[go: up one dir, main page]

RU2015137774A - Устройство для ионной бомбардировки и способ его применения для очистки поверхности подложки - Google Patents

Устройство для ионной бомбардировки и способ его применения для очистки поверхности подложки Download PDF

Info

Publication number
RU2015137774A
RU2015137774A RU2015137774A RU2015137774A RU2015137774A RU 2015137774 A RU2015137774 A RU 2015137774A RU 2015137774 A RU2015137774 A RU 2015137774A RU 2015137774 A RU2015137774 A RU 2015137774A RU 2015137774 A RU2015137774 A RU 2015137774A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
electrode
anodes
vacuum chamber
discharge
Prior art date
Application number
RU2015137774A
Other languages
English (en)
Inventor
Сатоси ХИРОТА
Хомаре НОМУРА
Райнер КРЕМЕР
Original Assignee
Кабусики Кайся Кобе Сейко Се (Кобе Стил, Лтд.)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кабусики Кайся Кобе Сейко Се (Кобе Стил, Лтд.) filed Critical Кабусики Кайся Кобе Сейко Се (Кобе Стил, Лтд.)
Publication of RU2015137774A publication Critical patent/RU2015137774A/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021—Cleaning or etching treatments
    • C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/486—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using ion beam radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating
    • H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/335—Cleaning

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Claims (13)

1. Устройство для ионной бомбардировки для очистки поверхности подложки, причем устройство включает в себя:
вакуумную камеру, которая имеет внутреннюю стенку, заключающую в себе полость для размещения подложки;
по меньшей мере один электрод, который размещен на грани внутренней стенки вакуумной камеры и который испускает электроны;
многочисленные аноды, которые принимают электроны от электрода, и которые размещены так, чтобы быть обращенными к электроду поперек подложки; и
многочисленные источники разрядной мощности, которые соотнесены с соответствующими анодами, причем каждый из источников разрядной мощности изолирован от вакуумной камеры и подает независимо регулируемые ток или напряжение на анод, который соответствует источнику разрядной мощности, для генерирования тлеющего разряда между анодом и электродом.
2. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один электрод включает многочисленные электроды, которые размещены в положениях, которые соотнесены с соответствующими анодами.
3. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один электрод включает удлиненную нить накаливания.
4. Устройство по п. 1, в котором каждый из анодов включает источник испаряемого материала для целей осаждения покрытия на поверхность подложки физическим осаждением из газовой фазы или химическим осаждением из газовой фазы, и источник испаряемого материала включает механизм генерирования магнитного поля для контроля разряда.
5. Устройство по п. 1, в котором каждый из анодов размещен на грани внутренней стенки вакуумной камеры, причем указанная грань обращена к электроду, и в котором аноды размещены в многочисленных положениях, расположенных в вертикальном направлении подложки, помещенной в вакуумную камеру.
6. Способ использования устройства для ионной бомбардировки по любому из пп. 1-5 для очистки поверхности подложки перед осаждением, причем подложка имеет продольное направление, и причем способ включает стадии, в которых:
размещают подложку в полости вакуумной камеры так, что подложка располагается между по меньшей мере одним электродом и анодами устройства для ионной бомбардировки;
генерируют тлеющий разряд между анодами и электродом при размещенной подложке для генерирования плазмы; и
регулируют по меньшей мере один параметр из тока разряда и напряжения разряда, подводимых каждым из источников разрядной мощности, для достижения однородной плотности генерированной плазмы в продольном направлении подложки.
RU2015137774A 2013-02-07 2014-01-09 Устройство для ионной бомбардировки и способ его применения для очистки поверхности подложки RU2015137774A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013022264A JP6076112B2 (ja) 2013-02-07 2013-02-07 イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材の表面のクリーニング方法
JP2013-022264 2013-02-07
PCT/JP2014/000047 WO2014122876A1 (ja) 2013-02-07 2014-01-09 イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材の表面のクリーニング方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2015137774A true RU2015137774A (ru) 2017-03-13

Family

ID=51299478

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015137774A RU2015137774A (ru) 2013-02-07 2014-01-09 Устройство для ионной бомбардировки и способ его применения для очистки поверхности подложки

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20150299847A1 (ru)
EP (1) EP2955244A4 (ru)
JP (1) JP6076112B2 (ru)
KR (2) KR101935090B1 (ru)
CN (1) CN104968826B (ru)
BR (1) BR112015019027A8 (ru)
CA (1) CA2893118C (ru)
IL (1) IL239072B (ru)
MX (1) MX368879B (ru)
RU (1) RU2015137774A (ru)
TW (1) TWI489513B (ru)
WO (1) WO2014122876A1 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108699690B (zh) * 2015-11-05 2021-07-09 布勒阿尔策瑙有限责任公司 用于真空涂覆的装置和方法
JP6476261B1 (ja) * 2017-10-17 2019-02-27 株式会社神戸製鋼所 成膜方法
CN108054079A (zh) * 2017-11-29 2018-05-18 上海华力微电子有限公司 焊盘结晶缺陷的去除方法
KR102336559B1 (ko) * 2019-11-26 2021-12-08 세메스 주식회사 부품 표면 처리 방법 및 부품 처리 장치
CN111029278B (zh) * 2019-12-10 2021-06-29 长江存储科技有限责任公司 一种晶圆片的加工方法和系统
US20220162737A1 (en) * 2020-11-25 2022-05-26 Oem Group, Llc Systems and methods for in-situ etching prior to physical vapor deposition in the same chamber
CN114717522B (zh) * 2022-05-12 2025-04-22 沈阳爱科斯科技有限公司 多弧离子镀膜装置
CN115354298A (zh) * 2022-07-05 2022-11-18 湖南红太阳光电科技有限公司 一种pecvd设备石墨舟清洗系统
JP2024032474A (ja) 2022-08-29 2024-03-12 株式会社神戸製鋼所 イオンボンバードメント装置及びイオンボンバードメント処理方法
CN115637418B (zh) * 2022-10-12 2024-10-11 中微半导体设备(上海)股份有限公司 形成涂层的方法、涂覆装置、零部件及等离子体反应装置
CN116234392B (zh) * 2022-11-11 2025-10-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板的制备方法以及柔性显示面板
KR102595151B1 (ko) * 2022-12-29 2023-10-27 (주)제이 앤 엘 테크 연료전지용 금속분리판 및 그 제조방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996031899A1 (en) * 1995-04-07 1996-10-10 Advanced Energy Industries, Inc. Adjustable energy quantum thin film plasma processing system
DE29615190U1 (de) * 1996-03-11 1996-11-28 Balzers Verschleissschutz GmbH, 55411 Bingen Anlage zur Beschichtung von Werkstücken
US5917286A (en) * 1996-05-08 1999-06-29 Advanced Energy Industries, Inc. Pulsed direct current power supply configurations for generating plasmas
JP2871675B2 (ja) * 1997-03-24 1999-03-17 川崎重工業株式会社 圧力勾配型電子ビーム励起プラズマ発生装置
DE10018143C5 (de) * 2000-04-12 2012-09-06 Oerlikon Trading Ag, Trübbach DLC-Schichtsystem sowie Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines derartigen Schichtsystems
US6504307B1 (en) * 2000-11-30 2003-01-07 Advanced Cardiovascular Systems, Inc. Application of variable bias voltage on a cylindrical grid enclosing a target
JP4402898B2 (ja) * 2003-04-22 2010-01-20 株式会社神戸製鋼所 物理的蒸着装置
JP2004156091A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Denso Corp 硬質被膜製造方法
JP4541045B2 (ja) * 2004-06-24 2010-09-08 日立ツール株式会社 皮膜形成方法及びその皮膜形成方法を用いた被覆部材
JP4693002B2 (ja) * 2005-10-17 2011-06-01 株式会社神戸製鋼所 アークイオンプレーティング装置
US20070240982A1 (en) * 2005-10-17 2007-10-18 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Arc ion plating apparatus
JP2009001898A (ja) * 2007-05-24 2009-01-08 Nissin Electric Co Ltd 真空処理方法及び真空処理装置
US9287086B2 (en) * 2010-04-26 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution
CN102823331A (zh) * 2010-02-17 2012-12-12 视觉动力控股有限公司 产生用于对衬底表面图案化的等离子体放电的设备和方法
JP5649333B2 (ja) * 2010-06-01 2015-01-07 株式会社神戸製鋼所 イオンボンバードメント装置及びこの装置を用いた基材表面のクリーニング方法
TWI432600B (zh) * 2010-06-11 2014-04-01 財團法人工業技術研究院 表面處理裝置及其方法
JP5689051B2 (ja) * 2011-11-25 2015-03-25 株式会社神戸製鋼所 イオンボンバードメント装置

Also Published As

Publication number Publication date
IL239072A0 (en) 2015-07-30
CN104968826A (zh) 2015-10-07
BR112015019027A8 (pt) 2019-11-12
JP2014152356A (ja) 2014-08-25
KR101935090B1 (ko) 2019-01-03
EP2955244A1 (en) 2015-12-16
EP2955244A4 (en) 2016-10-05
BR112015019027A2 (pt) 2017-07-18
CA2893118C (en) 2019-02-12
TWI489513B (zh) 2015-06-21
IL239072B (en) 2019-05-30
CA2893118A1 (en) 2014-08-14
KR20150104149A (ko) 2015-09-14
WO2014122876A1 (ja) 2014-08-14
CN104968826B (zh) 2017-06-09
US20150299847A1 (en) 2015-10-22
TW201438053A (zh) 2014-10-01
MX368879B (es) 2019-10-21
JP6076112B2 (ja) 2017-02-08
MX2015008261A (es) 2015-09-29
KR20170045397A (ko) 2017-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015137774A (ru) Устройство для ионной бомбардировки и способ его применения для очистки поверхности подложки
JP2009533551A5 (ru)
US9911576B2 (en) Ion bombardment apparatus and method for cleaning of surface of base material using the same
RU2014109915A (ru) Осаждение из паровой фазы для нанесения покрытия с погружением в дуговую плазму низкого давления и ионная обработка
JP2014007432A5 (ru)
UA109032C2 (en) ELECTRONIC BEAM GENERATION DEVICE
CL2014002921A1 (es) Sistema de tratamiento de plasma y recubrimiento al vacio y tratamiento de superficies, comprende un mecanismo de plasma, un catado de magnetrón, un ánodos, una descarga de arco remoto, una cubierta de cátodos, una cubierta de ánodos, un sistema magnético, un suministro de energía de cátodo, y un suministro de energía de descarga de arco; método para recubrir un sustrato.
EA201791234A1 (ru) Плазменный источник с полым катодом
JP2017025407A5 (ru)
JP2011518950A5 (ru)
JP2008500729A5 (ru)
JP2010065240A (ja) スパッタ装置
JP6362615B2 (ja) プラズマ源
MY183557A (en) Plasma cvd device and plasma cvd method
TW201715554A (zh) 多帶電物種用的離子源
JP2012532417A5 (ja) プラズマを改良する方法、プラズマを調整する方法およびプラズマドーピングシステム
RU2373603C1 (ru) Источник быстрых нейтральных атомов
EP2482303A3 (en) Deposition apparatus and methods
WO2013099044A1 (ja) イオンビーム処理装置および中和器
RU2010123951A (ru) Установка для вакуумной ионно-плазменной обработки длинномерных изделий с изолированной эмиссионной камерой
RU2601903C2 (ru) Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления
JP5959409B2 (ja) 成膜装置及び成膜装置の動作方法
RU2012105581A (ru) Способ нанесения покрытий электронно-лучевым испарением в вакууме
FR2926395B1 (fr) Source pulsee d'electrons, procede d'alimentation electrique pour source pulsee d'electrons et procede de commande d'une source pulsee d'electrons
US9198274B2 (en) Ion control for a plasma source