RU2013101657A - OUTPUT CASCADE OF POWER AMPLIFIER BASED ON COMPLETE TRANSISTORS - Google Patents
OUTPUT CASCADE OF POWER AMPLIFIER BASED ON COMPLETE TRANSISTORS Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013101657A RU2013101657A RU2013101657/08A RU2013101657A RU2013101657A RU 2013101657 A RU2013101657 A RU 2013101657A RU 2013101657/08 A RU2013101657/08 A RU 2013101657/08A RU 2013101657 A RU2013101657 A RU 2013101657A RU 2013101657 A RU2013101657 A RU 2013101657A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- bus
- source
- output
- input
- Prior art date
Links
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
1. Выходной каскад усилителя мощности на основе комплементарных транзисторов, содержащий первый (1) и второй (2) выходные транзисторы разного типа проводимости, эмиттеры которых связаны с выходом устройства (3), первую (4) шину питания, связанную с коллектором первого (1) выходного транзистора, вторую (5) шину источника питания, соединенную с коллектором второго (2) выходного транзистора, вход устройства (4), отличающийся тем, что вход устройства (4) соединен с затворами первого (6) и второго (7) входных транзисторов с управляющим р-n переходом, стоки которых подключены ко второй (5) шине источника питания, база первого (1) выходного транзистора соединена с истоком первого (6) входного транзистора и стоком первого (8) вспомогательного транзистора, затвор которого подключен к первой (4) шине источника питания, а исток связан с первой (4) шиной источника питания, база второго (2) выходного транзистора соединена с истоком второго (7) входного транзистора и стоком второго (9) дополнительного транзистора, затвор которого соединен с первой (4) шиной источника питания, а исток соединен с первой (4) шиной источника питания через первую (10) цепь последовательно-параллельно соединенных р-n переходов.2. Выходной каскад усилителя мощности на основе комплементарных транзисторов по п.1, отличающийся тем, что исток первого (8) вспомогательного транзистора связан с первой (4) шиной источника питания через вторую (11) цепь последовательно-параллельно соединенных р-n переходов.3. Выходной каскад усилителя мощности на основе комплементарных транзисторов по п.1, отличающийся тем, что в качестве первого (6) входного транзистора используется составной полевой тра1. The output stage of the power amplifier based on complementary transistors, containing the first (1) and second (2) output transistors of different types of conductivity, the emitters of which are connected to the output of the device (3), the first (4) power bus connected to the collector of the first (1 ) the output transistor, the second (5) bus of the power source connected to the collector of the second (2) output transistor, the input of the device (4), characterized in that the input of the device (4) is connected to the gates of the first (6) and second (7) input transistors with a pn junction, drains to They are connected to the second (5) bus of the power source, the base of the first (1) output transistor is connected to the source of the first (6) input transistor and the drain of the first (8) auxiliary transistor, the gate of which is connected to the first (4) bus of the power source, and the source connected to the first (4) bus of the power supply, the base of the second (2) output transistor is connected to the source of the second (7) input transistor and the drain of the second (9) additional transistor, the gate of which is connected to the first (4) bus of the power source, and the source is connected with the first (4) bus power supply through the first (10) circuit of series-parallel connected pn junctions. 2. The output stage of a power amplifier based on complementary transistors according to claim 1, characterized in that the source of the first (8) auxiliary transistor is connected to the first (4) bus of the power source through a second (11) circuit of pn junctions connected in series to parallel. The output stage of the power amplifier based on complementary transistors according to claim 1, characterized in that as the first (6) input transistor, a composite field tracer is used
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013101657/08A RU2523947C1 (en) | 2013-01-11 | 2013-01-11 | Output stage of power amplifier based on complementary transistors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013101657/08A RU2523947C1 (en) | 2013-01-11 | 2013-01-11 | Output stage of power amplifier based on complementary transistors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013101657A true RU2013101657A (en) | 2014-07-20 |
| RU2523947C1 RU2523947C1 (en) | 2014-07-27 |
Family
ID=51215343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013101657/08A RU2523947C1 (en) | 2013-01-11 | 2013-01-11 | Output stage of power amplifier based on complementary transistors |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2523947C1 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2677401C1 (en) * | 2018-03-02 | 2019-01-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Bipolar-field buffer amplifier |
| RU2766868C1 (en) * | 2021-09-08 | 2022-03-16 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) | Gallium arsenide buffer amplifier |
| RU2767976C1 (en) * | 2021-09-09 | 2022-03-22 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ) | Gallium arsenide power amplifier output stage |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU36590U1 (en) * | 2003-10-27 | 2004-03-10 | Затыльский Лев Васильевич | Broadband Power Amplifier Output Stage |
| US7411455B2 (en) * | 2006-01-10 | 2008-08-12 | Fairchild Semiconductor Corporation | High output current buffer |
| RU2384937C1 (en) * | 2008-08-12 | 2010-03-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") | Complementary differential amplifier with controlled gain |
-
2013
- 2013-01-11 RU RU2013101657/08A patent/RU2523947C1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2523947C1 (en) | 2014-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2013006703A3 (en) | Power mosfet with integrated gate resistor and diode-connected mosfet | |
| RU2013100769A (en) | MULTI-DIFFERENTIAL OPERATIONAL AMPLIFIER | |
| JP2015129903A5 (en) | Semiconductor device | |
| EP2863433A3 (en) | Semiconductor device and driving system | |
| JP2013009368A5 (en) | ||
| RU2013101657A (en) | OUTPUT CASCADE OF POWER AMPLIFIER BASED ON COMPLETE TRANSISTORS | |
| JP2014075785A5 (en) | ||
| JP2015023098A5 (en) | ||
| FR2982720B1 (en) | POWER SWITCH | |
| RU2013119661A (en) | OPERATING AMPLIFIER WITH PARAFASE OUTPUT | |
| RU2013127913A (en) | COMPONENT TRANSISTOR WITH A SMALL OUTPUT CAPACITY | |
| RU2008109765A (en) | HIGH FREQUENCY DIFFERENTIAL AMPLIFIER | |
| RU2008113266A (en) | CASCODE DIFFERENTIAL AMPLIFIER | |
| RU2008110769A (en) | MULTIDIFFERENTIAL AMPLIFIER | |
| RU2012140888A (en) | RS-TRIGGER WITH MULTI-SIGNAL INTERNAL SIGNAL REPRESENTATION | |
| FR2961978B1 (en) | BISTABLE CIRCUIT IN CML LOGIC | |
| RU2008103997A (en) | CASCODE DIFFERENTIAL AMPLIFIER | |
| RU2015149773A (en) | MULTI-DIFFERENTIAL OPERATIONAL AMPLIFIER | |
| RU2013100715A (en) | POWER SUPPLY SOURCE | |
| RU2012140901A (en) | BROADBAND CASCODE AMPLIFIER | |
| RU2013133132A (en) | FUNCTIONALLY COMPLETE TOLERANT ELEMENT | |
| UA161108U (en) | Semiconductor radiation sensor-converter | |
| RU2012139007A (en) | COMPONENT TRANSISTOR | |
| RU2015107433A (en) | Multiple Gate AND | |
| RU2012137330A (en) | SELECTION AMPLIFIER |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150112 |