[go: up one dir, main page]

RU2014148090A - Светоизлучающий материал и белое светодиодное (led ) устройство - Google Patents

Светоизлучающий материал и белое светодиодное (led ) устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2014148090A
RU2014148090A RU2014148090A RU2014148090A RU2014148090A RU 2014148090 A RU2014148090 A RU 2014148090A RU 2014148090 A RU2014148090 A RU 2014148090A RU 2014148090 A RU2014148090 A RU 2014148090A RU 2014148090 A RU2014148090 A RU 2014148090A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
emitting material
light emitting
sr4al14o25
light
sral2o4
Prior art date
Application number
RU2014148090A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2014148090A3 (ru
Inventor
Хунцзе ЧЖАН
Мин ЧЖАН
Чэнюй ЛИ
Кунь ЧЖАО
Дунмин ЛИ
Ли Чжан
Original Assignee
Сычуань Санфор Лайт Ко., Лтд.
Чанчунь Инститьют Оф Эпплайд Кемистри, Чайниз Экедеми Оф Сайенсиз
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сычуань Санфор Лайт Ко., Лтд., Чанчунь Инститьют Оф Эпплайд Кемистри, Чайниз Экедеми Оф Сайенсиз filed Critical Сычуань Санфор Лайт Ко., Лтд.
Publication of RU2014148090A publication Critical patent/RU2014148090A/ru
Publication of RU2014148090A3 publication Critical patent/RU2014148090A3/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/10—Controlling the intensity of the light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/42—Antiparallel configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Mobile Radio Communication Systems (AREA)

Abstract

1. Светоизлучающий материал, отличающийся тем, что светоизлучающий материал является одним или сочетанием из Ca2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+,B3+; SrAl2O4:Eu2+,Dy3+,B3+; Zn2SiO4:Mn2+,As5+; Zn2P2O7:Tm3+; Y2O2S:Eu3+; Sr4Al4O25:Tb3+; Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+и CaS:Eu2+.2. Светоизлучающий материал по п. 1, отличающийся тем, что светоизлучающий материал является одним или сочетанием из CaS:Eu2+; CaS:Bi2+,Tm3+; ZnS:Tb3+; CaSrS2:Eu2+,Dy3+; SrGa2S4:Dy3+; Ga2O3:Eu3+; (Y,Gd)BO3:Eu3+; Zn2SiO4:Mn2+; YBO3:Tb3+; Y(V,P)O4:Eu3+; SrAl2O4:Eu2+; SrAl2O4:Eu2+,B3+; SrAl2O4:Eu2+,Dy3+,B3+; Sr4Al14O25:Eu2+; Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+,B3+; BaAl2O4:Eu2+; CaAl2O4:Eu2+; Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+; Tb(acac)2(AA)phen; Y2O2S:Eu3+; Y2SiO5:Tb3+; SrGa2S4:Ce3+; Y3(Al,Ga)5O12:Tb3+; Ca2Zn4Ti15036:Pr3+; CaTiO3:Pr3+; Zn2P2O7:Tm3+; Ca2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr2P2O7:Eu2+,Y3+; Lu2O3:Tb3+; Sr2Al6O11:Eu2+; Mg2SnO4:Mn2+; CaAl2O4:Ce3+,Tb3+; Sr4Al14O25:Tb3+; Ca10(PO4)6(F,Cl)2:Sb3+,Mn2; Sr2MgSi2O7:Eu2+; Sr2CaSi2O7:Eu2+; Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+; CaO:Eu3+; Y2O2S:Mg2+,Ti3+; Y2O2S:Sm3+; SrMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3+; CdSiO3:Dy3+; BaMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3+; Zn2SiO4:Mn2+,As5+; и MgSiO3:Eu2+,Mn2+.3. Светоизлучающий материал по п.1 или 2, отличающийся тем, что продолжительность свечения светоизлучающего материала составляет от 1 до 100 мс.4. Светоизлучающий материал по п.1 или 2, отличающийся тем, что продолжительность свечения светоизлучающего материала составляет от 10 до 30 мс.5. Белое светодиодное (LED) устройство, отличающееся тем, что оно включает светоизлучающий материал, причем светоизлучающим материалом является один или сочетание из Ca2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+,B3+; SrAl2O4:Eu2+,Dy3+,B3+; Zn2SiO4:Mn2+,As5+; Zn2P2O7:Tm3+; Y2O2S:Eu3+; Sr4Al14O25:Tb3+; Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+ и CaS:Eu2+;белое светодиодное устройство возбуждается переменным током без выпрямительного трансформатора для преобразования переменного тока в постоянный; ипри изменении цикла тока излучение света светоизлучающего материала может поддерживаться в течение определенного времени в цикле тока, этим компенсируя мигание светодиодного чипа, вызываемое колебанием переменного тока, и сохраняя стабильный выход света белого светодиодного устройства в цикле переменного тока.6. Белое светодиодное устройство по п.5, отличающееся тем, что светоизлучающий материал является одним или сочетанием из CaS:Eu2+; CaS:Bi2+,Tm3+; ZnS:Tb3+; CaSrS2:Eu2+,Dy3+; SrGa2S4:Dy3+; Ga2O3:Eu3+; (Y,Gd)BO3:Eu3+; Zn2SiO4:Mn2+; YBO3:Tb3+; Y(V,P)O4:Eu3+; SrAl2O4:Eu2+; SrAl2O4:Eu2+,B3+; SrAl2O4:Eu2+,Dy3+,B3+; Sr4Al14O25:Eu2+; Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+,B3+; BaAl2O4:Eu2+; CaAl2O4:Eu2+; Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+; Tb(acac)2(AA)phen; Y2O2S:Eu3+; Y2SiO5:Tb3+; SrGa2S4:Ce3+; Y3(Al,Ga)5O12:Tb3+; Ca2Zn4Ti15O36:Pr3+; CaTiO3:Pr3+; Zn2P2O7:Tm3+; Ca2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr2P2O7:Eu2+,Y3+; Lu2O3:Tb3+; Sr2Al6O11:Eu2+; Mg2SnO4:Mn2+; CaAl2O4:Ce3+,Tb3+; Sr4Al14O25:Tb3+; Ca10(PO4)6(F,Cl)2:Sb3+,Mn2; Sr2MgSi2O7:Eu2+; Sr2CaSi2O7:Eu2+; Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+; CaO:Eu3+; Y2O2S:Mg2+,Ti3+; Y2O2S:Sm3+; SrMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3+; CdSiO3:Dy3+; BaMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3+; Zn2SiO4:Mn2+,As5+; и MgSiO3:Eu2+,Mn2+.7. Белое светодиодное устройство по п.5 или 6, отличающееся тем, что частота переменного тока не

Claims (10)

1. Светоизлучающий материал, отличающийся тем, что светоизлучающий материал является одним или сочетанием из Ca2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+,B3+; SrAl2O4:Eu2+,Dy3+,B3+; Zn2SiO4:Mn2+,As5+; Zn2P2O7:Tm3+; Y2O2S:Eu3+; Sr4Al4O25:Tb3+; Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+и CaS:Eu2+.
2. Светоизлучающий материал по п. 1, отличающийся тем, что светоизлучающий материал является одним или сочетанием из CaS:Eu2+; CaS:Bi2+,Tm3+; ZnS:Tb3+; CaSrS2:Eu2+,Dy3+; SrGa2S4:Dy3+; Ga2O3:Eu3+; (Y,Gd)BO3:Eu3+; Zn2SiO4:Mn2+; YBO3:Tb3+; Y(V,P)O4:Eu3+; SrAl2O4:Eu2+; SrAl2O4:Eu2+,B3+; SrAl2O4:Eu2+,Dy3+,B3+; Sr4Al14O25:Eu2+; Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+,B3+; BaAl2O4:Eu2+; CaAl2O4:Eu2+; Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+; Tb(acac)2(AA)phen; Y2O2S:Eu3+; Y2SiO5:Tb3+; SrGa2S4:Ce3+; Y3(Al,Ga)5O12:Tb3+; Ca2Zn4Ti15036:Pr3+; CaTiO3:Pr3+; Zn2P2O7:Tm3+; Ca2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr2P2O7:Eu2+,Y3+; Lu2O3:Tb3+; Sr2Al6O11:Eu2+; Mg2SnO4:Mn2+; CaAl2O4:Ce3+,Tb3+; Sr4Al14O25:Tb3+; Ca10(PO4)6(F,Cl)2:Sb3+,Mn2; Sr2MgSi2O7:Eu2+; Sr2CaSi2O7:Eu2+; Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+; CaO:Eu3+; Y2O2S:Mg2+,Ti3+; Y2O2S:Sm3+; SrMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3+; CdSiO3:Dy3+; BaMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3+; Zn2SiO4:Mn2+,As5+; и MgSiO3:Eu2+,Mn2+.
3. Светоизлучающий материал по п.1 или 2, отличающийся тем, что продолжительность свечения светоизлучающего материала составляет от 1 до 100 мс.
4. Светоизлучающий материал по п.1 или 2, отличающийся тем, что продолжительность свечения светоизлучающего материала составляет от 10 до 30 мс.
5. Белое светодиодное (LED) устройство, отличающееся тем, что оно включает светоизлучающий материал, причем светоизлучающим материалом является один или сочетание из Ca2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr4Al14O25: Eu2+, Dy3+,B3+; SrAl2O4:Eu2+,Dy3+,B3+; Zn2SiO4:Mn2+,As5+; Zn2P2O7:Tm3+; Y2O2S:Eu3+; Sr4Al14O25:Tb3+; Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+ и CaS:Eu2+;
белое светодиодное устройство возбуждается переменным током без выпрямительного трансформатора для преобразования переменного тока в постоянный; и
при изменении цикла тока излучение света светоизлучающего материала может поддерживаться в течение определенного времени в цикле тока, этим компенсируя мигание светодиодного чипа, вызываемое колебанием переменного тока, и сохраняя стабильный выход света белого светодиодного устройства в цикле переменного тока.
6. Белое светодиодное устройство по п.5, отличающееся тем, что светоизлучающий материал является одним или сочетанием из CaS:Eu2+; CaS:Bi2+,Tm3+; ZnS:Tb3+; CaSrS2:Eu2+,Dy3+; SrGa2S4:Dy3+; Ga2O3:Eu3+; (Y,Gd)BO3:Eu3+; Zn2SiO4:Mn2+; YBO3:Tb3+; Y(V,P)O4:Eu3+; SrAl2O4:Eu2+; SrAl2O4:Eu2+,B3+; SrAl2O4:Eu2+,Dy3+,B3+; Sr4Al14O25:Eu2+; Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+,B3+; BaAl2O4:Eu2+; CaAl2O4:Eu2+; Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+; BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+; Tb(acac)2(AA)phen; Y2O2S:Eu3+; Y2SiO5:Tb3+; SrGa2S4:Ce3+; Y3(Al,Ga)5O12:Tb3+; Ca2Zn4Ti15O36:Pr3+; CaTiO3:Pr3+; Zn2P2O7:Tm3+; Ca2P2O7:Eu2+,Y3+; Sr2P2O7:Eu2+,Y3+; Lu2O3:Tb3+; Sr2Al6O11:Eu2+; Mg2SnO4:Mn2+; CaAl2O4:Ce3+,Tb3+; Sr4Al14O25:Tb3+; Ca10(PO4)6(F,Cl)2:Sb3+,Mn2; Sr2MgSi2O7:Eu2+; Sr2CaSi2O7:Eu2+; Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+; CaO:Eu3+; Y2O2S:Mg2+,Ti3+; Y2O2S:Sm3+; SrMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3+; CdSiO3:Dy3+; BaMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3+; Zn2SiO4:Mn2+,As5+; и MgSiO3:Eu2+,Mn2+.
7. Белое светодиодное устройство по п.5 или 6, отличающееся тем, что частота переменного тока не превышает 100 Гц.
8. Белое светодиодное устройство по п.5 или 6, отличающееся тем, что частота переменного тока составляет от 50 до 60 Гц.
9. Белое светодиодное устройство по п.5, отличающееся тем, что свет, излучаемый светодиодным чипом является ультрафиолетовым светом в диапазоне от 200 нм до 380 нм или видимым светом в диапазоне от 380 нм до 780 нм.
10. Белое светодиодное устройство по п.5, отличающееся тем, что оно кроме того включает слой световодного покрытия,
причем слой световодного покрытия легирован частицами не излучающего свет материала диаметром меньше 5 мкм.
RU2014148090A 2010-11-09 2014-11-28 Светоизлучающий материал и белое светодиодное (led ) устройство RU2014148090A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201010537984.9 2010-11-09
CN2010105379849A CN102074644B (zh) 2010-11-09 2010-11-09 交流led白光发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014148090A true RU2014148090A (ru) 2016-06-20
RU2014148090A3 RU2014148090A3 (ru) 2018-06-07

Family

ID=44033080

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013125341/28A RU2541425C2 (ru) 2010-11-09 2011-03-01 Белое светодиодное устройство переменного тока
RU2014148090A RU2014148090A (ru) 2010-11-09 2014-11-28 Светоизлучающий материал и белое светодиодное (led ) устройство

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013125341/28A RU2541425C2 (ru) 2010-11-09 2011-03-01 Белое светодиодное устройство переменного тока

Country Status (13)

Country Link
US (2) US9185761B2 (ru)
EP (1) EP2639839B1 (ru)
JP (1) JP2014502419A (ru)
KR (1) KR20130125775A (ru)
CN (2) CN102074644B (ru)
AU (2) AU2011328857B2 (ru)
CA (1) CA2817167C (ru)
ES (1) ES2622331T3 (ru)
MX (1) MX2013005202A (ru)
RU (2) RU2541425C2 (ru)
SG (1) SG190239A1 (ru)
WO (1) WO2012062065A1 (ru)
ZA (1) ZA201303331B (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MX2013005202A (es) * 2010-03-30 2013-11-20 Changchn Inst Of Applied Chemistry Chinese Academy Of Sciences Dispositivo de corriente alterna de led blanco.
CN103545458B (zh) * 2013-10-18 2019-06-11 京东方科技集团股份有限公司 照明装置及其制作方法
CN104449713B (zh) * 2014-11-03 2016-04-20 天津理工大学 一种非稀土掺杂黄色荧光体及其制作方法和应用
CN105823009B (zh) * 2015-01-09 2017-08-25 欧普照明股份有限公司 一种用于生鲜肉类照明的照明装置及包括该照明装置的灯具
DE102016217456B3 (de) 2016-09-13 2017-12-21 Te Connectivity Germany Gmbh Anordnung für einen elektrischen Steckverbinder sowie Steckverbinder mit einem Kontaktgehäuse, Umgehäuse und Sicherungselement
CN107101092A (zh) * 2017-03-22 2017-08-29 苏州瀚墨材料技术有限公司 自适应交流led芯片组合体
DE102017127070A1 (de) 2017-11-17 2019-05-23 Eaton Electrical Ip Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung und Verfahren zur Überwachung wechselspannungsförmiger Signale

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW427099B (en) * 1999-01-18 2001-03-21 Koninkl Philips Electronics Nv Circuit arrangement
JP3656715B2 (ja) * 1999-07-23 2005-06-08 松下電工株式会社 光源装置
US20020043943A1 (en) * 2000-10-10 2002-04-18 Menzer Randy L. LED array primary display light sources employing dynamically switchable bypass circuitry
US7336514B2 (en) * 2001-08-10 2008-02-26 Micropulse Technologies Electrical power conservation apparatus and method
EP2262008B1 (en) * 2002-01-28 2015-12-16 Nichia Corporation Nitride semiconductor element with supporting substrate and method for producing nitride semiconductor element
DE20321614U1 (de) * 2002-04-05 2008-06-12 Citizen Electronics Co., Ltd., Fujiyoshida-shi Licht emittierende Diode
JP2003298115A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
RU2219622C1 (ru) * 2002-10-25 2003-12-20 Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" Полупроводниковый источник белого света
US7507001B2 (en) * 2002-11-19 2009-03-24 Denovo Lighting, Llc Retrofit LED lamp for fluorescent fixtures without ballast
CN1536684A (zh) * 2003-04-03 2004-10-13 �ڹ�Ƽ��ɷ����޹�˾ 长余辉发光二极管
WO2005004202A2 (en) * 2003-06-24 2005-01-13 Gelcore Llc Full spectrum phosphor blends for white light generation with led chips
US8089093B2 (en) * 2004-02-20 2012-01-03 Nichia Corporation Nitride semiconductor device including different concentrations of impurities
US7489086B2 (en) * 2004-02-25 2009-02-10 Lynk Labs, Inc. AC light emitting diode and AC LED drive methods and apparatus
JP4805831B2 (ja) * 2004-03-18 2011-11-02 パナソニック株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表面実装部品、および表示装置
US7391060B2 (en) * 2004-04-27 2008-06-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
CN1700484A (zh) * 2004-05-17 2005-11-23 深圳大学 一种新型的白光led结构
EP1864339A4 (en) * 2005-03-11 2010-12-29 Seoul Semiconductor Co Ltd LED CAPSULATION WITH A GROUP IN A SERIES OF SWITCHED LUMINAIRES
KR100704492B1 (ko) 2005-05-02 2007-04-09 한국화학연구원 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법
TW200723559A (en) * 2005-12-13 2007-06-16 Ind Tech Res Inst Alternating current (AC) light emitting assembly and AC light emitting device
CN101865438B (zh) * 2005-06-28 2014-10-22 首尔伟傲世有限公司 用于交流电力操作的发光装置
KR101171355B1 (ko) * 2005-06-28 2012-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 장치
EP1908124B1 (en) * 2005-07-15 2015-06-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting module and corresponding circuit board
US8062549B2 (en) * 2005-09-27 2011-11-22 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and manufacturing method therefore, and light emission device using the phosphor
KR101055772B1 (ko) * 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
US7148515B1 (en) * 2006-01-07 2006-12-12 Tyntek Corp. Light emitting device having integrated rectifier circuit in substrate
US7952110B2 (en) * 2006-06-12 2011-05-31 3M Innovative Properties Company LED device with re-emitting semiconductor construction and converging optical element
KR100930171B1 (ko) * 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
WO2008096301A1 (en) * 2007-02-07 2008-08-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising composite monolithic ceramic luminescence converter
US20080258130A1 (en) * 2007-04-23 2008-10-23 Bergmann Michael J Beveled LED Chip with Transparent Substrate
JP5441886B2 (ja) * 2007-05-02 2014-03-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ ソリッドステート照明デバイス
JP2007251199A (ja) * 2007-05-21 2007-09-27 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
KR20090044788A (ko) * 2007-11-01 2009-05-07 서울반도체 주식회사 교류용 백색 발광 소자
KR101349409B1 (ko) * 2007-11-05 2014-02-13 엘지이노텍 주식회사 발광장치 및 그 제조방법
US7989236B2 (en) * 2007-12-27 2011-08-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of making phosphor containing glass plate, method of making light emitting device
JP5371359B2 (ja) * 2007-12-27 2013-12-18 豊田合成株式会社 蛍光体含有ガラス板及び発光装置の製造方法
US8471283B2 (en) * 2008-02-25 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED lamp, backlight, light emitting device, display device and illumination device
US8283190B2 (en) * 2008-06-26 2012-10-09 Osram Sylvania Inc. LED lamp with remote phosphor coating and method of making the lamp
JP2008311670A (ja) * 2008-07-18 2008-12-25 Lite-On Technology Corp 白色光発光ダイオード
KR100924912B1 (ko) * 2008-07-29 2009-11-03 서울반도체 주식회사 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈
CN201262372Y (zh) * 2008-09-04 2009-06-24 严钱军 一种交流led光源器件
WO2010038190A1 (en) * 2008-10-02 2010-04-08 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Led circuit arrangement with improved flicker performance
US8471494B2 (en) * 2009-01-29 2013-06-25 Broit Light, L.L.C. LED white-light devices for direct form, fit, and function replacement of existing fluorescent lighting devices
US8890442B2 (en) * 2009-02-12 2014-11-18 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device system and driver
US8662732B2 (en) * 2009-05-01 2014-03-04 LED Bulb L.L.C. Light emitting diode devices containing replaceable subassemblies
EP3573432A3 (en) * 2009-05-28 2020-02-12 Lynk Labs, Inc. Multi-voltage and multi-brigthness led lighting devices and methods of using
US8803171B2 (en) * 2009-07-22 2014-08-12 Koninklijke Philips N.V. Reduced color over angle variation LEDs
CN101705095B (zh) * 2009-09-21 2011-08-10 四川新力光源有限公司 黄光余辉材料及其制备方法和使用它的led照明装置
US8829804B2 (en) * 2010-01-07 2014-09-09 Koninklijke Philips N.V. LED lighting circuit
US8866402B2 (en) * 2010-02-16 2014-10-21 Tai-Her Yang Current regulator drive circuit shunting current by voltage-dividing load
US8420415B2 (en) * 2010-03-02 2013-04-16 Micron Technology, Inc. Method for forming a light conversion material
US8384105B2 (en) * 2010-03-19 2013-02-26 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes with enhanced thermal sinking and associated methods of operation
MX2013005202A (es) * 2010-03-30 2013-11-20 Changchn Inst Of Applied Chemistry Chinese Academy Of Sciences Dispositivo de corriente alterna de led blanco.
TWI455647B (zh) * 2010-05-19 2014-10-01 Univ Nat Cheng Kung 發光二極體驅動裝置

Also Published As

Publication number Publication date
MX2013005202A (es) 2013-11-20
ES2622331T3 (es) 2017-07-06
AU2011328857A1 (en) 2013-06-27
RU2541425C2 (ru) 2015-02-10
WO2012062065A1 (zh) 2012-05-18
AU2016201343A1 (en) 2016-03-24
CN103329289B (zh) 2017-03-15
EP2639839A1 (en) 2013-09-18
EP2639839B1 (en) 2017-02-22
CN102074644B (zh) 2012-05-23
AU2011328857B2 (en) 2015-12-03
AU2016201343B2 (en) 2017-03-30
US20130221870A1 (en) 2013-08-29
JP2014502419A (ja) 2014-01-30
EP2639839A4 (en) 2014-09-03
CN103329289A (zh) 2013-09-25
KR20130125775A (ko) 2013-11-19
SG190239A1 (en) 2013-07-31
RU2014148090A3 (ru) 2018-06-07
CN102074644A (zh) 2011-05-25
US9185761B2 (en) 2015-11-10
CA2817167A1 (en) 2012-05-18
RU2013125341A (ru) 2014-12-20
CA2817167C (en) 2016-09-06
US20160029454A1 (en) 2016-01-28
ZA201303331B (en) 2014-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014148090A (ru) Светоизлучающий материал и белое светодиодное (led ) устройство
CA2773846C (en) Yellow light afterglow material and preparation method thereof as well as led illuminating device using same
TW200613519A (en) Phosphor and an incandescent lamp color light emitting diode lamp using the same
CN102468413B (zh) 一种交流led发光装置
Asami et al. Flicker suppression of AC driven white LED by yellow persistent phosphor of Ce3+–Cr3+ co-doped garnet
US10624167B2 (en) AC-LED with hybrid LED channels
CA2792189C (en) White light emitting diode (led) lighting device driven by pulse current
CA2792186C (en) White light emitting diode (led) lighting device
CN101717632A (zh) 模拟光合作用光谱的发光材料及其发光二极管固态光源
CN104716248A (zh) 全新高性能的led高显yag成份绿粉
CN102468414B (zh) 脉冲led白光发光装置
CN102466146A (zh) 一种脉冲led发光装置
CN102344797A (zh) 一种荧光粉组成物及使用该荧光粉的交流电发光二极管
Tsai et al. Improving the lumen efficiency by air-gap embedded package in white light-emitting diodes
Asami et al. Flicker suppression in AC driven white LED lighting system by yellow persistent phosphors of Ce-doped garnet
JP2012021130A (ja) Ａｃｌｅｄ用蛍光組成物、および、該組成物を用いて製造されるａｃｌｅｄ
CN102045924A (zh) 照明电路
CN101453804A (zh) 白光发光装置
HK1175302A (en) White light emitting diode (led) lighting device

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20181115