RU2375785C1 - Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии - Google Patents
Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии Download PDFInfo
- Publication number
- RU2375785C1 RU2375785C1 RU2008128338/28A RU2008128338A RU2375785C1 RU 2375785 C1 RU2375785 C1 RU 2375785C1 RU 2008128338/28 A RU2008128338/28 A RU 2008128338/28A RU 2008128338 A RU2008128338 A RU 2008128338A RU 2375785 C1 RU2375785 C1 RU 2375785C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tungsten
- silicon
- film
- making
- metal structure
- Prior art date
Links
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 46
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims abstract description 8
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 2
- 229910009052 W5Si3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- 230000010718 Oxidation Activity Effects 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HXBCHXQSHJCYFO-UHFFFAOYSA-N [Si].[Si].[Si].[W].[W].[W].[W].[W] Chemical compound [Si].[Si].[Si].[W].[W].[W].[W].[W] HXBCHXQSHJCYFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005475 siliconizing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных схем, при формировании электродов в транзисторах и обкладок конденсаторов, при формировании контактов и проводящих областей на поверхности кремния, в качестве проводящих, термостабильных и барьерных слоев в системах металлизации. Сущность изобретения: способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии включает создание на подложке из кремния нанометрового подслоя адгезионного промотера и последующее нанесение тонкой пленки вольфрама методом газофазного химического осаждения по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом при пониженном давлении. В качестве адгезионного промотера используют силицид вольфрама W5Si3. Изобретение позволяет улучшить качество получаемой металлической структуры вольфрама на кремнии с одновременным упрощением технологического процесса. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных схем (ИС): при формировании электродов в транзисторах и обкладок конденсаторов, при формировании контактов и проводящих областей на поверхности кремния, в качестве проводящих, термостабильных и барьерных слоев в системах металлизации. Газофазное химическое осаждение (CVD) вольфрама - основной процесс многоуровневой межконтактной металлизации вследствие хорошей конформности покрытий.
Известен способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии, включающий нанесение тонкой пленки вольфрама на кремний CVD-методом по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом в реакторе пониженного давления с активацией водорода [Маликов И.В., Плющева С.В., Шаповал С.Ю. «Газофазное осаждение тонких пленок вольфрама с применением ВЧ-активации», Высокочистые вещества, 1991, №4, с.177-182].
Однако при всех положительных свойствах вольфрамовой металлизации (вольфрам не подвержен электромиграции, устойчив к термическим воздействиям, отличается высокой термостабильностью, низкой активностью окисления, хорошей проводимостью и др.) пленки вольфрама имеют низкую структурную целостность и часто отслаиваются из-за плохой адгезии вольфрама к кремнию, что затрудняет их практическое использование в технологии ИС.
Известен способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии, принятый за прототип [Handbook of semiconductor manufacturing technology/ ed. Y.Nishi, R.Doering, Marcell Dekker Inc., N.Y., USA, 2000, p.342-345]. Способ включает нанесение тонкой пленки вольфрама методом газофазного химического осаждения по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом в реакторе пониженного давления с активацией водорода на подложку из кремния, покрытую нанометровым подслоем адгезионного промотера. В качестве промотера использовали нитрид титана толщиной 30-50 нм для улучшения адгезии пленки вольфрама к кремнию. Нанесение пленки нитрида титана (TiN) - самостоятельный процесс, который входит как дополнительная стадия в общую технологическую схему и требует дорогостоящего оборудования. Для получения пленок TiN применяют процессы реактивного магнетронного распыления либо с коллимацией, либо с ионизацией распыленных частиц.
Однако качество получаемых структур не всегда отвечает требованиям современной техники. Формирование подслоя TiN связано с использованием дополнительных реагентов, что нежелательно в технологии ИС, так как любой реагент - потенциальный источник загрязнений и непредсказуемый источник помех. Помимо TiN, на стадии зародышеобразования дополнительно вводят силан (SiH4), что еще более усложняет технологический процесс.
Представленное изобретение решает задачу улучшения качества получаемой металлической структуры вольфрама на кремнии с одновременным упрощением технологического процесса.
Технический эффект при этом заключается в получении целостностных и стабильных гетероструктур благодаря формированию нанометрового подслоя силицида вольфрама (W5Si3) высокой плотности. Кроме того, происходит упрощение технологического процесса за счет совмещения в одном процессе стадий получения подслоя промотера и пленки вольфрама.
Поставленная задача достигается способом изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии, включающим создание нанометрового подслоя адгезионного промотера с последующим нанесением тонкой пленки вольфрама методом газофазного химического осаждения по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом на подложку из кремния при пониженном давлении. Новизна способа заключается в том, что в качестве адгезионного промотера используют силицид вольфрама W5Si3.
Силицид W5Si3 имеет структурное соответствие как к вольфраму, так и к кремнию, отличается высоким совершенством границы раздела пленка-подложка, что делает его хорошим адгезионным промотером вольфрама к кремнию. Кроме того, плотная структура силицида W5Si3 препятствует образованию других силицидов с более высоким содержанием кремния и более низкой проводимостью.
Подслой силицида вольфрама W5Si3 может быть получен любыми способами.
Наиболее технологично создание подслоя силицида вольфрама проводить обработкой кремниевой подложки перед нанесением пленки вольфрама парами гексафторида вольфрама в том же реакторе при температуре 100-200°С в течение 10-20 минут. В этих условиях образуется тонкий поверхностный слой активного кремния и благоприятное соотношение вольфрама к кремнию приводит к формированию стабильной плотной силицидной пленки постоянного состава W5Si3, которая является диффузионным барьером, как для гексафторида вольфрама, так и для кремния, что и приводит к прекращению реакции силицирования. В результате создается самоограниченный слой силицида W5Si3 толщиной ~20 нм с высокой проводимостью, который обеспечивает хорошую адгезию вольфрама.
Оптимальный вариант CVD-процесса - газофазное осаждение вольфрама по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом с использованием ВЧ-активированного водорода при температурах от 200°С и более.
Использование ВЧ-активированного водорода в процессе газофазного химического осаждения позволяет снижать температуру процесса до комнатной. Снижение температуры важное условие при формировании контактов к полупроводниковым слоям, особенно при переходе на наноуровни. Однако при таких условиях качественные пленки могут быть получены только при температурах более 200°С.
По предложенной технологии получены тонкие пленки вольфрама толщиной порядка 100 нм и удельным сопротивлением 8×10-6 Ом×см, близким к сопротивлению объемного металла.
На чертеже представлен общий вид установки для изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии.
Установка состоит из следующих основных частей: кварцевый реактор 1, печь сопротивления 2 с контролируемым нагревом и точным поддержанием температуры с помощью ВРТ, кремниевые пластины 3, система вакуумирования 4, включающая азотные ловушки, форвакуумный насос и насос типа "Ruts" с приборами контроля вакуума «ВТ-2А» и «ВДГ-1», источник гексафторида вольфрама 5 с вентилем точной регулировки и датчиком давления, система подачи и очистки водорода 6 с установкой «Палладий 0,5» для очистки водорода за счет фильтрации через палладиевые фильтры, индуктор ВЧ-генератора 7 с частотой 13,56 МГц и мощностью до 500 Вт для возбуждения плазмы, датчик давления 8 для контроля давления парогазовой смеси в реакторе, система загрузки 9.
В качестве источника вольфрама использовали чистый гексафторид вольфрама, соответствующий ТУ 6-02-18-137-87.
В качестве подложек использовали пластины высокоомного кремния с ориентацией <100>.
Предварительно подложку из кремния обрабатывали парами гексафторида вольфрама в течение 10-20 минут при температуре 100-200°С.
Осаждения вольфрама проводили при пониженном давлении, варьируя температуру от 200 до 500°С в зависимости от типа CVD-процесса. В обычном режиме CVD-процесс протекает при температурах выше 350°С. Для снижения температуры осаждения пленок вольфрама использовали активацию водорода, что позволяет получать качественные пленки при температурах более 200°С.
Более высокие температуры процесса нежелательны в технологии формирования интегральных схем, так как приводят к дополнительным плохо контролируемым источникам структурных нарушений
Измерение толщины пленок проводили на профилометре Talystep. Электросопротивление пленок измеряли четырехзондовым контактным методом.
Изучение химических взаимодействий поверхностных слоев подложки кремния с пленкой вольфрама проводили методом тонкопленочной рентгеновской дифрактометрии.
Состояние поверхности образца контролировали с помощью атомно-силовой микроскопии (атомно-силовой микроскоп АСМ Р-04).
К тому же визуально контролировали наличие видимых дефектов и нарушение целостности покрытия.
Приведенные примеры подтверждают, но не ограничивают предлагаемое изобретение.
Пример 1.
Получение тонких пленок вольфрама восстановлением его гексафторида водородом проводили в установке, представленной на чертеже.
В кварцевый реактор (1) помещали пьедестал с кремниевыми пластинами (3) площадью 1.5×1.5 см2. Максимальное количество одновременно обрабатываемых кремниевых пластин 10 штук. С помощью системы вакуумирования (4) доводили давление до 0.13 Па. Открывали вентиль подачи WF6 (5) и создавали давление в реакторе 10 Па. Перед проведением CVD-процесса до начала осаждения вольфрамовой пленки кремниевую подложку обрабатывали парами гексафторида вольфрама, подаваемого из системы (5) в течение 15 минут при температуре 200°С, поддерживаемой высокоточным регулятором температуры (2). При этом образуется активный слой кремния. Что и приводит к образованию силицида вольфрама W5Si3 высокой плотности (14.523 г/см3). Этот силицид является барьером для дальнейшего проникновения гексафторида вольфрама, и реакция силицирования прекращается и образуется самоограниченный подслой силицида W5Si3 толщиной ~20 нм.
Далее проводили газофазное осаждение пленки вольфрама. В реактор (1) из системы (6) подавали водород, который проходил очистку через палладиевые фильтры. Общее давление в реакторе доводили до 53.2 Па. Температура проведения процесса составила 400°С. Длительность процесса осаждения определялась требуемой толщиной наращиваемой пленки вольфрама.
Удельное сопротивление полученных пленок вольфрама толщиной 150 нм более приближалось к сопротивлению объемного металла и составляло 8×10-6 Ом·см.
Визуальный контроль с помощью микроскопа показал отсутствие нарушения целостности покрытия и видимых дефектов.
Атомно-микроскопические измерения показали равномерность покрытия по всей поверхности подложки. Пленка сплошная, а средняя шероховатость при толщине пленки 100 нм была на уровне 8-12 нм.
Пример 2. То же, что в примере 1, только газофазное осаждение вольфрама по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом проводили с использованием ВЧ-активированного водорода. При этом температура газофазного осаждения вольфрама составляла 100°С.
Полученные пленки вольфрама при той же толщине покрытия (150 нм)имели более высокое удельное сопротивление 62×10-6 Ом·см, что делает их непригодными для решения поставленной задачи.
Пример 3. То же, что в примере 2, только газофазное осаждение вольфрама по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом с использованием ВЧ-активированного водорода проводили при температуре 200°С.
Удельное сопротивление полученных пленок вольфрама толщиной 150 нм приближалось к сопротивлению объемного металла и снизилось до величины 11×10-6 Ом·см.
Визуальный контроль с помощью микроскопа показал отсутствие нарушения целостности покрытия и видимых дефектов.
Атомно-микроскопические измерения показали равномерность покрытия по всей поверхности подложки, средняя шероховатость при толщине пленки 150 нм была на уровне 8-12 нм.
Таким образом, использование ВЧ-активированного водорода позволило снизить температуру CVD-процесса на 200°С.
Как следует из сказанного выше, предлагаемое изобретение позволяет создавать нанометровый подслой адгезионного промотера силицида вольфрама состава W5Si3 высокой плотности 14.523 г/см3, в то время как плотность адгезионного промотера в прототипе TiN 5.44 г/см3. Что, в свою очередь, позволяет получать тонкопленочную стабильную металлическую структуру вольфрама на кремнии с высокой проводимостью, хорошей адгезией и структурной целостностью, хорошей отражательной способностью и термостабильностью. Удельное сопротивление полученных тонких пленок вольфрама приблизилось к сопротивлению объемного металла (5,5×10-6 Ом·см) и составляло 8×10-6 Ом·см.
Claims (3)
1. Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии, включающий создание нанометрового подслоя адгезионного промотера с последующим нанесением тонкой пленки вольфрама методом газофазного химического осаждения по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом на подложку из кремния при пониженном давлении, отличающийся тем, что в качестве адгезионного промотера используют силицид вольфрама W5Si3.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для создания подслоя силицида вольфрама перед нанесением пленки вольфрама кремниевую подложку обрабатывают парами гексафторида вольфрама в том же реакторе при температуре 100-200°С в течение 10-20 мин.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что газофазное химическое осаждение проводят с активацией водорода при температуре более 200°С.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008128338/28A RU2375785C1 (ru) | 2008-07-14 | 2008-07-14 | Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008128338/28A RU2375785C1 (ru) | 2008-07-14 | 2008-07-14 | Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2375785C1 true RU2375785C1 (ru) | 2009-12-10 |
Family
ID=41489749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008128338/28A RU2375785C1 (ru) | 2008-07-14 | 2008-07-14 | Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2375785C1 (ru) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2610055C1 (ru) * | 2015-11-30 | 2017-02-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВО Чеченский государственный университет) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2629190C2 (ru) * | 2015-09-07 | 2017-08-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Электрохимический способ получения порошка силицида вольфрама |
| RU2672675C2 (ru) * | 2013-10-16 | 2018-11-19 | Сучжоу Ханс Энерджи Сторидж Текнолоджи Ко., Лтд. | Материал на вольфрамовой основе, супераккумулятор и суперконденсатор |
| RU2757177C1 (ru) * | 2021-02-15 | 2021-10-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама |
| RU2767482C1 (ru) * | 2021-06-17 | 2022-03-17 | Общество с ограниченной ответственностью "Пилингтон Гласс" | Способ изготовления химически и термически стабильной металлической поглощающей структуры вольфрама на силикатной подложке |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1823712A1 (ru) * | 1991-06-22 | 1996-04-27 | Научно-производственное объединение "Интеграл" | Парогазовая смесь для осаждения вольфрама на кремний |
| US5997950A (en) * | 1992-12-22 | 1999-12-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate having uniform tungsten silicide film and method of manufacture |
| WO2007004443A1 (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Tokyo Electron Limited | タングステン膜形成方法，成膜装置，記憶媒体及び半導体装置 |
-
2008
- 2008-07-14 RU RU2008128338/28A patent/RU2375785C1/ru active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1823712A1 (ru) * | 1991-06-22 | 1996-04-27 | Научно-производственное объединение "Интеграл" | Парогазовая смесь для осаждения вольфрама на кремний |
| US5997950A (en) * | 1992-12-22 | 1999-12-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate having uniform tungsten silicide film and method of manufacture |
| WO2007004443A1 (ja) * | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Tokyo Electron Limited | タングステン膜形成方法，成膜装置，記憶媒体及び半導体装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Handbook of semiconductor manufacturing technology. Y.Nishi, R.Doering, Marcell Dekker Inc., N.Y., USA, 2000, p.342-345. Маликов И.В. и др. Газофазное осаждение тонких пленок вольфрама с применением ВЧ-активации», Высокочистые вещества, 1991, №4, с.177-182. * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2672675C2 (ru) * | 2013-10-16 | 2018-11-19 | Сучжоу Ханс Энерджи Сторидж Текнолоджи Ко., Лтд. | Материал на вольфрамовой основе, супераккумулятор и суперконденсатор |
| RU2629190C2 (ru) * | 2015-09-07 | 2017-08-25 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Электрохимический способ получения порошка силицида вольфрама |
| RU2610055C1 (ru) * | 2015-11-30 | 2017-02-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВО Чеченский государственный университет) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| RU2757177C1 (ru) * | 2021-02-15 | 2021-10-11 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" | Способ изготовления силицидных контактов из вольфрама |
| RU2767482C1 (ru) * | 2021-06-17 | 2022-03-17 | Общество с ограниченной ответственностью "Пилингтон Гласс" | Способ изготовления химически и термически стабильной металлической поглощающей структуры вольфрама на силикатной подложке |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0174543B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 상에 텅스텐 층을 증착시키는 방법 | |
| US7074719B2 (en) | ALD deposition of ruthenium | |
| Kim | The application of atomic layer deposition for metallization of 65 nm and beyond | |
| US5780360A (en) | Purge in silicide deposition processes dichlorosilane | |
| Ha et al. | Influence of oxidant source on the property of atomic layer deposited Al2O3 on hydrogen-terminated Si substrate | |
| KR20010078215A (ko) | Ｃｖｄ법에 의해 형성된 티타늄 나이트라이드 막의플라즈마 처리 | |
| RU2375785C1 (ru) | Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии | |
| US5672385A (en) | Titanium nitride film-MOCVD method incorporating use of tetrakisdialkylaminotitanium as a source gas | |
| CN104955978A (zh) | 用于在基材上制备单一介电层和/或阻挡层或多层的方法以及用于实施所述方法的装置 | |
| Kim et al. | Comparison study for TiN films deposited from different method: chemical vapor deposition and atomic layer deposition | |
| Yang et al. | Low-resistivity α-phase tungsten films grown by hot-wire assisted atomic layer deposition in high-aspect-ratio structures | |
| US20050250341A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| KR0179797B1 (ko) | 바이어스 전압이 인가된 Cu 박막 형성방법 | |
| JPH06283453A (ja) | 半導体装置製造方法 | |
| Chang et al. | Nitridation of fine grain chemical vapor deposited tungsten film as diffusion barrier for aluminum metallization | |
| TW202321508A (zh) | 沉積氮化硼膜之循環沉積方法以及包含氮化硼膜的結構 | |
| KR100200911B1 (ko) | 초고밀도 집적회로를 위한 도전층 및 구조를 만드는 방법 및 그 방법을 실행하기 위한 장치 | |
| Sari et al. | Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of Ruthenium Thin Films Using Isopropylmethylbenzene-Cyclohexadiene-Ruthenium and NH3 Plasma | |
| Majumder et al. | Thermal stability of Ti/Mo and Ti/MoN nanostructures for barrier applications in Cuinterconnects | |
| Shi et al. | Plasma enhanced atomic layer deposited platinum thin film on Si substrate with TMA pretreatment | |
| Liu et al. | Effects of amino-terminated self-assembled monolayers on nucleation and growth of chemical vapor-deposited copper films | |
| CN120457240A (zh) | 含SiC膜及其制造方法 | |
| JP3194256B2 (ja) | 膜成長方法と膜成長装置 | |
| WO1999053114A1 (en) | Continuous process for sputtering tantalum nitride films | |
| JP4640281B2 (ja) | バリヤメタル層及びその形成方法 |