TW200426818A - Optical recording medium, recording/reproduction method and device thereof - Google Patents

Description

200426818 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域] 本發明係關於，因光波束之照射來進行資訊之記錄， 再生之光記錄媒體，尤其是可大容量，高密度記錄之單面 2層型之光記錄媒體及其記錄再生方法與裝置。 【先前技術】 一般在光碟片（CD )或DVD，自凹穴（pit )之底部 及鏡面部之光之干涉所產生之反射率變化加以利用，來進 行2値信號之記錄及追蹤信號（tracking signal)之檢測 。近年’在有CD與再生互換性（互換性）之媒體方面， 使有機色素層做成記錄層之一次寫入型之光碟片（CD-R )或相變化型之可重寫之光碟片（CD-RW:CD-Rewritable )被持續廣泛使用，而關於DVD亦有可一次寫入之DVD 或相變化型之可重寫之DVD的各種提案。在使習知之有 機色素薄膜成爲記錄層之光記錄媒體中，在有機色素薄膜 使用駄菁素化合物者，使用花青（cyanine)系色素者， 或者使用phe n ale n e系色素，蔡醌系色素者爲已知。 在基板上順序層合有機色素，金屬反射層，UV樹脂 保護層之一次寫入光碟片CD型（CD-R)光記錄媒體，爲 要滿足C D規格則高反射率爲必要，因此在再生波長範圍 (7 7 0〜83〇nm)具有高度折射率且穩定性高的有機色素之 開發爲必要（爲DVD之一次寫入型之DVD± R之再生波 長爲 6 3 0 〜6 8 0 n m )。 -5- (2) (2)200426818 至目BU爲止’ CD-R及DVD±R，係將花青色素，酿 靑素色素，偶氮金屬螯合色素等作爲記錄材料使用，使金 _反射層組合者，有極爲多數之提案。 在光碟被稱爲信號記錄用之凹槽·突起之凹凸形狀所 成導溝被形成，由進行記錄再生用之雷射光照射之處（基 -板處）觀之，在遠方之方向有凹成凹形狀之處被稱爲突起 聲 ’而在近方之方向突出成凸形狀之處被稱爲凹槽。根據可 δ己錄再生之導溝之間距（記錄單位距離11. a c k p i t c h )，可 決定可記錄之容量。例如在DVD + R或DVD + RW，僅在凹 槽（g r ο 〇 v e )採用記錄資訊之凹槽記錄方式，在記錄容量 4.7GB記錄單位距離爲0.74// m。又，在凹槽與突起之兩 方均可記錄之突起·凹槽（land/groove )記錄方式亦爲周 知，DVD-RAM係採用此方式。 在最近，爲使1枚光碟之記憶容量增加，則有複數數 據層系統被提案。具有2枚或以上之數據層之光碟，因透 鏡之焦點之變更而可接近（access )各種層。 在專利文獻1〜2，有記載關於使用有機色素層之單面 2層型之一次寫入型碟片.，但資訊層係只有有機色素層1 層之重複，並非考慮到反射率或DV D等互換性之層構成 ° · 在專利文獻3〜4有記載單面2層型之一次寫入型碟片 ^ ，.但其係在記錄層使用無機材料，有成本方面之問題存在 〇 又，在該等之公知文獻中，關於溝形狀，推挽（ -6 - (3) 200426818 p u s h - p u 11 )値則無任何述及。 在專利文獻5〜6亦有記載單面2層型之一次寫入 write-once)光碟，但關於該等，則無考慮到最適於 之光學牛寸性’且可穩定地追蹤（11. a c k i n g )，同時， 好地記錄·再生之課題，亦無關於推挽之記載。 一方面，相變化（phase change )型之可重寫之 DVD ’係利用非晶質與結晶狀態之折射率差所產生反 差及相位差變化來進行記錄資訊信號之檢測。通常之 化型光記錄媒體，具有在基板上設置下部保護層，相 型記錄層，上部保護層，反射層之構造（該等歸納之 資訊層），利用該等資訊層之多重干涉來控制反射率 相位差，而可具有C D或D V D之互換性。在C D - R W 在使反射率落至15〜25%程度之範圍內可確保CD與 信號及溝信號之互換性，在可補足（cover )反射率 低之附加增幅系之CD驅動器爲可再生。 另外，相變化型光記錄媒體因消去與再記錄過程 以一條會聚光（convergence light)波束（beam)之 調制（modulation )來進行，因此在 CD-RW或可 DVD ( DVD + RW，DVD-RW等）等之相變化型光記錄 中，記錄（record )係含有可同時進行記錄與消去之 (〇 ver\vrit e )記錄。在利用相變化之資訊之記錄，可 結晶、非晶質或該等之混合狀態，亦可使用複數之結 ，而目前在被實用化之可重寫的相變化型光記錄媒體 使未記錄·消去狀態成爲結晶狀態，形成非晶質之標 型（ 各層 可良 CD， 射率 相變 變化 稱爲 差及 中， 記錄 之降 可僅 強度 重寫 媒體 覆寫 使用 晶相 ，係 記（ (4) (4)200426818 m a r k )來記錄者爲一般。 在相變化型記錄層之材料方面以使用硫屬（ chalcogen)元素，亦 ip 含 s、 Se、 Te 之 Chalcogenide 系 合金爲多。例如，以GeTe-Sb2Te3虛擬二元合金爲主成分 之GeSbTe系，以inTe-Sb2Te3虛擬二元合金爲主成分之 InSbTe系，SbG.7Tec).3以共融混合物合金爲主成分之 AglnSbTe系，GeSbTe系等。尤其是，被CD-RW等之相 變化型光記錄媒體所廣泛採用之材料之一種的Sb-Te共晶 合金系記錄材料，與GeTe-Sb2Te3虛擬二元化合物系記錄 材料比較，消去比優異且爲高感度，故就記錄標記之非晶 形部之輪廓爲明確之點而言極爲優異爲自明。 在DVD中，爲了使光碟之記錄密度提高，則除了使 記錄面內之密度提高以外，亦可考慮使資訊記錄層之數目 增加。例如，近年已規格化及商品化之DVD就具有2層 &資訊記錄層，自碟片之一方處，2層之資訊記錄層爲可 _取之再生專用之光碟。在目前，在記錄再生型之DVD ’以具有2層資訊記錄層之光碟被開發，等之報告被提出 (例如，專利文獻7，8 )。但是並未商品化，離實用化 尙遠。 在位於單面2層型光碟之跟前處之資訊層（稱爲第1 資訊層），爲了最內側之資訊層（稱爲第2資訊層）之記 錄·再生之用，則必須使雷射光之50%前後予以透過。又 5爲了使感度良好的記錄，第1資訊層有必要使40%前後

雷射光吸收。由上述可知，依照規格’一次寫入型D V D (5) (5)200426818 之反射率，例如在DVD + R爲45〜85%，而重寫型DVD之 反射率，例如在D V D + R W爲3 0 %以下，但單面2層型光 碟之第1資訊層進而反射率會變的更小’故追蹤會有不穩 定之虞。一方面’吾人認爲第2資訊層亦’被第2資訊層 所反射信號，在第1資訊層被吸收，故到達受光元件之比 率成爲50%前後，而造成反射率降低。又’在前述專利文 獻7，對於溝形狀則無任何記載，在專利文獻8，雖有關 於導溝之寬度之規定，但就溝深，推挽値則無任何觸及。 (專利文獻1 )國際公開第00/0 1 63 20號摘要 (專利文獻2 )國際公開第0 0/02 3 990號摘要 (專利文獻3 )特開200 1 -0 84 643號號公報 (專利文獻4 )特開200 1 - 1 0 1 709號號公報 (專利文獻5 )特開2 0 0 0 - 0 8 2 2 3 8號號公報 (專利文獻6 )特開2 0 0 0 - 3 1 1 3 8 4號號公報 (專利文獻7 )特許第2 7 0 2 9 0 5號號公報 (專利文獻8 )特開2002- 1 8403 2號號公報 發明之揭示 本發明，係如上述鑑於實際情形而完成者，其目的爲 提供可穩定地的追蹤，對於各資訊層亦可進行良好的記錄 •再生之單面2層型之一次寫入型光記錄媒體及相變化型 光記錄媒體’以及該等之記錄再生方法與裝置。 本發明人等’爲解決前述習知技術之問題點加以重新 次!]思日、」’1¾果’發現在卓囬2層型光碟，有必要將反射率 (6) (6)200426818 ，透過率及吸收率平衡良好的設計，而此等與溝形狀大幅 相關。又，本發明人等，如後述，則發現受到溝形狀所大 幅影響之單面2層型光碟之推挽値之最適範圍。推挽·信_ 係將光檢測探測器之受光元件在半徑方向分割爲2之情形 中，使各個輸出成爲1 1，1 2時，而以下式表示。式中， pp爲峰値對峰値，max爲最大値，min爲最小値。 (11-12) pp/〔 { (11+12) max+ ( 11+12) m i η} / 2 ] 本發明，係發明人等基於前述真知灼見而完成者，解 決前述課題之手段係如下述。 〈1〉一種光記錄媒體，其特徵爲，在第1基板與第 2基板之間，依順序設置第1資訊層，中間層及第2資訊 層，各資訊層具有有機色素所成一次寫入型記錄層，且， 沿著記錄記錄單位（record track )可形成凹槽（groove ) ，自1基板使波長λ之雷射光入射藉由光強度之2値以上 之調制來進行資訊之記錄•再生之單面2層光記錄媒體， 使第1基板之折射率爲η!，中間層之折射率爲η2， 第1資訊層之凹槽之深度I，凹槽之寬度w】，記錄單位 距離（t r a c k p i t c h ) ρ ]，第2資訊層之凹槽之深度d 2，凹 槽之寬度w2，記錄單位距離P2，以滿足下述條件爲其特 徵之光記錄媒體。 4 λ /1 6 η 1 ^ d ] ^ 7 λ /1 6 η ! λ / ]6π2$ 3 λ /16ι〇2 ，或 4Α /16η2$ 7 λ /]6π2 - 10 - (7) (7)200426818 0.2^ wj/pi^ 0.55 0.2 S w2/p2 S 0.55。 〈2〉如申請專利範圍第1項記載之光記錄媒體，其 中，第1資訊層之記錄前之推挽値爲PP 1，第2資訊層之 記錄前之推挽値爲PP2，可滿足下述條件者， 0.30 ^ PP1 ^ 0.70 0.25 ^ PP2 ^ 0.60 0.6 ^ PP1/PP2 ^ 1 .4 〈3〉如申請專利範圍第1項或第2項記載之光記錄 媒體，其中，在對於波長λ之波長域之光之記錄層單層之 折射率η爲1·5$η^3·0，衰減係數k爲，〇.〇2Sk$0.2 者。 〈4〉如申請專利範圍第1項至第3項中任一項記載 之光記錄媒體，其中，在未記錄部之反射率爲18〜30%者 〇 〈5〉如申請專利範圍第1項至第4項中任一項記載 之光記錄媒體，其中，D P D信號爲〇. 3以上者。 〈6〉如申請專利範圍第1項記載之光記錄媒體，其 中雷射光之波長λ在50〜7 0 0 nm之範圍之任一中，可滿足 上述條件者。 〈7〉如申請專利範圍第6項記載之光記錄媒體，其 中，雷射光之波長λ，在63 0〜6 8 0nm及3 9 0nm〜42 0ηηι之 範圍之任一中，可滿足上述條件者。 〈8〉一種光記錄媒體，其特徵爲，在第1基板與第 -11 - (8) (8)200426818 2基板之間，依照順序設置第1資訊層，中間層及第2資 訊層，各資訊層具有相變化記錄材料所成記錄層，且，沿 著記錄記錄單位可形成凹槽，自第1基板使波長λ之雷射 光入射藉由光強度之2値以上之調制來進行資訊之記錄· 再生之單面2層光記錄媒體，使第1基板之折射率爲ηι， 中間層之折射率爲n2，第1資訊層之凹槽之深度d,，凹 槽之寬度wi，記錄單位距離（track pitch ) Pl，第2資訊 層之凹槽之深度d2，凹槽之寬度w2，記錄單位距離p2， 以滿足下述條件爲其特徵之光記錄媒體。 0.9 λ /1 6m ^ d] ^ 3 λ /1 6ηι 0.9 λ /1 6n2 ^ d2 ^ 3 λ /1 6η2 0.2^ Wi/pj^ 0.6 0·2$ w2/p2$ 〇·6。 〈9〉如申請專利範圍第8項記載之光記錄媒體，其 中，第1資訊層之記錄前之推挽値爲ΡΡ1，第2資訊層之 記錄前之推挽値爲Ρ Ρ 2，可滿足下述條件’ 0.30^ ΡΡ1 ^ 0.70 0.25 ^ ΡΡ2 ^ 0.60 0.6 ^ ΡΡ 1 /ΡΡ2 ^ 1.4 〈1 0〉如申請專利範圍第8項及第9項中任一項記載 之光記錄媒體，其中相變化記錄層係，( SbzTelOO j )100-w ( w、z 爲原子 ％，〇$ w<15，50<z<9〇，Ml 爲選 自 ln5Ga、Ge、Sn、Si、Zr、Nb、Ta、V、Ag、A 1、Pt、 P b、C r、C o、0、S、N所成群之至少]種所示合金所成 -12 - (9) (9)200426818 者。 〈1 1〉如申請專利範圍第8項或第9項記載之光記錄 媒體’其中相變化S己錄層係（G e · Μ 2 ) X S b y T e 3 + X ( X、y 係原子 ％，2S x<22，4，M2 爲選自 Sn、Bi、Pb 所 成群之至少1種）所示合金者。 〈1 2〉如申&專利車g圍第8項至第1 1項中任一項記 載之光記錄媒體’其中，碟片之無溝之部分之鏡面部的反 射率爲4〜2 0 %。 〈1 3〉如申請專利範圍第8項至第1 2項中任一項記 載之光記錄媒體，其中，DPD信號爲0.3以上者。 〈1 4〉如申請專利範圍第8項記載之光記錄媒體，其 中，雷射光之波長λ係在，3 5 0〜70 Onm之範圍之任一之中 ，可滿足上述條件者。 〈1 5〉如申請專利範圍第1 4項記載之光記錄媒體， 其中，雷射光之波長λ ，係在 63 0〜6 8 0nm及 3 90nm 〜4 2 0 n m之範圍之任一中，可滿足上述條件者。 〈1 6〉一種光記錄媒體之記錄再生方法，其特徵爲， 相對於申請專利範圍第1項至第1 5項中任一項記載之2 層光sS錄媒體之各資訊層，使波長350〜700n m之上述雷 射光入射而進行資訊之記錄·再生者。 〈1 7〉一種光記錄媒體之記錄再生裝置，其特徵爲， 進行申請專利範圍第1項至第1 5項中任一項記載之2層 光記錄媒體之記錄再生之裝置中，其具備，以波長 3 5 0〜7 OOnm之雷射光爲發生光源與在各資訊層自基板側入 (10) (10)200426818 躬' 之上述雷射光來進行標記之形成及檢測用之層認識構件 及層轉換構件者。 【發明內容】 實施發明之最佳型態 以下，關於上記本發明加以詳細說明。 光學溝之讀取係由與磁頭或拾波一體地移動之光點（ spot )之反射光予以受光之光碟半徑方向被分割爲2之伺 服（servo )用光探測器來進行，其第一光探測部之輸出 1 1與第2光探測部之輸出1 2係在信號處理電路中被演算 處理。 波束之焦點位置若自追蹤中心偏位時推挽信號輸出則 表示與其對應之曲線。在DVD + R，DVD + RW之規格，記 錄前之推挽信號強度係各自在〇.3〇〜0.60，0.2 8〜0.56之範 圍。 但是，第1資訊層，第2資訊層之推挽信號強度均在 上述範圍之碟片中會產生調制（modulation)之降低，因 重複記錄所致跳動之惡化’第2資訊層之感度不足等之問 題。其理由並非明確，但推挽信號強度會因溝形狀而大受 影響，故吾人認爲或許與溝形狀有關係。溝深在比較淺之 情形，若溝變淺則推挽信號強度會變小。 溝若過淺則無法進行調制，又因隣接記錄單位影響使 得跳動增加’若溝過深則反射率會降低，因重複記錄所致 跳動之增加會激烈化。而關於溝寬度，若寬度過寬則無法 -14 - (11) (11)200426818 進行調制因重複記錄所致跳動之增加會更激烈。若寬度更 窄則追蹤會變的不穩定，尤其是在第1資訊層’若溝寬度 過窄時，則反射率與透過率之平衡會崩解’會有透過率減 少等之不合適產生。因此檢討結果’在成爲記錄再生特性 優異之單面2層光碟’使雷射光之波長爲λ nm ’使桌I 基板之折射率爲n 1，中間層之折射率爲n 2，第1資訊層 之凹槽之深度di，凹槽之寬度wi，記錄單位距離（track pitch ) p】，第2資訊層之凹槽之深度ch，凹槽之寬度w2 ，記錄單位距離P2，在一次寫入型光記錄媒體之情形’ 有必要滿足下述條件， 4A/16n]^di^7A/16n, λ /161”€ 己2$ 3 入 /16n2，或 4A /16n2$ 7 λ /16n2 0.2^ W]/pi^ 0.55 0.2^ w2/P2 ^0.55 在相變化型光記錄媒體之情形，則有滿足下述條件之 必要爲自明。 0·9λ /16n]$ d】‘ 3 λ /16η] 0.9 λ /16 η 2 = d2^ 3 λ /16 η 2 W]/pi^ 0.6 0.2S W2/p2$ 〇·6 d]，以滿足λ d] S 3 λ /16m之條件爲佳，d2， 以滿足又/16n2S d2S 3 ；l /16n2之條件者爲佳。 又，推挽信號強度，以第1資訊層之記錄前之推挽値 爲PP ]，第2資訊層之記錄前之推挽値爲PP2，可滿足下 -15- (12) (12)200426818 述條件時，可綜合的得到優異記錄特性。 30$ PPlg 0.7 0 25 ^ PP2 ^ 0.60 PP1/PP2^ 1.4 推挽比上述範圍更大時，因反射率變低等之原因，使 各層可穩定的聚焦則有困難。又，推挽比上記範圍更小時 ，追蹤會變的不穩定，或使第1資訊層之透過率減少。 又’ PP1/PP2在0.6〜I·4之範圍時，例如在數據讀出 中拾波（pick-up)自第1資訊層至第 2資訊層躍遷（ j ump )之際，追蹤並不會脫離而可進行順暢之讀出。在推 挽値，因與自凹槽面之之反射光與自突起部之反射光之相 位差有極深關連，故凹槽溝深之最適値與雷射波長λ之關 係式所示者爲習知所周知，但本發明人等，經刻意檢討結 果，發現在與本發明有關之2層光記錄媒體之情形，在雷 射波長；I =3 5 0〜75 Onm之範圍中，本發明1或5所規定之 範圍爲佳。基於此真知灼見，如前述般在習知文獻所完全 無記載之新規事項。 又，本發明1或5係以含有雷射波長λ之式所規定者 ，一般之光記錄媒體，係將所使用之記錄再生用雷射波長 之範圍予以特定而設計者，若在3 5 0〜75 Onm之範圍內， 則依照光記錄媒體之種類被特定之記錄再生用雷射波長來 決定凹槽之深度，故雷射波長λ含於構成要件並不會使作 爲光記錄媒體之構成有不明瞭之處。 總之，本發明係，DVD + R所用之紅色雷射之波長 -16- (13) (13)200426818 6 3 0〜68 0nm，或者藍色雷射之波長39〇〜42〇nm之範圍中， 以在本發明1或5所規定之範圍爲佳。 關於反射率’在一次寫入型光記錄媒體之場合，由單 面2層型DVD-ROM之互換性，使未記錄部之反射率爲 18〜30%爲佳’以18〜25%特佳。又在相變化型光記錄媒體 t場合’於碟片之無溝之部分（鏡面部）之反射率超過 2 0 %時’要得到記錄信號之反差（c ο n t r a s t )大的碟片有 戶斤困難。一方面，若反射率小時所有之信號強度會變小， 故反射率不可以過小。因此鏡面部之反射率以4〜20 %爲佳 ，以6〜1 2 %特佳。 DPD信號係，在一次寫入型之場合，相變化型之場合 ’均以0.3以上爲佳。再生專用之光碟裝置中追蹤方式， 係採用 D P D 法（D i f f e r e n t i a 1 P h a s e D e t e c t i ο η :相位差檢測 法）。因此，DPD信號比0.3更小時，在再生專用之光碟 裝置之追蹤會變的不穩定，容易引起追蹤之偏位傾向。 第1圖係有關，本發明之一實施形態之單面2層型之 一次寫入型光記錄媒體之槪略剖面圖。第1圖所示記錄再 生型之光記錄媒體，具有二層資訊層。各資訊層，係使用 有機色素材料所形成。對各資訊層之資訊之記錄，係自第 1基板處使雷射光入射，藉由稱爲標記（mark )之圖案之 記錄來進行。 更具體言之，在具有導溝之第1基板101上’可形成 第1資訊層1 0 0。第1資訊層]0 0，可爲第1記錄層]〇 3 單層，在第1記錄層上可爲第1反射層]〇 5層合之構成。 -17- (14) 200426818 進而在第1反射層上可設置透明的第1熱擴散層 ，在第1記錄層】〇 3與第1基板1 0 1之間可設置 保護層（圖未示出），爲使機能提高可使該等爲 構成。 一方面，第2資訊層2 0 0係，在具有導溝之 201上所形成。第2資訊層200，可爲第2記錄 層，第2反射層20 5與第2記錄層2 0 3爲層合之 。又’第2記錄層2 0 3與中間層3 0 0之間可設置 保護層（圖未示出），爲使機能提高則可使該等 之構成。 第1資訊層100與第2資訊層200係，藉由 中間層3 0 0 (黏接層）以規定之距離隔開，以對 被貼合者。 又，依製造方法，在中間層3 0 0形成導溝， 成第2資訊層200亦無妨。 在第1基板之材料方面，可使用聚碳酸酯， 脂’聚烯烴等之透明樹脂，或者透明玻璃。其中 酯樹脂在CD中爲最廣泛使用等之實績表現，又 最好的材料。在第1基板，可因應需要設置引導 光之距離之溝。又第1基板之厚度，以0 6mm 土 度爲佳。 在第2基板之材料方面，可使用與第1基板 ’對於記錄再生光可使用不透明的材料，第1基 ’溝形狀即使不同也無妨。第2基板之厚度並無 『106 0又 下拉層或 層合化之 第2基板 層2 03單 構成亦可 下拉層或 爲層合化 略透明的 向之狀態 在其上形 丙烯酸樹 以聚碳酸 因價廉爲 記錄再生 〇 · 1 m m 程 相同材料 板在材質 特別限定 -18- (15) 200426818 ，以選擇第2基板之厚度使得與第1基板之合計 1 .2mm方式爲佳。又，在形成第2資訊層之處亦可 溝。 中間層，係爲記錄再生以使照射光波長中光吸 爲佳，在材料方面，在成形性，成本方面以樹脂爲 可使用紫外線硬化性樹脂，遲效性樹脂，熱可塑性 。又，亦可使用光碟貼合用之兩面膠帶（例如日東 司製之黏接薄片DA- 8 3 2 0 )等。又，在中間層，與 板同樣，可設有使記錄再生光導向之溝。 中間層，在進行記錄再生之際，拾波係使第1 與第 2資訊層區別而可予以光學地分離者，其 10〜7 0 # m爲佳。比 10 /i m薄時，會產生層間 crosstalk)，又比70// m厚時，在將第2資訊層記 之際會產生球面象差（spherical aberration)，會 再生困難之傾向。更佳之範圍爲40〜70 // m。 接著，就第1記錄層1 〇 3及第2記錄層2 0 3加 。可舉出在構成光記錄媒體之記錄層爲必要項目之 性。爲光學特性之必要條件，在記錄再生波長中於 處具有大吸收帶，且記錄再生波長位於該吸收帶之 端近旁。此係意味著，於記錄再生波長具有大折射 減係數（exhaution coefficient)。具體而言，記錄 長中記錄層單層之折射率η爲，1·5$η^3.0，衰減 ，以在 0.0 2 S k $ 0 · 2之範圍爲佳。若滿足此條件 高感度，高調制下可穩定的記錄·再生。但是， 厚度爲 設置導 收變小 恰當， 樹脂等 電工公 第1基 資訊層 厚度以 交擾（ 錄再生 有記錄 以說明 光學特 短波長 長波長 率與衰 再生波 係數k ，則在 η不足 -19- (16) (16)200426818 1 · 5時，因無法獲得充分的光學變化，故記錄調制度降低 並不佳，η超過3.0時，因波長依存性變的過高，即使在 記錄再生波長領域亦會成爲錯誤訊息並不佳。又，k不足 0 · 0 2時，因記錄感度惡化並不佳，k超過〇 . 2時，要得到 1 8 %以上之反射率相當困難，尤其在第1資訊層，因透過 率過低會使第2資訊層之記錄感度惡化並不佳。 接著，在記錄層於可使用之有機色素材料之具體例方 面，可例舉偶氮金屬螯合色素，甲腊（formazan)金屬螯 合色素，甲川二D比咯（dipyrromethene)金屬螯合色素， 聚甲炔（polymethine)色素，Squarylium 色素，（ azaannulene)氮雜輪烯色素等，較佳爲，金屬螯合色素， 三次甲基花青色素，Squarylium色素，四氮雜卟啉（ tetraazaporphyrin)色素 〇 在偶氮金屬螯合色素方面，夾住偶氮鍵結兩側之偶氮 化合物形成單元，取代•未取代之芳香環，吡啶殘基，嘧 啶殘基，吡哄殘基，嗒畊殘基，三畊殘基，咪唑殘基，三 唑偶氮殘基，吡唑殘基，噻唑殘基，異噻唑殘基，苯并噻 唑殘基等之組合所成偶氮化合物之金屬螯合化合物特佳。 又，在甲腊金屬螯合色素方面，以下述〔化1〕之一 般式所示甲腊化合物與2價之金屬原子之螯合化合物爲佳 -20 - 2 200426818 (17) 〔化1〕 N.

fNH

A —C

B (式中，Z爲，與其鍵結之碳原子及氮原子〜起形成 之殘基，具體而言，爲嗒哄環，嘧啶環，吡啡環，或三口并 运。又，該等之雜可具有院基’院氧基，院硫基，取代 胺基，烯丙基，烯丙氧基，苯胺基，酮基等之取代_。A 表示，烷基，芳烷基，烯丙基，或環己基，亦可具有齒原 子，烷基，烷氧基，酮基，羧基或其酯，腈基，硝基等之 取代基。B表示，烯丙基，可具有鹵原子，院基，纟完氧基 ，羧基或其酯，腈基，硝基等之取代基） 在甲川二吡咯金屬螯合色素方面，以下記（2 ^ ^ 一般式所示甲川二吡咯化合物與2價之金屬原子之蜜合化 合物爲佳。 -21 - (18) (18)200426818 〔化2〕

(式中，Ri〜R9表示，各自獨立，氫原子，鹵原子，取代 •未取代之院基，院氧基，鏈燒基，醯基，院氧鑛基，芳 院基’方基’或雜芳基。） 在形成上記偶氮化合物，甲腊化合物，甲川二吡咯化 合物與螯合化合物之金屬方面，有例如，N i，C 〇，C u， Μη，V，Zn，Fe，Cr，Ai等，在製造上及碟片特性上， 尤以 Ni’ Co’ Cu，Μη，V 爲佳。 在聚甲炔色素方面，若爲在5 3 0〜6 〇〇nm具有吸收帶 的話則可使用’其中以三次甲基花青色素爲佳，.三次甲基 鎖之兩端爲取代·未取代之假吲哚（ind〇lenhle )，苯并 假间D朵者特佳’在抗衡陰離子（c〇unter ani〇n )方面，除 了鹵離子，C104-，BF4.，PF6·，SbF6·等以外亦可使用鎳 硫醇鹽錯合物所代表之各種金屬螯合陰離子。 在SqUarylium色素方面，以三十碳六烯（squalen e ) :¾之兩_爲取代.未取代之假吲哚，苯並假吲哚，吡唑， 咔唑，鸣喔啉（quin〇xa】he)，異吲哚，芳香環，取代胺 -22- (19) (19)200426818 基殘基之中之組合所成者爲佳。 在氮雜輪烯色素方面，可例舉具有各自特定取代基之 酞菁素，萘花菁，四吡嗪並（tetrapyrazino )紫菜嗉（ P 〇 r p h y r a z i n e )，四吡啶並（t e t r a p y 1· i d i η 〇 )紫菜嗪，四 氮雜紫菜驗Π卜啉（t e 11· a a z a p o r p h y r i n e )等，但其中特佳者 係四氮雜紫菜鹼卟啉，接著是以四吡啶並紫菜嗪，四比嗪 並紫菜嗪，酞菁素之順序較好。 在上記色素之熱分解特性方面，即使單獨使用色素或 混合使用，其記錄材料之分解開始溫度以3 60 °C以下爲佳 ，尤以100〜3 5 0 °C爲佳。分解溫度超過3 60 °C時記錄時之 穴形成則無法良好的進行，跳動特性亦差。又不足1 〇(TC 時會造成碟片保存穩定性惡化。 又，上記色素，係以提高光學特性，記錄感度，信號 特性等之目的而可與其他有機色素及金屬，金屬化合物混 合或層合化使用。在此種有機色素之例方面，可例舉（聚 )次甲基色素，萘花菁系，酞菁素系，Squarylium系， c h r ο n i u m系，卩惡英_ ( P y r y 1 i u m )系，萘g昆系，蒽酿系（ 陰丹士林（indanthrene)系），ϋ山喔（xanthene)系，三 苯基甲院系，莫（azule n e)系’四氫膽驗（choline)系 ，菲（phenanthrene)系，三苯並11 塞嗪系各染料及，金屬 錯合化合物等。 在金屬，金屬化合物之例方面，可例舉1n，Te，Bi， Se，Sb，Ge，Sn，A1，Be’ T e 0 2 5 SnO’ As’ C d 等，可 以各自分散混合或層合之形態。進而，在上述染料中可將 -23- (20) (20)200426818 高分子材料，例如離子鍵聚合物（ionomer )樹脂，聚醯 胺樹脂，乙烯系樹脂’天然高分子，聚矽氧，液狀橡膠等 之各種材料，或者矽烷偶合劑等予以分散混合亦可，以特 性改良之目的可將穩定劑（例如遷移金屬錯合物），分散 劑，難燃劑，滑劑，防靜電劑，界面活性劑，可塑劑等一 起使用。 有機色素記錄層之形成方法方面，可使用蒸鍍，潑濺 法，C V D (化學氣相成長法），溶劑塗布等之通常之手段 〇 在使用塗布法之場合，可使上述染料等溶解於有機溶 劑，以噴灑，輥塗覆、液浸法、旋轉塗覆法等慣用之塗覆 法來進行。所使用之有機溶媒方面，一般有例如甲醇、乙 醇、異丙醇等之醇類；丙酮、甲基乙基酮、環己酮等之酮 類；二甲基甲醯胺、N，N-二甲基乙醯胺等醯胺類；二 甲基亞硕等之亞硕類；四氫呋喃、二噁烷、二乙基醚、乙 二醇單甲基醚等之醚類；乙酸甲酯、乙酸乙酯等之醋類； 三氯甲烷、二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳、三氯乙烷等 之脂肪族鹵化烴類烴；苯、二甲苯、一氯苯、二氯苯等之 芳香族類；甲氧基乙醇、乙氧基乙醇等之溶纖劑類；己烷 、戊烷、環己烷、甲基環己烷等之烴類等。 記錄層之膜厚爲1 〇 n m〜1 0 // m，較佳爲2 0〜2 0 0 n m。下 拉層則係以，（1 )黏接性之提高，（2 )水或氣體等之阻 隔，（3 )記錄層之保存穩定性之提高，（4 )反射率之提 商，（5 )來自溶劑之基板之保護，（6 )導溝，導穴，預 -24 - (21) (21)200426818 格式化（P r e f 0 r m a t )之形成等爲目的使用者。 對於（1 )之目的，例如可使用離子鍵聚合物樹脂， 聚醯胺樹脂，乙烯樹脂，天然樹脂，天然高分子，聚矽氧 ，液狀橡膠等之各種高分子化合物，及矽烷偶合劑等，對 於（2 )及（3 )之目的，除了上述上述高分子材料以外， 可使用 SiO，MgF，Si02，TiO，ZnO，TiN，SiN 等無機 化合物’進而’可使用 Zn’ Cu’ Ni’ Cr，Ge’ Se，Au， Ag，Al等金屬或準金屬。對於（4)之目的，可使用 A1 ，Au，Ag等金屬或次甲基（methine )染料，U山fl星系染料 等具有金屬光澤之有機薄膜。相對於（5 )及（6 )之目的 則可使用紫外線硬化性樹脂，熱硬化性樹脂，熱可塑性樹 脂等。 在下拉層之膜厚方面以0.01〜30// m，較佳爲0.05〜10 // m爲適當。 在反射層之材料方面，可例舉以單體可得高反射率難 以腐食之金屬，準金屬（metalloid)等，具體例方面有 Au，Ag，Cr，Ni，Al，Fe，Sn等，而就反射率，生產性 之點而言以Au，Ag ’ A1最佳。又，該等之金屬，準金屬 可單獨使用亦可以2種合金方式使用。尤其是由於第1資 訊層之高透過率爲必要，故在第1反射層，以使用折射率 低熱導率高之Ag或其合金爲佳。 在反射層之膜形成法方面可例舉蒸鍍，潑濺等。 第2反射層之膜厚爲3〜5 0 〇 n m，較佳可爲3〜3 0 0 n m。 關於第1反射層以3〜20nm爲佳。未滿3nm時，要製作厚 >25- (22) (22)200426818 度均勻且緻密的膜有其困難。第2反射層之膜厚超過 5 OOnm時，第2反射層與第2記錄層之界面之形狀，會因 基板之溝形狀而大爲相異。又’第1反射層之膜厚超過 2 0 n m時’透過率減少會有第2資訊層之感度降低之傾向 〇 保護層係以，來自記錄層（反射吸收層）之熱的損害 之保護，記錄層（反射吸收層）之保存穩定性之提高，反 射率之提高，交擾減輕等爲目的所使用者。相對於該等之 目的，可使用上述下拉層中所示之材料。又，作爲無機材 料，可使用Si Ο，Si02等，作爲有機材料可使用聚甲基丙 烯酸酯樹脂，聚碳酸酯樹脂，環氧樹脂，苯乙烯樹脂，聚 酯樹脂，乙烯樹脂，纖維素樹脂，脂肪族烴樹脂，天然橡 膠，苯乙烯丁二烯樹脂，氯丁二烯（chloroprene )橡膠， 蠟，醇酸（alkyd )樹脂，乾性油，松香等之熱軟化性， 熱熔化性樹脂。在上述材料中最佳爲ZnS，Si02等之無機 材料。 保護層之膜厚爲0.01〜30// m，較佳爲0.05〜10// ηι。 另外，在下拉層或保護層，與記錄層之情形相同，可含有 穩定劑，分散劑，難燃劑，滑劑，防靜電劑，界面活性劑 ，可塑劑等。 本發明之單面2層型之一次寫入型光記錄媒體，可在 第1反射層上設置第]熱擴散層。第]反射層，就透過率 之觀點而言必須爲非常薄，若第]反射層薄則熱容量不足 ’熱會遲滯於有機色素記錄層，使得微小標記之形成有所 -26- (23) (23)200426818 困難。因此，爲補足第1反射層之熱容量則設置第1熱擴 散層。在第1熱擴散層方面，將雷射照射之有機色素記錄 層予以急冷，則熱導率大者爲所望。又，爲使最內側之資 訊層可記錄再生，則以雷射波長之吸收率小亦爲所望。 在使用於資訊之記錄再生之雷射波長中，以衰減係數 在0.5以下爲佳，進而較佳爲0 · 3以下。比0 · 5大時在第 1資訊層之吸收率可增大，而第2資訊層之記錄再生爲困 難。又，在使用資訊之記錄再生之雷射波長中，折射率爲 1 .6以上爲佳。若比此爲小時，則使第1資訊層之透過率 變大爲困難。 由上述可知，以含有氮化物，氧化物，硫化物，氮氧 化物’碳化物，氟化物之至少1種爲佳。例如，可例舉 AIN’ Al2〇3，SiC，SiN，Sn02，ln203，ZnO，ITO (氧化 銦-氧化錫），IZO (氧化銦-氧化鋅），ΑΤΟ (氧化錫-締 )’ DLC (似鑽石碳 Diamaond like carbon) ，ΒΝ 等。 第1熱擴散層可由各種氣相成長法，例如真空蒸鍍法 ’潑濺法法，等離子CVD法，光CVD法，離子電鍍法， 波束電子射線蒸鍍法等來形成。其中，以潑濺法，在量產 性，膜質等爲優異。 第1熱擴散層之膜厚，以10〜200nm爲佳。若比 1 Onm爲薄時，則無法獲得放熱効果。比2〇〇nm爲厚時， 應力變大’重複記錄特性不僅會降低，量產性亦有問題。 第2圖係，關於本發明其他實施形態之單面2層型之 相變化型光記錄媒體之槪略剖面圖。第2圖所示記錄再生 -27- (24) 200426818 型之光記錄媒體具有二層資訊層。各資訊層係由非 結晶之間使用可變化光學特性之材料（所謂相變化 料）來形成。對各資訊層之資訊之記錄，與第1圖 同樣，自第1基板使雷射光入射，可以成爲標記之 記錄來進行。更具體而言，係在具有導溝之第1基 ’形成第1資訊層1 0 0。第1資訊層，至少，係以 明第1下部保護層1 02與透明第1上部保護層1 〇4 成之相變化記錄材料所成第1記錄層1 〇 3，及半透 反射層1 0 5層合之構成。在反射層丨〇 5之上進而設 第1熱擴散層106。 一方面，第2資訊層200，係由具有導溝之第 2 〇 1所形成。第2資訊層2 0 0係，以夾住第2反射 ，透明第2下部保護層2 02與透明第2上部保護層 方式形成之相變化記錄材料所成第2記錄層203爲 構成。 第1資訊層100與第2資訊層200，係以略透 間層3 00 (黏接層）以規定之距離隔開，被貼合並 該等資訊層，係沿著基板表面上之導溝形狀而形成 層內之記錄層亦以沿著導溝形狀之形形成，故記錄 有導溝。 以下，就各層予以順序說明，關於第1基板] 2基板1 02，中間層3 00則與第1圖之情況相同， 予以省略。 接著，就第1記錄層及第2記錄層加以說明。 晶質與 記錄材 之情況 圖案之 板10 1 夾於透 方式形 明第1 置透明 2基板~ 層205 2 04之 層合之 明的中 對向。 ，資訊 層亦具 01，第 故說明 第2圖 -28 - (25) (25)200426818 之第1記錄層1 〇 3及第2記錄層2 0 3係相變化型之記錄層 ，其膜厚在第1記錄層與第2記錄層較佳之範圍並不相同 ，在第]記錄層以3.〜2〇11111之範圍爲佳。若比311111爲薄 時要成爲均勻之厚度有困難，又結晶化速度有變慢傾向， 在短時間之消去顯的困難。 一方面’超過2 0 n m時透過率減少，使得第2資訊層 之感度降低。就透過率之觀點而言以1 5 n m以下更佳。第 2記錄層之膜厚，以3〜100nm之範圍爲佳。比3nnl薄時 會造成與第1記錄層同樣之不適合。若超過1〇〇nm則難 以得到光學的反差，又會容易產生龜裂。 又，最短標記長爲〇. 5 // m以下方式之高密度記錄， 第2記錄層之膜厚以3〜25nm爲佳。不足3nm時反射率會 過低，又因膜成長初期之不均勻組成，稀疏膜之影響易於 產生故不佳。一方面，若比25nm更厚時熱容量會變大使 g己錄感度惡化’除此以外’因結晶成長爲3次元，故非晶 質標記之邊緣紊亂跳動有變高之傾向。進而，因第2記錄 層之相變化所致體積變化會更顯著，使得重複覆寫（〇/W )耐久性惡化故不佳。就標記端之跳動及重複覆寫（0/W )耐久性之觀點而言以2 0 n m以下更爲所期望。 第1及第2記錄層之密度爲堆積（bulk)密度之8〇 % 以上，較佳爲90°/。以上爲所望。爲提高密度，在潑濺成膜 法之場合’可使成膜時之潑濺氣體（A r等之稀有氣體） 之壓力降低，或者近接於標靶正面使基板配置等以使照射 於記錄層之高能量A r量有變多之必要。高能量A r係爲潑 -29- (26) 200426818 濺之用照射於標祀之Ar離子’ 一部份反跳而到達基板處 ，或者等離子中之 A r離子被基板全面之護皮（s h e a t h ) 電壓加速而到達基板者之任一種。此種高能量之稀有氣體 之照射効果稱爲「原子錘擊（atomic Peening )効果」。 一般所使用之以Ar氣體之潑濺’會因原子錘擊効果使Ar 混入潑濺膜。由於此混入之膜中之Ar量，而可估計原子 錘擊効果。亦即，Ar量爲少量時，則意味著高能量Ar照 射効果少，密度之稀疏膜易於形成。一方面，Ar量多時 ，高能量Ar之照射激烈，密度變高，在膜中所收進之Ar 在重複覆寫（Ο / W )時成爲無效（v 〇 i d )而析出，會使重 複之耐久性劣化。記錄層膜中之適當的A r量，爲0.1〜1 . 5 原子％。進而，可使用比直流潑潑法更高頻率潑濺法者， 使膜中之Ar量減少可得到高密度膜爲佳。 第1及第2記錄層所用之相變化材料方面，上述本發 明7所規定之組成式所示S b及T e爲主要構成元素所含合 金爲佳。在添加元素方面，Ge就，保存穩定性，強反差 比之點而言爲適當。又，進而在各記錄層添加選自〇，S ’ N之至少一種元素〇 . 1〜5原子％，而可將記錄層之光學 常數加以微調整。但是，添加超過5原子％，則會降低結 晶化速度，會使消去性能惡化故不佳。又，不使覆寫時之 結晶化速度降低以增加經時穩定性， 計添加量 故以添加選自 V，Nb，Ta，Cr，Co，pt，Zr之至少 一種兀素爲8原子％以下者爲佳，更佳之添加量爲o.iy 原于％。相對於S b T e，上述添加元素與g e之合 -30- (27) (27)200426818 以1 5原子％以下爲所望。若比1 5原子％爲過剩含有時， 會引發Sb以外之相分離。尤其是，Ge含量在3〜5原子％ 之場合添加効果大。又，因可使經時穩定性之提高與折射 率之微調整，故添加選自Si，Sn，Pb之至少一種元素5 原子％以下者爲佳。該等添加元素與Ge之合計之添加量 以 15原子％以下爲佳。另外，Si，Sn，pb之各元素係與 ，G e相同具有4配位網路（n e t w 〇 r k )之元素。 又，添加A1，Ga，In爲8原子。/〇以下，可使結晶化 溫度上升同時使跳動減低或者亦有改善記錄感度之効果， 偏折亦容易產生，而以6原子％以下爲佳。Al，Ga，In之 各添加量，與Ge —起合計添加量爲1 5原子％以下，較佳 爲13%以下爲所望。 又，Ag係以8原子％以下之量添加者，有改善記錄 感度之効果，尤其是Ge原子量超過5原子％之情形使用 時効果更爲顯著。但是，Ag之添加量超過 8原子％時跳 動會增加，或損及非晶質標記之穩定性故不佳。又，與 Ge合倂之合計添加量超過1 5原子％時易於產生偏折故不 佳。Ag之含量方面最佳爲5原子％。又，第1及第2記 錄層所用之其他相變化材料方面，如上述本發明8規定之 組成式所示以Ge，Sb及Te爲主要構成元素所含有之合 金爲佳。此組成式，係表示在記錄層中，Ge及M2，合計 含有100 XX/ ( 2x + y + 3 )原子％。爲獲得重複記錄性能優 異之光記錄媒體，A以可滿足，2SAS10者更佳。在 GeTe-Sb2Te3擬二元系組成中SnTe或PbTe或Bi2Te3可予 -31 - (28) (28)200426818 以固溶，而使結晶化速度更爲加速。 第1及第2記錄層之成膜後之狀態通常，爲非晶質。 因此，在成膜後可使各記錄層全面結晶化成爲初期化之狀 態（未記錄狀態）爲必要。 在初期化方法方面，於固相之退火所致初期化爲可行 ， 旦使記錄層熔化，於再凝固時予以徐冷而結晶化，所 謂熔化再結晶化所致初期化爲所望。第1及第2記錄層係 在成膜之後幾乎無結晶成長之核使得固相之結晶化有其困 難，根據熔化再結晶化少數之結晶核被形成後，熔化並以 結晶成長爲主體在高速進行再結晶化。熔化再結晶化所致 結晶與固相之退火所致結晶因反射率不同，在混在（ inclusion )時則成爲噪聲之原因。因此，在實際覆寫（ 〇/W )記錄之際，消去部會因熔化再結晶化所致之結晶， 故初期化以由熔化再結晶化來進行者爲佳。 熔化再結晶化所致初期化之際，記錄層之熔化爲局部 的且1微秒程度以下之短時間進行爲佳。其理由係熔化領 域變廣，熔化時間或者冷却時間過長時因熱會使得各層被 破壞，塑膠基板表面或有變形之故。在賦與適於初期化之 熱滯後（h y t e r e s i s )，係將波長6 0 0〜1 0 0 0 n m程度之高輸 出半導體雷射光在長軸100〜3 00 // m，短軸1〜3 // m予以 集束照射，使短軸方向作爲掃猫軸以1〜1 〇 m / s之線速度掃 瞄爲所望。即使在相同會聚光若趨近於圓形時熔化領域會 過廣，易引起再非晶質化，又對多層構成或基板之損害變 大並不佳。 -32 - (29) (29)200426818 初期化係由熔化再結晶化來進行者可由以下方式確認 〇 亦即，在初期化後媒體將直徑約比1 · 5 // m爲小之點 (S p 0 t )徑所集束之記錄層足夠予以熔化之記錄能量p w 之記錄光，予以直流地一定線速度照射。在具有導溝之情 形，在該溝或溝間所成記錄單位，以經過追蹤伺服及焦點 伺服之狀態進行。其後，將在同樣記錄單位上使消去能量 Pe ( ^ Pw )之消去光予以直流方式照射所得消去狀態之 反射率與完全未記錄之初期狀態之反射率大致相同時，該 初期化狀態可確認爲熔化再結晶狀態。此係因爲，因記錄 光照射使得記錄層一旦被熔化，則使其以消去光照射予以 完全再結晶化之狀態，經過記錄光所致熔化與消去光所致 再結晶化之過程，成爲熔化再結晶化之狀態之故。另外， 初期化狀態之反射率Rini與熔化再結晶化狀態Rcry之反 射率大致相同，係指（Rini-Rcry ) /{ ( Rini + Rcry ) /2}所 定義之兩者反射率差爲2 0 %以下之謂。通常，僅以退火（ anneal )等之固相結晶化，其反射率差比20%爲大。 如第2圖所示，第1記錄層，係夾雜於第1上部保護 層與第1下部保護層間，第2記錄層，係夾雜於第2上部 保護層與第2下部保護層2間之構成，在第1基板之溝形 成面上及第2基板之溝形成面上分別被設置。第1及第2 下部保護層，主要係在防止記錄時之高溫所致第1及第2 記錄層之變形爲有効。又，可防止記錄層與反射層之間之 相互擴散，可抑制第]及第2記錄層之變形’同時亦具有 >33- (30) (30)200426818 可對第1及第2反射層使熱有效逸散之機能。該等之保護 層之材料，係著眼於折射率，熱導率，化學穩定性，機械 強度，密接性等而決定者。一般而言可使用透明性高爲高 熔點之金屬或半導體之氧化物，硫化物，氮化物，碳化物 或Ca’ Mg’ Li等之氟化物，本發明人等在檢討各種材料 之結果，將上述觀點及本發明之第1及第2記錄層之構成 材料予以整合性的探討，認爲Zn S與S i 02之混合物爲最 izt ° Λ外’含有此材料’上述氧化物，硫化物，氮化物， 碳化物’氟化物，並非有必要採用化學量論的組成，爲對 折射率等用，則將組成予以控制或予以混合使用亦爲有效 Ο 關於保護層之機能等，進而予以說明。 本發明之層構成，係屬於稱爲急冷構造之層構成之一 種。急冷構造，可促雀放熱，而採用可提高記錄層再凝固 時冷却速度之層構成，故可迴避非晶質標記形成之時之再 結晶化之問題，而可實現高速結晶化所致高消去比。因此 ’第1及第2上部保護層之膜厚，則爲，5〜30nm。比 5 nm薄時，因記錄層熔化時變形等而易於被破壞，又，放 熱効果過大記錄所要之能量會不必要地變大。進而上部保 護層之膜厚，在重複覆寫中會對耐久性有大幅影響，尤其 在抑制跳動之惡化上爲重要。膜厚比3 0 n m更厚之情形， 在記錄時，上部保護層之記錄層處與反射層處溫度差會變 大，在保護層之兩側中因熱膨脹差，使得保護層本身對非 對稱爲易於變影。該重複，在保護層內部會使微視的塑性 -34 - (31) (31)200426818 變形蓄積，招致噪聲之增加故不佳。 如前述，使用相變化記錄材料時，最短標記長在〇. 5 μ m以下之高密度記錄中可實現低跳動，依照本發明者等 之檢討’爲實現高密度記錄則在使用短波長之雷射二極體 (例如’波長7 0 0 nm以下）之情形，就上述急冷構造之 層構成有必要更加留意。尤其是，使用波長在5 00nm以 下’開口數N A 0 · 5 5以上之小的會聚光波束之1波束覆寫 特性之撿討中，可知使標記寬度方向之溫度分布平坦化， 對廣泛採取高消去比及消去能量界限（niargill )爲極重要 者。 此傾向，在使用波長630〜680nm，NA = 0.6前後之 光學系’ DVD對應之光學系中亦爲同樣。使用此種光學 系之高密度標記長調制記錄中，尤其是將傳熱特性低者作 爲上部保護層使用。較佳爲使其膜厚成爲10〜25nm。在任 一種場合，將設於其上之反射層成爲所謂高熱導率之材料 ，可改善消去比及消去能量界限。根據檢討結果，在廣泛 消去能量範圍中，要發揮具相變化記錄層之良好消去特性 ，不僅單純膜厚方向之溫度分布或時間變化，而且膜面方 向（記錄波束掃瞄方向之垂直方向）之溫度分布也要儘可 能的平坦化之層構成之使用爲佳。 本發明人等，則將光記錄媒體之層構成予以適切地設 計，使媒體中記錄單位橫斷方向之溫度分布成爲平坦，使 之熔化並不被再非晶質化而可進行再結晶化之寬度予以擴 展，並試驗消去率及消去能量界限。一方面，透過熱導率 低之極薄之上部保護層，自記錄層，來促進對極高熱導率 - 35- (32) 200426818 之反射層之放熱，使記錄層中溫度分布成爲平坦爲 使上部保護層之熱導率變高雖可促進放熱効果，但 促進放熱時，記錄所要之照射能量會變高，會使得 度顯著降低。在本發明中以使用低熱導率之，薄的 護層者爲佳。藉此，在記錄能量照射開始時點之數 數lOnsec中，自記錄層至反射層之傳熱被賦與時 遲，其後因可促進對反射層之放熱，因放熱使得爲 上之記錄感度無法降低。以習知之 Si02，Ta2〇5， ，AIN，SiN等爲主成分之保護層材料，其自身之 過高，在單體並不相應於第1及第2上部保護層。 一方面，反射層中放熱，例如在第2資訊層之 第2反射層之膜厚予以變厚來達成，但第2反射層 超過3 00nm時，比第2記錄層之膜面方向則以膜 之傳熱爲顯著，而無法獲得膜面方向之溫度分布改 。又，可使第2反射層本身之熱容量變大，第2反 接著第2記錄層之冷却因耗費時間甚多，會阻礙非 記之形成。最佳爲，使高熱導率之第2反射層薄薄 而可選擇性地促進對橫方向放熱。習知所使用之急 ，僅著眼於膜厚方向之1次元的熱之逸散，故謀求 記錄層至第2反射層使熱儘快的逸散，但卻充分無 此平面方向之溫度分布之平坦化。 另外，上述，所謂「考慮到在上部保護層之傳 効果之超急冷構造」，在適用於上述第1及第2記 ，與習知之GeTe — Sb2Te3記錄層比較則更有效果 自明。 若過於 記錄感 上部保 n s e c 〜 間地延 必要以 Al2〇3 熱導率 情形， 之膜厚 厚方向 善効果 射層， 晶質標 地設置 冷構造 自第2 留意到 熱延遲 錄層時 。此係 -36- (33) (33)200426818 因爲，第1及第2記錄層在Tm近傍之再凝固時之結晶成 長成爲再結晶化之反應速率之故。在Tm近傍之冷却速度 被增大至極限爲止，在使非晶質標記及其邊緣（edge )之 形成可更確實且明確時，則以超急冷構造爲有效，且，在 膜面方向之溫度分布之平坦化，原來在Tm近旁則可以高 速消去，而至更高消去能量爲止可確實地確保再結晶化所 致之消去。在第1及第2上部保護層之材料方面，傳熱特 性較低者爲所望，其標準（s t a n d a r d )爲1 X 1 〇 ·3 p J / ( # rn • K · n s e c )。但是，此種低熱導率材料之薄膜狀態之熱 導率要直接測定則有困難，而代之以，由熱模擬與實際之 記錄感度之測定結果可獲得標準値。在可得到較佳結果之 低熱導率之上部保護層材料方面，則含有ZnS，ZnO， T a S 2，稀土類硫化物之中之至少一種5 〇〜9 〇莫耳％，且含 有；t谷點或分解點爲1 〇 〇 〇。(3以上之耐熱性化合物之複合電 介質。進而含有較佳爲La，Ce，Nd，Y等之稀土類之硫 化物60〜90莫耳％，或者，使ZnS，ZnO含有7〇〜90莫耳 %之複合電介質之熔點或分解點爲100CTC以上之耐熱化合 物材料方面，則有 Mg，Ca，Sr，Y，La，Ce，Ho，Er， Yb，Ti，Zr , Hf，V , Nb，Ta，Zn，A1，Si，Ge，Pb 等 之氧化物、氮化物、碳化物或C a、M g、L i等之氟化物。 尤其是應與ZnS混合之材料方面，以Si02爲所望， 在本發明被認爲此種組合爲最適合。 第1及第2上部保護層之膜厚係如前述爲5〜30nm。 較佳爲25nm以下。比3〇 nm更厚時，則無法獲得標記寬 -37- (34) (34)200426818 度方向之溫度分布之充分平坦化効果。又不足5 nm，則在 上部保護層部之傳熱之延遲効果不充分，記錄感度降低顯 著並不佳。 第1及第2上部保護層之膜厚，在記錄雷射光之波長 於600〜7 00nm以15〜25nm較佳，在3 5 0〜600nm以5〜20nm 爲佳，在5〜15 nm更佳。第1及第2下部保護層之膜厚， 以30〜200nm爲佳。不足30nm時，因記錄時之熱會有造 成記錄層變形之虞。比 200nm更厚時，在量產性上會有 問題產生之傾向。在該等之範圍，爲要成爲最適的反射率 ，則進行膜厚之設計。另外，若將上部保護層與下部保護 層成爲相同材料時，就製造上之成本降低之面而言爲有利 。接著，就第1反射層105及第2反射層2 05加以說明。 第1及第2反射層，係使入射光効率良好的使用，具 有使冷却速度提高並使非晶質化容易進行等之機能，總之 在本發明之特徵之超急冷構造，係使用傳熱率非常高之金 屬。具體而言，則有Au，Ag，Cu，W，A l·，Ta等，或該 等之合金，在添加兀素方面，可使用 Cr，Ti，Si，Pd， 丁a，Nd，Zn 等。 其中以Ag系材料，折射率小可抑制光吸收爲小，尤 其作爲第1資訊層之反射層所用之材料爲佳。此種反射層 ’可藉由各種氣相成長法，例如真空蒸鍍法，潑濺法，等 離子CVD法，光CVD法，離子電鍍法，波束電子射線蒸 鍍法等來形成。其中，以潑濺法，在量產性，膜質等爲優 -38- (35) (35)200426818 由於第1資訊層之高透過率爲必要，故在第1反射層 ，以使用折射率低熱導率高Α§或Ag合金爲佳。又膜厚 以3〜20 nm程度爲佳。不足，則要製作膜厚均勻且緻 密的膜有困難。比2 0 n m更厚時，透過率減少，第2資訊 層2 00之記錄再生有其困難。 又，構成第2資訊層之第2反射層之膜厚，爲 5 0〜3 0 0 n m，恰當的話以8 0〜1 5 0 n m爲佳。在不足5 0 n m即 使使用純Ag進而在其上若不設置熱擴散層，則放熱效果 不足，對超急冷構造爲不充分。一方面，超過30 Onm時 ，熱由水平方向向垂直方向逸散，而無法寄望水平方向之 熱分布之改善，第2反射層本身之熱容量大，卻會使第2 記錄層之冷却速度遲緩。又，膜表面之微視上之平坦性亦 惡化。又，在第1上部保護層與第1反射層之間及/或第2 上部保護層與第2反射層之間設置阻擋層亦無妨。如前述 ，在反射層方面，以Ag合金，在保護層方面，以ZnS與 Si 〇2之混合物最佳，此2層在相隣接之情形，保護層中之 硫會有腐蝕反射層Ag之可能性，則有降低保存信賴性之 虞。爲消除此不適當，則在反射層使用Ag系之情形以設 置阻擋層爲佳。阻擋層，並不含硫，且熔點有必要比記錄 層爲高，具體而言有 Si02，ZnO，Sn02，Al2〇3，Ti〇2， ln2〇3，Mg〇，Ζι·02 等之金屬氧化物；si3N4，AIN，TiN， ZrN 等之氮化物；SiC，TaC，B4C，WC，TiC，ZrC 等之 碳化物；或者’該等之混合物。該等之阻擋層，以雷射波 長之吸收率小者爲所望。阻擋層可由各種氣相成長法，例 -39· (36) 200426818 如真空蒸鍍法，潑濺法，等離子CVD法，t 子電鍍法，波束電子射線蒸鍍法等來形成。 ，在量產性，膜質等較優。阻擋層之膜厚以 。不足2nm時，因無法獲得Ag之腐蝕防止 存信賴性降低。若比1 0 n m更厚時，因無法 透過率或有降低之傾向。又，在第1反射層 擴散層亦無妨。如前述’第1反射層，就透 言必須爲非常薄，第1反射層爲薄時熱容量 1記錄層急冷變難。爲補償第1反射層之熱 第1熱擴散層。第1熱擴散層，係爲使雷射 錄層被急冷，而使熱導率變大爲所望。又， 資訊層可記錄再生，則雷射波長之吸收率小 在資訊之記錄再生所用之雷射光之波長中 〇 · 5以下者爲佳。再者，以〇 · 3以下者爲佳 時第1資訊層之吸收率增大，第2資訊層之 困難。又，在資訊之記錄再生所用之雷射光 射率以1 · 6以上爲佳。比此更小時，使第1 率變大會有困難。 由上述可知，在第]熱擴散層之材料方 化物，氧化物，硫化物，氮氧化物，碳化物 少 1種爲佳。例如，A 1N，A 1 2 〇 3，S i C， Ιη 2 03，ZnO，ITO (氧化銦-氧化錫），IZO 鋅），ΑΤΟ (氧化錫-締），DLC (似鑽石碳 第1熱擴散層，係由各種氣相成長法， rfe CVD法，離 其中以潑濺法 2〜1 0 n m爲佳 効果故會使保 獲得急冷構造 上設置第1熱 過率之觀點而 不足，使得第 容量則可設置 光所照射之記 爲使最內側之 者亦爲所望。 ，衰減係數以 。比〇 . 5更大 記錄再生則有 之波長中，折 資訊層之透過 面，以含有氮 ，氟化物之至 S i N，S η Ο 2， (氧化銦·氧化 )，BN 等。 例如真空蒸鍍 -40- (37) (37)200426818 法，潑濺法，等離子CVD法，光CVD法，離子電鍍法， 電子射線蒸鍍法等來形成。其中以潑濺法，在量產性，膜 質等較優。 第1熱擴散層之膜厚，以10〜2 00nm爲佳。比l〇nm 爲薄時，而無法獲得放熱效果。比20 0nm更厚時，應力 會變大’重複記錄特性不僅會降低，在量產性亦會有問題 °另外’將熱擴散層，進而設置於第1下部保護層與第1 基板之間’要謀求熱擴散效果之更加提高並無任何問題。 Μ下’就本發明之單面2層型之相變化型光記錄媒體 之製造方法加以說明之製造方法一種，係由成膜步驟，初 期化步驟’密接步驟所成，基本而言係以此順序進行各步 驟。 在成膜步驟方面，在設置第1基板之導溝之面有形成 第1資訊層者與，在設置第2基板之導溝之面有形成第2 資訊層者以其他途徑作成。 構成第1資訊層，第2資訊層之各層，可以各種氣相 成長法，例如真空蒸鑛法，潑濺法，等離子CVD法，光 CVD法，離子電鍍法，波束電子射線蒸鍍法等來形成。 其中以，潑濺法，在量產性，膜質等較優。潑濺法，一般 係以氬等之惰性氣體流經並進行成膜，此時，可將氧，氮 等予以混入同時，進行反應潑濺法亦可。 在初期化步驟，相對於第1及第2資訊層，以雷射光 等之能量光射出，可進行全面初期化，亦即使記錄層結晶 化。在初期化步驟之際在藉由雷射光能量會造成膜之浮動 -41 - (38) (38)200426818 之虞之情形，在初期化步驟之前，於第1及第2資訊層之 上，使U V樹脂等進行旋轉塗敷照射紫外線使之硬化’並 實施塗層（overcoat)亦可。 又，在提前進行下述密接步驟之後’自第1基板側’ 使第1及第2資訊層予以初期化則無妨。接著’如以上方 式進行初期化，在設於第1基板之導溝之面使第1資訊層 形成者與，設有第2基板之導溝之面可形成第2資訊層者 ，使第].資訊層與第2資訊層面對面同時，透過中間層予 以貼合。 例如，在任何一方之膜面將成爲中間層之紫外線硬化 性樹脂予以旋轉塗布，使膜面彼此之間面對面將兩基板加 壓’密接之外，可照射紫外線使樹脂硬化。 接著，就與本發明有關製造2層相變化型光記錄媒體 用之其他方法加以說明。此方法，係由第一成膜步驟，中 間層形成步驟，第二成膜步驟，基板貼合步驟及初期化步 驟所成，基本上，以此順序進行各步驟。由此方法所製造 之2層相變化型光記錄媒體，係在第1基板與中間層形成 凹槽。 在第一成fe步驟，在第]基板上之導溝所設置之面， 使第1資訊層成膜。成膜方法，則如前述。 在中間層形成步驟，於第丨資訊層上形成具有導溝之 中間層。例如，在第1資訊層上將紫外線硬化性樹脂全面 塗布’將可透過紫外線之材料所做成之模子（stamper ) 予以推壓使紫外線照射並硬化之，而可形成溝。在第二成 -42- (39) (39)200426818 膜步驟，於中間層上使第2資訊層成膜。成膜方法，則如 前述。 在基板貼合步驟，第2資訊層與第2基板可以黏接材 料貼合。例如，在第2資訊層上或第2基板上，將爲黏接 層材料之紫外線硬化性樹脂予以旋轉塗布使第2資訊層與 第2基板貼合後，以紫外線照射使之硬化。在初期化步驟 ’由第1基板處，相對於第1資訊層，第2資訊層，可藉 由雷射光等之能量光之射出使得記錄層全面初期化（結晶 化）。 第3圖，係有關進行本發明之單面2層型光記錄媒體 之記錄·再生用之之裝置之槪略圖。自雷射二極體π產 生之雷射光，再藉由半透鏡1 2及對物透鏡1 3，以主軸電 動機（spindle motor) 14旋轉之光記錄媒體1 5上被聚焦 ’而可進行資訊信號之記錄·再生。1 6爲光檢測器。 (發明效果） 根據本發明，係提供可穩定地追蹤，相對於各資訊層 可進行良好記錄·再生之單面2層型之一次寫入型光記錄 媒體及相變化型光記錄媒體。 又，本發明之光記錄媒體中，依照D P D信號爲0 · 3 以上之光記錄媒體，可進而提供在既存之DVD-ROM驅動 器亦可穩定再生之單面2層型之一次寫入型光記錄媒體及 相變化型光記錄媒體。又，根據本發明之記錄再生方法， 使闱本發明單面2層型之一次寫入型光記錄媒體及相變化 -43- (40) (40)200426818 型光記錄媒體可進行良好的記錄·再生。 又，依照本發明，可提供穩定地追蹤，相對於各資訊 層可良好的記錄·再生之單面2層型之一次寫入型光記錄 媒體及相變化型光記錄媒體之記錄·再生裝置。 以下，舉出實施例及比較例將本發明更予詳細說明， 但本發明並無被該等實施例所限定者。另外，各實施例及 比較例之第1及第2基板之溝寬度與溝深，係使用HeNe 雷射之干涉光強度所求得之値。又，溝寬度係溝之半値之 寬度。 【貫施方式】 (實施例1 ) 在直徑 12cm，厚度 〇.6mm表面具有記錄單位距離 0-74 # m，溝寬度0·30 # m，溝深145nm之導溝之聚碳酸 酯樹脂（折射率η! = 1 · 5 8 )所成第1基板上，將下述化合 物〔化3〕溶解於2,2;3 四氟丙醇之溶液予以旋轉塗布 ’以形成膜厚60nm之第1有機色素記錄層。 接著，在記錄層上，藉由磁控管潑丨賤（magnetron sputter )法來進行膜厚10nm之Ag所成第1反射層之製 膜，在其上進行膜厚30nm之IZO〔 In2 03 -Zn0 ( 1 0重量％ )〕所成第1熱擴散層之製膜，來製成第1資訊層。在如 此形成之第]資訊層上，將樹脂（折射率n2= 1 . 5 8 )予以 塗布，藉由2P (光聚合photo polymerization )法，來形 成具有記錄單位距離0.74 // m，溝寬0.25 // m，溝深150 -44 - (41 ) (41 )200426818 n m之導溝之中間層。中間層之厚度爲5 0 // m。進而在其 上，使膜厚20nm之Si02所成保護層予以成膜，在其上將 與第1資訊層同樣之溶液進行旋轉器（spinner )塗布，來 形成膜厚90nm之第2有機色素記錄層，接著使膜厚6〇n m之Αιι所成第2反射層成膜以做成第2資訊層。接著， 在第2資訊層之膜面上使紫外線硬化樹脂塗布與不具有導 溝之第2基板貼合進行旋轉塗布，自第2基板側使紫外線 照射使紫外線硬化樹脂硬化並貼合，製成單面2層型之〜 次爲入型光碟。

關於上述光碟’則使用光碟評價裝置（雷射波長 6 5 8 n m ’ N A 0.6 5 )’來測疋記錄則之第1資訊層之推挽値 P P 1及弟2資訊層之推挽値PP2時，pp]：；^ 4〇，pp2 = 〇 π ，ΡΡ1/ΡΡ2 = 0·95。又反射率，1資訊層爲191%，第2資 訊層爲18.4%。 又’相對於此光碟之凹槽部以線速3.49m/s以efm 隨機信號記錄後之3 T信號之標記跳動，與第i r蒼㊉_， 第2資訊層均爲記錄能量25mW以下，爲9%以下，§周制 亦爲50%以上。又，DPD信號爲0.3以上。 -45 - (42) 200426818 (實施例2 ) 將第].基板之溝寬改爲0.2 0 # m，溝深改爲1 使中間層之溝寬改爲〇 . 2 9 μ m，溝深改爲1 0 5 n m之 ，其他與實施例1同樣來製成2層一次寫入型光碟 定記錄前之第1資訊層之推挽値PP1及第2資訊層 値 PP2 時，PPl=0.35，PP2 = 0.30，P P 1 / P P 2 = 1 . 1 7 〇 射率，在第1資訊層爲〗9.8 %，第2資訊層爲i 8 . ，相對於此光碟線速3.49m/s以EFM隨機信號記 3 T信號之標記跳動，與第1資訊層，第2資訊層 錄能量25mW以下，爲9°/。以下，調制亦爲50%以 ，D P D信號爲0.3以上。 (實施例3 ) 將第1基板之溝寬改爲0.3 6 # m，溝深改爲1 使中間層之溝寬改爲0.3 0 // m，溝深改爲1 5 8 nm之 ，其他與實施例1同樣做成2層一次寫入型光碟， 記錄前之第1資訊層之推挽値PP 1及第2資訊層之 PP2 時，ΡΡ1=〇.61，ΡΡ2 = 〇·58，Ρ Ρ 1/Ρ Ρ 2 = 1 . 0 5 ° 又 係，第1資訊層爲1 8 · 4 %，第2資訊層爲1 8 . 1 %。 對於此光碟以線速3·4 9m/s將EFM隨機信號記錄: 信號之標記跳動，與第1資訊層，第2資訊層均爲 量2 5 m W以下，9 %以下，調制亦爲5 0 %以上。又 信號爲〇 . 3以上。 1 0 n m， 點以外 ，在測 之推挽 又，反 5% 〇又 錄後之 均爲記 上。又

6 0n m 5 點以外 來測定 推挽値 反射率 又，相 後之3T 記錄能 • ，DPD -46- (43) (43)200426818 (實施例4 ) 除了使第1基板之溝寬改爲〇 . 3 2 " m，溝深改爲 1 8 0nm，中間層之溝寬改爲0.37 # m，溝深改爲} 7〇nm之 點以外，其他與實施例1相同做成2層一次寫入型光碟， 在測定記錄前之第1資訊層之推挽値P P丨及第2資訊層之 推挽値 PP2 時 ’ ΡΡ1=0.70，ρρ2 = 〇·60, PP1/PP2 = 1.17。又 反射率，第1資訊層爲1 8 · 6 %，第2資訊層爲1 8 . 3 %。 又，相對於此光碟以線速3.4 9m/s將EFM隨機信號 記錄後之3 T信號之標記跳動，第1資訊層，第2資訊層 均爲記錄能量2 5mW以下，9%以下，調制亦爲50%以上 。又，DPD信號爲0.3以上。 (比較例1 ) 除了將第1基板之溝寬改爲0.4 0 // m，溝深改爲 8 7 nm，中間層之溝寬改爲〇 . 3 8 // m，溝深改爲9 8 nm之點 以外，其他與實施例1相同做成2層一次寫入型光碟，在 測定記錄前之第1資訊層之推挽値PP 1及第2資訊層之推 挽値 PP2 時，ΡΡ1=〇·25，ΡΡ2 = 0.24，ΡΡ1/ΡΡ2=1.06ο 又反 射率係，第1資訊層爲2 0 · 4 %，第2資訊層爲1 8 · 9 %。又 ，相對於此光碟在線速3.49m/s將EFM隨機信號記錄後 之3T信號之標記跳動，在記錄能量25mW以下爲9%以上 ，又，調制亦不足5 0%，可知比實施例1〜4更差。 (44) (44)200426818 (比較例2 ) 除了將第1基板之溝寬改爲〇.2 5 // m，溝深改爲 2 0 0 nm，中間層之溝寬改爲〇 . 2 8 // m，溝深改爲1 5 5 nm之 點以外，其他與實施例1相同做成2層一次寫入型光碟， 測定記錄前之第1資訊層之推挽値PP 1及第2資訊層之推 挽値 PP2 時，ρρι=〇·72，ΡΡ2 = 0·40，PP1/PP2H 又， 反射率，在第1資訊層爲1 8 . 1 %，第2資訊層爲1 7 . 1 %。 又，在測定此光碟之反射率時，第1資訊層，第2資訊層 均爲18%以下，在線速3.49m/s將EFM信號記錄，插入 DVD-ROM驅動器，但碟片卻無法辨識。 在實施例1〜4以外，進行以下之2層一次寫入型光碟 之試作實驗。除了第1基板之溝深改爲1 5 (him，溝寬在 0 · 1〜0.5 // m之間變化，使各個第1資訊層之未記錄部之 反射率成爲1 9 %來改變第1記錄層與第1熱擴散層之厚度 以外，其他與實施例1相同，做成2層一次寫入型光碟。 將各個光碟之溝寬與，第1資訊層之透過率，3 T信號之 標記跳動之關係做成圖形則如第4圖所示。由第4圖可知 ，透過率在 40%以上跳動成爲9°/。以下，貝ϋ溝寬，以 0. 1 5〜0.4 // m之範圍爲佳。此係與記錄單位距離之比以表 示之則爲0.2 S wi/p】$ 0.55之範圍。 又，除了使第1基板之溝寬爲 〇·26 // m，溝深在 8 5〜3 0 Onm之間變化，在各自之第1資訊層之未記錄部之 反射率成爲1 9 %之方式來改變第1記錄層第1熱擴散層之 厚度之點以外，其他與實施例1相同做成2層一次寫入型 -48 - (45) (45)200426818 光碟。各自之光碟之溝深與，第1資訊層之透過率，3 T 信號之標記跳動之關係做成圖表則如第5圖所示。由第5 圖可知，爲使透過率在40%以上跳動9%以下，則溝深以 4 λ /1 6m S d丨^ 7久/1 之範圍爲佳。 又，除了上述實施例以外，製成可改變溝寬，溝深之 2層一次寫入型光碟，測定各自之光碟之PP1，PP2時， PP1在0.30〜0.70之範圍內，PP2在0.25〜0.60之範圍內時 ，相對於兩層可穩定地追蹤，在層間躍遷之際追蹤並不會 脫離而可順暢的讀取，第1資訊層，第2資訊層之跳動爲 9%以下可被確認。又，各碟片之PP1/PP2與第1資訊層 ’第2資訊層之跳動之關係予以圖形化則如第6圖所示。 PP1/PP2在〇.6〜；i .4之範圍時，兩層跳動均爲9%以下，可 良好的記錄再生。又關於記錄層，相對於波長6 5 5 ± 2 5 nm 之波長域之折射率η，爲1 . 5 g n S 3 · 0，衰減係數k爲， 〇·〇2 S kg 0.2時，讀取能量Pw以24mW以下亦爲可良好 地記錄。再者，除了將第1記錄層與第1熱擴散層之膜厚 改變之點以外，其他與實施例1相同做成2層一次寫入型 光碟。相對於各自之光碟以線速3.49m/Sec進行EFM信號 記錄’並測定 DPD信號。使各自之光碟以再生專用之 D V D裝置讀取，如表丨，若〇 P D信號在0 · 3以上時，可穩 定地讀取。 -49- (46)200426818 〔表1〕 D P D信號 追蹤 0.28 不穩定 0.29 不穩定 0.3 穩定 0.32 穩定 0.37 穩定 0.4 穩定

(實施例5 ) 以直徑12cm，厚度0.6mm在表面具有記錄單位距離 0.7 4 // m，溝寬0.3 0 // m，溝深3 1 nm之導溝之聚碳酸酯樹 脂（折射率η ] = 1 . 5 8 )所成第1基板上，依照 (ZnS ) 8Q ( Si02 ) 2G所成第 1下部保護層（膜厚120nm )，所成第1記錄層（膜厚6nm )， (ZnS ) 8G ( Si02 ) 2G所成第1上部保護層（膜厚15nm ) ，A g 9 8 z η ] A 1 !所成第 1反射層（膜厚 1 0 n m ) ，I Ζ Ο ( In2O3-10重量％Zn)所成第1熱擴散層（膜厚120nm )之 順序使周Balzers公司製枚葉潑濺裝置在Ar氣體氛圍中 之磁控管潑濺法製膜，得到第1資訊層。 接著，使第1基板之溝寬爲 〇 .2 5 μ m，溝深改爲 3 lnm之第2基板上，依照Al^Th所成第2反射層（膜厚 12 0nm ) ， （ ZnS ) 8〇 ( Si02 ) 2〇所成第2上部保護層（膜 厚 20nm) ，Ge4Ag】ln3Sb7()Te22所成第 2記錄層（膜厚 -50- (47) 200426818 1 5 n m ) ， （ Z n S ) 8 〇 ( S i Ο 2 ) 2 〇所成第2下部保護層（膜 厚1 3 0 n m )之順序在A r氣體氛圍中之潑雜法製膜，得至y 第2資訊層。接著，相對於第1資訊層，第2資訊層，分 別自第1基板處，第2資訊層膜面處照射雷射光，進行权j 期化處理。接著，在第1資訊層之膜面上將紫外線硬化樹 脂（折射率n2=l.58)予以塗布，將第2基板之第2資訊 層面處予以貼合進行旋轉塗布’自第1基板處照射紫外線 光使紫外線硬化樹脂硬化成爲中間層，來做成具有二層資 訊層之單面2層型之相變化型光記錄媒體。中間層之厚度 成爲 5 0 // m。 關於此光碟，係使用光碟評價裝置（雷射波長6 6 Onm ，ΝΑ 0.65)，來測定記錄前之第1資訊層之推挽値ΡΡ1 及第2資訊層之推挽値ΡΡ2時，爲ΡΡΐ=〇.38，ΡΡ2 = 0.43 ，Ρ Ρ 1 /Ρ Ρ 2 = Ο · 8 6。又，相對於此光碟之凹槽部，在線速 3.4 9 m / s，寫入雷射能量2 8 m W，以消去雷射能量1 〇 m W使 EFM隨機信號以1 000次覆寫後之3T信號之標記跳動之 增加，在第1資訊層爲0.9%，在第2資訊層爲0.6%。又 ，將僅有1記錄單位使隨機信號]次記錄時之標記跳動與 在左右鄰接之記錄單位使隨機信號1次記錄時之正中央之 記錄單位之標記跳動加以比較時，後者則只有大0.2 %。 又，D P D信號爲〇 · 3以上。 (實施例6 ) 溝深改爲 除了將第 1基板之溝寬改爲 0.2 0 // m， -51 - (48) 200426818 2 5 η ιό，第1熱擴散層改爲AIN所成§ 基板之溝寬改爲0.2 9 // m，溝深改爲 他與實施例5同樣做成單面2層型之 定記錄前之第1資訊層之推挽値P P 1 挽値 PP2 時，PP1=0.30，PP2 = 0.28, 相對於此光碟，在線速3.4 9 m / s，寫 消去雷射能量1 0 m W將E F Μ隨機信部 之3 Τ信號之標記跳動之增加，在第 弟2資訊層爲0.8%。又，將僅有1 爲1次記錄時之標記跳動與在左右鄰 號進行1次記錄時之正中央之記錄單 較時，後者僅大0 · 6 %。又，D P D信號 (實施例7 ) 除了使第1基板之溝寬改爲 3 7nm，使第1熱擴散層改爲ΑΙΝ所成 2基板之溝寬改爲〇 . 2 7 μ m，溝深改 其他與實施例5同樣做成單面2層型 定記錄前之第1資訊層之推挽値P p j 挽値 PP2 時，PPi=〇 45，pP2 = 〇.46, 相對於此光碟，線速3.49m/s，寫入 去雷射能量進行EFm隨機信 3 Τ信號之標記跳動之增加，在第1 | 2長①層爲〇 · ：> %。又，在僅有1記錄 I厚8 0 n m之層，第2 2 5 nm之點以外，其 相變化型光碟，來測 ，及第2資訊層之推 PP 1 /PP2= 1 .07。又， 入雷射能量 2 8 m W， t進行1 000次覆寫後 1資訊層爲0.8%，在 記錄單位使隨機信號 接記錄單位使隨機信 位之標記跳動加以比 爲〇 . 3以上。 0.3 5 // m，溝深改爲 :膜厚8 0 n m之層，第 爲3 7nm之點以外， 之相變化型光碟來測 ，及第2資訊層之推 ΡΡ1/ΡΡ2=0·98 。又， 雷射能量28mW，消 號1 〇 〇 〇次覆寫後之 ί訊層爲〇 . 7 %，在第 單位使隨機信號進行 -52- (49) (49)200426818 ]次記錄時之標記跳動與在左右鄰接記錄單位使隨機信號 進行1次記錄時之正中央之記錄單位之標記跳動加以比較 時，後者僅大0.2%。又，DPD信號爲0.3以上。 (實施例8 ) 除了將第 1基板之溝寬改爲 〇. 3 6 // m，溝深改爲 5 3nm，將第1熱擴散層改爲ITO ( 1η2 03_]()重量％Sn02 ) 所成膜厚1 2 0 nm之層，第2基板之溝寬改爲0.3 0 // m，溝 深改爲50nm之點以外，其他與實施例5同樣做成單面2 層型之相變化型光碟，來測定記錄前之第1資訊層之推挽 値 P P 1及第 2資訊層之推挽値 P P 2，則 P P 1 = 0.6 0， ΡΡ2 = 0.58，ΡΡ]/ΡΡ2 = 1·03。又，相對於此光碟，線速 3.49m/s，寫入雷射能量28mW，消去雷射能量l〇mW進行 EFM隨機信號1〇〇〇次覆寫後之3T信號之標記跳動之增 加，在第1資訊層爲1 .2 %，在第2資訊層爲〇. 9 %。又， 僅有1記錄單位使隨機信號進行1次記錄時之標記跳動與 在左右鄰接之記錄單位使隨機信號進行i次記錄時之正中 央之記錄單位之標記跳動加以比較時，後者則僅大0.2% 。又，D P D信號爲〇 . 3以上。 (比較例3 ) 除了將第1基板之溝寬改爲0.40 // m ,溝深改爲 1 3nm，第1熱擴散層改爲IT0 ( 1η2〇3·】〇重量。/(jSn〇2 )所 成膜厚1 2 Onm之層，第2基板之溝寬改爲〇 . 3 8 # nl，溝深 ~53 - (50) 200426818 改爲1 3 n m之點以外，其他與實施例5同樣做 型之相變化型光碟來測定記錄前之第1資訊 P P 1及第2資訊層之推挽値p p 2時，P P 1 = 〇 . 2 3， ，PP 1/PP2-1. 1 5。 又’相對於此光碟，在線速3 . 4 9 m / s，寫乃 28mW，消去雷射能量1 OmW使EFM隨機信號 次覆寫後之3 T信號之標記跳動之增加，在第】 3 · 5 %，在第2資訊層爲2.7 %。又，在僅有1言丨 隨機信號進行1次記錄時之標記跳動與在左右粦 位使隨機信號進行1次記錄時之正中央之記錄驾 跳動加以比較，後者亦比4 · 5 %爲大，比實施例 爲自明。 (比較例4 ) 除了將第 1基板之溝寬改爲 0 · 2 5 // m， 8 8nm，使第1熱擴散層改爲ITO ( ln2O3-10重| 所成膜厚12〇nm之層，僅使第2基板之溝深改: 溝寬0.25 // m照原樣）之點以外，其他與實施例 成單面2層型之相變化型光碟，來測定記錄前之 層之推挽値PP〗及第2資訊層之推挽値PP2時， ，ΡΡ2 = 0·63，ΡΡ1/ΡΡ2=1 .06 ° 又，相對於此光碟可知，在線速3.49m/s， 能量 2 8mW，消去雷射能量 10mW進行 EFM 1 〇 〇 0次覆寫後之3 T信號之標記跳動之增加，在 :單面2層 P之推挽値 PP2 = 0.20 、雷射能量 進行 1 0 0 0 資訊層爲 i錄單位使 5接記錄單 ΐ位之標記 5〜8更差 溝深改爲 [%Sn02 ) S 8 5 η m ( 5同樣做 第1資訊 PP 1 = 0.67 寫入雷射 隨機信號 第1資訊 -54 - (51) 200426818 層爲4.5 %，第2資訊層爲大至4.3 %，與實施例5〜8 則較差爲自明。 (實施例9 ) 與實施例5同樣做成單面2層型之相變化型光碟 進行初期化處理後相對於第1資訊層，由第1基板處 用 SHIMADZU 製分光光度計（MPC-22 00 )來測 660nm之透過率時，爲47%。 又，使用光碟評價裝置（雷射波長6 6 0 n m，N A 0 ，測定此光碟之記錄前之反射率時在第1資訊層爲 ，在第2資訊層爲9.2%。又，相對於此光碟，線g 9m/s，以寫入雷射能量28mW，消去雷射能量10mW 行EFM隨機信號之記錄時，跳動係，在第1資訊 8.3 %，第2資訊層爲8.7 %。 (比較例5 ) 除了將第]基板之溝寬改爲 0. 1 3 // m，溝深 27nm，將第2基板之溝寬改爲0.25// m，溝深改爲 之點以外，其他與實施例5同樣做成單面2層型之相 型光碟。在進行初期化處理之後，相對於第1資訊層 第1基板處，使用SHIMADZU製分光光度計（MPC· )來測定660nm之透過率時，爲39%。 又，在測定記錄前之第1資訊層之推挽値PP 1， 2 資訊層之推挽値 P P 2 時，P P 1 = 0.2 9，P P 2 = 0 . 比較 丨。在 ;，使 定於 • 65 ) 9.6% I 3.4 來進 層爲 改爲 3 1 n m 變化 ’自 •22 00 及第 4 3 ， -55- (52) (52)200426818 PP1/PP2 = 0.67。又，反射率，在第1資訊層爲9.4%，在 第2資訊層爲6.3%。又，相對於此光碟，以線速3.49m/s ’寫入雷射能量2 8 m W，消去雷射能量丨〇 m W進行EF Μ隨 機信號之記錄時，在第1資訊層爲8.3 %，而在第2資訊 層則大至1 3 . 7 %，作爲光碟並不佳爲自明。 將實施例9與比較例5對比時，實施例9之光碟係第 1基板之溝寬爲〇 · 3 0 // m，而如比較例5之般使第1基板 之溝寬比0.15 // m ( wl/pl=〇.2 )更窄時，爲穩定地聚焦則 調整膜厚使反射率成爲9%前後之方式之情況，透過率會 減少則爲自明。因此可知，在比較例5，第2資訊層之感 度會惡化，而跳動値成爲9%以上。除了上述實施例以外 ，進行以下之2層相變化型光碟之試作實驗。 使第1基板之溝深改爲31nm溝寬在0.1〜0.5 // m之間 變化，各個第1資訊層之未記錄部之反射率成爲9%之方 式使第1下部保護層與第1熱擴散層之厚度改變以外’其 他與實施例5同樣，做成2層相變化型光碟。各個光碟之 溝寬與第1資訊層之透過率，1〇00次記錄後之3T信號之 標記跳動之增加量之關係予以圖型化，則如第7圖所示。 由第7圖可知爲使透過率在4 0%以上，1 000次記錄後之 跳動之增加量成爲3 %以下，則溝寬與記錄單位距離之關 係，以0.2 S Wj/p! $ 0.6之範圍爲佳。 又，使第1基板之溝寬爲3 〇 # m，溝深在5〜9 0 nm之 間變化，在各個第1資訊層之未記錄部之反射率成爲9 % 之方式，使第]下部保護層與第1熱擴散層之厚度改變以 -56- (53) (53)200426818 外，其他與實施例5同樣，來製成2層相變化型光碟。各 個光碟之溝深與，第1資訊層之透過率，3 T信號之標記 跳動之關係予以圖型化，則如第8圖所示。要使透過率在 4 0 %以上，跳動在9 %以下，則溝深以，0.9 λ /1 6 m S d 1 $ 3 λ /1 6rn之範圍爲佳，；I /1 6 η I € d I s 3 λ /1 6 η ]之範圍更佳 ο 又，在上述實施例以外，亦可做成改變溝寬，溝深之 2層相變化型光碟，在測定各個光碟之ΡΡ1，ΡΡ2時，若 ΡΡ1在0.30〜0.70之範圍內，ΡΡ2在0.25〜0·60之範圍內時 ，對於兩層可穩定地追蹤，在層間躍遷之際追蹤亦不會脫 離而可順暢地讀取，第1資訊層，第2資訊層之跳動亦可 確認在9%以下。又，各碟片之PPWPP2與第1資訊層， 第2資訊層之跳動之關係予以圖型化，則如第9圖所示。 ΡΡΙ/ΡΡ 2在0.6〜1.4之範圍時，兩層均爲跳動9%以下，可 進行良好的記錄再生。 (實施例1〇〜24 ) 在第1記錄層之材料方面，除了使用表2所示組成之 材料之點以外，其他與實施例5同樣，來製成2層相變化 型光碟。相對於此光碟，以線速3.49m/s，寫入雷射能量 2 8 m W，消去雷射能量1 0 m W進行E F M隨機信號記錄時之 ，1次記錄後與1 0 〇次覆寫後之3 丁信號之標記跳動則如 表2所示。任一種光碟跳動爲9%以下可謂良好。 -57- (54) 200426818 〔表2〕 Μ W z 第1資訊層之跳動 1次記錄後 (%) 100次記錄後 (%) 實施例10 In.Ga 3 74 7.5 8.1 實施例11 Si 2 71 7.8 8.5 實施例12 Ge;Al 6 68 8.1 8.7 實施例13 Sn 1 71 7.6 8.4 實施例14 Ag，Zr 2 71 758 8.7 實施例15 In?Nb 2.6 70 8 8.6 實施例16 Ta 2 73 7.8 8.4 實施例17 V 3 73 7.4 8.4 實施例18 Pt 4 72 7.5 8.5 實施例19 Ge.Cr 5 71 7 7.9 實施例20 Co 3 72 7.6 8.5 實施例21 Ge,S 6 69 8 8.8 實施例22 N 1 76 7.4 8.4 實施例23 Pb;ln o 74 8.1 8.6 實施例24 0，Ge 1 77 7.9 8.8

實施例2 5 以直徑12cm，厚度0.57mm表面具有記錄單位距離 〇 · 4 5 m，溝寬0.2 1 " m，溝深3 Onm之導溝之聚碳酸酯樹 脂（折射率η 1 . 5 8 )所成第1基板上，依照 -58- (55) (55)200426818 (ZnS ) 7〇 ( Si〇2 ) 3〇所成第1下部保護層（厚度120nm )，Ge4AgiIn3Sb7〇Te22 所成第 1 記錄層（厚度 6nm)，( ZnS ) 7〇 · ( Si〇2 ) 3。所成第1上部保護層（厚度l〇nm) ，Ag98Pd丨以丨所成第]反射層（厚度8nm) ，IZO (In2〇3- 1 〇重量％Zn )所成第1熱擴散層（厚度35nm )之順序以

Ar氣體雰圍中之潑濺法來製膜以形成第1資訊層。在此 第1資訊層上塗佈樹脂（日本化藥公司製D V D 0 0 3，折射 率n2=1.5 8 )，藉由2P (光重合）法，形成記錄單位距離 〇 . 4 5 // m，溝寬〇 . 2 1 // m，溝深3 3 nm之追蹤導件用之具有 凹凸之中間層。中間層之厚度爲3 0 // m。進而在其上，依 照（ZnS ) 7〇 · ( Si02 ) 3G所成第2下部保護層（厚度 55nm ) ，Ge5Ag]ln2Sb7()Te22 所成第 2 記錄層（厚度 12nm )，（ZnS ) 7〇 · ( Si02 ) 3〇所成第2上部保護層（厚度 2 0 n m ) ，A g 9 8 P d 1 C u】所成第2反射層（厚度1 6 0 n m )之順 序以Ai•氣體雰圍中之潑濺法製膜，來形成第2資訊層。 進而在第2資訊層膜面上，將直徑1 2 c m，厚度0.6 m m之 聚碳酸酯薄膜所成第1基板貼合，來製成2層相變化型資 訊記錄媒體。接著，相對於第1資訊層，第2資訊層，自 第1基板側照射雷射光，進行初期化處理。關於此光碟， 使用光碟評價裝置（雷射波長4 0 5 nm，ΝΑ0.6 5 )，來測定 記錄前之第1資訊層之推挽値ΡΡ 1及第2資訊層之推挽値 ΡΡ2 時，爲 ΡΡ1=〇.42，ΡΡ2 = 0.45，ΡΡ1/ΡΡ2 = 0·93。又，使 用與此相異之評價裝置，來測定雷射波長變化爲3 9 5 n m， 4 1 0 n m，4 ] 5 η η]時之推挽時，則在 〇 · 3 0 $ ΡΡ ] $ 0.7 0， -59- (56) (56)200426818 0·25ΡΡ2$〇.7〇 之範圍內。 相對於此光碟之凹槽群部，以線速5 . 3 m/s，寫入雷射 能量1 4.5 m W，消去雷射能量5 m W進行1 - 7 R L L隨機信號 之].0 0 G次覆寫後之3 T信號之標記跳動，與第1資訊層， 第2資訊層均爲9%以下之良好値。又，僅在1記錄單位 使隨機信號進行1次記錄時之標記跳動與左右鄰接之記錄 單位亦使隨機信號進行1次記錄時之正中央之記錄單位之 標記跳動加以比較時，後者則僅大至0 · 3 %。又，D P D信 號爲0 · 3以上。 【圖式簡單說明】 第1圖，係關於本發明 實施形態之單面2層型之一 次寫入型光記錄媒體之槪略剖面圖。 第2圖係，關於本發明一實施形態之單面2層型之相 變化型光記錄媒體之槪略剖面圖。 第3圖係，關於本發明之一實施形態之光記錄媒體之 記錄再生裝置。 第4圖係表示，單面2層型之一次寫入型光記錄媒體 之溝寬與第1資訊層之透過率之關係之圖。 第5圖係表示，單面2層型之一次寫入型光記錄媒體 之溝深與第1資訊層之透過率之關係之圖。 第6圖係，表示單面2層型之一次寫入型光記錄媒體 之ΡΡ!/ΡΡ2與跳動（jitter)之關係之圖。 第7圖係表示，單面2層型之相變化型光記錄媒體之 -60- (57) (57)200426818 溝寬與第1資訊層之透過率之關係圖。 第8圖係表示，單面2層型之相變化型光記錄媒體之 溝深與第1資訊層之透過率之關係之圖。 第9圖，係表示單面2層型之相變化型光記錄媒體之 PP】/PP2與跳動之關係之圖。 主要元件對照表 1 1 :雷射二極體 1 2 :半透鏡 1 3 :對物透鏡 1 4 :主軸電動機 1 5 :光記錄媒體 1 6 :光檢測器 1 0 0 :第1資訊層 1 01 :第1基板 1 0 3 :第1記錄層 1 〇 5 :反射層 1 〇 6 :第1熱擴散層 2 00 :第2資訊層 2 01 :第2基板 2 0 3 :第2記錄層 3 0 0 :中間層 - 61 -

Claims (1)

1. 200426818 (1) 拾、申請專利範圍 1 · 一種光記錄媒體，其特徵爲，在第1基板與第2 基板之間，依順序設置第1資訊層，中間層及第2資訊層 ，各資訊層具有有機色素所成一次寫入型記錄層，且，沿 著記錄單位（r e c 〇 r d 11* a c k )形成凹槽（g r ο 〇 v e ) ’自1基 板使波長λ之雷射光入射藉由光強度之2値以上之調制來 進行資訊之記錄·再生之單面2層光記錄媒體， 使第1基板之折射率爲〜，中間層之折射率爲η2， 第1資訊層之凹槽之深度d」，凹槽之寬度wi，記錄單位 距離（track pitch) P]，第2資訊層之凹槽之深度d2，凹 槽之寬度 w2，記錄單位距離P2，以滿足下述條件爲其特 徵之光記錄媒體， 4 λ /16ni^ d]^ Ί λ /16ηι Λ /16η2^ d2^ 3 λ /16η2 5 或 4λ /16 η d2^ 7 λ /16η2 0.2^ wj/pi^ 0.55 0.2$ W2/p2$ 0.55 〇 2. 如申請專利範圍第1項記載之光記錄媒體，其中 ，第1資訊層之記錄前之推挽値爲ΡΡ 1，第2資訊層之記 錄前之推挽値爲ΡΡ2，可滿足下述條件者， 0.30 ^ ΡΡ1 ^ 0.70 0.25 ^ ΡΡ2 ^ 0.60 0.6$ PP1/PP2S 1.4。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項記載之光記錄媒 體，其中，在對於波長λ之波長域之光之記錄層單層之折 - 62- (2) 200426818 射率η爲1.5$ n Sj.O’哀減係數k爲，0.02 ο 4 ·如申請專利範圍第1項至第3項中任 光錄媒體’其中’在未記錄部之反射率爲Η 5 ·如申請專利範圍第1項至第4項中任 光記錄媒體，其中，DPD信號爲〇·3以上者。 6 ·如申請專利範圍第1項記載之光記錄 雷射光之波長λ在3 5 0〜7 00nm之範圍之任— 上述條件者。 7 .如申請專利範圍第6項記載之光記錄 ，雷射光之波長λ，在63 0〜6 8 0nm及3 90nm〜 圍，可滿足上述條件者。 8· —種光記錄媒體，其特徵爲，在第1 基板之間，依照順序設置第1資訊層，中間層 層，各資訊層具有相變化記錄材料所成記錄層 記錄記錄單位可形成凹槽，自第1基板使波長 入射藉由光強度2値以上之調制來進行資訊之 之單面2層光記錄媒體，使第1基板之折射率 層之折射率爲n2’第1資訊層之凹槽之深度 寬度w!，記錄單位距離（track pitch ) p】，第 凹槽之深度d2，凹槽之寬度w2 ’記錄單位距I 足下述條件爲其特徵β光記錄媒體’ 〇 . 9 λ /1 6 η ] S d ] g 3 A /1 6 η 】 〇 . 9 λ / 1 6 η 2 $ d 2 S 3 λ /1 6 η 2 S k S 0.2 者 一項記載之 !〜3 0〇/〇 者。 一項記載之 媒體，其中 中，可滿足 媒體，其中 4 2 0 n m之範 基板與第2 及第2資訊 ，且，沿著 λ之雷射光 記錄·再生 爲II 1 ’中間 I，凹槽之 2資訊層之 誰P2 ，以滿 -63- (3) (3)200426818 0.2^ wj/pj^ 0.6 0.2S w2/p2$ 0.6。 9 ·如申請專利範圍第8項記載之光記錄媒體，其中 ，第1資訊層之記錄前之推挽値爲P P 1，第2資訊層之記 錄前之推挽値爲P P 2，可滿足下述條件範圍， 0.30^ PPl^ 0.70 0.25^ PP2 ^0.60 0.6 $ PP 1/PP2 g 1 .4。 10. 如申請專利範圍第8項及第9項中任一項記載之 光記錄媒體，其中相變化記錄層係，Mlw ( SbzTel〇〇-z) 100-w(w、z 爲原子％，0$w<15，50<z<90，Ml 爲選自 In、Ga、Ge、Sn、Si、Zr、Nb、Ta、V、Ag、A 1、Pt、 Pb、Cr、Co、O、S、N所成群之至少1種所示合金所成 者。 11. 如申請專利範圍第8項及第9項中任一項記載之 光記錄媒體，其中相變化記錄層係（Ge-M2 ) xSbyTe3+x (x、y 係原子 ％，2Sx<22，2$yS4，M2 爲選自 Sn、Bi 、Pb所成群之至少1種）所示合金者。 12. 如申請專利範圍第8項至第1 1項中任一項記載 之光記錄媒體，其中，碟片之無溝之部分之鏡面部的反射 率爲4〜20%。 1 3 .如申請專利範圍第8項至第1 2項中任一項記載 之光記錄媒體，其中，DPD信號爲〇·3以上者。 14.如申請專利範圍第8項記載之光記錄媒體’其中 -64 - (4) (4)200426818 ，雷射光之波長又係在，3 5 0〜7 〇 〇 nm之範圍之任一之中’ 可滿足上述條件者。 15·如申請專利範圍第1 4項記載之光記錄媒體，其 中，雷射光之波長λ ，係在63 0〜6 8 0nm及3 9 0 nm〜42 0ηηι 之範圍之任一中，可滿足上述條件者。 16. 一種光記錄媒體之記錄再生方法，其特徵爲，相 對於如申請專利範圍第1項至第1 5項中任一項記載之2 層光記錄媒體之各資訊層，使波長350〜70(him之上述雷 射光入射而進行資訊之記錄·再生者。 1 7.—種光記錄媒體之記錄再生裝置’其特徵爲，進 行如申請專利範圍第1項至第1 5項中任一項記載之2層 光記錄媒體之記錄再生之裝置中’其、具備’以波長 3 5 0〜7 0 0 n m之雷射光爲發生光源與’在各資訊層自基板側 入射之上述雷射光來進行標記之形成及檢測用之層認識構 件及層轉換構件者。 -65-