ’聚光在前記第3光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生。又，前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記周邊領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生 ’使通過前記周邊領域的前記第二光束，聚光在前記第2 -8- 200809826 (5) 光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生。又 ’前記第一光程差賦予構造，係爲至少由第一基礎構造和第二基礎構造重疊而成之構造；前記第一基礎構造，係使通過前記第一基礎構造之光束的所定次數之繞射光量會變 ~ 成大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記 - 第二基礎構造，係使通過前記第二基礎構造之光束的所定次數之繞射光量會變成大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。【實施方式】以下，說明本發明之理想形態。一種光拾取裝置，係屬於具有：射出第一波長λΐ之第一光束的第一光源；和射出第二波長λ2(Λ2> λ 1)之第二光束的第二光源；和射出第三波長λ3(λ3> λ2)之第三光束的第三光源；和接物光學元件，其係用以使前記第一光束被聚光在具有厚度11之保護基板的第1光碟之資訊記錄面上，使前記第二光束被聚光在具有厚度t2(tl S t2)之保護基板的第 2光碟之資訊記錄面上，使前記第三光束被聚光在具有厚度t3(t2<t3)之保護基板的第3光碟之資訊記錄面上，的光拾取裝置，其特徵爲，前記光拾取裝置，係藉由使前記第一光束聚光在前記 -9 - 200809826 (6) 第1光碟之資訊記錄面上，使前記第二光束聚光在前記第 2光碟之資訊記錄面上，使前記第三光束聚光在前記第3 光碟之資訊記錄面上，以進行資訊記錄及/或再生；前記接物光學元件之光學面，係具有中央領域和前記 ^ 中央領域周圍之周邊領域的至少二個領域，前記中央領域一係具有第一光程差賦予構造，前記周邊領域係具有第二光程差賦予構造；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記中央領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中央領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中央領域的前記第三光束，聚光在前記第3光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記周邊領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊 - 記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記周邊領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄 * " 面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記第一光程差賦予構造，係爲至少由第一基礎構造和第二基礎構造重疊而成之構造；前記第一基礎構造，係使通過前記第一基礎構造之前記第一光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數 -10- 200809826 (7) 之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第二基礎構造，係使通過前記第二基礎構造之前記第一光束的0次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光 ' 量，使前記第二光束的0次繞射光量會大於其他任何次數 - 之繞射光量，使前記第三光束的土 1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 (項2)如項1所記載之光拾取裝置，其中，前記第二光程差賦予構造，係爲至少具有前記第一基礎構造、第五基礎構造或第六基礎構造之任一者的構造；前記第五基礎構造，係使通過前記第五基礎構造之前記第一光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第六基礎構造，係使通過前記第六基礎構造之前 . 記第一光束的3次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光 _ 量，使前記第二光束的2次繞射光量會大於其他任何次數 " 之繞射光量，使前記第三光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 (項3)如項1或項2所記載之光拾取裝置，其中，前記接物光學元件，係爲單枚透鏡。 (項4)如項1乃至項3之任1項所記載之光拾取裝置，其中，前記接物光學元件係爲塑膠透鏡。 -11 - (8) (8)200809826 (項5)如項2乃至項4之任1項所記載之光拾取裝置，其中，前記第一光程差賦予構造，係爲除了前記第一基礎構造和前記第二基礎構造以外，還加上第三基礎構造、第四基礎構造或第七基礎構造之任一者所重疊而成之構造 9 前記第三基礎構造，係使通過前記第三基礎構造之前記第一光束的1 0次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的6次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的5次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第四基礎構造，係使通過前記第四基礎構造之前記第一光束的5次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的3次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的3次及2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第七基礎構造，係使通過前記第七基礎構造之前記第一光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 (項6)如項5所記載之光拾取裝置，其中，前記第二光程差賦予構造’係爲除了前記第一基礎構造、前記第五基礎構造或前記第六基礎構造之任一者以外，還加上前記第三基礎構造、則記第四基礎構造或前記第七基礎構造之 -12- 200809826 (9) 任一者所重疊而成之構造。 (項7)如項6所記載之光拾取裝置，其中，前記接物光學元件之光學面，係在前記周邊領域的周圍，具有著ί雍有第三光程差賦予構造的最周邊領域；吟使通過前記接物光學元件之前記最周邊領域的前記胃 - 一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記第三光程差賦予構造，係爲至少具有前記第三基礎構造、前記第四基礎構造或前記第七基礎構造之任一者的構造。 (項8)如項4乃至項7之任1項所記載之光拾取裝置，其中，前記光拾取裝置，係具有耦合透鏡；前記耦合透鏡係爲塑膠透鏡。 (項9)如項1乃至項8之任1項所記載之光拾取裝置，其中，前記第一波長λΐ、前記第二波長Α2及前記第三波長λ 3，係滿足以下條件式： • 1 .5χ λ 1 < λ 2 < 1 .7χ Λ 1 ^ 1·9χλ1<λ3<2.1χλ1。 ’ （項10) —種接物光學元件，其係屬於在具有：射出第一波長λΐ之第一光束的第一光源；和射出第二波長Α2(λ2> λΐ)之第二光束的第二光源；和射出第三波長λ 3( λ 3 > λ 2)之第三光束的第三光源；且使用前記第一光束來進行具有厚度tl之保護基板之第1 -13- (10) (10)200809826 光碟的資訊記錄及/或再生，使用前記第二光束來進行具有厚度t2(tlSt2)之保護基板之第2光碟的資訊記錄及/或再生，使用前記第三光束來進行具有厚度t3(t2 < t3)之保護基板之第3光碟的資訊記錄及/或再生的光拾取裝置中，所使用的接物光學元件，其特徵爲，前記接物光學元件之光學面，係具有中央領域和前記中央領域周圍之周邊領域的至少二個領域，前記中央領域係具有第一光程差賦予構造，前記周邊領域係具有第二光程差賦予構造；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記中央領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中央領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中央領域的前記第三光束，聚光在前記第3光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記周邊領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記周邊領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記第一光程差賦予構造，係爲至少由第一基礎構造和第二基礎構造重疊而成之構造；前記第一基礎構造，係使通過前記第一基礎構造之前 -14- 200809826 (11) 記第一光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其任何次數之繞射光量的光程差賦予構造； ^ 前記第二基礎構造，係使通過前記第二基礎構造之 - 記第一光束的〇次繞射光量會大於其他任何次數之繞射量，使前記第二光束的0次繞射光量會大於其他任何次之繞射光量，使前記第三光束的± 1次繞射光量會大於其任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 (項1 1)如項1 〇所記載之接物光學元件，其中，前第二光程差賦予構造，係爲至少具有前記第一基礎構造第五基礎構造或第六基礎構造之任一者的構造；前記第五基礎構造，係使通過前記第五基礎構造之記第一光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其 . 任何次數之繞射光量的光程差賦予構造； _ 前記第六基礎構造，係使通過前記第六基礎構造之 " 記第一光束的3次繞射光量會大於其他任何次數之繞射量，使前記第二光束的2次繞射光量會大於其他任何次之繞射光量，使前記第三光束的2次繞射光量會大於其任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 (項12)如項10或項11所記載之接物光學元件，中，前記接物光學元件，係爲單枚透鏡。光數他刖光數他記刖光數他前光數他其 -15- 200809826 (12) (項1 3)如項10乃至項12之任1項所記載之接物學元件，其中，前記接物光學元件係爲塑膠透鏡。 (項14)如項11乃至項13之任1項所記載之接物學元件，其中，前記第一光程差賦予構造，係爲除了前第一基礎構造和前記第二基礎構造以外，還加上第三基構造、第四基礎構造或第七基礎構造所重疊而成之構造前記第三基礎構造，係使通過前記第三基礎構造之記第一光束的1 〇次繞射光量會大於其他任何次數之繞光量，使前記第二光束的6次繞射光量會大於其他任何數之繞射光量，使前記第三光束的5次繞射光量會大於他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第四基礎構造，係使通過前記第四基礎構造之記第一光束的5次繞射光量會大於其他任何次數之繞射量，使前記第二光束的3次繞射光量會大於其他任何次之繞射光量，使前記第三光束的3次及2次繞射光量會於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第七基礎構造，係使通過前記第七基礎構造之記第一光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 (項1 5)如項14所記載之接物光學元件，其中，前第二光程差賦予構造，係爲除了前記第一基礎構造、前弟五基礎構造或則記第六基礎構造之任一者以外，還加光光記礎 j 刖射次其刖光數大前光數他記記上 -16- 200809826 (13) 前記第三基礎構造、前記第四基礎構造或前記第七基礎造之任一者所重疊而成之構造。 (項1 6)如項1 5所記載之接物光學元件，其中，前接物光學元件之光學面，係在前記周邊領域的周圍’具 ^ 著擁有第三光程差賦予構造的最周邊領域； - 使通過前記接物光學元件之前記最周邊領域的前記一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進資訊記錄及/或再生；前記第三光程差賦予構造，係爲至少具有前記第三礎構造、前記第四基礎構造或前記第七基礎構造之任一的構造。 (項17)如項13乃至項16之任1項所記載之接物學元件，其中，前記光拾取裝置，係具有耦合透鏡；前記耦合透鏡係爲塑膠透鏡。 (項1 8)如項13乃至項1 7之任1項所記載之接物學元件，其中，前記第一波長λΐ、前記第二波長λ2及 : 記第三波長λ 3，係滿足以下條件式： 1·5χλ 1< λ 2< 1·7χλ 1 1·9χλ 1< λ 3<2·1χλ 1 〇 (項19) 一種光資訊記錄再生裝置’其係屬於具有射出第一波長λΐ之第一光束的第一光源；和射出第二長λ 2(入2> λ 1)之第二光束的第二光源；和射出第三波 λ 3( λ 3 > λ 2)之第三光束的第三光源；和接物光學元件其係用以使前記第一光束被聚光在具有厚度11之保護構記有第行基者光波長基 -17- 200809826 (14) 板的第1光碟之資訊記錄面上，使前記第二光束被聚光在具有厚度t2(tlSt2)之保護基板的第2光碟之資訊記錄面上，使前記第三光束被聚光在具有厚度t3(t2<t3)之保護基板的第3光碟之資訊記錄面上；藉由使前記第1光束聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上’使前記第二光束聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上’使前記第三光束聚光在前記第3光碟之資訊記錄面上，以進行資訊記錄及/或再生的光拾取裝置，而爲具有其之光資訊記錄再生裝置，其特徵爲，前記接物光學元件之光學面，係具有中央領域和前記中央領域周圍之周邊領域的至少二個領域，前記中央領域係具有第一光程差賦予構造，前記周邊領域係具有第二光程差賦予構造；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記中央領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中央領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中央領域的前記第三光束，聚光在前記第3光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記周邊領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記周邊領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄 -18 - 200809826 (15) 面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記第一光程差賦予構造，係爲至少由第一基礎構造和第二基礎構造重疊而成之構造；前記第一基礎構造，係使通過前記第一基礎構造之前 ^ 記第一光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光 - 量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第二基礎構造，係使通過前記第二基礎構造之前記第一光束的〇次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的0次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的± 1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。本發明所論之光拾取裝置，係具有第一光源、第二光源、第三光源之至少3個光源。再者，本發明的光拾取裝置，係具有用來使第一光束聚光在第1光碟之資訊記錄面 • 上，使第二光束聚光在第2光碟之資訊記錄面上，使第三 . 光束聚光在第3光碟之資訊記錄面上的聚光光學系。又， " 本發明的光拾取裝置，係具有接受來自第1光碟、第2光碟或第3光碟之資訊記錄面的反射光束的受光元件。第1光碟，係具有厚度11的保護基板和資訊記錄面。第2光碟，係具有厚度t2(tl$t2)的保護基板和資訊記錄面。第3光碟，係具有厚度t3(t2 < t3)的保護基板和資訊記錄面。雖然第1光碟係爲高密度光碟、第2光碟係爲 -19- 200809826 (16) DVD、第3光碟係爲CD，較爲理想，但並非被侷限於此。又，當11 < t2時，相較於11 =t2的情形，想藉由單枚接物光學元件來進行3種不同光碟之記錄及/或再生，並且使第3光碟之記錄再生時的循軌特性良好是較爲困難，但 ^ 本發明之形態係使其成爲可能。此外，第1光碟、第2光 " 碟或第3光碟，係亦可爲具有複數資訊記錄面的複數層光碟。於本說明書中，作爲高密度光碟的例子，是舉例藉由 NA0.85之接物光學元件來進行資訊記錄/再生，保護基板厚度爲 0.1mm左右之規格的光碟（例如 BD :藍光碟片 (Blu-ray Disc))。又，作爲其他高密度光碟的例子，可舉例藉由NA0.65乃至0.67之接物光學元件來進行資訊記錄 /再生，保護基板厚度爲0.6mm左右之規格的光碟（例如 HD DVD :亦簡稱爲HD)。又，在高密度光碟中還包含了 ’在資訊記錄面上具有數〜數十nm左右厚度的保護膜（在本說明書說，保護基板係是爲亦包含了保護膜）的光碟， / 或保護基板厚度爲〇的光碟。又，高密度光碟中係亦包含 . 作爲資訊記錄/再生用光源是使用藍紫色半導體雷射或藍紫色SHG雷射的光磁碟。甚至，於本說明書中，所謂 DVD，係爲藉由 NA0.60〜0.67左右之接物光學元件來進丫了資訊記錄/再生、保護基板厚度爲0.6mm左右之DVD系列光碟之總稱，包含有 DVD-ROM、DVD-Video、DVD-Audio 、DVD-RAM 、 DVD-R 、 DVD-RW 、 DVD + R 、 DVD + RW等。又，於本說明書中，所謂CD，係爲藉由 -20- 200809826 (17) ΝΑΟ· 45〜0.51左右之接物光學元件來進行資訊記錄/再生、保護基板厚度爲1.2mm左右之CD系列光碟之總稱，包含有 CD-ROM、CD-Audio、CD-Video、CD-R、CD-RW 等。此外，關於記錄密度，係高密度光碟的記錄密度爲最高 ^ ，其次爲DVD、CD爲最低。 " 此外，關於保護基板之厚度11、t2、t3，雖然滿足以下的條件式（6)、（7)、（8)較爲理想，但並不限於此。 0.0750mmStl$0.125mm 或 0.5mmStlS0.7mm (6) 0.5mm ^ t2 ^ 0.7mm (7) l.Omm^ t3^ 1.3mm (8) 於本說明書中，第一光源、第二光源、第三光源，理想係爲雷射光源。作爲雷射光源，理想尙可使用半導體雷射、矽雷射等。從第一光源出射之第一光束的第一波長λ 1、從第二光源出射之第二光束的第二波長λ2(λ2> λΐ) 、從第三光源出射之第三光束的第三波長λ3(λ3> λ 2)，係滿足以下條件式（9 )、（ 1 0)較爲理想。 1 ·5χ λ 1 < λ 2 < 1 ·7χ λ 1 (9) 1 ·9χ λ 1 < λ 3 < 2· 1 χ λ 1 (10) 又，當作爲第1光碟、第2光碟、第3光碟分別是使用BD或HD、DVD及CD時，第一光源之第一波長λ 1係 -21 - 200809826 (18) 理想爲3 50nm以上、440nm以下，較理想係爲38〇nm以上、41 5nm以下；第二光源之第二波長λ 2係理想爲 570nm以上、68 0nm以下，較理想係爲63 0nm以上、 67 0nm以下；第三光源之第三波長λ 3係理想爲75〇nm以上、8 8 0nm以下’較理想係爲760nm以上、820nm以下。 ^ 又，亦可將第一光源、第二光源、第三光源之中至少 2個光源予以單元化。所謂單元化，係指例如第一光源和弟一光源是被固定收容在單1封裝，但不限於此，亦可廣義包含2個光源是以不能補正像差的方式而被固定之狀態。又，除了光源，後述之受光元件亦可做單1封裝化。作爲受光元件，係可理想使用光二極體等之光偵測器。被光碟之資訊記錄面上反射的光係入射至受光元件，用其輸出訊號，就能獲得被記錄在各光碟之資訊的讀取訊號。再者，可以偵測出受光元件上的光點形狀變化、位置變化所致之光量變化，來進行對焦偵測和軌道偵測，基於該偵測，就可爲了對焦、循軌而促使接物光學元件移動。受；光元件係亦可爲複數之光偵測器所成。受光元件，係亦可 . 具有主光偵測器和副光偵測器。例如，亦可在接受資訊記 " 錄再生中所用之主光的光偵測器的兩側設置2個副光偵測器，藉由該當2個副光偵測器來接受循軌調整用之副光，設計成此種受光元件。又，受光元件係亦可對應於各光源而具有複數之受光元件。聚光光學系，係具有接物光學元件。聚光光學系，雖然僅有接物光學元件即可，但聚光光學系係除了接物光學 -22- 200809826 (19) 元件以外，還可具有準直透鏡等耦合透鏡。所謂耦合透鏡，係指被配置在接物光學元件和光源之間，用來改變光束之發散角的單透鏡或透鏡群。準直透鏡，係爲耦合透鏡的一種，是將入射至準直透鏡的光轉變成平行光而出射的透鏡。甚至聚光光學系，亦可具有將光源所射出之光束’分割成資訊記錄再生所用之主光束、和循軌等所用之二道副光束的繞射光元件等之光學元件。於本說明書中，所謂接物光學元件，係指光拾取裝置中，被配置在對向於光碟之位置，具有將光源所射出的光束，聚光在光碟之資訊記錄面上之機能的光學系。較理想爲，所謂接物光學元件，係指光拾取裝置中，被配置在對向於光碟之位置，具有將光源所射出的光束，聚光在光碟之資訊記錄面上之機能的光學系，而且，是可藉由致動器而至少在光軸方向上可做一體性變異的光學系。接物光學元件，係可由二個以上的複數透鏡及光學元件所構成，也可以僅用單枚接物透鏡來構成，理想係爲單枚的接物透鏡。又，接物光學元件’係無論是玻璃透鏡還是塑膠透鏡均可，或者可以是在玻璃透鏡之上以光硬化性樹脂等設置光程差賦予構造的複合透鏡。當接物光學元件是具有複數透鏡時，亦可混用玻璃透鏡和塑膠透鏡。當接物光學元件是具有複數透鏡時’亦可爲具有光程差賦予構造的平板光學元件和非球面透鏡（可具有光程差賦予構造也可不具有）之組合。又，接物光學元件，其折射面係爲非球面，較爲理想。又，接物光學元件’ 其設有光程差賦予構造之基礎面係爲非球面，較爲理想。 -23- 200809826 (20) 又，當將接物光學元件設計成玻璃透鏡時，使用玻璃轉位點T g在4 0 0 C以下的玻璃材料，較爲理想。藉由使用玻璃轉位點Tg在4〇0。(：以下的玻璃材料，可在較爲低溫下成形’可延長模具的壽命。作爲此種玻璃轉位點Tg 較低之玻璃材料有，例如（株）住田光學玻璃製造的κ _ PG325或K-PG375(皆爲商品名）。順便一提，玻璃透鏡一般而言比重大於樹脂透鏡，因此右以玻璃透鏡作爲接物光學元件，則重量變大而會對驅動接物光學元件的致動器造成負擔。因此，當以玻璃透鏡作爲接物光學元件時，理想係使用比重較小的玻璃材料。具體而言，比重爲3.0以下者較佳，爲2.8以下者更佳。又’當接物光學兀件設計成塑膠透鏡時，使用環狀燃烴系的樹脂材料較爲理想，而環狀烯烴系中，又以使用對波長405nm之温度25 °C下的折射率爲1.54至1.60之範圍內，且-5 °C〜70 °C之溫度範圍內的溫度變化下的對波長 405nm之折射率變化率dN/dT(°C 〃）爲- 20xl0·5乃至-5χ 1〇_5(更理想係爲-1〇χ1(Γ5乃至- 8xl(T5)之範圍內的樹脂材料，更爲理想。又，當將接物光學元件設計成塑膠透鏡時，耦合透鏡也是塑膠透鏡，較爲理想。或者，作爲適合本發明之接物光學元件的樹脂材料，除了上記環狀烯烴系以外，還有「非熱變樹脂」。所謂非熱變樹脂，係指在作爲母材的樹脂中，分散有直徑3 Onm 以下之粒子的樹脂材料。此處，前記粒子，係帶有和作爲母材之樹脂的隨溫度變化之折射率變化率，呈現相反符號 -24- 200809826 (21) 的折射率變化率。一般而言，若在透明的樹脂材料中混合微粉末，則會導致光的散亂，降低穿透率，因此要作爲光學材料使用是有困難的，但是若使微粉末的大小是小於穿透光束的波長，就可使得散亂在事實上不會發生。 ^ 樹脂材料，係隨著溫度上升，其折射率會降低，但是 ^ 無機粒子係隨著溫度上升則折射率上升。於是藉由這些性質彼此抵消的作用，就可使其不產生折射率變化，是爲人所知。作爲本發明所論之接物光學元件之材料，理想係作爲母材的樹脂中分散有3 0奈米以下，理想爲20奈米以下，更理想爲1 0〜1 5奈米的無機粒子，藉由利用此種材料，就可提供沒有或者極低之折射率溫度依存性的接物光學元件。例如，在丙烯酸樹脂中，分散有氧化鈮（Nb205)的微粒子。作爲作爲母材的樹脂係體積比爲80，氧化鈮係20 左右的比率，將其均勻混合。雖然會有微粒子凝聚的問題，但藉由在粒子表面賦予電荷而令其分散的技術，就可做；出所需之分散狀態。 . 如後述，作爲母材的樹脂和粒子的混合、分散，理想 " 上是在接物光學元件射出成形時在線上進行。換句話說，混合·分散後，到接物光學元件成形爲止這段期間，不要被冷卻、固化，較爲理想。此外，該體積比率，係爲了控制折射率對溫度之變化的比率，而可適宜增減，也可將複數種類的奈米尺寸無機粒子當作塡充物而分散之。 -25- 200809826 (22) 比率上，上記粒子雖然爲80:20、亦即4:1，但亦可在90: 10(9: 1)〜60: 40(3: 2)之間適宜調整。體積比率若小於9 : 1則溫度變化抑制的效果會變小，反之，若超過3 : 2則樹脂的成形性會有問題而非理想。 ^ 微粒子理想係爲無機物，更理想則爲氧化物。而且氧 ^ 化狀態呈飽和，或不能再被氧化的氧化物，較爲理想。用無機物的原因，是因爲要抑制和高分子有機化合物的作爲母材的樹脂之間發生反應因而較爲理想；又，藉由採用氧化物，可防止伴隨使用所造成的劣化。尤其是，在高溫化、被雷射光照射這種嚴酷條件下，容易促進氧化，但若採用如此無機氧化物的微粒子，就可防止氧化所造成的劣化。又，爲了防止其他要因造成的樹脂氧化，當然也可以添加氧化防止劑。順便一提，作爲母材的樹脂可適宜使用的有，日本公開專利公報之日本特開2004-144951號、日本特開2004-; 1449 54號、及日本特開2004- 1 44953號等所記載之樹脂。：作爲被分散在熱可塑性樹脂中的無機微粒子係無特別限定，只要能達成本發明之目的使所得到之熱可塑性樹脂組成物的隨溫度之折射率變化率（以下記作| dn/dT | )可以變小的無機微粒子，則可從其中任意選擇。具體而言係可理想使用氧化物微粒子、金屬鹽微粒子、半導體微粒子等，其中又以適宜選擇出於作爲光學元件使用之波長領域下不會發生吸收、發光、螢光等來使用，較爲理想。 -26- 200809826 (23)

作爲本發明中所使用的氧化物微粒子，構成金屬氧化物的金屬係可從 Li、Na、Mg、Al、Si、K、Ca、Sc、Ti、 V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Rb、Sr、Y、Nb、Zr 、Mo、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Cs、Ba、La、Ta、Hf、W ^ 、Ir、T1、Pb、Bi及稀土族金屬所成之群中選出1種或2 - 種以上之金屬的金屬化合物來使用；具體而言係例如：氧化砂、氧化駄、氧化鋅、氧化銘、氧化銷、氧化給、氧化 _尼、氧化鉬、氧化鎂、氧化鈴、氧化緦、氧化鋇、氧化銦、氧化錫、氧化鉛、這些氧化物所構成之複氧化物的鈮酸鋰、鈮酸鉀、鉬酸鋰；鋁·鎂氧化物（MgA1204)等可被列舉。又，作爲本發明中所使用的氧化物微粒子係亦可使用稀土族氧化物，具體而言係可舉出：氧化銃、氧化釔、氧化鑭、氧化鈽、氧化鐯、氧化鈸、氧化釤、氧化銪、氧化 .L、氧化铽、氧化鏑、氧化鈥、氧化餌、氧化錶、氧化鏡、氧化餾等。作爲金屬鹽微粒子，係可舉出如碳酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽等，具體而言有碳酸鈣、磷酸鋁等。；又，本發明中的所謂半導體微粒子，係意味著半導體 . 結晶組成的微粒子，作爲該半導體結晶組成的具體組成例 " ，係可舉例如：碳、矽、鍺、錫等週期表第1 4族元素的單體、磷（黑磷）等週期表第15族元素的單體、硒碲等週期表第16族元素的單體、碳化矽（SiC)等複數之週期表第14 元素所成之化合物、氧化錫（IV)(Sn02)、硫化錫（II， IV)(Sn(II)Sn(IV)S3)、硫化錫（IV)(SnS2)、硫化錫（II)(SnS) 、硒化錫（II)(SnSe)、碲化錫（II)(SnTe)、硫化鉛（II)(PbS) -27- 200809826 (24) 、硒化鉛（II)(PbSe)、碲化鉛（II)(PbTe)等週期表第14族元素和週期表第16族元素的化合物、氮化硼（BN)、磷化硼 (BP)、砷化硼（BAs)、氮化鋁（A1N)、磷化鋁（A1P)、砷化鋁 (AlAs)、銻化鋁（AlSb)、氮化鎵（GaN)、磷化鎵（GaP)、砷化鎵（GaAs)、銻化鎵（GaSb)、氮化銦（InN)、磷化銦（InP) 、砷化銦（InAs)、銻化銦（InSb)等週期表第13族元素和週期表第15族元素的化合物（或III-V族化合物半導體）、硫化鋁（A12S3)、硒化鋁（Al2Se3)、硫化鎵（Ga2S3)、硒化鎵 (Ga2Se3)、碲化鎵（Ga2Te3)、氧化銦（In2〇3)、硫化銦 (In2S3)、硒化銦（In2Se3)、碲化銦（In2Te3)等週期表第13 族元素和週期表第 1 6族元素的化合物、氯化鉈（I)(τ 1 C 1) 、溴化鉈（I)(TlBr)、碘化鉈（I)(T1I)等週期表第13族元素和週期表第17族元素的化合物、氧化鋅（ΖηΟ)、硫化鋅 (ZnS)、硒化鋅（ZnSe)、碲化鋅（ZnTe)、氧化鎘（CdO)、硫化鎘（CdS)、硒化鎘（CdSe)、碲化鋪（CdTe)、硫化录（HgS) 、硒化汞（HgSe)、碲化汞（HgTe)等週期表第12族元素和週期表第16族元素的化合物（或II-VI族化合物半導體）、硫化砷（III)(As2S3)、硒化砷（III)(AS2Se3)、碲化砷 (III)(As2Te3)、硫化銻（III)(Sb2S3)、硒化銻（III)(Sb2Se3)、碲化銻（III)(Sb2Te3)、硫化鉍（III)(Bi2S3)、硒化鉍 (III)(Bi2Se3)、碲化鉍（III)(Bi2Te3)等週期表第15族元素和週期表第16族元素的化合物、氧化銅（I)(Cu20)、硒化銅（I)(Cu2Se)、等週期表第11族元素和週期表第16族元素的化合物、氯化銅（I)(CuCl)、溴化銅（I)(CuBr)、碘化銅 -28 - 200809826 (25) (I)(CuI)、氯化銀（AgCl)、溴化銀（AgB〇等週期表第u族元素和週期表第17族元素的化合物、氧化鎳（II)(Ni〇)等週期表第1 〇族元素和週期表第1 6族元素的化合物、氧化鈷（II) (Co Ο)、硫化鈷（II) (CoS)等週期表第9族元素和週期表第1 6族元素的化合物、四氧化三鐵（Fe3 04)、硫化鐵 (HKFeS)等週期表第8族元素和週期表第16族元素的化合物、氧化錳（II) (MnO)等週期表第7族元素和週期表第 16族元素的化合物、硫化鉬（IV)(M〇S2)、氧化鎢 (IV) (W〇2)等週期表第6族元素和週期表第16族元素的化合物、氧化釩（II)(VO)、氧化釩（IV)(V02)、氧化鉅 (V) (Ta2〇5)等週期表第5族元素和週期表第16族元素的化合物、氧化鈦（Ti02、Ti205、Ti203、Ti509等）等週期表第 4族元素和週期表第16族元素的化合物、硫化鎂（MgS)、硒化鎂（MgSe)等週期表第2族元素和週期表第16族元素的化合物、氧化鎘（II)鉻（III)(CdCr204)、硒化鎘（II)鉻 (III)(CdCr2Se4)、氧化銅（II)鉻（m)(CuCr2S4)、硒化汞（II) ; 鉻（in)(HgCr2Se4)等硫屬元素尖晶石類、鈦酸鋇（BaTi03) . 等。此外，G.Schmid 等；在 Adv.Mater·，4 卷，494 頁 (1991)中所報告之（BN)75(BF2)15F15，或 D.Fenske 等；在 Angew.Chem.Int.Ed.Engl., 29 卷，1452 頁（1990)中所報告之〇111468^73(三乙基膦）22這類構造確定的半導體叢集也可被同樣舉例。一般而言熱可塑性樹脂的dn/dT係帶有負値。亦即隨著溫度上升，折射率會變小。因此爲了有效縮小熱可塑性 -29- (26) (26)200809826 樹脂組成物的I dn/dT I ，理想是使用dn/dT較大的微粒子來分散之。當使用了和熱可塑性樹脂的dn/dT持有相同符號之微粒子時，微粒子的dn/dT的絕對値，理想上是要小於作爲母材之熱可塑性樹脂的dn/dT。甚至，和作爲母材之熱可塑性樹脂的dn/dT符號相反的dn/dT之微粒子，亦即具有正値之dn/dT的微粒子，更可理想使用。藉由使此種微粒子分散於熱可塑性樹脂中，就可以少量達到有效減少熱可塑性樹脂組成物的I dn/dT | 。被分散之微粒子的 dn/dT，係雖然可隨著作爲母材之熱可塑性樹脂的 dn/dT値來做適宜選擇，但一般而言可理想用於光學元件的熱可塑性樹脂中分散有微粒子的情況下，微粒子的 dn/dT是大於-2010_6者較爲理想，大於-101(Γ6者則更爲理想。作爲dn/dT大的微粒子，可理想使用的有例如氮化鎵、硫化鋅、氧化鋅、鈮酸鋰、鉬酸鋰等。另一方面，當在熱可塑性樹脂中分散微粒子之際，作爲母材之熱可塑性樹脂和微粒子之折射率的差越小則越理想。發明者們檢討的結果，得知若熱可塑性樹脂和所分散之微粒子的折射率之差較小，則在光透過時較難引起散亂。在熱可塑性樹脂中分散微粒子之際，雖然粒子越大、在光透過時越容易引起散亂，但若熱可塑性樹脂和所分散之微粒子的折射率之差越小，則即使使用比較大的微粒子，光散亂的發生程度也會較小。熱可塑性樹脂和所分散之微粒子的折射率之差，理想係爲〇〜〇 · 3之範圍，更理想係爲0〜0.1 5之範圍。 -30- 200809826 (27) 作爲光學材料而可理想使用之熱可塑性樹脂的折射率爲1.4〜1.6左右的情況較多，作爲分散在這些熱可塑性樹脂中的材料，係例如 Silica(氧化矽）、碳酸鈣、磷酸鋁 (A1P)、氧化鋁、氧化鎂、鋁鎂氧化物等可被理想使用。又可知，藉由分散折射率較低之微粒子，就可有效縮 0 小熱可塑性樹脂組成物的dn/dT。關於分散折射率較低之微粒子的熱可塑性樹脂組成物的| dn/dT |會變小的理由 ’雖然細節不甚明瞭，但可以推想爲，樹脂組成物中的無機微粒子的體積分率之溫度變化，可能是微粒子的折射率越低，則會使樹脂組成物的| dn/dT |往越小的方向移動。作爲折射率較低的微粒子，例如有Silica(氧化矽）、碳酸鈣、磷酸鋁可被理想使用。由於熱可塑性樹脂組成物的dn/dT降低效果、光透過性、所望折射率等要使其全部同時提升是有困難的，被分散在熱可塑性樹脂中的微粒子，係隨著熱可塑性樹脂組成物所要求之特性，可考慮微粒子本身的dn/dT之大小、微 / 粒子之dn/dT和作爲母材之熱可塑性樹脂之dn/dT的差、 . 及微k子的折射率寺來做適宜選擇。甚至，與作爲母材之熱可塑性樹脂的適合性，亦即對熱可塑性樹脂的分散性，適宜選擇難以引起散亂之微粒子來使用，則就維持光透過性而言，是較爲理想的。例如，當光學元件上理想使用環狀烯烴聚合物爲母材時，作爲能夠一面維持光透過性一面能縮小| dn/dT |的微粒子，係可理想使用氧化矽。 -31 - 200809826 (28) 上記微粒子，係可使用1種類的無機微粒子，或者也可倂用複數種類的無機微粒子。藉由使用具有不銅性質的複數微粒子，就可使需要的特性更有效率地提升。又，本發明所論之無機微粒子，係平均粒子徑爲1 nm ’ 以上、30nm以下爲理想；lnm以上、20nm以下則較爲理 ·· 想；更理想則爲1 nm以上、1 〇nm以下。當平均粒子徑未滿1 nm時，無機微粒子之分散會變爲困難而恐怕難以獲得所望之性能，因此平均粒子徑1 nm以上較爲理想；又若平均粒子徑超過3 Oiim，則所得之熱可塑性材料組成物會混濁而降低透明性，恐怕導致光線穿透率不到7 0 %，因此平均粒子徑3 Onm以下較爲理想。此處所謂平均粒子徑，係將各粒子換算成同體積之球體時的直徑（球體換算粒徑）的體積平均値。再者，無機微粒子的形狀，雖無特別限定，但理想上是使用球狀的微粒子。具體而言，粒子的最小徑（拉出外切於微粒子外周的2條切線時，該當切線間之距離的最小 : 値V最大徑（拉出外切於微粒子外周的2條切線時，該當切 . 線間之距離的最大値），理想係爲〇 · 5〜1 . 〇，更理想則爲 0 · 7 〜1 · 0 〇又，關於粒子徑的分布雖無特別限制，但爲了更有效率展現效果，與其具有廣泛分布者，不如使用分布較窄者，較爲適合。關於接物光學元件，記載如下。接物光學元件之至少一個光學面，是具有中央領域、和中央領域周圍的周邊領 -32- 200809826 (29) 域。更理想是，接物光學元件之至少一個光學面，邊領域的周圍，具有最周邊領域。藉由設置最周邊就可對高NA的光碟進行更適切的記錄及/或再生。央領域係爲含有接物光學元件之光軸的領域時較爲但亦可不含。中央領域、周邊領域及最周邊領域係同一光學面上，較爲理想。如圖1所示，中央領每周邊領域MD、最周邊領域〇τ，係在同一光學面上置成以光軸爲中心的同心圓狀，較爲理想。又，在學元件的中央領域係設有第一光程差賦予構造，在域係設有第二光程差賦予構造。具有最周邊領域的，最周邊領域係可爲折射面，或可在最周邊領域設光程差賦予構造。中央領域、周邊領域、最周邊領上係彼此相鄰，但即使有些微間隙隔開亦無妨。第一光程差賦予構造，係被設在接物光學元件領域的面積之 70%以上之領域，較爲理想；更理 9 0%以上。較佳爲，第一光程差賦予構造，是被設領域的全面。第二光程差賦予構造，係被設在接物件之周邊領域的面積之70%以上之領域，較爲理想想則爲90%以上。較佳爲，第二光程差賦予構造，在周邊領域的全面。第三光程差賦予構造，係被設光學元件之最周邊領域的面積之70%以上之領域，想；更理想則爲90%以上。較佳爲，第三光程差賦，是被設在最周邊領域的全面。此外，本說明書中所謂光程差賦予構造，係爲在其周領域，雖然中理想，被設在 $ CN、，被設接物光周邊領情況下置第三域理想之中央想則爲在中央光學元 ;更理是被設在接物較爲理予構造對入射 -33- 200809826 (30) 光束附加光程差之構造的總稱。光程差賦予構造中，係亦包含賦予相位差的相位差賦予構造。又，相位差賦予構造中亦包含繞射構造。光程差賦予構造，係具有階差，理想上係具有複數階差。藉由該階差，就可對入射光束來附加 ~ 光程差及/或相位差。藉由光程差賦予構造所附加的光程 “ 差，係可爲入射光束之波長的整數倍，也可以是入射光束波長的非整數倍。階差係可在光軸垂直方向上保有週期性的間隔而配置，也可在光軸垂直方向上保有非週期性的間隔而配置。光程差賦予構造，係具有以光軸爲中心之同心圓狀的複數輪帶，較爲理想。又，光程差賦予構造，係可採取各式各樣的剖面形狀（在含光軸的面上的剖面形狀）。作爲最一般的光程差賦予構造的剖面形狀，係如圖2(a)所記載，光程差賦予構造的含光軸之剖面形狀係爲鋸齒狀。在平面的光學元件上設置光程差賦予構造時，雖然剖面看來呈階梯狀，但在非球面透鏡面等設置同樣的光程差賦予構造時；，則會看似如圖2(a)所示的鋸齒狀之剖面形狀。因此，於 . 本說明書中所述的鋸齒狀之剖面形狀，係也包含了階梯狀的剖面形狀。又，藉由將階差的朝向不同之鋸齒狀的光程差賦予構造予以重疊，就可得到圖2(b)所示的二元構造之光程差賦予構造。本說明書的第一光程差賦予構造及第二光程差賦予構造，係將該剖面形狀不同之鋸齒狀光程差賦予構造加以重疊而成之構造，或亦可爲’在重疊了鋸齒狀之光程差賦予構造而成的二元構造之光程差賦予構造上， -34- 200809826 (31) 再重疊鋸齒狀之光程差賦予構造所成之構造。例如，圖 2(c)係鋸齒狀構造和二元構造重疊而成之構造；圖2(d)係細緻鋸齒狀構造和粗大鋸齒狀構造重疊而成之構造。又，在接物光學元件之中央領域所設置之第一光程差賦予構造，和在接物光學元件之周邊領域所設置之第二光程差賦予構造，雖然可被設在接物光學元件的不同光學面，但設在同一光學面較爲理想。藉由設在同一光學面，可減少製造時的偏芯誤差，因此較理想。又，第一光程差賦予構造及第二光程差賦予構造，係與其設在接物光學元件之光碟側的面，不如設在接物光學元件之光源側的面’較爲理想。接物光學元件，係使通過了接物光學元件設有第一光程差賦予構造之中央領域的第一光束、第二光束及第三光束，聚光成分別形成聚光光點。理想爲，接物光學元件，係使通過了接物光學元件設有第一光程差賦予構造之中央領域的第一光束，聚光在第1光碟之資訊記錄面上而能進行資訊記錄及/或再生。又，接物光學元件，係使通過了接物光學元件設有第一光程差賦予構造之中央領域的第二光束，聚光在第2光碟之資訊記錄面上而能進行資訊記錄及/或再生。然後，接物光學元件，係使通過了接物光學元件設有第一光程差賦予構造之中央領域的第三光束’聚光在第3光碟之資訊記錄面上而能進行資訊記錄及/或再生。又，當第1光碟之保護基板的厚度tl和第2光碟之保護基板的厚度t2不同時，第一光程差賦予構造’係對 -35- 200809826 (32) 通過第一光程差賦予構造的第一光束及第二光束，補正因第1光碟之保護基板厚度11和第2光碟之保護基板厚度 t2之差異所產生的球面像差及/或因第一光束和第二光束之波長差異所產生的球面像差，較爲理想。再者，第一光程差賦予構造，係對通過第一光程差賦予構造的第一光束及第三光束，補正因第1光碟之保護基板的厚度tl和第3 光碟之保護基板的厚度t3之差異所產生的球面像差及/或因第一光束和第三光束之波長差異所產生之球面像差，較爲理想。又，藉由通過接物光學元件之第一光程差賦予構造的第三光束，形成了使形成第三光束之光點的點徑成爲最小的第一最佳焦點、和使形成第三光束之光點的點徑成爲從第一最佳焦點算來其次小的第二最佳焦點。此處，所謂的最佳焦點，係指光束腰部是在某個散焦範圍內而成爲極小的點。換言之，藉由第三光束，來形成第一最佳焦點及第二最佳焦點，這件事就意味著，於第三光束中，某個散焦範圍內光束腰部呈極小的點，是至少存在有2點。此外，通過了第一光程差賦予構造的第三光束中，光量最大的繞射光是形成第一最佳焦點，光量次大的繞射光是形成第二最佳焦點，較爲理想。又，形成第一最佳焦點的繞射光的繞射效率，和形成第二最佳焦點的繞射光的繞射效率，兩者的差爲20%以下的時候，本發明的效果可更爲顯著。此外，雖然第一最佳焦點中由第三光束所形成的光點是被用於第3光碟的記錄及/或再生，第二最佳焦點中由 -36- 200809826 (33) 第三光束所形成的光點是不被用於第3光碟的記錄及/或再生’較爲理想；但是，這並未否定第一最佳焦點中由第二光束所形成的光點是不被用於第3光碟的記錄及/或再生’第二最佳焦點中由第三光束所形成的光點是被用於第 3光碟的記錄及/或再生之樣態的存在。此外，第一光程差賦予構造’是被設在接物光學元件之光源側的面時，理想爲’第一最佳焦點是比第一最佳焦點更靠近接物光學元件〇再者’第一最佳焦點和第二最佳焦點，係滿足下記式 (1)。 0.05 ^ L/f^ 0.35 (1) 其中’ f[mm]係指通過第一光程差賦予構造，形成第一最佳焦點的第三光束的焦距，[一…係指第一最佳焦點和第二最佳焦點間的距離。此外’滿足下記式（1，）則較爲理想。 0.10^ L/f^ 0.25 (1，）更理想則爲，滿足下記式（1 ”）。 0.11^ L/f^ 0.24 ri，，） -37- 200809826 (34) 又，L係爲0.18mm以上、0.63mm以下，較爲理想。再者，f係爲1 .8mm以上、3.0mm以下，較爲理想。藉由上記構成，第3光碟的記錄及/或再生時，可防止第三光束當中不被用於第3光碟之記錄及/或再生時的 " 多餘光，對循軌用受光元件造成不良影響，可使第3光碟 ^ 的記錄及/或再生時維持良好的循軌性能。又，接物光學元件，使通過了接物光學元件設有第二光程差賦予構造之周邊領域的第一光束及第二光束，聚光成分別形成聚光光點。理想爲，接物光學元件，係使通過了接物光學元件設有第二光程差賦予構造之周邊領域的第一光束，聚光在第1光碟之資訊記錄面上而能進行資訊記錄及/或再生。又，接物光學元件，係使通過了接物光學元件設有第二光程差賦予構造之周邊領域的第二光束，聚光在第2光碟之資訊記錄面上而能進行資訊記錄及/或再生。又，當第1光碟之保護基板的厚度tl和第2光碟之保護基板的厚度t2不同時，第二光程差賦予構造，係對 : 通過第二光程差賦予構造的第一光束及第二光束，補正因 . 第1光碟之保護基板厚度tl和第2光碟之保護基板厚度 t2之差異所產生的球面像差及/或因第一光束和第二光束之波長差異所產生的球面像差，較爲理想。又，作爲理想形態是舉例爲，通過周邊領域的第三光束，係不被用於第3光碟之記錄及/或再生的樣態。通過周邊領域的第三光束，是不會對第3光碟之資訊記錄面上的聚光光點之形成有所參與，較爲理想。亦即，通過接物 -38- 200809826 (35) 光學元件之設有第二光程差賦予構造之周邊領域的第三光束，係在第3光碟之資訊記錄面上形成眩光’較爲理想。如圖1 0所示，通過接物光學元件的第三光束’在前記第3 光碟之資訊記錄面上所形成的光點當中’從光軸側（或光點中心部）起往外側，依序具有：光量密度高的光點中心部SCN、光量密度低於前記光點中心部的光點中間部SMD 、光量密度高於光點中間部且低於光點中心部的光點周邊部S Ο T。光點中心部是被用於第3光碟的資訊記錄及/或再生，光點中間部及光點周邊部是不被用於第3光碟的資訊記錄及/或再生。於上記中，將該光點周邊部稱爲眩光。亦即，通過接物光學元件之周邊領域中所設置之第二光程差賦予構造的第三光束，係在第3光碟之資訊記錄面上，形成光點周邊部。此外，此處所述第三光束的聚光光點或光點，係爲第一最佳焦點上的光點，較爲理想。又，通過了接物光學元件的第二光束中，形成在第2光碟之資訊記錄面上的光點，理想上也是具有光點中心部、光點中間部、光點周邊部。又，第二光程差賦予構造，係對通過了第二光程差賦予構造的第一光束及第二光束，補正因第一光源或第二光源之波長些微變動所產生的球色差（色球面像差），較爲理想。所謂波長些微變動，係指± 1 〇nm以內的變動。例如，第一光束是對波長；I 1變化±5nm之際，藉由第二光程差賦予構造，補償曾通過周邊領域之第一光束的球面像差變動，使得第1光碟之資訊記錄面上的波面像差的變化量在 -39- (36) (36)200809826 0.010 λ lrms以上、0.095 λ lrms以下，較爲理想。又，第二光束是對波長λ 2變化±5 nm之際，藉由第二光程差賦予構造，補償曾通過周邊領域之第二光束的球面像差變動，使得第2光碟之資訊記錄面上的波面像差的變化量在 0.002 Λ 2rms以上、0.0 3 λ 2 r m s以下，較爲理想。藉此，身爲光源的雷射之波長的製造誤差或個體差所導致之波長參差所造成的像差，就可被補正。當接物光學元件具有最周邊領域時，接物光學元件，係將通過接物光學元件之最周邊領域的第一光束，聚光在第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生。又，通過最周邊領域之第一光束中，在第1光碟的記錄及/或再生時，其球面像差有受到補正，較爲理想。又，作爲理想形態是舉例爲，通過最周邊領域的第二光束，係不被用於第2光碟之記錄及/或再生；而通過最周邊領域的第三光束，係不被用於第3光碟之記錄及/或再生的樣態。通過最周邊領域的第二光束及第三光束，是都不會對第2光碟及第3光碟之資訊記錄面上的聚光光點之形成有所參與，較爲理想。亦即，當接物光學元件具有最周邊領域時，通過接物光學元件之最周邊領域的第三光束，係在第3光碟之資訊記錄面上形成眩光，較爲理想。換言之，通過接物光學元件之最周邊領域的第三光束，係在第3光碟之資訊記錄面上，形成光點周邊部，較爲理想。又，當接物光學元件具有最周邊領域時，通過接物光學元件之最周邊領域的第二光束，係在第2光碟之資訊記錄 -40- 200809826 (37) 面上形成眩光，較爲理想。換言之，通過接物光學元件之最周邊領域的第二光束，係在第2光碟之資訊記錄面上’ 形成光點周邊部，較爲理想。當最周邊領域具有第三光程差賦予構造時，第三光程差賦予構造係亦可設計成，對通過第三光程差賦予構造之 ^ 第一光束，補正因第一光源之波長些微變動所產生的球色差（色球面像差）。所謂波長些微變動，係指±l〇nm以內的變動。例如，第一光束是對波長λ 1變化±5nm之際，藉由第三光程差賦予構造，補償曾通過最周邊領域之第一光束的球面像差變動，使得第1光碟之資訊記錄面上的波面像差的變化量在〇.〇1〇λ lrms以上、0.095λ lrms以下，較爲理想。此外，第一光程差賦予構造，係可爲鋸齒狀之繞射構造和二元構造重疊所構成。又，第二光程差賦予構造，係亦可爲鋸齒狀之繞射構造、和較粗大（狹距較大）鋸齒狀的繞射構造重疊所構成。當第一光程差賦予構造或第二光程 ; 差賦予構造係爲該當重疊構造時，亦可爲，關於該當鋸齒 . 狀的繞射構造（在第二光程差賦予構造時，係爲不粗造（狹距小）的繞射構造），使得第一光束被賦予相當於第一光束之第一波長λ 1的偶數倍之光程差，藉此使得第一光束係在波面的相位上不發生變化。甚至，當第三光束之第三波長λ 3係爲第一光束之第一波長的約略偶數倍的波長時，會變成對第三光束賦予整數倍的光程差，同樣會使第三光束的波面相位上不產生變化。藉由此種構成，第一光束和 -41 - 200809826 (38) 第三光束’係不會因爲該當繞射構造而在聚光上受到影響，具有如此優點。此外，所謂相當於偶數倍，係指令η爲自然數時，（2η·0·1)χλ 1以上、（2η + 0·1)χλ 1以下之範圍〇此外’第一光程差賦予構造，係亦可爲至少將第一基〜礎構造和第二基礎構造重合而成之構造。第一基礎構造，係使通過第一基礎構造之第一光束的 2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使第三光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。第一基礎構造，係使通過第一基礎構造的第一光束及第三光束，以波面呈略對齊狀態而射出；使通過第一基礎構造的第二光束，以波面不是呈對齊狀態而射出的光程差賦予構造，較爲理想。又，第一基礎構造，係使通過第一基礎構造之第二光束之繞射角，異於第一光束及第三光束之繞射角的光程差賦予構造，較爲理想。又；，第一基礎構造的光軸方向之階差量，係爲能夠對第1光 . 束賦予第1波長之約2波長份的光程差’對第2光束賦予 ^ 第2波長之約1 ·2波長份的光程差，對第3光束賦予第3 波長之約1波長份的光程差的此種階差量’較爲理想。又，第二基礎構造，係爲使通過第二基礎構造之第〜光束的0次（穿透光）的繞射光量會大於其他任何次數之_ 射光量，使第二光束的0次（穿透光）的繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量’使第三光束的±1次繞射光量會大 -42 - 200809826 (39) 於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。第二基礎構造，係使通過第二基礎構造的第一光束及第二光束，以波面呈略對齊狀態而射出；使通過第二基礎構造的第三光束，以波面不是呈對齊狀態而射出的光程差賦予構造，較爲理想。又，第二基礎構造，係爲使通過第二基礎構造之第三光束之繞射角，異於第一光束及第二光束之繞射角的光程差賦予構造，較爲理想。又，第二基礎構造的光軸方向之階差量，係爲能夠對第1光束賦予第1波長之約5波長份的光程差，對第2光束賦予第2波長之約3波長份的光程差，對第3光束賦予第3波長之約2.5波長份的光程差的此種階差量，較爲理想。再者，第二基礎構造的形狀，係爲例如圖2(b)所示之二元狀之形狀，較爲理想。又，第二光程差賦予構造，係爲至少具有第一基礎構造、第五基礎構造或第六基礎構造之任一者的構造，較爲理想。此外，第二光程差賦予構造，係爲第一基礎構造、第五基礎構造及第六基礎構造之中的2者以上重疊而成的構成，較爲理想。當第二光程差賦予構造是至少具有第一基礎構造時’由於具有和弟一光程差賦予構造相同的基礎構造，因而設計較爲容易，故較爲理想。第五基礎構造，係使通過第五基礎構造之第一光束的 1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使第三光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。又’第五基礎構造的光軸方向之階差量 -43- (40) (40)200809826 ，係爲能夠對第1光束賦予第1波長之約1波長份的光程差，對第2光束賦予第2波長之約0.6波長份的光程差，對第3光束賦予第3波長之約〇.5波長份的光程差的此種階差量，較爲理想。第六基礎構造，係使通過第六基礎構造之第一光束的 3次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使第二光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使第三光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。又，第六基礎構造的光軸方向之階差量，係爲能夠對第1光束賦予第1波長之約3波長份的光程差，對第2光束賦予第2波長之約1 .9波長份的光程差，對第3光束賦予第3波長之約1 .6波長份的光程差的此種階差量，較爲理想。當接物光學元件係爲塑膠透鏡時，第一光程差賦予構造，係爲將三種基礎構造重合而成的三重重疊構造，較爲理想。更具體而言，除了第一基礎構造和第二基礎構造，再加上第三基礎構造、第四基礎構造、或第七基礎構造予以重合而成的三重重疊構造，較爲理想。更理想爲，除了第一基礎構造和第二基礎構造，還加上重合了第三基礎構造而成之構造。此外，第三基礎構造，係使通過第三基礎構造之第一光束的1 〇次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使第二光束的6次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量’使第三光束的5次繞射光量會大於其他任何次數之繞 -44- 200809826 (41) 射光量的光程差賦予構造。第三基礎構造的光軸方向之階差量，係爲能夠對第1光束賦予第1波長之約1 0波長份的光程差’對第2光束賦予第2波長之約6波長份的光程差，對第3光束賦予第3波長之約5波長份的光程差的此種階差量，較爲理想。又，第四基礎構造，係爲使通過第 ” 四基礎構造之第一光束的5次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量’使第二光束的3次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使第三光束的3次及2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。此外，於第三光束中，3次繞射光量，是若干大於2次繞射光量 ’較爲理想。第四基礎構造的光軸方向之階差量，係爲能夠對第1光束賦予第1波長之約5波長份的光程差，對第 2光束賦予第2波長之約3波長份的光程差，對第3光束賦予第3波長之約2.5波長份的光程差的此種階差量，較爲理想。第七基礎構造，係使通過第七基礎構造之第一光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使第 / 二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，：使第三光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。第七基礎構造的光軸方向之階差量 ’係爲能夠對第1光束賦予第1波長之約2波長份的光程差’對第2光束賦予第2波長之約i .2波長份的光程差，對第3光束賦予第3波長之約1波長份的光程差的此種階差量，較爲理想。又，第三基礎構造、第四基礎構造及第七基礎構造，係在溫度上升，使得第一光源、第二光源及 -45- 200809826 (42) 第三光源的波長變長之際，具有使球面像差降低（under)的機能；藉此，可使隨著溫度上升時塑膠之折射率降低而導致之球面像差的過度（over)獲得補償，可獲得良好的球面像差。此外，相較於第三基礎構造，第四基礎構造或第七 ~ 基礎構造比較能使階差的深度設計成較淺。又，第三基礎 ” 構造、第四基礎構造及第七基礎構造，係被設在異於第一基礎構造、第二基礎構造、第五基礎構造及第六基礎構造的母非球面（基礎面）上，較爲理想。第三基礎構造、第四基礎構造及第七基礎構造，係對入射光束賦予上述光程差，並且第三基礎構造、第四基礎構造及第七基礎構造是被設置在，以盡量不會影響入射光束之方向的方式而被設定的母非球面（基礎面）上，較爲理想。甚至，第三基礎構造、第四基礎構造及第七基礎構造係在和光軸正交方向上從光軸離開，往光學元件的內側咬入，以某處爲交界，又從光軸離開’朝向光學元件外側之構造，較爲理想。（亦即，漸漸越來越深，但是到了某處交界就變淺的構造，較爲：理想。）又，當接物光學元件係爲塑膠透鏡時，第二光程差賦 - 予構造，係第一基礎構造、第五基礎構造或第六基礎構造之任一者以外，加上重疊了第三基礎構造、第四基礎構造或第七基礎構造之任一者而成的構造，較爲理想。理想爲，設計成將第一基礎構造和第四基礎構造重合而成的構造〇甚至，當接物光學元件爲塑膠透鏡時，具有著具有第 -46- 200809826 (43) 三光程差賦予構造的最周邊領域，較爲理想。此時，第三光程差賦予構造，係爲至少具有第三基礎構造、第四基礎構造或第七基礎構造之任一者的構造，較爲理想。理想爲，具有第四基礎構造之構造。 ^ 因此，當接物光學元件爲塑膠透鏡時，第一光程差賦 • 予構造，係設計成三種類的基礎構造重合而成之三重重疊構造；第二光程差賦予構造，係設計成二種類的基礎構造重合而成之二重重疊構造；第三光程差賦予構造，係僅具有一種基礎構造的樣態，是理想樣態之一。其次，當接物光學元件，是由玻璃透鏡或非熱變樹脂所成之透鏡時，第一光程差賦予構造，係爲僅將第一基礎構造和第二基礎構造重合而成之構造，較爲理想。又，當接物光學元件係爲玻璃透鏡或非熱變樹脂所成之透鏡時，第二光程差賦予構造，係第一基礎構造、第五基礎構造或第六基礎構造之任一者以外，加上重疊了第三基礎構造、第四基礎構造之任一者而成的構造，較爲理想：。理想爲，設計成將第一基礎構造和第四基礎構造重合而：成的構造。甚至，當接物光學元件係爲玻璃透鏡或非熱變樹脂所成之透鏡時，具有屬於折射面的最周邊領域，較爲理想。又，當接物光學元件爲塑膠透鏡時，第一光程差賦予構造係爲具有階差的同心圓狀輪帶構造，第一光程差賦予構造的階差量，係具有以下的dA，dB，dC, dD當中至少2 種類的階差量，較爲理想。 -47- 200809826 (44) 0.9 · { 15λ Β/(η·1)-2λ B，/(n，-l)} < dA(// πι)< 1·5 · { 15 λ Β/(η-1)-2 λ Β，/(η，-1) } (17) 〇·9· {5λΒ/(η-1) + 2λΒ，/(η，-1)} <dB(//m)<1.5· { 5 λ Β/(η-1) + 2 λ Β，/(η，-1) } (18) 0.9· 5AB/(n-l)<dC(/zm)<1.5· 5λΒ/(η-1) (19) 〇·9· {5λΒ/(η-1)-2λΒ，/(η，-1)} <dD(//m)<1.5· { 5 λ Β/(η-1)-2 λ Β，/(η，-1) } (20) 此外、上記式（17)若爲下式（17，）則較爲理想。 0 95 · {15λΒ/(η-1)-2λΒ，/(η，-1)} <dA(//m)<1.4· { 15 λ Β/(η-1)-2 λ B，/(n，-l) } (17，）又，上記式（I7)若爲下式（17，，）則更爲理想。 1·0· { 15λ Β/(η-1)-2λ B’/(n’-l)} s dA(/z m)< 1.3 · { 1 λΒ/(η-1)-2 入 B’/(n’-l)} (17，，) 此外、上記式（18)若爲下式（18，）則較爲理想。 0·95 · { 5 λ Β/(η-1) + 2 λΒ，/(η，-1)} <dB(//m)<i.4· { 5 λ Β/(η-1) + 2 λ Β，/(η，-1) } (18，）又，上記式（1 8 )若爲下式（1 8，，）則更爲理想。 -48- 200809826 (45) 1.0 · {5λΒ/(η·1) + 2λΒ，/(η，-1)} ^ dB( // m) < 1.4 { 5 λ Β/(η-1) + 2 λ Β，/(η，-1) } 此外、上記式（19)若爲下式（19’）則較爲理想。 (19，） • 0.95 · 5 λ Β/(η- 1 ) < d C ( // m) < 1.4 · 5 λ B/(n- 1 ) 又，上記式（19)若爲下式（19”）則更爲理想。 (19，，） 1.0· 5 λ B/(n-l) ^ dC( // m) < 1 .3 · 5 λ Β/(η-1) 此外、上記式（20)若爲下式（20’）則較爲理想。 0.95 · {5λΒ/(η-1)-2λΒ，/(η，-1)} <dD(//m)<1.4 (20，） { 5 λ Β/(η-1)-2 λ B，/(n，-l) } ：又，上記式（20)若爲下式（20”）則更爲理想。飞 1.0· {5AB/(n-l)-2AB，/(n，-l)}$dD(/zm)<1.3· (20，，） Β’係表係表示 Β，下的 { 5 λ Β/(η-1)-2 λ B，/(n，-l) } 其中，λ Β係表示第一光束的設計波長（// m)。λ 示 0.390(/zm)以上、0.410(// m)以下之任意値。η 波長λ Β下的光學元件之折射率。η ’係表示波長λ 49- 200809826 (46) 光學元件之折射率。此外，爲了說明上方便，λ B係當設計波長不明時，就視爲被搭載於光拾取裝置中之第一光源的波長（# πι)，亦即，視爲和使用波長相同。又，；I Β’係爲0.3 90( // m) 以上、0 · 4 0 5 (// m)以下之任意値，較爲理想。更理想則一爲，λΒ’係爲 0.390 (//m)以上、〇.400(//m)以下之任意値此外，所謂階差量，係指光程差賦予構造的階差的光軸方向之長度。例如當光程差賦予構造係如圖1 2所示構造的情況下，所謂的階差量，係指d 1、d2、d3、d4各個長度。所謂「第一光程差賦予構造之階差量，係具有以下 dA，dB，dC，dD當中至少2種類之階差量」，係指第一光程差賦予構造的所有階差當中至少1個階差X的階差量係滿足dA、dB、dC、dD之任1者，至少另一階差y的階差量是滿足dA、dB、dC、dD之任一，且異於階差X。第一光程差賦予構造的所有階差中，不具有dA、dB ；、dC、dD以外的階差量，較爲理想。又，站在模具製造 . 容易、模具轉印性良好的觀點來看，階差的階差量不要過大，較爲理想。因此，於第一光程差賦予構造的所有階差中，不具有dC和dD以外的階差量，則更爲理想。又，在設計本發明所論之光學元件時，可考慮如以下方法來設計。首先，設計具有輪帶狀構造的光程差賦予構造亦即基礎構造。其次，設計另一基礎構造，其所具有的輪帶狀構造，是異於該當基礎構造，對某光束之繞射光率 -50- 200809826 (47) 爲最大之繞射次數是不同的。然後，將這2個（也可3個以上）基礎構造加以重疊，以設計第一光程差賦予構造或第二光程差賦予構造。以此種方法設計時，有可能產生狹距寬很小的輪帶。例如，若將圖1 4 ( a)所示之基礎構造和 * 圖14(b)所示之基礎構造重合，則會獲得圖14(c)所示的光 - 程差賦予構造。可是在此其中，會產生圖1 4 (c)中標示爲

Wa的狹距寬甚小的輪帶。此外，所謂的狹距寬，係指輪帶構造的，和光學元件之光軸正交方向的寬度。例如當光程差賦予構造係如圖1 2所示構造的情況下，所謂的狹距寬，係指wl、w2、w3、w4之各個長度。又，當光程差賦予構造係如圖1 3所示構造的情況下，所謂的狹距寬，係指w5、w6、w7、w8之各個長度。本發明人，經過深入硏究的結果發現到，若此Wa是 5 // m以下的輪帶，則即使將該輪帶刨除、塡平，對光學性能也不會造成太大影響。亦即，於圖14(c)中，若Wa係爲5 // m以下，則即使如圖14(d)所示，將此小狹距寬的輪 : 帶刨除，也不會對光學性能造成太大影響。 Λ . 又，站在模具製造容易、模具轉印性良好的觀點來看 I ，階差的狹距寬不要過小，較爲理想。因此，在設計將複數基礎構造重疊來作爲基礎的光程差賦予構造之際，當發生狹距寬爲5 // m以下之輪帶時，則將此種狹距寬爲5 // m 以下之輪帶去除，以獲得最終的光程差賦予構造，較爲理想。當狹距寬爲5 // m以下之輪帶爲凸狀時，則將輪帶刨除而加以去除即可；當狹距寬爲5 // m以下之輪帶爲凹狀 -51 - 200809826 (48) 時，則將輪帶塡平而加以去除即可。因此，至少第一光程差賦予構造的狹距寬係全部大於 5 // m，較爲理想。理想爲，第一光程差賦予構造、第二光程差賦予構造及第三光程差賦予構造的所有的狹距寬’都大於5 // m。又，如前述，階差量不要過大，較爲理想。本發明人，經過深入硏究的結果，發現以下事實。當將基礎構造複數重合所得之作爲基礎的光程差賦予構造的某一輪帶之階差量是高於基準値時，藉由將輪帶的階差量降低1〇· λ B/(n-l)( // m)，就可不影響光學性能，減少過大的階差量。此外，作爲基準値，雖可設定任意的値，但理想係以 10· λΒ/(η·1)(//πι)爲基準値，較爲理想。又，站在細長輪帶越少則在製造上越爲理想的觀點來看，於第一光程差賦予構造的所有輪帶當中，（階差量/ 狹距寬）的値爲1以下較理想，更理想則爲〇· 8以下。更理想爲，所有光程差賦予構造的所有輪帶當中，（階差量/ 狹距寬）的値均爲1以下較爲理想，更理想則均爲〇·8以下〇令對第1光碟再生及/或記錄資訊所必須之接物光學元件的像側開口數爲N A 1，令對第2光碟再生及/或記錄資訊所必須之接物光學元件的像側開口數爲NA2(NA1 g NA2)，令對第3光碟再生及/或記錄資訊所必須之接物光學元件的像側開口數爲NA3(NA2 > NA3)。NA1係爲〇·8 以上、〇 · 9以下，或者0.5 5以上、0.7以下，較爲理想。 -52- 200809826 (49) 尤其是ΝΑΙ係爲0·85，較爲理想。NA2係爲0·55以上、 0.7以下較爲理想。尤其是ΝΑ2係爲0.60，較爲理想。又，ΝA3係爲0.4以上、0.55以下較爲理想。尤其是ΝΑ3係爲0.4 5或0.5 3，較爲理想。 * 接物光學元件之中央領域和周邊領域的交界係被形成 ·' 在，於使用第三光束時，相當於0.9 · ΝΑ3以上、1.2 · ΝΑ3以下（更理想則爲0.95 · ΝΑ3以上、1 · 1 5 · ΝΑ3以下）之範圍的部份中，較爲理想。更理想爲，接物光學元件之中央領域和周邊領域的交界，係被形成在相當於N A 3的部份。又，接物光學元件之周邊領域和最周邊領域的交界係被形成在，於使用第二光束時，相當於0.9 · NA2以上、：I ·2 · NA2以下（更理想則爲0.95 · NA2以上、1.15 · NA2以下）之範圍的部份中，較爲理想。更理想爲，接物光學元件之周邊領域和最周邊領域的交界，係被形成在相當於NA2的部份。接物光學元件之最外周之外側的交界係被形成在，於使用第一光束時，相當於〇 · 9 · N A 1以上，·· 、1·2ΝΑ1 以下（更理想則爲 0.95· ΝΑ1 以上、1.15· ΝΑ3 ；以下）之軺圍的部份中’較爲理想。更理想爲，接物光學元件之最外周之外側的交界，係被形成在相當於N A i的部份。通過了接物光學元件之第三光束聚光在第3光碟之資訊記錄面上時，球面像差係至少具有1處不連續部，較爲理想。此時，不連續部係存在於，使用第三光束時，在 0·9 · NA3以上、1·2 · NA3以下（更理想則爲0·95 · NA3以 -53- 200809826 (50) 上、1.15· NA3以下）之範圍中，較爲理想。又，通過了接物光學元件之第二光束聚光在第2光碟之資訊記錄面上時也是，球面像差係至少具有一處不連續部，較爲理想。此時，不連續部係存在於，使用第二光束時，在0.9 · NA2 ” 以上、1.2 · NA2以下（更理想則爲0·95 · NA2以上、1.1 · 一 NA2以下）之範圍中，較爲理想。又，當球面像差爲連續、沒有不連續部時，且通過接物光學元件的第三光束聚光在第3光碟之資訊記錄面上時，則在NA2係縱球面像差之絕對値爲0.03 // m以上，且在NA3係縱球面像差之絕對値爲0.02// m以下，較爲理想。更理想則是在NA2係縱球面像差之絕對値爲0.0 8 // m 以上、且在NA3係縱球面像差之絕對値爲0.01 // m以下。又，當通過接物光學元件的第二光束聚光在第2光碟之資訊記錄面上時，則是在NA 1係縱球面像差之絕對値爲 0.03 // m以上，且在ΝΑ2係縱球面像差之絕對値爲0.005 /X m以下，較爲理想。 / 又，由於繞射效率係依存於繞射構造的輪帶深度，因：此隨著光拾取裝置的用途，對中央領域之各波長的繞射效率可做適宜設定。例如，對第1光碟進行記錄及再生，對第二、第三光碟僅進行再生的光拾取裝置的情況下，係將中央領域及/或周邊領域的繞射效率設定成重視第一光束，較爲理想。另一方面，對第1光碟僅進行再生，對第二、第三光碟進行記錄及再生的光拾取裝置的情況下，則是將中央領域的繞射效率設定成重視第二、第三光束，將周 -54- 200809826 (51) 邊領域的繞射效率設定成重視第二光束，較無論何種情況，藉由滿足下記條件式（] 各領域之面積加權平均所計算之第一光束的確保爲局。 η II ^ η 21 (11) 其中，τ?21係表示中央領域上的第一光束之 2 1係表示周邊領域上的第一光束之繞射效率中央領域的繞射效率設計成重視第二、第三，雖然中央領域的第一光束之繞射效率變低碟的開口數是大於第3光碟的開口數之情況一光束的有效口徑全體，則中央領域的繞射會帶來太大影響。此外，於本說明書中的繞射效率，係可: (1) 具有同一焦距、透鏡厚度、開口數，形成，未形成第一及第二光程差賦予構造之的穿透率，係區分中央領域、周邊領域來加，中央領域的穿透率係將入射至周邊領域的而進行測定；周邊領域的穿透率係將入射至束加以遮斷而進行測定。 (2) 具有第一及第二光程差賦予構造的接穿透率，是區分中央領域和周邊領域來加以丨 (3) 將上記（2)的結果用（1)的結果除算後爲理想。 [1)，就可藉由繞射效率能夠繞射效率，77 。此外，當將波長之光束時，但當第1光下，若考慮第效率降低並不定義如下。以同一材料所接物光學元件以測定。此時光束加以遮斷中央領域之光物光學元件的則定。的値，就是各 -55- 200809826 (52) 領域的繞射效率。又，亦可設計成，第一光束乃至第三光束之任二道光束的光利用效率係爲80%以上，且剩下一道光束的光利用效率爲30%以上、80%以下。亦可使剩下一道光束的光利 ' 用效率爲 40%以上、70%以下。此時，使光利用效率爲 ^ 30%以上、80%以下（或40%以上、70%以下）的光束，理想上係爲第二光束。此外，此處所謂光利用效率，係當藉由形成有第一光程差賦予構造及第二光程差賦予構造之接物光學元件（也可形成有第三光程差賦予構造）而在光碟之資訊記錄面上形成的聚光光點的光暈圓（Airy-disc)內的光量假設爲A; 藉由由同一材料所形成，且具有同一焦距、軸上厚度、開口數、波面像差，未形成第一光程差賦予構造、第二光程差賦予構造及第三光程差賦予構造的接物光學元件而在光資訊記錄媒體的資訊記錄面上所形成之聚光光點的光暈圓內之光量假設爲B時，藉由A/B所算出。此外，此處所謂 / 光暈圓，係指以聚光光點的光軸爲中心的半徑r’的圓。可 • 表不成 γ’ = 〇.61· Λ/ΝΑ。又’雖然於通過第一光程差賦予構造之第三光束當中，最大光量之繞射次數的繞射光之光量與其次大光量之繞射次數的繞射光之光量的差，亦即形成第一最佳焦點之繞射光的光量與形成第二最佳焦點之繞射光的光量的差，係爲〇%以上、20%以下時，尤其在第3光碟上的循軌特性要保持良好是有困難的，但是，本發明所論之形態，係即使 -56- 200809826 (53) 在此種狀況下，仍可維持良好的循軌特性。第一光束、第二光束及第三光束，係可爲平行光方式入射至接物光學元件，也可是以發散光或是收束光方式來入射至接物光學元件。理想爲，第一光束入射至接物光學元件時的接物光學元件的倍率m 1，係滿足下記式（2)。 -0.02 < m 1 < 0.02 (2) 另一方面’第一光束以發散光方式入射至接物光學元件時’第1光束入射至接物光學元件時的接物光學元件的倍率m 1，係滿足下記式（2，），較爲理想。 -0.!0< ml < 0.00 (2，）又’當使第二光束是以平行光或略平行光的方式入射至接物光學元件時，第二光束入射至接物光學元件時的接物光學元件的倍率m2，係滿足下記式（3)，較爲理想。 -0.02 < m2 < 0.02 (3) 另一方面，當使第二光束是以發散光方式入射至接物光學元件時，第二光束入射至接物光學元件時的接物光學元件的倍率m2，係滿足下記式（3，），較爲理想。 -57- (54) (54)200809826 -0.!0< m2 < 0.00 (3，）又，當使第三光束是以平行光或略平行光的方式入射至接物光學元件時，第三光束入射至接物光學元件之入射光束的倍率m3，係滿足下記式（4)，較爲理想。當第三光束是平行光時，雖然在循軌上容易產生問題，但本發明係即使第三光束爲平行光，仍可獲得良好的循軌特性，對3 種不同光碟可適切進行記錄及/或再生。 -0.02 < m3 < 0.02 (4) 另一方面，當使第三光束是以發散光方式入射至接物光學元件時，第三光束入射至接物光學元件時的接物光學元件的倍率m3，係滿足下記式（5)，較爲理想。 -0.!0< m3 < 0.00 (5) 又，當將接物光學元件設計成單枚塑膠透鏡時，即使稍微犧牲波長特性，也要使溫度特性維持良好，較爲理想。尤其是，波長特性和溫度特性能保持良好的平衡，較爲理想。更理想則是，使第1光碟進行記錄及/或再生之際的溫度特性保持良好。爲了滿足此種特性，滿足下記條件式（12)及（13)，較爲理想。 -58- (12) 200809826 (55) + 0.00045 ^ δ SATl/f(WFEA rms/(°C · mm)) ^ +0.0027 -0.045 ^ 5 SAA /f(WFEA rms/(nm · mm))^ -0.0045 ( 1 3 ) 其中，（5 SATI，係在使用波長（此時係假設沒有伴隨溫度變化之波長變動）下的第1光碟進行記錄及/或再生之際的接物光學元件的6 SA3/ 6 T。所謂使用波長，係指具有接物光學元件之光拾取裝置上所使用之光源的波長。理想上，使用波長係400nm以上、415nm以下之範圍的波長，且是可透過接物光學元件來進行第1光碟的記錄及/或再生之波長。當使用波長無法設定成如上述的情況下，則亦可把40 5 nm當成使用波長，求出接物光學元件的5 SAT 1及後述之6 SAT2、5 SAT3。亦即，（5 SAT1係指在使用波長 (無波長變動）下的第1光碟進行記錄及/或再生之際的接物光學元件的3次球面像差之溫度變化率（溫度特性）。此外，WFE係表示3次球面像差是以波面像差方式呈現。又， (5 SA λ係表示，在環境溫度恆定之狀況下，在使用波長下進行第1光碟之記錄及/或再生之際的5 SA3/ 5 λ。亦即，5 SA λ係指，在環境溫度恆定之狀況下，在使用波長下的第1光碟進行記錄及/或再生之際的接物光學元件的3 次球面像差之波長變化率（波長特性）。此外，環境溫度係爲室溫，較爲理想。所謂室溫，係爲l〇°C以上、40°C以下，理想係爲 2 5 °C。f係第一光束的使用波長（理想係 405nm)下的接物光學元件之焦距。 -59- 200809826 (56) 較理想則爲，滿足下記條件式（1 2 ’）。 + 0.00091 ^ δ SATl/f(WFEA rms/(°C · mm))^ +0.0018 (12，) 一更理想則爲，滿足下記條件式（12”）。 H-0.0013^ (5SATl/f(WFEArms/(°C · mm))^-f〇.〇〇i6 (12，，）理想爲，滿足下記條件式（12”’）。 | (5 SAT1 | (WFEA rms/°c 0.002 (12，，，）又，理想爲滿足下記條件式（1 3 ’）；更理想則爲滿足下記條件式（1 3 ”）。 -0.032 ^ 5 SAA /f(WFEA rms/(nm · mm))^ -0.009 1 ( 1 39) -0.015^ δ SAA /f(WFEA rms/(nm · mm))^ -0.011 (13”）又’理想爲滿足下記條件式（13”’），更理想則爲滿足下記條件式（1 3 ” ”。 (13，，，） 0.01 ^ I δ SA λ I (WFE λ rms/nm) <0.1 -60- 200809826 (57) 0.02S I dSAA I (WFE λ rms/nm) < 0.1 (13，，，，) 更詳言之’接物光學元件伴隨溫度變化之折射率變化所致之球面像差之變化，是可被伴隨溫度變化之第一波長 “ 的波長變化來補正，接物光學元件具有此種球面像差之波長依存性，較爲理想。理想爲，滿足以下條件式（1 4)。 0^ δ SAT2/f(WFEA rms/(°C · mm))^ +0.00136 (1 4) 其中，δ SAT2，係表示在使用波長（伴隨溫度變化之波長變動爲〇.〇5nmrc)下的第1光碟進行記錄及/或再生之際的前記接物光學元件之5 SA3/ 5 T。亦即，5 SAT2，係指在使用波長（伴隨溫度變化之波長變動爲〇.〇5nmTC ) 下的第1光碟進行記錄及/或再生之際的接物光學元件的3 次球面像差之溫度變化率（溫度特性）。較理想則爲，滿足下記條件式（1 4 ’）。〇 ^ J SAT2/f(WFE λ rms/fC · mm)) $ +0.00093 ( 1 4，）更理想則爲，滿足下記條件式（14”）° + 0.0007 ^ δ SAT2/f(WFEA rms/(°C · mm)) ^ +0.0009 -61 - (14，，） 200809826 (58) 又’光拾取裝置的聚光光學系是具有準直透鏡等耦合透鏡，該耦合透鏡係爲塑膠透鏡時，則滿足以下條件式 (15)較爲理想。 0^ δ SAT3/f(WFEA rms/(°C · mm))^ +0.00091 ( 1 5) w - 其中’ 6 SAT3，係表示在使用波長（伴隨溫度變化之波長變動爲0.05nm/°C)下的第1光碟進行記錄及/或再生之際的’包含耦合透鏡和接物光學元件之光學系全體的5 SA3/ 5 T。亦即’ 5 SAT3，係指在使用波長（伴隨溫度變化之波長變動爲〇.〇5nm/°C )下的第1光碟進行記錄及/或再生之際的光學系全體之3次球面像差之溫度變化率（溫度特性）〇較理想則爲，滿足下記條件式（1 5，）。 0^ δ SAT3/f(WFEA rms/(°C · mm))^ +0.00045 ( 1 55) ; 較理想則爲，滿足下記條件式（15”）。 + 0.00005 ^ δ SAT3/f(WFEA rms/(°C · mm)) ^ +0.0003 (15，，）如上述記載’藉由稍微減損波長特性，可獲得溫度特性上優異的接物光學元件。關於波長特性，有鑑於光源振 -62- (59) (59)200809826 盪波長的參差，藉由選定振盪波長是適合於接物光學元件的光源，亦即，藉由選擇振盪波長是接近基準波長的光源，就可使波長參差帶來的不良影響，被抑制在某種程度。於是，將上述此種接物光學元件，和經過嚴密挑選振盪特性的光源進行組合，藉此就可提供低成本且構造簡單之光拾取裝置。又，因爲可將設計波長彼此互異之上述接物光學元件事先準備複數種類，所以只要令其對應於光源振盪波長之參差，來將該光源和適切設計波長的接物光學元件進行組合，就可提供低成本且構造簡單的光拾取裝置。更具體而言，光拾取裝置之製造方法，係具有：將如上述溫度特性優異之接物光學元件，隨應於光程差賦予構造之式樣而分成複數群組的步驟；和隨應於所欲使用之光源的振盪特性，來選擇任一群組之接物光學元件的步驟；和將光源、和所選定之接物光學元件加以組合之步驟，較爲理想。例如，具有振盪波長是對基準波長往正側偏移之光源所合適之光程差賦予構造的接物光學元件的群組、具有振盪波長是接近基準波長之光源所合適之光程差賦予構造的接物光學元件的群組、具有振盪波長是對基準波長往負側偏移之光源所合適之光程差賦予構造的接物光學元件的群組等，準備複數組在光程差賦予構造之式樣上改變的接物光學元件，先測定要使用之光源的振盪波長，然後才從最適合其的群組中選定接物光學元件透鏡而加以組合，藉此就可提供，即使發生溫度變化，仍可適切進行資訊記錄及 -63- 200809826 (60) /或再生的光拾取裝置。又，對這些群組，分別施以隨著接物光學元件而不同的識別標記，較爲理想。此外’所謂「光程差賦予構造之式樣不同」，雖然係指例如將繞射構造的設計波長設計成不同，但是並非受限於此。又，所謂 ^ 「振盪特性」係包含振盪波長的實測値或參差。 - 又，在適用如上述此種光拾取裝置之製造方法時，在檢查已製造之光拾取裝置的出貨批次時，係滿足下記條件式（16)較爲理想。 (16) σ SA3 ^ σ λ * δ SA3 λ 其中，σ SA3( λ rms)係表示，於光拾取裝置的出貨批次中，各個光拾取裝置上，光源在基準溫度、基準輸出振盪時的波長下的，光拾取裝置之含接物光學元件的聚光光學系 (從光源至資訊記錄面）的3次球面像差SA3的標準偏差。又，¢7 λ (nm)係表示光拾取裝置之出貨批次中所含之，光源在基準溫度、基準輸出下的振盪波長之標準偏差。又， 5 SA3 λ all( λ rms/nm)係表示，光拾取裝置之出貨批次中所含之，包含接物光學元件的聚光光學系（從光源至資訊記錄面）的3次球面像差的波長依存性。此處回到接物光學元件的說明。接物光學元件，是藉由具有溫度特性補正構造，而滿足上記條件式（1 2)乃至 (1 5) ’較爲理想。例如，當第一光程差賦予構造，是至少具有第三基礎構造、第四基礎構造或第七基礎構造之構造 -64- 200809826 (61) 的時候，滿足上記條件式（1 2)乃至（1 5 )，是因爲可不必進行複雜的光學元件設計就能實現，而爲理想。又，即使當第二光程差賦予構造是至少具有第三基礎構造、第四基礎構造或第七基礎構造之任一者的情況下，滿足上記條件式（12)、（12，）、（13)、（13，）、（13”）、（14)、（14，）、（15) • 、（ 1 5 ’），是因爲可不必進行複雜的光學元件設計就能實現，而爲理想。又，當接物光學元件，是在周邊領域的周圍 ’具有有第三光程差賦予構造的最周邊領域，且第三光程差賦予構造是至少具有第三基礎構造、第四基礎構造或第七基礎構造之任一者的構造時，滿足上記條件式（1 2)、 (12，）、（13)、（13，）、（13，，）、（14)、（14，）、（15)、（15，），也是因爲可不必進行複雜的光學元件設計就能實現，而爲理想。又’對第一光束的接物光學元件之像側開口數（να)爲〇·8以上、0.9以下時，滿足上記條件式（12)、（12，）、（13) 、（13’）、（13’’）、（14)、（14’）、（15)、（15，）之記得效果會更爲顯著。：又，使用第3光碟之際的接物光學元件的行走距離 (WD)，係爲0.20mm以上、1 .5mm以下，較爲理想。更理想爲，〇.3mm以上、1.00mm以下。其次，使用第2光碟之際的接物光學元件的WD，係爲0.4mm以上、0.7mm以下，較爲理想。再者，使用第1光碟之際的接物光學元件的 WD，係爲〇.4mm以上、〇.9mm以下（tl < t2時則爲 0.6mm以上、0.9mm以下），較爲理想。 -65- 200809826 (62) 接物光學元件的入射瞳徑，在使用第1光碟之際，係爲Φ 2.8mm以上、Φ 4.5mm以下，較爲理想。本發明所述之光資訊記錄再生裝置’係有具有上述光拾取裝置的光碟驅動裝置。 * 此處，若關於光資訊記錄再生裝置中所具備之光碟驅 - 動裝置加以說明，則光碟驅動裝置中係分成：從收納著光拾取裝置等之光資訊記錄再生裝置本體中，僅有可保持搭載著光碟的狀態的托盤被送往外部取出的方式；和收納著光拾取裝置等之光碟驅動裝置本體整個被送往外部取出的方式。採用上述各方式的光資訊記錄再生裝置中，雖然已經裝備有以下的構成料件，但並非侷限於此。被收納在殼體等之光拾取裝置、使光拾取裝置連同殼體整個往光碟的內周或外周移動的搜尋馬達等之光拾取裝置的驅動源、具有使光拾取裝置的殼體朝向光碟的內周或外周而導引的導引軌等的光拾取裝置之移送手段，及進行光碟旋轉驅動的轉 .· 軸馬達等。：在前者的方式時，係除了這些各構成料件以外，設有可保持搭載著光碟的狀態的托盤及令托盤折動用的裝載機構等；在後者的方式時則無托盤及裝載機構，而是設置使各構成料件能被拉出外部之相當於台架的抽屜，較爲理想〇

若依據本發明，則可用簡單且低成本之構成，對不同 3種光碟（例如使用藍紫色雷射光源的高密度光碟和^ VD -66 - 200809826 (63) 和CD之3種光碟），用一個接物光學元件就能適切進行資訊記錄及/或再生。此外，於3種不同光碟當中，即使全都使用無限系之光學系的情況下，仍可保持循軌正確性、尤其是進行第3光碟之記錄及/或再生之際的循軌正確性 ’可提供此種光拾取裝置、接物光學元件及光資訊記錄再生裝置。甚至，可提供一種，以單枚接物光學元件，就對不同之3種光碟，適切進行資訊記錄及/或再生的光拾取裝置、接物光學元件及光資訊記錄再生裝置。甚至，可以提供一種，即使作爲接物光學元件是使用塑膠透鏡，仍可有良好溫度特性，對3種類光碟仍可適切進行資訊記錄及 /或再生的光拾取裝置、接物光學元件及光資訊記錄再生裝置。〔實施例〕以下，參照圖面來說明本發明的實施形態。圖3係可對不同光碟也就是BD、DVD、CD能適切進行資訊記錄及 /或再生的本實施形態之光拾取裝置PU 1之構成的槪略圖示。所述之光拾取裝置PU 1，係可搭載在光資訊記錄再生裝置中。此處是令第1光碟爲BD、第2光碟爲DVD，第 3光碟爲CD。此外，本發明係並非受限於本實施形態。光拾取裝置PU1係具有：接物光學元件OBJ、光圏 ST、準直透鏡CL、偏光雙色稜鏡PPS、對BD進行資訊記錄/再生時會發光而射出波長4〇5nm的雷射光束（第一光束 )的第一半導體雷射LD1(第一光源）、和接受來自BD的資 -67- 200809826 (64) 訊記錄面RL1之反射光束的第一受光元件PD1、和雷射模組LM等。又，雷射模組LM係具有：對DVD進行資訊記錄/再生時會發光而射出波長65 8nm的雷射光束（第二光束）的第 ^ 二半導體雷射EP1 (第二光源）、和對CD進行資訊記錄/再一生時會發光而射出波長7 8 5nm的雷射光束（第三光束）的第三半導體雷射EP2(第三光源）、和接受來自DVD的資訊記錄面RL2之反射光束的第二受光元件DS1、和接受來自 CD的資訊記錄面RL3之反射光束的第三受光元件DS2、和稜鏡P S。如圖1及圖4所示，於本實施形態之接物光學元件 OBJ中，光源側的非球面光學面上含有光軸的中央領域 CN、和配置在其周圍的周邊領域MD、和再配置在其周圍的最周邊領域0T，是被形成爲以光軸爲中心的同心圓狀。此外，圖1及圖4的中央領域、周邊領域、最周邊領域之面積等之比率係並非被正確地圖示。 ; 從藍紫色半導體雷射 LD1射出之第一光束（λ . l=405nm)的發散光束，係穿透偏光雙色稜鏡PPS，被準直透鏡CL轉變成平行光束後，藉由未圖示之1/4波長板從直線偏光轉換成圓偏光，被光圈ST限制其光束徑，藉由接物光學元件OBJ而隔著厚度0.0875mm之保護基板，在 BD的資訊記錄面RL1上形成光點。在資訊記錄面RL 1上經由資訊位元調變過的反射光束，係再次穿透接物光學元件OBJ、光圈ST後，藉由未圖 -68- 200809826 (65) 示之1 /4波長板從圓偏光轉換成直線偏光，藉由準直透鏡 CL而成爲收斂光束，穿透偏光雙色稜鏡PPS後，收束在第一受光元件PD1的受光面上。然後，使用第一受光元件 PD1的輸出訊號，藉由2軸致動器AC來使接物光學元件 OBJ對焦或循軌，就可讀取被記錄在BD中的資訊。 ^ 從紅色半導體雷射EP1射出之第二光束U 2 = 65 8nm) 的發散光束，係被稜鏡PS反射後，被偏光雙色稜鏡PPS 反射，被準直透鏡CL轉變成平行光束後，藉由未圖示之 1 /4波長板從直線偏光轉換成圓偏光，入射至接物光學元件OBJ。此處，被接物光學元件OBJ之中央領域和周邊領域所聚光（通過最周邊領域之光束係被眩光化，形成光點周邊部）的光束，係隔著厚度〇.6mm的保護基板PL2，成爲被形成在DVD的資訊記錄面RL2上的光點，形成光點中心部。在資訊記錄面RL2上經由資訊位元調變過的反射光束，係再次穿透接物光學元件OBJ、光圈ST後，藉由未圖 / 示之1 /4波長板從圓偏光轉換成直線偏光，藉由準直透鏡： CL而成爲收斂光束，被偏光雙色稜鏡PPS反射後，其後，在稜鏡內被反射2次後，收束至第二受光元件DS1。然後，使用第二受光元件DS 1的輸出訊號，就可讀取被記錄在DVD中的資訊。從紅外半導體雷射EP2射出之第三光束（；l 3 = 7 8 5nm) 的發散光束，係被稜鏡PS反射後，被偏光雙色稜鏡PPS 反射，被準直透鏡CL轉變成平行光束後，藉由未圖示之 -69- 200809826 (66) 1 /4波長板從直線偏光轉換成圓偏光，入射至接物光學元件OJT。此處，被接物光學元件OBJ之中央領域所聚光（通過周邊領域及最周邊領域之光束係被眩光化，形成光點周邊部）的光束，係隔著厚度1.2mm的保護基板PL3，成 ” 爲被形成在CD的資訊記錄面RL3上的光點。 — 在資訊記錄面RL3上經由資訊位元調變過的反射光束，係再次穿透接物光學元件OBJ、光圈ST後，藉由未圖示之1 /4波長板從圓偏光轉換成直線偏光，藉由準直透鏡 CL而成爲收斂光束，被偏光雙色稜鏡PPS反射後，其後，在稜鏡內被反射2次後，收束至第三受光元件DS2。然後，使用第三受光元件D S 2的輸出訊號，就可讀取被記錄在CD中的資訊。從藍紫色半導體雷射LD1出射之第一光束是以平行光束入射至接物光學元件OB】時，中央領域的第一光程差賦予構造、周邊領域的第二光程差賦予構造及最周邊領域，係將第一光束之球面像差予以適切補正，對保護基板厚度 ; 11的B D可適切進行資訊記錄及/或再生。又，從紅色半導：體雷射EP1出射之第二光束是以平行光束入射至接物光學元件OBJ時，中央領域的第一光程差賦予構造、周邊領域的第二光程差賦予構造，係適切地補正起因於BD和DVD 之保護基板厚度差異及第一光束和第二光束之波長差異而產生的第二光束之球面像差，最周邊領域係使第二光束在 DVD的資訊記錄面上變成眩光，因此對保護基板厚度t2 的DVD可適切進行資訊記錄及/或再生。又，從紅外半導 -70- 200809826 (67) 體雷射EP2出射之第三光束是以平行光束入射至接元件OBJ時，中央領域的第一光程差賦予構造，係補正起因於BD和CD之保護基板厚度差異及第一第三光束之波長差異而產生的第三光束之球面像差 h 領域的第二光程差賦予構造及最周邊領域係使第三 - CD的資訊記錄面上成爲眩光，因此對保護基板厚β CD可適切進行資訊記錄及/或再生。又，中央領域光程差賦予構造，係使記錄再生時所用之第三光束光的聚光光點、和第三光束的多餘光的聚光光點，切的距離，藉此，在使用CD之際的循軌特性也能好。再加上，周邊領域的第二光程差賦予構造，係光束及第二光束，因雷射製造誤差等理由而使波長波長偏移之際，可以補正其球色差（色球面像差）。 <實施例1〜3 > 其次，說明可使用上述實施形態的實施例。以例1〜3中，接物光學元件係爲單枚玻璃透鏡。接元件之光學面的中央領域CN之全面上，形成有第差賦予構造。光學面的周邊領域MD的全面上，係第二光程差賦予構造。光學面的最周邊領域0τ，球面的折射面。又，於實施例1〜3中，第一光程差賦予構造一基礎構造和第二基礎構造重疊而成之構造’是鋸射構造和二元構造所重疊而成之形狀。剖面形狀，物光學適切地光束和，周邊光束在 ί t3的的第一的必要離開適維持良對第一從基準下實施物光學一光程形成有係爲非係爲第齒狀繞係如圖 -71 - 200809826 (68) 2(c)所示之形狀。屬於鋸齒狀繞射構造的第一基礎構造，係被設計成，使第1光束的2次繞射光的光量大於其他任何次數（也包含〇次亦即穿透光）之繞射光的光量，使第2 光束的1次繞射光的光量大於其他任何次數（也包含0次 “ 亦即穿透光）之繞射光的光量，使第3光束的1次繞射光一的光量大於其他任何次數（也包含0次亦即穿透光）之繞射光量。又，屬於二元構造的第二基礎構造，係爲所謂的波長選擇繞射構造，係被設計成，使第1光束的0次繞射光 (穿透光）的光量大於其他任何次數繞射光的光量，使第2 光束的〇次繞射光（穿透光）的光量大於其他任何次數繞射光的光量，使第3光束的± 1次繞射光的光量大於其他任何次數（也包含0次亦即穿透光）之繞射光量。又，於實施例1〜3中，第一光程差賦予構造，係如圖2(c)所示，於中央領域的光軸側領域中，階差是由朝向光軸側的鋸齒狀構造和二元構造重疊而成；於中央領域的周邊領域側中，階差是由逆向於光軸側的鋸齒狀構造和二 :· 元構造重疊而成；在其間，設有爲了讓鋸齒狀構造之階差 . 的方向轉換所須之遷移領域。該遷移領域，係將被繞射構造附加至穿透波面之光程差以光程差函數表現時，會是相當於光程差函數出現極値之點的領域。此外，若光程差函數帶有出現極値的點，則光程差函數的斜率會變小，因此輪帶狹距可以變寬，可以抑制因繞射構造之形狀誤差所致之穿透率降低。於實施例1〜3中，第二光程差賦予構造，係將第一 72- 200809826 (69) 基礎構造和第四基礎構造重疊而成之構造，是將鋸齒狀的繞射構造和較爲粗大之鋸齒狀的繞射構造所重疊而成的形狀。此外，較細緻之鋸齒狀繞射構造上，階差是和光軸側方向相反；而較粗糙鋸齒狀之繞射構造上，階差是朝向光 ^ 軸側。剖面形狀，係如圖2(d)所示之形狀。屬於鋸齒狀繞 - 射構造的第一基礎構造，係被設計成，使第1光束的2次繞射光的光量大於其他任何次數（也包含〇次亦即穿透光）之繞射光的光量，使第2光束的1次繞射光的光量大於其他任何次數（也包含0次亦即穿透光）之繞射光的光量，使第3光束的1次繞射光的光量大於其他任何次數（也包含〇次亦即穿透光）之繞射光量。又，屬於粗糙鋸齒狀繞射構造的第四基礎構造，係被設計成，使第1光束的5次繞射光的光量大於其他任何次數繞射光的光量，使第2光束的 3次繞射光的光量大於其他任何次數繞射光的光量，使第 3光束的3次及2次繞射光的光量大於其他任何次數的繞射光量。此外，在圖2(c)及圖2(d)中，爲了容易理解，剖；面的形狀係被誇張描繪。 . 表1〜表1 8係圖示了透鏡資料。此外，以下當中，將 ’ 10的乘冪數（例如2·5χ10_3)，以E(例如2.5E-3)來表示。接物光學元件之光學面，係分別以在數1式中代入表中所示的係數而成之數式所規定之，在光軸周圍形成之軸對稱之非球面。 -73- 10 200809826 (70) 〔數1〕 X{h) (h2/r) l + )l-(l + /c)(A/r)2

此處，X(h)係光軸方向的軸（令光的行進方向爲正）， /C係圓錐係數、A2i係非球面係數，h係從光軸起算的高度〇又，藉由繞射構造而對各波長光束賦予之光路長，係在數2式的光路差函數中，代入表中所示之係數而成的數式所規定。〔數2〕

X dor X ^ C2ih2i 此外，λ係入射光束之波長、λ B係設計波長（炫耀化波長）、d 〇 r係繞射次數、C 2 i係光程差函數之係數。 <實施例1 > 以下表1〜表3中係圖示了實施例1的透鏡資料。又 ’圖5(a)、5(b)及5(c)中，圖示了實施例1的縱球面像差圖。縱球面像差圖的縱軸之1·〇，於BD中係表示ΝΑ0.8 5 -74- 200809826 (71) 或（D3.74mm;於DVD中係表示略大於NA0.60的値，或是略大於Φ 2.68mm的値；於CD中係表示略大於ΝΑ0.45 的値，或是略大於Φ 2.1 8mm的値。此外，於實施例1中，L = (K28mmo 因此，L/f = 0.28/2.42 = 0.116。 -75- 200809826 (72) 〔i〕 i —siw

i I 0 :cos LO2: ενζ iCQ寸·<Ν»πε J 0 :3e 09·0 :ooVM iooCNlc^=<NJ 0 : T s sood: T VN ioCNi.cvlHU ni(785nm) 1.582 1.571 di(785mn) 8 0.0( 02.18mm) 2.430 0.32 1.200 ni(658nm) 1.586 1 1.577 1____^ _ _ _____ di(658mn) 8 0.0( 02*68mra) 2.430 0.54 0.600 ni(405mn) 1.605 1.620 di(405nm) j 8 0.0( 03.74mm) 2.430 0.79 0.0875 ； 1.5795 1.5799 | 1.5804 | 1.5810 1.5793 1.5816 1.5374 | 一4.7732 | 8 8 第湎 o 1 1(光圈徑） (N rH 1 <M (M 1 03 00 1 CN3 寸 1 (M in 1 (M CO 1 <M 00 寸 to -76- 200809826

CO 1 03 1.224^ h ^1.262 | 一5·2196E—01 一1.0502E—02 1.2952E—02 2.6726E—03 3.8605E—03 | —3.5626G—03 | 1.3965E—03 8.5125E-05 一1.6888E—04 4.5316E—05 一4.4456E一06 2/1/1 395nm 一5.4912Ε-03 2.3942E—03 1.7081E —03 一8.9650E-04 2.6700E-04 03 1 <M 1.178^ h ^1.224 一5.1984E—01 —6.9971E—03 1.2950E—02 2.6726E—03 | 3.8605E —03 一 3.5626E — 03 1.3965E—03 | 8.5125E-05 一1.6888E—04 4.5316E —05 一 4·4456E - 06 2/1/1 395nm 一5.4912Ε-03 2.3942E—03 1.7081E—03 —8.9650E—04 2.6700E-04 rH 1 (M 1.117^ h ^1.178 一5.1735E—01 1 —3.4971E-03 1.2950E—02 2·6726Ε—03 ； 3.8605E—03 j 一 3.5626E — 03 1 1.3965E-03 J 8.5125E—05 1 一1.6888E—04 _1 4.5316E-05 一4.4456E—06 2/1/1 395nm 一5.4912Ε—03 2.3942E—03 1.7081E—03 一8.9650E-04 2.6700E-04 (N h SI.11:7 rH 平 CO 00 ΙΛ 1 〇 ω 〇〇〇 r Cz3 g σ> CSJ s "r ύύ CSJ (>3 s ?_ « s § 00 CO -3.5626E-03 1.3965E-03 丄 m CNJ LO 00 -1.6888E-i〇4 4.5316EH05 g μ CD IT) 寸 1 2/1/1： 395mu —5.4912Ε—03 2.3942E—03 1.7081E--03 -8.9650E-04 2.6700E-04 0/0/1: 785nm i g ΰ OO ¢3¾ ΙΛ s cL in CO 卜 1 -1.0009E-03 8.1423E—04 一2.4796E-04 m m 領域 Α0 A4 A6 1 _ AS - ί A10 1___A12_I A14 A16 1__A18_I A 20 親 m 1 CM 〇 1__C4__I CD 〇 00 〇 1_C10」截 m m i C4 CO 〇 00 〇 ! CIO 1 i 1 非球面係數 _1 光程差函數光程差函數 -77- (74)200809826

-78- 200809826 (75) <實施例2 > 以下表4〜表6中係圖示了實施例2的透鏡資料。又，圖6(a)、6(b)及6(c)中，圖示了實施例2的縱球面像差圖。縱球面像差圖的縱軸之1.0，於BD中係表示ΝΑ0.8 5 或Φ3·74ιηπι;於DVD中係表不略大於ΝΑ0.60的値，或 •’ 是略大於Φ 2.68mm的値；於CD中係表示略大於ΝΑΟ.45 的値，或是略大於Φ 2 · 1 2mm的値。此外，於實施例2中，L = 0.16mmo 因此，L/f = 0.16/2.36 = 0.068。 -79- 200809826 (76) cs〕

ο:εε ο:ΖΕ ο:τε 褂φ SKO :coVN09·0:<ΝΙνΜ sood: τ VN 嚭πϋ 曰曰 900·<ΝΙ=二 —00CS3CVJ=二昌 ο(νϊ·<νϊη^ffl«s盤微β ni(785nm) 1.582 1.571 di(785nm) 8 0.0( 02.12ram) 2.430 0.26 1.200 I ni(658nm) 1.586 1.577 di(658nm) 8 0.0( 02.68mm) 2.430 0.54 0.600 ni(405nm) s CD r—i 1.620 di(405nm) 8 0.0( 03.74mm) 2.430 | 0.79 0.0875 1.5810 | 1.5825 | 1.5820 1.5809 1.5808 1.5811 1.5316 -4.7543 8 8 第湎 o I 1(光圈徑） (M T-l 1 <M <M 1 (N CO 1 <N 寸 1 CM in 1 CV3 CO 1 CM 00 LO -80- 200809826(77) 〔vns CO I (M 1.239^ h ^1.272 —5.1724E—01 —1.0810E—02 1-3630E—02 I 2.1948Ε—03 3.9803E-03 —3.7498E-03 1.4932E — 03 7.7535E —05 一 1.6888E—04 | 4.5316E—05 一4.4456E-06 2/1/1 395nm 一5.5507E-03 2.6083Ε-03 1.6957Ε-03 一1.0148Ε—03 3.1382Ε—04 <M I w 1.197^ h ^1.239 ! 一5.1166E—01 一7.0033E—03 | 1.3630E—02 ί 2.1948Ε—03 ! 3.9803E-03 一 3.7498E-03 ! 1.4932E-03 | 7.7535E—05 ί 一1.6888E—04 丨 4.5316E-05 -4.4456E-06 2/1/1 395nm 一5.5507E—03 2.6083Ε—03 1.6957Ε—03 一1.0148Ε—03 3.1382Ε—04 I I 1.116^ h ^1.197 一5.0696E—01 一3.3441E—03 1.3630Ε—02 2.1948Ε-03 3.9803E-03 一3.7498E—03 1.4932E—03 7.7535Ε—05 一1.6888E-04 4.5316E—05 一4.4456E-06 2/1/1 395nra 一 5.5507E —03 2.6083Ε—03 1.6957Ε—03 一1.0148Ε—03 3.1382Ε—04 CV3 JO t-H Vil JC —5.0687EH01 0.0000Ε-Η00 1.3630Ε-102 S Γ Cz3 00 寸 2 CSJ S ?- Cs3 S 00 05 CO -3.7498E-03 1.4932E-103 Ί « LO CO LO 卜 Ί (±3 00 00 00 CO fH 1 4.5316E」05 —4·4456Ε-ι〇6 2/1/1： 395nm -5.5507Ε^03 2.6083Ε-03 1.6957Ε-03 —1·0148Ει〇3 3.1382Ε-104 0/0/1 785nm 1.0109E-02 r w £ LO 1 S "r § <D 00 rH I 1.5121E-T03 1 一 4.9017E-04 面編號 jg： A0 L Α4 1 A 6 L A 8 —」 1_A10_ J A12 1__A14 J A16 A18 | A 20 1 m Η m <Μ Ο C4 CO Ο 1_C8__I C10 繞射次數 m I C 2 C4 CO 〇 L C8 ] CIO Jpv 驅非球面係數光程差函數光程差函數 -81 - (78)200809826

C9S CO -1.4567E+01 | 0.0000E + 00 1.4319E—01 一1.3589E-01 8.5430E-02 —3.5356E-02 8.2999E - 03 一8.3293Ε-04 Ο.ΟΟΟΟΕ + ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΕ + ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΕ+ΟΟ CO I. (M 1.351^ h 一6.5466E—01 2.0102E—03 ! 1.2109E—02 6.8203E—04 1.8368E—03 | — 1.3166E—03 3.0609E—04 1 2.2270Ε—04 | —1.6894Ε —04 4.4386Ε—05 —4.3121Ε—06 LO 1 (N 1.316^ h ^1.351 | 一5.2211E—01 一1.8188E-02 1 1.3629E—02 2.1948E—03 | 3.9803E—03 -3.7498E-03 1.4932E — 03 7.7535Ε-05 一1.6888Ε—04 4.5316Ε—05 -4.4456Ε-06 2/1/1 395nm 一5.5507E—03 2.6083E-03 1.6957E—03 一1.0148E—03 3.1382E—04 寸 1 (M c〇 in VII Vii 00 rH —5.2032E-01 1 一1.4468E；—02 ί 1.3630¾ - 02 2.1948E-03 ι 3.9803E—03 j S T 00 CO 1 CO 1 CQ σ> 寸 rH LO 1 m co ΙΛ 卜卜 Τ 00 00 00 <〇 r—j 1 4.5316Ε-05 —4.4456Ε—06 2/1/11 ι§ 一5.5507E—03 2.6083E—03 1.6957E:—03 一 1.0148E—03 3.1382E-04 黯 m Vi Α0 A4 CO < L AS J A10 Α12 Α14 A16 A18 A 20 丨繞射次數1 m I (M 〇 C4 CO 〇 C8 C10 I inK 1 (M 〇 r.C4 Π CD Ο C8 1 cio jMy m 非球面係數光程差函數光程差函數 -82- 200809826 (79) <實施例3 > 以下表7〜表9中係圖示了實施例3的透鏡資料。又，圖7(a)、7(b)及7(c)中，圖示了實施例2的縱球面像差圖。縱球面像差圖的縱軸之1.0，於BD中係表示ΝΑ0.85 ” 或Φ 3.74mm ;於DVD中係表示略大於ΝΑΟ.60的値，或 • 是略大於Φ 2.68mm的値；於CD中係表示略大於ΝΑΟ.45 的値，或是略大於Φ 2.1 7 m m的値。此外，於實施例3中，L = 0.28mm。因此，L/f = 0.28/2.43 = 0.115。 -83- 200809826 (80 Ϊ議雲装糊〔®〕 ο:εε 0:3日 0:ΐ曰褂逛 92 :coVN 09·0 :CVIVN 900· 0 :thvn icorCVJnM iooCSJcsiHZ J _ο2·2ΗΙ«4Η®_δ 纏糊 β ni(785nm) 1.582 1.571 di(785nm) 8 0·0( 02.17mm) 2.370 0.36 1.200 ni(658nm) 1.586 1.577 di(658mn) OO 0.0( 02.68mm) 2.370 0.57 0.600 ni(405nm) 1.605 1.620 di(405nm) OO 〇.〇(03.74innt) 2.370 0.82 0.0875 1.5559 1.5627 | 1.5653 I 1.5643 1.5658 1 1.5648 | -5.1533 8 8 第湎〇丨1(光圈徑） (M t-H 1 (M (M 1 CM CO 1 (M 1 in 1 Cs3 CO 寸 in -84- 200809826

CO 1 OJ 1.218^ h ^1.278 一 5.2861E —01 一1.2687Ε—02 1.2538E-02 1·5730Ε—03 7.8213Ε—03 —6.6801Ε—03 2.5319E —03 一7.3283E-05 —1.6888E — 04 4.5316E —05 一4.4456E—06 2/1/1 I 395nm | 一4.2889E—03 I 1.6784E —03 2.4623E-03 一 1.1484E—03 3.0281E—04 CM 1 CM 1.179^ h ^1.218 一 5.2131E—01 一9.0884Ε—03 1.2538E—02 1.5730Ε—03 7.8213Ε—03 一6.6801Ε—03 2.5319E-03 | 一 7.3283E—05 —1.6888E —04 4.5316E-05 一 4.4456E —06 2/1/1 395nm -4.2889E-03 1.6784E—03 2.4623E —03 一 1.1484E —03 3.0281E—04 tH 1 CM 1.110^ h ^1.179 | 一5.2257E-01 | 一6.0616Ε-03 i 1.2538E—02 1 1.5730Ε-03 ! 7.8213Ε—03 —6.6801Ε—03 2.5319E-03 一7.3283E—05 一1.6888E—04 4.5316E-05 一 4.4456E —06 2/1/1 395nra 一 4.2889E — 03 1.6784E-03 2.4623E — 03 一 1.1484E—03 3.0281E—04 (M h ^1. lib 一 5.314(^^01 0.0000E-+J00 1.2538E-|02 1.5730Ε-Ϊ03 7.8213Ε-03 -6.6801Ε-Τ03 2.5319E-03 -7.3283E-05 -1.6888E-[04 4.5316E-f〇5 § ω CD ΙΟ 寸 1 395ηη j -4.2889E-t〇3 1.6784E-^03 2.4623E-i03 一1.1484E-03 3.0281E-04 0/0/1 785ηππ 1.6209E-02 -4.2084E~：04 ! -1.8779E-03 1.5357E-03 -4.6042Ε^04 躍 m 1 Vci AO A4 Α6 Α8 A10 A12 1__A14_I A16 1_A18_1 A 20 親 m I L. C2 | 1_C4__| C6 1__C8__1 CIO m Η i 1 <M Ο 1 C4 Ί C6 i_C8__I ! CIO 非球面係數光程差函數光程差函數 -85- 200809826(82) 〔8〕 CO -9.8372E+00 O.OOOOE+OO 1.4197E-01 一1.3547E—01 8.6460Ε-02 —3·5392Ε — 02 8.0551Ε - 03 -7.7385E — 04 O.OOOOE+OO 0.0000E+00 0.0000E + 00 ΙΟ 1 CQ 1.346^ h ! 一6.5475E—01 8.6537E—03 1.5782E-02 9.9623E-04 1.7248Ε-03 —1.3501Ε —03 3.0344Ε — 04 2.2480E-04 一1.6807E-04 4.4386E—05 -4.3584E-06 寸 1 <M 1.278^ h ^1.346 一5.3306E—01 一 1.9455E —02 1.2538E — 02 1.5730E—03 7.8213Ε—03 —6.6801Ε-03 2.5319Ε —03 一 7.3283E—05 I 一 1.6888E—04 ! 4.5316E—05 —4.4456E —06 2/1/1 395nm 一 4.2889E—03 1.6784E—03 2.4623E—03 -1.1484Β-03 3.0281Ε — 04 m m 陌 A0 L A4 [ CO < 1__Α8I Α10 A12 A14 A16 A18 A 20 謝次數 I CV3 ◦ 1__C4__I CO 〇 C8 C10 鎰 m $ C 2 C4 1 C6 1 C8 C10 驅非球面係數光程差函數光程差函數 •86- 200809826 (83) <實施例4 > 以下實施例4中，接物光學元件係爲單枚的聚烯的塑膠透鏡。接物光學元件之光學面的中央領域CN 面上’形成有第一光程差賦予構造。光學面的周邊 MD的全面上，係形成有第二光程差賦予構造。光學最周邊領域OT的全面上’係形成有第三光程差賦予〇又，於實施例4中，第一光程差賦予構造，係爲第一基礎構造、第二基礎構造以外，還加上重疊有第礎構造而成之構造，是由二種類的鋸齒狀繞射構造和構造所重疊而成之形狀。剖面形狀，係如圖8中CN 之部份。屬於鋸齒狀繞射構造的第三基礎構造，係被成，使第1光束的1 0次繞射光的光量大於其他任何5 也包含〇次亦即穿透光）之繞射光的光量，使第2光束次繞射光的光量大於其他任何次數（也包含0次亦即光）之繞射光的光量，使第3光束的5次繞射光的光於其他任何次數（也包含〇次亦即穿透光）之繞射光量一基礎構造的光軸方向之階差量，係爲能夠對第1光予第1波長之約2波長份的光程差，對第2光束賦予波長之約1.2波長份的光程差，對第3光束賦予第3 之約1波長份的光程差的此種階差量。第二基礎構造軸方向之階差量，係爲能夠對第1光束賦予第1波長 5波長份的光程差，對第2光束賦予第2波長之約3 份的光程差，對第3光束賦予第3波長之約2.5波長烴系之全領域面的構造除了三基二元所示設計欠數（ :的6 穿透量大。第束賦第2 波長的光之約波長份的 -87- 200809826 (84) 光程差的此種階差量。第三基礎構造的光軸方向之階差量，係爲能夠對第1光束賦予第1波長之約1 0波長份的光程差，對第2光束賦予第2波長之約6波長份的光程差，對第3光束賦予第3波長之約5波長份的光程差的此種階 p 差量。此外，第三基礎構造，係和第一基礎構造及第二基 • 礎構造，其作爲基準的母非球面是不同的。於實施例4中，第二光程差賦予構造，係如圖8之 MD所示，是將第一基礎構造和第四基礎構造重疊而成之構造，是由二種類之鋸齒狀繞射構造重疊而成的形狀。第四基礎構造的光軸方向之階差量，係爲能夠對第1光束賦予第1波長之約5波長份的光程差，對第2光束賦予第2 波長之約3波長份的光程差，對第3光束賦予第3波長之約2.5波長份的光程差的此種階差量。此外，第四基礎構造，係和第一基礎構造，其作爲基準的母非球面是不同的。此外，第一光程差賦予構造中的第三基礎構造和第二光程差賦予構造中的第四基礎構造，係爲連續設置。第一光 . 程差賦予構造中的第三基礎構造，係爲離光軸越遠則其深 ^ 度越深之構造；而從第一光程差賦予構造和第二光程差賦 ^ 予構造的交界起，這回則是第二光程差賦予構造中的第四基礎構造，係爲離光軸越遠則其深度越淺之構造。於實施例4中，第三光程差賦予構造，係如圖8之 OT所示，係爲僅具有第四基礎構造的構造，是僅有一種類鋸齒狀繞射構造的形狀。第三光程差賦予構造中的第四基礎構造，係並非在和光軸正交方向上從光軸離開，往光 -88- 200809826 (85) 學元件的內側咬入，以某處爲交界，又從光軸離開’朝向光學元件外側之構造。以下表1 0〜表1 3中係圖示了實施例4的透鏡資料。又，圖9(a)、9(b)、9(c)中，圖示了實施例4的縱球面像 ” 差圖。縱球面像差圖的縱軸之1.0，於 B D中係表示 • NA0.85或（D3.74mm;於DVD中係表示略大於NA0.6的値，或是略大於Φ 2.70mm的値；於 CD中係表示略大於 NA0.45的値，或是略大於（D2.37mm的値。此外，於實施例 4 中，L = 0.60mm〇因此，L/f = 0.60/2.53 = 0.237。實施例4的第一光程差賦予構造中的所有輪帶，係被分成階差量爲 3.62//m〜4.23/zm之群組、和階差量爲 2.22//m 〜2.56//m 之群組。此外，λΒ 係爲 405nm。λΒ’ 係取3 90nm〜400nm之任意値。因此，實施例4的第一光程差賦予構造中的所有輪帶的階差量，係滿足dC和dD之任一者。又，第一光程差賦予構造中的所有輪帶的狹距寬，係被含在5.3//m〜110//m之範圍。又，第一光程差賦 • 予構造中的所有輪帶的（階差量/狹距寬）的値，係爲0.8以 . 下。 -89- 200809826 (86) 〔§〕 0:006 o:ss o:TSMtm 毋·0 :COVN 09·0 :03vn 9«?0 : T VN 鐮ns is-^π^ —0ζ·2 = ί jffi^s驩糊 1¾¾ lilsiw ni(785nm) 1.536 • 1.571 di(785nra) 8 0.0( 02.37mm) 2.680 1 0.41 1.200 ni(658nm) 1.540 [__1·577 di(658nm) 8 0.0( 02.7〇ram) 2.680 0.43 0.600 ni(405nffl) ϋο LO rH 1.620 di(405nm) 8 0.0( 03.74mm) 2.680 0.67 0.0875 ·— 1.5656 1.5626 1.5595 1.5570 1.5661 1.5633 1.5643 1.5657 1.5656 1.53232 -2.8740 8 8 m 職 ο 1 1(光圈徑）1 (M t-H 1 oa (M 1 (M CO 1 <M 1 CM ιο 1 (M CO 1 r> 1 (M 00 1 (N 1 CV3 00 ιο -90 - 200809826(87) 〔1£〕 CO I (Μ 0.9173^hS1.2020 -0.540372E+00 一0.217471E—01 0.Γ73456Ε—01 | 0.161268Ε—02 0.227272E-02 一0.176212E—02 | 0.832672E-03 | 0.306247E-03 一0.312510E—03 | 0.779196E—04 | 一0.382183E—05 2/1/1 | 395ηβ | 一7.9481E—03 3.1618E—03 2.6104E-04 一1.5449E—04 1.3011Ε—04 0/0/1 785πι ί 3.2600E—02 一 3.0280E—03 2.4526E—03 I 一 1.0989E—03 1 2.4093Ε-04 (Μ I OJ 0.6392 ^0.9173 一 0.543545E+00 0.144639E—01 0.173456E—01 0.161268Ε—02 0.227272E—02 一0.176212E-02 0.832672E—03 0.306247E—03 一 0.312510E—03 0.779196E—04 一0.382183E—05 2/1/1 395ηη 一7.9481E—03 3.1618E—03 2.6104E—04 一1.5449E-04 1.3011Ε—04 0/0/1 785nm 3.2600E-02 一3.0280E—03 2.4526E-03 -1.0989E-03 2.4093Ε-04 I 03 0.3982 ^0.6392 一0.544149E+00 0.723148E-02 0.173456E—01 0.161268Ε-02 0.227272E-02 -0.176212E-02 0.832672E—03 0.306247E-03 一 0.312510E-03 0.779196E—04 一 0.382183E-05 2/1/1 395ηη -7.9481E-03 3.1618E—03 2.6104E—04 一1.5449E—04 1.3011Ε—04 0/0/1 785nm 3.2600E—02 一3.0280E—03 2.4526E—03 一 1.0989E—03 2.4093Ε—04 03 «ΝΓ CO 〇· VII X：一 0.545763E+00 0.000000E十00 0.173456E寸01 S h cza 00 CO S ο s h ύύ 04 卜 CQ d 一0·176212Ετ〇2 0.832672B403 00 Cx3 CSJ d S i 〇 CO d 1 0.779196B-f〇4 S 丄 CO 00 CSJ 00 CO 〇 1 2/1/1 395πβ -7.9481E-03 3.1618B-03 2.6104E-04 一1.5449E—〇k 1.3011Ε-04 0/0/1 ： 785nm · 3.2600E-02 -3.0280E-03 2.4526E—03 -1.0989E-03 2.4093Ε-04 面編號 Vi A0 CO < A8 A10 A12 A14 A16 A18 A 20 繞射次數 1 03 〇 C4 C 6 C10 m u I i 1_C2__1 C4 C6 C10 i 非球面係數光程差函數光程差函數 -91 - 200809826 (88) ss 1 <M 1.3121^h^l.3466 一 0.536630E+00 0.782945B-02 0.172773E-01 0·161268Ε—02 0.227272E—02 -0.176212E-02 0.832672E-03 | 0.306247E-03 一0.312510E-03 0.779196E—04 | 一0.382183E—05 1 2/1/1 1 395nn 一7.9481E—03 3.1618E—03 2.6104E-04 一1.5449E—04 1.3011E-04 I CD 1 CVJ 1.2677 3121 —0.540742E+00 丨 0.113044E—01 ! 0.175724E—01 0.161268Ε—02 0.227272E-02 一0.176212E-02 0.832672E—03 0.306247E-03 一 0.312510E—03 0.779196E-04 一0.382183E—05 2/1/1 395nm -7.9481E-03 3.1618E—03 2.6104E—04 一1.5449E—04 1.3011E-04 LO 1 <M 1.2390^h^l.2677 一 0.534676E+00 0.150921E-01 0.173485E—01 0.161268Ε—02 0.227272E-02 —0.176212E—02 0.832672E—03 0.306247E-03 一0.312510E—03 0.779196E—04 一0.382183E—05 2/1/1 395ηα 一7.9481E—03 3.1618E—03 2.6104E—04 一1.5449E—04 1.3011E—04 1 1.2020^h^li2390 -0.523735E+00 0.193505E-K01 ΙΟ in 寸 CO ο g τ Cs3 $ s d 0.227272ET02 一0.176212E—02 _〇j32672ETQ3__ 0.306247E丄03 S T » S S CO 〇 1 〇 Cx9 σ> 卜 d S 丄 CO 00 rH 00 CO ο 1 2/1/1 395nn -7.9481E-03 3.1618E—03 2.6104E-04 -1.5449E-04 1.3011E-04 - ·· 一 m m i Vi Ο < A6 A8 A10 A12 A14 A16 A18 A 20 丨繞射次數1 丨設計波長1 〇 C4 C 6 C8 C10 1 lllK C2 Γ CO υ C8 CIO 非球面係數光程差函數光程差函數 -92- 200809826 (8 〔§〕 co 一 5.4022E+01 1 0.0000E+00 I 1.0541E—01 | 一1.0213E—01 7.4675E-02 -4.3240E-02 1.4629E—02 一 2.0762E—03 O.OOOOE+OO 0.0000Ε+00 0.0000E+00 σ> 1 (Μ JC VII rH LO CO rH 一 0.616167E+00 ! 0.341800E—01 1 0.132229E-01 0.544502E-04 0.262231E-02 | 一 0.156680E—02 0.226928B-03 0.239248E-03 一0.165881E—03 0.451501E-04 一0.472873E—05 5/3/2 405nm 一1.0012E—03 一 1.0849E-04 1.2384E-05 一5.9681Ε—06 —8.9463Ε—06 00 1 03 1.3466^h^l.3751 -0.545757E+00 丨 0.150988E-04 0.173456E—01 _Q>161240E-02__| 0.227272E—02 一0.176212E—02 0.832672E—03 0.306247E-03 一0.312510E—03 0.779196E—04 一0.382183E—05 2/1/1 395ηοι —7.9481E—03 3·1618Ε—03 2.6104E—04 -1.5449Ε—04 1.3011Ε—04 面編號領域〇 CD 00 .丈〇 < 3 00 ΙΑ 20 丨繞射次數1 設計波長 (NJ α 寸〇 CO —U 00 U C10 繞射次數 (N C4 CO 〇 C8 C10 非球面係數光程差函數光程差函數 -93- 200809826 (90) 又，關於實施例4的接物光學元件的溫度特性， δ SAT1 係爲 +0.003 3WFE λ rms/ °C ， δ SAT2 係爲 + 0.0019WFE；lrms/°C。又，由於第一波長下的接物光學元件的f係爲2.2mm，因此0SATl/f係爲+0.0015 ’ WFEArms/(°C · mm)。5SAT2/f 係爲 + 0.0009WFEArms/( • °C · mm)。又，關於實施例4的接物光學元件的波長特性，5 8八入係爲-0.03入！*1!13/11111，5 8八入/;{>係爲-〇.〇136入 rms/(nm · mm)。此外，使用波長係爲405nm，波長特性的環境溫度係爲2 5 °C。再者，作爲準直透鏡CL，是使用以和接物光學元件相同材料（聚烯烴系之塑膠）所作成之單枚準直透鏡CL，來和實施例4的接物光學元件進行組合使用時，（5 SAT3係爲 +0.0004WFE λ rms/t：， d S AT3/f 係爲+0.0002WFE λ rms/(°C · mm)。準直透鏡的透鏡資料，示於以下表14。 -94- 200809826 (91) 〔寸Is αο®Εεοα®ο>ο@εΕΙοό>α9®ε.ειο·ίτ= ‘ a!«·糊«» i ^-s I s 1,524 1.511 1 s 8 1 Q 〇 1.900 I 5.000 I 1 1 6764 1 c s <〇 I 1.527 I 1 1 8 E c§ ¥ p I 1.900 1 I 5.000 I 1 1 6.661 1 1 to 3 窝 2 i 1 δ 1 CM •e I 1 ί.900 1 I 5.000 | 1 8.000 1 <d *c 8 8 1 10.9657 I I -68 6939 I 8 8 8 陧睐 ο @ 睡 C^J CO 1ft <〇 to ? a to ? CM | f 黯 m B H 龄 -95 200809826 (92) 〈貫施例5 > 以下實施例5中，接物光學元件係爲單枚的聚燒的塑膠透鏡。接物光學元件之光學面的中央領域CN 面上’形成有第一光程差賦予構造。光學面的周邊 MD的全面上，係形成有第二光程差賦予構造。光學最周邊領域OT的全面上，係形成有第三光程差賦予。剖面形狀，係近似圖8之形狀。又，於實施例5中，第一光程差賦予構造，係爲第一基礎構造、第二基礎構造以外，還加上重疊有第

構造所重疊而成之形狀。於實施例5中，第二光程差賦予構造，是將第一構造和第四基礎構造重疊而成之構造，是由二種類之狀繞射構造重疊而成的形狀。於實施例5中，第三光程差賦予構造，係爲僅具四基礎構造的構造，是僅有一種類鋸齒狀繞射構造的以下表1 5〜表1 8中係圖示了實施例5的透鏡資又，圖11(a)、11(b)、11(c)中，圖示了實施例5的縱像差圖。縱球面像差圖的縱軸之1 ·0，於BD中係 ΝΑ0.85或Φ 3.74mm;於DVD中係表示略大於NA0.6 ，或是略大於（D2.7lmm的値；於 CD中係表示略 N A 0.4 5的値，或是略大於Φ 2.2 4 m m的値。此外，於例 5 中，L = 0.38mm。因此，L/f = 0.38/2.45 = 0.155。烴系之全領域面的構造除了三基二元基礎鋸齒有第形狀料。球面表示的値大於實施 -96- 200809826 (93) 〔ss〕 0:006 0:3 日 0二6#班 sto:coVN 09·0:ο3νΜLOC50C;: ΐ νζ 鐮πϋ 耆 6(Ν·<ΝΗ 二曰曰ocslcviHT J ni(785nm) 1.537 ! 1.571 di(785nro) ____°°_I 0.0( 02.24mm) 2.530 0.34 I 1.200 ni(658nm) 1.541 1.577 di(658nm) 8 0.0( 02.71mm) 2.530 0.51 0.600 ni(405nm) 1.560 1.620 di(405nin) 1 8 CO $ o o 2.530 0.74 0.0875 u. 8 8 1.5827 1.5799 1.5769 1.5741 1.5816 1.5816 1.5827 1.5824 1.5126 1.5126 1.5126 | -3.3232 8 8 第湎 o 1 1(光圈徑） 03 rH 1 CM 03 1 CQ CO 1 03 1 i〇 1 (M CO 1 CM 卜 1 (M 00 1 <N 1 O) o T (M CO in -97- 200809826 (94) 〔9i〕 CO 1 <N 0.779^ h ^1.229 | —5.1369E—01 I 2.1741E—02 1 1.6812E-02 | 7.2184E—04 | 3.6921E—03 | 一 2.3832E—03 7.3118E—04 | 4.3460E-04 | 一3.3859E—04 | 7.7905E—05 -3.8236E-06 | 2/1/1 1 395nD 1 一9.6690E—03 | 2.8071Ε—03 1 4.5147E—04 一1.8776E—04 | 1.1487E—04 0/0/1 785nm | 2.1432E—02 -1.7579E-03 | 6.1798E-04 | 一1.7907E—04 | 5.5149E—06 <N 1 (Nl 0.563S h S0.779 一 5.1610E—01 1.4474E-02 1.6812E—02 7.2184E—04 3.6921E—03 一2.3832E-03 7.3118E-04 4.3460E—04 -3.3859E—04 7.7905E—05 一 3.8236E—06 2/1/1 395mo —9,6690E—03 2.8071Ε—03 4.5147E—04 一 1.8776E—04 1.1487E—04 0/0/1 785nn 2.1432E—02 一1.7579E—03 6.1798E-04 -1.7907E—04 5.5149E-06 1 <N 0.357^ h ^0.563 -5.1920E-01 7.2386E—03 1.6812E—02 7.2184E—04 3.6921E—03 一2.3832E-03 7.3118E—04 4.3460E-04 -3.3859B-04 7.7905E—05 —3.8236E—06 2/1/1 395nio -9.6690E—03 2.8071Β-03 4.5147 卜 04 -1.8776E-04 1.1487E-04 0/0/1 785nn 2.1432E—02 一 1.7579E-03 6.1798E-04 -1.7907E—04 5.5149E-06 (ΝΪ h ^0.35^ -5.1901E-01 1 0.0000E+00 1 .... …J_ g_ ? Cz) <N| S 7.2184E-04 3.6921E—03 _g ? to CNJ CO 00 CO 1 7.3118E—(M 4.3460E-04 -3.3859E-04 ____j_ 舌 1 ua S 卜舌 CK3 CO οα 00 οο 1 2/1/1 ! 395niD | -9.6690E-0i3 2.8071Ε-03 4.5147E-04 -1.8776E-04 1.1487E-04 o/o/i i 785nm 2.1432E-02 一1.7579E—〇3 6.1798E-04 -1.7907E-04 _1_ 5.5149E-06 黯 m 陌 4>jr 丨A0 1 A4 A6 A8 A10 A12 A14 A16 A18 A 20 m i I (Μ Ο C4 1 C6 1 00 〇 C10 m 纒 i C 2 C4 C6 C8 C10 m 非球面係數光程差函數光程差函數 -98- 200809826 (95) US〕 1 (M 1.338^ h ^1.360 1 一 5.1704E-01 1 7.7827E—03 1 1.6882E-02 1 7.8583E-04 | 3.6921E-03 | 一2.3832E—03 | 7.3118E—04 | 4.3460E-04 一3.3859E—04 I 7.7905E—05 I 一3.8236E—06 I 2/1/1 1 395ηπ 1 一9.6690E—03 」 2.8071E-03 I 4.5147E—04 1 一1.8776E—04 1 1.1487E-04 I CO 1 eg 1.313^ h ^1.338 一5.0846E—01 1.1708E—02 1.6812E-02 7.2184E-04 3.6921E—03 -2.3832E-03 | 7.3118E—04 ! 4.3460E—04 一3.3859E—04 7.7905B-05 -3.8236E-06 2/1/1 395nm 一9.6690E—03 2.8071E—03 4.5147E—04 一1.8776E—04 1.1487E-04 io 1 (M 1.279^ h ^1.313 -5.1138E-01 1.5184E-02 1.7096E-02 7.2184E—04 3.6921E-03 一2.3832E—03 7.3118E-04 4.3460E-04 -3.3859E-04 7.7905E-05 —3.8236E-06 2/1/1 395nn —9.6690E—03 2.8071E—03 4.5147E—04 一1.8776E-04 1.1487E—04 寸 1 (M ___. VII Λ VH 0¾ S fH -5.0865E—dl 1.9053E-q2 1.7171E—C(2 7.2184E-Q4 3.6921E—03 T cza <N CO 00 CO 1 7.3118E-04 4.3460E-Q4 s- 1 Cz3 Φ in 00 CO CO 1 7.7905E—C|5 一3.8236E-06 2/1/1 ί 395no i -9.6690E-Q3 2.8071E-03 4.5147E-04 一 1.8776E-04 1.1487E-04 黯 m m A0 L.A4—— 1 CD < A 8 | A10 A12 1_A14 1 A16 A18 A 20 m Η 茜 m m S — 〇 C4 CO 〇 L CB 1 L….c i〇 1 m u 茜 m ϋ C4 C 6 00 〇 C10 驅非球面係數光程差函數光程差函數 -99 - 200809826 (9 〔8S〕 CO | 一 6.4455E+01 | | 0.0000E十00 I | 1.0127E—01 | —1.0483E—01 | 8.1714E-02 | 一4.5164E—02 | 1.3855E—02 | 一1.7611E—03 | 0.0000E+00 | 0.0000E+00 I 0.0000E+00 1 o T (M h $1.795 一6.3971E—01 3.3772E—02 6.7776E—03 9.8447E—04 3.0474E-03 丨一 1.6077E-03 1.9240E—04 2.3762E-04 一 1.6317E—04 4.5602E—05 -4.8919E-06 5/3/2 405nn 一 2.9493E—03 2.1334E—04 一3.0344E-05 -2.1699Ε—05 一4.3323Ε—06 05 I <M 1.693^ h ^1.795 一6.3971E—01 3.3772E-02 6.7776E—03 j 9.8447E—04 3-0474E—03 j 一1.6077E—03 1.9240E—04 2.3762E—04 一 1.6317E—04 4.5602E—05 一4.8919E—06 2/1/1 405nis 一7.3734E—03 5.3335E—04 —7.5859E—05 -5.4247Ε—05 —1.0831Ε—05 00 I (M 1.360^ h ^11693 -6.3971E-0pL 3.3772E—0:2 6.7776E—0$ 9.8447E-04 3.0474E—0:3 s- 1 Cx3 卜 1 rH 1 1.9240E—Q4 _1_ 2.3762E-04 » -1.6317E—0:4 4.5602E—0:5 -4.8919E-06 5/3/2! 405nm ί _1_ 一2.9493E-03 2.1334E—(k -3.0344E-Q5 -2.1699Ε-05 -4.3323Ε-06 - - - - 黟 m m A0 A4 CO < 00 < A10 A12 A14 A16 A18 A 20 m 1 C2 C4 CO υ 00 〇 C10 I lllK 1 C 2 C4 ΓΓ〇6 Ί C8 C10 3¾ i 非球面係數光程差函數光程差函數 -100 (97) (97)200809826 又，關於實施例5的接物光學元件的溫度特性， δ S ATI 係爲 +0.003 08WFE λ rms/ °C ， δ SAT2 係爲 + 0.001 76WFE；lrms/°C。又，由於第一波長下的接物光學元件的f係爲2.20mm，因此6 SATl/f係爲+ 0.0014 WFE λ rms/(〇C · mm)。5 SAT2/f 係爲 +0.0008WFE λ rms/( °C · mm)。又，關於實施例5的接物光學元件的波長特性，5SAA 係爲-0.02618Arms/nm，5SAA/f 係爲- 0.0119 λ rms/(nm · mm)。此外，使用波長係爲405nm，波長特性的環境溫度係爲25 °C。再者，作爲準直透鏡CL，是使用在4中所用相同的單枚準直透鏡CL，來和實施例5的接物光學元件進行組合使用時，5SAT3 係爲 + 0.000198WFEArms厂C ， 5 SAT3/f 係爲 + 0.00009WFEA rms/(t： · mm)。接著，以下說明使用實施例4或5及類似其之接物光學元件，來製造光拾取裝置的方法之一例。此處係考慮，對振盪波長參差最大的藍紫色半導體雷射LD 1，進行接物光學元件的最佳化。首先，當藍紫色半導體雷射LD1的基準波長設爲405nm時，設計一具有在設計波長爲4〇2nm 時球面像差爲最佳的光程差賦予構造的接物光學元件，作成其相應之第1模具，將藉由第1模具成形的接物光學元件當成第1群組。設計一具有在設計波長爲4 0 3 nm時球面像差爲最佳的光程差賦予構造的接物光學元件，作成其相應之第2模具，將藉由第2模具成形的接物光學元件當成第2群組。設計一具有在設計波長爲4〇4nm時球面像差爲 -101 · 200809826 (98) 最佳的光程差賦予構造的接物光學元件’作成其相應之第 3模具，將藉由第3模具成形的接物光學元件當成第3群組。設計一具有在設計波長爲405nm時球面像差爲最佳的光程差賦予構造的接物光學元件，作成其相應之第4模具 i ，將藉由第4模具成形的接物光學元件當成第4群組。設 • 計一具有在設計波長爲4 0 6 nm時球面像差爲最佳的光程差賦予構造的接物光學元件，作成其相應之第5模具’將藉由第5模具成形的接物光學元件當成第5群組。設計一具有在設計波長爲40 7nm時球面像差爲最佳的光程差賦予構造的接物光學元件，作成其相應之第6模具’將藉由第6 模具成形的接物光學元件當成第6群組。設計一具有在設計波長爲4 0 8 n m時球面像差爲最佳的光程差賦予構造的接物光學元件，作成其相應之第7模具，將藉由第7模具成形的接物光學元件當成第7群組。此外，在本實施形態中，雖然是隨著光程差賦予構造的式樣而將接物光學元件區分成7群組，但並非受限於此，亦可區分成3、5群組等 - 〇 . 圖1 5係所形成之接物透鏡Ο B J的斜視圖。如圖1 5所示，接物光學元件OBJ中的光學面OP之周圍所配置的環狀凸緣F上，形成有凸部或凹部狀的識別標記Μ。這是藉由在模具（未圖示）的凸緣轉印面上，形成對應的凹部或凸部，就可在接物光學元件OBJ成形時同時被轉印形成。本實施形態中，識別標記Μ數目爲1個時，表示其係屬於第 1群組的接物透鏡；識別標記Μ數目爲2個時，表示其係 -102- (99) (99)200809826 屬於第2群組的接物透鏡；識別標記Μ數目爲3個時，表示其係屬於第3群組的接物透鏡；以下皆同。此外，作爲群組的劃分方法，並不限於以上，例如可亦可對已分群之接物透鏡的托盤、卡匣、或捆包的外箱等，賦予互異之識別標記。圖1 6係本實施形態所論之光拾取裝置之製造方法之一例的流程圖。首先，在圖1 6的步驟S 1 01中，測定任意藍紫色半導體雷射的振盪波長λ 1。其次，在步驟S1 02中 ’若所測定之振靈波長λ 1是401.5nm以上未滿402.5nm 則令η = 1，若所測定之振盪波長λ 1是4 0 2.5 n m以上未滿 4 0 3.5nm則令n = 2，若所測定之振盪波長λ 1是403.5nm 以上未滿4 0 4.5 n m則令η = 3，若所測定之振盪波長；I 1是 404.5nm以上未滿405.5nm則令η = 4，若所測定之振盪波長又1是405.5nm以上未滿406.5nm則令η = 5，若所測定之振盪波長λ 1是406.5nm以上未滿407.5nm則令η = 6，若所測定之振盪波長A 1是407.5 nm以上未滿408.5nm則令n = 7。此外，若藍紫色半導體雷射的振盪波長λ 1是未滿401.5nm或408.5以上時，則只要當成是容許公差範圍外的製品而置換成其他者即可。接著在步驟S103中，選擇第η群組內的接物光學元件。然後，在步驟S 1 04中，藉由將已測定之藍紫色半導體雷射、和含已選擇之接物光學元件的零件組合起來，就完成了光拾取裝置。本發明係不限於說明書所記載之實施例’而是亦包含 -103- (100) (100)200809826 其他實施例、變形例，這對本領域的當業者而言，可根據本說明書中所記載之實施例或思想而明瞭。說明書之記載及實施例，其目的僅爲例證，本發明的範圍係如後述的申請專利範圍所示。【圖式簡單說明】〔圖1〕本發明所論之接物光學元件OB J之一例，從光軸方向觀看的圖。〔圖2〕本發明所論之接物光學元件〇 b j上所設之光程差賦予構造的數個例子（a)〜（d)的模式性剖面圖。〔圖3〕本發明所論之光拾取裝置的構成的槪略性圖不 Ο 〇〔圖4〕本發明所論之接物光學元件〇 B J之一例的模式性剖面圖。〔圖5〕本發明所論之實施例1的B 〇、d V D、C D之相關縱球面像差圖（a)〜（c)。〔圖6〕本發明所論之實施例2的BD、DVD、CD之相關縱球面像差圖（a)〜（c)。〔圖7〕本發明所論之實施例3的BD、DVD、CD之相關縱球面像差圖（a)〜（c)。〔圖8〕本發明所論之實施例4的接物光學元件的光程差賦予構造的模式性剖面圖。〔圖9〕本發明所論之實施例4的BD、DVD、CD之相關縱球面像差圖（a)〜（c)。 -104- (101) (101)200809826 〔圖1 ο〕本發明所論之光點形狀的圖示。〔圖1 1〕本發明所論之實施例5的BD、DVD、CD之相關縱球面像差圖（a)〜（c)。〔圖1 2〕光程差賦予構造之一例的階差量之圖示。〔圖1 3〕狹距寬之一例的圖示。〔圖1 4〕本發明所論之光程差賦予構造之設計方法的說明用圖（a)〜（d)。〔圖1 5〕所形成之接物光學元件OBJ的斜視圖。〔圖1 6〕光拾取裝置之製造方法之一例的流程圖。【主要元件符號說明】 MD :周邊領域、CN :中央領域、0T :最周邊領域、 PU1:光拾取裝置、LD1:第一半導體雷射、PD1:第一受光元件、PPS:偏光雙色稜鏡、CL:準直透鏡、EP1:紅色半導體雷射、EP2 :紅外半導體雷射、PS :棱鏡、LM : 雷射模組、DS1 :第二受光元件、DS2 :第三受光元件、 ST :光圏、OBJ :接物光學元件、AC : 2軸致動器、PL1 :保護基板、PL2 :保護基板、PL3 :保護基板、RL1 : BD 的資訊記錄面、R L 2 : D V D的資訊記錄面、R L 3 : C D的資訊記錄面、SOT :光點周邊部、SMD :光點中間部、SCN ••光點中心部、F :凸緣、Μ :識別標記、〇p :光學面。 -105-

Claims

200809826 (1) 十、申請專利範園 1.一種光拾取裝置，係屬於具有：射出第一波長λ 1之第一光束的第一光源；和射出第二波長λ2(λ2> λ 1)之第二光束的第二光源；和 . 射出第三波長λ3(Α3> λ2)之第三光束的第三光源；和接物光學元件，其係用以使前記第一光束被聚光在具有厚度11之保護基板的第1光碟之資訊記錄面上，使前記第二光束被聚光在具有厚度t2(tl$t2)之保護基板的第 2光碟之資訊記錄面上，使前記第三光束被聚光在具有厚度t3(t2<t3)之保護基板的第3光碟之資訊記錄面上，的光拾取裝置，其特徵爲，前記光拾取裝置，係藉由使前記第一光束聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上，使前記第二光束聚光在前記第 2光碟之資訊記錄面上，使前記第三光束聚光在前記第3 光碟之資訊記錄面上，以進行資訊記錄及/或再生；前記接物光學元件之光學面，係具有中央領域和前記中央領域周圍之周邊領域的至少二個領域，前記中央領域係具有第一光程差賦予構造，前記周邊領域係具有第二光程差賦予構造；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記中央領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中 -106- 200809826 (2) 央領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中央領域的前記第三光束，聚光在前記第3光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記周邊領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記周邊領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記第一光程差賦予構造，係爲至少由第一基礎構造和第二基礎構造重疊而成之構造；前記第一基礎構造，係使通過前記第一基礎構造之前記第一光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第二基礎構造，係使通過前記第二基礎構造之前記第一光束的0次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的0次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的± 1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載之光拾取裝置，其中前記第二光程差賦予構造，係爲至少具有前記第一基 -107- (3) (3)200809826 礎構造、第五基礎構造或第六基礎構造之任一者的構造；前記第五基礎構造，係使通過前記第五基礎構造之前記第一光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第六基礎構造，係使通過前記第六基礎構造之前記第一光束的3次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項所記載之光拾取裝置，其中，前記接物光學元件，係爲單枚透鏡。 4.如申請專利範圍第1項乃至第3項之任1項所記載之光拾取裝置，其中，前記接物光學元件係爲塑膠透鏡。 5 ·如申請專利範圍第2項乃至第4項之任1項所記載之光拾取裝置，其中，前記第一光程差賦予構造，係爲除了前記第一基礎構造和前記第二基礎構造以外，還加上第三基礎構造、第四基礎構造或第七基礎構造之任一者所重疊而成之構造；前記第三基礎構造，係使通過前記第三基礎構造之前記第一光束的1 0次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的6次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的5次繞射光量會大於其 -108- (4) 200809826 他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第四基礎構造，係使通過前記第四基礎構造記第一光束的5次繞射光量會大於其他任何次數之繞量，使前記第二光束的3次繞射光量會大於其他任何之繞射光量，使前記第三光束的3次及2次繞射光量於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第七基礎構造，係使通過前記第七基礎構造記第一光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 6 .如申請專利範圍第5項所記載之光拾取裝置，，前記第二光程差賦予構造，係爲除了前記第一基礎、前記第五基礎構造或前記第六基礎構造之任一者以還加上前記第三基礎構造、前記第四基礎構造或前記基礎構造之任一者所重疊而成之構造。 7 ·如申請專利範圍第6項所記載之光拾取裝置，前記接物光學元件之光學面’係在前記周邊領域圍，具有著擁有第三光程差賦予構造的最周邊領域；使通過前記接物光學元件之前記最周邊領域的前一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠資錄及/或再生；前記第三光程差賦予構造’係爲至少具有前記第之前射光次數會大之前射光次數其他其中構造外，第七其中的周記第進行三基 -109- (5) (5)200809826 礎構造、前記第四基礎構造或前記第七基礎構造之任一者的構造。 8 ·如申請專利範圍第4項乃至第7項之任1項所記載之光拾取裝置，其中，前記光拾取裝置，係具有耦合透鏡；前記耦合透鏡係爲塑膠透鏡。 9 .如申請專利範圍第1項乃至第8項之任丨項所記載之光拾取裝置，其中’前記第一波長λΐ、前記第二波長 λ 2及前記第三波長λ 3，係滿足以下條件式·· 1 · 5 X 入 1 < λ 2 < 1 · 7 X λ 1 1·9χλ1<λ3<2·1χλ1。 10.—種接物光學元件，係屬於具有：射出第一波長λΐ之第一光束的第一光源；和射出第二波長λ2(λ2> λΐ)之第二光束的第二光源；和射出第三波長Α 3( λ 3 > λ 2)之第三光束的第三光源；且使用前記第一光束來進行具有厚度t1之保護基板之第1 光碟的資訊記錄及/或再生，使用前記第二光束來進行具有厚度t2(t 1 S t2)之保護基板之第2光碟的資訊記錄及/或再生，使用前記第三光束來進行具有厚度t3(t2 < t3)之保護基板之第3光碟的資訊記錄及/或再生的光拾取裝置中，所使用的接物光學元件’其特徵爲’ 前記接物光學元件之光學面’係具有中央領域和前記中央領域周圍之周邊領域的至少二個領域’前記中央領域 -110- 200809826 (6) 係具有第一光程差賦予構造，前記周邊領域係具有第二光程差賦予構造；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記中央領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中 • 央領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中央領域的前記第三光束，聚光在前記第3光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記周邊領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記周邊領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記第一光程差賦予構造，係爲至少由第一基礎構造和第二基礎構造重疊而成之構造； / 前記第一基礎構造，係使通過前記第一基礎構造之前 • 記第一光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第二基礎構造，係使通過前記第二基礎構造之前記第一光束的〇次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的0次繞射光量會大於其他任何次數 -111 - 200809826 (7) 之繞射光量，使前記第三光束的± 1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 1 1.如申請專利範圍第1 0項所記載之接物光學元件，其中，前記第二光程差賦予構造，係爲至少具有前記第一基礎構造、第五基礎構造或第六基礎構造之任一者的構造；前記第五基礎構造，係使通過前記第五基礎構造之前記第一光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第六基礎構造，係使通過前記第六基礎構造之前記第一光束的3次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第二光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量，使前記第三光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項或第丨i項所記載之接物光學元件，其中，前記接物光學元件，係爲單枚透鏡。 1 3 ·如申請專利範圍第1 〇項乃至第1 2項之任1項所記載之接物光學元件，其中，前記接物光學元件係爲塑膠透鏡。 1 4 ·如申請專利範圍第1丨項乃至第1 3項之任1項所記載之接物光學元件，其中，前記第一光程差賦予構造，係爲除了前記第一基礎構 -112- (8) 200809826 造和前記第二基礎構造以外，還加上第三基礎構造、第基礎構造或第七基礎構造所重疊而成之構造；前記第三基礎構造，係使通過前記第三基礎構造之記第一光束的1 0次繞射光量會大於其他任何次數之繞光量’使前記第二光束的6次繞射光量會大於其他任何數之繞射光量，使前記第三光束的5次繞射光量會大於他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第四基礎構造，係使通過前記第四基礎構造之記第一光束的5次繞射光量會大於其他任何次數之繞射量’使前記第二光束的3次繞射光量會大於其他任何次之繞射光量，使前記第三光束的3次及2次繞射光量會於其他任何次數之繞射光量的光程差賦予構造；前記第七基礎構造，係使通過前記第七基礎構造之記第一光束的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射量，使前記第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次之繞射光量，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其任何次數之繞射光量的光程差賦予構造。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所記載之接物光學元件其中，前記第二光程差賦予構造，係爲除了前記第一基構造、前記第五基礎構造或前記第六基礎構造之任一者外，還加上前記第三基礎構造、前記第四基礎構造或前第七基礎構造之任一者所重疊而成之構造。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所記載之接物光學元件其中，四、r· 刖射次其刖光數大 -Χ-Ζ-» 刖光數他礎以記 -113- 200809826 (9) 前記接物光學元件之光學面，係在前記周邊領域的周圍，具有著擁有第三光程差賦予構造的最周邊領域；使通過前記接物光學元件之前記最周邊領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行 * 資訊記錄及/或再生； - 前記第三光程差賦予構造，係爲至少具有前記第三基礎構造、前記第四基礎構造或前記第七基礎構造之任一者的構造。 1 7 ·如申請專利範圍第1 3項乃至第1 6項之任1項所記載之接物光學元件，其中，前記光拾取裝置，係具有耦合透鏡；前記耦合透鏡係爲塑膠透鏡。 1 8 .如申請專利範圍第1 3項乃至第1 7項之任1項所記載之接物光學元件，其中，前記第一波長λ 1、前記第二波長λ 2及前記第三波長λ 3，係滿足以下條件式： 1 ·5χ λ 1 < λ 2 < 1 ·7χ λ 1 - 1·9χλ1<λ3<2.1χλ1。 - 1 9 . 一種光資訊記錄再生裝置，係屬於具有：射出第一波長λ 1之第一光束的第一光源；和射出第二波長λ 2 ( λ2> λ 1)之第二光束的第二光源；和射出第三波長λ3(λ 3 > λ 2)之第三光束的第三光源；和接物光學元件，其係用以使前記第一光束被聚光在具有厚度tl之保護基板的第1光碟之資訊記錄面上，使前記第二光束被聚光在具有厚度t2(tlSt2)之保護基板的第2光碟之資訊記錄面上， -114- (10) (10)200809826 使前記第三光束被聚光在具有厚度t3(t2< t3)之保護基板的第3光碟之資訊記錄面上；藉由使前記第1光束聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上，使前記第二光束聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上，使前記第三光束聚光在前記第3光碟之資訊記錄面上，以進行資訊記錄及/或再生的光拾取裝置，而爲具有其之光資訊記錄再生裝置，其特徵爲，前記接物光學元件之光學面，係具有中央領域和前記中央領域周圍之周邊領域的至少二個領域，前記中央領域係具有第一光程差賦予構造，前記周邊領域係具有第二光程差賦予構造；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記中央領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中央領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記中央領域的前記第三光束，聚光在前記第3光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記接物光學元件，係使通過前記接物光學元件之前記周邊領域的前記第一光束，聚光在前記第1光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生，使通過前記周邊領域的前記第二光束，聚光在前記第2光碟之資訊記錄面上而能夠進行資訊記錄及/或再生；前記第一光程差賦予構造，係爲至少由第一基礎構造 -115- 200809826 (11) 和第二基礎前記第記第一光束量，使前記之繞射光量任何次數之前記第記第一光束量，使前記之繞射光量任何次數之構造重疊而成之構造；一基礎構造，係使通過前記第一基礎構造之前的2次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光第二光束的1次繞射光量會大於其他任何次數，使前記第三光束的1次繞射光量會大於其他繞射光量的光程差賦予構造；二基礎構造，係使通過前記第二基礎構造之前的〇次繞射光量會大於其他任何次數之繞射光第二光束的〇次繞射光量會大於其他任何次數，使前記第三光束的± 1次繞射光量會大於其他繞射光量的光程差賦予構造。 -116-