RU201795U1 - Электропроводящее покрытие - Google Patents
Электропроводящее покрытие Download PDFInfo
- Publication number
- RU201795U1 RU201795U1 RU2020125341U RU2020125341U RU201795U1 RU 201795 U1 RU201795 U1 RU 201795U1 RU 2020125341 U RU2020125341 U RU 2020125341U RU 2020125341 U RU2020125341 U RU 2020125341U RU 201795 U1 RU201795 U1 RU 201795U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- optical
- electrically conductive
- layer
- conductive
- adhesive
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
- H10F19/35—Structures for the connecting of adjacent photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Полезная модель может быть использована в оптических элементах из оптической керамики для коммутации элементов электрических схем оптико-электронных приборов, в том числе космического назначения, создания контактных электродов и электрообогрева входных окон из оптической керамики. Электропроводящее покрытие содержит нанесенные на подложку из керамики адгезионный, токопроводящий и контактный слои. Покрытие дополнительно содержит буферный слой, выполненный из хрома, который расположен между адгезионным и токопроводящим слоями и имеет хорошее сцепление с ними, при этом подложка выполнена из оптической керамики, адгезионный слой выполнен из оксида иттрия, а токопроводящий слой выполнен из алюминия. Подложка из оптической керамики может быть выполнена из селенида цинка или из сульфида цинка. Использование полезной модели позволяет получить электропроводящее покрытие с хорошей адгезией к подложкам из оптической керамики, выдерживающее термическое воздействие до 250°С. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Полезная модель относится к области оптоэлектроники и может быть использована в оптических элементах из оптической керамики для коммутации элементов электрических схем оптико-электронных приборов, в том числе космического назначения, создания контактных электродов и электрообогрева входных окон из оптической керамики.
В настоящее время в оптоэлектронике широко используют оптические элементы из оптической керамики, которая прозрачна в видимом и инфракрасном диапазонах спектра в интервале длин волн от 0,5 мкм до 13 мкм и в этой области не имеет полос поглощения.
Однако оптические элементы из оптической керамики не могут быть использованы в оптико-электронных системах для коммутации элементов электрических схем, создания контактных электродов и электрообогрева, так как до настоящего времени не разработаны электропроводящие покрытия на поверхностях из оптической керамики. Известные электропроводящие покрытия для оптических элементов (ОСТ 3-1901-95. Покрытия оптических деталей. С. 72-74) предназначены для применения на поверхностях из оптического и кварцевого стекла и не могут применяться на поверхностях из оптической керамики ввиду слабой адгезии к ней.
Известно электропроводящее покрытие, описанное в способе создания электропроводящих покрытий на диэлектрических деталях электровакуумных приборов (Авторское свидетельство СССР SU 860166, опубликовано 30.08.1981, МПК H01J 9/20), состоящее из индия или сплавов на его основе, нанесенных на такие диэлектрические подложки, как стекло, фотоситалл, кварц, корунд, лейкосапфир, слюда, монокристаллы фторидов металлов, керамика ГБ-7 и 22Хс.
Известны также металлические электропроводящие покрытия, находящие применение в микроэлектронике в качестве токопроводящих дорожек микросхем (Технология тонких пленок (справочник). Под ред. Л. Майселла, Р. Глэнга. Нью-Йорк. Пер. с англ. Под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолко, Т. 2. М., «Сов. радио», 1977, с. 729, Б. Межсоединения, с. 730, В. Типичные материалы), которые состоят из металлического токопроводящего слоя, расположенного на подложке из кремния.
Прототипом является металлическое электропроводящее покрытие, описанное в способе создания токопроводящих дорожек (Патент RU 2494492, МПК H01L 21/28, опубликован 27.09.2013, фиг. 1). Электропроводящее покрытие (токопроводящая дорожка) на подложке из неоптической керамики (оксид алюминия, нитрид алюминия) содержит адгезионный слой из хрома, токопроводящий слой из меди, барьерный слой из никеля, служащий для защиты токопроводящего медного слоя от окисления и ограничения миграции атомов меди, и контактный слой из золота, служащий для пайки.
Общим недостатком аналогов и прототипа является то, что используемые при их получении металлы - как с хорошей электропроводимостью (алюминий, медь, серебро, индий), так и хром, используемый в качестве адгезионного слоя, обладают плохой адгезией к оптической керамике, в частности к селениду цинка и сульфиду цинка вследствие слабости сил межмолекулярного взаимодействия между ними.
Кроме того, вследствие больших внутренних напряжений использование меди в качестве токопроводящего слоя толщиной более 1000 нм в составе электропроводящего покрытия на оптической керамике, полученного методами напыления в вакууме, приводит к разрушению покрытия. Электропроводящие покрытия на оптической керамике из материалов, используемых в прототипе, непрочны, склонны к отслаиванию (не выдерживают испытания на адгезию по ГОСТ Р ИСО 9211-4-2016) и не выдерживают термического воздействия при пайке.
Также недостатком является то, что высокая миграционная активность атомов меди, используемой в качестве токопроводящего слоя, требует наличия в электропроводящем покрытии дополнительного барьерного слоя.
Технической задачей, на решение которой направлена полезная модель, является разработка электропроводящего покрытия на деталях из оптической керамики с заданным электрическим сопротивлением от 0,5 до 20 Ом, обладающего хорошей адгезией к подложкам из оптической керамики, выдерживающего термическое воздействие при пайке.
Техническая задача решается тем, что электропроводящее покрытие, содержащее нанесенные на подложку из керамики адгезионный, токопроводящий и контактный слои, согласно настоящей полезной модели, дополнительно содержит буферный слой, выполненный из хрома, который расположен между адгезионным и токопроводящим слоями, и имеет хорошее сцепление с ними, при этом подложка выполнена из оптической керамики, адгезионный слой выполнен из оксида иттрия, а токопроводящий слой выполнен из алюминия. Подложка из оптической керамики может быть выполнена из селенида цинка или из сульфида цинка.
На фиг. 1 изображена конструкция предлагаемого электропроводящего покрытия (поперечный разрез).
Электропроводящее покрытие содержит нанесенные в вакууме на подложку 1 из керамики адгезионный 2, токопроводящий 4 и контактный 5 слои.
Отличием предлагаемого покрытия является то, что подложка 1, выполненная из оптической керамики, дополнительно содержит буферный слой 3, выполненный из хрома толщиной от 20 до 30 нм, который расположен между адгезионным 2 и токопроводящим 4 слоями.
Подложка 1 из оптической керамики может быть выполнена из селенида цинка или из сульфида цинка.
Адгезионный слой 2 выполнен из оксида иттрия толщиной от 8 до 20 нм, который обеспечивает надежное сцепление электропроводящего покрытия с подложкой 1 из оптической керамики.
Токопроводящий слой 4 выполнен из алюминия толщиной от 1000 до 5000 нм, обеспечивающего электропроводные характеристики покрытия. Токопроводящий слой из алюминия не требует нанесения барьерного слоя, так как по сравнению с медью алюминий не обладает большой миграционной подвижностью атомов.
Контактный слой 5 выполнен из меди толщиной от 100 до 150 нм и обеспечивает пайку электрических проводов припоями на основе олова.
Оптимальные толщины адгезионного, буферного, токопроводящего и контактного слоев, в составе электропроводящего покрытия, определены экспериментально.
Пример конкретного выполнения.
На подложку 1 из селенида цинка, размещенную в камере вакуумной установки, при давлении не менее 10-3 Па и температуре не менее 150°С методом электронно-лучевого испарения в вакууме напыляют адгезионный слой 2 толщиной 10 нм из оксида иттрия, обладающего хорошей адгезией к селениду цинка.
После этого тем же методом при тех же условиях напыляют буферный слой 3 толщиной 25 нм из хрома, имеющего хорошее сцепление как с оксидом иттрия, так и с алюминием.
Затем при тех же условиях методом электронно-лучевого испарения в вакууме напыляют токопроводящий слой 4 толщиной 2700 нм из алюминия, имеющего высокую электропроводимость (ρ=0,028 Ом×мм2/м). Необходимая толщина токопроводящего слоя 4 рассчитана исходя из площади его сечения и заданного сопротивления (5 Ом).
Далее при тех же условиях методом электронно-лучевого испарения в вакууме поверх токопроводящего слоя 4 напыляют контактный слой 5 толщиной 100 нм из меди, обеспечивающий пайку припоями на основе олова.
Адгезионный слой 2 обеспечивает необходимое сцепление буферного слоя 3 с подложкой 1 из оптической керамики.
Буферный слой 3 обеспечивает необходимое сцепление между адгезионным 2 и электропроводящим 4 слоями.
Токопроводящий слой 4 обеспечивает необходимое значение электросопротивления.
Контактный слой 5 обеспечивает надежную пайку электрических проводов припоями на основе олова.
Предлагаемое электропроводящее покрытие, содержащее, нанесенные на подложку из оптической керамики (селенид цинка, сульфид цинка), адгезионный, буферный, токопроводящий и контактный слои, существенно превосходит покрытие-прототип по достигаемым эксплуатационным характеристикам, так как выдерживает испытание на адгезию по методу 02 ГОСТ Р ИСО 9211-4-2016 (интенсивность нагрузки 02), выдерживает термическое воздействие при пайке до температуры 250°С за счет применения адгезионного и буферного слоев.
Таким образом, использование предлагаемой полезной модели, благодаря наличию в электропроводящем покрытии адгезионного, буферного, токопроводящего и контактного слоев из предлагаемых материалов, позволяет получить электропроводящее покрытие с хорошей адгезией к подложкам из оптической керамики, выдерживающее термическое воздействие до 250°С и обеспечивающее коммутацию элементов электрических схем оптико-электронных приборов, в том числе космического назначения, создание контактных электродов и электрообогрев входных окон из оптической керамики.
Claims (3)
1. Электропроводящее покрытие, содержащее нанесенные на подложку из керамики адгезионный, токопроводящий и контактный слои, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит буферный слой, выполненный из хрома, который расположен между адгезионным и токопроводящим слоями и имеет хорошее сцепление с ними, при этом подложка выполнена из оптической керамики, адгезионный слой выполнен из оксида иттрия, а токопроводящий слой выполнен из алюминия.
2. Электропроводящее покрытие по п. 1, отличающееся тем, что подложка из оптической керамики выполнена из селенида цинка.
3. Электропроводящее покрытие по п. 1, отличающееся тем, что подложка из оптической керамики выполнена из сульфида цинка.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020125341U RU201795U1 (ru) | 2020-07-23 | 2020-07-23 | Электропроводящее покрытие |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020125341U RU201795U1 (ru) | 2020-07-23 | 2020-07-23 | Электропроводящее покрытие |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU201795U1 true RU201795U1 (ru) | 2021-01-13 |
Family
ID=74183657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020125341U RU201795U1 (ru) | 2020-07-23 | 2020-07-23 | Электропроводящее покрытие |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU201795U1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2494492C1 (ru) * | 2012-06-07 | 2013-09-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Компания РМТ" | Способ создания токопроводящих дорожек |
| US9000442B2 (en) * | 2010-01-20 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device |
| RU2558323C1 (ru) * | 2014-04-18 | 2015-07-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики |
| RU159460U1 (ru) * | 2015-07-06 | 2016-02-10 | Закрытое акционерное общество "НПО "НИИТАЛ" | Подложка из алюмонитридной керамики |
-
2020
- 2020-07-23 RU RU2020125341U patent/RU201795U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9000442B2 (en) * | 2010-01-20 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device |
| RU2494492C1 (ru) * | 2012-06-07 | 2013-09-27 | Общество с ограниченной ответственностью "Компания РМТ" | Способ создания токопроводящих дорожек |
| RU2558323C1 (ru) * | 2014-04-18 | 2015-07-27 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" | Способ металлизации подложки из алюмонитридной керамики |
| RU159460U1 (ru) * | 2015-07-06 | 2016-02-10 | Закрытое акционерное общество "НПО "НИИТАЛ" | Подложка из алюмонитридной керамики |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5976186B2 (ja) | 1200℃膜抵抗体 | |
| KR970707707A (ko) | 전기 절연 기판의 표면에 컨덕터의 구조적 형성을 위한 코팅과 그의 형성방법 및 이 코팅을 이용한 컨덕터의 제조방법 | |
| US4028657A (en) | Deposited layer type thermometric resistance structure | |
| CN103649701B (zh) | 包括保护框架的测量分流器 | |
| JPH09145489A (ja) | 抵抗温度計 | |
| KR20000011751A (ko) | 적어도한개층또는복수층을가진전기온도센서및동온도센서의제조방법 | |
| JPH0235475B2 (ru) | ||
| KR101295606B1 (ko) | 평면 접점을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 및 반도체소자 | |
| CA2484794A1 (en) | Glass material for use at high frequencies | |
| RU201795U1 (ru) | Электропроводящее покрытие | |
| RU2748182C1 (ru) | Электропроводящее покрытие | |
| US3611065A (en) | Carrier for semiconductor components | |
| KR100349780B1 (ko) | 칩 서미스터 | |
| KR20010030871A (ko) | 가열 소자와 이 가열 소자의 제조 방법 | |
| EP0093633B1 (fr) | Substrat pour circuit électronique, et procédé de fabrication de ce substrat | |
| US3350222A (en) | Hermetic seal for planar transistors and method | |
| US20240013957A1 (en) | High-power resistor and fabrication method thereof | |
| JP2016529735A (ja) | 静電チャック用障壁層 | |
| US7427911B2 (en) | Electrical device having a heat generating resistive element | |
| TWI806692B (zh) | 高功率電阻器製造方法 | |
| CA1153128A (en) | Electrical circuit assemblies | |
| JPS62183149A (ja) | ピン・グリツド・アレイパツケ−ジ | |
| CN109599428A (zh) | 显示面板的制作方法 | |
| JP2804288B2 (ja) | 高温動作素子 | |
| EP2782124A1 (en) | Power semiconductor mounting |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MG9K | Termination of a utility model due to grant of a patent for identical subject |
Ref document number: 2748182 Country of ref document: RU Effective date: 20210520 |