RU2009128178A - Светоизлучающее устройство, содержащее фильтр - Google Patents
Светоизлучающее устройство, содержащее фильтр Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009128178A RU2009128178A RU2009128178/28A RU2009128178A RU2009128178A RU 2009128178 A RU2009128178 A RU 2009128178A RU 2009128178/28 A RU2009128178/28 A RU 2009128178/28A RU 2009128178 A RU2009128178 A RU 2009128178A RU 2009128178 A RU2009128178 A RU 2009128178A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light
- filter
- wavelength converting
- converting material
- path
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
1. Устройство, содержащее !полупроводниковую структуру 10, включающую в себя светоизлучающую область 12, расположенную между областью n-типа и областью р-типа, где данная светоизлучающая область сформирована так, чтобы излучать первый свет; ! преобразующий длину волны материал 20, 24, 27, расположенный на пути первого света, где данный преобразующий длину волны материал сформирован так, чтобы поглощать часть первого света и излучать второй свет; и ! фильтр 22, 26, 32, 34, расположенный на пути первого света, где данный фильтр сформирован так, чтобы поглощать или отражать часть первого света при входной интенсивности потока, большей, чем заданная ненулевая входная интенсивность потока. ! 2. Устройство по п.1, где полупроводниковая структура 10 содержит множество III-ниридных слоев. ! 3. Устройство по п.1, где первый свет содержит синий свет, а второй свет содержит желтый свет. ! 4. Устройство по п.1, где преобразующий длину волны материал 20, 24, 27 содержит люминофор. ! 5. Устройство по п.1, дополнительно содержащее линзу 30, расположенную над полупроводниковой структурой 10, где фильтр 32 нанесен на поверхность данной линзы. ! 6. Устройство, содержащее ! полупроводниковую структуру 10, включающую в себя светоизлучающую область 12, расположенную между областью n-типа и областью р-типа, где данная светоизлучающая область сформирована так, чтобы излучать первый свет; ! преобразующий длину волны материал 20, 24, 27, расположенный на пути первого света, где данный преобразующий длину волны материал сформирован так, чтобы поглощать часть первого света и излучать второй свет; и ! фильтр 22, 26, 32, 34, расположенный на пути первого света и второго света, где дан�
Claims (9)
1. Устройство, содержащее
полупроводниковую структуру 10, включающую в себя светоизлучающую область 12, расположенную между областью n-типа и областью р-типа, где данная светоизлучающая область сформирована так, чтобы излучать первый свет;
преобразующий длину волны материал 20, 24, 27, расположенный на пути первого света, где данный преобразующий длину волны материал сформирован так, чтобы поглощать часть первого света и излучать второй свет; и
фильтр 22, 26, 32, 34, расположенный на пути первого света, где данный фильтр сформирован так, чтобы поглощать или отражать часть первого света при входной интенсивности потока, большей, чем заданная ненулевая входная интенсивность потока.
2. Устройство по п.1, где полупроводниковая структура 10 содержит множество III-ниридных слоев.
3. Устройство по п.1, где первый свет содержит синий свет, а второй свет содержит желтый свет.
4. Устройство по п.1, где преобразующий длину волны материал 20, 24, 27 содержит люминофор.
5. Устройство по п.1, дополнительно содержащее линзу 30, расположенную над полупроводниковой структурой 10, где фильтр 32 нанесен на поверхность данной линзы.
6. Устройство, содержащее
полупроводниковую структуру 10, включающую в себя светоизлучающую область 12, расположенную между областью n-типа и областью р-типа, где данная светоизлучающая область сформирована так, чтобы излучать первый свет;
преобразующий длину волны материал 20, 24, 27, расположенный на пути первого света, где данный преобразующий длину волны материал сформирован так, чтобы поглощать часть первого света и излучать второй свет; и
фильтр 22, 26, 32, 34, расположенный на пути первого света и второго света, где данный фильтр сформирован так, чтобы поглощать или отражать часть второго света, где данный фильтр сформирован так, чтобы пропускать, по меньшей мере, 50% света, падающего на фильтр;
где данный преобразующий длину волны материал расположен между полупроводниковой структурой и фильтром.
7. Устройство по п.6, где данный фильтр представляет собой первый фильтр, причем устройство дополнительно содержит второй фильтр, расположенный на пути первого света и второго света, где второй фильтр сформирован так, чтобы поглощать или отражать часть первого света.
8. Устройство по п.6, где первый свет содержит синий свет, а второй свет содержит желтый свет.
9. Устройство по п.6, где после прохождения через фильтр композитный свет, содержащий первый свет и второй свет, выглядит белым.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/615,291 US8704254B2 (en) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | Light emitting device including a filter |
| US11/615,291 | 2006-12-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009128178A true RU2009128178A (ru) | 2011-01-27 |
| RU2457580C2 RU2457580C2 (ru) | 2012-07-27 |
Family
ID=39272088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009128178/28A RU2457580C2 (ru) | 2006-12-22 | 2007-12-21 | Светоизлучающее устройство, содержащее фильтр (варианты) |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8704254B2 (ru) |
| EP (1) | EP2126983B1 (ru) |
| JP (1) | JP5284273B2 (ru) |
| KR (1) | KR101490149B1 (ru) |
| CN (1) | CN101652868B (ru) |
| BR (1) | BRPI0721144A8 (ru) |
| RU (1) | RU2457580C2 (ru) |
| TW (1) | TWI487134B (ru) |
| WO (1) | WO2008078299A1 (ru) |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
| US8637883B2 (en) * | 2008-03-19 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Low index spacer layer in LED devices |
| US7888691B2 (en) * | 2008-08-29 | 2011-02-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light source including a wavelength-converted semiconductor light emitting device and a filter |
| JP2012502474A (ja) * | 2008-09-04 | 2012-01-26 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 高アスペクト比を有する単色光源 |
| EP2335331A1 (en) | 2008-09-04 | 2011-06-22 | 3M Innovative Properties Company | Monochromatic light source |
| US8183585B2 (en) * | 2008-09-16 | 2012-05-22 | Osram Sylvania Inc. | Lighting module |
| US8022626B2 (en) * | 2008-09-16 | 2011-09-20 | Osram Sylvania Inc. | Lighting module |
| US8188486B2 (en) * | 2008-09-16 | 2012-05-29 | Osram Sylvania Inc. | Optical disk for lighting module |
| US20100067240A1 (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-18 | John Selverian | Optical Cup For Lighting Module |
| JP5701768B2 (ja) * | 2008-11-18 | 2015-04-15 | リングデール インコーポレーテッド | ヒートシンクと熱伝導性ガラス製カバーを備えたｌｅｄ光源アセンブリ |
| US9711688B2 (en) | 2008-12-02 | 2017-07-18 | Koninklijke Philips N.V. | Controlling LED emission pattern using optically active materials |
| JP4799606B2 (ja) * | 2008-12-08 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
| JP4724222B2 (ja) | 2008-12-12 | 2011-07-13 | 株式会社東芝 | 発光装置の製造方法 |
| CN101477982B (zh) * | 2009-01-07 | 2011-08-17 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 光转换器及其制造方法和发光二极管 |
| KR101064082B1 (ko) * | 2009-01-21 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| JP5410167B2 (ja) | 2009-06-12 | 2014-02-05 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび車両用前照灯 |
| US20110012141A1 (en) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Le Toquin Ronan P | Single-color wavelength-converted light emitting devices |
| KR101021416B1 (ko) | 2009-08-03 | 2011-03-14 | 한국광기술원 | 파장변환기둥들을 구비하는 발광다이오드 및 이의 제조방법 |
| JP2011040495A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
| JP2011040494A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
| US8581229B2 (en) | 2009-11-23 | 2013-11-12 | Koninklijke Philips N.V. | III-V light emitting device with thin n-type region |
| JP5515992B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2014-06-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| WO2011145794A1 (ko) | 2010-05-18 | 2011-11-24 | 서울반도체 주식회사 | 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR20120024104A (ko) * | 2010-09-06 | 2012-03-14 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 소자 |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| KR101795051B1 (ko) * | 2011-08-09 | 2017-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| US9257617B2 (en) * | 2012-02-10 | 2016-02-09 | Koninklijke Philips N.V. | Wavelength converted light emitting device |
| DE102012005657B4 (de) | 2012-03-22 | 2020-06-10 | Schott Ag | Weißlichtbeleuchtungsvorrichtung |
| JP5985322B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2016-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| EP2837041B1 (en) * | 2012-04-13 | 2019-07-03 | Lumileds Holding B.V. | A light conversion assembly, a lamp and a luminaire |
| KR102072769B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2020-02-03 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 원격 나노구조 형광체를 갖는 발광 장치 |
| DE102012211217A1 (de) * | 2012-06-28 | 2014-01-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische bauelementevorrichtung und verfahren zum herstellen einer optoelektronischen bauelementevorrichtung |
| US9608181B2 (en) * | 2012-12-20 | 2017-03-28 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Opto-electronic modules with masking feature for reducing the visibility of interior components |
| WO2015064883A1 (en) | 2013-11-01 | 2015-05-07 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light source module and backlight unit having the same |
| KR102246646B1 (ko) * | 2013-11-01 | 2021-04-30 | 서울반도체 주식회사 | 광원 모듈 및 이를 구비한 백라이트 유닛 |
| JP2014042074A (ja) * | 2013-11-20 | 2014-03-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュール |
| WO2015074934A1 (en) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | Koninklijke Philips N.V. | Lighting arrangement with improved illumination uniformity |
| TWI651840B (zh) * | 2013-12-27 | 2019-02-21 | 菱生精密工業股份有限公司 | 具濾光層之微型光學封裝結構及其製造方法 |
| CN103855259B (zh) * | 2014-01-26 | 2017-09-08 | 上海瑞丰光电子有限公司 | Led封装方法 |
| KR102415331B1 (ko) | 2015-08-26 | 2022-06-30 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치 |
| KR102417181B1 (ko) * | 2015-11-09 | 2022-07-05 | 삼성전자주식회사 | 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법 |
| KR102481646B1 (ko) | 2015-11-12 | 2022-12-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
| JP6750252B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2020-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP7108171B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2022-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US10319889B2 (en) * | 2016-12-27 | 2019-06-11 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| CN107527982A (zh) * | 2017-08-28 | 2017-12-29 | 聚灿光电科技股份有限公司 | Led芯片及其制作方法 |
| US10244687B1 (en) * | 2018-02-28 | 2019-04-02 | Spectrum King LLC | LED grow light system |
| WO2020005827A1 (en) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Lumileds Llc | Led utilizing internal color conversion with light extraction enhancements |
| US10868213B2 (en) | 2018-06-26 | 2020-12-15 | Lumileds Llc | LED utilizing internal color conversion with light extraction enhancements |
| EP3944345A4 (en) * | 2019-03-22 | 2022-12-14 | LG Innotek Co., Ltd. | LIGHTING MODULE AND LIGHTING DEVICE THEREOF |
| KR102452424B1 (ko) * | 2019-03-22 | 2022-10-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 차량용 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치 |
| US11714275B1 (en) | 2022-11-25 | 2023-08-01 | Christie Digital Systems Usa, Inc. | Dual phosphor wheel projection system |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5813752A (en) | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters |
| US6340824B1 (en) | 1997-09-01 | 2002-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
| US5952681A (en) | 1997-11-24 | 1999-09-14 | Chen; Hsing | Light emitting diode emitting red, green and blue light |
| US6351069B1 (en) | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Red-deficiency-compensating phosphor LED |
| US6696703B2 (en) | 1999-09-27 | 2004-02-24 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Thin film phosphor-converted light emitting diode device |
| US6630691B1 (en) | 1999-09-27 | 2003-10-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion |
| US6650044B1 (en) | 2000-10-13 | 2003-11-18 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Stenciling phosphor layers on light emitting diodes |
| US6576488B2 (en) | 2001-06-11 | 2003-06-10 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor |
| US6623142B1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-09-23 | Delphi Technologies, Inc. | Method and apparatus for correcting optical non-uniformities in a light emitting diode |
| US20030225232A1 (en) | 2002-03-28 | 2003-12-04 | Tang Ben Zhong | Hyperbranched polymers |
| JP4360788B2 (ja) | 2002-08-29 | 2009-11-11 | シチズン電子株式会社 | 液晶表示板用のバックライト及びそれに用いる発光ダイオードの製造方法 |
| US6744077B2 (en) | 2002-09-27 | 2004-06-01 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices |
| TW583703B (en) * | 2002-10-11 | 2004-04-11 | High Link Technology Corp | Optoelectronic unit and transparent conductive substrate of the same |
| JP2004193580A (ja) * | 2002-11-25 | 2004-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｌｅｄ照明光源 |
| US7118438B2 (en) * | 2003-01-27 | 2006-10-10 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector |
| US7091653B2 (en) * | 2003-01-27 | 2006-08-15 | 3M Innovative Properties Company | Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector |
| RU2261502C1 (ru) * | 2004-02-05 | 2005-09-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт ГИРИКОНД" | Фотолюминесцентный излучатель, полупроводниковый фотоэлемент и оптрон на их основе |
| US7361938B2 (en) | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
| US8110281B2 (en) * | 2004-07-02 | 2012-02-07 | 3Dtl, Inc. | Systems and methods for creating optical effects on media |
| US7462502B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-12-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Color control by alteration of wavelength converting element |
| US7196354B1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-27 | Luminus Devices, Inc. | Wavelength-converting light-emitting devices |
| RU53500U1 (ru) * | 2005-11-22 | 2006-05-10 | Емельян Михайлович Гамарц | Электролюминесцентный излучатель |
-
2006
- 2006-12-22 US US11/615,291 patent/US8704254B2/en active Active
-
2007
- 2007-12-20 TW TW096149049A patent/TWI487134B/zh active
- 2007-12-21 BR BRPI0721144A patent/BRPI0721144A8/pt not_active Application Discontinuation
- 2007-12-21 JP JP2009542381A patent/JP5284273B2/ja active Active
- 2007-12-21 EP EP07859488.4A patent/EP2126983B1/en active Active
- 2007-12-21 CN CN2007800476834A patent/CN101652868B/zh active Active
- 2007-12-21 KR KR1020097015365A patent/KR101490149B1/ko active Active
- 2007-12-21 WO PCT/IB2007/055264 patent/WO2008078299A1/en not_active Ceased
- 2007-12-21 RU RU2009128178/28A patent/RU2457580C2/ru active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090096638A (ko) | 2009-09-11 |
| US8704254B2 (en) | 2014-04-22 |
| WO2008078299A1 (en) | 2008-07-03 |
| BRPI0721144A2 (pt) | 2014-03-11 |
| BRPI0721144A8 (pt) | 2015-09-22 |
| EP2126983B1 (en) | 2018-08-08 |
| JP2010521060A (ja) | 2010-06-17 |
| US20080179609A1 (en) | 2008-07-31 |
| TW200845426A (en) | 2008-11-16 |
| TWI487134B (zh) | 2015-06-01 |
| CN101652868B (zh) | 2011-08-03 |
| KR101490149B1 (ko) | 2015-02-06 |
| JP5284273B2 (ja) | 2013-09-11 |
| CN101652868A (zh) | 2010-02-17 |
| RU2457580C2 (ru) | 2012-07-27 |
| EP2126983A1 (en) | 2009-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2009128178A (ru) | Светоизлучающее устройство, содержащее фильтр | |
| JP6987752B2 (ja) | 例えばスポット照明用途の照明デバイス | |
| US20180206411A1 (en) | Led flip chip plant grow light | |
| WO2008078297A3 (en) | Semiconductor light emitting device configured to emit multiple wavelengths of light | |
| TW200733435A (en) | White light source | |
| WO2008019041A3 (en) | Led lighting arrangement including light emitting phosphor | |
| EP1619729A4 (en) | Light-emitting construction element on gallium nitride base | |
| WO2009102485A8 (en) | Broadband light emitting device lamps for providing white light output | |
| TW200614543A (en) | Luminescent ceramic for a light emitting device | |
| ATE517966T1 (de) | Lichtemittierende vorrichtung mit leuchtstoffkonversion | |
| TW200625676A (en) | Method of producing a white-light emitting source, white-light emitting device and manufacturing method thereof | |
| RU2010139485A (ru) | Осветительное устройство с led и одним или более пропускающими окнами | |
| JP2009518874A5 (ru) | ||
| TW200746465A (en) | Phosphor converted light emitting device | |
| TW200707812A (en) | Device and method for emitting output light using multiple light sources with photoluminescent material | |
| RU2013119742A (ru) | Светоизлучающее устройство с преобразованной длиной волны | |
| Lin et al. | Ring remote phosphor structure for phosphor-converted white LEDs | |
| GB0501209D0 (en) | Light output device and method | |
| KR20160003067A (ko) | 발광 다이오드 부품 | |
| TW200703728A (en) | Light emitting device employing nanowire phosphors | |
| WO2009099423A3 (en) | Semiconductor light emitting devices with high color rendering | |
| KR20120035821A (ko) | 보색 광원 장치 | |
| TW200624546A (en) | Phosphor mixture of orange/red ZnSe0.5S0.5:Cu,Cl and green BaSrGa4S7:Eu for white phosphor-converted led | |
| US8998436B2 (en) | Light source apparatus of backlight module | |
| KR100956857B1 (ko) | 형광체를 포함한 백색 면광원장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190823 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |