[go: up one dir, main page]

RU2014110509A - Источник света с квантовыми точками - Google Patents

Источник света с квантовыми точками Download PDF

Info

Publication number
RU2014110509A
RU2014110509A RU2014110509/05A RU2014110509A RU2014110509A RU 2014110509 A RU2014110509 A RU 2014110509A RU 2014110509/05 A RU2014110509/05 A RU 2014110509/05A RU 2014110509 A RU2014110509 A RU 2014110509A RU 2014110509 A RU2014110509 A RU 2014110509A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
group
coating
luminescent
nanoparticles
moreover
Prior art date
Application number
RU2014110509/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2616080C2 (ru
Inventor
Шу СЮЙ
Рифат Ата Мустафа ХИКМЕТ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2014110509A publication Critical patent/RU2014110509A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2616080C2 publication Critical patent/RU2616080C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562—Chalcogenides
    • C09K11/565—Chalcogenides with zinc cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881—Chalcogenides
    • C09K11/883—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/496—Luminescent members, e.g. fluorescent sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8514—Wavelength conversion means characterised by their shape, e.g. plate or foil
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
    • Y10S977/892—Liquid phase deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
    • Y10S977/95—Electromagnetic energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

1. Люминесцентный материал (100) на основе люминесцентных наночастиц, содержащий матрицу (10) из взаимосвязанных люминесцентных наночастиц (20) с покрытием,- причем люминесцентные наночастицы (20) выбраны из группы, состоящей из полупроводниковых наночастиц, которые способны излучать в видимой части спектра;- причем люминесцентные наночастицы (20) содержат первое покрытие (25), содержащее материал первого покрытия (125), отличающийся от полупроводникового материала наночастиц; причем материал первого покрытия (125) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M1-M2-M3-A, в которой M1 выбран из группы, состоящей из Na, Li, Mg, Cu, Ag и Au; причем M2 выбран из группы, состоящей из Zn и Cd; причем M3 выбран из группы, состоящей из Ga, As, In и Tl; причем A выбран из группы, состоящей из O, S, Se, As, P и Te; причем x находится в диапазоне 0-1; причем y находится в диапазоне 0-1; z находится в диапазоне 0-1; и причем по меньшей мере, один из x, y и z больше 0;- причем матрица (10) содержит второе покрытие (35), содержащее материал второго покрытия (135), отличающийся от материала первого покрытия (125), причем материал второго покрытия (135) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M4A, в которой M4 выбран из группы, состоящей из Al, Ca, Mg, Zn и Cd; и A выбран из группы, состоящей из Cl, F, O, S, Se и Te; и- причем матрица (10) из взаимосвязанных люминесцентных наночастиц (20) содержит структуры (50) типа сферического сочленения, причем одна или несколько сферических частей (51) содержат одну или несколько люминесцентных наночастиц (20) с покрытием, в которых сферические части связаны друг с другом с помощью сочленений (52), содержащих материал, выбранный из группы, состоящей из соединений формул M1-M2-M3-Aи M4A с

Claims (15)

1. Люминесцентный материал (100) на основе люминесцентных наночастиц, содержащий матрицу (10) из взаимосвязанных люминесцентных наночастиц (20) с покрытием,
- причем люминесцентные наночастицы (20) выбраны из группы, состоящей из полупроводниковых наночастиц, которые способны излучать в видимой части спектра;
- причем люминесцентные наночастицы (20) содержат первое покрытие (25), содержащее материал первого покрытия (125), отличающийся от полупроводникового материала наночастиц; причем материал первого покрытия (125) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M1x-M2y-M3z-A(X+2y+3Z)/2, в которой M1 выбран из группы, состоящей из Na, Li, Mg, Cu, Ag и Au; причем M2 выбран из группы, состоящей из Zn и Cd; причем M3 выбран из группы, состоящей из Ga, As, In и Tl; причем A выбран из группы, состоящей из O, S, Se, As, P и Te; причем x находится в диапазоне 0-1; причем y находится в диапазоне 0-1; z находится в диапазоне 0-1; и причем по меньшей мере, один из x, y и z больше 0;
- причем матрица (10) содержит второе покрытие (35), содержащее материал второго покрытия (135), отличающийся от материала первого покрытия (125), причем материал второго покрытия (135) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M4A, в которой M4 выбран из группы, состоящей из Al, Ca, Mg, Zn и Cd; и A выбран из группы, состоящей из Cl, F, O, S, Se и Te; и
- причем матрица (10) из взаимосвязанных люминесцентных наночастиц (20) содержит структуры (50) типа сферического сочленения, причем одна или несколько сферических частей (51) содержат одну или несколько люминесцентных наночастиц (20) с покрытием, в которых сферические части связаны друг с другом с помощью сочленений (52), содержащих материал, выбранный из группы, состоящей из соединений формул M1x-M2y-M3z-A(х+2y+3z)/2 и M4A с М1, М2, М3, М4, А, х, y и z, указанными выше.
2. Люминесцентный материал (100) по п. 1, в котором люминесцентные наночастицы (20) выбраны из группы, состоящей из InP, CuInS2, CuInSe2, CdTe, CdSe, CdSeTe, AgInS2, AgInSe2 и ZnSe:Mn.
3. Люминесцентный материал (100) по любому из предыдущих пунктов, в котором первое покрытие (125) содержит материал, выбранный из группы, состоящей из CuxZnyInzS(x+2y+3z)/2, CuxZnyInzSe(x+2y+3z)/2, ZnTeSe и CdS.
4. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором матрица (10) содержит наночастицы CdSe/CdS (41) типа "точки-в-стержнях".
5. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором матрица (10) содержит наночастицы CdSe/CdS (42) типа "ядро-оболочка".
6. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором второе покрытие выбрано из группы, состоящей из ZnS, SiO2, MgS, ZnSe, ZnO, Zn1-xMgxSySe1-y, ZnSO3, ZnSO4.
7. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором материал второго покрытия (135) выбран из группы, состоящей из MgS, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnSSe, ZnSO4 и Zn1-xMgxSySe1-y.
8. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором люминесцентные наночастицы (10) содержат CdSe, причем материал первого покрытия (125) содержит CdS, и причем материал второго покрытия (135) содержит ZnS.
9. Люминесцентный материал (100) по любому из пп. 1 или 2, в котором соседние люминесцентные наночастицы имеют наиболее короткое расстояние (d), по меньшей мере, 5 нм, и причем второе покрытие (35) имеет толщину (d2) в диапазоне 1-50 нм.
10. Люминесцентный материал по любому из пп. 1 или 2, имеющий квантовую эффективность, по меньшей мере, 80% при 25°C и гашение квантовой эффективности при 100°C, не превышающее 20% в сравнении с квантовой эффективностью при 25°C.
11. Способ производства люминесцентного материала (100) на основе люминесцентных наночастиц по любому из пп. 1-10, причем способ содержит:
смешивание люминесцентных наночастиц (20) с покрытием, системы предшественника для получения второго покрытия и необязательно поверхностно-активного вещества в жидкости; и
нагревание полученной при этом смеси;
причем люминесцентные наночастицы (20) выбраны из группы, состоящей из полупроводниковых наночастиц, которые способны излучать в видимой части спектра,
причем люминесцентные наночастицы (20) с покрытием содержат первое покрытие (25), содержащее материал первого покрытия (125), отличающийся от полупроводникового материала наночастиц, причем материал первого покрытия (125) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M1x-M2y-M3z-A(х+2y+3z)/2, в которой M1 выбран из группы, состоящей из Na, Li, Mg, Cu, Ag и Au; M2 выбран из группы, состоящей из Zn и Cd; причем M3 выбран из группы, состоящей из Ga, As, In и Tl; причем A выбран из группы, состоящей из O, S, Se, As, P, и Te, причем x находится в диапазоне 0-1, причем y находится в диапазоне 0-1, причем z находится в диапазоне 0-1, и причем по меньшей мере, один из x, y и z больше 0; и
причем система предшественника для получения второго покрытия содержит один или несколько предшественников для формирования второго покрытия (35) на люминесцентных наночастицах (20) с покрытием; причем второе покрытие (35) содержит материал второго покрытия (135), отличающийся от материала первого покрытия (125), причем материал второго покрытия (135) выбран из группы, состоящей из соединений формулы M4A, в которой M4 выбран из группы, состоящей из Al, Ca, Mg, Zn и Cd; и причем A выбран из группы, состоящей из Cl, F, O, S, Se и Te.
12. Способ по п. 11, дополнительно содержащий выделение полученного таким образом люминесцентного материала (100) из жидкости и сушку люминесцентного материала (100).
13. Способ по любому из пп. 11 и 12, в котором система предшественника для получения второго покрытия содержит одно или несколько следующих соединений: бис[бис(2-гидроксиэтил)дитиокарбамато]цинк(II), цинковая соль N-оксида 2-меркаптопиридина, (толуол-3,4-дитиолато)цинк(II), цинковая (II) соль дибензилдитиокарбаминовой кислоты, дибутилдитиокарбамат цинка (II), цинковая соль диэтилдитиокарбаминовой кислоты, диметилдитиокарбамат цинка, комплекс бис(1,3-дитиол-2-тион-4,5-дитиолато)цинка с бис(тетрабутиламмонием).
14. Осветительное устройство (1), содержащее источник света(2), выполненный с возможностью обеспечивать свет источника света (12) в УФ- или синей части видимого спектра; и люминесцентный материал (100) по любому из п.п. 1-10, выполненный с возможностью поглощать, по меньшей мере, часть света источника света (12).
15. Осветительное устройство (1) по п. 14, в котором люминесцентный материал (100) содержится в покрытии (45), и причем покрытие (45) выполнено с возможностью переизлучать, по меньшей мере, часть света источника света (12), и причем источник света (2) содержит LED.
RU2014110509A 2011-10-20 2012-10-19 Источник света с квантовыми точками RU2616080C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161549329P 2011-10-20 2011-10-20
US61/549,329 2011-10-20
PCT/IB2012/055725 WO2013057702A1 (en) 2011-10-20 2012-10-19 Light source with quantum dots

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014110509A true RU2014110509A (ru) 2015-11-27
RU2616080C2 RU2616080C2 (ru) 2017-04-12

Family

ID=47278916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014110509A RU2616080C2 (ru) 2011-10-20 2012-10-19 Источник света с квантовыми точками

Country Status (7)

Country Link
US (3) US9412916B2 (ru)
EP (1) EP2768925B1 (ru)
JP (1) JP5809756B2 (ru)
KR (1) KR101484462B1 (ru)
CN (1) CN103890134B (ru)
RU (1) RU2616080C2 (ru)
WO (1) WO2013057702A1 (ru)

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103890134B (zh) * 2011-10-20 2015-12-23 皇家飞利浦有限公司 具有量子点的光源
US20160333268A1 (en) * 2014-01-17 2016-11-17 Pacific Light Technologies Corp. Irregular Large Volume Semiconductor Coatings for Quantum Dots (QDs)
EP3102647B1 (en) * 2014-02-04 2020-11-04 Lumileds Holding B.V. Oxo- and hydroxo-based composite inorganic ligands for quantum dots
CN105940082B (zh) * 2014-02-04 2019-07-05 亮锐控股有限公司 在无机基质中具有无机配体的量子点
US9376616B2 (en) * 2014-04-30 2016-06-28 Sharp Kabushiki Kaisha Nanoparticle phosphor and method for manufacturing the same, semiconductor nanoparticle phosphor and light emitting element containing semiconductor nanoparticle phosphor, wavelength converter and light emitting device
EP3161553A1 (en) * 2014-06-26 2017-05-03 Yissum Research Development Company of the Hebrew University of Jerusalem Ltd. Emitting film with improved light-out coupling
CN104062807B (zh) * 2014-07-15 2017-01-18 纳晶科技股份有限公司 发光单元及具有其的侧发光式液晶显示器
WO2016016134A1 (en) * 2014-07-28 2016-02-04 Koninklijke Philips N.V. Silica coated quantum dots with improved quantum efficiency
TWI690630B (zh) * 2014-08-11 2020-04-11 德商漢高股份有限及兩合公司 叢生奈米晶體網狀物與奈米晶體合成物
TWI690631B (zh) * 2014-08-11 2020-04-11 德商漢高股份有限及兩合公司 反應性膠狀奈米晶體及奈米晶體合成物
TWI690585B (zh) * 2014-08-11 2020-04-11 德商漢高股份有限及兩合公司 電激發光之經交聯奈米晶體薄膜
WO2016109902A2 (en) * 2015-01-05 2016-07-14 The Governing Council Of The University Of Toronto Quantum-dot-in-perovskite solids
WO2016185933A1 (ja) * 2015-05-15 2016-11-24 富士フイルム株式会社 コアシェル粒子、コアシェル粒子の製造方法およびフィルム
WO2016185930A1 (ja) * 2015-05-15 2016-11-24 富士フイルム株式会社 マルチコアシェル粒子、ナノ粒子分散液およびフィルム
JP6293710B2 (ja) * 2015-07-22 2018-03-14 国立大学法人名古屋大学 半導体ナノ粒子およびその製造方法
KR20180027629A (ko) * 2015-07-30 2018-03-14 퍼시픽 라이트 테크놀로지스 코포레이션 카드뮴 함량이 낮은 나노결정질 양자점 헤테로구조물
EP3162874A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-03 ETH Zurich Luminescent semiconductor nanocrystals and methods for making same
DE102015121720A1 (de) * 2015-12-14 2017-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konversionselement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Konversionselements
DE112016005948T5 (de) * 2016-01-19 2018-09-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Licht, Verfahren zur Herstellung eines Lichtemitters, und Marker für biologische Substanz
CN105733570B (zh) * 2016-03-16 2018-07-13 南京工业大学 一种银离子掺杂的绿色荧光量子点的制备方法
US20170352779A1 (en) * 2016-06-07 2017-12-07 Sharp Kabushiki Kaisha Nanoparticle phosphor element and light emitting element
JP2017218574A (ja) * 2016-06-07 2017-12-14 シャープ株式会社 ナノ粒子蛍光体素子および発光素子
EP3275967A1 (en) * 2016-07-28 2018-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and devices including the same
KR102640897B1 (ko) * 2016-09-13 2024-02-26 엘지디스플레이 주식회사 양자막대, 그 합성 방법 및 양자막대 표시장치
DE102016117189A1 (de) * 2016-09-13 2018-03-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR102723426B1 (ko) * 2016-12-29 2024-10-28 엘지디스플레이 주식회사 퀀텀 로드, 퀀텀 로드 필름 및 퀀텀 로드 표시장치
CN108728099A (zh) * 2017-04-17 2018-11-02 Tcl集团股份有限公司 一种核壳结构量子点材料及其制备方法
US20190198720A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 Lumileds Llc Particle systems and patterning for monolithic led arrays
KR102154072B1 (ko) * 2018-04-11 2020-09-09 고려대학교 산학협력단 복사냉각에서 색상 구현이 가능한 냉각재 및 이를 이용한 색상 구현 방법
WO2019233975A1 (en) * 2018-06-07 2019-12-12 Merck Patent Gmbh Nanoparticles
WO2020054764A1 (ja) * 2018-09-12 2020-03-19 Ｎｓマテリアルズ株式会社 赤外線センサ及びその製造方法
US11390804B2 (en) 2019-01-11 2022-07-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Core shell quantum dot and electronic device including the same
US12269977B2 (en) 2019-01-17 2025-04-08 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Ltd. Colloidal semiconductor nanostructures
CN109735847B (zh) * 2019-02-02 2020-12-22 青岛大学 用于光生阴极保护的AgInS2/石墨烯/TiO2纳米复合膜光阳极及制备和应用
KR102711311B1 (ko) 2019-04-18 2024-09-26 삼성전자주식회사 리튬 함유 무카드뮴 양자점, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자
KR102711312B1 (ko) * 2019-04-18 2024-09-26 삼성전자주식회사 코어쉘 양자점, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 전자 소자
KR102652436B1 (ko) 2019-04-18 2024-03-27 삼성전자주식회사 ZnTeSe 기반의 양자점
CN112582556B (zh) * 2019-09-30 2022-04-01 Tcl科技集团股份有限公司 一种量子点发光二极管及其制备方法
US11873436B2 (en) * 2019-10-03 2024-01-16 Ns Materials Inc. Quantum dot and method for producing the same
WO2021075613A1 (ko) * 2019-10-18 2021-04-22 한국과학기술원 복사냉각에서 색상 구현이 가능한 냉각재 및 이를 이용한 색상 구현 방법
CN111518540B (zh) * 2020-05-20 2022-04-19 温州大学 Zn-CuInSe2/ZnSe核壳量子点的合成方法
KR102897920B1 (ko) * 2020-08-14 2025-12-09 삼성디스플레이 주식회사 반도체 나노입자, 이를 포함한 색변환 부재 및 이를 포함한 표시 장치
CN111965469B (zh) * 2020-09-11 2023-05-05 陕西世翔电子科技有限公司 一种通过温度传感器进行避雷器在线监测的方法
US12111023B2 (en) 2021-02-23 2024-10-08 Signify Holding, B.V. Tunable narrow-band light system having a high CRI across a wide CTT range
EP4298371A1 (en) 2021-02-23 2024-01-03 Signify Holding B.V. Narrow-band light system having a maximum color consistency across observers and test samples
EP4402991B1 (en) 2021-09-14 2025-03-26 Signify Holding B.V. Light generating system
KR102851087B1 (ko) * 2021-12-16 2025-08-27 한국세라믹기술원 다공성 형광 에어로젤 및 그 제조방법
WO2024079906A1 (ja) * 2022-10-14 2024-04-18 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置の製造方法および表示装置
KR20240072861A (ko) * 2022-11-17 2024-05-24 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치
KR20240072859A (ko) * 2022-11-17 2024-05-24 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치
KR20240072860A (ko) * 2022-11-17 2024-05-24 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치
KR20240074418A (ko) * 2022-11-21 2024-05-28 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법 및 전자장치
KR20240075372A (ko) * 2022-11-22 2024-05-29 덕산네오룩스 주식회사 양자점, 양자점의 제조방법, 감광성 수지 조성물, 광학필름, 전기발광다이오드 및 전자장치
CN121014260A (zh) * 2023-04-20 2025-11-25 夏普显示科技株式会社 发光元件、显示装置以及发光层的形成方法
WO2025171984A1 (en) * 2024-02-13 2025-08-21 Ams-Osram International Gmbh Semiconductor nanocrystal structure, method for producing thereof and optoelectronic device

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7534488B2 (en) 2003-09-10 2009-05-19 The Regents Of The University Of California Graded core/shell semiconductor nanorods and nanorod barcodes
ATE357491T1 (de) * 2003-04-30 2007-04-15 Ct Angewandte Nanotech Can Lumineszente kern-mantel-nanoteilchen
WO2007034877A1 (ja) * 2005-09-22 2007-03-29 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology 半導体ナノ粒子分散ガラス微粒子及びその作製方法
JP5169222B2 (ja) * 2006-01-30 2013-03-27 コニカミノルタエムジー株式会社 三層型半導体ナノ粒子および三層型半導体ナノロッド
CN101397137A (zh) * 2007-09-27 2009-04-01 刘文红 一类球形无机氧化物材料及其合成方法,改性方法和用途
WO2009108235A2 (en) * 2007-12-07 2009-09-03 Tekmira Pharmaceuticals Corporation Compositions and methods for modulating immune responses to nucleic acids
KR101421619B1 (ko) * 2008-05-30 2014-07-22 삼성전자 주식회사 나노결정-금속산화물-폴리머 복합체 및 그의 제조방법
KR100982991B1 (ko) 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
CN101381600B (zh) * 2008-10-22 2012-02-01 中国科学院上海技术物理研究所 一种生物相容的水相量子点的制备方法
JP4936338B2 (ja) 2008-12-26 2012-05-23 シャープ株式会社 半導体ナノ粒子蛍光体
US7600882B1 (en) * 2009-01-20 2009-10-13 Lednovation, Inc. High efficiency incandescent bulb replacement lamp
KR101028304B1 (ko) * 2009-10-15 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
WO2011115820A1 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Nitto Denko Corporation Garnet-based phosphor ceramic sheets for light emitting device
DE102011082774A1 (de) * 2010-09-16 2012-03-22 Technische Universität Dresden Mischkristalle enthaltend Halbleitermaterialien, Verfahren zu deren Herstellung und deren Anwendungen
CN103597269B (zh) * 2011-06-10 2016-12-14 皇家飞利浦有限公司 用于呈现可见图案的磷光体增强光源和照明装置
CN103890134B (zh) * 2011-10-20 2015-12-23 皇家飞利浦有限公司 具有量子点的光源

Also Published As

Publication number Publication date
CN103890134A (zh) 2014-06-25
US20160268484A1 (en) 2016-09-15
EP2768925B1 (en) 2014-12-31
KR101484462B1 (ko) 2015-01-20
KR20140064996A (ko) 2014-05-28
US9537059B2 (en) 2017-01-03
JP2015505860A (ja) 2015-02-26
WO2013057702A1 (en) 2013-04-25
US20170110633A1 (en) 2017-04-20
CN103890134B (zh) 2015-12-23
US20140326949A1 (en) 2014-11-06
EP2768925A1 (en) 2014-08-27
RU2616080C2 (ru) 2017-04-12
JP5809756B2 (ja) 2015-11-11
US10090443B2 (en) 2018-10-02
US9412916B2 (en) 2016-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014110509A (ru) Источник света с квантовыми точками
CN105143235B (zh) 多面体低聚倍半硅氧烷纳米晶体稳定化配体
US8981339B2 (en) Lighting devices, an optical component for a lighting device, and methods
CN104520419B (zh) 增强光合作用生物体中的生长的量子点led
Cho et al. Highly efficient blue-emitting CdSe-derived core/shell gradient alloy quantum dots with improved photoluminescent quantum yield and enhanced photostability
CN107903901B (zh) 核壳量子点、其制备方法及含其的发光器件
KR20160119151A (ko) 퀀텀 도트들에 대한 ｏｘｏ- 및 ｈｙｄｒｏｘｏ-기반의 복합 무기 리간드
US20210047562A1 (en) Core-shell quantum dot, preparation method thereof, and electroluminescent light-emitting device containing the same
KR20160119149A (ko) 무기 매트릭스의 무기 리간드를 갖는 퀀텀 도트
JP2020528100A (ja) 蛍光体および組成物
WO2020048527A1 (zh) 一种复合材料与量子点发光二极管
KR102820492B1 (ko) 양자점 및 이를 포함한 복합체와 표시소자
CN103779509A (zh) 发光器件及其制作方法和显示面板
CN110890470A (zh) 一种量子点发光二极管
CN104037310A (zh) 基于碳量子点和ZnCuInS量子点的三原色匹配白光LED及其制备方法
JP2017025220A (ja) 酸化防止性配位子含有半導体ナノ粒子およびこれを含有する分散液、ならびに酸化防止性配位子含有半導体ナノ粒子の製造方法
CN113366084A (zh) 用于控制植物的状态的方法
US8471290B2 (en) Compositions and methods for generating white light
WO2021036211A1 (zh) 量子点膜的封装方法以及封装量子点膜和应用
KR101415727B1 (ko) 혼합금속산화물-양자점 복합체 및 이를 이용한 발광 소자
US20200095498A1 (en) Semiconducting light emitting nanoparticle
CN112912460B (zh) 纳米粒子
CN104804732A (zh) 一种适用于蓝光led的热稳定白光量子点的制备方法
TWI829059B (zh) 光轉換材料、其製備方法、顯示裝置以及照明裝置
US11807787B2 (en) Luminescence conversion material and fabrication method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190823

PD4A Correction of name of patent owner