RU2008122400A - Способ производства кремния, пригодного для использования в солнечных элементах - Google Patents
Способ производства кремния, пригодного для использования в солнечных элементах Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008122400A RU2008122400A RU2008122400/15A RU2008122400A RU2008122400A RU 2008122400 A RU2008122400 A RU 2008122400A RU 2008122400/15 A RU2008122400/15 A RU 2008122400/15A RU 2008122400 A RU2008122400 A RU 2008122400A RU 2008122400 A RU2008122400 A RU 2008122400A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- solidification
- melt
- carried out
- metallurgical
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 32
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract 19
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract 19
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims abstract 14
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 4
- 229910021422 solar-grade silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
- B22D27/04—Influencing the temperature of the metal, e.g. by heating or cooling the mould
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1. Способ производства кремния солнечного качества, включающий: ! плавление кремния и ! направленное затвердевание расплава, ! отличающийся тем, что кристаллизационный фронт формируется в ходе направленного затвердевания, причем указанный фронт имеет форму по меньшей мере сегмента сферической поверхности. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизационный фронт распространяется в расплаве радиально-симметрично. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что затвердевание осуществляют с поверхности расплава. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что затвердевание осуществляют с места, находящегося в объеме расплава. ! 5. Способ по п.3, отличающийся тем, что расплав находится в тигле, и затвердевание осуществляют с места, находящегося на дне тигля. ! 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что металлургический кремний расплавляют. ! 7. Способ по п.6, отличающийся тем, что металлургический кремний извлекают с помощью карботермического восстановления диоксида кремния углеродом. ! 8. Способ по п.7, отличающийся тем, что карботермическое восстановление осуществляют в электродуговой печи. ! 9. Способ по любому из пп.6-8, отличающийся тем, что перед затвердеванием расплавленный металлургический кремний обрабатывают металлургическим способом в технологической печи, причем расплав предпочтительно очищают продувочным газом и/или в ходе металлургической обработки добавляют шлакообразующие компоненты. ! 10. Способ по п.9, отличающийся тем, что затвердевание проводят в технологической печи. ! 11. Способ по п.1, отличающийся тем, что после затвердевания расплава, краевую зону с каждой стороны затвердевшего кремниевого слитка удаляют, причем кр�
Claims (21)
1. Способ производства кремния солнечного качества, включающий:
плавление кремния и
направленное затвердевание расплава,
отличающийся тем, что кристаллизационный фронт формируется в ходе направленного затвердевания, причем указанный фронт имеет форму по меньшей мере сегмента сферической поверхности.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизационный фронт распространяется в расплаве радиально-симметрично.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что затвердевание осуществляют с поверхности расплава.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что затвердевание осуществляют с места, находящегося в объеме расплава.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что расплав находится в тигле, и затвердевание осуществляют с места, находящегося на дне тигля.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что металлургический кремний расплавляют.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что металлургический кремний извлекают с помощью карботермического восстановления диоксида кремния углеродом.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что карботермическое восстановление осуществляют в электродуговой печи.
9. Способ по любому из пп.6-8, отличающийся тем, что перед затвердеванием расплавленный металлургический кремний обрабатывают металлургическим способом в технологической печи, причем расплав предпочтительно очищают продувочным газом и/или в ходе металлургической обработки добавляют шлакообразующие компоненты.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что затвердевание проводят в технологической печи.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что после затвердевания расплава, краевую зону с каждой стороны затвердевшего кремниевого слитка удаляют, причем краевая зона предпочтительно имеет толщину несколько сантиметров.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что оставшийся кремниевый слиток измельчают и перетравливают травильным раствором, причем кремниевые фрагменты, полученные при измельчении предпочтительно имеют диаметр примерно 5 мм.
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что кремниевые фрагменты отмывают и сушат после перетравления.
14. Способ по любому пп.11-13, отличающийся тем, что кремниевый слиток или кремниевые фрагменты снова расплавляют и осуществляют другое направленное затвердевание.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что для повторного плавления предусмотрен отдельный тигель, и/или плавление осуществляют в отдельной кристаллизационной печи.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что дополнительное направленное затвердевание осуществляют по любому из пп.1-5.
17. Способ по п.14, отличающийся тем, что после дополнительного направленного затвердевания удаляют краевую зону с каждой стороны затвердевшего кремниевого слитка, причем краевая зона предпочтительно имеет толщину, несколько сантиметров.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что оставшийся кремниевый слиток измельчают и перетравливают травильным раствором, причем кремниевые фрагменты, полученные при измельчении, предпочтительно имеют диаметр примерно 5 мм.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что после перетравления кремниевые фрагменты отмывают и сушат.
20. Кремниевая пластина, отличающаяся тем, что она выполнена, по меньшей мере частично, из кремния, полученного по любому способу из предшествующих пунктов.
21. Солнечный элемент, отличающийся тем, что он выполнен, по меньшей мере частично, из кремния, полученного по любому способу из предшествующих пунктов.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102005061690A DE102005061690A1 (de) | 2005-12-21 | 2005-12-21 | Verfahren zur Herstellung solartauglichen Siliziums |
| DE102005061690.9 | 2005-12-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008122400A true RU2008122400A (ru) | 2010-01-27 |
Family
ID=37564135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008122400/15A RU2008122400A (ru) | 2005-12-21 | 2006-08-09 | Способ производства кремния, пригодного для использования в солнечных элементах |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090074650A1 (ru) |
| EP (1) | EP1968890B1 (ru) |
| JP (1) | JP2009520664A (ru) |
| KR (1) | KR20080100337A (ru) |
| CN (1) | CN101341092A (ru) |
| AT (1) | ATE497931T1 (ru) |
| AU (1) | AU2006334868A1 (ru) |
| BR (1) | BRPI0621079A2 (ru) |
| CA (1) | CA2634592A1 (ru) |
| DE (2) | DE102005061690A1 (ru) |
| RU (1) | RU2008122400A (ru) |
| WO (1) | WO2007079789A1 (ru) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007061977A1 (de) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Futech Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterpartikeln, insbesondere aus Silizium |
| KR101248073B1 (ko) * | 2011-06-10 | 2013-03-27 | 한국에너지기술연구원 | 불활성 가스 블로윙을 이용한 표면 품질이 우수한 실리콘 기판 제조 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2012145568A1 (en) | 2011-04-21 | 2012-10-26 | Albert Einstein College Of Medicine Of Yeshiva University | Antibodies to human b7x for treatment of metastatic cancer |
| CN102219219B (zh) * | 2011-05-16 | 2012-11-07 | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 | 一种定向凝固及渣滤熔炼提纯多晶硅的方法及设备 |
| BR102013032779A2 (pt) * | 2013-12-19 | 2015-12-08 | Cia Ferroligas Minas Gerais Minasligas | processo e equipamento para purificação de silício por solidificação direcional |
| DE102015215858B4 (de) * | 2015-08-20 | 2019-01-24 | Siltronic Ag | Verfahren zur Wärmebehandlung von Granulat aus Silizium, Granulat aus Silizium und Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium |
| CN110342523A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-10-18 | 聂康斌 | 采用石油焦添加废塑料冶炼的工业硅及其冶炼工艺 |
| DE102024110524A1 (de) | 2024-04-15 | 2025-10-16 | Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, abgekürzt RWTH Aachen, Körperschaft des öffentlichen Rechts | Verfahren zum Behandeln siliziumhaltiger Feststoffkörper |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4195067A (en) * | 1977-11-21 | 1980-03-25 | Union Carbide Corporation | Process for the production of refined metallurgical silicon |
| US4242175A (en) * | 1978-12-26 | 1980-12-30 | Zumbrunnen Allen D | Silicon refining process |
| US4247528A (en) * | 1979-04-11 | 1981-01-27 | Dow Corning Corporation | Method for producing solar-cell-grade silicon |
| DE3611950A1 (de) * | 1986-04-09 | 1987-10-22 | Siemens Ag | Verfahren zum abtrennen von festen raktionsprodukten, wie kohlenstoff, aus carbothermisch erzeugtem silizium |
| JPH10182286A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-07 | Kawasaki Steel Corp | シリコンの連続鋳造方法 |
| JPH10182137A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-07 | Kawasaki Steel Corp | 太陽電池用シリコンの凝固精製方法及び装置 |
| JPH10245216A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Kawasaki Steel Corp | 太陽電池用シリコンの製造方法 |
| JPH10324515A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-12-08 | Kawasaki Steel Corp | 太陽電池用シリコンの製造方法 |
| US5972107A (en) * | 1997-08-28 | 1999-10-26 | Crystal Systems, Inc. | Method for purifying silicon |
| JPH1192284A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-04-06 | Mitsubishi Materials Corp | 一方向凝固多結晶組織を有するシリコンインゴットの製造方法 |
| JP3446032B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2003-09-16 | 信州大学長 | 無転位シリコン単結晶の製造方法 |
| US6816786B2 (en) * | 2000-04-18 | 2004-11-09 | Devrie S Intriligator | Space weather prediction system and method |
| AU2002248549B2 (en) * | 2001-03-08 | 2005-01-20 | California Institute Of Technology | Real-time spatio-temporal coherence estimation for autonomous mode identification and invariance tracking |
| US7672369B2 (en) * | 2002-02-13 | 2010-03-02 | Reify Corporation | Method and apparatus for acquisition, compression, and characterization of spatiotemporal signals |
| US8021483B2 (en) * | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
| JP2004284892A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Jfe Steel Kk | 多結晶シリコンの製造方法 |
| NO333319B1 (no) * | 2003-12-29 | 2013-05-06 | Elkem As | Silisiummateriale for fremstilling av solceller |
| WO2005098720A2 (en) * | 2004-04-02 | 2005-10-20 | Spatial Data Analytics Corporation | Forecasting based on geospatial modeling |
| US7620108B2 (en) * | 2005-09-16 | 2009-11-17 | Sony Corporation | Integrated spatial-temporal prediction |
| US7468662B2 (en) * | 2006-06-16 | 2008-12-23 | International Business Machines Corporation | Method for spatio-temporal event detection using composite definitions for camera systems |
| US8149278B2 (en) * | 2006-11-30 | 2012-04-03 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | System and method for modeling movement of objects using probabilistic graphs obtained from surveillance data |
| US20080285651A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | The Hong Kong University Of Science And Technology | Spatio-temporal boundary matching algorithm for temporal error concealment |
| US9031129B2 (en) * | 2007-06-15 | 2015-05-12 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Joint spatio-temporal prediction for video coding |
| US8542916B2 (en) * | 2008-07-09 | 2013-09-24 | Florida Atlantic University | System and method for analysis of spatio-temporal data |
-
2005
- 2005-12-21 DE DE102005061690A patent/DE102005061690A1/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-08-09 JP JP2008546153A patent/JP2009520664A/ja active Pending
- 2006-08-09 AT AT06776709T patent/ATE497931T1/de active
- 2006-08-09 DE DE502006008895T patent/DE502006008895D1/de active Active
- 2006-08-09 RU RU2008122400/15A patent/RU2008122400A/ru not_active Application Discontinuation
- 2006-08-09 CN CNA2006800478375A patent/CN101341092A/zh active Pending
- 2006-08-09 EP EP06776709A patent/EP1968890B1/de active Active
- 2006-08-09 WO PCT/EP2006/007885 patent/WO2007079789A1/de not_active Ceased
- 2006-08-09 AU AU2006334868A patent/AU2006334868A1/en not_active Abandoned
- 2006-08-09 KR KR1020087017144A patent/KR20080100337A/ko not_active Ceased
- 2006-08-09 CA CA002634592A patent/CA2634592A1/en not_active Abandoned
- 2006-08-09 US US12/158,348 patent/US20090074650A1/en not_active Abandoned
- 2006-08-09 BR BRPI0621079-1A patent/BRPI0621079A2/pt not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE497931T1 (de) | 2011-02-15 |
| JP2009520664A (ja) | 2009-05-28 |
| EP1968890B1 (de) | 2011-02-09 |
| BRPI0621079A2 (pt) | 2011-11-29 |
| KR20080100337A (ko) | 2008-11-17 |
| CA2634592A1 (en) | 2007-07-19 |
| DE102005061690A1 (de) | 2007-07-05 |
| WO2007079789A1 (de) | 2007-07-19 |
| US20090074650A1 (en) | 2009-03-19 |
| AU2006334868A1 (en) | 2007-07-19 |
| EP1968890A1 (de) | 2008-09-17 |
| DE502006008895D1 (de) | 2011-03-24 |
| CN101341092A (zh) | 2009-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5400782B2 (ja) | シリコン結晶を得るためのシリコン粉末の処理方法 | |
| US8409319B2 (en) | Silicon purification method | |
| CN105695777B (zh) | 电子束定向凝固技术精炼镍基高温合金的方法 | |
| WO2010065401A3 (en) | Purification of silicon by electric induction melting and directional partial cooling of the melt | |
| JP2001240949A (ja) | 微細な結晶粒を有する高純度銅加工品素材の製造方法 | |
| RU2008122400A (ru) | Способ производства кремния, пригодного для использования в солнечных элементах | |
| CN1221470C (zh) | 高纯度硅的生产方法 | |
| JPH10245216A (ja) | 太陽電池用シリコンの製造方法 | |
| EP2480497B1 (en) | Method for producing high purity silicon | |
| CN101778795A (zh) | 金属硅的凝固方法 | |
| JP3140300B2 (ja) | シリコンの精製方法および精製装置 | |
| JP5513389B2 (ja) | シリコンの精製方法 | |
| JPWO2010013484A1 (ja) | 金属の精製方法 | |
| JPH10182134A (ja) | シリコンの精製方法 | |
| CN105274377B (zh) | 一种吹气搅拌定向脱除铝合金中氢气的方法 | |
| JPH10251008A (ja) | 金属シリコンの凝固精製方法 | |
| KR101568832B1 (ko) | 고순도 페로실리콘 제조 방법 | |
| JP2000327488A (ja) | 太陽電池用シリコン基板の製造方法 | |
| JPH10139415A (ja) | 溶融シリコンの凝固精製方法 | |
| Li et al. | Electromagnetic field induced structure transition of aluminum alloys during direct chill casting | |
| JP2012012275A (ja) | 保持容器、保持容器の製造方法および太陽電池用シリコンの製造方法。 | |
| JPH0696444B2 (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
| CN111762786B (zh) | 一种硅熔体可控凝固去除杂质元素的方法 | |
| RU2204617C1 (ru) | Способ рафинирования металлов и сплавов многократным электронно-лучевым переплавом | |
| Ten et al. | Continuous melting of oxygen-free copper |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20100424 |