RU2160795C1 - Способ получения высокочистых веществ - Google Patents
Способ получения высокочистых веществ Download PDFInfo
- Publication number
- RU2160795C1 RU2160795C1 RU99114932/12A RU99114932A RU2160795C1 RU 2160795 C1 RU2160795 C1 RU 2160795C1 RU 99114932/12 A RU99114932/12 A RU 99114932/12A RU 99114932 A RU99114932 A RU 99114932A RU 2160795 C1 RU2160795 C1 RU 2160795C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystallization
- synthesis
- substances
- supersaturation
- solubility
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 12
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 12
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 12
- 239000005383 fluoride glass Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 9
- -1 for example Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 4
- GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M thallium monochloride Chemical compound [Tl]Cl GBECUEIQVRDUKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical class Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017555 NdF Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004455 differential thermal analysis Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000005386 fluorozirconate glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000002631 hypothermal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Используется для синтеза широкого класса высокочастотных материалов, применяемых в лазерной и инфракрасной технике, а также в волоконной оптике и спецтехнике. Способ включает растворение исходного вещества в растворителе, создание пересыщения раствора и кристаллизацию. Растворимость исходных веществ составляет 1,5 - 3,0 г/дм3 при температурах 80 - 100oC, степень пересыщения 0,5 - 2,0 г/дм3 и переохлаждения 10 - 30oC. Отношение констант скоростей кристаллизации компонентов, входящих в состав кристаллизуемых соединений, не выше 15, а периоды индукции не более 1 мин. Разработан базовый экологически чистый, замкнутый, высокоэкономичный и практически безотходный способ, в котором процессы синтеза многокомпонентных соединений и их очистка совмещены. За один цикл термозонной кристаллизацией - синтезом (ТЗКС) очистка от примесей достигается до трех порядков и более.
Description
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно синтезу широкого класса высокочистых материалов, применяемых в лазерной и инфракрасной технике, а также в волоконной оптике и спецтехнике.
Свойства высокочистых веществ зависят от содержания примесей в них. Кроме того, при синтезе многокомпонентных веществ, например кристаллов на основе твердых растворов галогенидов металлов, либо многокомпонентных фторидных стекол обязательным условием для достижения требуемых оптических и механических свойств является гомогенность и однофазность их состава.
Известны комплексные подходы к технологиям получения особо чистых веществ [1] , которые включают информационное, технологическое и аппаратурное оформление. К недостаткам такой производственной схемы относится аппаратурно-машинное обеспечение и электронно-вакуумная гигиена производства.
Известно также вероятностное описание процессов очистки и примесного состава, высокочистых веществ [2]. Однако авторы отмечают, что эти модели не объединены в общий проект процесса очистки и описывают поведение только части примесей.
Наиболее близким техническим решением является способ очистки веществ, включающий процессы растворения и кристаллизации из растворов [3]. Но способ не применим к малорастворимым веществам, какими являются галогениды серебра, одновалентных таллия и меди, фториды редких и редкоземельных элементов. Кроме того, этим способом невозможно получать высокочистые однофазные многокомпонентные вещества, такие как твердые растворы на основе галогенидов металлов, многокомпонентные фторированные стекла и другие соединения.
Целью изобретения является разработка базового экологически чистого, безотходного, замкнутого и высоко производительного способа, в котором операции очистки и синтеза гомогенных однофазных многокомпонентных веществ совмещены.
Поставленная цель достигается тем, что получение высокочистых индивидуальных веществ и однофазных многокомпонентных соединений проводят из растворов, где растворимость исходного вещества составляет 1,5-3,0 г/дм3 при температурах 80-100oC, а кристаллизацию осуществляют при переохлаждении в 10-30oC и степени пересыщения раствора от 0,5 до 2,0 г/дм3, при этом отношение констант скоростей кристаллизации компонентов, входящих в состав кристаллизуемых соединений, не должно превышать 15, а время индукционных периодов при кристаллизации веществ - 1 минуты.
Сущность изобретения состоит в том, что разработан базовый способ, названный нами термозонной кристаллизацией-синтезом (ТЗКС) [4], применимый для широкого класса соединенный как малорастворимых типа AgF, TlF, CuF, фторидов редких и редкоземельных элементов, так и хорошо растворимых веществ типа AgNO3.
Главное в способе ТЗКС - это совмещение процессов очистки и синтеза из водных сред либо индивидуальных галогенидов металлов, либо их твердых растворов или многокомпонентных фторидных стекол. Эффективность очистки за один цикл ТЗКС достигается до трех порядков и более в зависимости от содержания и рода примесей в исходном веществе. Высокий эффект очистки происходит за счет того, что концентрация пересыщения относительно равновесной составляет от 0,5 до 2,0 г/дм3 при растворении исходного вещества 1,5-3,0 г/дм3, по сравнению с прототипом 200 г/дм3 и более [3]. Поэтому процесс ТЗКС осуществляется вблизи равновесных условий и формируются кристаллы с совершенной кристаллической решеткой, имеющие дендритную форму. При простом осаждении солей, ввиду больших пересыщений, кристаллы (стекла) формируются быстро и, естественно, обладают дефектами кристаллической решетки, в которые легко внедряются примеси.
Должны быть выдержаны и температурные режимы: температура растворения исходного вещества 80-100oC, а температура кристаллизации (синтеза) на 10-30oC ниже (степень переохлаждения). Особенно это условие необходимо для получения многокомпонентных однофазных соединений заданного состава. В указанных температурных режимах отношение констант скоростей кристаллизации компонентов, входящих в состав твердых растворов галогенидов металлов либо фторидных стекол, не должно превышать пятнадцати, а время индукционных периодов при кристаллизации веществ -одной минуты. Соблюдая эти условия, получают высокочистые вещества требуемого состава.
При растворении исходных веществ выше 100oC раствор кипит, происходит взмучивание в объеме кристаллизатора исходных веществ и соосаждение их с чистым продуктом. Если растворять ниже температуры 80oC, а кристаллизацию проводить при перепаде температур менее чем в 10oC, процесс удлиняется, т.к. степень пересыщения становится менее 0,5 г/дм3 (пример 4). В случае проведения процесса кристаллизации при перепаде температур более 30oC происходит, во-первых, увеличение степени пересыщения более 2,0 г/дм3, во-вторых, отношение констант скоростей кристаллизации компонентов, входящих в состав твердых растворов или многокомпонентных стекол, становится более пятнадцати, а время индукционных периодов выше одной минуты, что приводит к значительным отклонениям от состава кристаллов либо стекол (пример 5).
Пример 1
В кристаллизатор загружают исходные вещества, которыми могут быть индивидуальные галогениды металлов, такие как AgCl, AgBr, TlCl, CuCl, CuBr или их твердые растворы; KPC-13 (AgClNBr1-N); KPC-5 (TlBrNJ1-N); KPC-6 (TlClNBr1-N), а в качестве растворителя и среды для кристаллизации высокочистых веществ используют соляную кислоту либо смесь соляной и бромистоводородной кислот, где растворимость исходного вещества составляет 3 г/дм3 при температуре 100oC, а кристаллизацию проводят при 70oC (перепад температур в 30oC и растворимости 1,0 г/дм3 (степень пересыщения 2,0 г/дм3).
В кристаллизатор загружают исходные вещества, которыми могут быть индивидуальные галогениды металлов, такие как AgCl, AgBr, TlCl, CuCl, CuBr или их твердые растворы; KPC-13 (AgClNBr1-N); KPC-5 (TlBrNJ1-N); KPC-6 (TlClNBr1-N), а в качестве растворителя и среды для кристаллизации высокочистых веществ используют соляную кислоту либо смесь соляной и бромистоводородной кислот, где растворимость исходного вещества составляет 3 г/дм3 при температуре 100oC, а кристаллизацию проводят при 70oC (перепад температур в 30oC и растворимости 1,0 г/дм3 (степень пересыщения 2,0 г/дм3).
В случае получения высокочистых индивидуальных фторидов металлов (ZrF4, HfF4, NdF3, LaF3 и т.д.) или многокомпонентных фторидных стекол, таких как ZrF4(HfF4)-BaF2-AlF3-LaF3 и других, в качестве среды для растворения исходного вещества и кристаллизации конечного продукта используют смесь соляной кислоты и фторида аммония при тех же температурных режимах, растворимости и степени пересыщения.
При указанных режимах система твердых растворов на основе галогенидов серебра и одновалентного таллия, многокомпонентных фторидных стекол, отношение констант скоростей кристаллизации компонентов, входящих в состав этих соединений, равно двенадцати при времени индукционного периода в 20 секунд.
Получены индивидуальные галогениды серебра, одновалентного таллия и их твердые растворы чистотой 99,99999 мас.%, а галогениды меди, фториды редких, редкоземельных элементов и фторидные стекла чистотой 99,9999 мас.%. Однофазность твердых растворов и фторидных стекол подтверждена рентгенофазовым и дифференциальнотермическим анализами.
Пример 2
В кристаллизатор загружают исходные вещества и растворители, как в примере 1, и растворяют их при температуре 80oC (растворимость 1,5 г/дм3). Кристаллизацию проводят при температуре 60oC (растворимость 0,65 г/дм3). Перепад температур составляет 20oC, степень пересыщения 0,85 г/дм3, отношение констант скоростей кристаллизации пятнадцать и время индукционных периодов одна минута.
В кристаллизатор загружают исходные вещества и растворители, как в примере 1, и растворяют их при температуре 80oC (растворимость 1,5 г/дм3). Кристаллизацию проводят при температуре 60oC (растворимость 0,65 г/дм3). Перепад температур составляет 20oC, степень пересыщения 0,85 г/дм3, отношение констант скоростей кристаллизации пятнадцать и время индукционных периодов одна минута.
Получены методом ТЗКС AgCl, AgBr, KPC-13, TlCl, TlBr, KPC-6, KPC-6 чистотой 99,99999 мас.%, а CuCl, CuBr, LaF3, NdF3, ZrF4, HfF4 и фторидные стекла чистотой 99,9999 мас. %. Твердые растворы галогенидов металлов имеют одну фазу, а стекла ZrF4(HfF4)-BaF2-LaF3-AlF3 - единую решетку с параметрами ячейки, близкими к BaZr2F10, что подтверждено рентгенофазовым и дифференциально-термическим анализами.
Пример 3
Получены однофазные, гомогенные высокочистые вещества, как в примерах 1 и 2, при следующих режимах синтеза: температура растворения исходных веществ 90oC, растворимость 2,0 г/дм3, температура кристаллизации 80oC, растворимость 1,5 г/дм3, степень пересыщения 0,5 г/дм3, перепад температур 10oC, отношение констант скоростей кристаллизации равно 5 при времени индукционного периода в 30 секунд.
Получены однофазные, гомогенные высокочистые вещества, как в примерах 1 и 2, при следующих режимах синтеза: температура растворения исходных веществ 90oC, растворимость 2,0 г/дм3, температура кристаллизации 80oC, растворимость 1,5 г/дм3, степень пересыщения 0,5 г/дм3, перепад температур 10oC, отношение констант скоростей кристаллизации равно 5 при времени индукционного периода в 30 секунд.
Пример 4
Исходные вещества и растворители используют те же, что и в примерах 1-3, но процесс проводят при температуре растворения 70oC (растворимость 1 г/дм3), кристаллизацию при 65oC (растворимость 0,8 г/дм3). Перепад температур составляет 5oC, степень пересыщения 0,2 г/дм3, отношение констант скоростей кристаллизации 13 и время индукционного периода 50 секунд.
Исходные вещества и растворители используют те же, что и в примерах 1-3, но процесс проводят при температуре растворения 70oC (растворимость 1 г/дм3), кристаллизацию при 65oC (растворимость 0,8 г/дм3). Перепад температур составляет 5oC, степень пересыщения 0,2 г/дм3, отношение констант скоростей кристаллизации 13 и время индукционного периода 50 секунд.
Получены высокочистые однофазные вещества, как в примерах 1-3, но при таких режимах процесс удлиняется в 2,5 раза.
Пример 5
Режимы синтеза галогенидов металлов и фторидных стекол следующие: температура растворения 100oC, растворимость 3 г/дм3, температура кристаллизации 50oC, растворимость 0,6 г/дм3, перепад температур 50oC, степень пересыщения 2,4 г/дм3, отношение констант скоростей кристаллизации - 21, время индукционных периодов 2 минуты. Получены твердые растворы галогенидов серебра и таллия, фторидные стекла с отклонением от заданного состава в 20 и 30%.
Режимы синтеза галогенидов металлов и фторидных стекол следующие: температура растворения 100oC, растворимость 3 г/дм3, температура кристаллизации 50oC, растворимость 0,6 г/дм3, перепад температур 50oC, степень пересыщения 2,4 г/дм3, отношение констант скоростей кристаллизации - 21, время индукционных периодов 2 минуты. Получены твердые растворы галогенидов серебра и таллия, фторидные стекла с отклонением от заданного состава в 20 и 30%.
Таким образом, способ ТЗКС является базовым, т.к. применим практически для любых соединений. Причем для управления процессом необходимо знать термодинамические характеристики - величину растворимости (1,5-3 г/дм3), степень пересыщения (0,5-2,0 г/дм3) и переохлаждения (10-30oC) и кинетические характеристики - скорости растворения и кристаллизации и их отношение (не выше 15), периоды индукции (не более 1 минуты).
Разработанные технологии являются высокоэкономичными, экологически чистыми и практически безотходными, т.к. процесс ведется до растворения на 95-97% от веса загружаемого в кристаллизатор вещества. Причем операции синтеза однофазных твердых растворов, например KPC-13 (AgClNBr1-N), KPC-5 (TlBrNJ1-N), KPC-6 (TlClNBr1-N), фторцирконатных стекол (ZrF4-BaF4-LaF3-AlF3), и других соединений и их очистка совмещены. Выход сырья повышен в 3-5 раз, а процесс сокращен в 12-15 раз по технологическому времени и затратам в сравнении с кристаллизационными методами очистки и синтеза из расплава, которые обычно применяются к малорастворимым галогенидам металлов.
Способ ТЗКС является замкнутым процессом, т.к. потери в виде остатка исходного сырья вновь возвращаются в производстве без переработки, промводы расходуются на приготовление среды в промышленных установках, а маточный раствор после процесса ТЗКС используется для растворения накопившихся отходов от производства галогенидов металлов.
Литература
1. О.Н. Калашник, Ю.Н. Гаврилюк. Комплексный подход к технологии веществ особой чистоты. Тезисы VIII Всесоюзной конференции по методам получения и анализа высокочистых веществ, Горький, 1988, ч. 2, с. 5.
1. О.Н. Калашник, Ю.Н. Гаврилюк. Комплексный подход к технологии веществ особой чистоты. Тезисы VIII Всесоюзной конференции по методам получения и анализа высокочистых веществ, Горький, 1988, ч. 2, с. 5.
2. Г.Г. Девятых, В.М. Степанов, С.В. Яньков. Вероятное описание процессов очистки и примесного состава высокочистых веществ. Тезисы VIII Всесоюзной конференции по методам получения и анализа высокочистых веществ, Горький, 1988, ч. 1, с. 3.
3. Дж. Перри. Справочник инженера-химика. Том. 1. Изд. "Химия", Ленинградское отделение, 1969, с. 583-598.
4. Л. В. Жукова, В. В. Жуков, Г.А. Китаев. Производство кристаллов и световодов галогенидов серебра. Прикладная оптика 98, Санкт-Петербург, 1998, с. 20.5
Claims (1)
- Способ получения высокочистых веществ, включающий процессы растворения и кристаллизации из раствора, отличающийся тем, что растворение осуществляют в растворах с растворимостью исходного вещества 1,5 - 3,0 г/дм3 при температурах 80 - 100oC, а кристаллизацию проводят при перепаде температур в 10 - 30oC и степени пересыщения раствора от 0,5 до 2,0 г/дм3, причем отношение констант скоростей кристаллизации компонентов, входящих в состав кристаллизуемых соединений, должно не превышать пятнадцати, а время индукционных периодов при кристаллизации веществ - 1 мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99114932/12A RU2160795C1 (ru) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | Способ получения высокочистых веществ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU99114932/12A RU2160795C1 (ru) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | Способ получения высокочистых веществ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2160795C1 true RU2160795C1 (ru) | 2000-12-20 |
Family
ID=20222468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU99114932/12A RU2160795C1 (ru) | 1999-07-07 | 1999-07-07 | Способ получения высокочистых веществ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2160795C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115315297A (zh) * | 2020-07-13 | 2022-11-08 | 日本碍子株式会社 | 精制方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1641898A1 (ru) * | 1989-03-15 | 1991-04-15 | Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова | Способ получени кристаллов оксидно-галогенного соединени теллура |
| SU1656013A1 (ru) * | 1989-07-31 | 1991-06-15 | Физико-Технический Институт Им.С.У.Умарова | Способ получени кристаллического моноиодида меди |
-
1999
- 1999-07-07 RU RU99114932/12A patent/RU2160795C1/ru active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1641898A1 (ru) * | 1989-03-15 | 1991-04-15 | Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова | Способ получени кристаллов оксидно-галогенного соединени теллура |
| SU1656013A1 (ru) * | 1989-07-31 | 1991-06-15 | Физико-Технический Институт Им.С.У.Умарова | Способ получени кристаллического моноиодида меди |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ПЕРРИ Дж. Справочник инженера-химика, т. 1. - Л.: Химия, 1969, с.583-598. Процессы роста и выращивания монокристаллов. / Под ред. И.И.ШЕФТАЛЯ. М.: изд-во Иностранной литературы, 1963, с.122-124. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115315297A (zh) * | 2020-07-13 | 2022-11-08 | 日本碍子株式会社 | 精制方法 |
| CN115315297B (zh) * | 2020-07-13 | 2024-06-04 | 日本碍子株式会社 | 精制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Lusi | A rough guide to molecular solid solutions: design, synthesis and characterization of mixed crystals | |
| Hulliger | Chemistry and crystal growth | |
| US4231838A (en) | Method for flux growth of KTiOPO4 and its analogues | |
| Zaitseva et al. | Stability of KH2PO4 and K (H, D) 2PO4 solutions at fast crystal growth rates | |
| US5066356A (en) | Hydrothermal process for growing optical-quality single crystals | |
| RU2160795C1 (ru) | Способ получения высокочистых веществ | |
| EP0215691B1 (fr) | Procédé de synthèse en flux de cristaux du type du KTiOP04 ou monophosphate de potassium et de titanyle | |
| Dufour et al. | A priori assessment of the maximum possible entrainment effect attainable during preferential crystallization. The case of the simultaneous resolution of (±)-ephedrine and (±)-mandelic acid | |
| EP0642603B1 (en) | Single cesium titanyl arsenate-type crystals and their preparation | |
| JPH04193711A (ja) | 高純度リチウム化合物の精製方法 | |
| US4390513A (en) | Process for manufacturing fibrous potassium titanate | |
| US5264073A (en) | Hydrothermal process for growing optical-quality single crystals and aqueous mineralizer therefor | |
| US5066404A (en) | Method for separating sodium and potassium by ion exchange | |
| JP2610638B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| SU1747544A1 (ru) | Способ получени монокристаллов оксида тантала /У/ | |
| Sun et al. | Nucleation kinetics, micro-crystallization and etching studies of l-histidine trifluoroacetate crystal | |
| Subashini et al. | Introduction to Crystal Growth Techniques | |
| SU1754806A1 (ru) | Гидротермальный способ получени монокристаллов твердых растворов SB(SB @ NB @ )О @ | |
| SU1726570A1 (ru) | Способ получени монокристаллов хлорида свинца | |
| MATSUOKA | Department of Chemical Engineering | |
| Yokota et al. | Purity drop in optical resolution of dl-methionine by the Diastereomer method | |
| RU2234461C2 (ru) | Способ получения расплава, содержащего хлорцирконат калия и фторид редкоземельных элементов | |
| Olexeyuk et al. | Preparation and some properties of thallium orthothioarsenate single crystals | |
| Bouropoulos et al. | Nucleation kinetics of ε-caprolactam melts in the presence of water impurity | |
| SU164016A1 (ru) | Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов |