[go: up one dir, main page]

RU2018130065A - Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений - Google Patents

Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений Download PDF

Info

Publication number
RU2018130065A
RU2018130065A RU2018130065A RU2018130065A RU2018130065A RU 2018130065 A RU2018130065 A RU 2018130065A RU 2018130065 A RU2018130065 A RU 2018130065A RU 2018130065 A RU2018130065 A RU 2018130065A RU 2018130065 A RU2018130065 A RU 2018130065A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
signal
image forming
forming element
semiconductor chip
circuit
Prior art date
Application number
RU2018130065A
Other languages
English (en)
Inventor
Сиро ЦУНАИ
Original Assignee
Никон Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Никон Корпорейшн filed Critical Никон Корпорейшн
Publication of RU2018130065A publication Critical patent/RU2018130065A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57—Control of the dynamic range
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/53—Control of the integration time
    • H04N25/533—Control of the integration time by using differing integration times for different sensor regions
    • H04N25/535—Control of the integration time by using differing integration times for different sensor regions by dynamic region selection
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50—Control of the SSIS exposure
    • H04N25/57—Control of the dynamic range
    • H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
    • H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
    • H04N25/585—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with pixels having different sensitivities within the sensor, e.g. fast or slow pixels or pixels having different sizes
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79—Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/182—Colour image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/199—Back-illuminated image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/805—Coatings
    • H10F39/8053—Colour filters
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/806—Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/809—Constructional details of image sensors of hybrid image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80—Constructional details of image sensors
    • H10F39/811—Interconnections

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Claims (92)

1. Элемент формирования изображений содержащий:
множество первых пикселей, которые имеют первые узлы фотоэлектрического преобразования, которые преобразуют свет в заряд; и
множество вторых пикселей, которые имеют вторые узлы фотоэлектрического преобразования, которые преобразуют свет в заряд;
первую линию управления, которая соединена с множеством первых пикселей и выводит первый управляющий сигнал для управления первыми пикселями; и
вторую линию управления, которая соединена с множеством вторых пикселей и выводит второй управляющий сигнал для управления вторыми пикселями, причем вторая линия управления отличается от первой линии управления, при этом
первые узлы фотоэлектрического преобразования размещены в первом направлении и во втором направлении, которое пересекается с первым направлением, в первой области, на которую падает свет, и
вторые узлы фотоэлектрического преобразования размещены в первом направлении и во втором направлении, во второй области, на которую падает свет.
2. Элемент формирования изображений, содержащий:
множество пикселей;
первую линию управления, которая соединена с множеством первых пикселей, которые имеют первые узлы фотоэлектрического преобразования, которые преобразуют свет в заряд, из множества пикселей, и выводит первый управляющий сигнал для управления первыми пикселями;
вторую линию управления, которая соединена с множеством вторых пикселей, которые имеют вторые узлы фотоэлектрического преобразования, которые преобразуют свет в заряд, из множества пикселей, и выводит второй управляющий сигнал для управления вторыми пикселями, причем вторая линия управления отличается от первой линии управления, при этом
первые узлы фотоэлектрического преобразования размещены в первом направлении и во втором направлении, которое пересекается с первым направлением, в первой области, на которую падает свет, и
вторые узлы фотоэлектрического преобразования размещены в первом направлении и во втором направлении, во второй области, на которую падает свет.
3. Элемент формирования изображений по п. 1 или 2, в котором
первый пиксель включает в себя первый схемный узел, соединенный с первой линией управления, и
второй пиксель включает в себя второй схемный узел, соединенный со второй линией управления.
4. Элемент формирования изображений по п. 3, в котором
первый схемный узел включает в себя первый узел переноса, который переносит заряд из первого узла фотоэлектрического преобразования посредством первого управляющего сигнала, и
второй схемный узел включает в себя второй узел переноса, который переносит заряд из второго узла фотоэлектрического преобразования посредством второго управляющего сигнала.
5. Элемент формирования изображений по п. 1 или 2, в котором
второй управляющий сигнал выводится во вторую линию управления при тактировании, которое отличается от тактирования, при котором первый управляющий сигнал выводится в первую линию управления.
6. Элемент формирования изображений по п. 4, содержащий:
третью линию управления, которая соединена с множеством первых пикселей и выводит третий управляющий сигнал для управления первыми пикселями; и
четвертую линию управления, которая соединена с множеством вторых пикселей, и выводит четвертый управляющий сигнал для управления вторыми пикселями, причем четвертая линия управления отличается от третьей линии управления, при этом
первый схемный узел включает в себя первый узел сброса, который соединен с третьей линией управления и сбрасывает посредством третьего управляющего сигнала потенциал первой плавающей диффузионной области, в которую переносится заряд из первого узла фотоэлектрического преобразования, и
второй схемный узел включает в себя второй узел сброса, который соединен с четвертой линией управления и сбрасывает посредством четвертого управляющего сигнала потенциал второй плавающей диффузионной области, в которую переносится заряд из второго узла фотоэлектрического преобразования.
7. Элемент формирования изображений по п. 6, в котором
четвертый управляющий сигнал выводится в четвертую линию управления при тактировании, которое отличается от тактирования, при котором третий управляющий сигнал выводится в третью линию управления.
8. Элемент формирования изображений по п. 3, в котором
первый схемный узел включает в себя первый узел сброса, который сбрасывает посредством первого управляющего сигнала потенциал первой плавающей диффузионной области, в которую переносится заряд из первого узла фотоэлектрического преобразования, и
второй схемный узел включает в себя второй узел сброса, который сбрасывает посредством второго управляющего сигнала, потенциал второй плавающей диффузионной области, в которую переносится заряд из второго узла фотоэлектрического преобразования.
9. Элемент формирования изображений по п. 8, в котором
второй управляющий сигнал выводится во вторую линию управления при тактировании, которое отличается от тактирования, при котором первый управляющий сигнал выводится в первую линию управления.
10. Элемент формирования изображений по п. 1 или 2, в котором
вторая область расположена на стороне первого направления по отношению к первой области.
11. Элемент формирования изображений по п. 1 или 2, в котором
вторая область расположена на стороне второго направления по отношению к первой области.
12. Элемент формирования изображений по п. 1 или 2, содержащий:
первую линию вывода, которая соединена с первым пикселем и выводит первый сигнал, образованный зарядом первого узла фотоэлектрического преобразования, и
вторую линию вывода, которая соединена со вторым пикселем и выводит второй сигнал, образованный зарядом второго узла фотоэлектрического преобразования, причем вторая линия вывода отличается от первой линии вывода.
13. Элемент формирования изображений по п. 12, содержащий
первую схему источника тока, которая соединена с первой линией вывода и подает ток в первую линию вывода, и
вторую схему источника тока, которая соединена со второй линией вывода и подает ток во вторую линию вывода.
14. Элемент формирования изображений по п. 12, в котором
первая линия вывода соединена с множеством первых пикселей, и
вторая линия вывода соединена с множеством вторых пикселей.
15. Элемент формирования изображений по п. 12, содержащий
узел обработки сигналов который выполняет обработку сигналов на первом сигнале и втором сигнале.
16. Элемент формирования изображений по п. 15, в котором
узел обработки сигналов включает в себя усилитель, который усиливает первый сигнал и второй сигнал.
17. Элемент формирования изображений по п. 15, в котором
узел обработки сигналов включает в себя узел преобразования, который преобразует первый сигнал и второй сигнал в цифровые сигналы.
18. Элемент формирования изображений по п. 17, в котором
первый узел фотоэлектрического преобразования и второй узел фотоэлектрического преобразования расположены в первом полупроводниковом кристалле, и
узел преобразования расположен во втором полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла.
19. Элемент формирования изображений по п. 18, в котором
первый полупроводниковый кристалл расположен на втором полупроводниковом кристалле.
20. Элемент формирования изображений по п. 17, содержащий
узел записи, который записывает первый сигнал, который был преобразован в цифровой сигнал секцией преобразования, и второй сигнал, который был преобразован в цифровой сигнал секцией преобразования.
21. Элемент формирования изображений по п. 20, в котором
первый узел фотоэлектрического преобразования и второй узел фотоэлектрического преобразования расположены в первом полупроводниковом кристалле,
узел преобразования расположен во втором полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла, и
узел записи расположен в третьем полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла и второго полупроводникового кристалла.
22. Элемент формирования изображений по п. 21, в котором
первый полупроводниковый кристалл расположен на третьем полупроводниковом кристалле.
23. Элемент формирования изображений по п. 15, в котором
узел обработки сигналов включает в себя первую схему обработки сигналов, которая выполняет обработку сигналов на первом сигнале, и вторую схему обработки сигналов, которая выполняет обработку сигналов на втором сигнале.
24. Элемент формирования изображений по п. 23, в котором
первая схема обработки сигналов включает в себя первую схему усиления, которая усиливает первый сигнал, и
вторая схема обработки сигналов включает в себя вторую схему усиления, которая усиливает второй сигнал.
25. Элемент формирования изображений по п. 23, в котором
первая схема обработки сигналов включает в себя первую схему преобразования, которая преобразует первый сигнал в цифровой сигнал, и
вторая схема обработки сигналов включает в себя вторую схему преобразования, которая преобразует второй сигнал в цифровой сигнал.
26. Элемент формирования изображений по п. 25, в котором
первый узел фотоэлектрического преобразования и второй узел фотоэлектрического преобразования расположены в первом полупроводниковом кристалле, и
первая схема преобразования и вторая схема преобразования расположены во втором полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла.
27. Элемент формирования изображений по п. 26, в котором
первый полупроводниковый кристалл расположен на втором полупроводниковом кристалле.
28. Элемент формирования изображений по п. 25, содержащий
первую схему записи, которая записывает первый сигнал, который был преобразован в цифровой сигнал первой схемой преобразования; и
вторую схему записи, которая записывает второй сигнал, который был преобразован в цифровой сигнал второй схемой преобразования.
29. Элемент формирования изображений по п. 28, в котором
первый узел фотоэлектрического преобразования и второй узел фотоэлектрического преобразования расположены в первом полупроводниковом кристалле,
первая схема преобразования и вторая схема преобразования расположены во втором полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла, и
первая схема записи и вторая схема записи расположены в третьем полупроводниковом кристалле, который отличается от первого полупроводникового кристалла и второго полупроводникового кристалла.
30. Элемент формирования изображений по п. 29, в котором
первый полупроводниковый кристалл расположен на третьем полупроводниковом кристалле.
31. Электронное устройство, содержащее элемент формирования изображений по любому из пп. 1-30.
32. Электронное устройство по п. 31, содержащее узел отображения, который отображает изображение объекта, сформированное элементом формирования изображений.
33. Электронное устройство по п. 31 или 32, содержащее узел обработки изображений, который соединен с элементом формирования изображений и выполняет обработку изображений.
34. Электронное устройство по п. 33, содержащее узел управления записью, который заставляет узел записи записывать данные, на которых узел обработки изображений выполняет обработку изображений.
35. Электронное устройство по п. 33, содержащее узел управления отображением, который заставляет узел отображения отображать изображение на основе данных, на которых узел обработки изображений выполняет обработку изображений.
RU2018130065A 2012-03-30 2013-03-28 Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений RU2018130065A (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012082312 2012-03-30
JP2012-082312 2012-03-30
JP2012128092 2012-06-05
JP2012-128092 2012-06-05

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014143824A Division RU2666761C2 (ru) 2012-03-30 2013-03-28 Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2018130065A true RU2018130065A (ru) 2019-03-15

Family

ID=49259058

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018130065A RU2018130065A (ru) 2012-03-30 2013-03-28 Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений
RU2014143824A RU2666761C2 (ru) 2012-03-30 2013-03-28 Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014143824A RU2666761C2 (ru) 2012-03-30 2013-03-28 Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений

Country Status (7)

Country Link
US (6) US9571767B2 (ru)
EP (2) EP3490247B1 (ru)
JP (7) JP6277954B2 (ru)
CN (6) CN110149485B (ru)
IN (1) IN2014DN08606A (ru)
RU (2) RU2018130065A (ru)
WO (1) WO2013145765A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11350053B2 (en) 2017-11-30 2022-05-31 Sony Corporation Imaging device, method thereof, and imaging element

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1104381B (de) * 1959-10-03 1961-04-06 Karrenberg Fa Wilhelm Tuerschloss
CN110149485B (zh) * 2012-03-30 2022-04-19 株式会社尼康 拍摄单元及拍摄装置
BR112014027066A2 (pt) 2012-05-02 2017-06-27 Nikon Corp dispositivo de formação de imagem
EP2975839B1 (en) 2013-03-14 2020-11-25 Nikon Corporation Image-capturing unit, image-capturing device, and image-capture control program
JP6372488B2 (ja) * 2013-07-04 2018-08-15 株式会社ニコン 電子機器
TWI539584B (zh) * 2014-05-12 2016-06-21 原相科技股份有限公司 具增進的收光效率的前感光式半導體結構及其製作方法
JP6380986B2 (ja) * 2015-03-12 2018-08-29 富士フイルム株式会社 撮影装置および方法
KR102314905B1 (ko) 2015-09-30 2021-10-19 가부시키가이샤 니콘 촬상 소자 및 전자 카메라
WO2017104765A1 (ja) 2015-12-16 2017-06-22 株式会社ニコン 撮像装置および動き検出方法
JP2018019335A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 ソニー株式会社 撮像素子および撮像装置
KR102477352B1 (ko) * 2017-09-29 2022-12-15 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 이미지 센서
KR102430496B1 (ko) * 2017-09-29 2022-08-08 삼성전자주식회사 이미지 센싱 장치 및 그 제조 방법
JP6610648B2 (ja) * 2017-12-26 2019-11-27 株式会社ニコン 撮像装置
KR102499033B1 (ko) * 2018-01-31 2023-02-13 삼성전자주식회사 스택형 이미지 센서 및 스택형 이미지 센서를 포함하는 전자 장치
JP2018157602A (ja) * 2018-06-14 2018-10-04 株式会社ニコン 撮像装置
JP6954391B2 (ja) * 2018-06-14 2021-10-27 株式会社ニコン 電子機器
JP2020014110A (ja) * 2018-07-18 2020-01-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法
JP7245016B2 (ja) 2018-09-21 2023-03-23 キヤノン株式会社 光電変換装置および撮像システム
JP7250555B2 (ja) * 2019-02-18 2023-04-03 キヤノン株式会社 撮像素子、および撮像装置
US11336854B2 (en) 2019-03-01 2022-05-17 Brookman Technology, Inc. Distance image capturing apparatus and distance image capturing method using distance image capturing apparatus
WO2021020010A1 (ja) 2019-07-26 2021-02-04 富士フイルム株式会社 撮像素子、撮像装置、撮像素子の作動方法、及びプログラム
JP7516031B2 (ja) * 2019-11-19 2024-07-16 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
CN115039477A (zh) 2020-02-05 2022-09-09 松下电器（美国）知识产权公司 终端及通信方法
EP4109889B1 (en) * 2020-02-18 2024-12-25 Nuvoton Technology Corporation Japan Solid-state imaging device and imaging apparatus using same
US12349495B2 (en) * 2020-02-21 2025-07-01 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
KR20220022019A (ko) 2020-08-14 2022-02-23 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 방법 및 이를 포함하는 입력 감지 장치
JP7099560B2 (ja) * 2021-01-19 2022-07-12 株式会社ニコン 撮像素子及び撮像装置

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0626410B2 (ja) * 1986-04-14 1994-04-06 富士写真フイルム株式会社 カラ−イメ−ジセンサ−
JPS6489720A (en) * 1987-09-30 1989-04-04 Toshiba Corp Line switching device
US5262871A (en) * 1989-11-13 1993-11-16 Rutgers, The State University Multiple resolution image sensor
JPH06113195A (ja) * 1992-09-29 1994-04-22 Canon Inc ビデオカメラ装置
US5452004A (en) * 1993-06-17 1995-09-19 Litton Systems, Inc. Focal plane array imaging device with random access architecture
JP2541470B2 (ja) * 1993-08-26 1996-10-09 日本電気株式会社 固体撮像素子
US5543838A (en) * 1993-08-31 1996-08-06 Xerox Corporation Signal multiplexing system for an image sensor array
JP3397469B2 (ja) * 1994-10-20 2003-04-14 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US6977684B1 (en) * 1998-04-30 2005-12-20 Canon Kabushiki Kaisha Arrangement of circuits in pixels, each circuit shared by a plurality of pixels, in image sensing apparatus
US6693670B1 (en) * 1999-07-29 2004-02-17 Vision - Sciences, Inc. Multi-photodetector unit cell
JP2001103379A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Minolta Co Ltd 固体撮像装置
JP3713418B2 (ja) * 2000-05-30 2005-11-09 光正 小柳 ３次元画像処理装置の製造方法
US20030049925A1 (en) 2001-09-10 2003-03-13 Layman Paul Arthur High-density inter-die interconnect structure
CN1234234C (zh) * 2002-09-30 2005-12-28 松下电器产业株式会社 固体摄像器件及使用该固体摄像器件的设备
EP1463306B8 (en) * 2003-03-25 2009-11-11 Panasonic Corporation Imaging device that prevents loss of shadow detail
US20050212936A1 (en) * 2004-03-25 2005-09-29 Eastman Kodak Company Extended dynamic range image sensor with fixed pattern noise reduction
JP4349232B2 (ja) 2004-07-30 2009-10-21 ソニー株式会社 半導体モジュール及びｍｏｓ型固体撮像装置
JP4277216B2 (ja) * 2005-01-13 2009-06-10 ソニー株式会社 撮像装置及び撮像結果の処理方法
TWI429066B (zh) * 2005-06-02 2014-03-01 新力股份有限公司 Semiconductor image sensor module and manufacturing method thereof
JP4792976B2 (ja) * 2006-01-10 2011-10-12 セイコーエプソン株式会社 撮像装置
WO2007083704A1 (ja) * 2006-01-18 2007-07-26 National University Corporation Shizuoka University 固体撮像装置及びその画素信号の読みだし方法
JP4487944B2 (ja) * 2006-02-09 2010-06-23 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2007220866A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Sony Corp 半導体装置
JP2007228019A (ja) * 2006-02-21 2007-09-06 Olympus Corp 撮像装置
JP2007228460A (ja) 2006-02-27 2007-09-06 Mitsumasa Koyanagi 集積センサを搭載した積層型半導体装置
JP5043448B2 (ja) * 2006-03-10 2012-10-10 キヤノン株式会社 放射線撮像装置及び放射線撮像システム
JP3996618B1 (ja) * 2006-05-11 2007-10-24 総吉 廣津 半導体撮像素子
WO2007134473A1 (de) * 2006-05-22 2007-11-29 Waeny Martin Bildaufnehmer mit lokaler adaptiver belichtungsregelung
US7714903B2 (en) * 2006-08-29 2010-05-11 Zoran Corporation Wide dynamic range image capturing system method and apparatus
CN101174645A (zh) * 2006-11-03 2008-05-07 台湾积体电路制造股份有限公司 图像感测装置及其形成方法
JP4843461B2 (ja) * 2006-11-13 2011-12-21 株式会社東芝 固体撮像装置
JP5141559B2 (ja) * 2006-12-18 2013-02-13 ソニー株式会社 撮像装置及び方法、記録装置及び方法、再生装置及び方法
US8144214B2 (en) 2007-04-18 2012-03-27 Panasonic Corporation Imaging apparatus, imaging method, integrated circuit, and storage medium
JP5133085B2 (ja) * 2007-04-18 2013-01-30 パナソニック株式会社 撮像装置および撮像方法
JP4337911B2 (ja) * 2007-05-24 2009-09-30 ソニー株式会社 撮像装置、撮像回路、および撮像方法
CN101821657B (zh) * 2007-08-06 2013-08-07 佳能株式会社 摄像设备
JP2009055433A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Sanyo Electric Co Ltd 撮像装置
JP2009055540A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Sanyo Electric Co Ltd 撮像装置
US7969492B2 (en) 2007-08-28 2011-06-28 Sanyo Electric Co., Ltd. Image pickup apparatus
JP4693822B2 (ja) 2007-08-29 2011-06-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置、カメラ及び情報処理装置
JP5223343B2 (ja) * 2008-01-10 2013-06-26 株式会社ニコン 固体撮像素子
EP2288142B1 (en) * 2008-06-10 2014-01-29 Tohoku University Solid-state image sensor
JP5266916B2 (ja) * 2008-07-09 2013-08-21 ソニー株式会社 撮像素子、カメラ、撮像素子の制御方法、並びにプログラム
JP5132497B2 (ja) * 2008-09-16 2013-01-30 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像装置の制御方法
JP2010093549A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Fujifilm Corp 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法
JP5247397B2 (ja) * 2008-12-05 2013-07-24 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像方法
JP2010166304A (ja) * 2009-01-15 2010-07-29 Fujifilm Corp 撮影装置および撮影装置の制御方法並びにプログラム
JP5524495B2 (ja) * 2009-03-10 2014-06-18 富士機械製造株式会社 撮像システムおよび電子回路部品装着機
JP4835710B2 (ja) 2009-03-17 2011-12-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
JP4941490B2 (ja) * 2009-03-24 2012-05-30 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
JP2010283787A (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 Panasonic Corp 撮像装置
CN101931756B (zh) * 2009-06-19 2012-03-21 比亚迪股份有限公司 一种提高cmos图像传感器动态范围的装置和方法
JP5521721B2 (ja) * 2009-08-28 2014-06-18 ソニー株式会社 撮像素子およびカメラシステム
JP5482025B2 (ja) * 2009-08-28 2014-04-23 ソニー株式会社 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器
JP5342969B2 (ja) * 2009-09-10 2013-11-13 富士フイルム株式会社 撮像装置及び撮像方法
JP2011091561A (ja) * 2009-10-21 2011-05-06 Panasonic Corp 固体撮像素子、その駆動方法及びカメラ
JP5721994B2 (ja) * 2009-11-27 2015-05-20 株式会社ジャパンディスプレイ 放射線撮像装置
KR101133733B1 (ko) * 2009-12-10 2012-04-09 삼성전자주식회사 전자 셔터를 이용한 다단계 노출 방법 및 이를 이용한 촬영 장치
KR20110076729A (ko) * 2009-12-18 2011-07-06 삼성전자주식회사 전자 셔터를 이용한 다단계 노출 이미지 획득 방법 및 이를 이용한 촬영 장치
JP2011243704A (ja) * 2010-05-17 2011-12-01 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP2011244309A (ja) * 2010-05-20 2011-12-01 Sony Corp 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム
JP2012010104A (ja) * 2010-06-24 2012-01-12 Sony Corp 画像処理装置、撮像装置、画像処理方法、およびプログラム
JP5631643B2 (ja) 2010-06-24 2014-11-26 オリンパス株式会社 読出制御装置、読出制御方法、撮像装置、固体撮像装置およびプログラム
JP4657379B1 (ja) * 2010-09-01 2011-03-23 株式会社ナックイメージテクノロジー 高速度ビデオカメラ
JP5500007B2 (ja) * 2010-09-03 2014-05-21 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
CN102096273B (zh) * 2010-12-29 2012-08-22 北京空间机电研究所 一种基于目标特性的空间相机自动曝光方法
JP2012235332A (ja) * 2011-05-02 2012-11-29 Sony Corp 撮像装置、および撮像装置制御方法、並びにプログラム
CN110149485B (zh) * 2012-03-30 2022-04-19 株式会社尼康 拍摄单元及拍摄装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11350053B2 (en) 2017-11-30 2022-05-31 Sony Corporation Imaging device, method thereof, and imaging element

Also Published As

Publication number Publication date
CN104247401B (zh) 2019-07-02
EP3490247A1 (en) 2019-05-29
RU2666761C2 (ru) 2018-09-12
JP2018082496A (ja) 2018-05-24
RU2014143824A (ru) 2016-05-27
BR112014024330A2 (pt) 2022-07-19
WO2013145765A1 (ja) 2013-10-03
US10652485B2 (en) 2020-05-12
CN110299373A (zh) 2019-10-01
EP2833620B1 (en) 2019-01-16
EP2833620A4 (en) 2015-12-09
CN110149485B (zh) 2022-04-19
JP7283520B2 (ja) 2023-05-30
CN110299373B (zh) 2024-10-01
CN104247401A (zh) 2014-12-24
US20180227512A1 (en) 2018-08-09
JP2020017987A (ja) 2020-01-30
US20200236307A1 (en) 2020-07-23
JP6593469B2 (ja) 2019-10-23
CN110148605A (zh) 2019-08-20
JP6593468B2 (ja) 2019-10-23
JP2022024087A (ja) 2022-02-08
JP2023103373A (ja) 2023-07-26
JP6593470B2 (ja) 2019-10-23
JP2018082495A (ja) 2018-05-24
CN110265415A (zh) 2019-09-20
US11743608B2 (en) 2023-08-29
EP3490247B1 (en) 2022-09-07
CN110177227B (zh) 2022-04-05
US20210337141A1 (en) 2021-10-28
US20170118422A1 (en) 2017-04-27
US9967480B2 (en) 2018-05-08
CN110149485A (zh) 2019-08-20
JPWO2013145765A1 (ja) 2015-12-10
US11082646B2 (en) 2021-08-03
US20150015760A1 (en) 2015-01-15
JP6277954B2 (ja) 2018-02-14
JP2018082494A (ja) 2018-05-24
EP2833620A1 (en) 2015-02-04
IN2014DN08606A (ru) 2015-05-22
US9571767B2 (en) 2017-02-14
CN110177227A (zh) 2019-08-27
US20230362504A1 (en) 2023-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2018130065A (ru) Модуль формирования изображений, устройство формирования изображений и управляющая программа для формирования изображений
US9954034B2 (en) Image sensor, method for manufacturing the same, and image processing device having the image sensor
US10608101B2 (en) Detection circuit for photo sensor with stacked substrates
US10598546B2 (en) Detecting high intensity light in photo sensor
US9973682B2 (en) Image sensor including auto-focusing pixel and image processing system including the same
JP5552858B2 (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器
JP2018082494A5 (ja) 撮像素子、撮像装置、および電子機器
JP2018082495A5 (ja) 撮像素子、撮像装置、および電子機器
CN102158663B (zh) Cmos图像传感器像素及其控制时序
KR101848771B1 (ko) 3차원 이미지 센서 및 이를 포함하는 휴대용 장치
CN104733480B (zh) 用于高动态范围图像传感器的图像传感器像素
JP2018082496A5 (ja) 撮像素子、撮像装置、および電子機器
JP2017055328A5 (ru)
TWI569646B (zh) 用於提升像素單元中重設位準之方法及成像系統
JP2015162646A5 (ru)
CN108777772A (zh) 图像传感器
US20130188085A1 (en) Image sensors having reduced dark current and imaging devices having the same
JP2013219082A5 (ru)
CN105191290A (zh) 固态摄像器件及其驱动方法和电子装置
CN104917981A (zh) 固体摄像装置
JP2014078901A (ja) データ転送回路、撮像素子、および撮像装置
US20160050377A1 (en) Active pixel sensors and image devices having stacked pixel structure supporting global shutter
JP2006129298A5 (ru)
KR20120118348A (ko) 이미지 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치, 및 이들의 제조 방법
TW200419791A (en) Solid-state imaging device, method for manufacturing the same and interline transfer CCD image sensor

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20160329