RU2008107998A - Доступ к памяти - Google Patents
Доступ к памяти Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008107998A RU2008107998A RU2008107998/09A RU2008107998A RU2008107998A RU 2008107998 A RU2008107998 A RU 2008107998A RU 2008107998/09 A RU2008107998/09 A RU 2008107998/09A RU 2008107998 A RU2008107998 A RU 2008107998A RU 2008107998 A RU2008107998 A RU 2008107998A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- circuit
- magnetic
- data
- recording
- elements
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 46
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/16—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using saturable magnetic devices
- H03K19/168—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using saturable magnetic devices using thin-film devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/71—Three dimensional array
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/81—Array wherein the array conductors, e.g. word lines, bit lines, are made of nanowires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
1. Магнитное логическое устройство, содержащее: ! в основном плоскую первую подложку для электрической схемы; ! множество в основном плоских вторых подложек для схемы на магнитных элементах, сформированной в виде многослойной структуры поверх первой подложки; ! при этом каждая упомянутая вторая подложка содержит сформированную на ней схему на магнитных элементах; ! при этом каждая схема на магнитных элементах содержит множество логических элементов, элемент для записи данных и элемент для считывания данных; ! в котором элемент для записи данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому записывающему элементу первой подложки; ! в котором элемент для считывания данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому считывающему элементу первой подложки; и ! в котором элемент для записи данных и элемент для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на первой из вторых подложек, смещены относительно элемента для записи данных и элемента для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на второй из вторых подложек. ! 2. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором магнитные логические элементы содержат, по меньшей мере, один элемент для хранения данных. ! 3. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором вторые подложки разделены неферромагнитной прослойкой. ! 4. Магнитное логическое устройство по п.3, в котором неферромагнитная прослойка содержит материал, выбранный из группы, содержащей диэлектрик, по�
Claims (39)
1. Магнитное логическое устройство, содержащее:
в основном плоскую первую подложку для электрической схемы;
множество в основном плоских вторых подложек для схемы на магнитных элементах, сформированной в виде многослойной структуры поверх первой подложки;
при этом каждая упомянутая вторая подложка содержит сформированную на ней схему на магнитных элементах;
при этом каждая схема на магнитных элементах содержит множество логических элементов, элемент для записи данных и элемент для считывания данных;
в котором элемент для записи данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому записывающему элементу первой подложки;
в котором элемент для считывания данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому считывающему элементу первой подложки; и
в котором элемент для записи данных и элемент для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на первой из вторых подложек, смещены относительно элемента для записи данных и элемента для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на второй из вторых подложек.
2. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором магнитные логические элементы содержат, по меньшей мере, один элемент для хранения данных.
3. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором вторые подложки разделены неферромагнитной прослойкой.
4. Магнитное логическое устройство по п.3, в котором неферромагнитная прослойка содержит материал, выбранный из группы, содержащей диэлектрик, полимерный материал и материал из неферромагнитного металла.
5. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором каждая упомянутая вторая подложка содержит сформированное на ней множество схем на магнитных элементах.
6. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором схема на магнитных элементах сформирована из нанопроводников, выполненных из магнитного материала.
7. Магнитное логическое устройство по п.5, в котором каждый логический элемент сформирован из соединения между нанопроводниками.
8. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором элементом для записи данных и элементом для считывания данных является единый физический элемент.
9. Магнитное логическое устройство по п.1, дополнительно содержащее генератор магнитного поля, предназначенный для генерации вращающегося магнитного поля для приведения в действие схем на магнитных элементах.
10. Магнитное логическое устройство по п.9, в котором генератор магнитного поля способен функционировать таким образом, что осуществляет генерацию магнитного поля, вращающегося в направлении по часовой стрелке и/или против часовой стрелки.
11. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором элемент для записи данных содержит увеличенный конец шлейфа логического элемента "НЕ".
12. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором элемент для записи данных содержит участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы.
13. Магнитное логическое устройство по п.12, в котором участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы, сформирован имеющим иную геометрическую конфигурацию, чем соседний участок схемы.
14. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором схема на магнитных элементах дополнительно содержит узел стирания.
15. Магнитное логическое устройство по п.14, в котором узел стирания соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему электрическому узлу стирания первой подложки.
16. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором магнитные свойства схемы на магнитных элементах зависят от физической геометрической конфигурации схемы.
17. Запоминающее устройство для хранения данных, содержащее магнитное логическое устройство по любому из предыдущих пунктов.
18. Устройство со схемой на магнитных элементах, содержащее:
множество в основном плоских подложек, сформированных в виде многослойной структуры, при этом каждая упомянутая подложка содержит сформированную на ней схему на магнитных элементах;
причем каждая схема на магнитных элементах содержит множество логических элементов, элемент для записи данных и элемент для считывания данных;
в котором элемент для записи данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости ожидаемому положению соответствующего магнитоэлектрического записывающего элемента; и
в котором элемент для считывания данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости ожидаемому положению соответствующего магнитоэлектрического считывающего элемента; и
в котором элемент для записи данных и элемент для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на первой подложке, смещены относительно элемента для записи данных и элемента для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на второй подложке.
19. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором вторые подложки разделены неферромагнитной прослойкой.
20. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.19, в котором неферромагнитная прослойка содержит материал, выбранный из группы, содержащей диэлектрик, полимерный материал и материал из неферромагнитного металла.
21. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором каждая упомянутая вторая положка содержит сформированное на ней множество схем на магнитных элементах.
22. Устройство со схемой на магнитных элементах по по п.18, в котором схема на магнитных элементах сформирована из нанопроводников, выполненных из магнитного материала.
23. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором элементом для записи данных и элементом для считывания данных является единый физический элемент.
24. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором каждая схема на магнитных элементах функционирует таким образом, что приводится в действие вращающимся магнитным полем.
25. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором элемент для записи данных содержит увеличенный конец шлейфа логического элемента "НЕ".
26. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором элемент для записи данных содержит участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы.
27. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.26, в котором участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы, сформирован имеющим иную геометрическую конфигурацию, чем соседний участок схемы.
28. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором схема на магнитных элементах дополнительно содержит узел стирания.
29. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.28, в котором узел стирания соответствует по его месту расположения на плоскости ожидаемому положению соответствующего магнитоэлектрического элемента для стирания.
30. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором магнитные свойства схемы на магнитных элементах зависят от физической геометрической конфигурации схемы.
31. Запоминающее устройство для хранения данных, содержащее устройство со схемой на магнитных элементах по любому из пп.18-30.
32. Способ изготовления магнитного логического устройства, содержащий этапы, на которых:
формируют электрическую схему на первой подложке, причем эта электрическая схема содержит множество магнитоэлектрических записывающих элементов и считывающих элементов;
формируют множество в основном плоских вторых подложек в виде многослойной структуры поверх первой подложки, причем каждая упомянутая вторая подложка содержит сформированную на ней схему на магнитных элементах;
при этом каждая схема на магнитных элементах содержит множество логических элементов, элемент для записи данных и элемент для считывания данных;
причем элемент для записи данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому записывающему элементу первой подложки; и
причем элемент для считывания данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому считывающему элементу первой подложки; и
причем элемент для записи данных и элемент для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на первой из вторых подложек, смещены относительно элемента для записи данных и элемента для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на второй из вторых подложек.
33. Способ изготовления магнитного логического устройства, содержащий этапы, на которых:
формируют первую часть устройства, содержащую электрическую схему, расположенную на первой подложке, причем эта электрическая схема содержит множество магнитоэлектрических записывающих элементов и считывающих элементов;
формируют вторую часть устройства, содержащую множество в основном плоских вторых подложек в виде многослойной структуры, расположенных поверх третьей подложки, причем каждая упомянутая вторая подложка содержит сформированную на ней схему на магнитных элементах, содержащую множество логических элементов, элемент для записи данных и элемент для считывания данных, причем узел записи данных и узел считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на первой из вторых подложек, смещены относительно узла записи данных и узла считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на второй из вторых подложек; и
скрепляют первую и вторую части устройства таким образом, что вторые подложки расположены между первой и третьей подложками, и таким образом, что элемент для записи данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому записывающему элементу первой подложки, а элемент для считывания данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому считывающему элементу первой подложки.
34. Способ изготовления запоминающего устройства, содержащий этапы, на которых изготавливают магнитное логическое устройство по п.32 или 33 и встраивают магнитное логическое устройство в запоминающее устройство.
35. Способ записи данных в схему на магнитных элементах, сформированную в основном на плоской подложке, которая способна функционировать вместе с другими такими подложками, расположенными в виде многослойной структуры, причем схема на магнитных элементах содержит множество логических элементов, элемент для записи данных и элемент для считывания данных, при этом элемент для записи данных схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости ожидаемому положению соответствующего магнитоэлектрического записывающего элемента и смещен относительно ожидаемого положения элемента для записи данных схемы на магнитных элементах, сформированной на другой подложке, а элемент для считывания данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости ожидаемому положению соответствующего магнитоэлектрического считывающего элемента и смещен относительно ожидаемого положения узла считывания данных схемы на магнитных элементах, сформированной на другой подложке, причем способ содержит этапы, на которых:
схему на магнитных элементах помещают во вращающееся магнитное поле; и
выполняют модуляцию вращающегося магнитного поля, по меньшей мере, в месте расположения элемента для записи данных схемы на магнитных элементах.
36. Способ по п.35, в котором элемент для записи данных содержит участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы.
37. Способ по п.35 или 36, в котором схема на магнитных элементах не является электрически соединенной с источником модуляции поля.
38. Способ записи данных в схему на магнитных элементах, причем схема на магнитных элементах состоит из множества логических элементов, элемента для записи данных и элемента для считывания данных, содержащий этапы, на которых:
схему на магнитных элементах помещают во вращающееся магнитное поле; и
выполняют модуляцию вращающегося магнитного поля, по меньшей мере, в месте расположения элемента для записи данных схемы на магнитных элементах, причем этот элемент для записи данных содержит участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы.
39. Способ по п.38, в котором схема на магнитных элементах не является электрически соединенной с источником модуляции поля.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US70719605P | 2005-08-03 | 2005-08-03 | |
| GB0516003.1 | 2005-08-03 | ||
| US60/707,196 | 2005-08-03 | ||
| GB0516003A GB2430318B (en) | 2005-08-03 | 2005-08-03 | Memory access |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008107998A true RU2008107998A (ru) | 2009-09-10 |
Family
ID=36809115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008107998/09A RU2008107998A (ru) | 2005-08-03 | 2006-07-19 | Доступ к памяти |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7554835B2 (ru) |
| EP (1) | EP1913598A1 (ru) |
| JP (1) | JP2009503883A (ru) |
| KR (1) | KR20080058332A (ru) |
| IL (1) | IL189207A0 (ru) |
| RU (1) | RU2008107998A (ru) |
| TW (1) | TW200721157A (ru) |
| WO (1) | WO2007015055A1 (ru) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0028092D0 (en) * | 2000-11-17 | 2001-01-03 | Eastgate Invest Ltd | Magnetic logic elements |
| US10209321B2 (en) * | 2007-05-29 | 2019-02-19 | Nxp B.V. | External magnetic field angle determination |
| DE102008037975A1 (de) | 2007-08-27 | 2009-03-05 | Institut Für Photonische Technologien E.V. | Magnetischer Umdrehungszähler |
| ITTO20080314A1 (it) | 2008-04-23 | 2009-10-24 | Milano Politecnico | Biosensori spintronici con area attiva localizzata su una parete di dominio magnetico. |
| US7551469B1 (en) | 2009-01-05 | 2009-06-23 | Internationa Business Machines Corporation | Unidirectional racetrack memory device |
| FR2945147B1 (fr) * | 2009-04-30 | 2012-03-30 | Thales Sa | Dispositif memristor a resistance ajustable grace au deplacement d'une paroi magnetique par transfert de spin et utilisation dudit memristor dans un reseau de neurones |
| DE102009021400A1 (de) | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Magnetoelektronische Bauelemente und Messverfahren |
| US9196280B2 (en) * | 2009-11-12 | 2015-11-24 | Marquette University | Low-field magnetic domain wall injection pad and high-density storage wire |
| TWI404339B (zh) * | 2009-11-25 | 2013-08-01 | Mstar Semiconductor Inc | 記憶體信號相位調整方法 |
| US8358153B2 (en) * | 2010-05-19 | 2013-01-22 | International Business Machines Corporation | Magnetic logic circuits formed with tapered magnetic wires |
| US9129679B2 (en) * | 2012-09-05 | 2015-09-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Shift register type magnetic memory |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3445821A (en) * | 1967-03-30 | 1969-05-20 | Research Corp | High-speed non-destructive read out contents addressable memory and elements therefor |
| US3696349A (en) * | 1971-06-04 | 1972-10-03 | Sperry Rand Corp | Block organized random access memory |
| US5103422A (en) * | 1987-12-02 | 1992-04-07 | Ricoh Compnay, Ltd. | Three-dimensional magnetic memory medium and method for initial setting thereof |
| JP4085459B2 (ja) * | 1998-03-02 | 2008-05-14 | セイコーエプソン株式会社 | ３次元デバイスの製造方法 |
| GB9925213D0 (en) * | 1999-10-25 | 1999-12-22 | Univ Cambridge Tech | Magnetic logic elements |
| GB0207160D0 (en) * | 2002-03-27 | 2002-05-08 | Eastgate Invest Ltd | Data storage device |
| KR100912436B1 (ko) | 2000-11-17 | 2009-08-14 | 이스트게이트 인베스트먼츠 리미티드 | 데이터 저장장치 |
| US7020004B1 (en) * | 2003-08-29 | 2006-03-28 | Micron Technology, Inc. | Double density MRAM with planar processing |
-
2006
- 2006-07-19 RU RU2008107998/09A patent/RU2008107998A/ru not_active Application Discontinuation
- 2006-07-19 WO PCT/GB2006/002676 patent/WO2007015055A1/en not_active Ceased
- 2006-07-19 KR KR1020087005285A patent/KR20080058332A/ko not_active Withdrawn
- 2006-07-19 EP EP06765011A patent/EP1913598A1/en not_active Withdrawn
- 2006-07-19 JP JP2008524572A patent/JP2009503883A/ja active Pending
- 2006-07-25 TW TW095127172A patent/TW200721157A/zh unknown
- 2006-08-03 US US11/462,304 patent/US7554835B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-03 IL IL189207A patent/IL189207A0/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1913598A1 (en) | 2008-04-23 |
| US7554835B2 (en) | 2009-06-30 |
| US20070047156A1 (en) | 2007-03-01 |
| TW200721157A (en) | 2007-06-01 |
| IL189207A0 (en) | 2008-06-05 |
| WO2007015055A1 (en) | 2007-02-08 |
| JP2009503883A (ja) | 2009-01-29 |
| KR20080058332A (ko) | 2008-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10483341B2 (en) | Display device | |
| US8537506B2 (en) | Information storage device with domain wall moving unit and magneto-resistive device magnetization arrangement | |
| US9768210B2 (en) | Semiconductor device having antenna and sensor elements | |
| US6879512B2 (en) | Nonvolatile memory device utilizing spin-valve-type designs and current pulses | |
| US6813182B2 (en) | Diode-and-fuse memory elements for a write-once memory comprising an anisotropic semiconductor sheet | |
| US7995402B2 (en) | Method for erasing a semiconductor magnetic memory integrating a magnetic tunneling junction above a floating-gate memory cell | |
| RU2008107998A (ru) | Доступ к памяти | |
| US7825445B2 (en) | Magnetoresistive memory elements with separate read and write current paths | |
| GB2398174A (en) | Magnetic shielding for magnetic random access memory card | |
| US8102691B2 (en) | Magnetic tracks with domain wall storage anchors | |
| JP3987924B2 (ja) | 磁性メモリアレイ、磁性メモリアレイの書き込み方法及び磁性メモリアレイの読み出し方法 | |
| US7781806B2 (en) | Optical erase memory structure | |
| US8325436B2 (en) | Information storage devices using magnetic domain wall movement, methods of operating the same, and methods of manufacturing the same | |
| US20070081381A1 (en) | Programmable magnetic memory device fp-mram | |
| JP2005182551A5 (ru) | ||
| US20070140000A1 (en) | Magnetic storage cell | |
| CN201327647Y (zh) | Pet智能卡 | |
| JP2006186343A5 (ru) | ||
| US9812202B2 (en) | Three dimensional opto-magnetic data storage system and method | |
| KR20050053746A (ko) | 강자성 터널 접합 소자를 이용한 자기 기억 장치 | |
| US20130221487A1 (en) | Method of forming resistor of semiconductor memory device and structure thereof | |
| JP2006512956A5 (ru) | ||
| JP2007241997A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2006156969A5 (ru) | ||
| JP2011065596A (ja) | Ｒｆｉｄインレット、ｒｆｉｄ、及びｒｆｉｄインレットの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20101019 |