SU1662866A1 - Способ настройки режущего струнного инструмента - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к химическому машиностроению и может быть использовано при обработке кристаллов. Цель изобретени  - повышение точности настройки. Настройка инструмента и контроль нат жени  осуществл етс  путем установлени  на индикаторе 5 технологического устройства рабочего усили  пружины 8 толкател  6, выбранного меньше критического усили . Затем надавливают толкателем 6 с рабочим усилием на струны 3 и измер ют провис струн от первоначального положени  нат жени  струн, а после этого сравнивают этот провис с провисом, соответствующим критическому усилию разрыва. 3 ил.

Description

фиг. 2

Изобретение относитс  к химическому машиностроению и может быть использовано при обработке кристаллов ,

Цель изобретени  - повышение нйсти настройки.

Способ нас тройки режуще го струнного инструмента включает обмотку с нат жени по пазам крепежных приспособлений струны с закреплением ее концов, контроль усили  нат жени . При этом пред- в арительно определ ют критическое усилие разрыва и упругости отдельных с|трун инструмента в плоскости резани  путем измерени  величины провиса с|трун при помощи индикатора, а контроль усили  напр жени  осуществл ют путем замера величины провиса струн сравнени  величины провиса с вели- 4иной провиса, соответствующим крити- ескому усилию разрыва.

На фиг. 1 изображен струнный ин- струмент с контролирующим прибором; на фиг. 2 - то же, разрез; на фиг.З to же, вид сверху

Рабочий инструмент, используемый $ способе, конструктивно выполнен 5 виде двух роликов 1, закрепленных в кассете 2, с параллельно нат нуты- Ми на них струнами 3, Один из ропи- Ков 1 (с помощью регулировоччот о Јинта) может относительно другого поступательно перемещатьс , нат гива 

струны„ Во врем  работы таким рабочим инструментом струны с намазан- |ным на них абразивом в кассете перемещаютс  по плоскости объекта, выполненного в виде полупроводникового кристалла, а объект - медленно вверх к струнам, обеспечива  глубину резки . Способ настройки рабочего инструмента осуществл етс  с помощью несложного прибора конструкци  которого состоит из опоры 4S на которой закреплена кассета 2 со струнами Зг индикатора 5S содержащего толкатель 6 со штоком 7 и пружиной 8, шкалу 9 со стрелкой 10. На штоке 7 имеетс  риска 119 фиксирующа  критическое усилие толкател  6.

Способ настройки рабочего инструмента , выполненного в виде параллельно нат нутых струн 3, заключаетс  в следующем.

На струну 3 или на рад струн нажимают толкателем б и фиксируют ее прогиб стрелкой 10 по индикатору 5 При равном силовом давлении, обеспе

0

5

д

0

5

чиваемом пружиной 8 и фиксируемом риской 11 на штоке 7 толкател  6, отмечают и сравнивают отсчеты по шкале 9 индикатора 5 в разный период времени. Усилие пружины 8 подбирают исход  из критического усили  равным разрыву струны 3 и берут его чуть меньше т.е. с таким усилием, чтобы при рабочих измерени х толкателем 6 индикатора 5 невозможно было порвать струну 3 и в то же врем  усилие должно быть достаточным дл  создани  наибольшего усили  на струну. Следовательно , вначале устанавливают рабочее усилие на струну 3, фиксиру  ее в процессе измерени  уровнем опускани  индикатора, т.е. положением оправы индикатора относительно риски 11 на штоке 7 толкател  6, и замечают стрелкой |0 начальный отсчет по шкале 9 индикатора 5. А затем при посто нном усилии давлени  на струну 3 (или струны 3)5 опуска  оправу индикатора 5 до риски,, берут отсчет по шкале 9 индикатора 5 и сравнивают его с начальным отсчетом. При провисании струн 3 инструмента подт гивают один из роликов, добива сь нулевого отсчета „

Объект, который режут таким инструментом , был вз т из полупроводникового кристалла, например из материала германий, размером 20x4 к 0,13 мм. Струны 3 в кассете 2 были вз ты диаметром 0,01-0,05 мм, число струн в кассете составл ло 100-200. Точность резки кристалла составила: по глубине резки по всей площади кристалла не более 0,002 мм, по ширине нарезки на квадраты 0,003- мм, т.е. резка по взаимно перпендикул рным направлени м, оставл   недорезанную толщину кристалла в пределах 0,005-0,010 мм. Соблюдение такой точности резки необходимо дл  получени  высококачественных параметров полупроводников. Ослабление струн вызывает неравную глубину резки кристалла по всей площади, непараллельность пазов в кристалле, неодинаковую их ширину. Повышение точности настройки предложенным способом увеличиваетс  в 3-4 раза.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ настройки режущего струнного инструмента, включающий обмотку

   с нат жением по пазам крепежных приспособлений струны с закреплением ее концов, контроль усили  нат жени , отличающийс  тем, что, с целью повышени  точности настройки, предварительно определ ют критическое усилие разрыва и упругости отдель- I

   ных струн инструмента в плоскости резани  путем измерени  провиса струн при помощи индикатора, а контроль усили  нат жени  осуществл ют путем замера провиса струн и сравнени  этого провиса с провисом, соответствующим критическому усилию разрыва.

   Щиг.1

   Фиг.З