RU2012130044A - Способ изготовления свч полевого транзистора - Google Patents
Способ изготовления свч полевого транзистора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012130044A RU2012130044A RU2012130044/28A RU2012130044A RU2012130044A RU 2012130044 A RU2012130044 A RU 2012130044A RU 2012130044/28 A RU2012130044/28 A RU 2012130044/28A RU 2012130044 A RU2012130044 A RU 2012130044A RU 2012130044 A RU2012130044 A RU 2012130044A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transistor
- ions
- microwave field
- plate
- type
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 4
- -1 silicon ions Chemical class 0.000 claims abstract 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Способ изготовления СВЧ полевого транзистора, включающий создание n-n-i типа полупроводниковой структуры путем ионного легирования полуизолирующих пластин арсенида галлия ионами кремния, отличающийся тем, что после формирования n-n-i типа структуры и топологических элементов транзистора на этой структуре, проводится дополнительное легирование пластины ионами кремния и имплантация в пластину ионов бора, вследствие чего значительно сокращается канал транзистора, а на открытой поверхности n-n-i структуры формируется пассивный слабопроводящий слой.
Claims (1)
- Способ изготовления СВЧ полевого транзистора, включающий создание n+-n-i типа полупроводниковой структуры путем ионного легирования полуизолирующих пластин арсенида галлия ионами кремния, отличающийся тем, что после формирования n+-n-i типа структуры и топологических элементов транзистора на этой структуре, проводится дополнительное легирование пластины ионами кремния и имплантация в пластину ионов бора, вследствие чего значительно сокращается канал транзистора, а на открытой поверхности n+-n-i структуры формируется пассивный слабопроводящий слой.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012130044/28A RU2523060C2 (ru) | 2012-07-17 | 2012-07-17 | Способ изготовления свч полевого транзистора |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012130044/28A RU2523060C2 (ru) | 2012-07-17 | 2012-07-17 | Способ изготовления свч полевого транзистора |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012130044A true RU2012130044A (ru) | 2014-01-27 |
| RU2523060C2 RU2523060C2 (ru) | 2014-07-20 |
Family
ID=49956692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012130044/28A RU2523060C2 (ru) | 2012-07-17 | 2012-07-17 | Способ изготовления свч полевого транзистора |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2523060C2 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2671312C2 (ru) * | 2016-01-26 | 2018-10-30 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП") | Способ изготовления высокочастотного полевого транзистора с дополнительным полевым электродом |
| RU2723981C1 (ru) * | 2019-08-06 | 2020-06-18 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1827143A3 (ru) * | 1991-04-18 | 1996-06-27 | Товарищество с ограниченной ответственностью "КМК" | Способ изготовления мощного кремниевого транзистора |
| US7368371B2 (en) * | 2006-06-16 | 2008-05-06 | Chip Integration Tech. Co., Ltd. | Silicon carbide Schottky diode and method of making the same |
| RU2349987C1 (ru) * | 2007-07-17 | 2009-03-20 | Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" | Способ изготовления полевого транзистора с барьером шоттки |
| RU2361319C1 (ru) * | 2008-01-09 | 2009-07-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Способ изготовления свч полевого транзистора с барьером шотки |
| RU2436186C2 (ru) * | 2010-01-27 | 2011-12-10 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") | Способ изготовления полевых транзисторов с самосовмещенным затвором субмикронной длины |
-
2012
- 2012-07-17 RU RU2012130044/28A patent/RU2523060C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2523060C2 (ru) | 2014-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201613098A (en) | Semiconductor device | |
| EP2879189A3 (en) | Solar cell and method of manufacturing the same | |
| TW201613105A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| SG10201804609UA (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| EP3514836A3 (en) | Gate contact structure over active gate and method to fabricate same | |
| EP2755237A3 (en) | Trench MOS gate semiconductor device and method of fabricating the same | |
| MY182653A (en) | Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same | |
| MX373080B (es) | Fabricación de una región emisora de células solares mediante el uso de implantación iónica. | |
| EP2846358A3 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| GB2529583A (en) | Non-planar semiconductor device having doped sub-fin region and method to fabricate same | |
| WO2014172159A8 (en) | Defective p-n junction for backgated fully depleted silicon on insulator mosfet | |
| GB2571652A (en) | Vertical transistors with merged active area regions | |
| JP2014143419A5 (ru) | ||
| PH12016501871A1 (en) | Solar cells with tunnel dielectrics | |
| JP2017527110A5 (ru) | ||
| TW201613107A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
| TW201714253A (en) | Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate | |
| TW201712873A (en) | High electron mobility transistors with localized sub-fin isolation | |
| TW201614838A (en) | Semiconductor device and methods for forming the same | |
| GB2530197A (en) | Tunneling field effect transistors (TFETS) with undoped drain underlap wrap-around regions | |
| GB2522597A (en) | Lattice mismatched hetero-epitaxial film | |
| EP2782122A3 (en) | Manufacturing method of JFET semiconductor device and JFET semiconductor device | |
| EP4060749A3 (en) | Semiconductor device having group iii-v material active region and graded gate dielectric | |
| TW201614736A (en) | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device | |
| WO2014140000A3 (en) | Lateral single-photon avalanche diode and their manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150718 |