RU2007118155A - СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ GaN ИЛИ AlGaN - Google Patents
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ GaN ИЛИ AlGaN Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007118155A RU2007118155A RU2007118155/15A RU2007118155A RU2007118155A RU 2007118155 A RU2007118155 A RU 2007118155A RU 2007118155/15 A RU2007118155/15 A RU 2007118155/15A RU 2007118155 A RU2007118155 A RU 2007118155A RU 2007118155 A RU2007118155 A RU 2007118155A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- metal melt
- melting crucible
- gallium
- crystal
- carrier gas
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract 20
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 title claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 15
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims 18
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 18
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims 13
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/38—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Claims (19)
1. Способ получения кристалла нитрида галлия или кристалла нитрида алюминия-галлия, включающий в себя стадии:
приготовление металлического расплава из чистого галлия или из смеси алюминия и галлия в плавильном тигле;
выпаривание галлия или галлия и алюминия из металлического расплава;
разложение предшественника азота путем термического воздействия или посредством плазмы; и
осуществление монокристаллического выращивания кристалла GaN или AlGaN на затравочном кристалле под давлением менее чем 10 бар;
при котором
выпаривание галлия или галлия и алюминия проводят при температуре выше температуры выращиваемого кристалла, но, по меньшей мере, при 1000°C, и при котором
газовый поток газа азота, газа водорода, инертного газа или сочетания этих газов пропускают над поверхностью металлического расплава таким образом, что этот газовый поток над поверхностью металлического расплава предотвращает контакт предшественника азота с металлическим расплавом.
2. Способ по п.1, при котором
металлический расплав приготавливают в реакторной камере в плавильной тигельной емкости, которая, кроме, по меньшей мере, одного впуска газа-носителя и, по меньшей мере, одного отверстия для выпуска газа-носителя, закрыта со всех сторон, и при котором
газовый поток вводят в плавильную тигельную емкость через впуск газа-носителя над металлическим расплавом и транспортируют с парами металла металлического расплава из плавильной тигельной емкости через отверстие для выпуска газа-носителя, и
предшественник азота вводят в реакционную зону в реакторной камере.
3. Способ по п.1, при котором
приготовление металлического расплава включает в себя размещение плавильного тигля в реакторной камере,
газовый поток вводят в реакторную камеру через впуск газа-носителя слегка над металлическим расплавом, и
предшественник азота вводят в реакционную зону в реакторной камере.
4. Способ по любому из предыдущих пунктов, при котором газовый поток вводят либо в плавильную тигельную емкость, либо в реакторную камеру в направлении, параллельном поверхности металлического расплава.
5. Способ по любому из пп.1-3, при котором газовый поток вводят либо в плавильную тигельную емкость, либо в реакторную камеру в направлении, перпендикулярном поверхности металлического расплава.
6. Способ по п.1, при котором выпаривание галлия или галлия и алюминия проводят при температуре, по меньшей мере, 1100°C.
7. Способ по любому из пп.1-3, при котором в реакционную зону вводят газообразный предшественник легирующей примеси.
8. Способ по п.2 или 3, при котором легирующая примесь поступает в реакторную камеру в форме расплава или твердого вещества и выпаривается или сублимируется.
9. Способ по п.1, при котором затравочный кристалл или выращиваемый кристалл вращается во время осуществления монокристаллического выращивания кристалла.
10. Способ по любому из пп.1-3, при котором газовый поток содержит водород или состоит из водорода, и приготовление металлического расплава в плавильном тигле включает в себя использование плавильного тигля из нитрида бора BN, карбида тантала TaC, карбида кремния SiC, кварцевого стекла или углерода или сочетания двух или более из этих материалов.
11. Реакторная установка для получения кристалла нитрида галлия или кристалла нитрида алюминия-галлия, содержащая
устройство для подачи предшественника азота в реакционную зону реакторной камеры,
устройство для разложения предшественника азота в реакционной зоне путем термического воздействия или посредством плазмы,
плавильный тигель для содержания металлического расплава из чистого галлия или из смеси алюминия и галлия,
первое нагревательное устройство, которое выполнено с возможностью установления температуры металлического расплава в плавильном тигле на значение выше температуры выращиваемого кристалла, но, по меньшей мере, 1000°C,
источник газа-носителя, который выполнен с возможностью доставки газа азота, газа водорода, инертного газа или сочетания этих газов, и
по меньшей мере, один соединенный с источником газа-носителя впуск газа-носителя, который размещен и выполнен с возможностью пропускания газового потока над поверхностью металлического расплава таким образом, что этот газовый поток предотвращает контакт предшественника азота с металлическим расплавом.
12. Реакторная установка по п.11, в которой плавильный тигель выполнен в виде плавильной тигельной емкости, которая, кроме впуска газа-носителя и, по меньшей мере, одного отверстия для выпуска газа-носителя, закрыта со всех сторон, и в которой впуск газа-носителя расположен над поверхностью металлического расплава.
13. Реакторная установка по п.12, в которой первое нагревательное устройство выполнено с возможностью нагревания стенок плавильной тигельной емкости над металлическим расплавом до более высокой температуры, чем в области металлического расплава.
14. Реакторная установка по п.13, в которой отверстие для выпуска газа-носителя образует конец трубчатого выпуска и в которой предусмотрено второе нагревательное устройство, которое выполнено с возможностью нагрева стенок выпуска до более высокой температуры, чем первое нагревательное устройство нагревает стенки плавильной тигельной емкости в области металлического расплава.
15. Реакторная установка по п.11, в которой впуск газа-носителя выполнен с возможностью введения газового потока в плавильную тигельную емкость или реакторную камеру в направлении, параллельном поверхности металлического расплава.
16. Реакторная установка по п.11, в которой реакторная камера имеет входное отверстие для введения затравочного кристалла в реакционную зону.
17. Реакторная установка по п.11, в которой плавильный тигель выполнен из нитрида бора BN, карбида тантала TaC, карбида кремния SiC, кварцевого стекла или углерода или из сочетания двух или более из этих материалов.
18. Реакторная установка по п.11, содержащая устройство поддержки затравочного кристалла, которое выполнено с возможностью вращения затравочного кристалла во время выращивания кристалла.
19. Реакторная установка по п.11, содержащая второй плавильный тигель, который выполнен с возможностью содержания расплава алюминия.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004050806.2 | 2004-10-16 | ||
| DE102004050806A DE102004050806A1 (de) | 2004-10-16 | 2004-10-16 | Verfahren zur Herstellung von (AI,Ga)N Einkristallen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007118155A true RU2007118155A (ru) | 2008-11-27 |
| RU2446236C2 RU2446236C2 (ru) | 2012-03-27 |
Family
ID=35810851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007118155/05A RU2446236C2 (ru) | 2004-10-16 | 2005-10-17 | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ GaN ИЛИ AlGaN |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090199763A1 (ru) |
| EP (1) | EP1805353B1 (ru) |
| JP (1) | JP2008516877A (ru) |
| KR (1) | KR20070084283A (ru) |
| CN (1) | CN101080516B (ru) |
| AT (1) | ATE541963T1 (ru) |
| CA (1) | CA2583592C (ru) |
| DE (1) | DE102004050806A1 (ru) |
| RU (1) | RU2446236C2 (ru) |
| WO (1) | WO2006040359A1 (ru) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4573713B2 (ja) * | 2005-07-01 | 2010-11-04 | 株式会社フジクラ | 単結晶の製造方法及び単結晶の製造装置 |
| EP1775356A3 (en) | 2005-10-14 | 2009-12-16 | Ricoh Company, Ltd. | Crystal growth apparatus and manufacturing method of group III nitride crystal |
| JP5374872B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2013-12-25 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物単結晶の成長方法 |
| KR20110040814A (ko) * | 2008-07-01 | 2011-04-20 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | ＡｌｘＧａ(1-ｘ)Ｎ 단결정의 제조 방법, ＡｌｘＧａ(1-ｘ)Ｎ 단결정 및 광학 부품 |
| WO2010122801A1 (ja) * | 2009-04-24 | 2010-10-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 窒化アルミニウム単結晶の製造装置、窒化アルミニウム単結晶の製造方法および窒化アルミニウム単結晶 |
| CN102443842A (zh) * | 2011-05-05 | 2012-05-09 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种AlGaN单晶制备方法 |
| US20140264388A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Nitride Solutions Inc. | Low carbon group-iii nitride crystals |
| JP6187503B2 (ja) * | 2015-02-26 | 2017-08-30 | 株式会社豊田中央研究所 | 金属蒸気供給装置、金属／金属化合物製造装置、ＧａＮ単結晶の製造方法、及びナノ粒子の製造方法 |
| CN104878451B (zh) * | 2015-06-16 | 2017-07-28 | 北京大学东莞光电研究院 | 一种氮化物单晶生长装置 |
| CN105869998B (zh) * | 2016-05-19 | 2018-07-06 | 西安电子科技大学 | 基于二硒化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 |
| CN105931946B (zh) * | 2016-05-19 | 2018-06-26 | 西安电子科技大学 | 基于黑磷和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 |
| CN105977135B (zh) * | 2016-05-19 | 2018-07-06 | 西安电子科技大学 | 基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 |
| CN105861987B (zh) * | 2016-05-19 | 2019-02-19 | 西安电子科技大学 | 基于六方氮化硼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 |
| CN105810562B (zh) * | 2016-05-19 | 2018-05-25 | 西安电子科技大学 | 基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法 |
| CN108796611A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-11-13 | 孟静 | 氮化镓单晶生长方法 |
| WO2023003975A1 (en) * | 2021-07-20 | 2023-01-26 | Hongjie Qiu | Systems and methods for fabricating crystals of metal compounds |
| CN114232083B (zh) * | 2021-12-22 | 2023-07-21 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 二维氮化镓晶体的制备方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1160162A (en) * | 1967-01-02 | 1969-07-30 | Monsanto Co | Apparatus and method for production of Epitaxial Films |
| US5210051A (en) * | 1990-03-27 | 1993-05-11 | Cree Research, Inc. | High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride |
| JP3633187B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2005-03-30 | ヤマハ株式会社 | 窒素を含むｉｉｉ−ｖ族化合物半導体膜の製造方法 |
| PL186905B1 (pl) * | 1997-06-05 | 2004-03-31 | Cantrum Badan Wysokocisnieniow | Sposób wytwarzania wysokooporowych kryształów objętościowych GaN |
| RU2132890C1 (ru) * | 1997-12-09 | 1999-07-10 | Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы" | Способ получения эпитаксиальных структур нитридов элементов группы a3 |
| JPH11209199A (ja) * | 1998-01-26 | 1999-08-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ単結晶の合成方法 |
| EP1200652A1 (en) * | 1999-05-07 | 2002-05-02 | CBL Technologies | Magnesium-doped iii-v nitrides & methods |
| US6592663B1 (en) * | 1999-06-09 | 2003-07-15 | Ricoh Company Ltd. | Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate |
| GB2350927A (en) * | 1999-06-12 | 2000-12-13 | Sharp Kk | A method growing nitride semiconductor layer by molecular beam epitaxy |
| JP4734786B2 (ja) * | 2001-07-04 | 2011-07-27 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法 |
| US7501023B2 (en) * | 2001-07-06 | 2009-03-10 | Technologies And Devices, International, Inc. | Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials |
| JP2003342716A (ja) * | 2002-05-27 | 2003-12-03 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ結晶の成長方法 |
| JP2004134620A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Yamaha Corp | 窒化ガリウムエピタキシー法 |
| CN1228478C (zh) * | 2002-11-13 | 2005-11-23 | 中国科学院物理研究所 | 制备氮化镓单晶薄膜的方法 |
| JP2004288964A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＧａＮ結晶の成長方法 |
-
2004
- 2004-10-16 DE DE102004050806A patent/DE102004050806A1/de not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-10-17 JP JP2007536198A patent/JP2008516877A/ja active Pending
- 2005-10-17 WO PCT/EP2005/055320 patent/WO2006040359A1/de not_active Ceased
- 2005-10-17 CN CN2005800431548A patent/CN101080516B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-17 US US11/665,514 patent/US20090199763A1/en not_active Abandoned
- 2005-10-17 KR KR1020077011138A patent/KR20070084283A/ko not_active Abandoned
- 2005-10-17 CA CA2583592A patent/CA2583592C/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-17 EP EP05797151A patent/EP1805353B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2005-10-17 AT AT05797151T patent/ATE541963T1/de active
- 2005-10-17 RU RU2007118155/05A patent/RU2446236C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HK1112268A1 (en) | 2008-08-29 |
| CN101080516A (zh) | 2007-11-28 |
| KR20070084283A (ko) | 2007-08-24 |
| WO2006040359A1 (de) | 2006-04-20 |
| ATE541963T1 (de) | 2012-02-15 |
| US20090199763A1 (en) | 2009-08-13 |
| RU2446236C2 (ru) | 2012-03-27 |
| JP2008516877A (ja) | 2008-05-22 |
| CA2583592A1 (en) | 2006-04-20 |
| EP1805353A1 (de) | 2007-07-11 |
| CA2583592C (en) | 2013-03-12 |
| DE102004050806A1 (de) | 2006-11-16 |
| EP1805353B1 (de) | 2012-01-18 |
| CN101080516B (zh) | 2011-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2007118155A (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ GaN ИЛИ AlGaN | |
| EP1471168B1 (en) | Device and method for producing single crystals by vapour deposition | |
| US8361227B2 (en) | Silicon carbide single crystals with low boron content | |
| US5964944A (en) | Method of producing silicon carbide single crystal | |
| WO2007092893B1 (en) | Materials and methods for the manufacture of large crystal diamonds | |
| JPH05208900A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の成長装置 | |
| US9580837B2 (en) | Method for silicon carbide crystal growth by reacting elemental silicon vapor with a porous carbon solid source material | |
| US6969426B1 (en) | Forming improved metal nitrides | |
| JPH02230722A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| CN116670339A (zh) | 用于制造SiC固体材料的方法及装置 | |
| US6676752B1 (en) | Forming metal nitrides | |
| KR101238284B1 (ko) | 무촉매 나노와이어 제조 방법 및 이를 위한 장치 | |
| US20190186045A1 (en) | Device for growing silicon carbide of specific shape | |
| KR20020095074A (ko) | 단결정탄화실리콘박막의 제조방법 및 그 제조장치 | |
| JP2003342716A (ja) | ＧａＮ結晶の成長方法 | |
| CN100434573C (zh) | 等离子体焰流生长大尺寸氮化铝晶体的方法 | |
| US20050255245A1 (en) | Method and apparatus for the chemical vapor deposition of materials | |
| US9523157B2 (en) | Method for growing an AIN monocrystal and device for implementing same | |
| JP4222630B2 (ja) | 物体をエピタキシャル成長させるための方法及びそのような成長を行うための装置 | |
| JP2007042847A (ja) | ＡｌＮ半導体の製造方法及びＡｌＮ半導体製造装置 | |
| JP4871823B2 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶およびその製造方法 | |
| JP5310669B2 (ja) | ＡｌＮ単結晶の成長方法 | |
| RU2578104C1 (ru) | Способ газофазной карбидизации поверхности монокристаллического кремния ориентации (111), (100) | |
| JP2007145645A (ja) | 窒化アルミニウム単結晶の製造方法及びその製造装置 | |
| JP4039286B2 (ja) | ＧａＮ結晶の成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20141018 |