RU2011138163A

RU2011138163A - Модуль солнечной батареи

Info

Publication number: RU2011138163A
Application number: RU2011138163/28A
Authority: RU
Inventors: Такаси МУРАКАМИ; Хироюки ОЦУКА; Такенори ВАТАБЕ; Наоки ИСИКАВА
Original assignee: Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.
Priority date: 2009-02-17
Filing date: 2010-02-17
Publication date: 2013-03-27
Also published as: ES2785221T3; MY159905A; WO2010095634A1; EP2400560A1; TWI493732B; AU2010216750B2; SG173708A1; KR20110122176A; KR101733687B1; US20120103386A1; RU2526894C2; EP2400560B1; CN102356471B; EP2400560A4; AU2010216750A1; CN102356471A; TW201101509A; JPWO2010095634A1

Abstract

1. Модуль солнечных элементов, содержащий, при поочередном расположении, первый солнечный элемент, содержащий подложку первого типа проводимости, имеющую светоприемную поверхность и несветоприемную поверхность и электроды противоположной полярности, сформированные на светоприемной и несветоприемной поверхностях, соответственно, и второй солнечный элемент, содержащий подложку второго типа проводимости, имеющую светоприемную поверхность и несветоприемную поверхность и электроды противоположной полярности, сформированные на светоприемной и несветоприемной поверхностях, соответственно.2. Модуль солнечных элементов по п.1, включающий в себя секцию, в которой первый и второй солнечные элементы соединены последовательно, при этом число первых солнечных элементов, использованных в секции с последовательным соединением, составляет от 50% до 70%, а число вторых солнечных элементов, использованных в секции с последовательным соединением, составляет от 30% до 50%.3. Модуль солнечных элементов по п.1, в котором подложка первого типа проводимости является подложкой из полупроводника n-типа, а подложка второго типа проводимости является подложкой из полупроводника p-типа.4. Модуль солнечных элементов по п.1, в котором солнечные элементы расположены таким образом, что расстояние между ними составляет от 0,1 мм до 3,0 мм.5. Модуль солнечных элементов по п.1, в котором разность в плотности тока короткого замыкания между первым и вторым солнечными элементами составляет вплоть до 20%.

Claims

1. Модуль солнечных элементов, содержащий, при поочередном расположении, первый солнечный элемент, содержащий подложку первого типа проводимости, имеющую светоприемную поверхность и несветоприемную поверхность и электроды противоположной полярности, сформированные на светоприемной и несветоприемной поверхностях, соответственно, и второй солнечный элемент, содержащий подложку второго типа проводимости, имеющую светоприемную поверхность и несветоприемную поверхность и электроды противоположной полярности, сформированные на светоприемной и несветоприемной поверхностях, соответственно.

2. Модуль солнечных элементов по п.1, включающий в себя секцию, в которой первый и второй солнечные элементы соединены последовательно, при этом число первых солнечных элементов, использованных в секции с последовательным соединением, составляет от 50% до 70%, а число вторых солнечных элементов, использованных в секции с последовательным соединением, составляет от 30% до 50%.

3. Модуль солнечных элементов по п.1, в котором подложка первого типа проводимости является подложкой из полупроводника n-типа, а подложка второго типа проводимости является подложкой из полупроводника p-типа.

4. Модуль солнечных элементов по п.1, в котором солнечные элементы расположены таким образом, что расстояние между ними составляет от 0,1 мм до 3,0 мм.

5. Модуль солнечных элементов по п.1, в котором разность в плотности тока короткого замыкания между первым и вторым солнечными элементами составляет вплоть до 20%.