TW200401011A - Squarylium dyes as light-absorbent compound in the information layer of optical data carriers - Google Patents

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200401011 A7 B7 蝎 五、發明說明 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25 本發明關於一種四芳鑽染料、其製法、以該四芳鑌 染料為基礎之成分及其製法，以及關於在資訊層中含有 該四芳鏘染料之光學資料載體。 使用特殊的吸光物質或其混合物之單寫（write_〇nce 光學資料載體特別適用於以紅（635_66〇毫微米）雷射二 極管操作之DVD-R碟片，且適用於藉旋轉塗佈法將上 述染料塗佈至聚合物基板（尤其是聚碳酸酯）。 最近單寫光碟片（CD-R，780毫微米）已歷經大量的 成長’並且代表技術上已確立之體系。 下世代之光學資料错存器-DVDs-目前已引進市 場。使用較短波之雷射輻射（635_66〇毫微米）及較高數 值孔徑NA使得儲存密度可提高。在此種情形中，單寫 格式為DVD-R。 可達到之儲存密度取決於資料平面上雷射點之聚 焦作用。光點尺度與雷射波長λ/ΝΑ相稱。^^八係為所用 物鏡之數值孔徑。為了得到最可能的儲存密度，目標為 使用最小可能的波長λ。目前，以半導體雷射二極管為 基礎’ 390毫微米是可能的。 除了上述的光學性質外，含有吸光有機物質之可 寫資訊層必須具實質上非結晶型態，以便於寫或讀 使雜訊保持儘可能地小。為了這個理由，特佳為藉 溶液旋轉塗佈、藉由氣體沉積作用及/或昇華作用（於 壓下接續覆蓋金屬或介電層期間)塗佈此物質，以避： 吸光物質之結晶作用。 免 含有吸光物質之非結晶層較佳為具高耐熱

200401011 A7 五、發明說明（2 10 15 性’否則由於藉由減鍍或氣體沉積作用塗佈至吸光資訊 層之另外的有機或無機材料層，將形成難辨別的邊界 (由於擴散作用之緣故），因而不利地影響反射率。再 者’具不足对熱4變性之吸光物f可在聚合支持物邊界 擴散至後者，同時再度不利地影響反射率。 蒸氣壓太高之吸光物質可在上述其他層藉錢鍵或 沉積作用期間昇華（於高真空中），目而降低所需的層厚 度。此亦再度地對反射率有負面的效果。 因此，本發明之目的係提供一種適合的化合物’ 其可滿足用於單寫光學資料載體中之資訊層(針對雷射 波長範圍為600至68〇毫微米之可寫光學資㈣存格 之南需求（例如光安定性、適宜的信_訊比、無破損 地塗佈至基板材料等、 頃令人驚訐地發現選自由特殊對稱性四芳錯化 物組成之群之光吸收化合物可非常成功地地滿足上述 求概況。 & 本發明因而提供—種具通式1之四芳鑌化合物， 訂 合 需 〇— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 R-

-R (I) 其中 R為除胺基取代呋喃環以外之雜環五員環 25 代或未經取代之吼洛。 尤其是經取

R2 經取代之烷基或經取代或未經取 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200401011 五、發明說明（3) 較佳之式I四芳鑕化合物符合式Ia， (la) 其中 R1為氫、經取代或未 10 代之芳烷基， R2=取代或未絲狀㈣、經取朗未經取代之 =基且院氧基幾基或經取代或未經取代之嶋 R3及R4每-彼此獨立地為氫、經取代或未經取代之烧 15基 '經取代或未經取代之芳基、烷氧基駿基或經取 代或未經取代之烷基羰基。 式la係為可能的内消旋式之一。 為了本申請案之目的，”烷基，，較佳為Ci_c6烷 20基’ ’’芳基，，較佳為C6_Ci〇_芳基，，，芳烧基，，較佳為c7_c“_ 芳烷基，且”烷氧基，，較佳為Ci_c6_烷氧基。 、於烧基、芳基或芳烷基基團上可能的取代基為鹵 素（尤其是F)、羥基、硝基、氰基、羧基、烷氧基三 烷基甲矽烷基及三烷基甲矽烷氧基。烷基基團可為直 25鏈、環狀或分支鏈的。其可經部分鹵化或全鹵化。經取

200401011 A7 B7 五、發明說明G) 5 10 15 代之烷基基團之實例為三氟甲基、氣乙基、氰乙基、甲 氧基乙基。環狀烷基基團之實例為環己基甲基及環丙基 甲基刀支鍵炫基基團之實例異丙基、第三丁基、2_丁 基、新戊基。可能的芳基基團之實例為苯基' 4_甲氧基 苯基、4-氰笨基、3,5-雙（三氟甲基）苯基、4_三氟甲基 苯基及4-乙基笨基。芳烷基基團之實例為苄基、苯乙 基、笨基丙基、4-甲氧基苄基、4_氰苄基、35•雙（三氟 甲基）苄基、4_三氟甲基苄基及4_乙基苄基。羧基基團 之實例為乙氧基羰基、丁氧基羰基及三氟甲氧基羰基。 烷基羰基之實例為乙醯基、三氟乙醯基、丙醯基、丁醯 基、戊醯基及己醯基。 較佳之經取代或未經取代之烷基基團為甲基、乙 基、正丙基、正戊基、異丁基、異丙基、全氟化之甲基 及乙基。 較佳之經取代或未經取代之芳烷基基團為例如4_ 三氟甲基苄基、2-三氟甲基苄基、3,5_雙三氟甲基苄基 及4-氟-2-三氟甲基苄基。 較佳的院氧基羰基為乙氧基羰基。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 特佳者為式1a之四芳鑌化合物，其中 R為氫、甲基、乙基、丙基、丁基、環己基甲基、苄 基、4-甲氧基苄基、4_三氟甲基苄基、3_三氟甲基 苄基、2_三氟甲基苄基、3,5-雙（三氟甲基）苄基或4_ 氟-2-三氟曱基苄基， 25 R2為曱基、乙基、丙基或苯基，且 -6- 200401011 A7 B7 五、發明說明（5) R3及R4每一彼此獨立地為氫、曱基、乙基、丙基、丁 基、苯基、乙醯基或乙氧基羰基。 甚至更佳者為式la之四芳鑕化合物，其中 R1為4-三氟曱基苄基或3,5-雙（三氟甲基）苄基，尤其是 4-三氟甲基苄基， R2為甲基、乙基或苯基，尤其是甲基， R3為氫、乙基、乙醯基或乙氧基羰基，尤其是乙基， 且 10 % R4為甲基 '乙基或苯基，尤其是甲基或乙基。 本發明進一步提供一種製備本發明四芳鏘化合物 之方法’其特徵在於3,4-二羥基-3-環丁烯-1,2-二酮 (squaric acid)係與具式III之至少一種化合物反應 15 R-R5 (III) 特別地與式（Ilia)之吡咯反應（較佳在適合的溶劑中）， 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製

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R為氫、炫*氧基幾基’尤其是第三丁氧基幾基或乙氧 基羰基或羧基，且 R及R1至R4係定義如上。 5 本發明之方法較佳係在醇中進行，尤其是在乙醇 中進行。較佳的反應溫度係大於70。(：，尤其是75-85 °C。同樣地，本發明之方法較佳在水性醋酸中進行。舉 例來說’醋酸/水之混合比例為3 : 1至1 : 3，較佳為2 : 1至1 · 2，最佳為1 : 1。較佳反應溫度係在室溫至媒介 10沸點之範圍内。同樣地，較佳係使用催化量之礦物酸， 尤其是HC1。產物通常自反應溶液沉澱為純固形物且較 佳係於濾出後以醚清洗。 本發明同樣地提供較佳用以製備本發明四芳鏽化 15 合物之式（Ilia)吡咯化合物。 本發明因而提供式（nia)之吡咯 (IDa), 其中 R1為經取代或未經取代之烷基或經取代或未經 取代之芳烷基，

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五、發明說明（7) 代或未經取代之烷基經 芳基、俨条# w 乂取代或未經取代：¾ 说氣基幾基、羰基或經取 基羰基， 代次未經取代之β R3及R4每—彼此獨立地 . 莫 d 、&取代或未經取代之娱 5 土 ，、翌取代或未經取代之芳基、浐苴@ w t 万丞烷礼基羰基、羰基 或取代或未經取代之烷氧基羰基，且 R5為氫、烷氧基羰基或羧基。 特佳者為式IIIa之吡咯化合物，其中 10 R1為丙基、丁基、環己基甲基、苄基'4甲氧基苄 基二4-三氟甲基苄基、3_三氟甲基节基、2三氣甲 基苄基、3,5-雙（三氟甲基）苄基或4_氟_2_三氟曱基 午基， R2為甲基 '乙基、丙基或苯基， 15 R3及R4每一彼此獨立地為氫、甲基、乙基、丙基、丁 基、苯基 '乙醯基或乙氧基羰基，且 R5為氫、第三丁氧基羰基或羧基。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明同樣地提供一種製備式Ilia新穎的吡咯化合 20 物之方法，其特徵在於具式（II)之吡咯化合物

-9- 200401011 A7 ------- B7 五、發明說明（〇 其中 R2至R4係如以上具式nia新穎吡咯之定義，且 R5為氫、烷氧基羰基，尤其是第三丁氧基羰基或乙氧 5 基幾基或幾基， 與具式IV之鹵素化合物及至少2當量驗反應 R1-x (iv)， 10 其中 R係如針對式nia吡略之定義， X 為 Cl、Br 或 I。 經濟部智慧財產局罠工消費合作社印製 特別適合的驗為KOH。反應較佳係在適合的溶劑 15中進行’例如在二甲基亞艰（DMSO)、二甲基甲醯胺 (DMF)或其混合物中進行。反應較佳係在溫度2〇 i〇(rc (特佳為50-90X：，尤其是65_80。〇進行。倘若中之R5 為乙氧基羰基，則將酯基團皂化以提供對應的吡咯羧酸 之鹼金屬鹽。此可藉酸化及濾出而自水溶液沉澱出來。 20 依此方式，可以令人滿意的純度製得產物，而不 需複雜的結晶步驟或類似的純化步驟。 本發明進一步提供本發明四芳鑌化合物之用途， 其係在單寫光學資料載體之資訊層中作為光吸收化合 物。 25 在此用途中，光學資料載體較佳係藉紅雷射 -10- 200401011 A7 B7 五、發明說明（9) " 4 其是具波長範圍600-680毫微米之雷射光）寫入及讀取。 本發明進一步提供四芳錯化合物之用途，其係在 單寫光學資料載體之資訊層中作為光吸收化合物，該光 學資料載體可藉由紅雷射光（尤其是具波長範圍6〇〇_68〇 5 毫微米之雷射光）寫入及讀取。 本發明進一步提供一種光學資料載體，其包含一 較佳透明基板，其表面已塗佈一光可寫資訊層，必要時 已塗佈一或多個反射層及另一基板或一保護層，其可藉 由紅光（較佳為具波長範圍600-680毫微米者，較佳為雷 1〇射光）寫入或讀取，其中該資訊層包含光吸收化合物及 必要時選用適合的黏合劑，其特徵在於至少一種根據本 發明之四芳鑌化合物係用作該光吸收化合物。 光吸收化合物較佳應能夠經熱變化。熱變化較佳 為出現在<600 C之溫度下，特佳為在<4〇〇°c之溫度下， 15極特佳為在<300°C之溫度下，尤其在<20(TC之溫度下。 舉例來說，此種變化可為光吸收化合物之發色團中心之 分解作用或化學變化。 經濟部智慧財產局員工消費合作枉印製 同樣地，光吸收化合物較佳僅在超過1 〇〇 t可經熱 變化。 、 20 本發明光學S料儲存器中光吸收化合物之較佳具 體例相當於本發明四芳鏘化合物之較佳具體例。 於一較佳具體例中，所用之光吸收化合物係為式 (la)化合物，其中 R1為氫、甲基、乙基、丙基、丁基、環己基甲基、苄 25 基、4_甲氧基苄基、4-三氟甲基苄基、3-三氟甲基 -11-

2〇〇4〇l〇u

辛基或3,5-雙（三氟甲基）苄基， R2、R3及R4每一彼此獨立地為氫、甲基、乙基、丙基、 丁基、笨基、乙醯基或乙氧基羰基。 5 於一特佳具體例中，所用之光吸收化合物係為式 (la)化合物，其中 R1為4-三氟甲基苄基或3,5_雙（三氟甲基）苄基，尤其是 4-三氟甲基苄基， R2及R4每一彼此獨立地為甲基、乙基或苯基，尤其是甲 基或乙基，且 R3為氫、乙基、乙醯基或乙氧基羰基，尤其是乙基。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 在根據本發明藉由紅雷射光寫入及讀取之單寫光 學資料載體之例子中’較佳之光吸收化合物為其吸收最 15 大值在500至650毫微米之範圍内者，其中波長 λι/2(在波長吸收最大值之長波長側之吸光度為在 之吸光度值之半）及波長λ,,,。（在波長吸收最大值 之長波長侧之吸光度為在人^^之吸光度值之十分之一） 較佳為分開不超過6〇宅微米。此種光吸收化合物較佳沒 20有較長波長最大值xmax3高達波長為750毫微米，更佳800 毫微米，最佳850毫微米。 較佳之光吸收化合物具510至620毫微米之吸收最 大值λ„^χ。 更佳之光吸收化合物具530至610毫微米之吸收最 25大值kax。 -12- 200401011 Α7 -— —__ B7 ........................^ 五、發明說明- 4 最佳之光吸收化合物具550至600毫微米之吸收最 大值 在此等光吸收化合物中，如上定義之λΐ2&λ|ι〇較 佳為分開不超過50毫微米，更佳為分開不超過4〇毫微 5 米，最佳為分開不超過30毫微米。 光吸收化合物較佳具莫耳消光係數gaaoooo·/莫 耳•公分，較佳為>80000升/莫耳•公分，更佳為 >100000升/莫耳•公分，最佳為>120000升/莫耳•公 分。 1〇 適合的四芳錆化合物係為偶極矩變化Δμ=| μ8- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 M*ag丨（即在基態與第一受激態中之偶極矩間之正偏差）非 吊小者（較佳為<5D，最佳為<2D)。決定此種偶極矩變 化Δμ之方法揭示於F Wttrthner等人’八叫⑽^!^!!!· 199' 109，2933及於此中所列舉之文獻。低溶劑誘導之 15波長漂移（二噁烧/r)MF)同樣地為適合的選擇基準。較 佳的四芳鑕化合物係為其誘導之波長漂移Δλ=|、…入二 嗔炫I (即在溶劑二甲基甲醯胺與二噁烧中之吸收波長間 之正偏差）<20毫微米，更佳為<10毫微米，最佳為<5毫 微米者。 吸收頻譜較佳係在溶液中測定。 所用之光吸收化合物較佳使其於未寫狀藶之光學 資料載體中可能獲致> 1 〇%反射率，以及以聚焦光逐點 照明對資訊層之熱降解作用而言具夠高的吸收度（倘若 光波長係在600至6 80毫微米範圍内）。由於資訊層於熱 25降解作用後經改變的光學性質，因此藉由入射光振幅及

2004010H A7 B7 五、發明說明（12) ~~一 4 相之反射率變化’可獲致已寫及未寫點間之對比。 本發明之四芳鎮化合物較佳藉由旋轉塗佈塗佈至 光學資料載體。其可彼此混合或與其他具類似頻譜性質 之染料混合。資訊層不僅可含有本發明之四芳鏽化l 5物’亦可含有添加劑（例如黏合劑、潤濕劑、安定劑、 稀釋劑及敏化劑）以及額外的組份。 除了資訊層外，另外的層（例如金屬層 '介電層及 保護層）亦可存在於本發明之光學資料儲存器中。金屬 及介電層特別地用以調整反射率及熱吸收/保留作用。 10取決於雷射波長’金屬可為金、銀、鋁等。介電層之實 例為二氧化矽及氮化矽。保護層為例如光可硬化的表面 塗層、（壓敏）黏合層及保護膜。 舉例來說’壓敏黏合層主要由丙烯酸系黏合劑構 成。Nitto Denko DA-8320或DA-8310(揭示於日本專利 15 JP-A U-2731471中）可用於此目的。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本發明之光學資料載體具有例如以下之層結構（參 照圖2): —較佳透明基板（丨〗）、一資訊層（丨2)，必要時 選用一反射層（13) ’必要時選用一黏合劑層（14)、另一 較佳透明基板（15)。 2〇 在圖2中’較佳以層（13)、（12)及（11)之順序取代基 板（15)。 另外’光學資料載體之層結構可包含複數個資訊 層（較佳藉適合的層分開）。最佳的分離層為光可硬化的 表面塗層'黏合劑層或反射層。 25 圖1、圖2及圖3中所示之箭號代表入射光路徑。 -14- 200401011 A7 B7 10152025 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（13) 本發明進一步提供根據本發明之光學資料載體， 其係已藉由紅光（尤其是紅雷射光，最佳為具波長600_ 680¾微米之紅雷射光）寫入及讀取。 同樣地’本發明提供一種單寫光學資料載體，其 資訊層包含至少一種花青染料作為光吸收化合物，且亦 提供一種製造該花青染料之方法。 因此，本發明之目的係提供一種適合的化合物， 其滿足用於單寫光學資料載體中之資訊層（特別地對於 雷射波長範圍為360至460毫微米之高密度可寫光學資料 儲存格式）之高需求（例如光安定性、適宜的信號/雜訊 比、無破損地塗佈至基板材料等）。 頃令人驚訝地發現作為光吸收化合物之特殊的花 月化合物可非常成功地滿足上述需求概況。花青在36〇_ 460毫微米之波長範圍（對雷射而言是重要，即8或8〇1^ 帶）展現強烈的吸收作用。 本發明因而提供一種光學資料載體，其包含一較 佳透明基板，必要時可事先塗佈一或多個反射層，且其 表面已塗佈光可寫資訊層、必要時選用一或多個反射層 以及必要時選用一保護層或另一基板或一覆蓋層，其可 藉由藍光，較佳為雷射光’較佳為具波長為36〇_46〇毫 微米’特別為380-420毫微米，最佳為39〇_41〇毫微米之 光’或藉由紅外光，較佳為雷射光，特佳為具波長為 760-830毫微米之光，寫入或讀取，其申該資訊層包含 吸光化合物及必要時選用黏合劑，其特徵在於至少一種 式（[)之花青染料用作該吸光化合物 -15- 嫌"-'XTC、Λ 200401011 A7 B7 五、發明說明（14) 4f1 Me Pc I (I)， X25 其中Me為雙軸向取代之金屬原子，係選自由si、Ge及Sn 組成之群，Pc為未經取代的花青，且X1及X2每一彼此獨立地為溴或碘，且χι亦可為氣。 10較佳者為具式（la)、（lb)、（Ic)、（Id)、（le)、（If)、 (Ig)及（Ih)之花青 5 11

PC BIS'IB 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 o 2 PCnpc>s—I c —sIBr slag),

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/IV 八、J及（U)至（Ih)代表二個鹵素 皆位於花青環之平面上方或者一個位於花：環子係兩者 25方且一個位於花青環之平面下方。 月環之平面上

200401011 A7 B7 五、發明說明（15) k 根據本發明使用之花青自例如厂；^.£81)0化0，1_£·

Sutton，Μ, E. Kenney, Inorg· chem. 6, 1967, 11 16及 W. J. Kroenke, Μ, Ε· Kenney, Inorg· Chem. 3, 1964, 696為已 知’或可如其中所述製備。 5 理論上，其可藉由已知的方法製備，例如： -於適當的金屬邊化物存在下’藉由自酞腈或胺基_亞 胺基-異吲哚之環合成作用， -必要時，於適合的溶劑（例如吡啶）中使產物與水反 應’俾形成式（I)之花青，其中χι=χ2=〇Η， 10 -必要時，以其他適當的鹵化物取代軸向取代基 X1=rX2=幽化物， -必要時，藉著與HXVHX2之反應，以適當的鹵化物取 代軸向取代基XkXkQH， -必要時，藉式（Π)非軸向取代之花青之氧化反應 15

MePc (η)， 其係藉由溴 '碘、氯化溴或溴化碘進行。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 2〇 式（Π)花青，較佳為其中Me=Sn者，係藉式⑴花青 (較佳曰為Me二Sn，其中父》及又2為_素，例如氣）之還原反 應製得。適合的還原劑為例如四氫硼酸鈉（NaBh)。 該光吸收化合物可經熱變化。熱變化較佳為出現 在<6〇(TC之溫度下。舉例來說，此種變化可為光吸收化 25合物之發色團中心之分解作用或化學變化。 -17- 200401011 A7 B7 發明說明 16 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25 所述之吸光複合物可確伴 #躺&- 碓保於未寫狀態之光學資料 載體夠尚的反射率，以及以聚 击六杜4曰〜 ’、、、鱼先（特別為雷射光’ 車乂佳為具波長範圍為360至460臺料* _ ω ,, ^ ^ 冤微未之雷射光）逐點照 明對資訊層之熱降解作用且热 认袖Ά 解作用具夠兩的吸收度。由於資訊層 於熱降解仙後經改㈣光學 振幅及相的反射率變化，$ _ 比。 』獲致已寫及未寫點間之對 〜此代表光學資料載體較佳可藉由具波長為細_460 宅微米之雷射光寫入或讀取。 同樣地，光學資料栽體可茲& 2 u， Ε Λ 貝T叶戰體了错由紅外光（尤其是具波 長為760-830毫微米之雷射光）寫入或讀取，此時溝槽間 隙及幾何較佳與波長及數值孔徑相稱。 本發明進-步提供一種式（1)花青之用途，盆係在 光學儲存媒體之資訊層中作為光吸收化合物。 本發明同樣地提供一種式⑴花青之用途，並係 以製造光學資料載體。花青較佳用作資訊層中之光吸 化合物。 以式（I)花青為基準，特佳地用於這些應用中之 青具含里超過90重量％，特別地超過％重量％，最佳 超過98重量％。 本發明進一步提供一種式（I)花青之微粒狀固態 劑，其特徵在於顆粒具平均粒度為0·5微米至10毫米二 在微粒狀固態製劑之較佳具體例中，較佳為具 均粒度為0.5至20微米（特別為1至1〇微米）者，以下稱 細籾末。舉例來說，此類細粉末可藉由研磨而製 裝 訂 用 收 為 製 平 為 200401011 A7 B7 五、發明說明（17) 4 較佳者同樣地為具平均粒度為50至300微米之微粒 狀固態製劑，以下稱為細結晶形式。 其他較佳的微粒狀固態製劑為具平均粒度為5〇微 米至10毫米（較佳為1〇〇微米至8〇〇微米）且形成作為初顆 5粒之附聚物或聚集物的微粒狀成型體。舉例來說，此類 成型體可具微滴、覆盆子、薄片或棒狀物形狀（以下稱 為顆粒材料）。 舉例來說，細結晶形式之粒度可經由合成過程之 參數而設定。舉例來說，快速加熱（例如於3〇至6〇分鐘 1〇期間）成分之混合物（於適合的溶劑中之酞腈或胺基-亞 胺基-異吲哚及適當的金屬鹵化物）至反應溫度（例如16〇 至220°C )較佳地形成細分散形式》當金屬鹵化物僅在反 應溫度下（例如160至19(TC )添加至反應混合物（於適合的 溶劑中之酞腈或胺基-亞胺基-異吲哚）時，可獲致類似 15的結果。舉例來說，緩慢加熱（例如於65至250分鐘期間） 成分之混合物至反應溫度（例如16〇至22(rc )較佳地形成 粗链形式。 經濟部智慧財產局員工消費合作枉印製 本發明之微粒狀固態製劑較佳包含8〇—1〇〇重量 %(較佳為95_1〇〇重量。/。）之式⑴花青， 20 ο.1-1·0重量％(較佳為0.1-0.5重量％)之殘餘水分， 〇-1〇重量％之無機鹽， 〇-1 〇重量％(較佳為0-5重量％)之額外的添加劑，例如分 散劑、界面活性劑及/或潤濕劑， 其中在每一例中之百分比係以該製劑為基準，且指示的 25 比例總和為1 00%。 -19-

200401011 五、發明說明（18) 5 10 15 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 20 25 本發明之固態製劍較佳為‘ 良好的貯存安定性。 _塵、自由流動且具 顆拉材料可以許多方法製造，例如 燥、流化床噴淋成粒作用 s由賀淋乾 流化床附聚作用。流化床增大成粒作用或粉末 成粒作用較佳係藉由喷淋乾燥進 用旋轉盤分析器及單流體或雙流體喷二=使 淋裝置）。較佳者為單流體噴霧器，尤；是力;乍為噴 器，其較佳係在20-80巴之進料塵力下摔作/检至喷霧 於喷淋乾燥期間之入口與出口溫度取決於所 殘餘水分含#、安全措歧㈣ :叫，特別地™，以二:： 顆粒材料通常藉首先使染料遽餅混合（必要時與助 7及添加劑一起）在攪拌容器中密切地混合。懸浮液之 晶體較佳在研磨機（例如珠式研磨機）中破碎，以致於可 得到細分散的可喷淋懸浮液。 一在一個較佳的具體例中，染料懸浮液係為水性懸 浮液。成粒作用較佳係藉喷淋乾燥而進行。 “ 本發明進一步提供固態成型體，例如顆粒狀物、 擠壓物等，其係包含式⑴之花青，以該成型體為基 準，較佳用量為超過90重量％，特別地超過95重量％， 更佳為超過98重量❶/。。加入固態成型體之額外的添加劑 可為黏合劑。式⑴花青與黏合劑之總和較佳超過95重 量。’最佳為超過99重量％。 -20- Λ : 准 λ /1 « 从 λ 1 λ „ ^c\n t\ i 200401011

10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印t 20 25 此類成型體可例如藉由壓製式（1)之花青而製得， 必要時於黏合劑存在下，在壓力為5至5〇巴（較佳為⑺至 20巴）下進行。 本發明同樣地提供含有式（1)金屬絡合物之分散液 (較佳為水性分散液），以該分散液為基準，較佳用量為 10至90重量％。可能的分散液為例如：以丙烯酸醋、胺 基甲酸醋或長鏈聚氧乙婦化合物為基礎之聚合的分散 液。適合的產物之實例為例如：s〇lsperse 32〇〇〇或 Solsperse 38000(自 Avecia)。 本發明同樣地提出一種以式(1)花青塗佈基板之方 法。此較佳係藉由旋轉塗佈、濺渡或真空氣體沉積作用 而進行。式（⑷绿）之花f特佳地可藉由真空氣體沉 積作用或濺渡(尤其是真空氣體沉積作用)而塗佈。 藉由滅渡或真空氣體沉積作用塗体#此等塗料用 之起始材料為所有上述式⑴花青之形式，即細粉末、 細結晶形式或顆粒形式、微粒狀固態製劑、固態成型體 及分散液。後者特別地用以塗佈細分散之花青至表面 (接者可藉由濺渡或真空氣體沉積作用塗佈至基板卜 就此等程序而言，較佳者為花#純度大於篇，特 或且極特佳為大於9〇%’特別為大於95% 人，青可彼此地或與其他具類似頻譜性質之染料混 :層不僅可含有花青’亦可含有添加雜 ，二。、潤濕劑、安定劑、稀釋劑及敏化劑)以及額外的 -21- 200401011 A7 B7 五、發明說明（2〇 10 15 _ T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25 本發明進一步提供一種供光吸收化合物氣體沉積 於基板上之裝置，俾製造光學資料載體，其特徵在於染 料可藉由在低背景壓力下加熱而氣化，且沉積在基板 上。背景壓力較佳為低於10-ι巴，較佳為低於1〇—3巴， 最佳為低於10 4巴。染料較佳藉由電阻加熱或藉由微波 吸收作用加熱。 特別地，本發明提供一種如上述之光學資料載 體，其巾式（I)之光吸收化合物必要時與上述的添加劑 一起形成光學上非結晶之資訊層。為了本發明之目的， 非結晶代表在光學顯微鏡下觀察不到微晶，且在x-射 線繞射圖案中無布拉格（Bragg)反射，但僅可觀察到非 結晶暈圈。 除了資訊層外，另外的層（例如金屬層、介電層及 保護層）可存在於光學資料儲存器中。金屬及介電^特 別地係用以調整反射率及熱吸收/保留作用。取決於雷 射波長，金屬可為金、銀、銘、合金等。介電層之實例 為一氧化矽及氮化矽。保護層為例如光可硬化的表面塗 層、黏合劑層及保護膜。 黏合劑層可為壓敏性的。 舉例來說，壓敏性黏合劑層主要由丙烯酸系黏合 劑構成。Nitto Denko DA-8320或DA-8310(揭示於日本 專利JP-A 11-273 147中）可用於此目的。 舉例來說，光學資料載體具有以下之層結構（參照 圖〇 :—透明基板（1)，必要時選用—保護層（2)、一資 訊層（3)，必要時選用一保護層（4)，必要時選用—黏合 -22 - 200401011 A7 B7 五、發明說明（21) 4 劑層（5)、—覆蓋層（6)。 光學資料載體之結構較佳為： -包含一較佳透明基板（1)，其表面已塗佈至少一個可藉 由光（較佳為雷射光）寫入之光可寫資訊層（3)、必要時 5 選用—保護層（4)，必要時選用一黏合劑層（5)及一透 明的覆蓋層（6)。 -包含一較佳透明基板（1)，其表面已塗佈一保護層（2)、 至少一個可藉由光（較佳為雷射光）寫入之資訊層（3)、 必要時選用一黏合劑層（5)及一透明的覆蓋層（6)。 10 _包含一較佳透明基板（1)，其表面已塗佈一保護層（2)， 必要時選用至少一個可藉由光（較佳為雷射光）寫入之 資訊層（3)，必要時選用一保護層（4),必要時選用一 黏合劑層（5)及一透明的覆蓋層（6)。 -包含一較佳透明基板（1) ’其表面已塗佈至少一個可藉 15 由光（較佳為雷射光）寫入之資訊層，必要時選用一黏 合劑層（5)及一透明的覆蓋層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，舉例來說，光學資料載體具有以下之層結 構（參照圖2): —較佳透明基板（11)、一資訊層（12)，必 2〇要時選用一反射層（13)，必要時選用一黏合劑層（14)、 另一較佳透明基板（15)。 另外，舉例來說，光學資料載體具有以下之層結 構（參照圖3): —較佳透明基板（21)、一資訊層（22),必 要時選用一反射層（23)、一保護層（24)。 25 另外，光學資料載體之層結構可包含複數個資訊 -23-

2UU4U1U11

層（較佳糟適合的層分開）。最佳的分 樹脂、黏合劑層、介電層或反射層。…可硬化的 明進—步提供根據本發明之光學資料載體， 其已错由藍光(特別地為雷射光 毫微米之雷射光）寫入。 為具波長360-460 以下實例係用以說明本發明。 實例 10 15 實例 ，二5克2·甲基_3,4_二乙基°比咯_5·第三丁基羧酸酯1 •73克虱氧化鉀粉末懸浮在4()毫升之二甲基亞礙中 並且攪拌1小時。接著逐步添加3.42克午基溴… 百先在灯授拌另外1小時，且接著在7(TC攪拌则 鐘以50笔升水稀釋懸浮液，並且將具下式經沉谋 為白色粉末之產物濾出 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 5 2

且以水清洗。乾燥得到5.5克（理論值之84%)之產物。 -24- 准/rXTC、 200401011 A7 ------ B7 五、發明說明（23 ) 瓤 M.p.=75-77〇C。 b)使5.43克得自a)之化合物及〇 8〇克之3 4_二羥基_3環 丁稀-1，2-二_ (於2〇毫升乙醇中）與〇.5毫升37〇/〇強度之 氮氯酸混合’並且使混合物迴流4小時。於移除溶劑 5 後’使殘餘物在二乙醚中消化，並且濾出已沉澱之 固幵v物且以—乙i|清洗。乾燥得到2.5克（理論值之 47%)具下式之綠色粉末

15 m.p.=203°C(分解） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印數 分子量=532.73 Xmax = 590毫微米（二氣甲烧） ε=16700升/莫耳•公分 入1/2-人1/10(長波長側）=21毫微米 20 △入=Δλ=Ι 二脅'烷丨=2毫微米 實例2 a)將4.19克2-甲基-3,4-二乙基吡咯-5-乙基羧酸酯與3.37 克氫氧化鉀粉末（於30毫升之二甲基亞碳中）在80。(：攪 25 拌1〇分鐘。於冷卻後，逐步地添加6.14克之3 5-雙三 -25- 200401011

氟甲基下基漠’並且使溶液在rt擾拌另外^小時且 接著在70 C授拌2小時。以2⑼毫升水稀釋溶液，以二 氯甲烷萃取，並且藉使用氫氯酸之酸化作用使產物 ’儿赢。過濾且以水清洗，於乾燥後，得到4.29克(理 論值之53%)具下式無色粉末形式之產物 10

COOH 15 Μ·ρ. = 126-128。。。 b)使用4.07克得自a)之吡咯化合物及〇 57克之3 4 -3-環丁烯-1,2-二酮，以類似實例lb之程序 3.29克（理論值之82%)具下式之綠色粉末 f3c 羥基 得到

200401011 A7 B7 五、發明說明（25 85。。 分子量=804.73 Xmax = 590毫微米（二氣甲烷） ε=184652升/莫耳•公分 λΐ/2-λι/10(長波長側）=1 9毫微米 實例3 10 a)使用類似實例2a之方法，將二甲基吡咯、 2.24克氫氧化鉀粉末及4·78克之3,5_雙三氟甲基苄基 溴在20毫升之二甲基亞磾中反應。於反應完成後， 以300毫升水稀释溶液，並且以二氣甲烷萃取產物。 使有機相通過Na2S04乾燥及過濾。移除溶劑後得到 4.8克（理論值之95%)具下式棕色樹脂之產物 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

F,C

20 b)使1.77克得自a)之產物及〇 4克之3,4_二羥基-3-環丁烯 _1，2-二酮以類似實例lb之程序反應。於冷卻後’使 產物在400毫升二異丙基醚中沉澱及過濾，以得到〇心 克具下式之產物 25 -27- r+7 I f ’‘你准/V'XTC'A/1 拍 4* 〆，1 Λ ·«, 200401011 A7B7 五、發明說明（26 10

使戚液蒸發且通過石夕土進行層析（使用二氣甲烧作為、、容 離劑。最初紫色的餾分，於移除溶劑後，得到另外〇 72 克之產物。總產量：0 92克（理論值之45%)。 m.p. = 220〇C CF, 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25 分子量=584.57 入max-577宅微米（丙嗣） ε=139000升/莫耳•公分 λ1/2 _入ιηο(長波長側）=20毫微米 實例4 a)將4.19克2-甲基-3,4-二乙基吡咯-5-乙基綾酸酯與3 : 克氫氧化鉀粉末（於20毫升之二甲基亞砜中）在8(rc: 拌10分鐘。於冷卻後’逐步地添加4.78克之2-三氣 基苄基溴，並且使溶液在RT攪拌另外1小時，且接 在7〇°C攪拌3小時。以300毫升水稀釋溶液，以二氣 烧萃取，並且藉使用氫氣酸之酸化作用使產物 澱。過濾且以水清洗，於乾燥後，得到3 8〇克（理 -28- • 口 Λ：: 1 ^4» 9ft/r»XTC\ A /f « 4* mA', ooi ,\ 杉、 200401011 A7 B7 發明說明（27 值之56%)具下式無色粉末形式之產物 5

COOH M.p. = 124-126〇C。

ο IX b)使用3.39克得自a)之化合物及0.57克之3,4-二羥基-3-環丁烯-1，2-二酮（於20毫升乙醇中）舆0.5毫升37%強度 之氫氣酸混合，並且使混合物迴流4小時。於冷卻 後，使已沉澱之固形物濾除且以二異丙基醚清洗。 乾燥得到2.58克（理論值之77%)具下式之綠色粉末 5 Ι 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ο 2 5 2

m.p.=206°C 分子量=668.73 入„^=588毫微米（丙酮） ε=202000升/莫耳•公分 λ 1/21/1()(長波長侧）=22毫微米 -29- 200401011 A7 B7 五、發明說明（2〇 Δλ=Δλ=| λ_Ρ-λ二鳴坑 | =1 毫微米 其他適合的四芳鐳染料顯示於表中。此等染料係藉 由成分及四芳鑕染料之類似製備法製得。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

Ex ample Rl R2 R·5 R4 ^-max /nm1* ε I l/mol cm /nm2) Δλ3» I ch3 c2h5 c2h5 590 167 000 21 2 2 Xcf3 ch3 c2h5 c2h5 590 184652 19 3 ch3 H ch3 577 139 000 20 4 f3c ch3 c2h5 c2h5 588 202 000 22 1 4a F〆 - ch3 c2h5 Ph-C6H5 4b f3c ch3 cooc2h5 ch3 583 5 c2h5 ch3 c2h5 c2h5 587 6 c5h„ ch3 c2h5 c2h5 588 189 000 21 7 ch3 c2h5 c2h5 587 184 000 20 8 gh3 c2h5 c2h5 591 198 000 21 9 ch3 c2h3 c2h5 589 148 000 20 9a NC ch3 c2h5 c2H5 589 -30 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200401011 A7 B7 五、發明說明（29)

Ex ample R1 R2 R·3 R4 ^max /nm1) ε / l/moi cm λ^-λι/30 /nm：i Δλ3) 10 ch3 H C2Hj 578 11 ch3 c2h5 c2h5 588 187 000 18 1 12 ch3 coch3 c2h5 578 13 ch5 COOC2H5 ch3 577 14 cf3 ch3 H ch3 591 185 000 19 15 ^7( ch3 c2h5 C2H5 589 146 000 1 16 ch3 c2h5 c2h5 599 149 000 26 0 !7 cf3 ch3 COCH3 C2H5 605 17a cf3 ch3 COCH3 c2H5 578 18 ch3 c2H5 c2h5 595 19 Η ch3 C2H5 c2h5 568 19a Η ch3 COOC2H5 ch3 563 -31-

200401011 A7 B7 五、發明說明（3〇) 1) 於丙酮中（除非另外指明） 2) 在長波長侧 )△入-丨入DMF-λ二噁烷丨 5 實例20

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在高真空中（壓力ρ«2·10-5毫巴），以約5A/秒之速 15率，使染料二溴鍺花青（GeBnPc)自耐熱的鉬船形容器 沉積至預製溝槽之聚碳酸酯基板上。層厚度為約Μ毫微 米。預製溝槽之聚碳酸酯基板已藉由射出模塑製為碟 片。碟片之直徑為120毫米’且其厚度為〇6毫米。於射 出模塑製程中製得之溝槽結構具軌道間隙為約丨微米， 20且在一半高度之溝槽深度及溝槽寬度分別為約i 5 〇毫微 米及約260毫微米。具染料層作為資訊载體之碟片係藉 由氣體沉積作用塗佈100毫微米之Age接著藉由旋轉^ 佈法塗佈且藉由UV燈硬化UV可硬化的丙烯酸系塗料。 藉由裝設於光學測試工作台上之動態寫入測試裝置（包 25含供產生線性偏振雷射光之GaN二極管雷射（λ=4〇5毫微 -32- 士 田閉食掩准 Λ 士 曰 Λ mi 八核、 200401011 A7 B7 五、發明說明（31) 4 米）、對偏振敏感之分光鏡、λ/4板及具數值孔徑 ΝΑ=0.65之可動懸吊集光透鏡（傳動透鏡）），對碟片進行 測試。反射自碟片之光係藉由上述對偏振敏感之分光鏡 自光束路徑取出，且藉由散光透鏡聚焦至四象限偵測器 5上。在線性速度ν=5·0〇公尺/秒及寫入功率Pw=13毫瓦 下，測疋彳5號-雜訊比C/N=41分貝（dB)。寫入功率係應 用為脈波序列，其中以上述之寫入功率pw另外地照射 碟片1微秒，並且以讀取功率Pr=0 44毫瓦照射4微秒。 以此脈波序列照射碟片，直到其旋轉一次為止。接著使 1〇用讀取功率Pr=0.44毫瓦讀取依此方式所產生之標記， 並且測定上述之信號/雜訊比C/N。 ^J>J 21 使9.95克具下式之二氯錫花青（於ι25毫升之吡啶中） 15

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 25 在室溫下與4.9克四氫删酸鈉混合。於迴流下（115 °C )使 -33-

200401011

20 A7 B7 五、發明說明（32 ) 4 混合物攪拌75分鐘，並且緩慢地冷卻至9(Γ(：。在此溫度 下緩慢地逐滴加入1〇〇毫升水。接著使混合物迴流另外 77在里冷卻至至溫，並且以抽吸過濾。以200毫升甲 =授拌濾、餅’以抽吸過濾，且以f醇清洗，直到洗出物 5復巧為止。於以50毫升水清洗後，使其在減壓下在30°C 乾燥。此得到4.〇3克（理論值之63%)具下式之藍色粉末

15 克已通過分子師乾燥之此產物（於32毫升葡 中）在室溫下與Β 卜興0.2笔升溴於1〇毫升氯萘 (伴隨攪拌）。接益& 谷展展 攬件）接者使混合物在川-饥攪拌 ， 溫度短時間内接苦$ 〇Λ h 六 杈叼至90 c。於冷卻至室溫後， 遽混合物，以甲菜：主.丨 月洗，直到洗出物澄清為止.，接著 甲醇 > 月洗，直到法φ此^ 且W洗出物幾乎無色為止，並 3〇°C乾燥。此得到^ 立在減壓下 ·46克（理論值之74%)具下4 K 粉末 h、卜式之藍 25 •34-

200401011 A7 明 說 明 發五 5 2

經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 口令讲准 A 4 4 日功广 Ο 1 Λ ,, 八杜、 200401011 A7 B7 五、發明說明（34 ) 圖式簡單說明： 圖1 :光學資料載體之層結構（第一具體實施例） 圖2:光學資料載體之層結構（第二具體實施例） 圖3 :光學資料載體之層結構（第三具體實施例） 5 圖式之代號說明： 1透明基板 2保護層 3資訊層 10 4保護層 5黏合劑層 6覆蓋層 11透明基板 12資訊層 15 13反射層 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 14黏合劑層 1 5透明基板 21透明基板 22資訊層 20 23反射層 24保護層 -36- 4· ?! 口 山 BE! I® 女 4西准 Λ /1 +日功疒 Λ 錄、

Claims (1)

1. 200401011

   1. 一種具式I之四芳 鑽化合物 (I)， 其中 10

   R為除胺基取代呋喃環以外之雜環五員環。 2. 如申請專利_ 1項之化合物，其特徵在於R 為經取代或未經取代之吡咯。 3. 如申請專利範圍第…項之化合物，其特徵名 其具式la 15

   R2 (la) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 25 其中 R1為氫、經取代或未經取代之烷基或經取代或未 取代之芳烷基， R2為經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取y 之芳基、烷氧基羰基或經取代或未經取代之坑; 羰基，且 -37 - 200401011 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8

   10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 20 25 R及R母―彼此獨立地為氮、經取代或未 之燒基、經取代或未經取代之芳基、 = 或經取代或未經取代之㈣㈣。乳基幾基 4. 如申請專利範圍第3項之化合物，其特徵在於 R1為氫、甲基、乙基、丙基、丁基、環己基甲夷、 辛基、”氧基辛基、4-三氟甲基辛基、3_三氟 I基苄基、2_三氟甲基苄基、3,5-雙（三氟甲基） 卞基或4-氟_2-三氟甲基苄基， R2為甲基、乙基、丙基或苯基，且 R及R每—彼此獨立地為氫、甲基、乙基、 基、丁基、笨基、乙醯基或乙氧基羰基。 5. 如申請專利範圍第3項之化合物，其特徵在於 R為4_二氟曱基苄基或3,5-雙（三氟曱基）苄基， 其是4-三氟曱基苄基， R2為曱基、乙基或苯基，尤其是曱基， R3為氫、乙基、乙醯基或乙氧基羰基，尤其是 基，且 R4為曱基、乙基或笨基’尤其是曱基或乙基。 6. —種製備如申請專利範圍第1項之四芳銪化合物 方法’其特徵在於3,4-二羥基-3-環丁烯-1，2-二 (squaric acid)係與具式ΠΙ之至少一種化合物反應 R-R5 (III) 特別地與式（Ilia)之吡咯化合物反應 裝 丙 尤 乙 0 訂 38 200401011

   a (m 5 NIR 10 15 R5為氫、乙氧基羰基或羧基，且 R1至R4係定義如上。 7. —種如申請專利範圍第1項之四芳鏘化合物之用 途，其係在單寫光學資料載體之資訊層中作為光吸 收化合物。 8. 如申請專利範圍第7項之用途，其特徵在於該光學 貝料載體可藉由紅雷射光，尤其是具波長範圍600-680耄微米之紅雷射光寫入及讀取。 9· 一種具式（111&)之D比咯 經 濟 部 智 慧 財 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 20 25

   (皿)， 其中 R1為經取代或未經取代之C3-C,2-烷基或經取代或未 -39

   ，的八路\

   10 15 經取代之芳烷基， R2為經取代或未經取代之烷基、經取代或未經取代 之芳基、院氧基碳基、n基或經取代或未經取代 之烷基羰基， 及R母彼此獨立地為氫、經取代或未經取代 之烷基、經取代或未經取代之芳基、烷氧基羰 基、羰基或經取代或未經取代之烷氧基羰基，且 R5為氫、烷氧基羰基或羧基。 ι〇·如申請專利範圍第9項之吡咯化合物，其特徵在於 R1為丙基、丁基、環己基甲基、苄基、4_甲氧基苄 基' 4-三氟甲基苄基、3_三氟甲基苄基、2_三氟 甲基节基、3,5-雙（二氟甲基）+基或4-氟_2_三氟 甲基苄基， R2為曱基、乙基、丙基或苯基， R3及R4每一彼此獨立地為氫、甲基、乙基、丙 基、丁基、苯基、乙醯基或乙氧基羰基，且 R5為氫、第三丁氧基羰基或羧基。 11. 一種製備如申請專利範圍第9項之式（III)吡咯之方 法’其特徵在於具式（II)之吡咯化合物 ⑼，

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   40 - 10 15 經濟部智慧財產局員工消費合作社印數 20 25 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 其中 R至R4係如申請專利範 之定義，且 R5為氫、烷氧基羰基，尤其是 氧基幾基或幾基， 與具式IV之_素化合物及至少 夕z當量鹼反應 _ $ 9項針對式IIIa吡咯 第三丁氧基羰基或乙 R*-X (IV) 其中 R1係如中請專利範圍第9項針對式IIIa t各之定 義， X 為 Cl、Br 或 I。 12. —種光學資料載體，其包含—較佳透明基板，其表 面已塗佈一光可寫資訊層，必要時已塗佈—或多個 反射層及另一基板或一保護層，其可藉由紅光，較 佳為雷射光寫入或讀取，其中該資訊層包含光吸收 化合物，其特徵在於至少一種如申請專利範圍第j 至5項中任一項之四芳鏘化合物係用作該光吸收化合物。 13. —種製造如申請專利範圍第I〗項之光學資.料載體之 方法，其特徵在於一較佳透明基板經塗佈如申請專 利範圍第1項之四芳錯化合物，必要時合併適合的 黏合劑及添加劑及必要時選用適合的溶劑，且必要 時提供一反射層、另外的中間層及必要時選用一保 装 tt ❿ -41 -

   4 護層或另一基板。 14·:申請專利範圍第12項之光學資料載體，其係已藉 由紅光，尤其是紅雷射光寫入。 15‘一種光學資料載體，其包含一較佳透明基板，必要 時可事先塗佈一或多個反射層，且其表面已塗佈光 可寫資訊層、必要時選用一或多個反射層以及必要 時選用-保護層或另一基板或一覆蓋層，其可藉由 藍光，較佳為雷射光，較佳為具波長為360_460毫 10 微米，特別為380-420毫微米，最佳A 39〇 41〇毫 微米之光’或藉由紅外光，較佳為雷射光，特佳為 具波長為760-830毫微米之光，寫入或讀取，其中 該資訊層包含吸光化合物及必要時選用黏合劑，其 特徵在於至少一種式⑴之花青染料用作該吸光化合 物 15 Me Pc X 1

   (I)， 20 其中 Me為雙軸向取代之金屬原子，係選自由“及 Sn組成之群， Pc為未經取代的花青，且 X及X母一彼此獨立地為溴或读，且χΐ亦可為 氯0 -42 25 200401011 A8 B8

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   申請專利範圍 x1及x2每一彼此獨立 氣 地為溴或碘，且χΐ亦可為 10 15 其係在光學儲存媒體之資訊層中作為光吸收化合 物。 18.—種式（I)花青之用途， 予1 Me PcX. (I)， 其中 Me為雙軸向取代之金屬原子，係選自由以、Ge及 Sn組成之群， Pc為未經取代的花青，且 X1及X2每一彼此獨立地為溴或碘，且χ|亦可為 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 其係用以製造光學儲存媒體。 19.如申請專利範圍第π或18項之用途，其特徵在於 以式（I)之花青為基準，所用之花青具純度超過9〇 重量％ ’特別地超過95重量％ ’最佳超過.98重量 20.—種塗佈基板之方法，其係使基板塗佈式⑴之花青 25 -44 谁A 4 +曰- 》1 Λ ,, 〇(V7 200401011 A8 B8 C8 D8_ 六、申請專利範圍 4 f1 Me Pc I (I), χ2 其中 5 Me為雙軸向取代之金屬原子，係選自由Si、Ge及 Sn組成之群， Pc為未經取代的花青，且 X1及X2每一彼此獨立地為溴或碘，且亦可為 氯。 10 21.如申請專利範圍第15項之光學資料載體，其係已藉 由藍光，尤其是雷射光，最佳為具波長360-460毫 微米之雷射光寫入。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 4 士从？E 口办含 4»袖Λ 4 4曰·Mr 1 n ,, 路、