JP2011040494A - 発光モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子が発する光を効率的に利用する。
【解決手段】発光モジュール６０において、半導体発光素子１４は、第１発光面１４ａおよび第１発光面１４ａに接する第２発光面１４ｂを有する。光波長変換部材６４は板状に形成され、第１発光面１４ａにその入射面が対向するよう配置されて半導体発光素子１４が発する光を波長変換して出射する。反射部材６２は、光波長変換部材６４の入射面６４ａに対向する位置に配置される。反射部材６２は、シリコンによって形成される。反射部材６２の反射面６２ｃは、光波長変換部材６４の入射面に近づくにしたがって第２発光面１４ｂから離間するよう傾斜して第２発光面１４ｂに対向する。反射部材６２の垂直面６２ｄは、反射面６２ｃよりも光波長変換部材６４から離間した位置において第１発光面１４ａと垂直に延在する。
【選択図】図８

Description

本発明は、発光モジュールに関し、特に発光素子とその発光素子が発する光を波長変換して出射する光波長変換部材とを備えるに関する。

従来から、蛍光体などを用いてＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの発光素子が発する光を波長変換することにより、発光素子が発する光の色とは異なる色の光を出射する発光モジュールを得る技術が知られている。これに対し、光の波長を変換するときの変換効率を増大させるべく、例えば波長変換材料を含むセラミック層を発光層によって放出された光の経路内に配置する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００６−５３６７号公報

例えばセラミック層は通常板状に形成されるため、上述の特許文献１に記載される技術では、発光素子を上から覆うようにセラミック層が配置される。一方、例えば発光素子の半導体層の側面からも光が発せられる。さらに、例えば結晶成長に用いたサファイアなどの基板をそのまま用いた発光素子では、その基板を導波した光が発光素子の側面からも出射する。この側面から発せられる光を適切に波長変換することができなければ、上方から見た発光素子の光の色と側方から見た発光素子の色とが異なる、いわゆる色分離が生じる。これに対し、この色分離を回避すべく発光素子の側面に対向する壁面を設けて側面から発せられる光を遮断する技術も考えられるが、利用できる光にロスが生じるおそれがある。

そこで、本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、発光素子が発する光を効率的に利用することにある。

上記課題を解決するために、本発明のある態様の発光モジュールは、第１発光面および第１発光面に接する第２発光面を有する発光素子と、第１発光面に入射面が対向するよう配置され、発光素子が発する光を波長変換して出射する板状の光波長変換部材と、光波長変換部材の入射面に対向する位置に配置された反射部材と、を備える。反射部材は、光波長変換部材の入射面に近づくにしたがって第２発光面から離間するよう傾斜して第２発光面に対向する反射面を有する。

この態様によれば、光波長変換部材の入射面に対向する位置に配置された反射部材を用いて、第２発光面から発せられる光を光波長変換部材の入射面に向けて反射させることができる。このため、発光素子が発する光を効率的に利用することができる。

反射部材は、シリコンによって形成されてもよい。反射部材をシリコンで形成することにより、例えばエッチングなど手法を用いて、反射率が高く上述のように傾斜させた反射面を簡易に形成することができる。

反射部材は、反射面に接すると共に反射面よりも光波長変換部材から離間した位置において第１発光面と垂直に延在する垂直面をさらに有してもよい。

この態様によれば、このような垂直面を設けない場合に比べ、反射面の角度を維持したまま反射部材を第２発光面により近づけることが可能となる。このため、発光素子と反射部材との間に生じる低輝度部分を削減することができ、輝度の均一性を高めることができる。

発光素子は、単一の光波長変換部材の入射面に各々の第１発光面が対向するよう互いに離間して複数並設され、反射部材は、複数の発光素子のうち互いに隣り合う一対の発光素子を区分けるよう一対の発光素子の間に配置され、一対の発光素子のうち少なくとも一方の第２発光面に対向するよう反射面が設けられてもよい。この態様によれば、反射部材を用いて一対の発光素子を区分けすることができる。このため、一対の発光素子の各々において効率的な光の利用を実現しつつ、両者を適切に区分けすることができる。

反射部材に光波長変換部材の入射面が載置されてもよい。この態様によれば、反射部材に光波長変換部材を支持する機能を持たせることができる。このため、反射部材と支持部材とを別々に設ける場合に比べコストを抑制することができる。

反射部材は、光波長変換部材の入射面から離間するよう形成されてもよい。この態様によれば、光波長変換部材の入射面に接するよう形成されている場合に比べ、反射面の角度を維持したまま反射部材を第２発光面により近づけることが可能となる。このため、発光モジュールの出射面積を抑制することができ、発光モジュールの輝度を高めることができる。

本発明によれば、発光素子が発する光を効率的に利用することができる。

（ａ）は、第１の実施形態に係る発光モジュールの断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の反射部材周辺の拡大図である 第１の実施形態に係る発光モジュールの一端部から他端部までの輝度分布を示す図である。 Ｗ１を変化させたときの発光モジュールの平均輝度を示す図である。 比較例１に係る発光モジュールの断面図である。 比較例２に係る発光モジュールの断面図である。 比較例１、比較例２、および第１の実施形態の各々の発光モジュールの光束を示す図である。 第２の実施形態に係る発光モジュールの断面図である。 （ａ）は、第３の実施形態に係る発光モジュールの断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の反射部材周辺の拡大図である。 垂直面の高さと半導体発光素子が発する光の取り出しロスとの関係を示す図である。 第３の実施形態に係る発光モジュールの一端部から他端部までの輝度分布を示す図である。 第４の実施形態に係る発光モジュールの断面図である。 （ａ）は、第５の実施形態に係る発光モジュールの断面図であり、（ｂ）は、（ａ）における反射部材周辺の拡大図である。 （ａ）は、第６の実施形態に係る発光モジュールの断面図であり、（ｂ）は、（ａ）における反射部材周辺の拡大図である。 （ａ）は、第７の実施形態に係る発光モジュールの断面図であり、（ｂ）は、（ａ）における反射部材周辺の拡大図である。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態（以下、実施形態という）について詳細に説明する。

（第１の実施形態）
図１（ａ）は、第１の実施形態に係る発光モジュール１０の断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の反射部材１８周辺の拡大図である。発光モジュール１０は、実装基板１２、半導体発光素子１４、反射部材１８、および光波長変換部材２０を備える。

実装基板１２は、ＡｌＮなど熱伝導性が高い材料によって平板状に形成される。実装基板１２の実装面１２ａには電極（図示せず）が設けられている。半導体発光素子１４は、正方形状の主となる発光面である第１発光面１４ａと、各々が第１発光面１４ａに直角に接する４つの第２発光面１４ｂと、第１発光面１４ａの裏面１４ｃと、の６面を有する板状に形成される。なお、第１発光面１４ａと第２発光面１４ｂとは直角以外の角度で互いに接してもよい。

半導体発光素子１４は、ＬＥＤ素子によって構成される。第１の実施形態では、半導体発光素子１４として、青色の波長の光を主として発する青色ＬＥＤが採用されている。具体的には、半導体発光素子１４は、ＩｎＧａＮ系半導体層を結晶成長させることにより形成されるＩｎＧａＮ系ＬＥＤ素子によって構成されている。なお、半導体発光素子１４を形成するための材料はこれに限られず、例えばＩｎＮ、ＡｌＧａＮ、ＡＩＮのいずれかであってもよい。

半導体発光素子１４は、例えば１ｍｍ角のチップとして形成され、発する青色光の中心波長は４７０ｎｍとなるよう設けられている。なお、半導体発光素子１４の構成や発する光の波長が上述したものに限られないことは勿論であり、半導体発光素子１４は青以外の波長の光を主として発するものが採用されてもよい。

半導体発光素子１４は、いわゆるフリップチップのものが採用される。このため半導体発光素子１４の裏面１４ｃには、ｎ型電極およびｐ型電極の双方が設けられる。実装基板１２の実装面１２ａに設けられた電極と、裏面１４ｃに設けられたｎ型電極およびｐ型電極の各々とがＡｕバンプ１６によって接続される。これにより、実装基板１２の電極を通じた半導体発光素子１４への電力の供給が可能となる。

光波長変換部材２０は板状に形成される。光波長変換部材２０は、いわゆる発光セラミック、または蛍光セラミックと呼ばれるものであり、青色光によって励起される蛍光体であるＹＡＧ（Yttrium Alminum Garnet）粉末を用いて作成されたセラミック素地を焼結することにより得ることができる。このような光波長変換セラミックの製造方法は公知であることから詳細な説明は省略する。なお、光波長変換部材２０は、焼結セラミックに限定されず、例えばアモルファス、多結晶、単結晶のものを含み、結晶構造などによって限定されない。

また、光波長変換部材２０には、透明なものが採用されている。第１の実施形態において「透明」とは、変換波長域の光の全光線透過率が４０％以上のことを意味するものとする。発明者の鋭意なる研究開発の結果、変換波長域の光の全光線透過率が４０％以上の透明な状態であれば、光波長変換部材２０において光の波長を適切に変換できると共に、各々を通過する光の光度の減少も適切に抑制できることが判明した。したがって、光波長変換部材２０をこのように透明な状態にすることによって、半導体発光素子１４が発する光をより効率的に変換することができる。

また、光波長変換部材２０は有機系バインダーレスの無機物で構成され、有機系バインダーなどの有機物を含有する場合に比べて耐久性の向上が図られている。このため、例えば発光モジュール４０に１Ｗ（ワット）以上の電力を投入することが可能となっており、発光モジュール４０が発する光の輝度、光度、および光束を高めることが可能となっている。なお、光波長変換部材２０にバインダーが含まれていてもよい。

光波長変換部材２０は、半導体発光素子１４が主として発する青色光の波長を変換して黄色光を出射する。このため、発光モジュール４０からは、光波長変換部材２０をそのまま透過した青色光と、光波長変換部材２０によって波長変換され出射された黄色光との合成光である白色光が出射する。

光波長変換部材２０は、５０μｍ以上１０００μｍ未満の厚さに形成される。光波長変換部材２０は、半導体発光素子１４の第１発光面１４ａと同一の外形、または第１発光面１４ａよりも５％以上１０％以下大きい相似形の外形となるようダイシングされる。光波長変換部材２０は、半導体発光素子１４の第１発光面１４ａに接着剤を用いて固着される。このとき、シリコーン系、ゾルゲルシリカ系、フッ素系、無機ガラス系など耐光性に優れた接着剤が使用される。

こうして第１の実施形態では、光波長変換部材２０は第１発光面１４ａにその入射面２０ａが対向するよう配置される。光波長変換部材２０は、半導体発光素子１４が発する光が入射面２０ａから入射することにより、その光を波長変換して出射面２０ｂから出射する。

半導体発光素子１４は、例えばサファイアなどの結晶成長用基板上に半導体層を単結晶成長させることにより形成される。第１の実施形態に係る半導体発光素子１４は、このサファイアが除去されずに残されたものが使用されている。このため、この結晶成長用基板を導波した光が発光素子の側面からも出射する。また、第２発光面１４ｂのうち半導体層の部分からも光は発せられる。なお、結晶成長用基板が除去されたものが半導体発光素子１４として使用されてもよい。第１発光面１４ａから発せられる光だけでなく、このように第２発光面１４ｂから発せられる光も適切に波長変換できなければ、いわゆる色分離が生じるおそれがある。

このため、第１の実施形態では、発光モジュール１０に反射部材１８が設けられる。反射部材１８は、矩形の枠状に形成され、断面は四角形状に形成される。反射部材１８は、半導体発光素子１４を囲うように実装基板１２の実装面１２ａに載置され、下面１８ｂが実装面１２ａに接着によって固定される。このときの接着剤は上述と同様である。反射部材１８は、ハンダ接合、表面活性化接合、または陽極酸化接合などによって実装基板１２に接合されてもよい。なお、発光モジュール１０を製造する場合、半導体発光素子１４の実装前に反射部材１８が実装基板１２に固定され、その後、半導体発光素子１４がＡｕバンプ１６を介して実装基板１２の実装面１２ａに実装される。

反射部材１８の外面のうち下面１８ｂに背向する上面１８ａに、光波長変換部材２０の入射面２０ａが載置され、接着によって固定される。このときの接着剤は上述と同様である。こうして反射部材１８は、光波長変換部材２０の入射面２０ａに対向する位置に配置される。なお、光波長変換部材２０は、半導体発光素子１４に接着されているため反射部材１８に固定されていなくてもよい。

反射部材１８は、半導体発光素子１４の第２発光面１４ｂに対向する反射面１８ｃを有する。反射面１８ｃは、光波長変換部材２０の入射面２０ａに近づくにしたがって第２発光面１４ｂから離間するよう傾斜する。このように反射面１８ｃを形成することにより、半導体発光素子１４の第２発光面１４ｂから発せられた光を光波長変換部材２０の入射面２０ａに向けて反射することができる。このため、第２発光面１４ｂから発せられた光も有効利用することが可能となり、反射面１８ｃを設けない場合に比べ発光モジュール１０が発する光の光度を高めることができる。

反射部材１８は、シリコンによって形成される。このように反射部材１８をシリコンで形成することにより、エッチングを用いて反射面１８ｃを容易に形成することができる。反射部材１８を製造する場合、まず平板状の単結晶シリコンの基板に対し、上面１８ａに相当する部分にマスキングを施す。次にマスキングした側からウエットエッチングを施し、反射面１８ｃを形成する。ウエットエッチングの方法は公知であるため説明を省略する。

このように単結晶シリコンにウエットエッチングを施すことにより、簡易に反射面１８ｃを形成することができる。反射部材１８を単結晶シリコンによって形成することにより、反射面１８ｃを上面１８ａに対して５４．７°と正確な傾斜角度で形成することができる。反射面１８ｃの形成後、マスキングを除去する。なお、反射部材１８がシリコン以外の材料によって形成されてもよいことは勿論である。

反射部材１８の表面には、例えばアルミニウムまたは銀を蒸着させることによって反射率を８５％以上とした反射膜が設けられる。適切な電流の供給を実現すべく、この反射膜は下面１８ｂよりも５μｍ以上の部分に設けられる。なお、反射部材１８は、シリコン以外の材料によって形成されてもよい。反射部材１８は、上面１８ａに対する反射面１８ｃの傾斜角度が２０°以上７０°以下となるよう形成されてもよい。

図１（ｂ）に示すように、半導体発光素子１４の第２発光面１４ｂと反射部材１８の反射面１８ｃとの水平方向の距離をＷ１として、第１の実施形態では、Ｗ１を５０μｍ以下としている。以下、図２および図３に関連してＷ１を５０μｍ以下とした根拠について説明する。

図２は、第１の実施形態に係る発光モジュール１０の一端部から他端部までの輝度分布を示す図である。図２において、横軸が発光モジュール１０の一端部から他端部までの個所を示し、縦軸が光の平均強度に対する強度比を示す。また、Ａ１は、Ｗ１＝５０μｍ、Ａ２は、Ｗ１＝１２５μｍ、Ａ３は、Ｗ１＝２００μｍの場合を示す。図２に示すように、Ｗ１を広げるほど、発光モジュール１０の端部周辺において輝度の強度比が低い領域が広がる。

図３は、Ｗ１を変化させたときの発光モジュール１０の平均輝度を示す図である。図３に示すように、Ｗ１が大きくなるにしたがって平均輝度が低下する。したがって、高輝度の半導体素子を得るためには、半導体発光素子１４の第２発光面１４ｂと反射部材１８の反射面１８ｃとの距離を短くする必要がある。発明者による研究開発の結果、例えば照明などの用途に用いるために充分な平均輝度を得るためには、Ｗ１を５０μ以下にする必要があることが判明した。

図４は、比較例１に係る発光モジュール３００の断面図である。以下、発光モジュール１０と同様の個所は同一の符号を付して説明を省略する。

発光モジュール３００は、反射部材１８および光波長変換部材２０が設けられず、光波長変換部材３０２が設けられる以外は、第１の実施形態に係る発光モジュール１０と同様に構成される。光波長変換部材３０２は、第１の実施形態に係る光波長変換部材２０のような蛍光体セラミックではなく、蛍光体ペーストが用いられる。この蛍光体ペーストは、光波長変換部材２０に含まれるものと同様の蛍光体の粒子を透明なバインダーペーストに含有させて作られている。この蛍光体ペーストを、半導体発光素子１４を被覆するようポッティングし、またはモールド成形して硬化させることにより光波長変換部材３０２が形成される。なお、半導体発光素子１４上の光波長変換部材３０２の厚みは、第１の実施形態に係る光波長変換部材２０の厚みと同様とされている。

図５は、比較例２に係る発光モジュール４００の断面図である。以下、発光モジュール１０と同様の個所は同一の符号を付して説明を省略する。発光モジュール４００は、反射部材１８に代えて反射部材４０２が設けられる以外は、第１の実施形態に係る発光モジュール１０と同様に構成される。反射部材４０２は、反射部材１８と同様の材料により矩形の枠状に形成される。反射部材４０２の実装基板１２への固定方法などは光波長変換部材２０と同様である。

反射部材４０２のうち半導体発光素子１４の第２発光面１４ｂに対向する反射面４０２ａの表面には、例えばアルミニウムまたは銀を蒸着させることによって反射率を８５％以上とした反射膜が設けられる。この反射部材４０２は、断面が長方形状に形成される。したがって、反射面４０２ａは、実装基板１２の実装面１２ａおよび半導体発光素子１４の第１発光面１４ａに対し垂直に延在している。

図６は、比較例１、比較例２、および第１の実施形態の各々の発光モジュールの光束を示す図である。図６から分かるように、第１の実施形態に係る発光モジュール１０は、比較例１に係る発光モジュール３００、および比較例２に係る発光モジュール４００よりも高い光束が得られている。したがって、反射部材１８に反射面１８ｃを設けることとが光束の増加に寄与していることが分かる。

（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る発光モジュール４０の断面図である。以下、第１の実施形態と同様の個所は同一の符号を付して説明を省略する。

発光モジュール４０は、実装基板１２に代えて実装基板４２が設けられ、半導体発光素子１４に代えて半導体発光素子４４が設けられる以外は、第１の実施形態に係る発光モジュール１０と同様に構成される。半導体発光素子４４は、いわゆる縦型チップタイプのものが採用されている。実装基板４２の材質や形状は第１の実施形態に係る実装基板１２と同様であるが、実装面４２ａ上に形成されている電極は縦型チップの半導体発光素子４４に接続するためのものとなっている。半導体発光素子４４は、裏面４４ｃの電極は実装面４２ａの電極に直接接続され、第１発光面４４ａの電極は導電性ワイヤ４６を介して実装面４２ａの電極に接続される。

発光モジュール４０では、半導体発光素子４４の第１発光面４４ａは光波長変換部材２０の入射面２０ａに固着されず、両者の間には導電性ワイヤ４６を引き回すための間隔が設けられる。このため、光波長変換部材２０は、入射面２０ａが反射部材１８の上面１８ａに接着され固定される。

図７に示すように、半導体発光素子４４の第２発光面４４ｂと反射部材１８の反射面１８ｃとの水平方向の距離をＷ２として、第２の実施形態では、Ｗ２を２０μｍ以上１００μｍ以下としている。

反射面１８ｃは、光波長変換部材２０の入射面２０ａに近づくにしたがって第２発光面４４ｂから離間するよう傾斜する。縦型チップタイプの半導体発光素子４４においても、第１発光面４４ａに接する第２発光面４４ｂから光が発せられる。このように反射面１８ｃが設けられることにより、半導体発光素子４４が発する光を効率的に利用することができる。

（第３の実施形態）
図８（ａ）は、第３の実施形態に係る発光モジュール６０の断面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）の反射部材６２周辺の拡大図である。以下、上述の実施形態と同様の個所は同一の符号を付して説明を省略する。

発光モジュール６０は、反射部材１８に代えて反射部材６２が設けられる以外は、第１の実施形態に係る発光モジュール４０と同様に構成される。反射部材６２は、矩形の枠状に形成される。反射部材６２もまた、半導体発光素子１４を囲うように実装基板１２の実装面１２ａに載置され、下面６２ｂが実装面１２ａに接着などによって固定される。なお、発光モジュール１０を製造する場合、反射部材６２の次に半導体発光素子１４が実装基板１２の実装面１２ａに実装される点は第１の実施形態と同様である。また、反射部材６２の上面６２ａに光波長変換部材２０の入射面２０ａが固着される点も第１の実施形態と同様である。

反射部材６２もまた、反射面６２ｃを有する。反射面６２ｃは、光波長変換部材２０の入射面２０ａに近づくにしたがって第２発光面１４ｂから離間するよう傾斜する。反射面６２ｃの形成方法や傾斜角度は第１の実施形態に係る反射面１８ｃと同様である。

一方、反射部材６２は、反射面６２ｃに接すると共に反射面６２ｃよりも光波長変換部材２０から離間した位置において第１発光面１４ａおよび実装面１２ａと垂直に延在する垂直面６２ｄを有する。このような垂直面６２ｄを設けることにより、反射部材６２を半導体発光素子１４の第２発光面１４ｂに近づけることができ、両者の間における低輝度部分の発生を抑制することができる。また、反射部材６２の開口部面積を抑制することができ、発光モジュール６０の輝度を高めることが可能となる。

反射部材６２もまた、シリコンによって形成される。したがって垂直面６２ｄを形成する場合、第１の実施形態に係る反射面１８ｃと同様の方法で反射面６２ｃを形成した後、下面６２ｂに相当する部分をマスキングし、マスキングした側から今度はドライエッチングを施して垂直面６２ｄを形成する。ドライエッチングの方法については公知であるため説明を省略する。ドライエッチングで垂直面６２ｄを形成することにより、下面６２ｂに対して概ね垂直に延在する垂直面６２ｄを形成することができる。垂直面６２ｄの形成後、再びマスキングを除去する。なお、反射部材６２がシリコン以外の材料で形成されてもよいことは勿論である。

図８（ｂ）に示すように、実装基板１２の実装面１２ａと半導体発光素子１４の裏面１４ｃとの間隔の高さを非発光領域高さＨ１とし、垂直面６２ｄの高さを垂直面高さＨ２として、第３の実施形態では垂直面高さＨ２＝非発光領域高さＨ１となるよう反射部材６２が形成されている。

図９は、垂直面６２ｄの高さと半導体発光素子１４が発する光の取り出しロスとの関係を示す図である。図９において、横軸が垂直面高さＨ２から非発光領域高さＨ１を引いた値であり、縦軸が半導体発光素子１４が発する光の取り出しロスである。取り出しロスとは、反射部材６２が設けられないときの光量に対し、反射部材６２が設けられたときの光量の減少分の割合を示す。また、Ｂ１は垂直面高さＨ２をゼロにした場合であり、Ｂ２は垂直面高さＨ２を非発光領域高さＨ１と同じ高さにした場合である。Ｂ３は垂直面高さＨ２−非発光領域高さＨ１を３０μｍにした場合であり、Ｂ４は反射面６２ｃを設けず垂直面６２ｄのみを設けた場合である。

図９に示すように、Ｂ１の場合は光の取り出しロスをほぼゼロにすることができ、Ｂ２の場合も光の取り出しロスはゼロに近い値にすることができる。Ｂ３の場合に光の取り出しロスを１０％以下に抑制することができるが、Ｂ４の場合には、光の取り出しロスは２０％以上となっている。このため、光の取り出しロスの観点からは、Ｂ１からＢ３までが好ましく、Ｂ１またはＢ２が最も好ましいことが分かる。

図１０は、第３の実施形態に係る発光モジュール６０の一端部から他端部までの輝度分布を示す図である。図１０において横軸が発光モジュール６０の一端部から他端部までの個所を示し、縦軸が光の平均強度に対する強度比を示す。

図１０に示すように、Ｂ１では、垂直面６２ｄが設けられていないため半導体発光素子１４の第２発光面１４ｂに反射部材６２をあまり近づけることができない。このため、両者の間に光の低強度部分が生じている。また、Ｂ４の場合は第２発光面１４ｂから発せられた光を光波長変換部材２０に入射させることが困難であるため、両端部近傍において光の強度比が著しく低下する。これに対し、Ｂ２およびＢ３は、光の強度が低下する部分はあるが、その強度比はＢ１やＢ４に比べ高く、０．５以上の値となっている。このため、輝度分布の観点からは、Ｂ２またはＢ３が好ましいことが分かる。以上より、光の取り出しロスおよび輝度分布の双方の観点から、垂直面高さＨ２＝非発光領域高さＨ１となるＢ２の場合が最も好ましいことが分かる。

（第４の実施形態）
図１１は、第４の実施形態に係る発光モジュール８０の断面図である。以下、上述の実施形態と同様の個所は同一の符号を付して説明を省略する。

発光モジュール８０は、実装基板８２、半導体発光素子１４、反射部材８４、反射部材８６、および光波長変換部材８８を有する。実装基板８２は、第１の実施形態に係る実装基板１２と同様の材質にて板状に形成される。しかし、発光モジュール８０には、実装基板８２に複数の半導体発光素子１４が実装される。実装基板８２は、これら複数の半導体発光素子１４が実装可能な面積を有する。実装基板８２の実装面８２ａには、電極が設けられており、複数の半導体発光素子１４は、Ａｕバンプ１６を介してこの電極に接続され固定される。この電極は、複数の半導体発光素子１４の各々に電流を供給できるよう複数の半導体発光素子１４同士を電気的に並列または直列に接続する。

第４の実施形態では、複数の半導体発光素子１４は、一列に並んで実装基板８２に実装される。しかし、複数の実装基板８２が複数列を構成するよう並設されるなど、平面上に複数の実装基板８２が並設されてもよい。

反射部材８４は、この複数の半導体発光素子１４を囲うことができるよう形成される以外、断面形状や材質などは第１の実施形態に係る反射部材１８と同様である。また、光波長変換部材８８は、反射部材８４の開口部を覆うことができる大きさに形成される。光波長変換部材８８もまた、板状に形成される。光波長変換部材８８の材質は、第１の実施形態に係る光波長変換部材２０と同様である。

したがって、反射部材８４は、下面８４ｂが実装面８２ａに接着され実装基板８２に固定される。このときの接着剤は上述と同様であり、また固定方法が接着に限られないとは上述と同様である。また、反射部材８４の上面８４ａに入射面８８ａが接着され光波長変換部材８８が固定される。こうして複数の半導体発光素子１４は、単一の光波長変換部材８８の入射面８８ａに各々の第１発光面１４ａが対向するよう互いに離間して並設される。反射面８４ｃは、一列に並ぶ複数の半導体発光素子１４の各々の第２発光面１４ｂのうち、互いに対向する第２発光面１４ｂ以外の第２発光面１４ｂに対向する。したがって、反射面８４ｃは、複数の半導体発光素子１４の各々の第２発光面１４ｂのうち、半導体発光素子１４の並設方向と平行な第２発光面１４ｂに対向し、また、両端部に位置する半導体発光素子１４の各々の外側の第２発光面１４ｂにも対向する。

反射面８４ｃは、光波長変換部材８８の入射面８８ａに近づくにしたがって、反射面８４ｃが対向するこれらの第２発光面１４ｂから離間するよう傾斜する。これにより、複数の半導体発光素子１４が実装される場合においても、光波長変換部材８８の縁部周辺における低輝度部分の発生を抑制することができる。

さらに、第４の実施形態では、複数の半導体発光素子１４のうち互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４を区分けるよう、その一対の半導体発光素子１４の間に反射部材８６が配置される。第４の実施形態では複数の半導体発光素子１４が一列に配設されるため、反射部材８６は、半導体発光素子１４の個数より１つ少ない個数設けられる。なお、複数の半導体発光素子１４が複数列を構成するよう平面上に並設された場合も、反射部材８６は、互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４を区分けるよう両者の間に配置される。

反射部材８６は三角柱状に形成され、３つの側面のうち１側面が下面８６ａとなり、残る２つの側面が反射面８６ｂとなる。反射部材８６は、下面８６ａが実装面８２ａに接着され実装基板８２に固定される。このときの接着剤は上述と同様であり、また固定方法が接着に限られないとは上述と同様である。

こうして反射部材８６は、２つの反射面８６ｂの各々が互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４の互いに対向する第２発光面１４ｂの各々に対向するよう配置される。反射部材８６は、一対の反射面８６ｂの間の頂部が光波長変換部材８８の入射面８８ａに接する高さに形成される。

一対の反射面８６ｂの各々は、光波長変換部材８８の入射面８８ａに近づくに従って、対向する第２発光面１４ｂから離間するよう傾斜する。このように反射部材８６を設けることにより、複数の半導体発光素子１４を並設させた場合においても、半導体発光素子１４同士の間における低輝度部分の発生を抑制することができ、また、半導体発光素子１４の各々が発する光を効率的に利用することができる。なお、反射面８６ｂは、一対の半導体発光素子１４のうち少なくとも一方の第２発光面１４ｂに対向するよう設けられていてもよい。

反射部材８４と反射部材８６とは、シリコンによって一体的に形成される。したがって反射部材８４および反射部材８６を製造する場合、まず平板状の単結晶シリコンの基板に対し、反射部材８４の上面８４ａおよび反射部材８６のうち一対の反射面８６ｂが交わる頂部に相当する部分にマスキングを施す。次にマスキングした側からウエットエッチングを施し、反射面８４ｃおよび反射面８６ｂを形成する。このため、反射面８４ｃおよび反射面８６ｂもまた、上面８４ａに対して５４．７°の角度で傾斜する。なお、反射部材８４および反射部材８６がシリコン以外の材料によって形成されてもよいことは勿論である。

（第５の実施形態）
図１２（ａ）は、第５の実施形態に係る発光モジュール１００の断面図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）における反射部材１０６周辺の拡大図である。以下、上述の実施形態と同様の個所は同一の符号を付して説明を省略する。

発光モジュール１００は、実装基板１０２、半導体発光素子１４、反射部材１０４、反射部材１０６、および光波長変換部材１０８を有する。実装基板１０２は、第１の実施形態に係る実装基板１２と同様の材質にて板状に形成される。複数の半導体発光素子１４が一列に実装基板１０２の実装面１０２ａに実装される点は第４の実施形態と同様である。但し、後述するように、複数の半導体発光素子１４は、第４の実施形態よりも短い配置間隔で実装基板１０２の実装面１０２ａに実装される。このため実装基板１０２の全長や実装基板１０２の実装基板１０２に形成される電極が実装基板８２とは異なっている。

反射部材１０４は、この複数の半導体発光素子１４を囲うことができる大きさに形成される以外、断面形状や材質などは第３の実施形態に係る反射部材６２と同様である。光波長変換部材１０８は、反射部材１０４の開口部を覆うことができる大きさの板状に形成される。光波長変換部材１０８の材質は、第１の実施形態に係る光波長変換部材２０と同様である。

したがって、反射部材１０４は、下面１０４ｂが実装面１０２ａに接着され実装基板１０２に固定される。このときの接着剤は上述と同様であり、また固定方法が接着に限られないとは上述と同様である。また反射部材１０４は、上面１０４ａに入射面１０８ａが接着され光波長変換部材１０８が固定される。こうして複数の半導体発光素子１４は、単一の光波長変換部材１０８の入射面１０８ａに各々の第１発光面１４ａが対向するよう互いに離間して並設される。

反射面１０４ｃは、第４の実施形態の反射面８４ｃと同様に、複数の半導体発光素子１４の各々の第２発光面１４ｂのうち、半導体発光素子１４の並設方向と平行な第２発光面１４ｂに対向し、また、両端部に位置する半導体発光素子１４の各々の外側の第２発光面１４ｂにも対向する。反射面１０４ｃは、光波長変換部材１０８の入射面１０８ａに近づくにしたがって、反射面１０４ｃが対向するこれらの第２発光面１４ｂから離間するよう傾斜する。

第５の実施形態においても、複数の半導体発光素子１４のうち互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４を区分けるよう、その一対の半導体発光素子１４の間に反射部材１０６が配置される。複数の半導体発光素子１４が一列に配設されるため、反射部材１０６は、半導体発光素子１４の個数より１つ少ない個数設けられる点は上述と同様である。なお、複数の半導体発光素子１４が複数列を構成するよう平面上に並設された場合も、反射部材１０６は、互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４を区分けるよう両者の間に配置される。

第５の実施形態では、反射部材１０６は、下面１０６ａと、下面１０６ａに垂直に接する一対の垂直面１０６ｃと、一対の垂直面１０６ｃの各々と同じ角度でそれぞれが傾斜する一対の反射面１０６ｂとを側面として含む五角柱状に形成される。反射部材１０６は、下面１０６ａが実装面１０２ａに接着され実装基板１０２に固定される。このときの接着剤は上述と同様である。反射部材１０６は、ハンダ接合、表面活性化接合、または陽極酸化接合などによって実装基板１０２に接合されてもよい。

一対の反射面１０６ｂの各々は、互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４の互いに対向する第２発光面１４ｂの各々に対向する。反射部材１０６は、一対の反射面１０６ｂの間の頂部が、光波長変換部材１０８に光波長変換部材１０８の入射面１０８ａが接するよう形成される。なお、反射面１０６ｂは、一対の半導体発光素子１４のうち少なくとも一方の第２発光面１４ｂに対向するよう設けられていてもよい。

また、一対の垂直面１０６ｃの各々は、隣接する反射面１０６ｂに接すると共に、反射面１０６ｂよりも光波長変換部材２０から離間した位置において第１発光面１４ａおよび実装面１０２ａと垂直に延在する。このような垂直面１０６ｃを設けることにより、互いに隣接する一対の半導体発光素子１４の間においても、反射部材１０６を半導体発光素子１４の第２発光面１４ｂに近づけることができ、両者の間における低輝度部分の発生を抑制することができる。

反射部材１０４と反射部材１０６とは、シリコンによって一体的に形成される。したがって反射部材１０４および反射部材１０６を製造する場合、まず平板状の単結晶シリコンの基板に対し、反射部材１０４の上面１０４ａおよび反射部材１０６のうち一対の反射面１０６ｂが交わる頂部に相当する部分にマスキングを施す。次にマスキングした側からウエットエッチングを施し、反射面１０４ｃおよび反射面１０６ｂを形成する。このため、反射面１０４ｃおよび反射面１０６ｂもまた、上面１０４ａに対して５４．７°の角度で傾斜する。反射面１０４ｃおよび反射面１０６ｂの形成後、マスキングを除去する。

反射面１０４ｃおよび反射面１０６ｂが形成された後、反射部材１０４の下面１０４ｂおよび反射部材１０６の下面１０６ａに相当する部分をマスキングし、マスキングした側から今度はドライエッチングを施して反射部材１０４の垂直面１０４ｄおよび反射部材１０６の垂直面１０６ｃを形成する。垂直面１０４ｄおよび垂直面１０６ｃの形成後、マスキングを再び除去する。

なお、反射部材１０４の垂直面１０４ｄおよび反射部材１０６の垂直面１０６ｃの高さを垂直面高さＨ３として、第５の実施形態では、第３の実施形態と同様の理由により、垂直面高さＨ３＝非発光領域高さＨ１となるよう反射部材１０４および反射部材１０６がそれぞれ形成されている。

（第６の実施形態）
図１３（ａ）は、第６の実施形態に係る発光モジュール１２０の断面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）における反射部材１２６周辺の拡大図である。以下、上述の実施形態と同様の個所は同一の符号を付して説明を省略する。

発光モジュール１２０は、実装基板１２２、半導体発光素子１４、反射部材１２４、反射部材１２６、および光波長変換部材１２８を有する。実装基板１２２は、第１の実施形態に係る実装基板１２と同様の材質にて板状に形成される。複数の半導体発光素子１４が一列に実装基板１２２の実装面１２２ａに実装される点は第４の実施形態と同様である。但し、後述するように、複数の半導体発光素子１４は、第４の実施形態よりも短い配置間隔で実装基板１２２の実装面１２２ａに実装される。このため実装基板１２２の全長や実装基板１２２の実装基板１２２に形成される電極が実装基板８２と異なっている。

反射部材１２４は、この複数の半導体発光素子１４を囲うことができるよう形成される以外、断面形状や材質などは第１の実施形態に係る反射部材１８と同様である。また、光波長変換部材１２８は、反射部材１２４の開口部を覆うことができる大きさに形成される。光波長変換部材１２８もまた、板状に形成される。光波長変換部材１２８の材質は、第１の実施形態に係る光波長変換部材２０と同様である。

したがって、反射部材１２４は、下面１２４ｂが実装面１２２ａに接着され実装基板１２２に固定される。このときの接着剤は上述と同様であり、また固定方法が接着に限られないとは上述と同様である。また、反射部材１２４は、上面１２４ａに入射面１２８ａが接着され光波長変換部材１２８が固定される。このとき複数の半導体発光素子１４は、単一の光波長変換部材１２８の入射面１２８ａに各々の第１発光面１４ａが対向するよう互いに離間して並設される。

反射面１２４ｃは、第４の実施形態に係る反射面８４ｃと同様に、複数の半導体発光素子１４の各々の第２発光面１４ｂのうち、半導体発光素子１４の並設方向と平行な第２発光面１４ｂに対向し、また、両端部に位置する半導体発光素子１４の各々の外側の第２発光面１４ｂにも対向する。反射面１２４ｃは、光波長変換部材１２８の入射面１２８ａに近づくにしたがって、反射面１２４ｃが対向するこれらの第２発光面１４ｂから離間するよう傾斜する。

第５の実施形態においても、複数の半導体発光素子１４のうち互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４を区分けるよう、その一対の半導体発光素子１４の間に反射部材１２６が配置される。複数の半導体発光素子１４が一列に配設されるため、反射部材１２６は、半導体発光素子１４の個数より１つ少ない個数設けられる点は上述と同様である。なお、複数の半導体発光素子１４が複数列を構成するよう平面上に並設された場合も、反射部材１２６は、互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４を区分けるよう両者の間に配置される。

反射部材１２６は三角柱状に形成され、３つの側面のうち１側面が下面１２６ａとなり、残る２つの側面が反射面１２６ｂとなる。反射部材１２６は、下面１２６ａが実装面１２２ａに接着され実装基板１２２に固定される。このときの接着剤は上述と同様であり、また固定方法が接着に限られないとは上述と同様である。

こうして反射部材１２６は、２つの反射面１２６ｂの各々が互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４の互いに対向する第２発光面１４ｂの各々に対向するよう配置される。一対の反射面１２６ｂの各々は、光波長変換部材１２８の入射面１２８ａに近づくに従って、対向する第２発光面１４ｂから離間するよう傾斜する。なお、反射面１２６ｂは、一対の半導体発光素子１４のうち少なくとも一方の第２発光面１４ｂに対向するよう設けられていてもよい。

第６の実施形態では、反射部材１２６は、一対の反射面１２６ｂが交わる頂部が光波長変換部材１２８の入射面１２８ａから離間するよう形成される。これにより、下面１２６ａの幅を小さくすることができ、互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４同士を近づけることが可能となる。このため、隣り合う一対の半導体発光素子１４の間の領域における低輝度部分の発生を抑制することができる。反射部材１２６は、一対の反射面１２６ｂが交わる頂部から光波長変換部材１２８の入射面１２８ａまでの距離Ｈ４が、５μｍ以上２００μｍ以下となるよう形成される。

反射部材１２４と反射部材１２６とは、シリコンによって一体的に形成される。したがって反射部材１２４および反射部材１２６を製造する場合、まず平板状の単結晶シリコンの基板に対し、反射部材１２４の上面１２４ａにマスキングを施す。次にマスキングした側から所定の深さまでウエットエッチングを施す。次に、反射部材１２６のうち一対の反射面１２６ｂが交わる頂部に相当する部分にマスキングを施し、再びウエットエッチングを施す。これにより、反射部材１２４の上面１２４ａより所定の深さだけ低い位置に下面１２６ａの頂部が位置するよう反射部材１２６を形成することができる。このようにウエットエッチングを利用することにより、反射面１２４ｃおよび反射面１２６ｂもまた、上面１２４ａに対して５４．７°の角度で傾斜する。なお、反射部材１２４および反射部材１２６がシリコン以外の材料によって形成されてもよいことは勿論である。

（第７の実施形態）
図１４（ａ）は、第７の実施形態に係る発光モジュール１４０の断面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）における反射部材１４６周辺の拡大図である。以下、上述の実施形態と同様の個所は同一の符号を付して説明を省略する。

発光モジュール１４０は、実装基板１４２、半導体発光素子１４、反射部材１４４、反射部材１４６、および光波長変換部材１４８を有する。実装基板１４２は、第１の実施形態に係る実装基板１２と同様の材質にて板状に形成される。複数の半導体発光素子１４が一列に実装基板１４２の実装面１４２ａに実装される点は第４の実施形態と同様である。但し、後述するように、複数の半導体発光素子１４は、第４の実施形態よりも短い配置間隔で実装基板１４２の実装面１４２ａに実装される。このため実装基板１４２の全長や実装基板１４２の実装基板１４２に形成される電極が実装基板８２と異なっている。

反射部材１４４は、この複数の半導体発光素子１４を囲うことができる大きさに形成される以外、断面形状や材質などは第３の実施形態に係る反射部材６２と同様である。光波長変換部材１４８は、反射部材１４４の開口部を覆うことができる大きさの板状に形成される。光波長変換部材１４８の材質は、第１の実施形態に係る光波長変換部材２０と同様である。

したがって、反射部材１４４は、下面１４４ｂが実装面１４２ａに接着され実装基板１４２に固定される。このときの接着剤は上述と同様であり、また固定方法が接着に限られないとは上述と同様である。また、反射部材１４４は、上面１４４ａに入射面１４８ａが接着され反射部材１４４が固定される。このとき複数の半導体発光素子１４は、単一の光波長変換部材１４８の入射面１４８ａに各々の第１発光面１４ａが対向するよう互いに離間して並設される。反射面１４４ｃは、第４の実施形態の反射面８４ｃと同様に、複数の半導体発光素子１４の各々の第２発光面１４ｂのうち、半導体発光素子１４の並設方向と平行な第２発光面１４ｂに対向し、また、両端部に位置する半導体発光素子１４の各々の外側の第２発光面１４ｂにも対向する。

反射面１４４ｃは、光波長変換部材１４８の入射面１４８ａに近づくにしたがって、反射面１４４ｃが対向するこれらの第２発光面１４ｂから離間するよう傾斜する。また、第７の実施形態においても、複数の半導体発光素子１４のうち互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４を区分けるよう、その一対の半導体発光素子１４の間に反射部材１４６が配置される。複数の半導体発光素子１４が一列に配設されるため、反射部材１４６は、半導体発光素子１４の個数より１つ少ない個数設けられる点は上述と同様である。なお、複数の半導体発光素子１４が複数列を構成するよう平面上に並設された場合も、反射部材１４６は、互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４を区分けるよう両者の間に配置される。

第７の実施形態では、反射部材１４６は五角柱状に形成される。この５角柱の５つの側面は、下面１４６ａと、下面１４６ａに垂直に接する一対の垂直面１４６ｃと、一対の垂直面１４６ｃの各々と同じ角度でそれぞれが傾斜する一対の反射面１４６ｂとを含む。反射部材１４６は、下面１４６ａが実装面１４２ａに接着され実装基板１４２に固定される。このときの接着剤は上述と同様であり、また固定方法が接着に限られないとは上述と同様である。

このとき一対の反射面１４６ｂの各々は、互いに隣り合う一対の半導体発光素子１４の互いに対向する第２発光面１４ｂの各々に対向する。なお、反射面１４６ｂは、一対の半導体発光素子１４のうち少なくとも一方の第２発光面１４ｂに対向するよう設けられていてもよい。

また、一対の垂直面１４６ｃの各々は、隣接する反射面１４６ｂに接すると共に、反射面１４６ｂよりも光波長変換部材２０から離間した位置において第１発光面１４ａおよび実装面１４２ａの双方と垂直に延在する。このような垂直面１４６ｃを設けることにより、互いに隣接する一対の半導体発光素子１４の間においても、反射部材１４６を半導体発光素子１４の第２発光面１４ｂに近づけることができ、両者の間における低輝度部分の発生を抑制することができる。

第７の実施形態においても、反射部材１４６は、一対の反射面１４６ｂが交わる頂部が光波長変換部材１４８の入射面１４８ａから離間するよう形成される。反射部材１４６は、一対の反射面１４６ｂが交わる頂部から光波長変換部材１４８の入射面１４８ａまでの距離Ｈ５が、５μｍ以上２００μｍ以下となるよう形成される。

反射部材１４４と反射部材１４６とは、シリコンによって一体的に形成される。したがって反射部材１４４および反射部材１４６を製造する場合、まず平板状の単結晶シリコンの基板に対し、第６の実施形態における反射面１２４ｃおよび反射面１２６ｂと同様の形成方法にて、反射面１４４ｃおよび反射面１４６ｂを形成する。反射面１４４ｃおよび反射面１４６ｂが形成された後、反射部材１４４の下面１４４ｂおよび反射部材１４６の下面１４６ａに相当する部分をマスキングし、マスキングした側から今度はドライエッチングを施して反射部材１４４の垂直面１４４ｄおよび反射部材１４６の垂直面１４６ｃを形成する。垂直面１４４ｄおよび垂直面１４６ｃの形成後、マスキングを再び除去する。

なお、反射部材１４４の垂直面１４４ｄおよび反射部材１４６の垂直面１４６ｃの高さを垂直面高さＨ６として、第７の実施形態では、第３の実施形態と同様の理由により、垂直面高さＨ６＝非発光領域高さＨ１となるよう反射部材１４４および反射部材１４６がそれぞれ形成されている。

本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、各実施形態の各要素を適宜組み合わせたものも、本発明の実施形態として有効である。また、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を各実施形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範囲に含まれうる。以下、そうした例をあげる。

ある変形例では、半導体発光素子は紫外光を主として発するものが用いられる。また、光波長変換部材は、紫外光を互いに異なる色の光に変換する複数の光波長変換層が積層されて形成されている。例えば、紫外光を青色光に変換する光波長変換層と、紫外光を黄色光に変換する光波長変換層が積層されて形成されてもよい。または、紫外光を青色光に変換する光波長変換層と、紫外光を緑色光に変換する光波長変換層と、紫外光を赤色光に変換する光波長変換層が積層されて形成されてもよい。このように半導体発光素子および光波長変換部材を構成することによっても、白色光を発する発光モジュールを得ることができる。

なお、光波長変換部材に、紫外光を互いに異なる色の光に変換する複数種類の蛍光体が含められていてもよい。例えば、紫外光を青色光に変換する蛍光体と、紫外光を黄色光に変換する蛍光体が光波長変換部材に含められていてもよい。または、紫外光を青色光に変換する蛍光体と、紫外光を緑色光に変換する蛍光体と、紫外光を赤色光に変換する蛍光体が光波長変換部材に含められていてもよい。このように半導体発光素子および光波長変換部材を構成することによっても、白色光を発する発光モジュールを得ることができる。

ある別の変形例では、半導体発光素子の第２発光面、反射部材の反射面、および光波長変換部材の入射面によって囲まれる領域に、半導体発光素子の第２発光面から発せられる光の取り出し効率を上げるための樹脂材料を充填する。このとき、シリコーン系、ゾルゲルシリカ系、フッ素系、無機ガラス系等の光耐性に優れた樹脂材料を使用する。これによって、半導体発光素子の第２発光面から発せられる光の取り出し効率をさらに向上させることができる。

１０ 発光モジュール、 １２ 実装基板、 １２ａ 実装面、 １４ 半導体発光素子、 １４ａ 第１発光面、 １４ｂ 第２発光面、 １８ 反射部材、 １８ｃ 反射面、 ２０ 光波長変換部材、 ２０ａ 入射面、 ６０ 発光モジュール、 ６２ 反射部材、 ６２ｃ 反射面、 ６２ｄ 垂直面、 ６４ 光波長変換部材、 ６４ａ 入射面。

Claims (6)

1. 第１発光面および第１発光面に接する第２発光面を有する発光素子と、
   第１発光面に入射面が対向するよう配置され、前記発光素子が発する光を波長変換して出射する板状の光波長変換部材と、
   前記光波長変換部材の入射面に対向する位置に配置された反射部材と、
   を備え、
   前記反射部材は、前記光波長変換部材の入射面に近づくにしたがって第２発光面から離間するよう傾斜して第２発光面に対向する反射面を有することを特徴とする発光モジュール。
2. 前記反射部材は、シリコンによって形成されることを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
3. 前記反射部材は、前記反射面に接すると共に前記反射面よりも前記光波長変換部材から離間した位置において第１発光面と垂直に延在する垂直面をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の発光モジュール。
4. 前記発光素子は、単一の前記光波長変換部材の入射面に各々の第１発光面が対向するよう互いに離間して複数並設され、
   前記反射部材は、前記複数の発光素子のうち互いに隣り合う一対の発光素子を区分けるよう前記一対の発光素子の間に配置され、前記一対の発光素子のうち少なくとも一方の第２発光面に対向するよう前記反射面が設けられることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の発光モジュール。
5. 前記反射部材に前記光波長変換部材の入射面が載置されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の発光モジュール。
6. 前記反射部材は、前記光波長変換部材の入射面から離間するよう形成されることを特徴とすることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の発光モジュール。

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