[go: up one dir, main page]

RU2008131699A - Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера - Google Patents

Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера Download PDF

Info

Publication number
RU2008131699A
RU2008131699A RU2008131699/28A RU2008131699A RU2008131699A RU 2008131699 A RU2008131699 A RU 2008131699A RU 2008131699/28 A RU2008131699/28 A RU 2008131699/28A RU 2008131699 A RU2008131699 A RU 2008131699A RU 2008131699 A RU2008131699 A RU 2008131699A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photodiode
layer
depletion region
photodiodes
avalanche
Prior art date
Application number
RU2008131699/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2416840C2 (ru
Inventor
Прабхат АГАРВАЛ (BE)
Прабхат АГАРВАЛ
Ян СОНСКИ (BE)
Ян СОНСКИ
Лассе Юхана КАУППИНЕН (FI)
Лассе Юхана КАУППИНЕН
Original Assignee
Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. (Nl)
Publication of RU2008131699A publication Critical patent/RU2008131699A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2416840C2 publication Critical patent/RU2416840C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
    • H10F39/189—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
    • H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
    • H10F30/225—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/199—Back-illuminated image sensors

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

1. Лавинный фотодиод, содержащий: ! полупроводниковую обедненную область (204); ! анод (208, 210); ! катод (208, 210); ! в котором падающие фотоны (202), имеющие длину волны в синем конце видимого спектра, поглощаются в обедненной области, с тем чтобы формировать носители заряда, и в котором носители заряда подвергаются ударной ионизации в обедненной области, с тем чтобы формировать ток лавинного процесса в фотодиоде. ! 2. Фотодиод по п.1, в котором фотодиод содержит принимающую свет поверхность (222) и электроизолирующий слой (202), и в котором электроизолирующий слой располагается между принимающей свет поверхностью и обедненной областью. ! 3. Фотодиод по п.2, в котором электроизолирующий слой изготовлен из слоя углубленного оксида пластины из кремния на диэлектрике (SOI; КНД). ! 4. Фотодиод по п.2, содержащий средство для уменьшения воздействия дефектов кристаллической решетки на поверхности раздела между обедненной областью и электроизолирующим слоем. ! 5. Фотодиод по п.4, в котором средство для уменьшения воздействия содержит тонкий легированный полупроводниковый слой (206). ! 6. Фотодиод по п.2, в котором фотодиод освещается сзади. ! 7. Фотодиод по п.2, в котором фотодиод содержит: ! несущую пластину (217); ! слой (212) межсоединений, физически расположенный между обедненной областью и несущей пластиной. ! 8. Фотодиод по п.1, содержащий сцинтиллятор (602), оптически соединенный с обедненной областью. ! 9. Фотодиод по п.8, в котором сцинтиллятор содержит одно вещество из множества, состоящего из LySO, LSO, LGSO или LaBr. ! 10. Фотодиод по п.1 в котором анод и катод выполнены в виде встречно-штыревой структуры. ! 11. Способ производства матрицы лавинных фотодиодов с использов

Claims (34)

1. Лавинный фотодиод, содержащий:
полупроводниковую обедненную область (204);
анод (208, 210);
катод (208, 210);
в котором падающие фотоны (202), имеющие длину волны в синем конце видимого спектра, поглощаются в обедненной области, с тем чтобы формировать носители заряда, и в котором носители заряда подвергаются ударной ионизации в обедненной области, с тем чтобы формировать ток лавинного процесса в фотодиоде.
2. Фотодиод по п.1, в котором фотодиод содержит принимающую свет поверхность (222) и электроизолирующий слой (202), и в котором электроизолирующий слой располагается между принимающей свет поверхностью и обедненной областью.
3. Фотодиод по п.2, в котором электроизолирующий слой изготовлен из слоя углубленного оксида пластины из кремния на диэлектрике (SOI; КНД).
4. Фотодиод по п.2, содержащий средство для уменьшения воздействия дефектов кристаллической решетки на поверхности раздела между обедненной областью и электроизолирующим слоем.
5. Фотодиод по п.4, в котором средство для уменьшения воздействия содержит тонкий легированный полупроводниковый слой (206).
6. Фотодиод по п.2, в котором фотодиод освещается сзади.
7. Фотодиод по п.2, в котором фотодиод содержит:
несущую пластину (217);
слой (212) межсоединений, физически расположенный между обедненной областью и несущей пластиной.
8. Фотодиод по п.1, содержащий сцинтиллятор (602), оптически соединенный с обедненной областью.
9. Фотодиод по п.8, в котором сцинтиллятор содержит одно вещество из множества, состоящего из LySO, LSO, LGSO или LaBr.
10. Фотодиод по п.1 в котором анод и катод выполнены в виде встречно-штыревой структуры.
11. Способ производства матрицы лавинных фотодиодов с использованием пластины (301) из кремния на диэлектрике, которая включает в себя подложку (302), кремниевый слой (304) и слой (202) из углубленного оксида, физически расположенный между подложкой и кремниевым слоем, способ содержит этапы, на которых:
формируют множество лавинных фотодиодов (100) в кремниевом слое, фотодиоды содержат анод, катод и обедненную область;
формируют множество электродов (214, 216), электрически соединенных с анодами и катодами соответствующих фотодиодов, причем множество электродов располагается на стороне кремниевого слоя, которая находится напротив слоя из углубленного оксида;
удаляют подложку, посредством чего фотодиоды освещаются через слой из углубленного оксида.
12. Способ по п.11, дополнительно содержащий этап, на котором прикрепляют несущую пластину (217) к матрице, причем множество электродов физически располагается между несущей пластиной и кремниевой пластиной.
13. Способ по п.11, содержащий этап, на котором формируют изолирующую область (218), который обеспечивает электрическую изоляцию между фотодиодами в матрице.
14. Способ по п.13, в котором изолирующая область формируется с использованием технологии локального оксидирования кремния.
15. Способ по п.11, содержащий этап, на котором формируют ионно-имплантированный слой (206) на поверхности раздела между слоем из углубленного оксида и кремниевого слоя.
16. Способ по п.11, содержащий этап, на котором размещают сцинтиллятор (602), оптически соединенный со слоем из углубленного оксида.
17. Датчик ионизирующего излучения, изготовленный с использованием способа по п.16.
18. Фотодиодная матрица, изготовленная с использование пластины из кремния на диэлектрике, которая содержит подложку (302), кремниевый слой (304) и слой (202) из углубленного оксида, физически расположенный между подложкой и кремниевым слоем, причем фотодиодная матрица изготовляется с использованием процесса, содержащего этапы, на которых:
формируют множество лавинных фотодиодов (100) в кремниевом слое, фотодиоды содержат анод, катод и обедненную область;
формируют множество электродов (214, 216), электрически соединенных с анодами и катодами соответствующих фотодиодов, причем множество электродов располагается на стороне фотодиодов напротив слоя из углубленного оксида;
прикрепляют несущую пластину (217) к пластине из кремния на диэлектрике, причем электроды физически располагаются между несущей пластиной и фотодиодами;
удаляют подложку с пластины из кремния на диэлектрике, посредством чего фотодиоды освещаются через слой из углубленного оксида.
19. Фотодиод по п.18, в котором процесс дополнительно содержит этап, на котором формируют изолирующую канавку (218), которая простирается между слоем межсоединений и слоем из углубленного оксида.
20. Лавинный фотодиод, содержащий:
первую легированную полупроводниковую область (208, 210), которая образует катод фотодиода;
вторую легированную полупроводниковую область (208, 210), которая образует анод фотодиода;
третью полупроводниковую область (204), оптически соединенную с принимающей свет поверхностью фотодиода, причем по существу вся третья полупроводниковая область истощается, когда фотодиод работает в лавинном режиме;
слой (212) межсоединений, содержащий первый электрод (214), электрически соединенный с первой легированной полупроводниковой областью, и второй электрод (216), электрически соединенный со второй легированной полупроводниковой областью, причем третья полупроводниковая область (204) физически располагается между слоем межсоединений и принимающей свет поверхностью.
21. Фотодиод по п.20, в котором первая легированная полупроводниковая область, вторая легированная полупроводниковая область и третья полупроводниковая область образуют один фотодиод из множества, состоящего из фотодиода типа pπn и фотодиода типа pνn.
22. Фотодиод по п.21 в котором третья полупроводниковая область имеет толщину, менее чем приблизительно 500 нм.
23. Фотодиод по п.20, содержащий изолирующую канавку (218), которая окружает фотодиод.
24. Фотодиод по п.20, содержащий электроизолирующий слой (202), расположенный между третьей полупроводниковой областью и принимающей свет поверхностью.
25. Фотодиод по п.24, в котором электроизолирующий слой содержит диоксид кремния, и в котором электроизолирующий слой является по существу проницаемым для света, имеющего длину волны в синем конце оптического спектра.
26. Фотодиод по п.25, содержащий слой пассивации, расположенную на поверхности раздела между третьей полупроводниковой областью и электроизолирущим слоем.
27. Фотодиод по п.20, содержащий несущую пластину (217), расположенную на стороне фотодиодов напротив принимающей свет поверхности.
28. Фотодиод по п.27, в котором несущая пластина содержит стекло.
29. Фотодиод по п.20, в котором первая и вторая легированные полупроводниковые области являются концентрическими.
30. Фотодиод по п.20, содержащий сцинтиллятор (602), оптически соединенный с третьим полупроводниковым слоем.
31. Устройство, содержащее:
область (708) исследования;
опору (716) для объекта, выполненную с возможностью поддерживать объект (718) исследования в области исследования;
матрицу (102) датчиков излучения, содержащую:
чувствительную к излучению поверхность (222), которая обращена к области исследования;
матрицу из лавинных фотодиодов (100), в которой каждый фотодиод содержит анод, катод и обедненную область, причем фотоны, поглощенные обедненной областью фотодиода, формируют носители заряда, и причем носители заряда подвергаются ударной ионизации в обедненной области фотодиода для формирования тока лавинного процесса в фотодиоде;
слой (212) межсоединений, содержащий множество электродов (214, 216), которые обеспечивают электрические соединения с фотодиодами, причем слой межсоединений располагается на стороне фотодиодной матрицы, которая находится напротив принимающей излучение поверхности.
32. Устройство по п.31, в котором матрица датчиков излучения включает в себя сцинтиллятор (602), который принимает ионизирующее излучение от области исследования.
33. Устройство по п.32, в котором сцинтиллятор содержит одно вещество из множества, состоящего из лютеция и лантана.
34. Устройство по п.31, в котором лавинные фотодиоды работают в режиме счетчика Гейгера.
RU2008131699/28A 2006-02-01 2007-01-17 Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера RU2416840C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US76661706P 2006-02-01 2006-02-01
US60/766,617 2006-02-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2008131699A true RU2008131699A (ru) 2010-02-10
RU2416840C2 RU2416840C2 (ru) 2011-04-20

Family

ID=39185979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008131699/28A RU2416840C2 (ru) 2006-02-01 2007-01-17 Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7714292B2 (ru)
EP (1) EP1982356B1 (ru)
JP (1) JP2009525619A (ru)
CN (1) CN101379615B (ru)
RU (1) RU2416840C2 (ru)
WO (1) WO2008048694A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2778047C1 (ru) * 2021-11-30 2022-08-12 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" Способ приема оптических сигналов

Families Citing this family (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2290721C2 (ru) 2004-05-05 2006-12-27 Борис Анатольевич Долгошеин Кремниевый фотоэлектронный умножитель (варианты) и ячейка для кремниевого фотоэлектронного умножителя
TWI615954B (zh) * 2006-07-03 2018-02-21 Hamamatsu Photonics K.K. 光二極體陣列
US8188563B2 (en) * 2006-07-21 2012-05-29 The Regents Of The University Of California Shallow-trench-isolation (STI)-bounded single-photon CMOS photodetector
JP4413940B2 (ja) * 2007-03-22 2010-02-10 株式会社東芝 固体撮像素子、単板カラー固体撮像素子及び電子機器
US8022351B2 (en) * 2008-02-14 2011-09-20 California Institute Of Technology Single photon detection with self-quenching multiplication
US8803075B2 (en) 2008-04-18 2014-08-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Radiation detector device
US8610808B2 (en) * 2008-12-22 2013-12-17 Koninklijke Philips N.V. Color CMOS imager with single photon counting capability
DE112009004341B4 (de) * 2009-01-11 2015-12-10 Ketek Gmbh Halbleiter-Geigermodus-Mikrozellenphotodioden
CN101923173B (zh) * 2009-06-10 2014-10-01 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 闪烁体以及检测器组件
CA2769121C (en) * 2009-08-03 2016-07-26 Max-Planck-Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V. Highly efficient cmos technology compatible silicon photoelectric multiplier
EP2293032A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-09 Radisens Diagnostic Limited An Integrated Cytometric Sensor System and Method
CN102695967A (zh) * 2009-10-19 2012-09-26 布鲁克哈文科学协会有限责任公司 3d沟槽电极检测器
CN101789040B (zh) * 2010-01-27 2011-09-14 中国科学院上海技术物理研究所 盖革模式apd被动淬火与恢复集成电路的设计方法
KR101098165B1 (ko) * 2010-01-29 2011-12-22 센스기술 주식회사 전 파장 대의 양자효율이 우수한 수직구조의 실리콘 광전자 증배관
US8324554B2 (en) 2010-03-23 2012-12-04 Massachusetts Institute Of Technology Single-electron detection method and apparatus for solid-state intensity image sensors with a charge-metering device
GB201004922D0 (en) * 2010-03-24 2010-05-12 Sensl Technologies Ltd Silicon photomultiplier and readout method
EP2561556B1 (en) * 2010-04-23 2016-06-08 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Silicon photoelectric multiplier
KR101169708B1 (ko) * 2010-04-26 2012-07-30 서강대학교산학협력단 큰 면적을 가진 마이크로셀로 구성된 ｇａｐｄ를 이용한 ｐｅｔ 검출기 모듈
CN102184929B (zh) * 2011-03-24 2013-04-24 南京大学 紫外光雪崩管成像阵列像元、其应用方法及雪崩管成像阵列
WO2012145641A2 (en) * 2011-04-21 2012-10-26 Redlen Technologies Side shielding cathode design for a radiation detector with improved efficiency
EP2732311A1 (en) * 2011-07-12 2014-05-21 Isis Innovation Limited Ion detector
US9917118B2 (en) 2011-09-09 2018-03-13 Zecotek Imaging Systems Pte. Ltd. Photodetector array and method of manufacture
JP5791461B2 (ja) * 2011-10-21 2015-10-07 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP5926921B2 (ja) 2011-10-21 2016-05-25 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
JP5832852B2 (ja) 2011-10-21 2015-12-16 浜松ホトニクス株式会社 光検出装置
CN111048650A (zh) * 2012-05-23 2020-04-21 亮锐控股有限公司 可表面安装的半导体器件
JP5984617B2 (ja) 2012-10-18 2016-09-06 浜松ホトニクス株式会社 フォトダイオードアレイ
KR101964891B1 (ko) 2013-01-28 2019-08-07 삼성전자주식회사 실리콘 광증배관 디텍터 셀
JP5925711B2 (ja) * 2013-02-20 2016-05-25 浜松ホトニクス株式会社 検出器、ｐｅｔ装置及びｘ線ｃｔ装置
US9276031B2 (en) 2013-03-04 2016-03-01 Apple Inc. Photodiode with different electric potential regions for image sensors
US9741754B2 (en) 2013-03-06 2017-08-22 Apple Inc. Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors
US9160949B2 (en) * 2013-04-01 2015-10-13 Omnivision Technologies, Inc. Enhanced photon detection device with biased deep trench isolation
JP5996478B2 (ja) * 2013-04-09 2016-09-21 浜松ホトニクス株式会社 放射線画像検出装置
EP2793273B1 (en) * 2013-04-17 2016-12-28 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Silicon photomultiplier with very low optical cross-talk and improved readout
CN104377269A (zh) * 2013-08-13 2015-02-25 哈尔滨工大华生电子有限公司 一种高增益微元雪崩光电二极管阵列制造方法
US9876127B2 (en) * 2013-11-22 2018-01-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside-illuminated photodetector structure and method of making the same
JP6162595B2 (ja) * 2013-12-19 2017-07-12 浜松ホトニクス株式会社 光検出器
CN104752340B (zh) * 2013-12-31 2018-05-01 上海丽恒光微电子科技有限公司 雪崩光电二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置
US10285626B1 (en) 2014-02-14 2019-05-14 Apple Inc. Activity identification using an optical heart rate monitor
KR102380829B1 (ko) * 2014-04-23 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 촬상 장치
US9686485B2 (en) 2014-05-30 2017-06-20 Apple Inc. Pixel binning in an image sensor
JP6742988B2 (ja) 2015-03-31 2020-08-19 浜松ホトニクス株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR102232038B1 (ko) 2016-01-07 2021-03-26 더 리서치 파운데이션 포 더 스테이트 유니버시티 오브 뉴욕 셀레늄 포토멀티플라이어 및 이의 제조방법
CN107086253B (zh) * 2016-02-15 2019-02-22 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 半导体器件的制造方法
US9939536B2 (en) 2016-02-19 2018-04-10 Sensi Technologies Ltd. Semiconductor photomultiplier with baseline restoration for a fast terminal signal output including output loads to correct an overshoot of an output signal (as amended)
US9912883B1 (en) 2016-05-10 2018-03-06 Apple Inc. Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters
US10497818B2 (en) 2016-07-29 2019-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Photodetection device and photodetection system
JP7013120B2 (ja) * 2016-07-29 2022-01-31 キヤノン株式会社 光検出装置および光検出システム
JP2018019040A (ja) * 2016-07-29 2018-02-01 キヤノン株式会社 光検出装置および光検出システム
FR3056019B1 (fr) * 2016-09-13 2018-10-12 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Photodiode de type spad
JP6818875B2 (ja) 2016-09-23 2021-01-20 アップル インコーポレイテッドＡｐｐｌｅ Ｉｎｃ． 積層背面照射型ｓｐａｄアレイ
US10312391B2 (en) * 2016-10-04 2019-06-04 Omnivision Technologies, Inc. Apparatus and method for single-photon avalanche-photodiode detectors with reduced dark count rate
CN108475689B (zh) 2016-10-18 2023-05-12 索尼半导体解决方案公司 传感器
JP7058479B2 (ja) 2016-10-18 2022-04-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出器
JP7285351B2 (ja) * 2016-11-29 2023-06-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出素子および電子機器
US10656251B1 (en) 2017-01-25 2020-05-19 Apple Inc. Signal acquisition in a SPAD detector
JP6799690B2 (ja) 2017-01-25 2020-12-16 アップル インコーポレイテッドＡｐｐｌｅ Ｉｎｃ． 変調感度を有するｓｐａｄ検出器
US10962628B1 (en) 2017-01-26 2021-03-30 Apple Inc. Spatial temporal weighting in a SPAD detector
US10673204B2 (en) 2017-03-07 2020-06-02 Sensl Technologies Ltd. Laser driver
US10622538B2 (en) 2017-07-18 2020-04-14 Apple Inc. Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body
JP6932580B2 (ja) 2017-08-04 2021-09-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子
WO2019049718A1 (ja) * 2017-09-06 2019-03-14 日本電信電話株式会社 アバランシェフォトダイオードおよびその製造方法
US10440301B2 (en) 2017-09-08 2019-10-08 Apple Inc. Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance
US10158038B1 (en) 2018-05-17 2018-12-18 Hi Llc Fast-gated photodetector architectures comprising dual voltage sources with a switch configuration
US10340408B1 (en) 2018-05-17 2019-07-02 Hi Llc Non-invasive wearable brain interface systems including a headgear and a plurality of self-contained photodetector units configured to removably attach to the headgear
US10515993B2 (en) * 2018-05-17 2019-12-24 Hi Llc Stacked photodetector assemblies
US10420498B1 (en) 2018-06-20 2019-09-24 Hi Llc Spatial and temporal-based diffusive correlation spectroscopy systems and methods
US11213206B2 (en) 2018-07-17 2022-01-04 Hi Llc Non-invasive measurement systems with single-photon counting camera
US11019294B2 (en) 2018-07-18 2021-05-25 Apple Inc. Seamless readout mode transitions in image sensors
US10848693B2 (en) 2018-07-18 2020-11-24 Apple Inc. Image flare detection using asymmetric pixels
US11233966B1 (en) 2018-11-29 2022-01-25 Apple Inc. Breakdown voltage monitoring for avalanche diodes
CN109638024B (zh) * 2018-12-18 2024-06-18 暨南大学 一种可见光短波段硅基雪崩光电二极管阵列及其制备方法
JP7190648B2 (ja) * 2018-12-20 2022-12-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像素子、及び、固体撮像素子の製造方法
US11006876B2 (en) 2018-12-21 2021-05-18 Hi Llc Biofeedback for awareness and modulation of mental state using a non-invasive brain interface system and method
CN109713081B (zh) * 2018-12-27 2022-02-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 集成硅基可见光探测器阵列器件的制作方法
JP2020155503A (ja) * 2019-03-19 2020-09-24 株式会社東芝 光検出装置
CA3137921A1 (en) 2019-06-06 2020-12-10 Hi Llc Photodetector systems with low-power time-to-digital converter architectures
FR3101727B1 (fr) * 2019-10-08 2021-09-17 Commissariat Energie Atomique procede de fabrication d’au moins une photodiode planaire contrainte en tension
WO2021167877A1 (en) 2020-02-21 2021-08-26 Hi Llc Multimodal wearable measurement systems and methods
WO2021167876A1 (en) 2020-02-21 2021-08-26 Hi Llc Methods and systems for initiating and conducting a customized computer-enabled brain research study
WO2021167893A1 (en) 2020-02-21 2021-08-26 Hi Llc Integrated detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system
US12144653B2 (en) 2020-02-21 2024-11-19 Hi Llc Systems, circuits, and methods for reducing common-mode noise in biopotential recordings
US12029558B2 (en) 2020-02-21 2024-07-09 Hi Llc Time domain-based optical measurement systems and methods configured to measure absolute properties of tissue
WO2021167890A1 (en) 2020-02-21 2021-08-26 Hi Llc Wearable module assemblies for an optical measurement system
US11969259B2 (en) 2020-02-21 2024-04-30 Hi Llc Detector assemblies for a wearable module of an optical measurement system and including spring-loaded light-receiving members
WO2021167892A1 (en) 2020-02-21 2021-08-26 Hi Llc Wearable devices and wearable assemblies with adjustable positioning for use in an optical measurement system
US11950879B2 (en) 2020-02-21 2024-04-09 Hi Llc Estimation of source-detector separation in an optical measurement system
WO2021188488A1 (en) 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc Bias voltage generation in an optical measurement system
US11877825B2 (en) 2020-03-20 2024-01-23 Hi Llc Device enumeration in an optical measurement system
US11245404B2 (en) 2020-03-20 2022-02-08 Hi Llc Phase lock loop circuit based signal generation in an optical measurement system
WO2021188486A1 (en) 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc Phase lock loop circuit based adjustment of a measurement time window in an optical measurement system
US11607132B2 (en) 2020-03-20 2023-03-21 Hi Llc Temporal resolution control for temporal point spread function generation in an optical measurement system
WO2021188485A1 (en) 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc Maintaining consistent photodetector sensitivity in an optical measurement system
US11864867B2 (en) 2020-03-20 2024-01-09 Hi Llc Control circuit for a light source in an optical measurement system by applying voltage with a first polarity to start an emission of a light pulse and applying voltage with a second polarity to stop the emission of the light pulse
US12138068B2 (en) 2020-03-20 2024-11-12 Hi Llc Techniques for characterizing a nonlinearity of a time-to-digital converter in an optical measurement system
US12059262B2 (en) 2020-03-20 2024-08-13 Hi Llc Maintaining consistent photodetector sensitivity in an optical measurement system
WO2021188496A1 (en) 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc Photodetector calibration of an optical measurement system
US11857348B2 (en) 2020-03-20 2024-01-02 Hi Llc Techniques for determining a timing uncertainty of a component of an optical measurement system
WO2021188489A1 (en) 2020-03-20 2021-09-23 Hi Llc High density optical measurement systems with minimal number of light sources
US11322639B2 (en) * 2020-04-09 2022-05-03 Globalfoundries U.S. Inc. Avalanche photodiode
US12059270B2 (en) 2020-04-24 2024-08-13 Hi Llc Systems and methods for noise removal in an optical measurement system
US11476372B1 (en) 2020-05-13 2022-10-18 Apple Inc. SPAD-based photon detectors with multi-phase sampling TDCs
US11611002B2 (en) 2020-07-22 2023-03-21 Globalfoundries U.S. Inc. Photodiode and/or pin diode structures
US12356740B2 (en) 2020-09-25 2025-07-08 Apple Inc. Transistor integration with stacked single-photon avalanche diode (SPAD) pixel arrays
US11424377B2 (en) 2020-10-08 2022-08-23 Globalfoundries U.S. Inc. Photodiode with integrated, light focusing element
CN116964746A (zh) 2021-02-07 2023-10-27 皇家飞利浦有限公司 具有近红外（nir）光子检测效率改善的单光子雪崩二极管（spad）的装置
KR102878659B1 (ko) * 2021-02-25 2025-10-29 주식회사 디비하이텍 Spad 픽셀 구조 및 제조방법
KR20230081463A (ko) 2021-11-30 2023-06-07 삼성전자주식회사 광 소자용 기판 및 그 제조방법과 이 기판을 포함하는 광 소자 및 그 제조방법과 광 소자를 포함하는 전자장치
JP7524407B2 (ja) * 2022-03-04 2024-07-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出素子および電子機器
US11949034B2 (en) 2022-06-24 2024-04-02 Globalfoundries U.S. Inc. Photodetector with dual doped semiconductor material
US20250261457A1 (en) * 2024-02-13 2025-08-14 Shenzhen Adaps Photonics Technology Co., Ltd. 3d stacked apd/spad for visible light operating at high speed

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL187416C (nl) * 1983-07-14 1991-09-16 Philips Nv Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting.
JP3137431B2 (ja) * 1991-06-13 2001-02-19 セイコーインスツルメンツ株式会社 半導体集積回路装置
US5923071A (en) * 1992-06-12 1999-07-13 Seiko Instruments Inc. Semiconductor device having a semiconductor film of low oxygen concentration
DE4322648C1 (de) * 1993-07-07 1994-08-18 Siemens Ag Gerät mit Vierbeinspule
JPH07221341A (ja) * 1993-12-08 1995-08-18 Nikon Corp 紫外線検出用シリコンアバランシェフォトダイオード
US5446308A (en) * 1994-04-04 1995-08-29 General Electric Company Deep-diffused planar avalanche photodiode
US5583352A (en) * 1994-04-29 1996-12-10 Eg&G Limited Low-noise, reach-through, avalanche photodiodes
JPH1020042A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Shimadzu Corp Ｘ線ｃｔ用固体検出器
RU2102821C1 (ru) * 1996-10-10 1998-01-20 Зираддин Ягуб-оглы Садыгов Лавинный фотодиод
JPH10233525A (ja) * 1997-02-19 1998-09-02 Hamamatsu Photonics Kk アバランシェフォトダイオード
JPH10261588A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
FR2764381A1 (fr) * 1997-06-09 1998-12-11 Univ De Neuchatel Detecteur electrochimioluminescent
US5757057A (en) * 1997-06-25 1998-05-26 Advanced Photonix, Inc. Large area avalanche photodiode array
JP4538107B2 (ja) * 1998-03-02 2010-09-08 エヌエックスピー ビー ヴィ 半導体素子及び金属化層を有する絶縁層が接着剤により取付られているガラス支持体を有する半導体装置
US6229870B1 (en) * 1998-11-25 2001-05-08 Picker International, Inc. Multiple fan beam computed tomography system
EP1284021A4 (en) * 2000-04-20 2008-08-13 Digirad Corp MANUFACTURE OF LIGHT-BACK LIGHTED PHOTODIODS
US6426991B1 (en) * 2000-11-16 2002-07-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Back-illuminated photodiodes for computed tomography detectors
US6541836B2 (en) * 2001-02-21 2003-04-01 Photon Imaging, Inc. Semiconductor radiation detector with internal gain
US20020138021A1 (en) * 2001-03-23 2002-09-26 Devonrex, Inc. Micro-invasive tissue removal device
DE60112726T2 (de) 2001-05-15 2006-06-14 St Microelectronics Srl Halbleiter-Photodetektor mit hoher Verstärkung und Herstellungsverfahren
DE10124032B4 (de) 2001-05-16 2011-02-17 Telefunken Semiconductors Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von Bauelementen auf einem SOI-Wafer
CA2396325C (en) 2001-09-06 2010-03-30 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Zn1-xmgxsyse1-y pin photodiode and zn1-xmgxsyse1-y avalanche-photodiode
GB0216075D0 (en) * 2002-07-11 2002-08-21 Qinetiq Ltd Photodetector circuits
WO2004027879A2 (en) 2002-09-19 2004-04-01 Quantum Semiconductor Llc Light-sensing device
US7254851B2 (en) * 2002-11-13 2007-08-14 Imaging Diagnostic Systems, Inc. Patient support structure having a tabletop with a breast positioning aperture for a laser imaging apparatus
DE10313005B4 (de) * 2003-03-24 2007-05-03 Siemens Ag Reservebatterie und Verfahren zu deren Herstellung
US20040245592A1 (en) 2003-05-01 2004-12-09 Yale University Solid state microchannel plate photodetector
US7160753B2 (en) * 2004-03-16 2007-01-09 Voxtel, Inc. Silicon-on-insulator active pixel sensors
RU2290721C2 (ru) * 2004-05-05 2006-12-27 Борис Анатольевич Долгошеин Кремниевый фотоэлектронный умножитель (варианты) и ячейка для кремниевого фотоэлектронного умножителя
US7361882B2 (en) * 2005-04-14 2008-04-22 Sensors Unlimited, Inc. Method and apparatus for providing non-linear, passive quenching of avalanche currents in Geiger-mode avalanche photodiodes

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2778047C1 (ru) * 2021-11-30 2022-08-12 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" Способ приема оптических сигналов

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008048694A3 (en) 2008-07-24
WO2008048694A2 (en) 2008-04-24
EP1982356B1 (en) 2017-03-15
CN101379615B (zh) 2013-06-12
US7714292B2 (en) 2010-05-11
JP2009525619A (ja) 2009-07-09
CN101379615A (zh) 2009-03-04
US20090008566A1 (en) 2009-01-08
RU2416840C2 (ru) 2011-04-20
EP1982356A2 (en) 2008-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008131699A (ru) Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера
US8778721B2 (en) Array of mutually isolated, geiger-mode, avalanche photodiodes and manufacturing method thereof
CN106449770B (zh) 防止边缘击穿的环形栅单光子雪崩二极管及其制备方法
US9236519B2 (en) Geiger-mode avalanche photodiode with high signal-to-noise ratio, and corresponding manufacturing process
JP5523317B2 (ja) アバランシェフォトダイオード及びアバランシェ照射検出器
US8471293B2 (en) Array of mutually insulated Geiger-mode avalanche photodiodes, and corresponding manufacturing process
JP4972360B2 (ja) 光子感知エレメント及びこれを用いたデバイス
CN110416335A (zh) 硅基近红外单光子雪崩二极管探测器及其制作方法
JP5385315B2 (ja) 全波長帯の量子効率に優れた垂直構造のシリコン光電子増倍管
JP2010503991A (ja) 薄膜ｓｏｉを用いるイメージセンサ
US20100108893A1 (en) Devices and Methods for Ultra Thin Photodiode Arrays on Bonded Supports
JP2007521657A (ja) 超薄型裏面照射フォトダイオード・アレイの構造と製造方法
US11239382B2 (en) Semiconductor photomultiplier
ITTO20080945A1 (it) Fotodiodo operante in modalita' geiger con resistore di soppressione integrato e controllabile, schiera di fotodiodi e relativo procedimento di fabbricazione
CN102024863B (zh) 高速增强型紫外硅选择性雪崩光电二极管及其制作方法
US7576371B1 (en) Structures and methods to improve the crosstalk between adjacent pixels of back-illuminated photodiode arrays
CN101752391A (zh) 具有mos全耗尽漂移通道的雪崩漂移探测器及其探测方法
JP2022526587A (ja) アバランシェフォトダイオードアレイ
CN106784054A (zh) 一种紫外雪崩光电二极管探测器及其探测方法
CN115084295A (zh) 应用于辐射及弱光探测的硅光电倍增管结构及制备方法
CN102157600A (zh) 叉指状紫外增强型选择性硅光电二极管及其制作方法
US20130001729A1 (en) High Fill-Factor Laser-Treated Semiconductor Device on Bulk Material with Single Side Contact Scheme
KR101515687B1 (ko) ＣＭＯＳ 이미지 센서 ＡＲＣ 층으로서의 다공성 Ｓｉ
CN106960852B (zh) 具有漂移沟道的紫外雪崩光电二极管探测器及其探测方法
CN104282777A (zh) 具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200118