RU2008108013A - Способ удаления поверхностных отложений и пассивирования внутренних поверхностей реактора химического осаждения из паровой фазы - Google Patents
Способ удаления поверхностных отложений и пассивирования внутренних поверхностей реактора химического осаждения из паровой фазы Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008108013A RU2008108013A RU2008108013/02A RU2008108013A RU2008108013A RU 2008108013 A RU2008108013 A RU 2008108013A RU 2008108013/02 A RU2008108013/02 A RU 2008108013/02A RU 2008108013 A RU2008108013 A RU 2008108013A RU 2008108013 A RU2008108013 A RU 2008108013A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- source
- gas mixture
- carbon
- gas
- chamber
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 39
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 title 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 30
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 21
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract 21
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 14
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract 14
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract 11
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims abstract 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims abstract 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 6
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical group O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 claims 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 2
- WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N hexafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)F WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 claims 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- UEOZRAZSBQVQKG-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5-octafluorooxolane Chemical compound FC1(F)OC(F)(F)C(F)(F)C1(F)F UEOZRAZSBQVQKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical group O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims 1
- QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N octafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims 1
- 229960004065 perflutren Drugs 0.000 claims 1
- 229910017843 NF3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 1
- GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N nitrogen trifluoride Chemical compound FN(F)F GVGCUCJTUSOZKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/12—Gaseous compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
1. Активированная газовая смесь, содержащая ! от примерно 60% до примерно 75% атомов фтора, ! от примерно 10% до примерно 30% атомов азота, ! возможно, до примерно 15% атомов кислорода, и ! от примерно 0,3% до примерно 15% одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы. ! 2. Активированная газовая смесь по п.1, причем ! доля атомов фтора составляет от примерно 66% до примерно 74%, ! доля атомов азота составляет от примерно 11% до примерно 24%, ! доля атомов кислорода составляет от примерно 0,9% до примерно 11%, и ! доля одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, составляет от примерно 0,6% до примерно 11%. ! 3. Активированная газовая смесь по п.1 или 2, в которой один или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, является углеродом. ! 4. Активированная газовая смесь по п.1, дополнительно содержащая газ-носитель. ! 5. Активированная газовая смесь по п.4, в которой газ-носитель выбран из группы, состоящей из аргона и гелия. ! 6. Активированная газовая смесь по п.5, в которой газ-носитель является аргоном. ! 7. Способ травления и удаления поверхностных отложений с внутренних поверхностей CVD-аппарата, включающий ! активирование в удаленной камере газовой смеси, содержащей источник кислорода, источник одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, и NF3, причем мольное отношение источника кислорода к источнику одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, составляет по меньшей мере примерно 0,75:1, и причем мольная доля NF3 в указанной газовой смеси составляет от примерно 50% до примерно 98%; ! направление потока указанной активированной газов
Claims (59)
1. Активированная газовая смесь, содержащая
от примерно 60% до примерно 75% атомов фтора,
от примерно 10% до примерно 30% атомов азота,
возможно, до примерно 15% атомов кислорода, и
от примерно 0,3% до примерно 15% одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы.
2. Активированная газовая смесь по п.1, причем
доля атомов фтора составляет от примерно 66% до примерно 74%,
доля атомов азота составляет от примерно 11% до примерно 24%,
доля атомов кислорода составляет от примерно 0,9% до примерно 11%, и
доля одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, составляет от примерно 0,6% до примерно 11%.
3. Активированная газовая смесь по п.1 или 2, в которой один или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, является углеродом.
4. Активированная газовая смесь по п.1, дополнительно содержащая газ-носитель.
5. Активированная газовая смесь по п.4, в которой газ-носитель выбран из группы, состоящей из аргона и гелия.
6. Активированная газовая смесь по п.5, в которой газ-носитель является аргоном.
7. Способ травления и удаления поверхностных отложений с внутренних поверхностей CVD-аппарата, включающий
активирование в удаленной камере газовой смеси, содержащей источник кислорода, источник одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, и NF3, причем мольное отношение источника кислорода к источнику одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, составляет по меньшей мере примерно 0,75:1, и причем мольная доля NF3 в указанной газовой смеси составляет от примерно 50% до примерно 98%;
направление потока указанной активированной газовой смеси через трубопровод в рабочую камеру, снижая тем самым скорость поверхностной рекомбинации газофазных компонентов на внутренних поверхностях указанного CVD-аппарата.
8. Способ по п.7, в котором один или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, является углеродом.
9. Способ по п.7, в котором аппарат является PECVD-аппаратом.
10. Способ по п.7, в котором внутренние поверхности аппарата выполнены из материала, выбранного из группы, состоящей из алюминия и анодированного алюминия.
11. Способ по п.7, в котором трубопровод охлаждается.
12. Способ по п.7, в котором для повышения давления в аппарате в цикле очистки применяется дроссельный клапан.
13. Способ по п.8, в котором источником кислорода является молекулярный кислород.
14. Способ по п.8, в котором источником углерода является фторуглерод.
15. Способ по п.14, в котором фторуглеродом является перфторуглерод.
16. Способ по п.14, в котором фторуглерод выбран из группы, состоящей из тетрафторметана, гексафторэтана, октафторпропана, перфтортетрагидрофурана и октафторциклобутана.
17. Способ по п.14, в котором фторуглерод является гексафторэтаном.
18. Способ по п.14, в котором фторуглерод является октафторциклобутаном.
19. Способ по п.7, в котором мольная доля NF3 составляет от примерно 60% до примерно 98% газовой смеси.
20. Способ по п.7, в котором NF3 составляет от примерно 70% до примерно 90% газовой смеси.
21. Способ по п.14, в котором отношение источник кислорода:источник углерода составляет примерно 1:1.
22. Способ по п.14, в котором источником кислорода и источником углерода является диоксид углерода, и мольная доля диоксида углерода в газовой смеси составляет от примерно 2% до примерно 15%.
23. Способ по п.7, в котором газовая смесь дополнительно содержит газ-носитель.
24. Способ по п.23, в котором указанный газ-носитель выбран из группы, состоящей из аргона и гелия.
25. Способ по п.7, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 20 торр.
26. Способ по п.7, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 1 торр до примерно 15 торр.
27. Способ по п.7, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 15 торр.
28. Способ по п.27, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 2 торр до примерно 6 торр.
29. Способ по п.7, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения, источником постоянного тока или источником микроволнового излучения.
30. Способ по п.29, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения.
31. Способ пассивирования внутренних поверхностей аппарата, включающий
(a) получение активированной газовой смеси по п.1 или 2 в удаленной камере,
(b) направление потока указанной активированной газовой смеси через трубопровод в рабочую камеру, и после этого
(c) уменьшение скорости поверхностной рекомбинации газофазных компонентов.
32. Способ по п.31, в котором аппарат является PECVD-аппаратом.
33. Способ по п.31, в котором внутренние поверхности аппарата выполнены из материала, выбранного из группы, состоящей из алюминия и анодированного алюминия.
34. Способ по п.31, в котором трубопровод охлаждается.
35. Способ по п.31, в котором для повышения давления в аппарате в цикле очистки применяется дроссельный клапан.
36. Способ по п.31, в котором газовая смесь дополнительно содержит газ-носитель.
37. Способ по п.36, в котором указанный газ-носитель выбран из группы, состоящей из аргона и гелия.
38. Способ по п.31, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 20 торр.
39. Способ по п.31, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 1 торр до примерно 15 торр.
40. Способ по п.31, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 15 торр.
41. Способ по п.31, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 2 торр до примерно 6 торр.
42. Способ по п.31, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения, источником постоянного тока или источником микроволнового излучения.
43. Способ по п.42, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения.
44. PECVD-аппарат, содержащий
(a) удаленную камеру с источником плазмы,
(b) газораспределительную систему, соединяющую удаленный источник плазмы, чтобы подать чистящий газ и инертный газ,
(c) PECVD-камеру, причем удаленная камера с плазмой соединяется с PECVD-камерой средством, позволяющим переход активированного газа по пп.1-3 или 4 из удаленной камеры с плазмой в рабочую камеру, и
(d) линию вывода.
45. PECVD-аппарат по п.44, в котором линия вывода соединена с источником вакуума.
46. PECVD-аппарат по п.45, в котором источник вакуума является вакуумным насосом.
47. PECVD-аппарат по п.44, в котором средство, позволяющее переносить активированный газ из удаленной камеры с плазмой в рабочую камеру, содержит короткую соединительную трубу до распылительной насадки и трубопровод, напрямую соединяющую источник плазмы с рабочей камерой.
48. PECVD-аппарат по п.47, в котором и короткая соединительная труба с распылительной насадкой, и трубопровод, напрямую соединяющий источник плазмы с рабочей камерой, дополнительно содержит устройство ограничения потока, чтобы изменять пропорции активированного газа, текущего по двум путям.
49. PECVD-аппарат по п.48, в котором устройство ограничения потока является отверстием или клапаном.
50. PECVD-аппарат по п.44, в котором линия вывода дополнительно содержит по меньшей мере один дроссельный клапан.
51. PECVD-аппарат по п.44, в котором газораспределительная система содержит трубу, соединяющую баллоны с газом, для каждого газа, подаваемого в PECVD-камеру через отдельные регуляторы массового потока каждого газа, в смесительную камеру и оттуда соединяющиеся с удаленной камерой источника плазмы.
52. PECVD-аппарат по п.44, в котором газораспределительная система содержит трубы, соединяющие баллон с чистящей газовой смесью через регулятор массового потока с удаленной камерой источника плазмы, и трубу, соединяющую источник инертного газа через регулятор массового потока с удаленной камерой источника плазмы.
53. PECVD-аппарат по п.44, в котором средство, делающее возможным переход активированного газа из удаленной камеры с плазмой в рабочую камеру, охлаждается.
54. PECVD-аппарат по п.44, в котором линия вывода выполнена из алюминия или анодированного алюминия и охлаждается.
55. Газовая смесь для очистки CVD-реактора, содержащая, в мольных процентах газа
до 25% газообразного источника кислорода,
от примерно 50% до примерно 98% неорганического газообразного источника фтора,
до примерно 25% газообразного источника углерода, и
до примерно 25% газообразного источника серы,
причем полное количество газообразного источника углерода плюс количество газообразного источника серы составляет от 1 до 25%.
56. Газовая смесь по п.55, в которой неорганическим газообразным источником фтора является NF3.
57. Газовая смесь по п.55, в которой газообразным источником углерода является фторуглерод или углеводород.
58. Газовая смесь по п.57, в которой газообразным источником углерода является CO2, CH4, C2F8 или октофторциклобутан.
59. Газовая смесь по п.55, в которой газообразным источником серы является SF6.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US70484005P | 2005-08-02 | 2005-08-02 | |
| US60/704,840 | 2005-08-02 | ||
| US77947006P | 2006-03-06 | 2006-03-06 | |
| US60/779,470 | 2006-03-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008108013A true RU2008108013A (ru) | 2009-09-10 |
Family
ID=37698316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008108013/02A RU2008108013A (ru) | 2005-08-02 | 2006-08-02 | Способ удаления поверхностных отложений и пассивирования внутренних поверхностей реактора химического осаждения из паровой фазы |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009503905A (ru) |
| KR (1) | KR20080050403A (ru) |
| RU (1) | RU2008108013A (ru) |
| TW (1) | TW200711757A (ru) |
| WO (1) | WO2007027350A2 (ru) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070107750A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-17 | Sawin Herbert H | Method of using NF3 for removing surface deposits from the interior of chemical vapor deposition chambers |
| US20070207275A1 (en) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of remote plasma source clean for dielectric films |
| US20080087642A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-17 | Sawin Herbert H | Method for removing surface deposits in the interior of a chemical vapor deposition reactor |
| EP2311065B1 (en) * | 2008-07-09 | 2014-09-10 | TEL Solar AG | Remote plasma cleaning method and apparatus for applying said method |
| US12444651B2 (en) | 2009-08-04 | 2025-10-14 | Novellus Systems, Inc. | Tungsten feature fill with nucleation inhibition |
| KR101630234B1 (ko) * | 2009-11-17 | 2016-06-15 | 주성엔지니어링(주) | 공정챔버의 세정방법 |
| US20130017644A1 (en) * | 2011-02-18 | 2013-01-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Fluorine Based Chamber Clean With Nitrogen Trifluoride Backup |
| JP5710433B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2015-04-30 | 株式会社東芝 | 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置 |
| US11437269B2 (en) | 2012-03-27 | 2022-09-06 | Novellus Systems, Inc. | Tungsten feature fill with nucleation inhibition |
| US9828672B2 (en) | 2015-03-26 | 2017-11-28 | Lam Research Corporation | Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma |
| WO2017172536A1 (en) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | Tokyo Electron Limited | Controlling dry etch process characteristics using waferless dry clean optical emission spectroscopy |
| KR102652258B1 (ko) * | 2016-07-12 | 2024-03-28 | 에이비엠 주식회사 | 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버 |
| US10211099B2 (en) * | 2016-12-19 | 2019-02-19 | Lam Research Corporation | Chamber conditioning for remote plasma process |
| TWI794238B (zh) * | 2017-07-13 | 2023-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 於單一加工腔室中自半導體膜移除氧化物及碳之裝置及方法 |
| KR101960073B1 (ko) * | 2017-10-27 | 2019-03-20 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 반도체 공정용 기판 처리 시스템 |
| CN120497124A (zh) | 2017-12-07 | 2025-08-15 | 朗姆研究公司 | 在室调节中的抗氧化保护层 |
| US10760158B2 (en) | 2017-12-15 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| WO2020081303A1 (en) | 2018-10-19 | 2020-04-23 | Lam Research Corporation | In situ protective coating of chamber components for semiconductor processing |
| KR102828798B1 (ko) | 2018-12-05 | 2025-07-02 | 램 리써치 코포레이션 | 보이드 프리 (void free) 저응력 (low stress) 충진 |
| CN118841306A (zh) | 2018-12-20 | 2024-10-25 | 应用材料公司 | 用于供应改良的气流至处理腔室的处理空间的方法和设备 |
| US12261081B2 (en) | 2019-02-13 | 2025-03-25 | Lam Research Corporation | Tungsten feature fill with inhibition control |
| TW202124749A (zh) * | 2019-10-25 | 2021-07-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 極紫外遮罩毛坯之缺陷減少的方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5788778A (en) * | 1996-09-16 | 1998-08-04 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Deposition chamber cleaning technique using a high power remote excitation source |
| KR100767762B1 (ko) * | 2000-01-18 | 2007-10-17 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치 |
| EP1127957A1 (en) * | 2000-02-24 | 2001-08-29 | Asm Japan K.K. | A film forming apparatus having cleaning function |
| WO2003021653A1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-13 | Research Institute Of Innovative Technology For The Earth | Plasma cleaning gas and plasma cleaning method |
| US20050178333A1 (en) * | 2004-02-18 | 2005-08-18 | Asm Japan K.K. | System and method of CVD chamber cleaning |
| US20050241671A1 (en) * | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Dong Chun C | Method for removing a substance from a substrate using electron attachment |
-
2006
- 2006-08-02 RU RU2008108013/02A patent/RU2008108013A/ru unknown
- 2006-08-02 TW TW095128291A patent/TW200711757A/zh unknown
- 2006-08-02 JP JP2008525139A patent/JP2009503905A/ja active Pending
- 2006-08-02 WO PCT/US2006/030032 patent/WO2007027350A2/en not_active Ceased
- 2006-08-02 KR KR1020087005018A patent/KR20080050403A/ko not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2009503905A (ja) | 2009-01-29 |
| KR20080050403A (ko) | 2008-06-05 |
| TW200711757A (en) | 2007-04-01 |
| WO2007027350A2 (en) | 2007-03-08 |
| WO2007027350A3 (en) | 2007-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008108013A (ru) | Способ удаления поверхностных отложений и пассивирования внутренних поверхностей реактора химического осаждения из паровой фазы | |
| US20090047447A1 (en) | Method for removing surface deposits and passivating interior surfaces of the interior of a chemical vapor deposition reactor | |
| US20070107750A1 (en) | Method of using NF3 for removing surface deposits from the interior of chemical vapor deposition chambers | |
| TWI716421B (zh) | 在pecvd系統中用以改善非晶硼-碳硬光罩製程之膜內顆粒效能之方法 | |
| US9589799B2 (en) | High selectivity and low stress carbon hardmask by pulsed low frequency RF power | |
| CN101313085A (zh) | 除去化学气相沉积(cvd)腔内的表面沉积物和钝化内表面的方法 | |
| US20160166868A1 (en) | Plasma abatement using water vapor in conjunction with hydrogen or hydrogen containing gases | |
| US20080087642A1 (en) | Method for removing surface deposits in the interior of a chemical vapor deposition reactor | |
| US6981508B2 (en) | On-site cleaning gas generation for process chamber cleaning | |
| US20190022577A9 (en) | Plasma abatement of compounds containing heavy atoms | |
| US20060084280A1 (en) | Method of forming a carbon polymer film using plasma CVD | |
| CN100385623C (zh) | Cvd设备以及使用cvd设备清洗cvd设备的方法 | |
| US20100258510A1 (en) | Methods and apparatus for treating effluent | |
| TW201203426A (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| US20190282948A1 (en) | Semiconductor processing system | |
| US9032990B2 (en) | Chemical delivery system | |
| CN101410167A (zh) | 处理气流的方法 | |
| CN100516287C (zh) | 使用气体分离喷头清洁腔室的装置 | |
| US20110126764A1 (en) | Gas supply apparatus | |
| Aoki et al. | Silicon nitride film growth by remote plasma CVD using Tris (dimethylamino) silane | |
| CN101163816A (zh) | 用于去除表面沉积物的远距腔室法 | |
| WO2004073049A3 (en) | Methods and apparatus for processing semiconductor wafers with plasma processing chambers in a wafer track environment | |
| CN103037989A (zh) | 使用分子氟的原位激活的沉积腔室清洁 | |
| WO2005090638A2 (en) | Remote chamber methods for removing surface deposits | |
| TW200414288A (en) | Method for cleaning a process chamber |