[go: up one dir, main page]

RU2006135362A - Монокристалл сапфира, способ его изготовления (варианты) и используемое в нем плавильное устройство - Google Patents

Монокристалл сапфира, способ его изготовления (варианты) и используемое в нем плавильное устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2006135362A
RU2006135362A RU2006135362/15A RU2006135362A RU2006135362A RU 2006135362 A RU2006135362 A RU 2006135362A RU 2006135362/15 A RU2006135362/15 A RU 2006135362/15A RU 2006135362 A RU2006135362 A RU 2006135362A RU 2006135362 A RU2006135362 A RU 2006135362A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
single crystal
mold
crucible
thickness
length
Prior art date
Application number
RU2006135362/15A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2388852C2 (ru
Inventor
Джон Уолтер ЛОЧЕР (US)
Джон Уолтер ЛОЧЕР
Стивен Энтони ЗАНЕЛЛА (US)
Стивен Энтони Занелла
Ральф Лэмпсон Мл. МАКЛИН (US)
Ральф Лэмпсон Мл. МАКЛИН
Херберт Илсуорт БЭТС (US)
Херберт Илсуорт БЭТС
Original Assignee
Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. (Us)
Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34965902&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=RU2006135362(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. (Us), Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. filed Critical Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк. (Us)
Publication of RU2006135362A publication Critical patent/RU2006135362A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2388852C2 publication Critical patent/RU2388852C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/34—Edge-defined film-fed crystal-growth using dies or slits
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10—Apparatus
    • Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032—Seed pulling
    • Y10T117/1036—Seed pulling including solid member shaping means other than seed or product [e.g., EDFG die]
    • Y10T117/1044—Seed pulling including solid member shaping means other than seed or product [e.g., EDFG die] including means forming a flat shape [e.g., ribbon]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Claims (61)

1. Монокристалл сапфира, который содержит лист монокристалла, имеющий длину, ширину и толщину, причем длина>ширины>толщины, при этом ширина составляет не меньше чем 15 см, а толщина составляет не меньше чем 0,5 см.
2. Кристалл по п.1, в котором ширина составляет не меньше чем 20 см.
3. Кристалл по п.1, в котором ширина составляет не меньше чем 25 см.
4. Кристалл по п.1, в котором толщина составляет не меньше чем 0,6 см.
5. Кристалл по п.1, в котором толщина составляет не меньше чем 0,7 см, например 0,8 или 0,9 см.
6. Монокристалл сапфира, который содержит лист монокристалла, имеющий длину, ширину и толщину, причем длина>ширины>толщины, при этом ширина составляет не меньше чем 15 см, а изменение по толщине не превышает 0,2 см.
7. Кристалл по п.6, в котором изменение по толщине не превышает 0,15 см.
8. Кристалл по п.6. в котором изменение по толщине не превышает 0,10 см.
9. Кристалл по п.6, в котором изменение по толщине не превышает 0,07 см.
10. Кристалл по п.6, в котором изменение по толщине представляет собой разность между максимальным и минимальным значениями толщины вдоль сегмента, перекрывающего ширину листа.
11. Монокристалл сапфира, который содержит лист монокристалла, имеющий длину, ширину и толщину, причем длина>ширины>толщины, при этом ширина составляет не меньше чем 15 см, толщина составляет не меньше чем 0,5 см, и изменение по толщине не превышает 0,2 см.
12. Монокристалл сапфира, который содержит лист монокристалла непосредственно после выращивания, имеющий длину, ширину и толщину, причем длина>ширины>толщины, при этом ширина составляет не меньше 15 см, причем лист монокристалла имеет шейку и основное тело, имеющее первую и вторую противоположные боковые стороны, которые параллельны друг другу, при этом переход шейки к участку основного тела определяется соответствующими первой и второй точками перехода первой и второй противоположных боковых сторон, причем монокристалл имеет ΔТ не больше чем 4,0 см, при этом ΔТ представляет собой расстояние, на которое соответствующие первая и вторая точки перехода удалены друг от друга при проецировании вдоль длины сегмента листа монокристалла.
13. Кристалл по п.6, в котором ΔТ не превышает 3,0 см.
14. Кристалл по п.6, в котором ΔT не превышает 2,0 см.
15. Кристалл по п.6, в котором шейка растет по толщине от ее дистального конца к основному телу.
16. Способ изготовления монокристалла, который включает в себя следующие операции:
создание расплава в тигле, имеющем кристаллизатор;
динамическая регулировка температурного градиента вдоль кристаллизатора; и
вытягивание монокристалла из кристаллизатора.
17. Способ по п.16, в котором операцию динамической регулировки проводят для того, чтобы уменьшить температурный градиент вдоль кристаллизатора.
18. Способ по п.17, в котором температурный градиент снижают до значения не выше 0,6°С/см вдоль длины кристаллизатора во время вытягивания.
19. Способ по п.18, в котором операцию динамической регулировки проводят ранее вытягивания, так что во время вытягивания температурный градиент снижен до указанного значения.
20. Способ по п.16, в котором операцию динамической регулировки проводят во время операции вытягивания.
21. Способ по п.16, в котором вытягивание монокристалла включает в себя вытягивание первого монокристалла и вытягивание второго монокристалла, причем температурный градиент регулируют после вытягивания первого монокристалла и до вытягивания второго монокристалла.
22. Способ по п.16, в котором монокристалл представляет собой монокристалл сапфира.
23. Способ по п.16, в котором кристаллизатор является линейным и монокристалл получают в виде плоского листа, причем кристаллизатор имеет первый и второй противоположные концы, определяющие длину, при этом длина кристаллизатора соответствует ширине плоского листа.
24. Способ по п.23, в котором длина кристаллизатора составляет не меньше, чем 22 см.
25. Способ по п.23, в котором длина кристаллизатора составляет не меньше, чем 25 см.
26. Способ по п.23, в котором температурный градиент регулируют путем управления подвижным тепловым экраном, расположенным по меньшей мере у одного из первого и второго противоположных концов кристаллизатора.
27. Способ по п.26, в котором подвижные тепловые экраны установлены как на первом, так и на втором противоположных концах кристаллизатора.
28. Способ по п.26, в котором подвижный экран излучает теплоту в направлении кристаллизатора.
29. Способ по п.23, в котором температурный градиент снижают до значения не выше чем 20°С между первым и вторым противоположными концами кристаллизатора во время вытягивания.
30. Способ по п.29, в котором температурный градиент снижают до значения не выше 15°С между первым и вторым противоположными концами кристаллизатора во время вытягивания.
31. Способ по п.16, в котором температурный градиент регулируют путем управления отводом тепла от кристаллизатора.
32. Способ по п.31, в котором теплоотвод представляет собой теплообменник.
33. Способ по п.32, в котором теплообменник содержит флюид, протекающий через него.
34. Способ по п.33, в котором теплоотводом управляют путем изменения по меньшей мере одного потока флюида и путем изменения положения теплоотвода.
35. Способ по п.16, в котором температурный градиент регулируют путем управления подвижным тепловым экраном.
36. Способ по п.16, в котором тигель изготовлен из тугоплавкого металла.
37. Способ по п.36, в котором материал тигля содержит Мо.
38. Способ по п.16, в котором расплав получают за счет индукционного нагрева.
39. Способ по п.38, в котором индукционный нагрев проводят за счет подачи питания на катушку индуктивности, охватывающую тигель,
40. Способ по п.16, в котором катушка образует спираль, имеющую множество витков, причем катушка имеет не круговое поперечное сечение, имеющее коэффициент формы, составляющий по меньшей мере 2:1.
41. Способ по п.16, в котором тигель имеет не круговое горизонтальное поперечное сечение.
42. Способ по п.41, в котором не круговое поперечное сечение является овальным или прямоугольным.
43. Способ по п.41, в котором тигель имеет коэффициент формы не менее 2:1.
44. Способ по п.16, который дополнительно предусматривает проведение механической обработки для получения компонентов из монокристалла.
45. Способ изготовления монокристалла, который включает в себя следующие операции:
создание расплава;
вытягивание монокристалла из кристаллизатора; и
вытягивание монокристалла вверх из кристаллизатора и далее в дополнительный нагреватель, причем дополнительный нагреватель имеет нижний отсек и верхний отсек, отделенные друг от друга при помощи изоляционной конструкции.
46. Способ по п.45, который дополнительно предусматривает охлаждение монокристалла в верхнем отсеке дополнительного нагревателя, причем охлаждение монокристалла проводят при скорости не больше, чем 300°С/ч.
47. Способ по п.46, в котором скорость охлаждения не превышает 200°С/ч.
48. Способ по п.46, в котором скорость охлаждения не превышает 150°С/ч.
49. Способ по п.46, в котором скорость охлаждения не превышает 100°С/ч.
50. Способ по п.45, в котором монокристалл представляет собой плоский лист, имеющий массу больше, чем 4 кг.
51. Способ по п.50, в котором масса составляет больше 6 кг.
52. Способ по п.45, в котором изоляционная конструкция имеет изоляционные двери, которые закрывают позади кристалла, после того, как кристалл прошел в верхний отсек.
53. Способ по п.45, который дополнительно предусматривает проведение механической обработки для получения компонентов из монокристалла.
54. Способ изготовления монокристалла, который включает в себя следующие операции:
создание расплава в тигле плавильного устройства, причем плавильное устройство имеет кристаллизатор, открытый в тигель, и множество тепловых экранов, расположенных поверх тигля и кристаллизатора, причем тепловые экраны имеют конфигурацию, обеспечивающую статический температурный градиент вдоль кристаллизатора, при этом температура является максимальной ориентировочно в средней точке кристаллизатора; и
вытягивание монокристалла из кристаллизатора.
55. Способ по п.54, в котором тепловые экраны имеют ступенчатую конфигурацию.
56. Способ по п.54, в котором тепловые экраны включают в себя первый экранный комплект, расположенный вдоль первой боковой стороны кристаллизатора, и второй экранный комплект, расположенный вдоль противоположной, второй боковой стороны кристаллизатора.
57. Способ по п.56, в котором как первый, так и второй экранные комплекты являются симметричными относительно вертикальной оси, соответствующей средней точке кристаллизатора.
58. Способ изготовления монокристалла, который включает в себя следующие операции:
создание расплава в тигле плавильного устройства, причем плавильное устройство содержит линейный кристаллизатор, открытый в тигель и идущий вдоль длины тигля, и множество тепловых экранов, расположенных поверх тигля и кристаллизатора, причем тепловые экраны имеют конфигурацию, обеспечивающую статический температурный градиент вдоль кристаллизатора, при этом температура является максимальной ориентировочно в средней точке кристаллизатора, причем тигель имеет коэффициент формы, составляющий по меньшей мере 2:1, при этом коэффициент формы определен как отношение длины тигля к ширине тигля;
динамическая регулировка температурного градиента вдоль кристаллизатора; и
вытягивание монокристалла из кристаллизатора.
59. Плавильное устройство, которое содержит
тигель;
кристаллизатор, открытый в тигель и идущий вдоль длины тигля; и
множество тепловых экранов, расположенных поверх тигля и кристаллизатора, причем тепловые экраны имеют конфигурацию, обеспечивающую статический температурный градиент вдоль кристаллизатора, при этом температура является максимальной ориентировочно в средней точке кристаллизатора
60. Плавильное устройство по п.59, в котором тепловые экраны имеют ступенчатую конфигурацию.
61. Плавильное устройство, которое содержит
тигель;
кристаллизатор, открытый в тигель и идущий вдоль длины тигля; и
регулируемое устройство для подстройки градиента, позволяющее регулировать температурный градиент вдоль длина кристаллизатора.
RU2006135362/15A 2004-04-08 2005-04-06 Монокристалл сапфира, способ его изготовления (варианты) и используемое в нем плавильное устройство RU2388852C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/820,468 2004-04-08
US10/820,468 US7348076B2 (en) 2004-04-08 2004-04-08 Single crystals and methods for fabricating same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006135362A true RU2006135362A (ru) 2008-05-20
RU2388852C2 RU2388852C2 (ru) 2010-05-10

Family

ID=34965902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006135362/15A RU2388852C2 (ru) 2004-04-08 2005-04-06 Монокристалл сапфира, способ его изготовления (варианты) и используемое в нем плавильное устройство

Country Status (9)

Country Link
US (8) US7348076B2 (ru)
EP (4) EP1733078B1 (ru)
JP (2) JP5091662B2 (ru)
CN (3) CN102268732B (ru)
CA (1) CA2560998C (ru)
IL (1) IL178164A (ru)
RU (1) RU2388852C2 (ru)
UA (1) UA89491C2 (ru)
WO (1) WO2005100646A1 (ru)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7348076B2 (en) * 2004-04-08 2008-03-25 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Single crystals and methods for fabricating same
AU2006257867B2 (en) * 2005-06-10 2010-04-22 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Transparent ceramic composite
US8003189B2 (en) * 2006-02-10 2011-08-23 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Optical scanning window
JP5702931B2 (ja) * 2006-09-22 2015-04-15 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド 単結晶ｃ−面サファイア材料の形成方法
TW200930849A (en) * 2007-10-23 2009-07-16 Saint Gobain Ceramics & Plastics Inc Scintillator crystals and methods of forming
US20090130415A1 (en) * 2007-11-21 2009-05-21 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. R-Plane Sapphire Method and Apparatus
US7749884B2 (en) 2008-05-06 2010-07-06 Astrowatt, Inc. Method of forming an electronic device using a separation-enhancing species
KR20110028278A (ko) * 2008-05-17 2011-03-17 애스트로와트, 인코포레이티드 분리 기술을 사용하는 전자 디바이스 형성 방법
JP5806734B2 (ja) * 2010-06-30 2015-11-10 クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. 熱勾配制御による窒化アルミニウム大単結晶成長
EP2596284A4 (en) * 2010-07-19 2015-04-29 Rensselaer Polytech Inst SOLIDS FULL-SUBSTANCE WHITE LIGHT SOURCE, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND APPLICATIONS THEREOF
KR101332271B1 (ko) * 2011-07-26 2013-11-22 주식회사 케이씨씨 사파이어 단결정 성장 장치
CN102560623B (zh) * 2012-02-09 2015-06-24 常州亿晶光电科技有限公司 大尺寸蓝宝石单晶的制备方法
US20140083349A1 (en) * 2012-09-21 2014-03-27 Max Era, Inc. Removable thermal control for ribbon crystal pulling furnaces
US9777397B2 (en) * 2012-09-28 2017-10-03 Apple Inc. Continuous sapphire growth
EP2965129A1 (en) * 2013-03-07 2016-01-13 Vertu Corporation Limited Sapphire structure having a plurality of crystal planes
TWI529265B (zh) * 2013-03-15 2016-04-11 聖高拜陶器塑膠公司 以斜角熱遮板製造藍寶石薄片之裝置及方法
DE102013103271A1 (de) 2013-04-02 2014-10-02 Schott Ag Verfahren und Anordnung zur gerichteten Erstarrung eines einkristallinen plattenförmigen Körpers
US10526720B2 (en) * 2015-08-19 2020-01-07 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Apparatus for forming crystalline sheet from a melt
JP6025087B1 (ja) * 2015-08-28 2016-11-16 並木精密宝石株式会社 サファイアリボン
JP6014838B1 (ja) * 2015-09-04 2016-10-26 並木精密宝石株式会社 複数のサファイア単結晶及びその製造方法
CN106166792A (zh) 2015-10-16 2016-11-30 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 具有复杂几何形状的透明陶瓷和其制造方法
JP2017077986A (ja) * 2015-10-20 2017-04-27 並木精密宝石株式会社 サファイア単結晶とその製造方法
JP6025080B1 (ja) * 2015-12-26 2016-11-16 並木精密宝石株式会社 大型ｅｆｇ法用育成炉の熱反射板構造
CN106048714B (zh) * 2016-07-11 2018-04-17 上海国晶和泰新材料科技有限公司 一种籽晶连接结构
US11047650B2 (en) 2017-09-29 2021-06-29 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Transparent composite having a laminated structure
JP7061911B2 (ja) * 2018-03-30 2022-05-02 京セラ株式会社 単結晶体の製造方法および単結晶体製造装置
CN109338467A (zh) * 2018-10-31 2019-02-15 江苏师范大学 一种致色均匀彩色宝石的制备方法
CN109853032A (zh) * 2019-02-12 2019-06-07 南京同溧晶体材料研究院有限公司 一种热交换法生长晶体管的模具及生长方法
JP7477997B2 (ja) 2019-03-25 2024-05-02 京セラ株式会社 サファイアリボンおよび単結晶リボン製造装置
US11248312B2 (en) 2019-11-25 2022-02-15 Ii-Vi Delaware, Inc. Continuous replenishment crystal growth
US11274379B2 (en) 2020-02-26 2022-03-15 Ii-Vi Delaware, Inc. System for growing crystal sheets
CN111304735A (zh) * 2020-04-14 2020-06-19 四川省久宝晶体科技有限公司 立方锆蓝宝石生长晶体炉及立方锆蓝宝石合成方法
EP3945148A1 (en) 2020-07-27 2022-02-02 ScIDre Scientific Instruments Dresden GmbH Laser-based afterheating for crystal growth
US12467157B2 (en) * 2022-05-25 2025-11-11 Luxium Solutions, Llc Enclosed crystal growth
KR102876831B1 (ko) 2023-11-21 2025-10-24 한국세라믹기술원 단결정 성장용 종자, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 단결정 성장 방법

Family Cites Families (118)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202901C (ru)
US3369160A (en) 1964-01-02 1968-02-13 Bailey Meter Co Control device employing manualautomatic systems
US3380406A (en) 1965-04-28 1968-04-30 Whittaker Corp Composite design for transparent armour
US3634177A (en) 1966-11-01 1972-01-11 Gen Electric Lightweight transparent penetration-resistant structure
US3471266A (en) 1967-05-29 1969-10-07 Tyco Laboratories Inc Growth of inorganic filaments
US3591348A (en) 1968-01-24 1971-07-06 Tyco Laboratories Inc Method of growing crystalline materials
US3608050A (en) 1969-09-12 1971-09-21 Union Carbide Corp Production of single crystal sapphire by carefully controlled cooling from a melt of alumina
CA1099435A (en) 1971-04-01 1981-04-14 Gwendyline Y. Y. T. Chen Photosensitive block copolymer composition and elements
US3915662A (en) 1971-05-19 1975-10-28 Tyco Laboratories Inc Method of growing mono crystalline tubular bodies from the melt
BE791024A (fr) 1971-11-08 1973-05-07 Tyco Laboratories Inc Procede pour developper des cristaux a partir d'un bain d'une matiere
IT999536B (it) 1972-09-29 1976-03-10 Glaverbel Vetrata resistente agli urti
US4122134A (en) 1974-02-13 1978-10-24 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for producing transparent block copolymer resin
US3917891A (en) 1974-04-11 1975-11-04 Asg Ind Inc Fragmentation shield for impact resisting optical medium
US4079161A (en) 1974-07-12 1978-03-14 Phillips Petroleum Company Transparent oriented polyolefin laminated armor structure
US4028476A (en) 1974-07-18 1977-06-07 Phillips Petroleum Company Transparent polyamide armor
JPS5532021B2 (ru) * 1974-10-26 1980-08-22
US3953174A (en) 1975-03-17 1976-04-27 Tyco Laboratories, Inc. Apparatus for growing crystalline bodies from the melt
JPS51136581A (en) * 1975-05-21 1976-11-26 Hitachi Ltd Process for production of a semi-conductor crystal
US4167545A (en) 1975-11-08 1979-09-11 Basf Aktiengesellschaft Branched block copolymers and their manufacture
US4077934A (en) 1975-12-31 1978-03-07 General Electric Company Method of preparing compositions that comprise a polyphenylene ether resin and an alkenyl aromatic resin
US4075055A (en) * 1976-04-16 1978-02-21 International Business Machines Corporation Method and apparatus for forming an elongated silicon crystalline body using a <110>{211}orientated seed crystal
JPS5912636B2 (ja) * 1976-05-26 1984-03-24 ジャパン・ソ−ラ−・エナジ−株式会社 リボン状単結晶の引上げ方法
US4303465A (en) 1976-10-14 1981-12-01 Bagdasarov Khachik S Method of growing monocrystals of corundum from a melt
US4158038A (en) 1977-01-24 1979-06-12 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Method and apparatus for reducing residual stresses in crystals
US4184907A (en) * 1977-03-17 1980-01-22 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Control of capillary die shaped crystal growth of silicon and germanium crystals
JPS53127004A (en) 1977-04-11 1978-11-06 Asahi Chemical Ind Photosensitive elastomer composition
AT391887B (de) * 1977-07-21 1990-12-10 Pelts Boris Bentsionovich Ing Verfahren zum herstellen von kristallinen saphirrohren und einrichtung zu dessen durchfuehrung
US4234676A (en) 1978-01-23 1980-11-18 W. R. Grace & Co. Polythiol effect curable polymeric composition
US4248645A (en) 1978-09-05 1981-02-03 Mobil Tyco Solar Energy Corporation Method for reducing residual stresses in crystals
US4271129A (en) * 1979-03-06 1981-06-02 Rca Corporation Heat radiation deflectors within an EFG crucible
US4248981A (en) 1979-04-30 1981-02-03 Arco Polymers, Inc. Clear impact resistant thermoplastic star-block copolymers
JPS5659693A (en) * 1979-10-23 1981-05-23 Ricoh Co Ltd Beltlike crystal manufacturing apparatus
JPS5795899A (en) * 1980-12-09 1982-06-14 Toshiba Ceramics Co Ltd Correcting method for deformed sapphire single crystal sheet
US4443411A (en) * 1980-12-15 1984-04-17 Mobil Solar Energy Corporation Apparatus for controlling the atmosphere surrounding a crystal growth zone
JPS57118091A (en) * 1981-01-06 1982-07-22 Agency Of Ind Science & Technol Manufacturing apparatus for beltlike silicon crystal
US4390505A (en) * 1981-03-30 1983-06-28 Mobil Solar Energy Corporation Crystal growth apparatus
US4704943A (en) 1981-06-15 1987-11-10 Mcdougal John A Impact structures
DD202901B1 (de) * 1981-07-15 1987-10-08 Akad Wissenschaften Ddr Anordnung zur zuechtung oxidischer einkristalle nach dem czochralski-verfahren
US4402786A (en) 1981-09-01 1983-09-06 Mobil Solar Energy Corporation Adjustable heat shield assembly
DE3137416A1 (de) 1981-09-19 1983-03-31 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Fotopolymerisierbare gemische und elemente daraus
US4460675A (en) 1982-01-21 1984-07-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparing an overcoated photopolymer printing plate
US4578429A (en) 1984-08-31 1986-03-25 Shell Oil Company Selectively hydrogenated block copolymers modified with acid compounds or derivatives
US5371141A (en) 1985-07-31 1994-12-06 Shell Oil Company High impact resistant blends of thermoplastic polyamides and modified block copolymers
JPS6241213A (ja) 1985-08-16 1987-02-23 シエル・インタ−ナシヨネイル・リサ−チ・マ−チヤツピイ・ベ−・ウイ 変性ブロツクコポリマ−、該コポリマ−を含有する耐衝撃性組成物、及び該コポリマ−の製造法
IT1196517B (it) 1986-07-17 1988-11-16 Montedipe Spa Copolimeri a blocco radiali e bimodali aventi ottime proprieta' ottiche e reistenza agli urti e processo per la loro preparazione
DE3630474A1 (de) 1986-09-06 1988-03-10 Basf Ag Verfahren zur herstellung von aufzeichnungsschichten und deren verwendung zur herstellung von flexodruckformen
SU1592414A1 (ru) 1986-11-26 1990-09-15 Vni Pk T I Elektrotermicheskog Cпocoб bыpaщиbahия пpoфилиpobahhыx kpиctaллob tугoплabkиx coeдиhehий и уctpoйctbo для eгo ocущectbлehия
US4751059A (en) * 1986-12-05 1988-06-14 Westinghouse Electric Corp. Apparatus for growing dendritic web crystals of constant width
JPS63261849A (ja) * 1987-04-20 1988-10-28 Fujitsu Ltd マイクロ真空チヤツク
US4930731A (en) 1987-05-06 1990-06-05 Coors Porcelain Company Dome and window for missiles and launch tubes with high ultraviolet transmittance
DE3744243C2 (de) 1987-12-24 1995-12-07 Du Pont Deutschland Verbesserte photopolymerisierbare Aufzeichnungsmaterialien
US4882384A (en) 1988-02-01 1989-11-21 Shell Oil Company Modified block copolymers
US4894315A (en) 1988-08-30 1990-01-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for making flexographic printing plates with increased flexibility
US5041783A (en) * 1989-02-13 1991-08-20 Olympus Optical Co., Ltd. Probe unit for an atomic probe microscope
US4970265A (en) 1989-03-27 1990-11-13 Shell Oil Company Functionalized polymers and process for modifying unsaturated polymers
SU1758913A1 (ru) * 1989-07-03 1992-08-30 Черновицкий Филиал Особого Конструкторско-Технологического Бюро Института Проблем Материаловедения Ан Усср Нагревательное устройство дл выращивани кристаллов
US4997628A (en) * 1989-08-24 1991-03-05 Westinghouse Electric Corp. Web growth configuration for higher productivity and 100% feed rate capability at wide widths
US5206300A (en) 1990-03-30 1993-04-27 Shell Oil Company Functionalized elastomeric polymers
EP0608213A1 (en) 1990-07-10 1994-08-03 Saphikon, Inc. Apparatus for growing hollow crystalline bodies from the melt
US5037622A (en) * 1990-07-13 1991-08-06 Mobil Solar Energy Corporation Wet-tip die for EFG crystal growth apparatus
KR0185671B1 (ko) 1990-08-23 1999-05-15 요하네스 아르트 반 주트펜 블록 공중합체의 용융 금속화 방법
DE4032238A1 (de) 1990-10-11 1992-04-23 Hoechst Ag Lichthaertbares elastomeres gemisch und daraus erhaltenes aufzeichnungsmaterial fuer die herstellung von reliefdruckplatten
US5164041A (en) 1991-01-04 1992-11-17 At&T Bell Laboratories Method of growing rare earth doped orthosilicates(ln2-xrexsio5)
RU1816664C (ru) 1991-01-09 1993-05-23 Физико-технический институт АН БССР Способ магнитно-абразивной обработки
US5516831A (en) 1991-01-30 1996-05-14 Shell Oil Company Selectively sulfonated block copolymers/extender oils
JPH06244269A (ja) 1992-09-07 1994-09-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法
JP3611780B2 (ja) * 1992-09-07 2005-01-19 三菱電機株式会社 半導体製造装置
JP2655576B2 (ja) * 1992-09-30 1997-09-24 信越半導体株式会社 単結晶引上装置におけるアイソレーションバルブ
US5416043A (en) 1993-07-12 1995-05-16 Peregrine Semiconductor Corporation Minimum charge FET fabricated on an ultrathin silicon on sapphire wafer
US5451553A (en) * 1993-09-24 1995-09-19 General Electric Company Solid state thermal conversion of polycrystalline alumina to sapphire
US5436298A (en) 1993-09-30 1995-07-25 Phillips Petroleum Company Block copolymers of monovinylarenes and conjugated dienes and preparation thereof
CA2134026C (en) 1993-11-15 1998-06-09 William J. Trepka Tapered block copolymers of monovinylarenes and conjugated dienes
DE4420952A1 (de) 1994-06-17 1995-12-21 Basf Ag Thermoplastisches Elastomer
KR960008405A (ko) 1994-08-10 1996-03-22 알베르투스 빌헬무스·요아네스 째스트라텐 광경화가능한 탄성중합체 조성물로부터의 플렉서 인쇄판
US5660627A (en) 1994-10-27 1997-08-26 Schlumberger Technology Corporation Method of growing lutetium oxyorthosilicate crystals
US5558712A (en) * 1994-11-04 1996-09-24 Ase Americas, Inc. Contoured inner after-heater shield for reducing stress in growing crystalline bodies
US5690734A (en) 1995-03-22 1997-11-25 Ngk Insulators, Ltd. Single crystal growing method
US6096828A (en) 1995-08-29 2000-08-01 Phillips Petroleum Company Conjugated diene/monovinylarene block copolymers, methods for preparing same, and polymer blends
US6143633A (en) * 1995-10-05 2000-11-07 Ebara Solar, Inc. In-situ diffusion of dopant impurities during dendritic web growth of crystal ribbon
DE19615533A1 (de) 1996-04-19 1997-10-23 Basf Ag Thermoplastische Formmasse
FR2752768B1 (fr) * 1996-08-27 2003-04-11 Commissariat Energie Atomique Procede d'obtention d'une plaquette de materiau semiconducteur de grandes dimensions et utilisation de la plaquette obtenue pour realiser des substrats du type semiconducteur sur isolant
US5758845A (en) 1996-09-09 1998-06-02 Raytheon Company Vehicle having a ceramic radome with a compliant, disengageable attachment
US6011117A (en) 1997-02-11 2000-01-04 Basf Corporation High gloss, high impact polystyrene composition
US6009789A (en) 1997-05-01 2000-01-04 Simula Inc. Ceramic tile armor with enhanced joint and edge protection
US6177236B1 (en) 1997-12-05 2001-01-23 Xerox Corporation Method of making a pixelized scintillation layer and structures incorporating same
US7163731B2 (en) 1998-03-20 2007-01-16 Rafael Armament Development Authority, Ltd. Lightweight armor against firearm projectiles
US6413311B2 (en) 1998-04-16 2002-07-02 Cti, Inc. Method for manufacturing a cerium-doped lutetium oxyorthosilicate scintillator boule having a graded decay time
US6577375B1 (en) 1998-12-28 2003-06-10 Kyocera Corporation Liquid crystal display device having particular sapphire substrates
US6326127B1 (en) 1998-12-31 2001-12-04 Kraton Polymers U.S. Llc Photo-curable polymer composition and flexographic printing plates containing the same
DE19914075A1 (de) 1999-03-27 2000-09-28 Basf Ag Glasklares, schlagzähes Polystyrol auf Basis von Styrol-Butadien-Blockcopolymeren
US6593430B1 (en) 1999-03-27 2003-07-15 Basf Aktiengesellschaft Transparent, impact-resistant polystyrene on a styrene-butadiene block copolymer basis
JP4418057B2 (ja) * 1999-09-14 2010-02-17 星和電機株式会社 Ｌｅｄチップ
EP1275670B1 (en) 2000-01-21 2005-08-10 Mitsui Chemicals, Inc. Olefin block copolymers, production processes of the same and use thereof
CA2405116A1 (en) 2000-04-05 2001-10-18 Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien Use of a resin for producing a hot-melt-type adhesive
US6419858B1 (en) 2000-06-13 2002-07-16 Zms, Llc Morphology trapping and materials suitable for use therewith
US6475942B1 (en) * 2000-09-05 2002-11-05 General Electric Company Conversion of polycrystalline alumina to single crystal sapphire using molybdenum doping
KR100831751B1 (ko) 2000-11-30 2008-05-23 노쓰 캐롤라이나 스테이트 유니버시티 Ｍ'ｎ 물의 제조 방법 및 장치
JP2003112998A (ja) * 2001-09-28 2003-04-18 Furuya Kinzoku:Kk 単結晶製造用坩堝
US7012118B2 (en) 2002-02-07 2006-03-14 Kraton Polymers U.S. Llc Photopolymerizable compositions and flexographic plates prepared from controlled distribution block copolymers
US6987142B2 (en) 2002-02-07 2006-01-17 Kraton Polymers U.S. Llc Adhesives and sealants from controlled distribution block copolymers
US20030181584A1 (en) 2002-02-07 2003-09-25 Kraton Polymers U.S. Llc Elastomeric articles prepared from controlled distribution block copolymers
WO2003068501A1 (en) 2002-02-13 2003-08-21 Agp Europe Gmbh Anti spalling glass construction
JP4245856B2 (ja) * 2002-04-19 2009-04-02 並木精密宝石株式会社 サファイヤ板材の育成方法
JP2003327495A (ja) 2002-05-14 2003-11-19 Namiki Precision Jewel Co Ltd 晶癖面サファイヤ板材及びその製造方法
US7175704B2 (en) 2002-06-27 2007-02-13 Diamond Innovations, Inc. Method for reducing defect concentrations in crystals
JP2004083407A (ja) 2002-08-24 2004-03-18 Carl Zeiss Stiftung コランダム単結晶を成長させる方法および装置
US6762713B1 (en) 2003-01-13 2004-07-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Device and method for determining all components of the stokes polarization vector with a radar signal
FR2860248B1 (fr) 2003-09-26 2006-02-17 Centre Nat Rech Scient Procede de realisation de substrats autosupportes de nitrures d'elements iii par hetero-epitaxie sur une couche sacrificielle
US7285509B2 (en) 2004-01-15 2007-10-23 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical transmission of BGG glass material
US7348076B2 (en) * 2004-04-08 2008-03-25 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Single crystals and methods for fabricating same
US7241540B2 (en) 2004-04-27 2007-07-10 Kraton Polymers U.S. Llc Photocurable compositions and flexographic printing plates comprising the same
KR100718188B1 (ko) 2004-05-07 2007-05-15 삼성코닝 주식회사 비극성 ａ면 질화물 반도체 단결정 기판 및 이의 제조방법
DE602005021364D1 (de) 2004-08-05 2010-07-01 Vladimir Iljich Amosov Verfahren zum ziehen von einkristallen aus einer schmelze
EP1828705A4 (en) 2004-12-03 2009-11-11 Cccip Llc OPTICAL TRANSMISSION SHIELDING COMPOSITE
AU2006257867B2 (en) 2005-06-10 2010-04-22 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Transparent ceramic composite
JP5702931B2 (ja) 2006-09-22 2015-04-15 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティド 単結晶ｃ−面サファイア材料の形成方法
US8161862B1 (en) 2007-01-08 2012-04-24 Corning Incorporated Hybrid laminated transparent armor
US20090130415A1 (en) 2007-11-21 2009-05-21 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. R-Plane Sapphire Method and Apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP1733078B1 (en) 2013-02-27
US20100282160A1 (en) 2010-11-11
US20050227117A1 (en) 2005-10-13
JP2010229030A (ja) 2010-10-14
EP2418307A3 (en) 2013-12-04
CN1946882A (zh) 2007-04-11
UA89491C2 (ru) 2010-02-10
JP2007532458A (ja) 2007-11-15
CN102517630A (zh) 2012-06-27
US8157913B2 (en) 2012-04-17
US20140150716A1 (en) 2014-06-05
US9926645B2 (en) 2018-03-27
CN1946882B (zh) 2012-03-07
JP5541979B2 (ja) 2014-07-09
IL178164A (en) 2014-12-31
CN102517630B (zh) 2015-10-07
USRE43469E1 (en) 2012-06-12
US7348076B2 (en) 2008-03-25
RU2388852C2 (ru) 2010-05-10
EP2418307A2 (en) 2012-02-15
EP3431640A1 (en) 2019-01-23
EP1733078A1 (en) 2006-12-20
US8685161B2 (en) 2014-04-01
WO2005100646A1 (en) 2005-10-27
EP2418306A3 (en) 2013-12-04
CA2560998C (en) 2010-02-09
CN102268732A (zh) 2011-12-07
CA2560998A1 (en) 2005-10-27
US9963800B2 (en) 2018-05-08
US20180016704A1 (en) 2018-01-18
US20180223446A1 (en) 2018-08-09
CN102268732B (zh) 2016-09-14
EP2418306A2 (en) 2012-02-15
US20170342591A1 (en) 2017-11-30
IL178164A0 (en) 2006-12-31
JP5091662B2 (ja) 2012-12-05
US20120145069A1 (en) 2012-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2006135362A (ru) Монокристалл сапфира, способ его изготовления (варианты) и используемое в нем плавильное устройство
RU2448204C2 (ru) САПФИР С r-ПЛОСКОСТЬЮ, СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ
KR101909439B1 (ko) 결정성장장치용 히이터 어셈블리
WO2018023335A1 (zh) 温场梯度移动法制备蓝宝石晶体的方法及装置
CN112877776A (zh) 长晶炉
CN105436478A (zh) 控制变截面处杂晶形成的方法
CN103966668A (zh) 一种基于保护气氛控制棒状蓝宝石晶体直径的生长方法
US7291225B2 (en) Heat shield and crystal growth equipment
CN218175203U (zh) 一种可调节热场的八英寸pvt生长炉
WO1993017158A1 (en) Method and apparatus for growing shaped crystals
CN104651935A (zh) 一种坩埚上升法制备高品质蓝宝石晶体的方法
CN106048718B (zh) 一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法
CN104854041B (zh) 用于抑制坩埚中的熔体流动的堰体
DK1509642T3 (da) Anordning til fremstilling af krystalstave med et defineret tværsnit og söjleformet polykrystallinsk struktur ved en digelfri kontinuerlig krystallisering
CN117405484B (zh) 一种用于评定TiAl基合金定向生长能力的变截面试件及其制备方法
JP2005082474A (ja) シリコン単結晶の製造方法
CN208815153U (zh) 硅芯方锭铸锭炉热场结构
DE102009015113A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Züchtung von Kristallen
CN108179284B (zh) 一种连续高效制备高纯铝的方法及其装置
CN106637387A (zh) 直拉单晶用加热器及直拉单晶方法
CN102758255B (zh) 顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法
CN106702472A (zh) 长晶炉设备
JP2005104751A (ja) 単結晶育成装置
CN206345943U (zh) 一种新型半熔法多晶硅铸锭用保温装置
JPH024126Y2 (ru)

Legal Events

Date Code Title Description
FZ9A Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal)

Effective date: 20080915

FZ9A Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal)

Effective date: 20080915

FZ9A Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal)

Effective date: 20080915

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20170407