RU2558323C1 - Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики - Google Patents
Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики Download PDFInfo
- Publication number
- RU2558323C1 RU2558323C1 RU2014115444/02A RU2014115444A RU2558323C1 RU 2558323 C1 RU2558323 C1 RU 2558323C1 RU 2014115444/02 A RU2014115444/02 A RU 2014115444/02A RU 2014115444 A RU2014115444 A RU 2014115444A RU 2558323 C1 RU2558323 C1 RU 2558323C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- copper
- layer
- silver
- adhesive layer
- heat treatment
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract description 16
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 title 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 37
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims abstract description 13
- IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N copper titanium Chemical compound [Ti].[Cu] IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCEXQRKSUSSDFT-UHFFFAOYSA-N [Mn].[Mo] Chemical compound [Mn].[Mo] PCEXQRKSUSSDFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может быть использовано в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных транзисторов и сверхъярких светодиодов. Осуществляют нанесение на поверхности керамической пластин адгезионного слоя и слоя меди, прижим к слою меди пластин медной фольги и последующую термообработку в среде вакуума. Адгезионный слой формируют вакуумным осаждением в виде системы титан-медь с толщиной слоев 0,1-0,5 мкм, на адгезионный слой последовательно гальванически осаждают слой меди толщиной 5-15 мкм и слой серебра толщиной 3-12 мкм, после чего к покрытым серебром поверхностям прижимают пластины из медной фольги и проводят термообработку при температуре 800-850°C. Термообработку проводят под давлением 0,1-0,5 кгс/мм2. Обеспечивается металлизация подложек с получением качественной поверхности без вспучивания. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Description
Изобретение относится к области получения металлических покрытий на пластинах из алюмонитридной керамики и может найти применение в электронной, электротехнической и радиотехнической промышленности при производстве металлизированных подложек для силовых модулей, теплоотводящих элементов мощных транзисторов и сверхъярких светодиодов.
Известна керамическая подложка для электронных силовых модулей, металлизированная методом DBC [1]. Сущность метода DBC состоит в том, что предварительно проводят окисление поверхности A1N керамики, после чего керамику соединяют с медью, расплавленной при температуре 1064°C эвтектикой Cu-CuO2. Одним из недостатков метода DBC является то, что процесс требует очень точного температурного режима, поскольку проводится при температуре, близкой к температуре плавления меди, равной 1084°C. Кроме того, поскольку эвтектика Cu-CuO2 отличается повышенной хрупкостью, то следует ожидать пониженную стойкость соединения в условиях циклического изменения температур. Также изделия из керамики, металлизированной по данному способу, нельзя паять высокотемпературными припоями в среде водорода из-за восстановления CuO2 до меди, приводящего к нарушению соединения.
Известен способ металлизации керамики, включающий нанесение на керамическую пластину адгезионного слоя, а именно слоя молибден-марганцевого состава, и слоя порошкообразной меди, с последующим одновременным их вжиганием при 800-1100°C [2]. С помощью вжигания обеспечивается расплавление меди и проникновение ее между зернами молибден-марганцевого состава. Медь, образуя с марганцем активный расплав, взаимодействует с керамикой. На поверхности подложки образуется покрытие, прочно сцепленное с керамикой, позволяющее осуществлять пайку различными припоями.
Основным недостатком данного способа является то, что топологический рисунок металлизации можно формировать только методом сеткографии. Получение топологического рисунка на такой металлизации методом фотолитографического травления связано с существенными трудностями. Прежде всего, очень сложно подобрать раствор для травления, обеспечивающий высокое сопротивление изоляции между электрически изолированными элементами топологического рисунка. Кроме того, требуется разработка фоторезиста, достаточно устойчивого для процесса травления такой металлизации.
Наиболее близким техническим решением является способ металлизации керамики [3], в котором на керамическую пластину сверху и снизу наносят адгезионный слой на основе молибдена и марганца и проводят его вжигание при температуре 1320-1350°C, затем методом холодного газодинамического напыления наносят слой порошкообразной меди, после чего проводят отжиг при температуре 900-1100°C, кроме того, дополнительно устанавливают пластины медной фольги толщиной 100-700 мкм, прижимают их под давлением 0,7-1,6 кгс/мм2 и проводят термообработку в вакууме или водороде при температуре 850-1000°C. Слои металлизации наносят с заранее сформированным топологическим рисунком.
Основным недостатком данного способа является то, что типологический рисунок металлизации можно формировать только методом сеткографии. На металлизированных подложках данным способом невозможно формировать топологический рисунок металлизации методом фотолитографического травления. Кроме того, данный процесс требует приложения большого усилия сдавливания при термообработке. Например, при металлизации подложек стандартного размера 48×60 мм усилие составит от 2 до 5 тонн. Такое сдавливание сложно обеспечить в вакуумной или водородной печи. Кроме того, такое сдавливание может привести к появлению трещин на пластине.
Технический результат, обеспечиваемый изобретением, достигается тем, что в способе металлизации керамики, включающем нанесение на поверхности керамической пластин адгезионного слоя и слоя меди, прижим к слою меди пластин медной фольги и последующую термообработку в среде вакуума, адгезионный слой формируют вакуумным осаждением в виде системы титан-медь с толщиной слоев 0,1-0,5 мкм, на адгезионный слой последовательно гальванически осаждают слой меди толщиной 5-15 мкм и слой серебра толщиной 3-12 мкм, после чего к покрытым серебром поверхностям прижимают пластины из медной фольги и проводят термообработку при температуре 800-850°C. Термообработку проводят под давлением 0,1-0,5 кгс/мм2.
Технических решений, содержащих признаки, сходные с отличительными, не выявлено, что позволяет сделать выводы о соответствии заявленных технических решений критерию новизны.
Металлизированная медью подложка из алюмонитридной керамики, допускающая высокотемпературную пайку в среде водорода, допускающая формирование топологического рисунка металлизации фотолитографическим травлением при существенном снижении прижимающего давления в процессе термообработки, получена благодаря тому, что адгезионный слой формируют вакуумным осаждением в виде системы титан-медь с толщиной слоев 0,1-0,5 мкм, на адгезионный слой последовательно гальванически осаждают слой меди толщиной 5-15 мкм и слой серебра толщиной 3-12 мкм, после чего к покрытым серебром поверхностям прижимают пластины из медной фольги и проводят термообработку при температуре 800-850°C. Термообработку проводят под давлением 0,1-0,5 кгс/мм2. Осажденный в вакууме адгезионный слой, состоящий из титана толщиной 0,1-0,5 мкм и осажденной на него меди толщиной 0,1-0,5 мкм, обеспечивает высокую адгезию к керамике из нитрида алюминия и возможность последующего гальванического осаждения меди. Прижим с давлением 0,1-0,5 кгс/мм2 достаточен для получения годных металлизированных подложек.
В процессе термообработки при температуре 800-850°C между покрытым серебром гальваническим слоем меди и медной фольгой образуется припой на основе серебра, поскольку температура эвтектики, содержащей 72% серебра и 28% меди, равна 778°C. Таким образом, пластина из медной фольги присоединяется к гальванически осажденному слою меди посредством высокотемпературной пайки. При этом часть меди как со стороны гальванически осажденного слоя, так и со стороны медной фольги переходит в припой. Толщина гальванического слоя меди при этом должна быть достаточной, чтобы не произошел полный переход этого слоя в припой, что приведет к присоединению медной фольги к подложке из нитрида алюминия активной пайкой (активный металл - титан). При активной пайке будет сформирован переходный слой между алюмонитридной керамикой и медью, представляющий собой сложный сплав меди, серебра и титана, который при фотолитографическом травлении не удается полностью удалить. Между электрически изолированными элементами топологического рисунка будут оставаться металлические включения, снижающие электрическое сопротивление электроизолирующих зазоров и приводящие к их заращиванию при последующих химических покрытиях конструкционных элементов из металлизированной алюмонитридной керамики в составе приборов.
Толщина гальванически осажденного слоя меди, равная 5 мкм, является достаточной даже при толщине слоя серебра, равной 12 мкм, так как в припой перейдет не более 7 мкм, учитывая равный переход меди в припой также и со стороны медной фольги. Увеличение гальванического слоя меди более 15 мкм может привести к отрыву слоя меди при термообработке из-за большого рассогласования по тепловому расширению меди и алюмонитридной керамики.
Термообработку необходимо проводить в вакууме, так как в водороде происходит гидрирование титана, что приведет к нарушению адгезии покрытия к керамике.
При термообработке достаточным является прижимающее давление, равное 0,1-0,5 кгс/мм2, присоединение фольги происходит не за счет диффузионной сварки, а за счет пайки припоем. При толщине слоя серебра 12 мкм достаточным может быть давление, равное 0,1 кгс/мм2, а при толщине слоя серебра 3 мкм целесообразно проводить процесс при большем давлении, так как при этом образуется довольно тонкий слой припоя.
При толщине серебра менее 3 мкм может не хватить образующегося при термообработке слоя припоя для сплошной припайки фольги к гальванически осажденному слою меди.
При толщине серебра более 12 мкм может произойти активная припайка меди к подложке из нитрида алюминия, что приведет к образованию переходного слоя между алюмонитридной керамикой и медью, который при фотолитографическом травлении не удается полностью удалить, а между электрически изолированными элементами топологического рисунка будут оставаться металлические включения, снижающие электрическое сопротивление электроизолирующих зазоров и приводящие к их заращиванию при последующих химических покрытиях конструкционных элементов из металлизированной алюмонитридной керамики в составе приборов.
Для обеспечения гарантированного образования припоя серебро-медь и его достаточной смачивающей способности, термообработку следует проводить при температуре не ниже 800°C, превышающей температуру образования эвтектики серебро-медь на 22°C. Повышение температуры термообработки более 850°C может привести к образованию припоя, сильно отличающегося от эвтектического состава, который содержит большее количество меди, что может привести к расплавлению адгезионного слоя и к появлению вздутий на поверхности присоединенной фольги.
Для проведения испытаний были изготовлены опытные образцы металлизированных подложек из алюмонитридной керамики.
Процессы металлизации проводили на подложках из алюмонитридной керамики с размерами 48×60 мм при толщине 1 мм. Присоединяли медную фольгу толщиной 0,1 мм, 0,3 мм и 0,5 мм при давлениях прижима (P).
На полученных образцах были замерены величины электрического сопротивления (R) зазоров шириной 0,3 мм и длиной 18 мм между электроизолированными участками металлизации. Топологический рисунок был сформирован фотолитографическим травлением в растворе для травления меди серебра и титана по фоторезисту ФП-25. Для дополнительной проверки качества полученных электроизолирующих зазоров металлизированные поверхности покрывали никелем в растворе химического никелирования. Такой процесс, как правило, проводят после сборки корпусов силовых модулей с теплоотводящими платами, имеющими сформированный топологический рисунок металлизации. Кроме того, учитывая, что сборку изделий с конструктивными элементами из металлизированной алюмонитридной керамики проводят, как правило, пайкой припоем ПСр 72 при температуре примерно 820°C в водороде, металлизированные подложки нагревали до 820°C в водороде без прижима. Такая операция проводилась для проверки металлизации на вспучивание. Результаты испытаний приведены в таблице.
На металлизированных подложках, изготовленных в соответствии с предложенным техническим решением, после нагрева до 820°C в водороде вспучивания металлизации не наблюдалось. Как видно из таблицы, образцы, изготовленные в соответствии с предложенным техническим решением, пригодны для использования в качестве теплоотводящих элементов и плат для мощных транзисторов, силовой электроники и иных изделий, где необходим эффективный отвод тепла и способность электропроводящих элементов выдерживать большие токовые нагрузки.
Источники информации
1. Юрген Шульц-Хардер. Медно-керамические подложки - основа современной силовой электроники. Новые возможности технологии DBC, перспективы и проблемы создания нового поколения изделий силовой электроники. Компоненты и технологии, 2005, №3.
2. Авторское свидетельство СССР №564293, МКИ C04B 41/14, заявл. 27.12.71, опубл. 05.07.77.
3. Патент РФ №2490237, заявл. 12.08.2011, опубл. 20.08.2013.
Claims (2)
1. Способ металлизации алюмонитридной керамики, включающий нанесение на поверхности керамической пластины адгезионного слоя и слоя меди, прижим к слою меди пластин из медной фольги и последующую термообработку в среде вакуума, отличающийся тем, что адгезионный слой формируют вакуумным осаждением в виде системы титан-медь с толщиной слоев 0,1-0,5 мкм, на адгезионный слой последовательно гальванически осаждают слой меди толщиной 5-15 мкм и слой серебра толщиной 3-12 мкм, после чего к покрытым серебром поверхностям прижимают пластины из медной фольги и проводят термообработку при температуре 800-850°C.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термообработку проводят под давлением 0,1-0,5 кгс/мм2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014115444/02A RU2558323C1 (ru) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014115444/02A RU2558323C1 (ru) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2558323C1 true RU2558323C1 (ru) | 2015-07-27 |
Family
ID=53762799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014115444/02A RU2558323C1 (ru) | 2014-04-18 | 2014-04-18 | Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2558323C1 (ru) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2704149C1 (ru) * | 2019-05-15 | 2019-10-24 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями |
| RU193413U1 (ru) * | 2019-05-17 | 2019-10-29 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Керамическая плата силового модуля |
| RU2724291C1 (ru) * | 2019-10-31 | 2020-06-22 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию |
| RU201795U1 (ru) * | 2020-07-23 | 2021-01-13 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО") | Электропроводящее покрытие |
| RU2748182C1 (ru) * | 2020-07-23 | 2021-05-20 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО") | Электропроводящее покрытие |
| RU220113U1 (ru) * | 2023-03-15 | 2023-08-25 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Металлизированная керамическая подложка для полупроводникового прибора |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004059027A2 (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Ionic Fusion Corporation | Ionic plasma deposition of anti-microbial surfaces and the anti-microbial surfaces resulting therefrom |
| RU2490237C2 (ru) * | 2011-08-12 | 2013-08-20 | Холдинговая компания "Новосибирский Электровакуумный Завод-Союз" в форме открытого акционерного общества | Металлизированная керамическая подложка для электронных силовых модулей и способ металлизации керамики |
-
2014
- 2014-04-18 RU RU2014115444/02A patent/RU2558323C1/ru active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004059027A2 (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Ionic Fusion Corporation | Ionic plasma deposition of anti-microbial surfaces and the anti-microbial surfaces resulting therefrom |
| RU2490237C2 (ru) * | 2011-08-12 | 2013-08-20 | Холдинговая компания "Новосибирский Электровакуумный Завод-Союз" в форме открытого акционерного общества | Металлизированная керамическая подложка для электронных силовых модулей и способ металлизации керамики |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2704149C1 (ru) * | 2019-05-15 | 2019-10-24 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями |
| RU193413U1 (ru) * | 2019-05-17 | 2019-10-29 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Керамическая плата силового модуля |
| RU2724291C1 (ru) * | 2019-10-31 | 2020-06-22 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ подготовки поверхности подложки из алюмонитридной керамики под тонкоплёночную металлизацию |
| RU201795U1 (ru) * | 2020-07-23 | 2021-01-13 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО") | Электропроводящее покрытие |
| RU2748182C1 (ru) * | 2020-07-23 | 2021-05-20 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО") | Электропроводящее покрытие |
| RU220113U1 (ru) * | 2023-03-15 | 2023-08-25 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Металлизированная керамическая подложка для полупроводникового прибора |
| RU2819952C1 (ru) * | 2023-05-31 | 2024-05-28 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ металлизации керамических подложек |
| RU2828329C1 (ru) * | 2023-08-31 | 2024-10-09 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ изготовления плат на подложках из алюмонитридной керамики |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102263068B (zh) | 带低温压力烧结连接的两个连接配对件系统及其制造方法 | |
| RU2558323C1 (ru) | Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики | |
| CN102171897A (zh) | 用于激光二极管冷却的微型换热器 | |
| CN103648766A (zh) | 层叠体和层叠体的制造方法 | |
| WO2015164593A1 (en) | Metal core printed circuit board with insulation layer | |
| CN101483217A (zh) | 一种led高导热陶瓷覆铜散热电路板 | |
| US20080292874A1 (en) | Sintered power semiconductor substrate and method of producing the substrate | |
| TWI512150B (zh) | Preparation of copper - clad copper - clad copper clad copper | |
| JP2007201346A (ja) | セラミックス回路基板及びその製造方法 | |
| US11037862B2 (en) | Method for electrically contacting a component by galvanic connection of an open-pored contact piece, and corresponding component module | |
| JP2001130986A (ja) | 銅メッキセラミックス基板、及びそれを用いたペルチィエ素子、並びに銅メッキセラミックス基板の製造方法 | |
| WO2018225809A1 (ja) | セラミックス回路基板 | |
| RU2490237C2 (ru) | Металлизированная керамическая подложка для электронных силовых модулей и способ металлизации керамики | |
| CN111885852A (zh) | 一种陶瓷覆铜板的制备方法 | |
| CN112752414A (zh) | 一种复合层氮化铝陶瓷电路板 | |
| JP5069485B2 (ja) | 金属ベース回路基板 | |
| RU2704149C1 (ru) | Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями | |
| CN114364134B (zh) | 一种具有pin结构的基板及其制作方法 | |
| CN118841329A (zh) | 基于htcc及amb的多层氮化硅陶瓷基板及制备方法 | |
| CN117156938A (zh) | 一种半导体制冷片制作工艺及半导体制冷片 | |
| RU2819952C1 (ru) | Способ металлизации керамических подложек | |
| RU2405229C2 (ru) | Корпус полупроводникового прибора | |
| CN106409691A (zh) | 一种封装外壳内腔不同位置的不同厚度金层的制备方法 | |
| RU220113U1 (ru) | Металлизированная керамическая подложка для полупроводникового прибора | |
| RU2803667C1 (ru) | Способ изготовления керамических плат для СВЧ монолитных интегральных схем |