[go: up one dir, main page]

RU2019138030A - Crystalline diamond synthesis method - Google Patents

Crystalline diamond synthesis method Download PDF

Info

Publication number
RU2019138030A
RU2019138030A RU2019138030A RU2019138030A RU2019138030A RU 2019138030 A RU2019138030 A RU 2019138030A RU 2019138030 A RU2019138030 A RU 2019138030A RU 2019138030 A RU2019138030 A RU 2019138030A RU 2019138030 A RU2019138030 A RU 2019138030A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mixture
plasma
crystalline diamond
carbon dioxide
synthesis
Prior art date
Application number
RU2019138030A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2019138030A3 (en
Inventor
Олег Александрович Морозов
Константин Николаевич Малашин
Анатолий Львович Азарх
Александр Владимирович Ловчев
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Центр ростовых алмазов и монокристаллов"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Центр ростовых алмазов и монокристаллов" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Центр ростовых алмазов и монокристаллов"
Priority to RU2019138030A priority Critical patent/RU2019138030A/en
Publication of RU2019138030A3 publication Critical patent/RU2019138030A3/ru
Publication of RU2019138030A publication Critical patent/RU2019138030A/en

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Claims (3)

1. Способ синтеза кристаллического алмаза, включающий первоначальное образование смеси, состоящего из углеводорода или смеси углеводородов и углекислого газа, смесь напускается в предварительно откаченную камеру синтеза кристалла методом CVD, далее происходит осаждение алмазной пленки на подложку либо мишень, при этом соотношение частиц в плазме меняется в сторону обеднения углерода, отличающийся тем, что процесс синтеза заключается во взаимодействии ионов, образованных под действием высокой температуры и составляющих плазму, при этом в этой же плазме происходит процесс разложения молекул вводимых газов на ионы с последующим образованием новых химических веществ, в процессе происходит также компенсация недостатка углерода в плазменном облаке введением в реакционную смесь углекислого газа и последующее извлечение избытка кислорода из реакционной смеси, удаление примесей, поступающих вместе с недостаточно очищенным углекислым газом либо другими агентами при необходимости.1. A method for the synthesis of crystalline diamond, including the initial formation of a mixture consisting of a hydrocarbon or a mixture of hydrocarbons and carbon dioxide, the mixture is poured into a pre-evacuated crystal synthesis chamber by the CVD method, then the diamond film is deposited on a substrate or target, while the ratio of particles in the plasma changes towards the depletion of carbon, characterized in that the synthesis process consists in the interaction of ions formed under the action of high temperature and constituting the plasma, while in the same plasma the process of decomposition of the molecules of the introduced gases into ions with the subsequent formation of new chemical substances also occurs; compensation for the lack of carbon in the plasma cloud by introducing carbon dioxide into the reaction mixture and then extracting excess oxygen from the reaction mixture, removing impurities coming along with insufficiently purified carbon dioxide or other agents, if necessary. 2. Способ синтеза кристаллического алмаза по п.1, отличающийся тем, что компенсируется недостаток допирующих агентов, при их использовании, осуществляется непосредственно подачей соответствующего газа в камеру реактора.2. A method for synthesizing crystalline diamond according to claim 1, characterized in that the lack of doping agents is compensated for, when they are used, is carried out directly by supplying the corresponding gas to the reactor chamber. 3. Способ синтеза кристаллического алмаза по п.1, отличающийся тем, что первоначальная смесь может включать аргон либо другой инертный газ, а также прочие газы при необходимости.3. A method for synthesizing crystalline diamond according to claim 1, characterized in that the initial mixture may include argon or other inert gas, as well as other gases, if necessary.
RU2019138030A 2019-11-25 2019-11-25 Crystalline diamond synthesis method RU2019138030A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019138030A RU2019138030A (en) 2019-11-25 2019-11-25 Crystalline diamond synthesis method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019138030A RU2019138030A (en) 2019-11-25 2019-11-25 Crystalline diamond synthesis method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2019138030A3 RU2019138030A3 (en) 2021-05-25
RU2019138030A true RU2019138030A (en) 2021-05-25

Family

ID=76033710

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019138030A RU2019138030A (en) 2019-11-25 2019-11-25 Crystalline diamond synthesis method

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2019138030A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
RU2019138030A3 (en) 2021-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2368568C2 (en) Method of obtaining silicon
Tevault et al. Infrared spectra of the BrO and OBrO free radicals and of BrOBr and BrBrO molecules in Solid Argon at 10K
RU2012131169A (en) SYNTHETIC CVD DIAMOND
RU98119152A (en) METHOD FOR PRODUCING HOMOEPITAXIAL DIAMOND THIN FILM AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION
US20190256367A1 (en) Method for Synthesizing Ammonia, and Apparatus for Said Method
US8609189B2 (en) Method of forming carbon nanotubes from carbon-rich fly ash
RU2019138030A (en) Crystalline diamond synthesis method
JPS63222011A (en) Production of polycrystal silicon
Milligan et al. Matrix‐Isolation Study of the Vacuum‐Ultraviolet Photolysis of Difluorosilane. The Infrared and Ultraviolet Spectra of the Free Radical SiF2
JP2018052765A (en) Trichlorosilane purification system and method for producing polycrystalline silicon
US3540871A (en) Method for maintaining the uniformity of vapor grown polycrystalline silicon
JPH0346438B2 (en)
GB929074A (en) A process for the production of extremely pure semi-conductor material
RU2483130C1 (en) Method of producing isotopically-enriched germanium
JP7069473B2 (en) Method for producing high-purity boron trichloride
JPH04265203A (en) Method for purification of hydrogen fluoride anhydride
WO2015177483A1 (en) Method for producing borazane
Morales et al. Synthesis of diamond films from organic compounds by pulsed liquid injection CVD
RU2087476C1 (en) Method of preparing hexaethoxy disilane
JPH0474316B2 (en)
JPH06321690A (en) Method of forming and processing semiconductor diamond film
Ferreira et al. OES study of the plasma during CVD diamond growth using CCl4/H2/O2 mixtures
Sánchez et al. Study of the plasma discharges in diamond deposition with different O2 concentrations
JPS55164072A (en) Coating
Alvarez et al. Carbon structures obtained from acetylene in a continuous current abnormal glow