TW200527816A - Reduced voltage pre-charge multiplexer - Google Patents
Reduced voltage pre-charge multiplexer Download PDFInfo
- Publication number
- TW200527816A TW200527816A TW093130807A TW93130807A TW200527816A TW 200527816 A TW200527816 A TW 200527816A TW 093130807 A TW093130807 A TW 093130807A TW 93130807 A TW93130807 A TW 93130807A TW 200527816 A TW200527816 A TW 200527816A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- precharge
- common
- node
- coupled
- voltage
- Prior art date
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims description 14
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 claims description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101100084617 Arabidopsis thaliana PBG1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Description
200527816 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種半導體積體電路裝置,特別係有關一 種結合一多工器電路,利用一預充節點來提高信號通量速 度之半導體積體電路裝置。 【先前技術】 參照圖1,為0 h s a w a之美國專利第5,7 0 1,0 9 5號之先前 技術多工器電路1 0 0,包括一資料選擇電路1 1 0以及一 N Μ 0 S 預充電晶體1 2 0。輸入資料信號Α至D及選擇信號I至ί 經由對Ρ Μ 0 S電晶體2 - 1至2 - 4及3 - 1至3 - 4之閘極終端施 加偏壓,來控制系統電源供應電位VDD之連結至提供輸出 信號石之共通節點X。經由設定預充信號PRCH為高,藉此 將NM0S預充電晶體1 20偏轉為導通,共通節點X被充電至 系統地電位G N D。於充電操作完成後,預充信號P R C Η走低, 且共通節點X浮動。’ 0 9 5專利案揭示一種方法,該方法 設定輸入資料信號A - D於低於電源供應器電壓V D D之位 準,來加速輸入資料A - D之傳輸至共通節點X。但’ 0 9 5 專利案並未揭示於共通節點X之預充信號控制,來作為加 速輸入資料信號A-D傳輸至共通節點X之方法。 【發明内容】 先前技術多工器由於下列因素而有速度低的問題,該等 因素例如1 )共通節點之負載重;以及2 )於路徑之級距深度 (「級深度」)。此二因素分別造成不同類型的延遲。共通 節點之負載重造成選擇至輸出的延遲。級深度造成輸入至 輸出的延遲。 5 312XP/發明說明書(補件)/94-01 /93 ] 30807 200527816 本發明有低輸入至輸出延遲,以及低選擇至輸出延遲 。對各輸入之個別下拉(由選擇所閘控)而言,多工器係與 個別下拉共線。於共線電壓降低預充,允許對下拉產生快 速回應。 本發明之電壓降低預充多工器可顯著減少經由大型多 工器之路徑延遲。多工器利用一共通預充節點,有輸入及 選擇閘控之放電路徑。預充電壓位準降至低於全電壓位準 ,來進一步減少路徑延遲。較低預充電壓可顯著縮短讓共 通節點達到多工器之緩衝輸出端切換點所需的時間。 此外,本發明對於指定路徑有降低級深度,提供較高操 作速度,使用預充/放電辦法,經由減少共通線上的負載來 加快路徑速度。降低電壓預充比較先前技術之預充/放電辦 法可顯著加快操作速度。 【實施方式】 參照圖2,低預充電壓多工器2 0 0之一範例具體例包含 一 PM0S預充電晶體P1、一第一 NM0S輸入電晶體NI0 、一第一 NM0S選擇電晶體NS0、一第二NM0S輸入電晶體 N I 1及一第二Ν Μ 0 S選擇電晶體N S 1。一輸入信號I 0係耦合 至該第一 Ν Μ 0 S輸入電晶體Ν I 0之閘極端。第一輸入電晶體 Ν I 0之汲極端係耦合至一共通電路節點C 0 Μ Μ 0 Ν。第一 Ν Μ 0 S 輸入電晶體Ν I 0之源極端係耦合至該第一 Ν Μ 0 S選擇電晶體 N S 0之汲極端。選擇信號S 0係耦合至第一 Ν Μ 0 S選擇電晶 體N S 0之閘極端。第一 Ν Μ 0 S選擇電晶體N S 0之源極端係耦 合至一系統地電位G N D。一輸入信號I 1係_合至第二Ν Μ 0 S 輸入電晶體Ν I 1之閘極端。第二輸入電晶體Ν I 1之汲極端 6 3 ]2ΧΡ/發明說明書(補件)/94-01/93] 30807 200527816 係耦合至該共通電路節點COMMON。第二NM0S輸入電晶體 N I 1之源極端係耦合至該第二N Μ 0 S選擇電晶體N S 1之汲極 端。選擇信號S1係耦合至第二NM0S選擇電晶體NS1之閘 極端。第二Ν Μ 0 S選擇電晶體N S 1之源極端係耦合至該系統 地電位G N D。 Ρ Μ 0 S預充電晶體Ρ 1之源極端係耦合至預充供應電位 VPCHG,其閘極端係耦合至預充控制信號CHG,其汲極端係 耦合至共通信號節點C 0 Μ Μ 0 Ν。輸出緩衝器2 5 0之輸入端係 麵合至共通信號節點C 0 Μ Μ 0 Ν,其輸出端係耗合至輸出信號 0 U Τ。一具體實施例中,輸出緩衝器2 5 0為反相器。經由輸 出緩衝器250之作用而產生之輸出信號OUT為存在於共通 信號節點C 0 Μ Μ 0 N之該信號之邏輯反相。系統供應電位V D D 及系統地電位G N D係耦合至該輸出缓衝器2 5 0以供電讓系 統操作。 可將低預充電壓多工器2 0 0之操作構想為有以下二相 :預充相及評比相。 於低預充電壓多工器2 0 0之預充相期間,選擇信號S 0 及S1維持於邏輯低,防止第一輸入選擇電晶體NS0及第二 輸入選擇電晶體NS1之導通。預充控制信號CHG設定為邏 輯低,且將Ρ Μ 0 S預充電晶體偏轉為導通。如此導致預充供 應電位V P C H G耦合至共通信號節點C 0 Μ Μ 0 Ν。預充供應電位 V P C H G係選擇為低於系統供應電位V D D,但大於輸出緩衝器 2 5 0之切換點。該具體實施例中,預充供應電位VPCHG約 為1 . 8伏特,系統供應電位約為2. 8 5伏特。於共通信號節 點COMMON之電位約略達到預充供應電位VPCHG後,預充控 7 312XP/發明說明書(補件)/94-01/93130807 200527816 制信號CHG設定為邏輯高,將PM0S預充電晶體偏轉為斷 路,讓共通信號節點C 0 Μ Μ 0 N為浮動。一旦已經充電,共通 信號節點COMMON維持於約預充供應電位VPCHG直到放電為 止,容後詳述。 於操作之評比相期間,選擇信號S 0及S 1之一設定為邏 輯高,藉此致能相關輸入信號(分別為I 0及I 1 )來控制共 通信號節點C 0 Μ Μ〇N通過N Μ 0 S輸入電晶體N I 0及N I 1之放 電路徑。例如假設S 0設定為邏輯高,偏轉第一 Ν Μ 0 S選擇 電晶體N S 0為導通。共通信號節點C 0 Μ Μ 0 Ν之狀態現在係依 據輸入信號I 0之值決定。若輸入信號I 0係於邏輯高,則 第一 NM0S輸入電晶體ΝΙ0偏轉為導通。第一 NM0S輸入電 晶體N S 0與第一 Ν Μ 0 S輸入電晶體Ν I 0之串列組合提供共通 信號節點COMMON放電的路徑,變更其條件為邏輯低 。然後,邏輯低藉輸出緩衝器2 5 0於輸出信號0 U T反相為 邏輯高,輸出信號0 U T係匹配輸入信號I 0。降低預充電壓 經由允許對下拉之快速回應,顯著縮短造成共通信號節點 C 0 Μ Μ 0 N達到輸出端緩衝器2 5 0切換點所需時間。整體而 言,速度增益係依據預充供應電位V P C H G與緩衝器2 5 0之 切換點之接近程度決定。 若於電路操作之評比相期間,輸入信號I 0為邏輯低, 則未出現共通信號節點C 0 Μ Μ 0 Ν之下拉。共通信號節點 COMMON維持於邏輯高,輸出信號OUT維持於邏輯低,匹配 I 0。於構想上可將輸出信號OU T視為匹配輸入信號I 0,而 有小量傳播時間延遲。 熟諳技藝人士了解經由NM0S輸入電晶體與關聯N0MS選 8 312XP/發明說明書(補件)/94-01/93 ] 3 0807 200527816 擇電晶體之額外串列組合,延伸圖2所示電路,可增加藉 低預充電壓多工器2 0 0所處理的信號數目。 本發明之另一具體例中,另一 NM0S預充電晶體可取代 Ρ Μ 0 S預充電晶體P 1,另一 Ν Μ 0 S預充電晶體之源極端係耦 合至系統供應電位V D D,其汲極端係耦合至共通信號節點 COMMON 5其閘極端係耗合至預充控制信號C H G。經由如此 組配之Ν Μ 0 S裝置,可產生電壓降低約一個二極體電位(約 0 . 6伏特至0 . 7伏特),結果獲得於存在於共通信號節點 C 0 Μ Μ 0 Ν之預充電位的期望降低。控制Ν Μ 0 S操作之預充控 制信號CHG之邏輯極性可利用熟諳技藝人士已知方式,相 對於PM0S預充電晶體Ρ1反相,來藉NM0S電晶體提供適當 開/關功能。 參照圖3,電壓-時間線圖比較本發明之效能與基於先前 技術之多工器設計效能。降低電壓預充曲線3 1 0表示根據 本發明之具體實施例之多工器之共通信號節點C 0 Μ Μ 0 Ν之 時間相對於電壓之表現。正常電壓預充曲線3 2 0表示根據 先前技術共通信號節點COMMON之時間相對於電壓之表 現,此處該預充電壓係等於系統供應電位VDD。切換點電 位線3 3 0表示輸出緩衝器2 5 0切換邏輯態之臨限值位準。 於預充間隔時間3 4 0,預充曲線維持恆定於其初值。但於 評比間隔時間3 5 0,預充曲線隨著時間的前進而下降。降 低預充曲線3 1 0及正常預充曲線3 2 0交叉切換點電位線 3 3 0之點,決定何時多工器之輸出變遷至其預定值。交叉 點間之差異係由降低延遲間隔時間3 6 0得知,其表示本發 明相關之效能改良。 9 312XP/發明說明書(補件)/94-01/93130807 200527816 圖4為利用本發明之脈波寬度調變器(P W Μ ) 4 0 0電路之 一具體實施例之示意圖。脈波寬度調變器4 0 0包含低預充 電壓多工器2 0 0,一經電流控制之延遲鏈4 2 0,一狀態機器 4 6 0,一分接點選擇暫存器4 8 0,一預充控制電路4 4 0,及 輸出緩衝器2 5 0。經電流控制之延遲鏈4 2 0進一步包含複 數個時脈延遲元件4 2 2及相關之時脈延遲鏈分接點4 2 4。 時脈延遲元件4 2 2可為熟諳技藝人士已知之多種信號延遲 組配結構之任一者,其中一個例子為二反相器串聯連結。 該具體例中,時脈延遲元件4 2 2及相關時脈延遲鏈分接點 4 2 4各別實作4 8次,且串聯連結來產生複數個延遲值作為 時脈信號c 1 k傳播通過經電流控制之延遲鏈4 2 0。為求清 晰只顯示48次實作之一部分。 · 時脈延遲鏈分接點4 2 4之4 8個實例各別係耦合至低預 充電壓多工器2 0 0之輸入信號端。於圖4,只顯示輸入信 號I 0與輸入信號I 1耦合來避免混淆本發明之主要特色。 狀態機器4 6 0係耦合至編碼脈波串列輸出端,以及耦合至 分接點選擇暫存器4 8 0。分接點選擇暫存器4 8 0係耦合至 選擇信號端。於圖4中,只顯示選擇信號SO及選擇信號 5 1,但實際上,一個選擇信號係關聯各個輸入信號端。基 於編碼脈波串列輸出值,狀態機器4 6 0組配分接點選擇暫 存器4 8 0來由4 8個實例中選出一個特選信號,該信號可致 能相關輸入信號來提供時脈信號c 1 k之預定延遲。於特定 選擇信號之延遲時脈的到達,致能共通信號節點COMMON 之放電,結果導致延遲時脈的傳播至輸出信號OUT。 預充控制電路4 4 0係耦合至編碼脈波串列輸出端,及耦 10 312XP/發明說明書(補件)/94-01 /93 ] 30807 200527816 合至預充控制節點CHG。該具體實施例中,預充控制電路 4 4 0為多工器電路輸出信號01) T的單純延遲反相及回授 。操作時,輸出信號0 U T之上升緣信號造成狀態機器4 6 0 前傳由分接點選擇暫存器4 8 0選定之特選信號,打斷放電 路徑,且觸發預充過程。預充過程之初始化可升高共通信 號節點C 0 Μ Μ 0 N之電位,將輸出信號0 U T返回邏輯低,且準 備脈波寬度調變器(P W Μ ) 4 0 0電路用於延遲時脈到達次一 選定的分接點。藉此方式產生的輸出信號OUT信號定名為 自我計時時脈脈波。熟諳技藝人士已知自我計時時脈脈波 只需夠寬來前傳分接點選擇暫存器。 參照圖5,根據本發明之預充控制電路4 4 0之時程圖包 含一共通信號節點時序曲線5 1 0、一輸出信號節點時序曲 線5 2 0、以及一預充控制信號時序曲線5 3 0。於事件A 5, 初期被充電至預充供應電位VPCHG之共通信號節點COMMON 於低預充電壓多工器2 0 0操作之評比相期間,被下拉至邏 輯低。結果於通過輸出緩衝器2 5 0之傳播延遲相關時段11 之後,輸出信號OUT由邏輯低變遷為邏輯高。注意輸出信 號節點時序曲線5 2 0相關邏輯高值為系統電源供應電位 V D D。原因在於輸出緩衝器2 5 0係由系統電源供應電位V D D 及系統地電位G N D供電,且有邏輯擺動跨據此等供應電位 間之電位差。輸出信號0 U T由預充控制電路4 4 0反相及延 遲經歷一時段t 2,造成預充控制信號C H G變遷為邏輯低。 如此造成Ρ Μ 0 S預充電晶體Ρ1被偏轉為導通,經由耦合 C 0 Μ Μ 0 Ν至預充供應電位V P C H G,而開始於共通信號節點 COMMON的充電過程。熟諳技藝人士了解由於PMS0電晶體 Π 312XP/發明說明書(補件)/94-0]/93130807 200527816 之操作特性,信號之反相為必需,Ρ Μ 0 S電晶體之操作特性 於閘極端被偏轉於邏輯低時,造成其進入導通,當其閘極 端被偏轉為邏輯高時,進一步造成其關斷。於時段t 3,共 通信號節點C Ο Μ Μ Ο N充電至預充供應電位V P C H G。於事件 Β 5,共通信號節點C Ο Μ Μ Ο Ν之上升緣於通過輸出緩衝器2 5 0 之傳播延遲關聯的時段14之後,造成輸出信號0 U Τ變遷為 邏輯低。輸出信號0 U T藉預充控制電路4 4 0反相與延遲經 歷一時段15,造成預充控制信號C H G變遷為邏輯高。如此 造成Ρ Μ 0 S預充電晶體Ρ 1關斷。允許共通信號節點C Ο Μ Μ Ο Ν 浮動,維持於預充供應電位VPCHG。共通信號節點COMMON 持續浮動經歷一時段16。於時段t 6結束時,共通信號節 點C 0 Μ Μ 0 N被下拉至邏輯低,重新開始始於事件A 5的處理 過程。 經由檢驗共通信號節點時序曲線5 1 0、輸出信號節點時 序曲線5 2 0、及預充控制信號時序曲線5 3 0證實,於預充 控制電路4 4 0操作之新穎之處在於由脈波寬度調變器(PWM) 4 0 0之輸出信號0 U T可自動產生預充時序。 於前文說明書已經參照特定具體例說明本發明。但顯然 易知可未悖離如隨附之申請專利範圍陳述之本發明之廣義 精髓及範圍,作出多種修改及變化。例如於該具體實施例 中,一次只有一個選項允許被激活(高)。但也涵蓋一次可 有多於一個選項被激活之其它具體例。如此,說明書及附 圖須視為舉例說明而非限制性意義。 【圖式簡單說明】 圖1為先前技術已知之多工器電路之示意圖。 12 312XP/發明說明書(補件)/94-0 ] /93 ] 30807 200527816 圖2為根據本發明之一具體實施例之多工器電路之示意 圖。 圖3為電壓-時間線圖比較先前技術傳播之信號與根據 圖2之具體實施例傳播之信號。 圖4為脈波寬度調變器(P W Μ )之一具體實施例之示意圖。 圖5為時程圖說明根據本發明之預充控制電路之操作。 【主要元件符號說明】 2-1〜2-4、3-1〜3-4 PM0S電晶體之閘極端 1 00 多工器電路 110 資料選擇電路 120 ΝΜ0S預充電晶體 2 0 0 低預充電壓多工器 2 5 0 輸出緩衝器 3 10 降低電壓預充曲線 3 2 0 正常電壓預充曲線 3 3 0 切換點電位線 3 4 0 預充間隔 350 評比間隔 3 6 0 減少延遲間隔 4 0 0 脈波寬度調變器(PWM) 4 2 0 電流控制延遲鏈 4 2 2 時脈延遲元·件 4 2 4 時脈延遲鏈分接點 4 4 0 預充控制電路 13 3 ] 2ΧΡ/發明說明書(補件)/94-0 ] /93 ] 30807 200527816 4 6 0 狀 態 機 480 分 接 點 5 10 共 通 信 520 苹刖 出 信 5 3 0 預 充 控 elk 時 脈 信 CHG 預 充 控 COMMON 共 通 信 GND 地 電 位 器 選擇暫存器 號節點時序曲線 號節點時序曲線 制信號節點時序曲線 號 制信號 號節點
10 輸入 11 輸入 NO 第一 Ν I 第二 NS0 第一 NS1 第二 OUT 輸出 PI PM0S SO 選擇 SI 選擇 t 時段 VDD 系統 VPCHG 預充 信號 信號 NM0S輸入電晶體 Ν Μ 0 S輸入電晶體 NM0S選擇電晶體 NM0S選擇電晶體 信號 預充電晶體 信號 信號 供應電位 供應電位
312ΧΡ/發明說明書(補件)/9(0]/93]30807 14
Claims (1)
- 200527816 十、申請專利範圍: 1 . 一種供選擇複數個輸入信號之一來耦合至一輸出通 道用之電子裝置,該電子裝置包含: 一個別下拉電路,其係組配來對複數個輸入端各別提供 一分開路徑,各個下拉電路係耦合至一共通預充節點; 一選擇電路,其係耦合至各個下拉電路,且係組配來閘 控複數個輸入端之各個輸入端;以及 一預充裝置,其係組配來提供一共通預充節點之電壓 ,該電壓係低於系統電壓。 2. 如申請專利範圍第1項之電子裝置,其中,該共通預 充節點之電壓係大於一耦合至該共通預充節點之電路之切 換電壓。 3. 如申請專利範圍第2項之電子裝置,其中,該預充裝 置進一步包含一 PM0S電晶體耦合至一預充供應電位,該預 充供應電位係低於該系統電壓。 4. 如申請專利範圍第3項之電子裝置,其中,該系統供 應電位約為2 . 8 5伏特,以及該預充供應電位約為1 . 8伏特。 5 .如申請專利範圍第2項之電子裝置,其中,該預充裝 置進一步包含一 Ν Μ 0 S電晶體耗合至該系統電壓。 6 . —種於一積體電路耦合複數個輸入信號之一至一輸 出通道之方法,該方法包含: 串聯耦合一具有一閘極端之NM0S輸入電晶體與一具有 一閘極端之NM0S選擇電晶體,來形成一下拉電路; 形成複數個下拉電路; 經由耦合Ν Μ 0 S輸入電晶體之閘極端至該輸入信號而關 15 3 ] 2ΧΡ/發明說明書(補件)/94-0】/93130807 200527816 聯一個別下拉電路與複數個輸入信號之一; 耦合複數個選擇信號之一至該NM0S選擇電晶體之一之 閘極端; 耦合複數個下拉電路至一共通預充電節點; 耦合一 PM0S預充電晶體至該預充節點,以及耦合至一 預充供應電位,該預充供應電位係低於一系統供應電位; 經由偏轉該PM0S預充電晶體成為導通而預充該共通節 點至該預充供應電位; 經由回應於下拉電路之Ν Μ 0 S選擇電晶體之激活選擇信 號以及回應於邏輯高存在於下拉電路之NM0S輸入電晶體 之閘極端,偏轉單一下拉電路成為導通,來初始化該共通 節點的下拉。 7 . —種電子脈波寬度調變器電路,係由一系統供應電壓 操作且具有一輸出端,該電路包含: 一多工器,其具有選擇端、輸入端、一共通預充節點 以及一預充裝置,其係組配來對該共通預充節點提供電 壓,該電壓係低於該系統供應電壓; 一狀態機器,其係耦合至該輸出端以及耦合至一分接點 選擇暫存器,該分接點選擇暫存器進一步耦合至該多工器 選擇端; 一時脈延遲鏈,其具有複數個延遲鏈元件以及延遲鏈分 接點,各個延遲鏈分接點係耦合至輸入端之一;以及 一預充控制電路,其係耦合至該預充裝置以及耦合至該 輸出端,該預充控制電路係組配來經由延遲一來自輸出端 之輸出信號,調整該延遲後輸出信號之邏輯極性,以及耦 16 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-0 ]/93130807 200527816 合該延遲後且調整後之輸出信號至該預充裝置。 8 .如申請專利範圍第7項之電子脈波寬度調變器,其 中,該狀態機器可回應於一輸出端之一上升緣,前傳一由 該分接點選擇暫存器所控制之選擇信號。 9 . 一種電子脈波寬度調變器電路,係由一系統供應電壓 操作且具有一輸出端,該電路包含: 一多工器,其具有選擇端、輸入端、一共通預充節點 以及一預充裝置,其係組配來對該共通預充節點提供電 壓,該電壓係低於該系統供應電壓; 一狀態機器,其係耦合至該輸出端以及耦合至一分接點 選擇暫存器,該分接點選擇暫存器進一步耦合至該多工器 選擇端,其中該狀態機器回應於一輸出端之上升緣,前傳 一由該分接點選擇暫存器所控制之選擇信號,造成該共通 預充節點之下拉; 一時脈延遲鏈,其具有複數個延遲鏈元件以及延遲鏈分 接點,各個延遲鏈分接點係耦合至輸入端之一;以及 一預充控制電路,其係耦合至該預充裝置以及耦合至該 輸出端,該預充控制電路係組配來經由延遲一來自輸出端 之輸出信號,調整該延遲後輸出信號之邏輯極性,以及耦 合該延遲後且調整後之輸出信號至該預充裝置。 1 0 . —種控制一共通信號節點之預充之方法,該方法包 含: 於一具有一系統電壓之脈波寬度調變器,利周一預充電 晶體耦合一預充電壓至該共通信號節點,該預充電壓係低 於該系統電壓;以及 3 ] 2XP/發明說明書(補件)/94-0 ] /93 ] 30807 17 200527816 耦合該脈波寬度調變器之一延遲後且經邏輯調整之輸 出信號至該預充電晶體之閘極端。 1 1 . 一種於脈波寬度調變器電路形成一自我計時時脈脈 波之方法,該電路係由一系統供應電壓操作且具有一輸出 端,該方法包含: 利用一由該系統供應電壓操作的緩衝器電路,耦合該輸 出端至一共通節點; 預充該共通節點至一低於該系統供應電壓之電壓; 回應於複數個選擇信號及複數個延遲時脈脈波之一,藉 一下拉放電該共通節點; 回應一於該輸出端之信號緣,前傳該選擇信號,藉此結 束該共通終端之下拉; 回應一於該輸出端之信號緣,初始化該共通節點之預 充;以及 回應一於該輸出端之信號緣,結束該共通節點之預充, 該信號緣係與初始化該共通節點預充之於該輸出端之信號 緣相反方向。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之方法,其中,於輸出端之 負責前傳選擇信號以及初始化該共通節點之預充之該信號 緣為一上升緣,以及於該輸出端結束該共通節點預充之該 信號緣為一下降緣。 13. —種用於選擇複數個輸入信號之一來耦合至一輸出 通道之電子裝置,該電子裝置包含: 一個別下拉手段,用來對複數個輸入各別提供一分開路 徑,該下拉手段係耦合至一共通預充節點; 18 312XP/發明說明書(補件)/94-01/93130807 200527816 一選擇手段,其係耦合至各個下拉手段用來閘控複數個 輸入端之各個輸入端;以及 一預充手段,用來提供該共通預充節點之電壓,該電壓 係低於一系統電壓。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之電子裝置,其中,該共通 預充節點之電壓係高於一耦合至該共通預充節點之電路之 切換電壓。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之電子裝置,其中,該預充 手段進一步包含一 PM0S電晶體,其係耦合至一預充供應電 位,該預充供應電位係低於該系統電壓。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之電子裝置,其中,該系統 供應電位約為2 . 8 5伏特,以及該預充供應電位約為1 · 8 伏特。 1 7 .如申請專利範圍第1 4項之電子裝置,其中該預充手 段進一步包含一 NM0S電晶體,其係耦合至該系統電壓。 19 312XP/發明說明書(補件)/94-0 ] /93 ] 30807
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US51071003P | 2003-10-10 | 2003-10-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200527816A true TW200527816A (en) | 2005-08-16 |
Family
ID=34435125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW093130807A TW200527816A (en) | 2003-10-10 | 2004-10-08 | Reduced voltage pre-charge multiplexer |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7157958B2 (zh) |
| EP (1) | EP1673865A4 (zh) |
| CN (1) | CN1954497A (zh) |
| TW (1) | TW200527816A (zh) |
| WO (1) | WO2005034607A2 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11218149B2 (en) | 2019-10-15 | 2022-01-04 | Realtek Semiconductor Corporation | Multiplexer device and signal switching method |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070074312A (ko) * | 2006-01-09 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 출력 드라이버를 조절할 수 있는 반도체 메모리 장치 |
| US7592851B2 (en) * | 2008-01-29 | 2009-09-22 | International Business Machines Corporation | High performance pseudo dynamic pulse controllable multiplexer |
| US9548948B2 (en) * | 2012-08-24 | 2017-01-17 | Analog Devices Global | Input current cancellation scheme for fast channel switching systems |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4325656C2 (de) * | 1993-07-30 | 1996-08-29 | Schott Glaswerke | Verwendung eines Glaskörpers zur Erzeugung eines als Brandschutzsicherheitsglas geeigneten vorgespannten Glaskörpers auf einer herkömmlichen Luftvorspannanlage |
| DE69523354T2 (de) | 1994-02-25 | 2002-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Multiplexer |
| US5594631A (en) * | 1994-04-20 | 1997-01-14 | The Boeing Company | Digital pulse width modulator for power supply control |
| US5646558A (en) * | 1995-09-27 | 1997-07-08 | Intel Corporation | Plurality of distinct multiplexers that operate as a single multiplexer |
| US6049231A (en) | 1997-07-21 | 2000-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Dynamic multiplexer circuits, systems, and methods having three signal inversions from input to output |
| US6087855A (en) * | 1998-06-15 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | High performance dynamic multiplexers without clocked NFET |
| JP2002009606A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-11 | Nec Corp | 半導体回路 |
| US6940328B2 (en) * | 2002-08-28 | 2005-09-06 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for duty cycle control |
| US7224199B1 (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-29 | National Semiconductor Corporation | Circuit and method for digital delay and circuits incorporating the same |
-
2004
- 2004-10-08 TW TW093130807A patent/TW200527816A/zh unknown
- 2004-10-08 EP EP04794610A patent/EP1673865A4/en not_active Withdrawn
- 2004-10-08 US US10/962,276 patent/US7157958B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-10-08 WO PCT/US2004/033309 patent/WO2005034607A2/en not_active Ceased
- 2004-10-08 CN CNA200480033589XA patent/CN1954497A/zh active Pending
-
2006
- 2006-11-14 US US11/559,810 patent/US7471132B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11218149B2 (en) | 2019-10-15 | 2022-01-04 | Realtek Semiconductor Corporation | Multiplexer device and signal switching method |
| TWI783202B (zh) * | 2019-10-15 | 2022-11-11 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 多工器裝置與訊號切換方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1673865A4 (en) | 2006-12-20 |
| CN1954497A (zh) | 2007-04-25 |
| US7471132B2 (en) | 2008-12-30 |
| US20070069785A1 (en) | 2007-03-29 |
| US20050077939A1 (en) | 2005-04-14 |
| US7157958B2 (en) | 2007-01-02 |
| WO2005034607A2 (en) | 2005-04-21 |
| WO2005034607A3 (en) | 2005-12-29 |
| EP1673865A2 (en) | 2006-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8299831B2 (en) | Semiconductor device | |
| US7145363B2 (en) | Level shifter | |
| TWI587311B (zh) | 半導體裝置 | |
| CN105099438B (zh) | 半导体器件 | |
| KR102078291B1 (ko) | 레벨 쉬프터 | |
| CN100444523C (zh) | 双电压三态缓冲器电路 | |
| TWI524673B (zh) | 位準移位電路及其方法 | |
| KR100942972B1 (ko) | 출력 드라이버 | |
| CN108736863B (zh) | 一种输出驱动电路 | |
| EP1006656A2 (en) | MOS transistor output circuit | |
| KR102021336B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 동작방법 | |
| KR20170064842A (ko) | 송신 회로 및 반도체 장치 | |
| TW200527816A (en) | Reduced voltage pre-charge multiplexer | |
| KR101848757B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JP2003017987A (ja) | 選択可能な出力エッジレイト制御 | |
| US20030222689A1 (en) | Multi-phase edge rate control for scsi lvd | |
| US11005454B1 (en) | Pre-driver circuits for an output driver | |
| US20060071695A1 (en) | Signal driving circuits including inverters | |
| US7477081B2 (en) | Pre-driver circuit and data output circuit using the same | |
| JP2013201667A (ja) | 出力ドライバ回路、および、半導体記憶装置 | |
| TWI864837B (zh) | 用於切換接合焊盤的偏置電壓的電路及其電子裝置 | |
| KR100907017B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 레벨 회로 | |
| KR100604658B1 (ko) | 전압레벨 쉬프터 | |
| KR101103259B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 센스앰프를 제어하는 회로 및 방법 | |
| KR100318267B1 (ko) | 구동전류를 제어하기 위한 씨모스 출력 버퍼회로 |