RU2328014C1 - Магниточувствительная интегральная схема - Google Patents
Магниточувствительная интегральная схема Download PDFInfo
- Publication number
- RU2328014C1 RU2328014C1 RU2006136443/28A RU2006136443A RU2328014C1 RU 2328014 C1 RU2328014 C1 RU 2328014C1 RU 2006136443/28 A RU2006136443/28 A RU 2006136443/28A RU 2006136443 A RU2006136443 A RU 2006136443A RU 2328014 C1 RU2328014 C1 RU 2328014C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- generators
- field
- gate
- amplifier
- transducer
- Prior art date
Links
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 244000045947 parasite Species 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 102000029828 Melanin-concentrating hormone receptor Human genes 0.000 description 1
- 108010047068 Melanin-concentrating hormone receptor Proteins 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
Магниточувствительная интегральная схема относится к области электронных датчиков магнитного поля, а более конкретно к магниточувствительным интегральным схемам (МЧИС). Области применения МЧИС - автоэлектроника, автоматика и робототехника, измерительная техника, системы навигации и ориентации, системы безопасности. Техническим результатом, полученным при решении этой задачи, является получение МЧИС с пониженным уровнем коммутационных помех и паразитных шумов. Поставленная задача достигается в конструкции МЧИС, содержащей управляемый электрическим полем первичный преобразователь магнитного поля в электрический сигнал, выполненный с возможностью функционировать на основе эффекта Холла, дифференциальный селективный усилитель и два генератора, новизна которой заключается в том, что в качестве первичного преобразователя используют преобразователь, содержащий два управляющих полевых затвора, к каждому из которых непосредственно присоединен один из генераторов, причем выход генераторов подключен к входам усилителя. 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относится к области электронных датчиков магнитного поля, а более конкретно к магниточувствительным интегральным схемам (МЧИС). Области применения МЧИС - автоэлектроника, автоматика и робототехника, измерительная техника, системы навигации и ориентации, системы безопасности.
Известно, что магниточувствительные интегральные схемы являются основными элементами разнообразных устройств контроля и управления. В конструкции МЧИС интегрируются первичные преобразователи магнитного поля в электрический сигнал и электронные узлы, обеспечивающие регистрацию и обработку полезного сигнала.
Обычно в таких МЧИС используется прямое усиление сигнала первичного преобразователя с регистрацией выходного сигнала по напряжению или току (Бараночников М.Л. Микромагнитоэлектроника, изд. ДМК, М., 2001, т.1, с.541).
Недостатком таких МЧИС является ограниченная пороговая чувствительность, не обеспечивающая детектирование слабых магнитных полей. Этот недостаток может быть преодолен в МЧИС с частотной модуляцией магнитоиндуцированного сигнала.
Наиболее близким к данному изобретению техническим решением, принятым за прототип, является МЧИС (Cooper A.R., Brignell I.E. A magnetic field transducer with frequency modulated output. J. Phys. E: Sci. Instr., 1984, v.17, p.,627.), где в качестве первичного преобразователя магнитного поля в электрический сигнал, выполненный с возможностью функционировать на основе эффекта Холла, используют двухстоковый полевой транзистор. МЧИС содержит также два усилителя и два генератора, вырабатывающих одинаковую частоту. В МЧИС реализуются две цепочки вида сток полевого транзистора - вход усилителя - выход усилителя - генератор - выход МЧИС. Генераторы частотно модулируют усиленные сигналы со стоков транзистора. При использовании селективного регистрирующего устройства, настроенного на частоту генерации, обеспечивается повышение отношения сигнал/шум МЧИС и, следовательно, возможность улучшения ее пороговой чувствительности.
Недостатком такого решения является сопутствующее модуляции появление коммутационных помех и паразитных шумов, ограничивающих пороговую чувствительность.
Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является создание МЧИС, характеризующихся повышенной пороговой чувствительностью.
Техническим результатом, полученным при решении этой задачи, является получение МЧИС с пониженным уровнем коммутационных помех и паразитных шумов.
Поставленная задача достигается в конструкции МЧИС, содержащей управляемый электрическим полем первичный преобразователь магнитного поля в электрический сигнал, выполненный с возможностью функционировать на основе эффекта Холла, дифференциальный селективный усилитель и два генератора, новизна которой заключается в том, что в качестве первичного преобразователя используют преобразователь, содержащий два управляющих полевых затвора, к каждому из которых непосредственно присоединен один из генераторов, причем выход генераторов подключен к входам усилителя.
Для того чтобы избежать чрезмерно высоких требований к параметрам усилителя в качестве генераторов используют генераторы, способные вырабатывать сигналы различной частоты, а в качестве усилителя - усилитель, выполненный с возможностью быть настроенным на частоту, значение которой определено разностью частот обоих генераторов.
Разность рабочих частот генераторов, вообще говоря, не является критичным параметром. Практически удобно, если соответствующие частоты отличаются в 1.5-3 раза.
В качестве первичного преобразователя магнитного поля можно использовать полевой транзистор с расщепленным стоком, сформированный на основе полупроводника (например, Si) и содержащий области истока, канала, двух стоков, подзатворный диэлектрик на поверхности полупроводника над каналом и затвор, расположенный на поверхности подзатворного диэлектрика, причем датчик дополнительно содержит еще один затвор, так что оба затвора расположены на подзатворном диэлектрике друг за другом.
Также в качестве первичного преобразователя магнитного поля можно использовать полевой датчик Холла (Мордкович В.Н. и др. Полевой датчик Холла - новый тип преобразователя магнитного поля. Датчики и системы, 2003, №7, с.33-37), имеющий вертикальную двухзатворную управляющую систему.
Предлагаемая конструкция МЧИС позволяет снизить уровень коммутационных помех и паразитных шумов.
Изобретение поясняется далее более подробно с ссылками на прилагаемые чертежи, на которых изображено:
На фиг 1 приведена принципиальная схема МЧИС по изобретению.
На фиг.2 - схема двухзатворной управляющей полевой системы двухстокового полевого транзистора, А - поперечное сечение. Б - вид сверху.
На фиг.3 - схема двухзатворной управляющей полевой системы полевого датчика Холла (поперечное сечение).
МЧИС содержит первичный преобразователь магнитного поля 1, имеющий два управляющих полевых затвора 2 и 3, два генератора 4 и 5, один из которых присоединен к затвору 2, а другой - к затвору 3, и селективный дифференциальный усилитель 6, на входы которого поступают выходные сигналы генераторов 4 и 5 (фиг.1).
В качестве первичного преобразователя может быть использован полевой транзистор, сформированный на основе полупроводника 7 (например, Si) и содержащий области истока 8, канала 9, стока 10, подзатворный диэлектрик 11 на поверхности полупроводника 7 и два затвора 12 и 13, расположенных друг за другом на поверхности подзатворного диэлектрика 7 над каналом 9 (фиг.2А). При этом область стока 10 расщеплена на две части равного размера (фиг.2Б).
Также в качестве первичного преобразователя может быть использован полевой датчик Холла. Он сформирован в слое Si 14 структуры «кремний на изоляторе», состоящей также из слоя скрытого диэлектрика 15 и кремниевой подложки 16 (фиг.3). На поверхности слоя Si 14 сформирована пленка диэлектрика 17 с расположенным на ней электродом затвора 18. Диэлектрик 17 и затвор 18 образуют первую полевую систему, управляющую величиной и формой тока, протекающего по слою кремния 14. Вторую управляющую полевую систему образуют скрытый диэлектрик 15 и кремниевая подложка 16 с расположенным на ней электродом затвора 19. Генераторы сигналов 2 и 3 подсоединяются к электродам 18 и 19 соответственно.
МЧИС работает следующим образом. Генераторы вырабатывают сигналы определенной частоты, причем значения частот могут как совпадать, так и отличаться друг от друга. Благодаря этому происходит модуляция тока, протекающего через канал первичного преобразователя и, следовательно, выходного сигнала первичного преобразователя, причем частота модуляции определяется частотами генераторов. Наибольший эффект наблюдается при различии рабочих частот генераторов. Дифференциальный селективный усилитель настраивают на частоту модуляции, благодаря чему обеспечивает не только усиление сигнала, но и повышение отношения сигнал/шум. При этом заданная глубина модуляции не превышает 90%, что практически исключает появление коммутационных помех. В результате пороговая чувствительность МЧИС улучшается на порядки величины.
В таблице приведены значения уровня шума МЧИС с использованием полевого датчика Холла в качестве первичного преобразователя магнитного поля, подтверждает преимущества, но не ограничивает использование предлагаемой конструкции МЧИС.
| Таблица | ||
| Частота модуляции тока канала, Гц | Уровень шумов МЧИС (отн. ед.) | |
| Рабочие частоты генераторов совпадают | Рабочие частоты генераторов отличаются в 2 раза | |
| 0 | 30 | - |
| 100 | 3...4 | 0,5...0,8 |
| 1000 | 1...1,2 | 0,15...0,25 |
| 10000 | 0,13...0,16 | 0,02...0,025 |
| Примечание: при ширине полосы пропускания 1 Гц. | ||
Как видно из приведенной таблицы предлагаемая конструкция МЧИС позволяет снизить уровень коммутационных помех и паразитных шумов.
Claims (4)
1. Магниточувствительная интегральная схема, содержащая управляемый электрическим полем первичный преобразователь магнитного поля в электрический сигнал, выполненный с возможностью функционировать на основе эффекта Холла, дифференциальный селективный усилитель и два генератора, отличающаяся тем, что в качестве первичного преобразователя используют преобразователь, содержащий два управляющих полевых затвора, к каждому из которых непосредственно присоединен один из генераторов, причем выход генераторов подключен к входам усилителя.
2. Магниточувствительная интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что в качестве генераторов используют генераторы, способные вырабатывать сигналы различной частоты, а в качестве усилителя - усилитель, выполненный с возможностью быть настроенным на частоту, значение которой определено разностью частот обоих генераторов.
3. Магниточувствительная интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что в качестве первичного преобразователя магнитного поля используют полевой транзистор с расщепленным стоком, сформированный на основе полупроводника (например, кремния) и содержащий области истока, канала, двух стоков, подзатворный диэлектрик на поверхности полупроводника над каналом и затвор, расположенный на поверхности подзатворного диэлектрика, причем датчик дополнительно содержит еще один затвор, так что оба затвора расположены на подзатворном диэлектрике друг за другом.
4. Магниточувствительная интегральная схема по п.1, отличающаяся тем, что в качестве первичного преобразователя магнитного поля используют полевой датчик Холла, имеющий вертикальную двухзатворную управляющую систему.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006136443/28A RU2328014C1 (ru) | 2006-10-17 | 2006-10-17 | Магниточувствительная интегральная схема |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006136443/28A RU2328014C1 (ru) | 2006-10-17 | 2006-10-17 | Магниточувствительная интегральная схема |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2328014C1 true RU2328014C1 (ru) | 2008-06-27 |
Family
ID=39680203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006136443/28A RU2328014C1 (ru) | 2006-10-17 | 2006-10-17 | Магниточувствительная интегральная схема |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2328014C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2465629C1 (ru) * | 2011-04-13 | 2012-10-27 | Виктор Наумович Мордкович | Магниточувствительная интегральная схема |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1532884A1 (ru) * | 1987-07-23 | 1989-12-30 | Предприятие П/Я В-8855 | Преобразователь малых изменений активной проводимости емкостного первичного преобразовател |
| RU2175795C1 (ru) * | 2000-12-25 | 2001-11-10 | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | Полевой транзистор с изолированным затвором |
| WO2006074989A2 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne | Hall sensor and method of operating a hall sensor |
-
2006
- 2006-10-17 RU RU2006136443/28A patent/RU2328014C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1532884A1 (ru) * | 1987-07-23 | 1989-12-30 | Предприятие П/Я В-8855 | Преобразователь малых изменений активной проводимости емкостного первичного преобразовател |
| RU2175795C1 (ru) * | 2000-12-25 | 2001-11-10 | Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет) | Полевой транзистор с изолированным затвором |
| WO2006074989A2 (en) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne | Hall sensor and method of operating a hall sensor |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| МОРДКОВИЧ В.Н. И ДР. ПОЛЕВОЙ ДАТЧИК ХОЛЛА - НОВЫЙ ТИП ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ. ДАТЧИКИ И СИСТЕМЫ, 2003, №7, с.33-37. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2465629C1 (ru) * | 2011-04-13 | 2012-10-27 | Виктор Наумович Мордкович | Магниточувствительная интегральная схема |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8314646B2 (en) | Signal reproducing device | |
| Nibir et al. | Magnetoresistor with planar magnetic concentrator as wideband contactless current sensor for power electronics applications | |
| DE60236662D1 (de) | Inertialsensorvorrichtung mit einer vielzahl von ausgängen | |
| JPWO2007116823A1 (ja) | ホール素子及び磁気センサ | |
| Heidari et al. | A current-mode CMOS integrated microsystem for current spinning magnetic hall sensors | |
| RU2328014C1 (ru) | Магниточувствительная интегральная схема | |
| US6972619B2 (en) | Amplifier with a gain proportional to power source voltage | |
| Demierre et al. | Reference magnetic actuator for self-calibration of a very small Hall sensor array | |
| WO2000020822A3 (en) | High linearity, low offset interface for hall effect devices | |
| DE50011887D1 (de) | Integrierter Schaltkreis zur Erzeugung eines Ansteuersignals für einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) | |
| RU209743U1 (ru) | Магнитоэлектрический полевой транзистор | |
| US5757055A (en) | Triple drain magneto field effect transistor with high conductivity central drain | |
| Wang et al. | A low-noise interface circuit for MEMS cochlea-mimicking acoustic sensors | |
| RU2401991C2 (ru) | Способ измерения скорости течения среды | |
| Jainwal et al. | Analysis and validation of low-frequency noise reduction in MOSFET circuits using variable duty cycle switched biasing | |
| SI9600141B (sl) | Integriran kapacitivni merilnik nanometrijskih razdalj | |
| RU2465629C1 (ru) | Магниточувствительная интегральная схема | |
| US12531570B2 (en) | Circuit arrangement comprising a MOS sensor, in particular TMOS sensor, and a corresponding method for operating the circuit arrangement | |
| Li et al. | Weak magnetic field pattern detection by CMOS magnetic latch | |
| JPS58155761A (ja) | ホ−ル効果半導体集積回路 | |
| CN115314015B (zh) | 一种混沌功率放大器及混沌spwm信号产生方法 | |
| JP3836104B2 (ja) | 利得が電源電圧に比例する増幅器 | |
| JPS6329975A (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
| Leonov et al. | Sensors with SOI FET Primary Transducers and Frequency Output | |
| Kawahito et al. | An integrated MOS magnetic sensor with chopper-stabilized amplifier |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20081018 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20110420 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20131018 |